JP3112825B2 - マイクロ波装置 - Google Patents
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- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はマイクロ波回路を
実装した基板をシールドケース内に設けたマイクロ波装
置に関するものである。
実装した基板をシールドケース内に設けたマイクロ波装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１１は例えば特開昭６３−７７１９８
号公報に示された従来のマイクロ波装置の基板の平面
図、図１２は図１１のＡ−Ａ線に沿う縦断面図、図１３
は図１１のＢ−Ｂ線に沿う横断面図、図１４はシールド
壁の正面図である。
号公報に示された従来のマイクロ波装置の基板の平面
図、図１２は図１１のＡ−Ａ線に沿う縦断面図、図１３
は図１１のＢ−Ｂ線に沿う横断面図、図１４はシールド
壁の正面図である。
【０００３】図において、マイクロ波装置５０は外カバ
ー５２が、増幅回路の形成された回路基板５１を上から
覆うように設けられている。上記増幅回路を構成し回路
部品をなす複数の増幅素子５３，５４，５５と、これら
増幅素子５３，５４，５５同士間に配設された回路部品
をなす結合コンデンサ５６，５７と、両端の増幅素子５
３，５５にそれぞれ接続して配設された回路部品をなす
マイクロ波信号伝送パターン５８，５９とを、前記外カ
バー５２とは別にシールドするように、外カバー５２の
内側にシールド壁６０が外カバー５２から回路基板５１
に向って下方へ突出して形成されている。
ー５２が、増幅回路の形成された回路基板５１を上から
覆うように設けられている。上記増幅回路を構成し回路
部品をなす複数の増幅素子５３，５４，５５と、これら
増幅素子５３，５４，５５同士間に配設された回路部品
をなす結合コンデンサ５６，５７と、両端の増幅素子５
３，５５にそれぞれ接続して配設された回路部品をなす
マイクロ波信号伝送パターン５８，５９とを、前記外カ
バー５２とは別にシールドするように、外カバー５２の
内側にシールド壁６０が外カバー５２から回路基板５１
に向って下方へ突出して形成されている。
【０００４】このシールド壁６０の突出先端部は、上記
回路基板５１の基板面におけるアースパターン面上に当
接されている。また、このシールド壁６０は、伝送帯域
内信号のみを通過させ、例えば、局部発振器の信号など
の外部スプリアス信号に対してカットオフとなるような
距離をおいた位置に垂下して形成されている。また、上
記シールド壁６０には、図１４に示すように、増幅阻止
用のバイアス線をなす直流バイアスパターン６４〜６９
（図１１に図示）をシールド室内部まで貫設するための
複数の小窓７０〜７５が形成され、これによりアースと
直流バイアスとの短絡を防止している。
回路基板５１の基板面におけるアースパターン面上に当
接されている。また、このシールド壁６０は、伝送帯域
内信号のみを通過させ、例えば、局部発振器の信号など
の外部スプリアス信号に対してカットオフとなるような
距離をおいた位置に垂下して形成されている。また、上
記シールド壁６０には、図１４に示すように、増幅阻止
用のバイアス線をなす直流バイアスパターン６４〜６９
（図１１に図示）をシールド室内部まで貫設するための
複数の小窓７０〜７５が形成され、これによりアースと
直流バイアスとの短絡を防止している。
【０００５】これら小窓７０〜７５は、直流バイアスパ
ターン６４〜６９の幅が０．２ｍｍ前後なので、例えば
１ｍｍ角の方形状をなしている。さらに、これら小窓７
０〜７５を塞ぐように、長板状の電波吸収体７６がシー
ルド壁６０の外壁面側に付設されている。この電波吸収
体７６は、ゴム製等の材質であって、スプリアス信号周
波数帯のマイクロ波を吸収し得る特性を有している。電
波吸収体７６の高さ寸法は、上記小窓７０〜７５の大き
さに対応させて、具体的には２〜３ｍｍ幅に形成され
る。
ターン６４〜６９の幅が０．２ｍｍ前後なので、例えば
１ｍｍ角の方形状をなしている。さらに、これら小窓７
０〜７５を塞ぐように、長板状の電波吸収体７６がシー
ルド壁６０の外壁面側に付設されている。この電波吸収
体７６は、ゴム製等の材質であって、スプリアス信号周
波数帯のマイクロ波を吸収し得る特性を有している。電
波吸収体７６の高さ寸法は、上記小窓７０〜７５の大き
さに対応させて、具体的には２〜３ｍｍ幅に形成され
る。
【０００６】上記の構成において、マイクロ波装置５０
には、外カバー５２と一体のシールド壁６０が垂下して
形成されているため、部品点数が少なくてすむととも
に、回路基板５１への取り付け作業工数も節減されるこ
とになる。また、シールド壁６０に形成された小窓７０
〜７５を塞ぐように電波吸収体７６が設けられているの
で、バイアス回路からの伝送帯信号の漏洩、およびスプ
リアス信号の侵入を防止することができる。
には、外カバー５２と一体のシールド壁６０が垂下して
形成されているため、部品点数が少なくてすむととも
に、回路基板５１への取り付け作業工数も節減されるこ
とになる。また、シールド壁６０に形成された小窓７０
〜７５を塞ぐように電波吸収体７６が設けられているの
で、バイアス回路からの伝送帯信号の漏洩、およびスプ
リアス信号の侵入を防止することができる。
【０００７】したがって、マイクロ波増幅器の直流バイ
アスパターン６４〜６９からマイクロ波が漏洩しなくな
るため、マイクロ波増幅器の帯域内増幅特性にリップル
が発生することはなくなり、平坦特性が劣化し難しくな
る。
アスパターン６４〜６９からマイクロ波が漏洩しなくな
るため、マイクロ波増幅器の帯域内増幅特性にリップル
が発生することはなくなり、平坦特性が劣化し難しくな
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波装置
は以上のように構成されているので、 （１）増幅回路とバイアスラインとしての直流バイアス
パターン６４〜６９が共に基板５１の同じ面に設けてあ
り、この面にシールドカバーの切り欠きを形成している
ため、シールド効果に限界があった。
は以上のように構成されているので、 （１）増幅回路とバイアスラインとしての直流バイアス
パターン６４〜６９が共に基板５１の同じ面に設けてあ
り、この面にシールドカバーの切り欠きを形成している
ため、シールド効果に限界があった。
【０００９】（２）基板５１上のバイアスパターンと外
部電源との接続のために外カバー５２にも切り欠きが必
要であり、これにより外部とのシールド性能が劣化する
等の課題があった。
部電源との接続のために外カバー５２にも切り欠きが必
要であり、これにより外部とのシールド性能が劣化する
等の課題があった。
【００１０】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、バイアス及び監視制御信号入出力
用パターンを外部回路と簡単に接続可能で、かつ簡単な
構成でシールド性の良いマイクロ波装置を提供すること
を目的とする。
めになされたもので、バイアス及び監視制御信号入出力
用パターンを外部回路と簡単に接続可能で、かつ簡単な
構成でシールド性の良いマイクロ波装置を提供すること
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明にか
かるマイクロ波装置は、マイクロ波回路を実装した基板
と、この基板を収納したシールドケースと、このシール
ドケースに取付けられたマイクロ波信号入出力用同軸コ
ネクタと、バイアス及び監視制御信号入出力用コネクタ
と、基板の一面に実装したマイクロ波回路とバイアス及
び監視制御信号入出力用コネクタの間に位置して前記シ
ールドケース内に設けたシールド壁と、前記基板のマイ
クロ波回路実装面とは反対面に当たる前記シールド壁部
分に設けた切り欠き部と、この切り欠き部に対応する前
記基板面に配置したバイアス及び監視制御信号入出力用
パターンとを備えたものである。
かるマイクロ波装置は、マイクロ波回路を実装した基板
と、この基板を収納したシールドケースと、このシール
ドケースに取付けられたマイクロ波信号入出力用同軸コ
ネクタと、バイアス及び監視制御信号入出力用コネクタ
と、基板の一面に実装したマイクロ波回路とバイアス及
び監視制御信号入出力用コネクタの間に位置して前記シ
ールドケース内に設けたシールド壁と、前記基板のマイ
クロ波回路実装面とは反対面に当たる前記シールド壁部
分に設けた切り欠き部と、この切り欠き部に対応する前
記基板面に配置したバイアス及び監視制御信号入出力用
パターンとを備えたものである。
【００１２】請求項２記載の発明に係るマイクロ波装置
は、マイクロ波回路を実装した基板と、この基板を収納
したシールドケースと、このシールドケースに取付けら
れたマイクロ波信号入出力用同軸コネクタと、バイアス
及び監視制御信号入出力用コネクタと、基板の一面に実
装したマイクロ波回路とバイアス及び監視制御信号入出
力用コネクタの間に位置して前記シールドケース内に設
けたシールド壁と、前記バイアス及び監視制御信号入出
力用コネクタが実装された基板部分をシールドケースの
外に配置し、前記基板のマイクロ波回路実装面とは反対
面に当る前記シールド壁部分に設けた切り欠き部と、こ
の切り欠き部に対応する基板面に配置したバイアス及び
監視制御信号用パターンとを備えものである。
は、マイクロ波回路を実装した基板と、この基板を収納
したシールドケースと、このシールドケースに取付けら
れたマイクロ波信号入出力用同軸コネクタと、バイアス
及び監視制御信号入出力用コネクタと、基板の一面に実
装したマイクロ波回路とバイアス及び監視制御信号入出
力用コネクタの間に位置して前記シールドケース内に設
けたシールド壁と、前記バイアス及び監視制御信号入出
力用コネクタが実装された基板部分をシールドケースの
外に配置し、前記基板のマイクロ波回路実装面とは反対
面に当る前記シールド壁部分に設けた切り欠き部と、こ
の切り欠き部に対応する基板面に配置したバイアス及び
監視制御信号用パターンとを備えものである。
【００１３】請求項３記載の発明に係る装置は、シール
ド壁の切り欠き部と基板の間に電波吸収体を挿入したも
のである。
ド壁の切り欠き部と基板の間に電波吸収体を挿入したも
のである。
【００１４】請求項４記載の発明に係る装置は、シール
ド壁の切り欠き部と基板の間に誘電体を挿入したもので
ある。
ド壁の切り欠き部と基板の間に誘電体を挿入したもので
ある。
【００１５】請求項５記載の発明に係る装置は、バイア
ス及び監視制御信号入出力用コネクタの近傍にノイズ除
去用フィルタを設けたものである。
ス及び監視制御信号入出力用コネクタの近傍にノイズ除
去用フィルタを設けたものである。
【００１６】請求項６記載の発明に係るマイクロ波装置
は、マイクロ波回路を実装した基板と、この基板を収納
したシールドケースと、このシールドケースに取付けら
れたマイクロ波信号入出力用同軸コネクタと、バイアス
及び監視制御信号入出力用コネクタと、基板の一面に実
装したマイクロ波回路とバイアス及び監視制御信号入出
力用コネクタの間に位置して前記シールドケース内に設
けたシールド壁と、前記基板に多層基板を用い、前記シ
ールド壁が前記基板に当たる部分において、前記多層基
板の内層に配設したバイアス及び監視制御信号入出力用
パターンとを備えたものである。
は、マイクロ波回路を実装した基板と、この基板を収納
したシールドケースと、このシールドケースに取付けら
れたマイクロ波信号入出力用同軸コネクタと、バイアス
及び監視制御信号入出力用コネクタと、基板の一面に実
装したマイクロ波回路とバイアス及び監視制御信号入出
力用コネクタの間に位置して前記シールドケース内に設
けたシールド壁と、前記基板に多層基板を用い、前記シ
ールド壁が前記基板に当たる部分において、前記多層基
板の内層に配設したバイアス及び監視制御信号入出力用
パターンとを備えたものである。
【００１７】請求項７記載の発明に係る装置は、マイク
ロ波回路を実装した基板と、この基板を収納したシール
ドケースと、このシールドケースに取付けられたマイク
ロ波信号入出力用同軸コネクタと、バイアス及び監視制
御信号入出力用コネクタと、基板の一面に実装したマイ
クロ波回路とバイアス及び監視制御信号入出力用コネク
タの間に位置して前記シールドケース内に設けたシール
ド壁と、前記バイアス及び監視制御信号入出力用コネク
タが実装された基板部分をシールドケースの外に配置
し、前記基板に多層基板を用い、前記シールド壁が前記
基板に当る部分において、前記多層基板の内層に配置し
たバイアス及び監視制御信号用パターンとを備えたもの
である。
ロ波回路を実装した基板と、この基板を収納したシール
ドケースと、このシールドケースに取付けられたマイク
ロ波信号入出力用同軸コネクタと、バイアス及び監視制
御信号入出力用コネクタと、基板の一面に実装したマイ
クロ波回路とバイアス及び監視制御信号入出力用コネク
タの間に位置して前記シールドケース内に設けたシール
ド壁と、前記バイアス及び監視制御信号入出力用コネク
タが実装された基板部分をシールドケースの外に配置
し、前記基板に多層基板を用い、前記シールド壁が前記
基板に当る部分において、前記多層基板の内層に配置し
たバイアス及び監視制御信号用パターンとを備えたもの
である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１９】実施の形態１．図１はこの発明の実施の形
態１によるマイクロ波装置を示す正面図、図２は上面カ
バーを外した平面図、図３は図１の一部破断した左側面
図であり、図において、基板１はシールドケース２ａ内
に支持固定されており、このシールドケース２ａの上面
には上面カバー２ｂが取付けられている。上記基板１の
一面にはマイクロ波回路部品３，４が実装されており、
これらマイクロ波回路部品３，４をシールドするため
に、シールドケース２ａ及び上面カバー２ｂにはそれぞ
れこの基板１の表裏面に当接するシールド壁１０ａ，１
０ｂが設けられている。そして、上記マイクロ波回路部
品３，４を実装した一面（表面）とは反対の面（裏面）
において、上記シールド壁１０ａに切り欠き部２０が設
けられている。
態１によるマイクロ波装置を示す正面図、図２は上面カ
バーを外した平面図、図３は図１の一部破断した左側面
図であり、図において、基板１はシールドケース２ａ内
に支持固定されており、このシールドケース２ａの上面
には上面カバー２ｂが取付けられている。上記基板１の
一面にはマイクロ波回路部品３，４が実装されており、
これらマイクロ波回路部品３，４をシールドするため
に、シールドケース２ａ及び上面カバー２ｂにはそれぞ
れこの基板１の表裏面に当接するシールド壁１０ａ，１
０ｂが設けられている。そして、上記マイクロ波回路部
品３，４を実装した一面（表面）とは反対の面（裏面）
において、上記シールド壁１０ａに切り欠き部２０が設
けられている。
【００２０】マイクロ波信号入出力用同軸コネクタ１１
はシールドケース２ａの外部に設けられ、接続ピン１１
ａを介して基板１上のマイクロ波回路と接続されてい
る。バイアス及び監視制御信号入出力用コネクタ３０は
基板１の一端側に実装され、基板１を貫通した接続ピン
３０ａに一端を接続したバイアス及び監視制御信号入出
力パターン１４は、シールド壁１０ａの切り欠き部２０
を通じてシールド室内側に侵入している。また、上記バ
イアス及び監視制御信号入出力用コネクタ３０の近傍に
は、図２の鎖線で示すように、ノイズ除去用フィルタ３
１を設けることもできる。
はシールドケース２ａの外部に設けられ、接続ピン１１
ａを介して基板１上のマイクロ波回路と接続されてい
る。バイアス及び監視制御信号入出力用コネクタ３０は
基板１の一端側に実装され、基板１を貫通した接続ピン
３０ａに一端を接続したバイアス及び監視制御信号入出
力パターン１４は、シールド壁１０ａの切り欠き部２０
を通じてシールド室内側に侵入している。また、上記バ
イアス及び監視制御信号入出力用コネクタ３０の近傍に
は、図２の鎖線で示すように、ノイズ除去用フィルタ３
１を設けることもできる。
【００２１】次に動作について説明する。マイクロ波回
路を形成する回路部品３，４及びマイクロストリップラ
イン等は基板１の一方の面に形成されており、このマイ
クロ波回路とバイアス及び監視制御信号入出力用コネク
タ３０とは、シールド壁１０ｂにより分離されている。
このシールド壁１０ｂは基板１の表面のＧＮＤパターン
と接触するようになっており、二つのＧＮＰパターンが
基板１の表裏面を連通することにより、マイクロ波回路
を形成する回路部品３、４の実装面とは反対の基板裏面
のシールド壁１０ａに形成された切り欠き部２０におい
て、基板１上のバイアス及び監視制御信号入出力用パタ
ーン１４を介して、バイアス及び監視制御入出力用コネ
クタ３０とマイクロ波回路との間を接続している。
路を形成する回路部品３，４及びマイクロストリップラ
イン等は基板１の一方の面に形成されており、このマイ
クロ波回路とバイアス及び監視制御信号入出力用コネク
タ３０とは、シールド壁１０ｂにより分離されている。
このシールド壁１０ｂは基板１の表面のＧＮＤパターン
と接触するようになっており、二つのＧＮＰパターンが
基板１の表裏面を連通することにより、マイクロ波回路
を形成する回路部品３、４の実装面とは反対の基板裏面
のシールド壁１０ａに形成された切り欠き部２０におい
て、基板１上のバイアス及び監視制御信号入出力用パタ
ーン１４を介して、バイアス及び監視制御入出力用コネ
クタ３０とマイクロ波回路との間を接続している。
【００２２】このように、マイクロ波回路とバイアス及
び監視制御信号入出力用パターン１４を基板１の別々の
面に配置し、マイクロ波回路の形成されている面側をシ
ールド壁１０ｂにより完全にシールドすることにより、
シールド性を向上できる。
び監視制御信号入出力用パターン１４を基板１の別々の
面に配置し、マイクロ波回路の形成されている面側をシ
ールド壁１０ｂにより完全にシールドすることにより、
シールド性を向上できる。
【００２３】また、バイアス及び監視制御信号入出力用
コネクタ３０の接続は、シールド壁１０ａの切り欠き部
２０により行っているので、外部とのインターフェース
コネクタ部におけるシールド性も向上できる。マイクロ
波回路部分の基板１の裏面側を全面ＧＮＤとすることに
より、更に高いシールド性を実現できる。
コネクタ３０の接続は、シールド壁１０ａの切り欠き部
２０により行っているので、外部とのインターフェース
コネクタ部におけるシールド性も向上できる。マイクロ
波回路部分の基板１の裏面側を全面ＧＮＤとすることに
より、更に高いシールド性を実現できる。
【００２４】本実施の形態１において、シールド壁１０
ａの切り欠き部２０に電波吸収体３２を挿入することに
より、この切り欠き部２０からもれる放射ノイズを抑圧
することも可能である。
ａの切り欠き部２０に電波吸収体３２を挿入することに
より、この切り欠き部２０からもれる放射ノイズを抑圧
することも可能である。
【００２５】また、本実施の形態１の構成において、シ
ールド壁１０ａの切り欠き部２０に誘電体３３を挿入す
ることにより、この部分のバイアス及び監視制御信号入
出力用パターン１４とシールド壁１０ａとの間でコンデ
ンサを形成することにより、上記バイアス及び監視制御
信号入出力用パターン１４による伝導性ノイズを抑圧す
ることも可能である。
ールド壁１０ａの切り欠き部２０に誘電体３３を挿入す
ることにより、この部分のバイアス及び監視制御信号入
出力用パターン１４とシールド壁１０ａとの間でコンデ
ンサを形成することにより、上記バイアス及び監視制御
信号入出力用パターン１４による伝導性ノイズを抑圧す
ることも可能である。
【００２６】また、本実施の形態１の構成において、バ
イアス及び監視制御信号入出力用コネクタ３０の近傍に
ノイズ除去用フィルタ３１を設けることにより、バイア
ス及び監視制御信号入出力用パターン１４における伝導
ノイズを抑圧することもできる。
イアス及び監視制御信号入出力用コネクタ３０の近傍に
ノイズ除去用フィルタ３１を設けることにより、バイア
ス及び監視制御信号入出力用パターン１４における伝導
ノイズを抑圧することもできる。
【００２７】実施の形態２．図４はこの発明の実施の形
態２によるマイクロ波装置を示す正面図、図５は上面カ
バーを外した平面図であり、前記図１、図２と同一部分
には同一符号を付して説明を省略する。図において、回
路基板１として多層基板を用い、バイアス及び監視制御
信号入出力用パターン１４の接続は多層基板の内層パタ
ーン１５により行い、シールド壁１０ａの切り欠き部２
０をなくし、基板１を両面共シールド壁１０ａ，１０ｂ
により完全にシールドすることにより、すぐれたシール
ド性を実現できる。
態２によるマイクロ波装置を示す正面図、図５は上面カ
バーを外した平面図であり、前記図１、図２と同一部分
には同一符号を付して説明を省略する。図において、回
路基板１として多層基板を用い、バイアス及び監視制御
信号入出力用パターン１４の接続は多層基板の内層パタ
ーン１５により行い、シールド壁１０ａの切り欠き部２
０をなくし、基板１を両面共シールド壁１０ａ，１０ｂ
により完全にシールドすることにより、すぐれたシール
ド性を実現できる。
【００２８】実施の形態３．図６はこの発明の実施の形
態３によるマイクロ波装置を示す正面図、図７は上カバ
ーを外した平面図、図８は左側面図であり、前記図１〜
３と同一部分には同一符号を付して重複説明を省略す
る。図において、マイクロ波回路を形成する回路部品
３，４及びマイクロストリップライン等が基板１の一面
に形成されており、バイアス及び監視制御信号入出力用
コネクタ３０が実装された基板部分をシールドケース２
ａの外に配置し、回路部品３，４の実装部分のみをシー
ルドケース２ａの内部に設けている。
態３によるマイクロ波装置を示す正面図、図７は上カバ
ーを外した平面図、図８は左側面図であり、前記図１〜
３と同一部分には同一符号を付して重複説明を省略す
る。図において、マイクロ波回路を形成する回路部品
３，４及びマイクロストリップライン等が基板１の一面
に形成されており、バイアス及び監視制御信号入出力用
コネクタ３０が実装された基板部分をシールドケース２
ａの外に配置し、回路部品３，４の実装部分のみをシー
ルドケース２ａの内部に設けている。
【００２９】マイクロ波回路とバイアス及び監視制御信
号入出力用コネクタ３０との接続は、回路部品３，４を
実装した面とは反対の基板面に対応するシールド壁１０
ａの位置に切り欠き２０を設け、この切り欠き部２０に
沿ってバイアス及び監視制御信号入出力用パターン１４
を配置することにより行っている。
号入出力用コネクタ３０との接続は、回路部品３，４を
実装した面とは反対の基板面に対応するシールド壁１０
ａの位置に切り欠き２０を設け、この切り欠き部２０に
沿ってバイアス及び監視制御信号入出力用パターン１４
を配置することにより行っている。
【００３０】以上のように構成することにより、実施の
形態１と同等の効果が得られると共に、シールドケース
２ａの形状を一般的な長方形とすることができ、シール
ドケース２ａの簡略化が可能である。
形態１と同等の効果が得られると共に、シールドケース
２ａの形状を一般的な長方形とすることができ、シール
ドケース２ａの簡略化が可能である。
【００３１】また本実施の形態３の構成において、シー
ルドケース２ａを側板を兼ねるシールド壁１０ａの切り
欠き部２０に電波吸収体３２を挿入することにより、こ
の切り欠き部２０からもれる放射ノイズを抑圧すること
ができる。
ルドケース２ａを側板を兼ねるシールド壁１０ａの切り
欠き部２０に電波吸収体３２を挿入することにより、こ
の切り欠き部２０からもれる放射ノイズを抑圧すること
ができる。
【００３２】また本実施の形態３の構成において、シー
ルド壁１０ａの切り欠き部２０に誘電体３３を挿入する
ことにより、この部分のバイアス及び監視制御信号入出
力用パターン１４とシールド壁１０ａとの間でコンデン
サを形成することにより、上記パターン１４による伝導
性ノイズを抑圧することができる。
ルド壁１０ａの切り欠き部２０に誘電体３３を挿入する
ことにより、この部分のバイアス及び監視制御信号入出
力用パターン１４とシールド壁１０ａとの間でコンデン
サを形成することにより、上記パターン１４による伝導
性ノイズを抑圧することができる。
【００３３】また本実施の形態３の構成において、バイ
アス及び監視制御信号入出力用コネクタ３０の近傍にノ
イズ除去用フィルタ３１を設けることにより、バイアス
及び監視制御信号入出力用パターン１４における伝導ノ
イズを抑圧できる。
アス及び監視制御信号入出力用コネクタ３０の近傍にノ
イズ除去用フィルタ３１を設けることにより、バイアス
及び監視制御信号入出力用パターン１４における伝導ノ
イズを抑圧できる。
【００３４】実施の形態４．図９はこの発明の実施の形
態４によるマイクロ波装置を示す正面図、図１０は上カ
バー２ｂを外した平面図であり、前記図６，７と同一部
分には同一符号を付して重複説明を省略する。図におい
て、回路基板として多層基板を用い、バイアス及び監視
制御信号入出力用パターン１４の接続は多層基板の内層
パターン１５により行い、シールド壁１０ａの切り欠き
部２０をなくし、基板１を両面共シールド壁により完全
にシールドすることにより、すぐれたシールド性を実現
できる。
態４によるマイクロ波装置を示す正面図、図１０は上カ
バー２ｂを外した平面図であり、前記図６，７と同一部
分には同一符号を付して重複説明を省略する。図におい
て、回路基板として多層基板を用い、バイアス及び監視
制御信号入出力用パターン１４の接続は多層基板の内層
パターン１５により行い、シールド壁１０ａの切り欠き
部２０をなくし、基板１を両面共シールド壁により完全
にシールドすることにより、すぐれたシールド性を実現
できる。
【００３５】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、基板の一
面に実装したマイクロ波回路とバイアス及び監視制御信
号入出力用コネクタの間に位置して前記シールドケース
内にシールド壁を設け、前記基板のマイクロ波回路実装
面とは反対面に当る前記シールド壁部分に切り欠きを設
け、この切り欠き部に対応する基板面にバイアス及び監
視制御信号入出力用パターンを配置して構成したので、
簡単な構成でシールド効果を向上する効果がある。
面に実装したマイクロ波回路とバイアス及び監視制御信
号入出力用コネクタの間に位置して前記シールドケース
内にシールド壁を設け、前記基板のマイクロ波回路実装
面とは反対面に当る前記シールド壁部分に切り欠きを設
け、この切り欠き部に対応する基板面にバイアス及び監
視制御信号入出力用パターンを配置して構成したので、
簡単な構成でシールド効果を向上する効果がある。
【００３６】請求項２記載の発明によれば、基板の一面
に実装したマイクロ波回路とバイアス及び監視制御信号
入出力用コネクタの間に位置して前記ケース内にシール
ド壁を設け、前記バイアス及び監視制御信号入出力用コ
ネクタが実装された基板部分をケースの外に配置し、前
記基板のマイクロ波回路実装面とは反対面に当る前記シ
ールド壁部分に切り欠きを設け、この切り欠き部に対応
する基板面にバイアス及び監視制御信号入出力用パター
ンを配置して構成したので、シールド効果を向上できる
とともに、シールドケースの構造を簡略化でき、製造コ
ストの低減が可能になるという効果がある。
に実装したマイクロ波回路とバイアス及び監視制御信号
入出力用コネクタの間に位置して前記ケース内にシール
ド壁を設け、前記バイアス及び監視制御信号入出力用コ
ネクタが実装された基板部分をケースの外に配置し、前
記基板のマイクロ波回路実装面とは反対面に当る前記シ
ールド壁部分に切り欠きを設け、この切り欠き部に対応
する基板面にバイアス及び監視制御信号入出力用パター
ンを配置して構成したので、シールド効果を向上できる
とともに、シールドケースの構造を簡略化でき、製造コ
ストの低減が可能になるという効果がある。
【００３７】請求項３記載の発明によれば、シールド壁
の切り欠き部と基板の間に電波吸収体を挿入したので、
外部とのシールド効果が向上する効果がある。
の切り欠き部と基板の間に電波吸収体を挿入したので、
外部とのシールド効果が向上する効果がある。
【００３８】請求項４記載の発明によれば、シールド壁
の切り欠き部と基板の間に誘電体を挿入したので、外部
とのシールド効果が向上する効果がある。
の切り欠き部と基板の間に誘電体を挿入したので、外部
とのシールド効果が向上する効果がある。
【００３９】請求項５記載の発明によれば、バイアス及
び監視制御信号入出力用コネクタの近傍にノイズ除去用
フィルタを設けて構成したので、バイアス及び監視制御
信号入出力ラインにおける伝導ノイズを抑圧できる効果
がある。
び監視制御信号入出力用コネクタの近傍にノイズ除去用
フィルタを設けて構成したので、バイアス及び監視制御
信号入出力ラインにおける伝導ノイズを抑圧できる効果
がある。
【００４０】請求項６記載の発明によれば、多層基板を
用い実装したマイクロ波回路とバイアス及び監視制御信
号入出力用コネクタの間に位置してシールドケース内に
シールド壁を設け、前記シールド壁が前記基板に当る部
分において基板の内層にバイアス及び監視制御信号入出
力用パターンを配置して構成したので、すぐれたシール
ド性を実現できる効果がある。
用い実装したマイクロ波回路とバイアス及び監視制御信
号入出力用コネクタの間に位置してシールドケース内に
シールド壁を設け、前記シールド壁が前記基板に当る部
分において基板の内層にバイアス及び監視制御信号入出
力用パターンを配置して構成したので、すぐれたシール
ド性を実現できる効果がある。
【００４１】請求項７記載の発明によれば、多層基板を
用い、バイアス及び監視制御信号入出力用コネクタの実
装した部分をシールドケースの外に配置し、このシール
ドケースが多層基板に当る部分において該多層基板の内
層にバイアス及び監視制御信号入出力用パターンを配置
して構成したので、すぐれたシールド性を実現できる効
果がある。
用い、バイアス及び監視制御信号入出力用コネクタの実
装した部分をシールドケースの外に配置し、このシール
ドケースが多層基板に当る部分において該多層基板の内
層にバイアス及び監視制御信号入出力用パターンを配置
して構成したので、すぐれたシールド性を実現できる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１によるマイクロ波装
置の構成を示す正面図である。
置の構成を示す正面図である。
【図２】 図１の外面カバーを取外した状態の平面図で
ある。
ある。
【図３】 図１の一部を破断した左側面図である。
【図４】 この発明の実施の形態２によるマイクロ波装
置の構成を示す正面図である。
置の構成を示す正面図である。
【図５】 図４の外面カバーを取外した状態の平面図で
ある。
ある。
【図６】 この発明の実施の形態３によるマイクロ波装
置の構成を示す正面図である。
置の構成を示す正面図である。
【図７】 図６の外面カバーを取外した状態の平面図で
ある。
ある。
【図８】 図６の左側面図である。
【図９】 この発明の実施の形態４によるマイクロ波装
置の構成を示す正面図である。
置の構成を示す正面図である。
【図１０】 図９の外面カバーを取外した状態の平面図
である。
である。
【図１１】 従来の発明によるマイクロ波装置を示す平
面図である。
面図である。
【図１２】 図１１のＡ−Ａ線に沿う縦断面図である。
【図１３】 図１１のＢ−Ｂ線に沿う横断面図である。
【図１４】 シールド壁の正面図である。
１ 基板、２ａ シールドケース、３，４ マイクロ波
の回路部品、１０ａ，１０ｂ シールド壁、１１ 同軸
コネクタ、１４ バイアス及び監視制御信号入出力用パ
ターン、２０ シールド壁に設けられた切り欠き部、３
０ バイアス及び監視制御信号入出力用コネクタ、３１
ノイズ除去用フィルタ、３２ 電波吸収体、３３ 誘
電体。
の回路部品、１０ａ，１０ｂ シールド壁、１１ 同軸
コネクタ、１４ バイアス及び監視制御信号入出力用パ
ターン、２０ シールド壁に設けられた切り欠き部、３
０ バイアス及び監視制御信号入出力用コネクタ、３１
ノイズ除去用フィルタ、３２ 電波吸収体、３３ 誘
電体。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−133600（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−129789（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−315465（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−250884（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−275878（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−48696（ＪＰ，Ａ) 実開 平６−31198（ＪＰ，Ｕ) 実開 平４−23301（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 9/00
Claims (7)
- 【請求項１】 マイクロ波回路を実装した基板と、この
基板を収納したシールドケースと、このシールドケース
に取付けられたマイクロ波信号入出力用同軸コネクタ
と、バイアス及び監視制御信号入出力用コネクタとを有
するマイクロ波装置において、前記基板の一面に実装し
たマイクロ波回路とバイアス及び監視制御信号入出力用
コネクタの間に位置して前記シールドケース内に設けた
シールド壁と、前記基板のマイクロ波回路実装面とは反
対面に当たる前記シールド壁部分に設けた切り欠き部
と、この切り欠き部に対応する前記基板面に配置したバ
イアス及び監視制御信号入出力用パターンとを備えたこ
とを特徴とするマイクロ波装置。 - 【請求項２】 マイクロ波回路を実装した基板と、この
基板を収納したシールドケースと、このシールドケース
に取付けられたマイクロ波信号入出力用同軸コネクタ
と、バイアス及び監視制御信号入出力用コネクタとを有
するマイクロ波装置において、前記基板の一面に実装し
たマイクロ波回路とバイアス及び監視制御信号入出力用
コネクタの間に位置して前記シールドケース内に設けた
シールド壁と、前記バイアス及び監視制御信号入出力用
コネクタが実装された基板部分をシールドケースの外に
配置し、前記基板のマイクロ波回路実装面とは反対面に
当る前記シールド壁部分に設けた切り欠き部と、この切
り欠き部に対応する基板面に配置したバイアス及び監視
制御信号入出力用パターンとを備えことを特徴とするマ
イクロ波装置。 - 【請求項３】 シールド壁の切り欠き部と基板の間に電
波吸収体を挿入したことを特徴とする請求項１又は２記
載のマイクロ波装置。 - 【請求項４】 シールド壁の切り欠き部と基板の間に誘
電体を挿入したことを特徴とする請求項１又は２記載の
マイクロ波装置。 - 【請求項５】 バイアス及び監視制御信号入出力用コネ
クタの近傍にノイズ除去用フィルタを設けたことを特徴
とする請求項１又は２記載のマイクロ波装置。 - 【請求項６】 マイクロ波回路を実装した基板と、この
基板を収納したシールドケースと、このシールドケース
に取付けられたマイクロ波信号入出力用同軸コネクタ
と、バイアス及び監視制御信号入出力用コネクタとを有
するマイクロ波装置において、前記基板の一面に実装し
たマイクロ波回路とバイアス及び監視制御信号入出力用
コネクタの間に位置して前記シールドケース内に設けた
シールド壁と、前記基板に多層基板を用い、前記シール
ド壁が前記基板に当たる部分において、前記多層基板の
内層に配設したバイアス及び監視制御信号入出力用パタ
ーンとを備えたことを特徴とするマイクロ波装置。 - 【請求項７】 マイクロ波回路を実装した基板と、この
基板を収納したシールドケースと、このシールドケース
に取付けられたマイクロ波信号入出力用同軸コネクタ
と、バイアス及び監視制御信号入出力用コネクタを有す
るマイクロ波装置において、前記基板の一面に実装した
マイクロ波回路とバイアス及び監視制御信号入出力用コ
ネクタの間に位置して前記シールドケース内に設けたシ
ールド壁と、前記バイアス及び監視制御信号入出力用コ
ネクタが実装された基板部分をシールドケースの外に配
置し、前記基板に多層基板を用い、前記シールド壁が前
記基板に当る部分において、前記多層基板の内層に配置
したバイアス及び監視制御信号入出力用パターンとを備
えたことを特徴とするマイクロ波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08091152A JP3112825B2 (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | マイクロ波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08091152A JP3112825B2 (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | マイクロ波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283962A JPH09283962A (ja) | 1997-10-31 |
| JP3112825B2 true JP3112825B2 (ja) | 2000-11-27 |
Family
ID=14018551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08091152A Expired - Fee Related JP3112825B2 (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | マイクロ波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3112825B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6296699B1 (en) | 1999-01-27 | 2001-10-02 | Weihua Jin | Inorganic binders employing waste glass |
| EP3060033A4 (en) * | 2013-10-18 | 2017-06-07 | Denso Corporation | Electronic device |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10113912B4 (de) * | 2001-03-21 | 2006-09-28 | Siemens Ag | Elektronische Vorrichtung |
| JP5148189B2 (ja) * | 2007-07-20 | 2013-02-20 | 株式会社東芝 | 高周波電力増幅モジュール |
| JP7158463B2 (ja) | 2018-03-23 | 2022-10-21 | 日立Astemo株式会社 | 電子制御装置 |
| JP7153984B2 (ja) * | 2018-07-13 | 2022-10-17 | 日立Astemo株式会社 | 電子制御装置 |
| WO2021131599A1 (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | 日立Astemo株式会社 | 電子制御装置 |
| JP7278233B2 (ja) * | 2020-03-19 | 2023-05-19 | 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント | 電子機器 |
| JP2023180583A (ja) * | 2022-06-09 | 2023-12-21 | 日立Astemo株式会社 | 電子制御装置 |
-
1996
- 1996-04-12 JP JP08091152A patent/JP3112825B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6296699B1 (en) | 1999-01-27 | 2001-10-02 | Weihua Jin | Inorganic binders employing waste glass |
| EP3060033A4 (en) * | 2013-10-18 | 2017-06-07 | Denso Corporation | Electronic device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09283962A (ja) | 1997-10-31 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |