JP2599732B2 - マイクロ波ミリ波モジュール - Google Patents
マイクロ波ミリ波モジュールInfo
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- JP2599732B2 JP2599732B2 JP62263194A JP26319487A JP2599732B2 JP 2599732 B2 JP2599732 B2 JP 2599732B2 JP 62263194 A JP62263194 A JP 62263194A JP 26319487 A JP26319487 A JP 26319487A JP 2599732 B2 JP2599732 B2 JP 2599732B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 回路基板の金属基台の底部に実装したマイクロ波ミリ
波モジュール構造に関し、マイクロ波回路の半導体阻止
の為のバイアス回路を含めたモジュールの小型化し、バ
イアス回路の高周波チョーク特性と直流バイアスの付与
の容易化を目的とし、バイアス回路用の遮蔽型マイクロ
ストリップラインの気密端子を設け、該気密端子の内部
に高周波チョーク用フィルタをストリップ導体で作り、
該フィルタが少なくとも金属基台の側壁から外側にかけ
て設けられたものである。
波モジュール構造に関し、マイクロ波回路の半導体阻止
の為のバイアス回路を含めたモジュールの小型化し、バ
イアス回路の高周波チョーク特性と直流バイアスの付与
の容易化を目的とし、バイアス回路用の遮蔽型マイクロ
ストリップラインの気密端子を設け、該気密端子の内部
に高周波チョーク用フィルタをストリップ導体で作り、
該フィルタが少なくとも金属基台の側壁から外側にかけ
て設けられたものである。
本発明は回路基板を金属基台の底部に実装したマイク
ロ波ミリ波モジュール構造に関し、特にマイクロ波ミリ
波回路の反動体阻止に直流バイアスを与えるバイアス回
路を含めたマイクロ波ミリ波モジュールの小型化と、そ
の構成の容易化を目的とする。
ロ波ミリ波モジュール構造に関し、特にマイクロ波ミリ
波回路の反動体阻止に直流バイアスを与えるバイアス回
路を含めたマイクロ波ミリ波モジュールの小型化と、そ
の構成の容易化を目的とする。
〔従来の技術〕 従来のマイクロ波ミリ波モジュールの構造の一例を第
３図に示す。
３図に示す。
第３図のマイクロ波ミリ波モジュールは、金属基台10
4の底部の回路基板1Aの表面にストリップラインにより
マイクロ波増幅器等の所要のマイクロ波回路を設け、該
マイクロ波回路の入出力のマイクロ波信号を、金属基台
10Aの側壁を水平に貫通して、回路基板1Aに水平な同軸
水平端子15Aによって入力／出力し、また、マイクロ波
回路の半導体素子に与える直流バイアスは、金属基台10
Aの底面を垂直に貫通する同軸垂直端子16Aによって与え
られる構造になっている。
4の底部の回路基板1Aの表面にストリップラインにより
マイクロ波増幅器等の所要のマイクロ波回路を設け、該
マイクロ波回路の入出力のマイクロ波信号を、金属基台
10Aの側壁を水平に貫通して、回路基板1Aに水平な同軸
水平端子15Aによって入力／出力し、また、マイクロ波
回路の半導体素子に与える直流バイアスは、金属基台10
Aの底面を垂直に貫通する同軸垂直端子16Aによって与え
られる構造になっている。
従来のマイクロ波ミリ波モジュールの構造は、上述の
如く、回路基板1Aの垂直方向に金属基台10Aの底面を貫
通して直流バイアス用の同軸垂直端子16Aを出している
ので、その内部に不要なマイクロ波信号を阻止するフィ
ルタ回路を簡単には実装できず回路基板１の面に設ける
ことになる。従って金属筐体内部の回路基板１の有効利
用が出来ず、そのマイクロ波阻止回路の部分だけ回路基
板１が大きくなり、内部体積が増加するのでモジュール
構造が大形化するばかりでなく、結果として、モジュー
ル筐体の有害な共振周波数が低くなり、そのため、共の
モジュールがマイクロ波ミリ派の高周波帯で使用が出来
なくなるという問題がある。
如く、回路基板1Aの垂直方向に金属基台10Aの底面を貫
通して直流バイアス用の同軸垂直端子16Aを出している
ので、その内部に不要なマイクロ波信号を阻止するフィ
ルタ回路を簡単には実装できず回路基板１の面に設ける
ことになる。従って金属筐体内部の回路基板１の有効利
用が出来ず、そのマイクロ波阻止回路の部分だけ回路基
板１が大きくなり、内部体積が増加するのでモジュール
構造が大形化するばかりでなく、結果として、モジュー
ル筐体の有害な共振周波数が低くなり、そのため、共の
モジュールがマイクロ波ミリ派の高周波帯で使用が出来
なくなるという問題がある。
更に、直流バイアス用の同軸垂直端子16Aは構造が複
雑でコスト高であり、該同軸垂直端子16Aにマイクロ波
信号を阻止して直流バイアスのみを通過させるバイアス
回路として低域通過特性又は帯域阻止特性のフィルタ特
性を持たせると尚一層複雑となるという問題がある。
雑でコスト高であり、該同軸垂直端子16Aにマイクロ波
信号を阻止して直流バイアスのみを通過させるバイアス
回路として低域通過特性又は帯域阻止特性のフィルタ特
性を持たせると尚一層複雑となるという問題がある。
この問題は、回路基板を金属基台の底部に実装し直流
バイアスを必要とする半導体素子を含む所要のマイクロ
波回路を形成する気密のマイクロ波ミリ波モジュールの
構造に、金属基台の側壁を貫通して設けられ、周囲がセ
ラミック基板で囲み構成される遮蔽型マイクロストリッ
プラインのフィルタを内蔵し、外周がメタライズされた
気密端子を有し、この気密端子のフィルタが少なくとも
金属基台の側壁から外側にかけて設けられたマイクロ波
ミリ波モジュールにより解決される。
バイアスを必要とする半導体素子を含む所要のマイクロ
波回路を形成する気密のマイクロ波ミリ波モジュールの
構造に、金属基台の側壁を貫通して設けられ、周囲がセ
ラミック基板で囲み構成される遮蔽型マイクロストリッ
プラインのフィルタを内蔵し、外周がメタライズされた
気密端子を有し、この気密端子のフィルタが少なくとも
金属基台の側壁から外側にかけて設けられたマイクロ波
ミリ波モジュールにより解決される。
本発明の実施例のマイクロ波ミリ波モジュールの構成
を示す第１図，第２図の構造図において、 １は、マイクロ波回路の基板、 10は、基板１を取付ける金属基台、 15は、基板１の表面のマイクロ波回路に接続しマイク
ロ波ミリ波信号を入出力する同軸水平端子、20は、同軸
水平端子15の取付く面と同一面上で同軸水平端子15と垂
直の方向に設けられ遮蔽型ストリップ線路で形成される
バイアス回路用の気密端子、 20Bは、気密端子20の内部に設けられマイクロ波阻止
のフィルタ特性を持つストリップ導体、 21は、ストリップ導体20Bに接続され気密端子20の外
部で垂直に金属基台10の方向に引出した直流バイアス供
給用の外部リードである。
を示す第１図，第２図の構造図において、 １は、マイクロ波回路の基板、 10は、基板１を取付ける金属基台、 15は、基板１の表面のマイクロ波回路に接続しマイク
ロ波ミリ波信号を入出力する同軸水平端子、20は、同軸
水平端子15の取付く面と同一面上で同軸水平端子15と垂
直の方向に設けられ遮蔽型ストリップ線路で形成される
バイアス回路用の気密端子、 20Bは、気密端子20の内部に設けられマイクロ波阻止
のフィルタ特性を持つストリップ導体、 21は、ストリップ導体20Bに接続され気密端子20の外
部で垂直に金属基台10の方向に引出した直流バイアス供
給用の外部リードである。
本発明のマイクロ波ミリ波モジュールは、金属基台10
の底部に取付けられた回路基板１の表面に設けられたマ
イクロ波回路に水平に信号用の同軸水平端子15を接続し
マイクロ波ミリ波信号を入出力する。また、同軸水平端
子15の取付面と同一面上で同軸水平端子15と垂直の方向
に遮蔽型ストリップ線路で形成される直流バイアス回路
としての気密端子20が形成され、該気密端子20の外部リ
ード21から気密端子20を通してマイクロ波回路の半導体
素子に直流バイアスが与えられる。
の底部に取付けられた回路基板１の表面に設けられたマ
イクロ波回路に水平に信号用の同軸水平端子15を接続し
マイクロ波ミリ波信号を入出力する。また、同軸水平端
子15の取付面と同一面上で同軸水平端子15と垂直の方向
に遮蔽型ストリップ線路で形成される直流バイアス回路
としての気密端子20が形成され、該気密端子20の外部リ
ード21から気密端子20を通してマイクロ波回路の半導体
素子に直流バイアスが与えられる。
バイアス回路となる気密端子20は、マイクロ波回路に
マイクロ波ミリ波信号を入出力する同軸水平端子15の取
付く面と同一面上で且つ同軸水平端子15と垂直の方向に
遮蔽型マイクロストリップラインとして設けられるの
で、気密のモジュール筐体は小形化され、筐体の共振周
波数は高くなってマイクロ波ミリ波の高周波帯における
動作に支障は無くなり問題が解決される。
マイクロ波ミリ波信号を入出力する同軸水平端子15の取
付く面と同一面上で且つ同軸水平端子15と垂直の方向に
遮蔽型マイクロストリップラインとして設けられるの
で、気密のモジュール筐体は小形化され、筐体の共振周
波数は高くなってマイクロ波ミリ波の高周波帯における
動作に支障は無くなり問題が解決される。
また、直流バイアス用の気密端子20の内部には、マイ
クロ波阻止のフィルタ特性を持つストリップ導体20Bが
設けられる構造になっていて且つ、該ストリップ導体20
Bによりバイアス回路の高周波チョークとして必要なフ
ィルタ特性を自由に持たせ、直流のみを通すことが出来
るのでマイクロ波阻止の問題は解決される。
クロ波阻止のフィルタ特性を持つストリップ導体20Bが
設けられる構造になっていて且つ、該ストリップ導体20
Bによりバイアス回路の高周波チョークとして必要なフ
ィルタ特性を自由に持たせ、直流のみを通すことが出来
るのでマイクロ波阻止の問題は解決される。
また、ストリップ導体20Bに外部から直流バイアスを
付与する外部リード21が、気密端子20の外部で垂直に金
属基台10の方向に引出される構造になっているので、マ
イクロ波回路の半導体素子の直流バイアスの付与が容易
になり問題が無い。
付与する外部リード21が、気密端子20の外部で垂直に金
属基台10の方向に引出される構造になっているので、マ
イクロ波回路の半導体素子の直流バイアスの付与が容易
になり問題が無い。
第１図は本発明の実施例のマイクロ波ミリ波モジュー
ルの構成を示す全体構成図であり、第２図はその実施例
の気密端子の詳細図である。
ルの構成を示す全体構成図であり、第２図はその実施例
の気密端子の詳細図である。
第１図の全体構造図において、基板１は、マイクロ波
回路をその表面に形成するセラミック基板であり、金属
基台10は、該基板１を取付ける金属基台である。
回路をその表面に形成するセラミック基板であり、金属
基台10は、該基板１を取付ける金属基台である。
同軸水平端子15は、基板１の表面のマイクロ波回路に
接続しマイクロ波ミリ波信号を入出力する信号用の水平
方向の同軸端子であり、気密端子20は、同軸水平端子15
の取付面と同一面上で同軸水平端子15と垂直の方向に設
けられる直流バイアス回路用であって、金属カベと二層
のセラミック基板の外側をメタライズすることにより周
囲が遮蔽される遮蔽型ストリップ線路で形成される。
接続しマイクロ波ミリ波信号を入出力する信号用の水平
方向の同軸端子であり、気密端子20は、同軸水平端子15
の取付面と同一面上で同軸水平端子15と垂直の方向に設
けられる直流バイアス回路用であって、金属カベと二層
のセラミック基板の外側をメタライズすることにより周
囲が遮蔽される遮蔽型ストリップ線路で形成される。
ストリップ導体20Bは、気密端子20の内部に設けられ
るマイクロストリップラインのストリップ導体であっ
て、必要な直流バイアスは通過するが不要なマイクロ波
信号は阻止するフィルタ特性を持つ。
るマイクロストリップラインのストリップ導体であっ
て、必要な直流バイアスは通過するが不要なマイクロ波
信号は阻止するフィルタ特性を持つ。
外部リード21は、ストリップ導体20Bの端にロー付さ
れ、気密端子20の外部で垂直に金属基台10の方向に引出
され直流バイアスが付与される。
れ、気密端子20の外部で垂直に金属基台10の方向に引出
され直流バイアスが付与される。
第２図の気密端子の詳細図において、ストリップ導体
20Bは、直流バイアス用の気密端子20の内部のマイクロ
波阻止のフィルタ特性を持つストリップ導体であり、該
ストリップ導体20Bのパターンにより必要な低域通過特
性または帯域通過特性を得ている。そして、ストリップ
導体20Bの一端は外部リード21に接続され、ストリップ
導体20Bの他端はその延長部20Cが、接続ワイヤにより、
基板１の表面のマイクロ波回路のストリップ導体に接続
されて、外部リード21に供給された直流バイアスが、ス
トリップ導体20を通り回路基板１の半導体素子に付与さ
れる。
20Bは、直流バイアス用の気密端子20の内部のマイクロ
波阻止のフィルタ特性を持つストリップ導体であり、該
ストリップ導体20Bのパターンにより必要な低域通過特
性または帯域通過特性を得ている。そして、ストリップ
導体20Bの一端は外部リード21に接続され、ストリップ
導体20Bの他端はその延長部20Cが、接続ワイヤにより、
基板１の表面のマイクロ波回路のストリップ導体に接続
されて、外部リード21に供給された直流バイアスが、ス
トリップ導体20を通り回路基板１の半導体素子に付与さ
れる。
本実施例のマイクロ波ミリ波モジュールは、金属基台
10の底部に取付けられたセラミックの回路基板１の表面
に設けられたマイクロストリップラインのマイクロ波回
路に、マイクロ波ミリ波信号を入出力する同軸水平端子
15を接続し、該同軸水平端子15の取付面と同一面上で同
軸水平端子15と垂直の方向に直流バイアス用の遮蔽型マ
イクロストリップラインで形成される気密端子20を設
け、該気密端子20の外部リード21を通してマイクロ波回
路の半導体素子に直流バイアスを与えるバイアス回路と
する構造である。バイアス回路となる気密端子20が、マ
イクロ波回路の入出力接続の同軸水平端子15の取付面と
同一面上で且つ同軸水平端子15と垂直の方向に，遮蔽型
マイクロストリップラインとして設けられるので、モジ
ュール筐体は小形化され、筐体の共振周波数は高くな
り、マイクロ波ミリ波の高周波帯における動作に支障は
無くなり問題が解決される。
10の底部に取付けられたセラミックの回路基板１の表面
に設けられたマイクロストリップラインのマイクロ波回
路に、マイクロ波ミリ波信号を入出力する同軸水平端子
15を接続し、該同軸水平端子15の取付面と同一面上で同
軸水平端子15と垂直の方向に直流バイアス用の遮蔽型マ
イクロストリップラインで形成される気密端子20を設
け、該気密端子20の外部リード21を通してマイクロ波回
路の半導体素子に直流バイアスを与えるバイアス回路と
する構造である。バイアス回路となる気密端子20が、マ
イクロ波回路の入出力接続の同軸水平端子15の取付面と
同一面上で且つ同軸水平端子15と垂直の方向に，遮蔽型
マイクロストリップラインとして設けられるので、モジ
ュール筐体は小形化され、筐体の共振周波数は高くな
り、マイクロ波ミリ波の高周波帯における動作に支障は
無くなり問題が解決される。
また、直流バイアス用の気密端子20の内部には、マイ
クロ波阻止のフィルタ特性を持つストリップ導体20Bが
設けられる構造になっており該ストリップ導体20Bの寸
法およびパターンを適当に選ぶことにより、バイアス回
路に必要な高周波チョークとして低域通過特性や帯域阻
止特性のフィルタ特性を自由に持たすことが出来るので
直流バイアス回路の不要なマイクロ波の阻止が可能とな
り、問題は解決される。
クロ波阻止のフィルタ特性を持つストリップ導体20Bが
設けられる構造になっており該ストリップ導体20Bの寸
法およびパターンを適当に選ぶことにより、バイアス回
路に必要な高周波チョークとして低域通過特性や帯域阻
止特性のフィルタ特性を自由に持たすことが出来るので
直流バイアス回路の不要なマイクロ波の阻止が可能とな
り、問題は解決される。
また、外部リード21は、気密端子20により気密筐体の
外部にバイアス回路のストリップ導体20Bを引出してか
ら該ストリップ導体20Bに垂直に取付ける構造になって
いるので、マイクロ波回路の半導体素子の直流バイアス
の付与が容易となるので問題は無い。
外部にバイアス回路のストリップ導体20Bを引出してか
ら該ストリップ導体20Bに垂直に取付ける構造になって
いるので、マイクロ波回路の半導体素子の直流バイアス
の付与が容易となるので問題は無い。
以上説明した如く、本発明によれば、モジュール狂態
の寸法を小さく出来るので、筐体の共振周波数を高く出
来て高周波数帯への適用を拡げる効果とモジュール内部
の実装密度を向上する効果がある。又、マイクロ波回路
の直流バアイス回路を遮蔽型マイクロストリップライン
で形成し、これを少なくとも金属基台の側壁から外側に
かけて用いることにより、バイアス回路の高周波チョー
ク特性を簡単に得ることができる効果が得られる。
の寸法を小さく出来るので、筐体の共振周波数を高く出
来て高周波数帯への適用を拡げる効果とモジュール内部
の実装密度を向上する効果がある。又、マイクロ波回路
の直流バアイス回路を遮蔽型マイクロストリップライン
で形成し、これを少なくとも金属基台の側壁から外側に
かけて用いることにより、バイアス回路の高周波チョー
ク特性を簡単に得ることができる効果が得られる。
第１図は本発明の実施例のマイクロ波ミリ波モジュール
の全体構造図、 第２図は本発明の実施例のマイクロ波ミリ波モジュール
の一部詳細図、 第３図は従来のマイクロ波ミリ波モジュールの構造図で
ある。 図において、 １はマイクロ波回路の基板、 10は金属基台、 15はマイクロ波信号入出力用の同軸水平端子、 20はバイアス回路の気密端子、 21は外部リードである。
の全体構造図、 第２図は本発明の実施例のマイクロ波ミリ波モジュール
の一部詳細図、 第３図は従来のマイクロ波ミリ波モジュールの構造図で
ある。 図において、 １はマイクロ波回路の基板、 10は金属基台、 15はマイクロ波信号入出力用の同軸水平端子、 20はバイアス回路の気密端子、 21は外部リードである。
Claims (1)
- 【請求項１】回路基板を金属基台の底部に実装し直流バ
イアスを必要とする半導体素子を含む所要のマイクロ波
回路を形成する気密のマイクロ波ミリ波モジュールの構
造において、 前記金属基台の側壁を貫通して設けられ、周囲がセラミ
ック基板で囲み構成される遮蔽型マイクロストリップラ
インのフィルタを内蔵し、外周がメタライズされた気密
端子を有し、 前記気密端子の前記フィルタが少なくとも前記金属基台
の側壁から外側にかけて設けられたことを特徴とするマ
イクロ波ミリ波モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62263194A JP2599732B2 (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | マイクロ波ミリ波モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62263194A JP2599732B2 (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | マイクロ波ミリ波モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01106501A JPH01106501A (ja) | 1989-04-24 |
| JP2599732B2 true JP2599732B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=17386082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62263194A Expired - Fee Related JP2599732B2 (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | マイクロ波ミリ波モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2599732B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5834758Y2 (ja) * | 1978-12-28 | 1983-08-04 | 富士通株式会社 | マイクロ波装置用パツケ−ジ |
| JPS56106401A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-24 | Hitachi Denshi Ltd | Microwave circuit |
| JPS58190046A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS59185853U (ja) * | 1983-05-27 | 1984-12-10 | 日本電気株式会社 | マイクロ波集積回路用金属パツケ−ジ |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP62263194A patent/JP2599732B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01106501A (ja) | 1989-04-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |