JPS58138112A - 高周波回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、高密度化をはかったマイクル波。

ｓＩＪ波等の高周波回路に関するものである。

従来のこの種の高周波回路の一例としてマイクロストリ
ップ線路を用いたトランジスタ回路を第１図に示す。こ
の図において、１は誘電体基板、２は前記誘電体基板１
上に形成されたス）　＋１ツブ線路、３は接地導体、４
は前記接地導体３とのスルーホール、５はトランジスタ
、６は直流阻市コンデンサ、１は信号入力端子、８は信
号出力端：ｆであり、以上で平面回路９が形成される。

なお、藺単にするため、直流バイアス用回路は特に図示
していない。

通常、このような平面回路９は金属筐体に組み込まれ、
信号人、出力端子７．８は他の高周波回路と接続される
か、または筐体に取り付けられた同軸変換コネクタと接
続される。すなわち、第１図圧水した平面回路９は、一
平面の一端より入力され、同一平面上の他端に出力され
る。

このように従来の高周波回路は、誘電体基板１の一平面
は接地導体３となっており、平面回路９は他方の面に形
成されるため、回路実装効率が悪く、装置の小形化には
限界があった。

この発明は、上記の点にかんがみなされたもので、誘電
体基板の両面に平面回路を形成するようにして、回路実
装効率を２倍以上にして高密度化し、装置の縮小形化を
実現したものである。以下、この発明について靜１明す
る。

第２図はこの発明の一実施例を示すものである。

この図において、１〜９は第１図と同じものを示し、１
０は側平面回路９間の接続回路となっている。すなわち
、第３１ｚ１の断面図のように、第１図に示すものを２
個背中合せにし、接続回路１０により上方の回路の信号
出力端子８を下方の回路の信号出力端子７に接続し、て
いる。

第１図と同様の入力信号は、信号入力端子７より入力さ
れ、増幅または信号処理を受け、接続回路１０に達する
。接続回路１０では、−Ｆ面の平面回路９より下面の平
面回路９に信号が伝送される。

下面の平面回路９は、第２図に示した上面の平面回路９
と同一構成となっている。下面の平面＋４−ｉｌ路９に
伝送された信号は、増幅、信号処理され（ｉ−Ｑ出力端
子８に運する。

このように従来例の第１図では、−平ｊａ１回路にトラ
ンジスタ増幅器を３段実装しているが、第２図のこの発
明の実施例では、上、下の平面回路で６段のトランジス
タ増幅器が実装ｂ］能となった。

なお、上記実施例では、共通の接地導体３で一体化され
ている上面、下面の誘電、体基板１を用いて実施してい
るが、第４図に示すように金属板の接地導体３をはさん
で２板の誘電体基板１を取り付け、上、下面に平面回路
９を構成してもよい。

以上説明したように、この発明は、接地導体をはさんで
その両面に、それぞれ誘電体基板上に平面回路を構成し
両平面回路間を接続回路で接続したので、装置の高密度
実装と縮小形化が可能であり、コスト低減がはがれる利
点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のマイクロストリップ線路を用いたトラン
ジスタ回路の斜視図、第２図はこの発明の一実施例を示
゛す斜視図、第３図は第２図や断面図、第４図は上、下
の誘電体基板間に金属板の接地導体をはさんで構成した
斜視図である。 図中、１は誘電体基板、２はスｌ−ＩＪツブ線路、３は
接地導体、４はスルーホール、５はトランジスタ、６は
直流阻止コンデンサ、Ｉは信号入力端子、８は信号出力
端子、９は平面回路、１０は接続回路である。なお、図
中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　葛野信−（外１名） 第１図 第３図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 高周波を増幅、信号処理する平面回路を接地導体をはさ
   んでそれぞれ誘電体基板上に形成し、前記両誘窟１体基
   板上の平面回路間を接続回路で接続したことを特徴とす
   る高周波回路。