JP2674417B2 - 超高周波用パッケージ - Google Patents
超高周波用パッケージInfo
- Publication number
- JP2674417B2 JP2674417B2 JP4079695A JP7969592A JP2674417B2 JP 2674417 B2 JP2674417 B2 JP 2674417B2 JP 4079695 A JP4079695 A JP 4079695A JP 7969592 A JP7969592 A JP 7969592A JP 2674417 B2 JP2674417 B2 JP 2674417B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- waveguide
- dielectric window
- input
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は超高周波用パッケージに
関し、特に導波管に直接装着する結合部を改良した超高
周波用パッケージに関する。
関し、特に導波管に直接装着する結合部を改良した超高
周波用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に周波数が１０ＧＨｚ以上の超高周
波帯において電界効果トランジスタなどの半導体素子を
使用する場合に、通常のパッケージ入り素子を使用する
とパッケージによる寄生リアクタンス成分により、素子
のＱの値が高くなる。このＱの値を外部回路により、調
整すると低損失でかつ広帯域な特性を得ることが困難に
なる。このような場合に、半導体素子の裸のチップを直
接使用して所望の回路を構成し、これらの回路を含めて
パッケージに気密封止する構成とした、いわゆるハイブ
リッドＩＣ技術が採用される。図５は従来のこの種の超
高周波ハイブリッドＩＣ用パッケージを示し、図５
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ断面
の右側を破断した正面図、同図（ｃ）は裏面図である。
図５（ａ），（ｂ），（ｃ）において、角型容器状に形
成されたパッケージである金属製の外囲器１は、図６に
示すように内部に半導体素子や回路基板等を搭載可能と
し、上部開口を気密封止するようになっている。したが
って図５（ａ）はふた２３を開いた状態である。また、
外囲器１は周辺部に外囲器１と一体となっているフラン
ジ２を有し、フランジ２の周囲にはねじ止め用フランジ
の穴３を設けている。外囲器１の一側面には複数個のバ
イアス端子４をコバーガラス等の絶縁体５で絶縁支持し
ている。外囲器１内の両端部には超高周波入出力端とな
る矩形導波管６Ａ，６Ｂを配設している。これらの入出
力端は図６（ｂ）に示すように、フランジ２で外部の導
波管２１Ａ，２１Ｂと接続される。また、導波管６Ａ，
６Ｂの底面の穴には誘電体窓７を形成して底面を気密封
止している。図６（ａ）の平面図は、図５の構成の超高
周波用パッケージ内にハイブリッドＩＣを組み込んだ状
態を示す図であり、外囲器１内に半導体チップ９及び回
路基板１０を搭載している。回路基板１０上に形成され
たストリップ線路の端部には、金属板で構成したストリ
ップ線路用アンテナ１２を配置して入出力導波管６Ａ，
６Ｂとの結合を行っている。図６（ｂ）は右の一部破断
面を有する図５（ｂ）に対応するもので、誘電体窓７お
よびフランジ２を介して矩形導波管６Ａ，６Ｂがそれぞ
れ結合用導波管２１Ａ，２１Ｂに接続される。このよう
な構造において、ストリップ線路用アンテナ１２は矩形
導波管６Ｂ内に突き出しており、誘電体窓７とある間隔
を保持して固定されていた。
波帯において電界効果トランジスタなどの半導体素子を
使用する場合に、通常のパッケージ入り素子を使用する
とパッケージによる寄生リアクタンス成分により、素子
のＱの値が高くなる。このＱの値を外部回路により、調
整すると低損失でかつ広帯域な特性を得ることが困難に
なる。このような場合に、半導体素子の裸のチップを直
接使用して所望の回路を構成し、これらの回路を含めて
パッケージに気密封止する構成とした、いわゆるハイブ
リッドＩＣ技術が採用される。図５は従来のこの種の超
高周波ハイブリッドＩＣ用パッケージを示し、図５
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ断面
の右側を破断した正面図、同図（ｃ）は裏面図である。
図５（ａ），（ｂ），（ｃ）において、角型容器状に形
成されたパッケージである金属製の外囲器１は、図６に
示すように内部に半導体素子や回路基板等を搭載可能と
し、上部開口を気密封止するようになっている。したが
って図５（ａ）はふた２３を開いた状態である。また、
外囲器１は周辺部に外囲器１と一体となっているフラン
ジ２を有し、フランジ２の周囲にはねじ止め用フランジ
の穴３を設けている。外囲器１の一側面には複数個のバ
イアス端子４をコバーガラス等の絶縁体５で絶縁支持し
ている。外囲器１内の両端部には超高周波入出力端とな
る矩形導波管６Ａ，６Ｂを配設している。これらの入出
力端は図６（ｂ）に示すように、フランジ２で外部の導
波管２１Ａ，２１Ｂと接続される。また、導波管６Ａ，
６Ｂの底面の穴には誘電体窓７を形成して底面を気密封
止している。図６（ａ）の平面図は、図５の構成の超高
周波用パッケージ内にハイブリッドＩＣを組み込んだ状
態を示す図であり、外囲器１内に半導体チップ９及び回
路基板１０を搭載している。回路基板１０上に形成され
たストリップ線路の端部には、金属板で構成したストリ
ップ線路用アンテナ１２を配置して入出力導波管６Ａ，
６Ｂとの結合を行っている。図６（ｂ）は右の一部破断
面を有する図５（ｂ）に対応するもので、誘電体窓７お
よびフランジ２を介して矩形導波管６Ａ，６Ｂがそれぞ
れ結合用導波管２１Ａ，２１Ｂに接続される。このよう
な構造において、ストリップ線路用アンテナ１２は矩形
導波管６Ｂ内に突き出しており、誘電体窓７とある間隔
を保持して固定されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の超高周波用
パッケージでは気密封止のための誘電体窓を形成してお
り、この誘電体窓のインピーダンスが容量性であるの
で、誘電体窓での不整合が生じ、かつ、通過損失が大き
くなるという欠点がある。この整合をとるためにはパッ
ケージ内の回路基板１０上に形成されたストリップ線路
にて整合させる必要があるが、半導体素子との整合も考
慮しなければならず、その電気調整が困難となる欠点が
あった。
パッケージでは気密封止のための誘電体窓を形成してお
り、この誘電体窓のインピーダンスが容量性であるの
で、誘電体窓での不整合が生じ、かつ、通過損失が大き
くなるという欠点がある。この整合をとるためにはパッ
ケージ内の回路基板１０上に形成されたストリップ線路
にて整合させる必要があるが、半導体素子との整合も考
慮しなければならず、その電気調整が困難となる欠点が
あった。
【０００４】
【問題を解決するための手段】本発明の超高周波用パッ
ケージは外部に取り付けられた入力用導波管と出力用導
波管と、これらの入力用導波管と出力用導波管とのそれ
ぞれの端部を相互接続するために超高周波信号を通過さ
せる誘電体窓を有するフランジと、前記フランジと前記
入力用および出力用導波管との接触面と反対側に設けら
れ前記誘電体窓を介して入力用導波管側から導入された
超高周波信号を矩形導波管を介して出力導波管側に伝送
する半導体素子およびストリップラインを蒸着した回路
基板を搭載可能な容器状の外囲器と、前記誘電体窓の短
辺側の端部に該誘電体窓の容量を打ち消す誘導性窓とを
備えた超高周波用パッケージにおいて、前記誘電体窓の
それぞれが前記入力用および出力用導波管に対向する外
側面に蒸着された超高周波信号と電磁結合するストリッ
プ線路型アンテナと、このストリップ線路型アンテナの
電磁波を導入する線路を内蔵したスルーホールと、この
スルーホールの線路を前記外囲器に搭載されたストリッ
プラインの端部に接続した後に気密封止するキャップと
を有する。
ケージは外部に取り付けられた入力用導波管と出力用導
波管と、これらの入力用導波管と出力用導波管とのそれ
ぞれの端部を相互接続するために超高周波信号を通過さ
せる誘電体窓を有するフランジと、前記フランジと前記
入力用および出力用導波管との接触面と反対側に設けら
れ前記誘電体窓を介して入力用導波管側から導入された
超高周波信号を矩形導波管を介して出力導波管側に伝送
する半導体素子およびストリップラインを蒸着した回路
基板を搭載可能な容器状の外囲器と、前記誘電体窓の短
辺側の端部に該誘電体窓の容量を打ち消す誘導性窓とを
備えた超高周波用パッケージにおいて、前記誘電体窓の
それぞれが前記入力用および出力用導波管に対向する外
側面に蒸着された超高周波信号と電磁結合するストリッ
プ線路型アンテナと、このストリップ線路型アンテナの
電磁波を導入する線路を内蔵したスルーホールと、この
スルーホールの線路を前記外囲器に搭載されたストリッ
プラインの端部に接続した後に気密封止するキャップと
を有する。
【０００５】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例を示しており、図１
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は右側を破断した正面図、
同図（ｃ）は裏面図である。図２（ａ），（ｂ）は本実
施例の要部の誘電体窓７，ストリップ線路型アンテナ１
２Ａおよびキャップ８の構造を示し、図２（ａ）は誘電
体窓７の矩形導波管６Ａ，６Ｂの内部に対する面を示
し、図２（ｂ）は誘電体窓７の矩形導波管６Ａ，６Ｂの
外部に対する面を示す斜視図である。図３（ａ），
（ｂ）は従来例の図５（ａ），（ｂ）にそれぞれ対応す
る図である。従来例との相違は誘電体窓７が図２に示す
ように、誘電体窓７とストリップ線路型アンテナ１２Ａ
とが一体構造となり、キャップ８で固定され、かつ、回
路基板１０に接続されている。
る。図１は本発明の第１の実施例を示しており、図１
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は右側を破断した正面図、
同図（ｃ）は裏面図である。図２（ａ），（ｂ）は本実
施例の要部の誘電体窓７，ストリップ線路型アンテナ１
２Ａおよびキャップ８の構造を示し、図２（ａ）は誘電
体窓７の矩形導波管６Ａ，６Ｂの内部に対する面を示
し、図２（ｂ）は誘電体窓７の矩形導波管６Ａ，６Ｂの
外部に対する面を示す斜視図である。図３（ａ），
（ｂ）は従来例の図５（ａ），（ｂ）にそれぞれ対応す
る図である。従来例との相違は誘電体窓７が図２に示す
ように、誘電体窓７とストリップ線路型アンテナ１２Ａ
とが一体構造となり、キャップ８で固定され、かつ、回
路基板１０に接続されている。
【０００６】次に本実施例を図１，図２，図３により説
明する。角型容器に形成された金属製の外囲気１は内部
に半導体チップ９や回路基板１０等を搭載可能とし、図
３（ｂ）のふた２３により上部開口を気密封止するよう
になっている。また、外囲気１は周辺部にフランジ２を
一体に有し、フランジ２の周囲にはねじ２２用の穴３を
開設している。外囲器１の一側面には複数個のバイアス
端子４をコバーガラス等の絶縁体５で絶縁支持してい
る。外囲器１内の回路基板１０の両端部にはそれぞれ超
高周波入出力端子としてストリップ線路型アンテナ１２
Ａを誘電体窓７の外側面に導体パターンとして蒸着させ
た構造となっている。すなわち、図２，図３に示すよう
に、ストリップ線路型アンテナ１２Ａの本体部分はパッ
ケージ外側（図２（ｂ））に面している。図２（ｃ）の
断面図により補足説明すると誘電体窓７の内側に相当す
る図３（ｂ）の矩形導波管６Ｂに面する側には金属薄板
１２Ｂが蒸着されており、ストリップ線路型アンテナ１
２Ａと図２（ａ）にも示す金属薄板１２Ｂとの間はスル
ーホール１２Ｃに内蔵された金属線１２Ｄにより接続さ
れていてストリップ線路型アンテナ１２Ａに電磁結合さ
れた電磁波を直接金属薄板１２Ｂに伝達している。した
がって超高周波電磁波は誘電体窓を通過する際に生ずる
誘電体損失をほとんど受けずに金属薄板１２Ｂを経由し
て回路基板１０に伝送している。このスルーホールをキ
ャップ８により気密封止させている。超高周波用パッケ
ージは図３（ａ），（ｂ）に示すように、外囲器１内に
半導体チップ９及び回路基板１０を搭載している。又、
回路基板１０上に描画された回路パターンとバイアス端
子４をボンディング線１１で接続し、かつ回路基板１０
上に形成されたストリップ線路（図示せず）と誘電体窓
７に蒸着された金属薄板１２Ｂを介してストリップ線路
型アンテナ１２Ａとを接続し、入出力用の導波管２１
Ａ，２１Ｂを含む矩形導波管６Ａ，６Ｂとの結合を行っ
ている。
明する。角型容器に形成された金属製の外囲気１は内部
に半導体チップ９や回路基板１０等を搭載可能とし、図
３（ｂ）のふた２３により上部開口を気密封止するよう
になっている。また、外囲気１は周辺部にフランジ２を
一体に有し、フランジ２の周囲にはねじ２２用の穴３を
開設している。外囲器１の一側面には複数個のバイアス
端子４をコバーガラス等の絶縁体５で絶縁支持してい
る。外囲器１内の回路基板１０の両端部にはそれぞれ超
高周波入出力端子としてストリップ線路型アンテナ１２
Ａを誘電体窓７の外側面に導体パターンとして蒸着させ
た構造となっている。すなわち、図２，図３に示すよう
に、ストリップ線路型アンテナ１２Ａの本体部分はパッ
ケージ外側（図２（ｂ））に面している。図２（ｃ）の
断面図により補足説明すると誘電体窓７の内側に相当す
る図３（ｂ）の矩形導波管６Ｂに面する側には金属薄板
１２Ｂが蒸着されており、ストリップ線路型アンテナ１
２Ａと図２（ａ）にも示す金属薄板１２Ｂとの間はスル
ーホール１２Ｃに内蔵された金属線１２Ｄにより接続さ
れていてストリップ線路型アンテナ１２Ａに電磁結合さ
れた電磁波を直接金属薄板１２Ｂに伝達している。した
がって超高周波電磁波は誘電体窓を通過する際に生ずる
誘電体損失をほとんど受けずに金属薄板１２Ｂを経由し
て回路基板１０に伝送している。このスルーホールをキ
ャップ８により気密封止させている。超高周波用パッケ
ージは図３（ａ），（ｂ）に示すように、外囲器１内に
半導体チップ９及び回路基板１０を搭載している。又、
回路基板１０上に描画された回路パターンとバイアス端
子４をボンディング線１１で接続し、かつ回路基板１０
上に形成されたストリップ線路（図示せず）と誘電体窓
７に蒸着された金属薄板１２Ｂを介してストリップ線路
型アンテナ１２Ａとを接続し、入出力用の導波管２１
Ａ，２１Ｂを含む矩形導波管６Ａ，６Ｂとの結合を行っ
ている。
【０００７】次に本発明の第２の実施例を図４により説
明する。第２の実施例は、従来例の図５，図６の誘電体
窓７Ａを改良している。すなわち従来例の誘電体窓７Ａ
の容量成分を打ち消すために、図４の誘電体２５の両側
に導体の誘導性窓２４を設け、電気的に整合させてい
る。なお、この誘導性窓２４は第２の実施例では図４Ｃ
に示すように誘電体２５の両側面に蒸着しているが、特
性により片側面に蒸着する構成ももちろん可能である。
その他の構成は従来例図５，図６と同様である。
明する。第２の実施例は、従来例の図５，図６の誘電体
窓７Ａを改良している。すなわち従来例の誘電体窓７Ａ
の容量成分を打ち消すために、図４の誘電体２５の両側
に導体の誘導性窓２４を設け、電気的に整合させてい
る。なお、この誘導性窓２４は第２の実施例では図４Ｃ
に示すように誘電体２５の両側面に蒸着しているが、特
性により片側面に蒸着する構成ももちろん可能である。
その他の構成は従来例図５，図６と同様である。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、従来の超
高周波用パッケージの誘電体窓に、ストリップ線路型ア
ンテナをパッケージの外側の面に配置させたので従来の
誘電体窓で生じた通過損失を大幅に減少できる効果があ
る。また、本発明の第２の実施例に示すように、気密封
止させるための誘電体の両面又は片面に導体で構成され
る誘導性窓を設けたので、誘電体窓の容量成分をこの誘
導性窓により打ち消す事ができ、不整合による通過損失
の劣化はなくなる効果がある。従ってパッケージ内の回
路基板１０上に形成されたストリップ線路上では半導体
素子との整合を考慮すれば良く、その電気調整は容易と
なる。
高周波用パッケージの誘電体窓に、ストリップ線路型ア
ンテナをパッケージの外側の面に配置させたので従来の
誘電体窓で生じた通過損失を大幅に減少できる効果があ
る。また、本発明の第２の実施例に示すように、気密封
止させるための誘電体の両面又は片面に導体で構成され
る誘導性窓を設けたので、誘電体窓の容量成分をこの誘
導性窓により打ち消す事ができ、不整合による通過損失
の劣化はなくなる効果がある。従ってパッケージ内の回
路基板１０上に形成されたストリップ線路上では半導体
素子との整合を考慮すれば良く、その電気調整は容易と
なる。
【図１】本発明の第１の実施例の平面図（ａ），正面図
（ｂ），裏面図（ｃ）である。
（ｂ），裏面図（ｃ）である。
【図２】第１の実施例の要部の表面図（ａ），裏面図
（ｂ），断面図（ｃ）である。
（ｂ），断面図（ｃ）である。
【図３】第１の実施例の超高周波用パッケージの状態図
である。
である。
【図４】本発明の第２の実施例の超高周波パッケージの
状態図（ａ），（ｂ）および要部の斜視図（ｃ）であ
る。
状態図（ａ），（ｂ）および要部の斜視図（ｃ）であ
る。
【図５】従来例の平面図（ａ），正面図（ｂ），裏面図
（ｃ）である。
（ｃ）である。
【図６】従来例の超高周波用パッケージの状態図であ
る。
る。
１ 外囲器 ２ フランジ ３ 穴 ４ バイアス端子 ５ 絶縁体 ６Ａ，６Ｂ 矩形導波管 ７ 誘電体窓 ８ キャップ ９ 半導体素子チップ １０ 回路基板 １１ ボンディング線 １２Ａ ストリップ線路型アンテナ ２１Ａ，２１Ｂ 導波管 ２２ ねじ ２３ ふた ２４ 誘電体 ２５ 誘導性窓
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 5/06 7301−4Ｅ Ｈ０５Ｋ 5/06 Ａ
Claims (1)
- 【請求項１】外部に取り付けられた入力用導波管と出力
用導波管と、これらの入力用導波管と出力用導波管との
それぞれの端部を相互接続するために超高周波信号を通
過させる誘電体窓を有するフランジと、前記フランジと
前記入力用および出力用導波管との接触面と反対側に設
けられ前記誘電体窓を介して入力用導波管側から導入さ
れた超高周波信号を矩形導波管を介して出力導波管側に
伝送する半導体素子およびストリップラインを蒸着した
回路基板を搭載可能な容器状の外囲器と、前記誘電体窓
の短辺側の端部に該誘電体窓の容量を打ち消す誘導性窓
とを備えた超高周波用パッケージにおいて、前記誘電体
窓のそれぞれが前記入力用および出力用導波管に対向す
る外側面に蒸着された超高周波信号と電磁結合するスト
リップ線路型アンテナと、このストリップ線路型アンテ
ナの電磁波を導入する線路を内蔵したスルーホールと、
このスルーホールの線路を前記外囲器に搭載されたスト
リップラインの端部に接続した後に気密封止するキャッ
プとを有することを特徴とする超高周波用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4079695A JP2674417B2 (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 超高周波用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4079695A JP2674417B2 (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 超高周波用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343904A JPH05343904A (ja) | 1993-12-24 |
| JP2674417B2 true JP2674417B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=13697352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4079695A Expired - Lifetime JP2674417B2 (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 超高周波用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2674417B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2745119B1 (fr) * | 1996-02-16 | 1998-06-05 | Thomson Csf | Boitier d'encapsulation de circuit integre pour applications hyperfrequences et son procede de fabrication |
| JPH1065038A (ja) * | 1996-08-22 | 1998-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | ミリ波デバイス用パッケージ |
| JP3464118B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2003-11-05 | 京セラ株式会社 | 高周波用パッケージの接続構造 |
| JP3209183B2 (ja) | 1998-07-08 | 2001-09-17 | 日本電気株式会社 | 高周波信号用集積回路パッケージ及びその製造方法 |
| US6064286A (en) * | 1998-07-31 | 2000-05-16 | The Whitaker Corporation | Millimeter wave module with an interconnect from an interior cavity |
| KR100472681B1 (ko) * | 2002-10-21 | 2005-03-10 | 한국전자통신연구원 | 도파관 구조의 패키지 및 그 제조 방법 |
| EP2333828B1 (en) | 2008-09-05 | 2019-11-20 | Mitsubishi Electric Corporation | High-frequency circuit package, and sensor module |
| JP6372113B2 (ja) | 2014-03-17 | 2018-08-15 | 富士通株式会社 | 高周波モジュール及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5330297B2 (ja) * | 1972-11-27 | 1978-08-25 | ||
| JPS61143305U (ja) * | 1985-02-26 | 1986-09-04 | ||
| JPS61162102U (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-07 |
-
1992
- 1992-04-01 JP JP4079695A patent/JP2674417B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05343904A (ja) | 1993-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5414394A (en) | Microwave frequency device comprising at least a transition between a transmission line integrated on a substrate and a waveguide | |
| EP0110997B1 (en) | Semiconductor device package | |
| EP0503200B1 (en) | Package for microwave integrated circuit | |
| US4698661A (en) | Encapsulating box for a power semiconductor with improved input-output insulator | |
| US6396363B1 (en) | Planar transmission line to waveguide transition for a microwave signal | |
| EP0157505A2 (en) | High-frequency semiconductor device | |
| JPH08250913A (ja) | Ｍｍｉｃパッケージ組立 | |
| JP2674417B2 (ja) | 超高周波用パッケージ | |
| US6366184B1 (en) | Resonator filter | |
| JPH02280502A (ja) | Ｖｈｆ集積回路用パッケージ | |
| JP2803551B2 (ja) | マイクロストリップ導波管変換回路 | |
| JP3398282B2 (ja) | 高周波用半導体装置 | |
| JP3988498B2 (ja) | 導波管フィルタ | |
| JPH03173201A (ja) | ハイブリッドフィルタ | |
| JPH05199019A (ja) | 高周波回路パッケージ | |
| JPH03211870A (ja) | モノリシックマイクロ波集積回路 | |
| ISHITSUKA et al. | A new multilayer ceramic-frame package for high-frequency mmic modules | |
| JP3039589U (ja) | マイクロ波集積回路用ケース | |
| JP2002111329A (ja) | 誘電体共振器およびフィルタ | |
| JPS63144602A (ja) | 誘電体デユプレクサ | |
| JP3056102B2 (ja) | マイクロ波回路用パッケージおよびその実装体 | |
| JP3499634B2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPH0191443A (ja) | マイクロ波集積回路用パッケージ | |
| JPS5955607A (ja) | マイクロ波ミクサ | |
| JPH0715202A (ja) | マイクロ波集積回路用気密筐体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970617 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070718 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080718 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090718 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100718 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 15 |