JPS61100001A - 高周波回路装置 - Google Patents
高周波回路装置Info
- Publication number
- JPS61100001A JPS61100001A JP59221264A JP22126484A JPS61100001A JP S61100001 A JPS61100001 A JP S61100001A JP 59221264 A JP59221264 A JP 59221264A JP 22126484 A JP22126484 A JP 22126484A JP S61100001 A JPS61100001 A JP S61100001A
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- Japan
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- high frequency
- frequency circuit
- output
- envelope
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は高周波回路装置に係り、特に内部にマイクロ波
集積回路やモノリシックマイクロ波回路などの高周波回
路が組込まれた外囲器を効果的にマイクロストリップ線
路の形成された誘電体基板に固定して接続するようにな
された高周波回路装置に関するものである。
集積回路やモノリシックマイクロ波回路などの高周波回
路が組込まれた外囲器を効果的にマイクロストリップ線
路の形成された誘電体基板に固定して接続するようにな
された高周波回路装置に関するものである。
高周波回路装置では装置の小形化、広帯域化。
高周波化のため、半導体素子をチップの状態で使用する
ことが多く、例えばセラミックス等の基板上にＦＥＴお
よび入・出力整合回路を一体化形成するマイクロ波集積
回路（以下Ｍ工Ｃと云う）技術が広く用いられている。
ことが多く、例えばセラミックス等の基板上にＦＥＴお
よび入・出力整合回路を一体化形成するマイクロ波集積
回路（以下Ｍ工Ｃと云う）技術が広く用いられている。
また近年、ＧａＡｓ基板上にＦＥＴ等の能動素子、入力
出整合回路、バイアス回路等を一体形成するモノリシッ
クＭＩＣ（以下ＭＭＩＣと云う）技術も注目されている
。
出整合回路、バイアス回路等を一体形成するモノリシッ
クＭＩＣ（以下ＭＭＩＣと云う）技術も注目されている
。
このＭＩＣ，ＭＭＩＣでは、半導体素子の信頼性の点か
ら回路を気密封止の外囲器に組込む必要がある。次に第
３図によりその一例を説明する。
ら回路を気密封止の外囲器に組込む必要がある。次に第
３図によりその一例を説明する。
即ち、第３図（ａ）に示すように、丸形の金属製ステム
（１）には高周波入・出力および直流バイアス用のリー
ド端子（２ａ）、 （２ｂ）、 （２ｃ） 、 （２ｄ
）が取付けられ、この金属製ステム（１）上にはＭ Ｉ
ＣまたはＭ Ｍ Ｉ Ｃなどの高周波回路（３）が固
定されたのち。
（１）には高周波入・出力および直流バイアス用のリー
ド端子（２ａ）、 （２ｂ）、 （２ｃ） 、 （２ｄ
）が取付けられ、この金属製ステム（１）上にはＭ Ｉ
ＣまたはＭ Ｍ Ｉ Ｃなどの高周波回路（３）が固
定されたのち。
第３図（ｂ）に示すように、シェル（４）により気密封
止され外囲器（１０）が完成される。
止され外囲器（１０）が完成される。
次にこのＭＩＣ等を組込んだ外囲器（１０）をマイクロ
ストリップ線路に接続した高周波回路装置の従来例を第
４図により説明する。
ストリップ線路に接続した高周波回路装置の従来例を第
４図により説明する。
即ち、第３図に示した外囲器（１０）はケース（１１）
に固定されている。このケース（１］）の裏面にはマイ
クロストリップ線路（Ｌ２ａ） 、 （１２ｂ）を形成
した誘電体基板（１３）が固定さ九、外囲器（１０）の
高周波入・出力リード端子（２ａ）、 （２ｂ）はそれ
ぞれマイクロス１〜リツプ線路（１２ａ） 、 （１２
ｂ）に接続されている。
に固定されている。このケース（１］）の裏面にはマイ
クロストリップ線路（Ｌ２ａ） 、 （１２ｂ）を形成
した誘電体基板（１３）が固定さ九、外囲器（１０）の
高周波入・出力リード端子（２ａ）、 （２ｂ）はそれ
ぞれマイクロス１〜リツプ線路（１２ａ） 、 （１２
ｂ）に接続されている。
ケース本体（１１）には高周波人・出力用のコネクタ（
１４ａ） 、 （１４ｂ）が接続されている。図におい
て（１５）はケース（１１）の蓋である。外囲器（１０
）内の増幅器などへのバイアス電圧（Ｖｏ）はリード端
子（２Ｃ）から供給される。
１４ａ） 、 （１４ｂ）が接続されている。図におい
て（１５）はケース（１１）の蓋である。外囲器（１０
）内の増幅器などへのバイアス電圧（Ｖｏ）はリード端
子（２Ｃ）から供給される。
しかしながら、第４図に示した構造では高周波人・出力
リード端子（２ａ） 、 （２ｂ）とマイクロストリッ
プ線路（１２ａ）、（１２ｂ）との接続部で不整合が生
じるという問題点がある。
リード端子（２ａ） 、 （２ｂ）とマイクロストリッ
プ線路（１２ａ）、（１２ｂ）との接続部で不整合が生
じるという問題点がある。
次に、この不整合を第５図及び第６図により説明する。
即ちＭＩＣまたはＭＭＩＣなどの高周波回路（３）を内
装する外囲器（１０）の気密封止部（２１）は、リード
端子（２ａ）の外径、外導体、即ちステム（１）の通孔
部の内径及び気密封止材料の比誘電率を考慮することで
、特性インピーダンス５０Ωの線路（３２）となる。ま
たケース本体（Ｉｆ）の貫通部（２２）は、リード端子
（２ａ）の外径と貫通部（２２）の内径を考Ｊζするこ
とで特性インピーダンス５０Ωの線路（３３）にできる
。しかしながら、誘電体基板（１３）の貫通部（２３）
ではリード端子（２ａ）に対向する外導体が存在しない
ため、その厚さに対応するインダクタＬＳ（３４）とな
る。またリード端子（２ａ）とマイクロストリップ゛線
路（１２ａ）を接続するワイヤ（２４）はインダクタＬ
１３（３５）となる。
装する外囲器（１０）の気密封止部（２１）は、リード
端子（２ａ）の外径、外導体、即ちステム（１）の通孔
部の内径及び気密封止材料の比誘電率を考慮することで
、特性インピーダンス５０Ωの線路（３２）となる。ま
たケース本体（Ｉｆ）の貫通部（２２）は、リード端子
（２ａ）の外径と貫通部（２２）の内径を考Ｊζするこ
とで特性インピーダンス５０Ωの線路（３３）にできる
。しかしながら、誘電体基板（１３）の貫通部（２３）
ではリード端子（２ａ）に対向する外導体が存在しない
ため、その厚さに対応するインダクタＬＳ（３４）とな
る。またリード端子（２ａ）とマイクロストリップ゛線
路（１２ａ）を接続するワイヤ（２４）はインダクタＬ
１３（３５）となる。
ここで誘電体基板（１３）の厚さを０．８ｍｍ、ワイヤ
（２４）の長さを０．３ｍｍとするとインダクタ（３４
）と（３５）とのインダクタンスはそれぞれり、；’＝
０．８ｎｌ（、Ｌ［３＝０．３ｎｌｌとなり、不連続部
に１．Ｉｎ１ｌのインダクタが接続されることになる。
（２４）の長さを０．３ｍｍとするとインダクタ（３４
）と（３５）とのインダクタンスはそれぞれり、；’＝
０．８ｎｌ（、Ｌ［３＝０．３ｎｌｌとなり、不連続部
に１．Ｉｎ１ｌのインダクタが接続されることになる。
このインダクタンスは４Ｇｌｌｚではｊ２８Ω、１ＯＧ
Ｈｚではｊ７０Ωと大きなものとなり。
Ｈｚではｊ７０Ωと大きなものとなり。
不連続部での定在波比（ＶＳＷＲ’）を良好に保つこと
ができない。
ができない。
この不整合を補償するため、マイクロストリップ線路（
Ｌ２ａ）上にスタブを設ける構造も考えられるが、この
場合、成る周波数イ＋Ｆ域では良好な定在波比を実現で
きるが、帯域幅が狭くなるという問題点がある。
Ｌ２ａ）上にスタブを設ける構造も考えられるが、この
場合、成る周波数イ＋Ｆ域では良好な定在波比を実現で
きるが、帯域幅が狭くなるという問題点がある。
また、第４図の構造ではマイクロストリップ線路（１２
’ａ）と（１２ｂ）とが結合することがあり、外囲器内
のＭＩＣまたはＭＭ、ＩＣなどの圧周波回路に増幅器や
スイッチが組み込まれた時には霞周波入・出力リード端
子間のアイソレーションが小さいことにより、増幅器で
は発振することがあり、スイッチではオフ時に十分なア
イソレーションが得られないと云う問題点もある。
’ａ）と（１２ｂ）とが結合することがあり、外囲器内
のＭＩＣまたはＭＭ、ＩＣなどの圧周波回路に増幅器や
スイッチが組み込まれた時には霞周波入・出力リード端
子間のアイソレーションが小さいことにより、増幅器で
は発振することがあり、スイッチではオフ時に十分なア
イソレーションが得られないと云う問題点もある。
本発明は上述した１１υ隔点に鑑みてなされたものであ
り、高周波人・出力リード端子とマイクロストリップ線
路の接続での不整合や結合の極めて少ない高周波回路装
置を提供することを目的としている。
り、高周波人・出力リード端子とマイクロストリップ線
路の接続での不整合や結合の極めて少ない高周波回路装
置を提供することを目的としている。
〔発明の概要〕
即ち、本発明は、ＭｒＣまたはＭＭＩＣなどの高周波回
路を組込み１底部にａ゛５周波周波量力リード端子及び
バイアスリード端子が植設された外囲器と、外囲器の底
部を載置固定する載置台及びこの載置台に垂直になるよ
うに誘電体基板が設けられたケースと、誘電休店板上に
形成された少くとも高周波べ・出力リード端子を直接に
接続する部分を有するマイクロストリップ線路と、高周
波入・出力リード端子間及びこの高周波人・出力リード
端子にそれぞれ接続されたマイクロス１−リップ線路間
を電磁的に分離するシールド体とを具備することを特徴
とする高周波回路装置である。
路を組込み１底部にａ゛５周波周波量力リード端子及び
バイアスリード端子が植設された外囲器と、外囲器の底
部を載置固定する載置台及びこの載置台に垂直になるよ
うに誘電体基板が設けられたケースと、誘電休店板上に
形成された少くとも高周波べ・出力リード端子を直接に
接続する部分を有するマイクロストリップ線路と、高周
波入・出力リード端子間及びこの高周波人・出力リード
端子にそれぞれ接続されたマイクロス１−リップ線路間
を電磁的に分離するシールド体とを具備することを特徴
とする高周波回路装置である。
次に本発明の高周波回路装置の一実施例を第１図により
説明する。
説明する。
即ちケース（４１）の側面にはＭ Ｉ ＣまたはＭ Ｍ
ＩＣなどの筒周波回路を組込み、底部に高周波人・出
力リード端子（２ａ） 、 （２ｂ）及びバイアス（Ｖ
ｏ）リード端’＋ （２Ｃ）が植設された外囲器（１０
）の横から取付けられ、高周波人・出力リード端子（２
ａ） 、 （２ｂ）は、それぞれ外囲器（１０）の底部
に垂直な誘電体基板（４２ａ）、 （４２ｂ）上に形成
されたマイクロストリップ線路（４３ａ） 、 （４３
ｂ）に接続されている。またバイアス電圧は、バイアス
リード端子（２Ｃ）から供給されている。図において（
１４ａ）、 （１４ｂ）は入・出力端子のコネクタ、（
４４）はケース（４１）の蓋である。
ＩＣなどの筒周波回路を組込み、底部に高周波人・出
力リード端子（２ａ） 、 （２ｂ）及びバイアス（Ｖ
ｏ）リード端’＋ （２Ｃ）が植設された外囲器（１０
）の横から取付けられ、高周波人・出力リード端子（２
ａ） 、 （２ｂ）は、それぞれ外囲器（１０）の底部
に垂直な誘電体基板（４２ａ）、 （４２ｂ）上に形成
されたマイクロストリップ線路（４３ａ） 、 （４３
ｂ）に接続されている。またバイアス電圧は、バイアス
リード端子（２Ｃ）から供給されている。図において（
１４ａ）、 （１４ｂ）は入・出力端子のコネクタ、（
４４）はケース（４１）の蓋である。
即ち、この構造にすることにより、高周波入出力リード
端子（２ａ） 、 （２ｂ）は直接例えば特性インピー
ダンスが５０Ωのマイクロストリップ線路（４３ａ）。
端子（２ａ） 、 （２ｂ）は直接例えば特性インピー
ダンスが５０Ωのマイクロストリップ線路（４３ａ）。
（４３ｂ）の接続部分に接続される。また接地も外囲器
（１０）の接地面がケース（４１）に接続されることに
なる。従って外囲器（１０）とマイクロストリップ線路
（４３ａ） 、 （４３ｂ）の接続部での不整合を十分
に小さくすることができる。
（１０）の接地面がケース（４１）に接続されることに
なる。従って外囲器（１０）とマイクロストリップ線路
（４３ａ） 、 （４３ｂ）の接続部での不整合を十分
に小さくすることができる。
一方ケース（４１）には高周波人・出力リード端子（２
ａ） 、 （２ｂ）及びこのリード端子（２ａ）、 （
２ｂ）が接続されたマイクロストリップ線路（４３ａ）
、 （４３ｂ）間を電磁的に分離するシールド体（４６
）が設けられているので入力側と出力側のマイクロスト
リップ線路（４３ａ） 、 （４３ｂ）が直接結合する
ことがなく、十分な入・出力量分離が得られる。従って
外囲器（１０）内のＭＩＣまたはＭＭＩＣなどの高周波
回路に増幅器が組込まれ、その人・出力量分離が不十分
な場合に起る発振を防止できる。
ａ） 、 （２ｂ）及びこのリード端子（２ａ）、 （
２ｂ）が接続されたマイクロストリップ線路（４３ａ）
、 （４３ｂ）間を電磁的に分離するシールド体（４６
）が設けられているので入力側と出力側のマイクロスト
リップ線路（４３ａ） 、 （４３ｂ）が直接結合する
ことがなく、十分な入・出力量分離が得られる。従って
外囲器（１０）内のＭＩＣまたはＭＭＩＣなどの高周波
回路に増幅器が組込まれ、その人・出力量分離が不十分
な場合に起る発振を防止できる。
また、スイッチ等が組込まれている場合には、オフ時に
十分な入・出力間の分はを実現できる。
十分な入・出力間の分はを実現できる。
なお本実施例では外囲器（１０）としてＴＯ−８形など
の丸形を使用したが直方体等信の形状で、かつ金属ステ
ムにフィードスルーを形成したものでも同様の効果が得
られる。
の丸形を使用したが直方体等信の形状で、かつ金属ステ
ムにフィードスルーを形成したものでも同様の効果が得
られる。
次に本発明の高周波回路装置の応用例を第２図に示す。
図中実施例と同一符号は同一部分を示し、特に説明しな
い。
い。
即ち、本応用例は、複数個の外囲器（１０ａ）。
（ｔａｂ） 、 （１０ｃ）を直列に接続した多段式の
高周波回路装置であるが、個々の外囲器（１０ａ） 、
（１０ｂ） 、 （ｌｏｃ）で実施例と同様な入・出
力定在波比及び分離度が得られるため、個々の特性の段
数に比例した良好な総合特性を得ることが出来るもので
ある。
高周波回路装置であるが、個々の外囲器（１０ａ） 、
（１０ｂ） 、 （ｌｏｃ）で実施例と同様な入・出
力定在波比及び分離度が得られるため、個々の特性の段
数に比例した良好な総合特性を得ることが出来るもので
ある。
上述のように本発明によれば、ＭＩＣまたはＭＭＩＣな
どの高周波回路を組込ん、だ外囲器とマイクロストリッ
プ線路の接続部での不整合を十分小さくでき、また入力
端子と出力端子間での分離が良好な高周波回路装置を提
供できる。
どの高周波回路を組込ん、だ外囲器とマイクロストリッ
プ線路の接続部での不整合を十分小さくでき、また入力
端子と出力端子間での分離が良好な高周波回路装置を提
供できる。
第１図は本発明の高周波回路装置の一実施例を示す図で
あり、第１図（ａ）は一部切欠平面図、第１図（ｂ）は
第１図（ａ）をＡ−Ａ線により切断して見た断面図、第
２図は本発明の高周波回路装置の応用例を示す図であり
、第２図（ａ）は一部切欠平面図、第２図（ｂ）は第２
図（ａ）をＢ−Ｂ腺により切断して見た断面図、第３図
はＭＩＣまたはＭ Ｍ Ｉ Ｃなどの高周波回路を組込
んだ外囲器を示す図てあり、第３図（ａ）は平面図、第
３図（ｂ）は第３図（、）をＣ−Ｃ線に沿って切断した
断面図、第４図は従来の高周波回路装置の一例を示す図
であり、第４ ′図（ａ）は一部切欠平面図、第４図（
ｂ）は第４図（ａ）をｄ−ｄ線に冶って切断して見た断
面図、第５図は第４図の一部拡大図、第６図は第５図の
等価回路図である。 ■・・ステム ２ａ、 ２ｂ、 ２ｃ、 ２ｄ−リード端子３・・ＭＩ
ＣまたはＭＭＩＣなどの高周波回路４・・・シェル １０、１０ａ、 １０ｂ、 １Ｏｃ−外囲器１１、４１
・・・ケース
あり、第１図（ａ）は一部切欠平面図、第１図（ｂ）は
第１図（ａ）をＡ−Ａ線により切断して見た断面図、第
２図は本発明の高周波回路装置の応用例を示す図であり
、第２図（ａ）は一部切欠平面図、第２図（ｂ）は第２
図（ａ）をＢ−Ｂ腺により切断して見た断面図、第３図
はＭＩＣまたはＭ Ｍ Ｉ Ｃなどの高周波回路を組込
んだ外囲器を示す図てあり、第３図（ａ）は平面図、第
３図（ｂ）は第３図（、）をＣ−Ｃ線に沿って切断した
断面図、第４図は従来の高周波回路装置の一例を示す図
であり、第４ ′図（ａ）は一部切欠平面図、第４図（
ｂ）は第４図（ａ）をｄ−ｄ線に冶って切断して見た断
面図、第５図は第４図の一部拡大図、第６図は第５図の
等価回路図である。 ■・・ステム ２ａ、 ２ｂ、 ２ｃ、 ２ｄ−リード端子３・・ＭＩ
ＣまたはＭＭＩＣなどの高周波回路４・・・シェル １０、１０ａ、 １０ｂ、 １Ｏｃ−外囲器１１、４１
・・・ケース
Claims (1)
- ＭＩＣまたはＭＭＩＣなどの高周波回路を組込み底部に
高周波入・出力リード端子及びバイアスリード端子が植
設された外囲器と、前記外囲器の底部を載置固定する載
置台及びこの載置台に垂直になるように誘電体基板が設
けられたケース本体と、前記誘電体基板上に形成された
少くとも前記高周波入・出力リード端子を直接に接続す
る部分を有するマイクロストリップ線路と、前記高周波
入・出力リード端子間及びこの高周波入・出力リード端
子にそれぞれ接続された前記マイクロストリップ線路間
を電磁的に分離するシールド体とを具備することを特徴
とする高周波回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59221264A JPS61100001A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 高周波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59221264A JPS61100001A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 高周波回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61100001A true JPS61100001A (ja) | 1986-05-19 |
Family
ID=16764046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59221264A Pending JPS61100001A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 高周波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61100001A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62279703A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Nec Corp | 可変減衰器 |
| JPS6343401A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS6477202A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device for millimeter wave band |
| JPH01265606A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 高周波用増幅器 |
| JPH0677685A (ja) * | 1992-08-27 | 1994-03-18 | Nec Corp | 集積回路のシールド構造 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5910601A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-20 | 日本国有鉄道 | 近赤外線レ−ル加熱機 |
-
1984
- 1984-10-23 JP JP59221264A patent/JPS61100001A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5910601A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-20 | 日本国有鉄道 | 近赤外線レ−ル加熱機 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS62279703A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Nec Corp | 可変減衰器 |
| JPS6343401A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS6477202A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device for millimeter wave band |
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