JPS61100001A - 高周波回路装置 - Google Patents
高周波回路装置Info
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- JPS61100001A JPS61100001A JP59221264A JP22126484A JPS61100001A JP S61100001 A JPS61100001 A JP S61100001A JP 59221264 A JP59221264 A JP 59221264A JP 22126484 A JP22126484 A JP 22126484A JP S61100001 A JPS61100001 A JP S61100001A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は高周波回路装置に係り、特に内部にマイクロ波
集積回路やモノリシックマイクロ波回路などの高周波回
路が組込まれた外囲器を効果的にマイクロストリップ線
路の形成された誘電体基板に固定して接続するようにな
された高周波回路装置に関するものである。
集積回路やモノリシックマイクロ波回路などの高周波回
路が組込まれた外囲器を効果的にマイクロストリップ線
路の形成された誘電体基板に固定して接続するようにな
された高周波回路装置に関するものである。
高周波回路装置では装置の小形化、広帯域化。
高周波化のため、半導体素子をチップの状態で使用する
ことが多く、例えばセラミックス等の基板上にＦＥＴお
よび入・出力整合回路を一体化形成するマイクロ波集積
回路（以下Ｍ工Ｃと云う）技術が広く用いられている。
ことが多く、例えばセラミックス等の基板上にＦＥＴお
よび入・出力整合回路を一体化形成するマイクロ波集積
回路（以下Ｍ工Ｃと云う）技術が広く用いられている。
また近年、ＧａＡｓ基板上にＦＥＴ等の能動素子、入力
出整合回路、バイアス回路等を一体形成するモノリシッ
クＭＩＣ（以下ＭＭＩＣと云う）技術も注目されている
。
出整合回路、バイアス回路等を一体形成するモノリシッ
クＭＩＣ（以下ＭＭＩＣと云う）技術も注目されている
。
このＭＩＣ，ＭＭＩＣでは、半導体素子の信頼性の点か
ら回路を気密封止の外囲器に組込む必要がある。次に第
３図によりその一例を説明する。
ら回路を気密封止の外囲器に組込む必要がある。次に第
３図によりその一例を説明する。
即ち、第３図（ａ）に示すように、丸形の金属製ステム
（１）には高周波入・出力および直流バイアス用のリー
ド端子（２ａ）、 （２ｂ）、 （２ｃ） 、 （２ｄ
）が取付けられ、この金属製ステム（１）上にはＭ Ｉ
ＣまたはＭ Ｍ Ｉ Ｃなどの高周波回路（３）が固
定されたのち。
（１）には高周波入・出力および直流バイアス用のリー
ド端子（２ａ）、 （２ｂ）、 （２ｃ） 、 （２ｄ
）が取付けられ、この金属製ステム（１）上にはＭ Ｉ
ＣまたはＭ Ｍ Ｉ Ｃなどの高周波回路（３）が固
定されたのち。
第３図（ｂ）に示すように、シェル（４）により気密封
止され外囲器（１０）が完成される。
止され外囲器（１０）が完成される。
次にこのＭＩＣ等を組込んだ外囲器（１０）をマイクロ
ストリップ線路に接続した高周波回路装置の従来例を第
４図により説明する。
ストリップ線路に接続した高周波回路装置の従来例を第
４図により説明する。
即ち、第３図に示した外囲器（１０）はケース（１１）
に固定されている。このケース（１］）の裏面にはマイ
クロストリップ線路（Ｌ２ａ） 、 （１２ｂ）を形成
した誘電体基板（１３）が固定さ九、外囲器（１０）の
高周波入・出力リード端子（２ａ）、 （２ｂ）はそれ
ぞれマイクロス１〜リツプ線路（１２ａ） 、 （１２
ｂ）に接続されている。
に固定されている。このケース（１］）の裏面にはマイ
クロストリップ線路（Ｌ２ａ） 、 （１２ｂ）を形成
した誘電体基板（１３）が固定さ九、外囲器（１０）の
高周波入・出力リード端子（２ａ）、 （２ｂ）はそれ
ぞれマイクロス１〜リツプ線路（１２ａ） 、 （１２
ｂ）に接続されている。
ケース本体（１１）には高周波人・出力用のコネクタ（
１４ａ） 、 （１４ｂ）が接続されている。図におい
て（１５）はケース（１１）の蓋である。外囲器（１０
）内の増幅器などへのバイアス電圧（Ｖｏ）はリード端
子（２Ｃ）から供給される。
１４ａ） 、 （１４ｂ）が接続されている。図におい
て（１５）はケース（１１）の蓋である。外囲器（１０
）内の増幅器などへのバイアス電圧（Ｖｏ）はリード端
子（２Ｃ）から供給される。
しかしながら、第４図に示した構造では高周波人・出力
リード端子（２ａ） 、 （２ｂ）とマイクロストリッ
プ線路（１２ａ）、（１２ｂ）との接続部で不整合が生
じるという問題点がある。
リード端子（２ａ） 、 （２ｂ）とマイクロストリッ
プ線路（１２ａ）、（１２ｂ）との接続部で不整合が生
じるという問題点がある。
次に、この不整合を第５図及び第６図により説明する。
即ちＭＩＣまたはＭＭＩＣなどの高周波回路（３）を内
装する外囲器（１０）の気密封止部（２１）は、リード
端子（２ａ）の外径、外導体、即ちステム（１）の通孔
部の内径及び気密封止材料の比誘電率を考慮することで
、特性インピーダンス５０Ωの線路（３２）となる。ま
たケース本体（Ｉｆ）の貫通部（２２）は、リード端子
（２ａ）の外径と貫通部（２２）の内径を考Ｊζするこ
とで特性インピーダンス５０Ωの線路（３３）にできる
。しかしながら、誘電体基板（１３）の貫通部（２３）
ではリード端子（２ａ）に対向する外導体が存在しない
ため、その厚さに対応するインダクタＬＳ（３４）とな
る。またリード端子（２ａ）とマイクロストリップ゛線
路（１２ａ）を接続するワイヤ（２４）はインダクタＬ
１３（３５）となる。
装する外囲器（１０）の気密封止部（２１）は、リード
端子（２ａ）の外径、外導体、即ちステム（１）の通孔
部の内径及び気密封止材料の比誘電率を考慮することで
、特性インピーダンス５０Ωの線路（３２）となる。ま
たケース本体（Ｉｆ）の貫通部（２２）は、リード端子
（２ａ）の外径と貫通部（２２）の内径を考Ｊζするこ
とで特性インピーダンス５０Ωの線路（３３）にできる
。しかしながら、誘電体基板（１３）の貫通部（２３）
ではリード端子（２ａ）に対向する外導体が存在しない
ため、その厚さに対応するインダクタＬＳ（３４）とな
る。またリード端子（２ａ）とマイクロストリップ゛線
路（１２ａ）を接続するワイヤ（２４）はインダクタＬ
１３（３５）となる。
ここで誘電体基板（１３）の厚さを０．８ｍｍ、ワイヤ
（２４）の長さを０．３ｍｍとするとインダクタ（３４
）と（３５）とのインダクタンスはそれぞれり、；’＝
０．８ｎｌ（、Ｌ［３＝０．３ｎｌｌとなり、不連続部
に１．Ｉｎ１ｌのインダクタが接続されることになる。
（２４）の長さを０．３ｍｍとするとインダクタ（３４
）と（３５）とのインダクタンスはそれぞれり、；’＝
０．８ｎｌ（、Ｌ［３＝０．３ｎｌｌとなり、不連続部
に１．Ｉｎ１ｌのインダクタが接続されることになる。
このインダクタンスは４Ｇｌｌｚではｊ２８Ω、１ＯＧ
Ｈｚではｊ７０Ωと大きなものとなり。
Ｈｚではｊ７０Ωと大きなものとなり。
不連続部での定在波比（ＶＳＷＲ’）を良好に保つこと
ができない。
ができない。
この不整合を補償するため、マイクロストリップ線路（
Ｌ２ａ）上にスタブを設ける構造も考えられるが、この
場合、成る周波数イ＋Ｆ域では良好な定在波比を実現で
きるが、帯域幅が狭くなるという問題点がある。
Ｌ２ａ）上にスタブを設ける構造も考えられるが、この
場合、成る周波数イ＋Ｆ域では良好な定在波比を実現で
きるが、帯域幅が狭くなるという問題点がある。
また、第４図の構造ではマイクロストリップ線路（１２
’ａ）と（１２ｂ）とが結合することがあり、外囲器内
のＭＩＣまたはＭＭ、ＩＣなどの圧周波回路に増幅器や
スイッチが組み込まれた時には霞周波入・出力リード端
子間のアイソレーションが小さいことにより、増幅器で
は発振することがあり、スイッチではオフ時に十分なア
イソレーションが得られないと云う問題点もある。
’ａ）と（１２ｂ）とが結合することがあり、外囲器内
のＭＩＣまたはＭＭ、ＩＣなどの圧周波回路に増幅器や
スイッチが組み込まれた時には霞周波入・出力リード端
子間のアイソレーションが小さいことにより、増幅器で
は発振することがあり、スイッチではオフ時に十分なア
イソレーションが得られないと云う問題点もある。
本発明は上述した１１υ隔点に鑑みてなされたものであ
り、高周波人・出力リード端子とマイクロストリップ線
路の接続での不整合や結合の極めて少ない高周波回路装
置を提供することを目的としている。
り、高周波人・出力リード端子とマイクロストリップ線
路の接続での不整合や結合の極めて少ない高周波回路装
置を提供することを目的としている。
〔発明の概要〕
即ち、本発明は、ＭｒＣまたはＭＭＩＣなどの高周波回
路を組込み１底部にａ゛５周波周波量力リード端子及び
バイアスリード端子が植設された外囲器と、外囲器の底
部を載置固定する載置台及びこの載置台に垂直になるよ
うに誘電体基板が設けられたケースと、誘電休店板上に
形成された少くとも高周波べ・出力リード端子を直接に
接続する部分を有するマイクロストリップ線路と、高周
波入・出力リード端子間及びこの高周波人・出力リード
端子にそれぞれ接続されたマイクロス１−リップ線路間
を電磁的に分離するシールド体とを具備することを特徴
とする高周波回路装置である。
路を組込み１底部にａ゛５周波周波量力リード端子及び
バイアスリード端子が植設された外囲器と、外囲器の底
部を載置固定する載置台及びこの載置台に垂直になるよ
うに誘電体基板が設けられたケースと、誘電休店板上に
形成された少くとも高周波べ・出力リード端子を直接に
接続する部分を有するマイクロストリップ線路と、高周
波入・出力リード端子間及びこの高周波人・出力リード
端子にそれぞれ接続されたマイクロス１−リップ線路間
を電磁的に分離するシールド体とを具備することを特徴
とする高周波回路装置である。
次に本発明の高周波回路装置の一実施例を第１図により
説明する。
説明する。
即ちケース（４１）の側面にはＭ Ｉ ＣまたはＭ Ｍ
ＩＣなどの筒周波回路を組込み、底部に高周波人・出
力リード端子（２ａ） 、 （２ｂ）及びバイアス（Ｖ
ｏ）リード端’＋ （２Ｃ）が植設された外囲器（１０
）の横から取付けられ、高周波人・出力リード端子（２
ａ） 、 （２ｂ）は、それぞれ外囲器（１０）の底部
に垂直な誘電体基板（４２ａ）、 （４２ｂ）上に形成
されたマイクロストリップ線路（４３ａ） 、 （４３
ｂ）に接続されている。またバイアス電圧は、バイアス
リード端子（２Ｃ）から供給されている。図において（
１４ａ）、 （１４ｂ）は入・出力端子のコネクタ、（
４４）はケース（４１）の蓋である。
ＩＣなどの筒周波回路を組込み、底部に高周波人・出
力リード端子（２ａ） 、 （２ｂ）及びバイアス（Ｖ
ｏ）リード端’＋ （２Ｃ）が植設された外囲器（１０
）の横から取付けられ、高周波人・出力リード端子（２
ａ） 、 （２ｂ）は、それぞれ外囲器（１０）の底部
に垂直な誘電体基板（４２ａ）、 （４２ｂ）上に形成
されたマイクロストリップ線路（４３ａ） 、 （４３
ｂ）に接続されている。またバイアス電圧は、バイアス
リード端子（２Ｃ）から供給されている。図において（
１４ａ）、 （１４ｂ）は入・出力端子のコネクタ、（
４４）はケース（４１）の蓋である。
即ち、この構造にすることにより、高周波入出力リード
端子（２ａ） 、 （２ｂ）は直接例えば特性インピー
ダンスが５０Ωのマイクロストリップ線路（４３ａ）。
端子（２ａ） 、 （２ｂ）は直接例えば特性インピー
ダンスが５０Ωのマイクロストリップ線路（４３ａ）。
（４３ｂ）の接続部分に接続される。また接地も外囲器
（１０）の接地面がケース（４１）に接続されることに
なる。従って外囲器（１０）とマイクロストリップ線路
（４３ａ） 、 （４３ｂ）の接続部での不整合を十分
に小さくすることができる。
（１０）の接地面がケース（４１）に接続されることに
なる。従って外囲器（１０）とマイクロストリップ線路
（４３ａ） 、 （４３ｂ）の接続部での不整合を十分
に小さくすることができる。
一方ケース（４１）には高周波人・出力リード端子（２
ａ） 、 （２ｂ）及びこのリード端子（２ａ）、 （
２ｂ）が接続されたマイクロストリップ線路（４３ａ）
、 （４３ｂ）間を電磁的に分離するシールド体（４６
）が設けられているので入力側と出力側のマイクロスト
リップ線路（４３ａ） 、 （４３ｂ）が直接結合する
ことがなく、十分な入・出力量分離が得られる。従って
外囲器（１０）内のＭＩＣまたはＭＭＩＣなどの高周波
回路に増幅器が組込まれ、その人・出力量分離が不十分
な場合に起る発振を防止できる。
ａ） 、 （２ｂ）及びこのリード端子（２ａ）、 （
２ｂ）が接続されたマイクロストリップ線路（４３ａ）
、 （４３ｂ）間を電磁的に分離するシールド体（４６
）が設けられているので入力側と出力側のマイクロスト
リップ線路（４３ａ） 、 （４３ｂ）が直接結合する
ことがなく、十分な入・出力量分離が得られる。従って
外囲器（１０）内のＭＩＣまたはＭＭＩＣなどの高周波
回路に増幅器が組込まれ、その人・出力量分離が不十分
な場合に起る発振を防止できる。
また、スイッチ等が組込まれている場合には、オフ時に
十分な入・出力間の分はを実現できる。
十分な入・出力間の分はを実現できる。
なお本実施例では外囲器（１０）としてＴＯ−８形など
の丸形を使用したが直方体等信の形状で、かつ金属ステ
ムにフィードスルーを形成したものでも同様の効果が得
られる。
の丸形を使用したが直方体等信の形状で、かつ金属ステ
ムにフィードスルーを形成したものでも同様の効果が得
られる。
次に本発明の高周波回路装置の応用例を第２図に示す。
図中実施例と同一符号は同一部分を示し、特に説明しな
い。
い。
即ち、本応用例は、複数個の外囲器（１０ａ）。
（ｔａｂ） 、 （１０ｃ）を直列に接続した多段式の
高周波回路装置であるが、個々の外囲器（１０ａ） 、
（１０ｂ） 、 （ｌｏｃ）で実施例と同様な入・出
力定在波比及び分離度が得られるため、個々の特性の段
数に比例した良好な総合特性を得ることが出来るもので
ある。
高周波回路装置であるが、個々の外囲器（１０ａ） 、
（１０ｂ） 、 （ｌｏｃ）で実施例と同様な入・出
力定在波比及び分離度が得られるため、個々の特性の段
数に比例した良好な総合特性を得ることが出来るもので
ある。
上述のように本発明によれば、ＭＩＣまたはＭＭＩＣな
どの高周波回路を組込ん、だ外囲器とマイクロストリッ
プ線路の接続部での不整合を十分小さくでき、また入力
端子と出力端子間での分離が良好な高周波回路装置を提
供できる。
どの高周波回路を組込ん、だ外囲器とマイクロストリッ
プ線路の接続部での不整合を十分小さくでき、また入力
端子と出力端子間での分離が良好な高周波回路装置を提
供できる。
第１図は本発明の高周波回路装置の一実施例を示す図で
あり、第１図（ａ）は一部切欠平面図、第１図（ｂ）は
第１図（ａ）をＡ−Ａ線により切断して見た断面図、第
２図は本発明の高周波回路装置の応用例を示す図であり
、第２図（ａ）は一部切欠平面図、第２図（ｂ）は第２
図（ａ）をＢ−Ｂ腺により切断して見た断面図、第３図
はＭＩＣまたはＭ Ｍ Ｉ Ｃなどの高周波回路を組込
んだ外囲器を示す図てあり、第３図（ａ）は平面図、第
３図（ｂ）は第３図（、）をＣ−Ｃ線に沿って切断した
断面図、第４図は従来の高周波回路装置の一例を示す図
であり、第４ ′図（ａ）は一部切欠平面図、第４図（
ｂ）は第４図（ａ）をｄ−ｄ線に冶って切断して見た断
面図、第５図は第４図の一部拡大図、第６図は第５図の
等価回路図である。 ■・・ステム ２ａ、 ２ｂ、 ２ｃ、 ２ｄ−リード端子３・・ＭＩ
ＣまたはＭＭＩＣなどの高周波回路４・・・シェル １０、１０ａ、 １０ｂ、 １Ｏｃ−外囲器１１、４１
・・・ケース
あり、第１図（ａ）は一部切欠平面図、第１図（ｂ）は
第１図（ａ）をＡ−Ａ線により切断して見た断面図、第
２図は本発明の高周波回路装置の応用例を示す図であり
、第２図（ａ）は一部切欠平面図、第２図（ｂ）は第２
図（ａ）をＢ−Ｂ腺により切断して見た断面図、第３図
はＭＩＣまたはＭ Ｍ Ｉ Ｃなどの高周波回路を組込
んだ外囲器を示す図てあり、第３図（ａ）は平面図、第
３図（ｂ）は第３図（、）をＣ−Ｃ線に沿って切断した
断面図、第４図は従来の高周波回路装置の一例を示す図
であり、第４ ′図（ａ）は一部切欠平面図、第４図（
ｂ）は第４図（ａ）をｄ−ｄ線に冶って切断して見た断
面図、第５図は第４図の一部拡大図、第６図は第５図の
等価回路図である。 ■・・ステム ２ａ、 ２ｂ、 ２ｃ、 ２ｄ−リード端子３・・ＭＩ
ＣまたはＭＭＩＣなどの高周波回路４・・・シェル １０、１０ａ、 １０ｂ、 １Ｏｃ−外囲器１１、４１
・・・ケース
Claims (1)
- ＭＩＣまたはＭＭＩＣなどの高周波回路を組込み底部に
高周波入・出力リード端子及びバイアスリード端子が植
設された外囲器と、前記外囲器の底部を載置固定する載
置台及びこの載置台に垂直になるように誘電体基板が設
けられたケース本体と、前記誘電体基板上に形成された
少くとも前記高周波入・出力リード端子を直接に接続す
る部分を有するマイクロストリップ線路と、前記高周波
入・出力リード端子間及びこの高周波入・出力リード端
子にそれぞれ接続された前記マイクロストリップ線路間
を電磁的に分離するシールド体とを具備することを特徴
とする高周波回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59221264A JPS61100001A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 高周波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59221264A JPS61100001A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 高周波回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61100001A true JPS61100001A (ja) | 1986-05-19 |
Family
ID=16764046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59221264A Pending JPS61100001A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 高周波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61100001A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62279703A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Nec Corp | 可変減衰器 |
| JPS6343401A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS6477202A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device for millimeter wave band |
| JPH01265606A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 高周波用増幅器 |
| JPH0677685A (ja) * | 1992-08-27 | 1994-03-18 | Nec Corp | 集積回路のシールド構造 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5910601A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-20 | 日本国有鉄道 | 近赤外線レ−ル加熱機 |
-
1984
- 1984-10-23 JP JP59221264A patent/JPS61100001A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5910601A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-20 | 日本国有鉄道 | 近赤外線レ−ル加熱機 |
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