JPH1065038A - ミリ波デバイス用パッケージ - Google Patents
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Abstract
波ICチップ1の気密性を確保することにより低損失で
かつ信頼性の高いミリ波デバイス用のパッケージを得る
ことを目的とする。 【解決手段】 台座4上面の中央に高周波ICチップ1
が搭載され、台座4上面の左右両側に、線路基板2が搭
載され、台座4の上面上に線路基板2,及び高周波IC
チップ1を覆ってこれを封止する蓋5が設けられるとと
もに、台座4の両端近傍において台座4を上下に貫通す
る開口よりなる導波管入出力部7aと、これにつなが
る,導波管端部7bとよりなる導波管7がそれぞれ形成
され、上記線路基板2の線路2aと導波管7とがE面プ
ローブにより接続され、左右の線路基板2が台座4上面
の左右の開口をそれぞれ塞ぐように搭載されているもの
である。
Description
パッケージに関し、特に、導波管でデバイス近傍まで信
号を導波し、E面プローブで低損失接続を行うパッケー
ジにおいて、高周波ICチップの気密性を確保しつつ、
信号の減衰を抑えることにより、デバイス特性の劣化を
防ぐものである。
り低い周波数帯域で用いるデバイスに比べて、信号を入
出力する導波管から高周波ICチップまでの間、即ち、
線路,ボンディングワイヤ(あるいはバンプ),及びパ
ッケージの壁等を通過する間の信号の減衰が大きい。そ
こで、この信号の減衰を抑えるために、信号を導波する
導波管をよりチップの近くに形成したパッケージ構成と
することで、線路,ボンディングワイヤ,パッケージの
壁等を通過する間に生じる信号の減衰を抑えていた。
ージを示す断面図、図7(b) は蓋をする前の従来のパッ
ケージを上から見た上面図であり、図において、1は高
周波ICチップ、2はマイクロストリップ線路2aが形
成された線路基板、3は高周波ICチップ1の各端子と
マイクロストリップ線路2aとを接続するボンディング
ワイヤ、4は高周波ICチップ1,及び線路基板2を搭
載するパッケージの台座、5はパッケージの蓋、6は蓋
5に設けられた導波管端部形成部を示しており、7aは
台座4に形成された導波管入出力部、7bは台座4の側
壁とパッケージの蓋5と導波管端部形成部6とにより形
成される導波管端部、7は導波管入出力部7aと導波管
端部7bとにより形成され、線路基板2とE面プローブ
により接続される導波管、10はこのように形成された
ミリ波デバイス用パッケージを示している。
封止しようとする高周波ICチップ1と線路基板2と
を、該線路基板2と導波管7とがE面プローブにより接
続されるようにパッケージの台座4に接着し、これに蓋
5をハンダ等で接着することにより封止して作成してい
た。
波管をよりチップの近くに形成した構成の従来のミリ波
デバイス用パッケージ10は、導波管7と線路基板2と
のE面プローブによる接続部で、導波管7からパッケー
ジ内への空気の流入(流出)があるので、高周波ICチ
ップの気密性が確保できず、導波管に接続される他のデ
バイスや、使用環境の影響を受けて、結露等の問題が発
生し、デバイスの信頼性の低下を招いていた。
になされたもので、導波管をよりチップの近くに形成す
る構成のミリ波デバイス用パッケージにおいて、高周波
ICチップの気密性を確保することにより、低損失でか
つ信頼性の高いミリ波デバイス用のパッケージを得るこ
とを目的とするものである。
ミリ波デバイス用パッケージは、台座上面の中央に、ミ
リ波帯で動作する高周波ICチップが搭載され、上記台
座上面の左右両側に、上記高周波ICチップとそれぞれ
接続される線路を有する線路基板が搭載され、上記台座
の上面上に上記線路基板,及び上記高周波ICチップを
覆ってこれを封止する蓋が設けられるとともに、上記台
座の両端近傍において該台座を上下に貫通する開口より
なる導波管入出力部と、これにその上方につながる,導
波管端部とよりなる導波管がそれぞれ形成され、上記線
路基板の線路と上記導波管とがE面プローブにより接続
され、上記左右の線路基板が上記台座上面の左右の開口
をそれぞれ塞ぐように搭載されているものである。
パッケージは、台座の上面に、その左右両側にチップ内
の素子に接続された線路を有するミリ波帯で動作する高
周波ICチップが搭載され、上記台座の上面上に上記高
周波ICチップを覆ってこれを封止する蓋が設けられる
とともに、上記台座の両端近傍において該台座を上下に
貫通する開口よりなる導波管入出力部と、これにその上
方につながる,導波管端部とよりなる導波管がそれぞれ
形成され、上記高周波ICチップの線路と上記導波管と
がE面プローブにより接続され、上記高周波ICチップ
が上記台座上面の左右の開口をともに塞ぐように搭載さ
れているものである。
パッケージは、請求項1のミリ波デバイス用パッケージ
において、上記左右の線路基板裏面には、上記導波管入
出力部の開口に対応する領域を除いて、裏面金属が形成
されているものである。
パッケージは、請求項2のミリ波デバイス用パッケージ
において、上記高周波ICチップ裏面には、上記導波管
入出力部の開口に対応する領域を除いて、裏面金属が形
成されているものである。
パッケージは、台座上面の中央に、ミリ波帯で動作する
高周波ICチップが搭載されるとともに、上記台座の外
周上に、壁部が形成され、上記台座上面の左右両側に、
該台座の左右端部より上記壁部を挿通してさらに外方に
突出する,上記高周波ICチップとそれぞれ接続される
線路を有する線路基板が搭載され、上記壁部上に高周波
ICチップ,及び上記線路基板の要部を覆ってこれを封
止する蓋が形成され、上記線路基板が台座より外方に突
出している上記壁部及び上記台座の左右両側の外壁面
に、該外壁面の所要領域をその内壁の一部とする導波管
を形成する,導波管筐体が形成されているものである。
て説明する。図1,2は、本発明の実施の形態1におけ
るミリ波デバイス用パッケージを示す図であり、図1
(a) は該ミリ波デバイス用パッケージを信号の流れに平
行な面で見た断面図、図1(b) は図1(a) における円B
近傍の拡大図である。図2は図1で一点鎖線AA’で示
した面の,パッケージ側方から見た断面図である。図に
おいて、1はミリ波帯で動作する高周波ICチップ、2
は線路基板であり、2aは線路基板2の表面側に形成さ
れたマイクロストリップ線路、2bは線路基板2の裏面
側に形成された裏面金属、2cは誘電率が低く、tan δ
が小さい,アルミナ,ガラス,テフロン等の材料よりな
る誘電体基板であり、線路基板2は、誘電体基板2c,
マイクロストリップ線路2a,及び裏面金属2bにより
構成されており、使用する信号の周波数,線路幅等によ
り所望の材料,及び所望の厚みの誘電体基板2cを用い
る。3は高周波ICチップ1の各端子とマイクロストリ
ップ線路2aとを接続するボンディングワイヤ、4は高
周波ICチップ1,及び線路基板2を搭載するパッケー
ジの台座、5はパッケージの蓋、6は蓋5に設けられた
導波管端部形成部、7aは台座4に形成された導波管入
出力部、7bは台座4の側壁と蓋5と導波管端部形成部
6とにより形成される導波管端部、7は導波管入出力部
7aと導波管端部7bとにより形成され、線路基板2と
E面プローブにより接続される導波管を示しており、導
波管7の内壁となる部分には金メッキ,もしくは金蒸着
処理を施してある。11は本実施の形態1におけるミリ
波デバイス用パッケージを示している。
前のパッケージを上から見た平面図で、4aはパッケー
ジの台座4の上面に開口する導波管入出力部7aの開口
部を示している。また、図4は本実施の形態1における
ミリ波デバイス用パッケージで用いる線路基板2を示す
図であり、図4(a) は線路基板2を表面側から見た平面
図、図4(b) は線路基板2を裏面側から見た底面図であ
る。図において20は裏面金属2bが形成されていな
い,誘電体基板2cが露出した領域を示しており、この
領域20は、線路基板2をパッケージの台座4に搭載し
たときに導波管の開口部4aに面する領域である。
ッケージ11は、線路基板2が、台座4の上面に開口し
ている導波管入出力部7aの開口部4aを、完全に塞ぐ
ように、ハンダ等で接着されて搭載されたものである。
イス用パッケージの作用,効果について説明する。本実
施の形態1におけるミリ波デバイス用パッケージ11に
おいては、導波管入出力部7aは、その一端が台座4の
上面にそれぞれ開口(4a)しており、線路基板2が開
口部4aを完全に塞ぐように台座4に搭載されているの
で、線路基板2によって、高周波ICチップ1側の空気
と、導波管入出力部7a側の空気とを分離することがで
き、高周波ICチップ1の気密性を保つことができる。
においては、図1のB,あるいは図3に示すように、線
路基板2が開口部4aを完全に覆って載置されるよう,
少なくとも開口部4aの周囲近傍が台座の上面と同じ平
面となるように台座4を形成し、線路基板2の、上記開
口部4aに面する領域には裏面金属2bを形成せず、台
座4の上面に接する領域に裏面金属2bを形成してこれ
を台座4とハンダ等により接着しているので、導波管入
出力部7aの開口部4aを完全に塞ぐことができ、高周
波ICチップ1の気密性を高く保つことができる。さら
にこの開口部4aを塞ぐのに線路基板2を用いているの
で、開口部4aを気密封止するために別の部材を準備す
る必要がなく、またこの線路基板2を台座4に搭載する
際の工程も複雑なものとはならず、従来と同様の工程に
より行うことができる。
り接続された線路基板2で台座4上面の導波管入出力部
7aの開口部4aを塞ぐようにしたので、高周波ICチ
ップ1の気密性を確保することができ、低損失でかつ信
頼性の高いミリ波デバイス用のパッケージを従来同様の
工程で得ることができる効果がある。
管入出力部7aを持つパッケージについて示したが、例
えば、L型に曲がった別の導波管形成部材を銀ろう等で
接着することにより信号の入力,出力をパッケージの左
右方向から行うこともできる。
2を図を用いて説明する。図5(a) は本実施の形態2に
おけるミリ波デバイス用パッケージを信号の流れに平行
な面で見た断面図、図5(b) は本実施の形態2におけ
る,蓋をする前のパッケージを上から見た平面図であ
る。図において、図1と同一符号は同一または相当する
部分を示しており、1aは高周波回路と、この高周波回
路に信号を入出力するマイクロストリップ線路2aとが
基板上に形成された高周波ICチップを示している。本
実施の形態2では図1における,台座4、蓋5、及び蓋
5に形成された導波管端部形成部6は実施の形態1と同
様であり、高周波ICチップ1aの裏面には、裏面金属
が台座4の開口部4aに面することとなる領域以外に形
成されている。
ッケージ12は、高周波ICチップ1aが、台座4の上
面に開口している導波管入出力部7aの開口部4aを、
完全に塞ぐように、ハンダ等で接着されて搭載されたも
のである。
イス用パッケージの作用,効果について説明する。本実
施の形態2におけるミリ波デバイス用パッケージ12に
おいては、導波管入出力部7aは、その一端が台座4の
上面にそれぞれ開口(4a)しており、高周波ICチッ
プ1aが開口部4aを完全に塞ぐように台座4に搭載さ
れているので、高周波ICチップ1aの表面側の空気
と、高周波ICチップ1aの裏面側の空気とを分離する
ことができ、高周波ICチップ1a表面の気密性を保つ
ことができる。
においては、高周波ICチップ1aが開口部4aを完全
に覆って載置されるよう,少なくとも開口部4aの周囲
近傍が台座の上面と同じ平面となるように台座4を形成
し、高周波ICチップ1aの、上記開口部4aに面する
領域には裏面金属2bを形成せず、台座4の上面に接す
る領域に裏面金属2bを形成してこれをハンダ等により
台座4と接着しているので、導波管入出力部7aの開口
部4aを完全に塞ぐことができ、高周波ICチップ1a
の素子側の気密性を高く保つことができる。さらにこの
開口部4aを塞ぐのに高周波ICチップ1aを用いてい
るので、開口部4aを気密封止するために線路基板,あ
るいは別の部材を準備する必要がなく、またこの高周波
ICチップ1aを台座4に搭載する際の工程も複雑なも
のとはならず、従来よりさらに少ない工程で該ミリ波デ
バイス用パッケージ12を作成することができる。
り接続されるマイクロストリップ線路2aが形成された
高周波ICチップ1aにより、導波管入出力部7aの開
口部4aを塞ぐようにしたので、高周波ICチップ1a
の素子側の気密性を確保することができ、低損失でかつ
信頼性の高いミリ波デバイス用のパッケージをより少な
い工程で得ることができる効果がある。
3を図を用いて説明する。図6は、本実施の形態3にお
けるミリ波デバイス用パッケージを示したもので、図6
(a) は信号の流れに平行な面で見た断面図、図6(b) は
マイクロストリップ線路2aと、導波管7との接続部を
説明するための一部透視斜視図である。図において、図
1と同一符号は同一または相当する部分を示しており、
13は本実施の形態3におけるミリ波デバイス用パッケ
ージ、8は該ミリ波デバイス用パッケージ13の側壁、
8aは該側壁8のマイクロストリップ線路2aに隣接す
る領域に設けられたセラミック,ガラス等の低損失材料
よりなる絶縁部、9は導波管7を形成するためにパッケ
ージの側壁8,及び台座4の側面に銀ろう等で接着され
た導波管筐体を示している。
ッケージ13は、フィールドスルー方式により側壁8の
外方に突出した線路と、台座4,側壁8,及び導波管筐
体9により形成される導波管7とが、E面プローブによ
り接続される構成としたものである。
イス用パッケージの作用,効果について説明する。本実
施の形態3におけるミリ波デバイス用パッケージ13に
おいては、フィールドスルー方式により側壁8の外方に
突出させて形成したマイクロストリップ線路2aと、線
路基板2が台座4より外方に突出している側壁8及び台
座4の左右両側の外壁面に形成された、該外壁面の所要
領域をその内壁の一部とする導波管7とが、E面プロー
ブで接続される構成としたので、引き出したマイクロス
トリップ線路2aを直接導波管7に接続することがで
き、信号の通過経路を短縮することができる。
8の外部に引き出したマイクロストリップ線路2aと、
台座4,側壁8,及び導波管筐体9により形成される導
波管7とがE面プローブで接続される構成としたので、
気密性を確保しつつ、信号の通過経路を短くして、信号
の減衰を抑えることができ、これにより、高周波ICチ
ップを気密封止しかつ信号の減衰を抑えることのできる
ミリ波デバイス用パッケージを得ることができる効果が
ある。
バイス用パッケージによれば、台座上面の中央に、ミリ
波帯で動作する高周波ICチップが搭載され、上記台座
上面の左右両側に、上記高周波ICチップとそれぞれ接
続される線路を有する線路基板が搭載され、上記台座の
上面上に上記線路基板,及び上記高周波ICチップを覆
ってこれを封止する蓋が設けられるとともに、上記台座
の両端近傍において該台座を上下に貫通する開口よりな
る導波管入出力部と、これにその上方につながる,導波
管端部とよりなる導波管がそれぞれ形成され、上記線路
基板の線路と上記導波管とがE面プローブにより接続さ
れ、上記左右の線路基板が上記台座上面の左右の開口を
それぞれ塞ぐように搭載されているので、高周波ICチ
ップの気密性を保つことができ、低損失でかつ信頼性の
高いミリ波デバイス用のパッケージを得ることができる
効果がある。
ッケージによれば、台座の上面に、その左右両側にチッ
プ内の素子に接続された線路を有するミリ波帯で動作す
る高周波ICチップが搭載され、上記台座の上面上に上
記高周波ICチップを覆ってこれを封止する蓋が設けら
れるとともに、上記台座の両端近傍において該台座を上
下に貫通する開口よりなる導波管入出力部と、これにそ
の上方につながる,導波管端部とよりなる導波管がそれ
ぞれ形成され、上記高周波ICチップの線路と上記導波
管とがE面プローブにより接続され、上記高周波ICチ
ップが上記台座上面の左右の開口をともに塞ぐように搭
載されているので、高周波ICチップ表面の気密性を保
つことができ、低損失でかつ信頼性の高いミリ波デバイ
ス用のパッケージを少ない工程で得ることができる効果
がある。
ッケージによれば、請求項1のミリ波デバイス用パッケ
ージにおいて、上記左右の線路基板裏面には、上記導波
管入出力部の開口に対応する領域を除いて、裏面金属が
形成されているので、高周波ICチップの気密性をより
向上させることができる。
ッケージによれば、請求項2のミリ波デバイス用パッケ
ージにおいて、上記高周波ICチップ裏面には、上記導
波管入出力部の開口に対応する領域を除いて、裏面金属
が形成されているので、高周波ICチップの気密性をよ
り向上させることができる。
ッケージによれば、台座上面の中央に、ミリ波帯で動作
する高周波ICチップが搭載されるとともに、上記台座
の外周上に、壁部が形成され、上記台座上面の左右両側
に、該台座の左右端部より上記壁部を挿通してさらに外
方に突出する,上記高周波ICチップとそれぞれ接続さ
れる線路を有する線路基板が搭載され、上記壁部上に高
周波ICチップ,及び上記線路基板の要部を覆ってこれ
を封止する蓋が形成され、上記線路基板が台座より外方
に突出している上記壁部及び上記台座の左右両側の外壁
面に、該外壁面の所要領域をその内壁の一部とする導波
管を形成する,導波管筐体が形成されているので、信号
の通過経路を短縮することができ、低損失でかつ信頼性
の高いミリ波デバイス用のパッケージを得ることができ
る効果がある。
用パッケージを示す断面図((a) ),及び円B部分近傍
の拡大図((b) )である。
ある。
ミリ波デバイス用パッケージの平面図である。
用パッケージにおける線路基板を示す平面図((a) ),
及び底面図((b) )である。
用パッケージを示す断面図((a) ),及び蓋をする前の
ミリ波デバイス用パッケージの平面図((b))である。
用パッケージを示す断面図((a) ),及びフィールドス
ルー方式により引き出された線路と導波管との接続部を
示す一部透視斜視図((b) )である。
面図((a) ),及び蓋をする前の従来のミリ波デバイス
用パッケージの平面図((b) )である。
線路基板、2a マイクロストリップ線路、2b 裏面
金属、2c 誘電体基板、3 ボンディングワイヤ、4
台座、5 蓋、6 導波管端部形成部、7 導波管、
7a 導波管入出力部、7b 導波管端部、8 側壁、
8b 絶縁部、9 導波管筐体、10従来のミリ波デバ
イス用パッケージ、11〜13 ミリ波デバイス用パッ
ケージ。
Claims (5)
- 【請求項1】 台座上面の中央に、ミリ波帯で動作する
高周波ICチップが搭載され、 上記台座上面の左右両側に、上記高周波ICチップとそ
れぞれ接続される線路を有する線路基板が搭載され、 上記台座の上面上に上記線路基板,及び上記高周波IC
チップを覆ってこれを封止する蓋が設けられるととも
に、上記台座の両端近傍において該台座を上下に貫通す
る開口よりなる導波管入出力部と、これにその上方につ
ながる,導波管端部とよりなる導波管がそれぞれ形成さ
れ、上記線路基板の線路と上記導波管とがE面プローブ
により接続され、 上記左右の線路基板が上記台座上面の左右の開口をそれ
ぞれ塞ぐように搭載されていることを特徴とするミリ波
デバイス用パッケージ。 - 【請求項2】 台座の上面に、その左右両側にチップ内
の素子に接続された線路を有するミリ波帯で動作する高
周波ICチップが搭載され、 上記台座の上面上に上記高周波ICチップを覆ってこれ
を封止する蓋が設けられるとともに、上記台座の両端近
傍において該台座を上下に貫通する開口よりなる導波管
入出力部と、これにその上方につながる,導波管端部と
よりなる導波管がそれぞれ形成され、上記高周波ICチ
ップの線路と上記導波管とがE面プローブにより接続さ
れ、 上記高周波ICチップが上記台座上面の左右の開口をと
もに塞ぐように搭載されていることを特徴とするミリ波
デバイス用パッケージ。 - 【請求項3】 請求項1に記載のミリ波デバイス用パッ
ケージにおいて、 上記左右の線路基板裏面には、上記導波管入出力部の開
口に対応する領域を除いて、裏面金属が形成されている
ことを特徴とするミリ波デバイス用パッケージ。 - 【請求項4】 請求項2に記載のミリ波デバイス用パッ
ケージにおいて、 上記高周波ICチップ裏面には、上記導波管入出力部の
開口に対応する領域を除いて、裏面金属が形成されてい
ることを特徴とするミリ波デバイス用パッケージ。 - 【請求項5】 台座上面の中央に、ミリ波帯で動作する
高周波ICチップが搭載されるとともに、上記台座の外
周上に、壁部が形成され、 上記台座上面の左右両側に、該台座の左右端部より上記
壁部を挿通してさらに外方に突出する,上記高周波IC
チップとそれぞれ接続される線路を有する線路基板が搭
載され、 上記壁部上に高周波ICチップ,及び上記線路基板の要
部を覆ってこれを封止する蓋が形成され、 上記線路基板が台座より外方に突出している上記壁部及
び上記台座の左右両側の外壁面に、該外壁面の所要領域
をその内壁の一部とする導波管を形成する,導波管筐体
が形成されていることを特徴とするミリ波デバイス用パ
ッケージ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8221304A JPH1065038A (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | ミリ波デバイス用パッケージ |
US08/808,688 US5808519A (en) | 1996-08-22 | 1997-02-28 | Hermetically sealed millimeter-wave device |
DE19711716A DE19711716A1 (de) | 1996-08-22 | 1997-03-20 | Millimeterwellenvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP8221304A JPH1065038A (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | ミリ波デバイス用パッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH1065038A true JPH1065038A (ja) | 1998-03-06 |
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ID=16764703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (3)
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JP (1) | JPH1065038A (ja) |
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