JP2000031712A - マイクロストリップラインー導波管変換構造、高周波信号用集積回路パッケージ及びその製造方法 - Google Patents
マイクロストリップラインー導波管変換構造、高周波信号用集積回路パッケージ及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
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- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
-
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- Microwave Amplifiers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ミリ波帯の周波数で使用しても通過損失を低減
でき、構造が簡単であり、かつ、広帯域の周波数に対応
できるマイクロストリップラインー導波管変換構造、そ
の変換構造を備えた高周波信号用集積回路パッケージ及
びその製造方法を提供する。 【解決手段】このパッケージは、ＭＭＩＣ２等を実装し
たベース部材４と、ベース部材４上に設けられた誘電体
基板５と、誘電体基板５上に設けられ、高周波信号用集
積回路に電気的に接続されたマイクロストリップライン
６と、高周波信号用集積回路を囲う開口部７ａが形成さ
れ、誘電体基板５に嵌合される凹部７ｂが形成されたフ
レーム部材７と、フレーム部材７の開口部７ａを塞き、
気密封止する蓋部材８と、を有する。凹部７ｂが誘電体
基板５上の幅広部６ｄに嵌合されて形成される導波管部
５ａは、誘電体を媒質とする導波管の役割をし、マイク
ロストリップライン６によって伝送される高周波信号の
伝送モードを誘電体導波管の伝送モードに変換する。
でき、構造が簡単であり、かつ、広帯域の周波数に対応
できるマイクロストリップラインー導波管変換構造、そ
の変換構造を備えた高周波信号用集積回路パッケージ及
びその製造方法を提供する。 【解決手段】このパッケージは、ＭＭＩＣ２等を実装し
たベース部材４と、ベース部材４上に設けられた誘電体
基板５と、誘電体基板５上に設けられ、高周波信号用集
積回路に電気的に接続されたマイクロストリップライン
６と、高周波信号用集積回路を囲う開口部７ａが形成さ
れ、誘電体基板５に嵌合される凹部７ｂが形成されたフ
レーム部材７と、フレーム部材７の開口部７ａを塞き、
気密封止する蓋部材８と、を有する。凹部７ｂが誘電体
基板５上の幅広部６ｄに嵌合されて形成される導波管部
５ａは、誘電体を媒質とする導波管の役割をし、マイク
ロストリップライン６によって伝送される高周波信号の
伝送モードを誘電体導波管の伝送モードに変換する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロストリッ
プラインー導波管変換構造、その変換構造を備えた高周
波信号用集積回路パッケージ及びその製造方法に関し、
特に、ミリ波帯で使用される集積回路を気密封止するの
に適合したマイクロストリップラインー導波管変換構
造、その変換構造を備えた高周波信号用集積回路パッケ
ージ及びその製造方法に関する。
プラインー導波管変換構造、その変換構造を備えた高周
波信号用集積回路パッケージ及びその製造方法に関し、
特に、ミリ波帯で使用される集積回路を気密封止するの
に適合したマイクロストリップラインー導波管変換構
造、その変換構造を備えた高周波信号用集積回路パッケ
ージ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ミリ波帯及びマイクロ波帯で使
用される半導体集積回路モジュールでは、信頼性を高め
るために気密封止構造を有することが必要である。しか
し、ミリ波帯では、マイクロ波帯で使用されているよう
なガラス封止を用いた同軸線路でのインターフェイスは
物理的な寸法が小さくなり、製作精度が厳しくなるた
め、あまり行われていなかった。
用される半導体集積回路モジュールでは、信頼性を高め
るために気密封止構造を有することが必要である。しか
し、ミリ波帯では、マイクロ波帯で使用されているよう
なガラス封止を用いた同軸線路でのインターフェイスは
物理的な寸法が小さくなり、製作精度が厳しくなるた
め、あまり行われていなかった。
【０００３】そこで、導波管を用いて半導体集積回路を
気密封止する技術が従来から提案されている。例えば、
１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエ
ティ大会講演論文集１の１３６ページに掲載されている
「６０ＧＨｚ帯受信モジュール」では、高周波信号をマ
イクロストリップラインから導波管に直接変換して外部
に出力する構造が開示されている。図１５（ａ）は、従
来の集積回路パッケージ（以下、従来例１という）の高
周波インターフェイス部分の構造を示す平面断面図、
（ｂ）は、図１５（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。
気密封止する技術が従来から提案されている。例えば、
１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエ
ティ大会講演論文集１の１３６ページに掲載されている
「６０ＧＨｚ帯受信モジュール」では、高周波信号をマ
イクロストリップラインから導波管に直接変換して外部
に出力する構造が開示されている。図１５（ａ）は、従
来の集積回路パッケージ（以下、従来例１という）の高
周波インターフェイス部分の構造を示す平面断面図、
（ｂ）は、図１５（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。
【０００４】図１５（ａ）及び（ｂ）に示すように、従
来例１の集積回路パッケージは、金属等で作られたパッ
ケージベース部４０と、そのパッケージベース部４０内
に略垂直方向に延びて形成された導波管４１と、パッケ
ージベース部４０上に設けられ、端部が導波管４１内に
位置するように配置された誘電体基板４２と、金属等で
作られ、パッケージベース部４２の上部を塞ぐ蓋部４３
と、を有する。誘電体基板４２上には高周波信号を伝送
するためのマイクロストリップライン４４が設けられ
る。
来例１の集積回路パッケージは、金属等で作られたパッ
ケージベース部４０と、そのパッケージベース部４０内
に略垂直方向に延びて形成された導波管４１と、パッケ
ージベース部４０上に設けられ、端部が導波管４１内に
位置するように配置された誘電体基板４２と、金属等で
作られ、パッケージベース部４２の上部を塞ぐ蓋部４３
と、を有する。誘電体基板４２上には高周波信号を伝送
するためのマイクロストリップライン４４が設けられ
る。
【０００５】誘電体基板４２の端部上には、マイクロス
トリップライン４４と接続され、マイクロストリップラ
イン４４の伝送モードと導波管の伝送モードとを変換す
るためのマイクロストリップライン導波管変換器４５が
設けられる。
トリップライン４４と接続され、マイクロストリップラ
イン４４の伝送モードと導波管の伝送モードとを変換す
るためのマイクロストリップライン導波管変換器４５が
設けられる。
【０００６】導波管４１の下部には封止用誘電体基板４
６が貼り付けられ、これによってパッケージの気密封止
を実現している。
６が貼り付けられ、これによってパッケージの気密封止
を実現している。
【０００７】また、図１６は、特開昭５８ー２１５８０
２号公報に開示されたＭＩＣ用パッケージ（以下、従来
例２という）を示す断面図である。
２号公報に開示されたＭＩＣ用パッケージ（以下、従来
例２という）を示す断面図である。
【０００８】図１６に示すように、従来のＭＩＣパッケ
ージは、銅等の金属からなるパッケージ本体５０と、そ
のパッケージ本体５０の中央部に形成されキャリアを実
装する凹部５１と、パッケージ本体５０の両端部に形成
され、凹部５１と連通する導波管５２と、パッケージ本
体５０の上部に溶接等で取り付けられる蓋５３と、一部
が導波管５２内に突出する高周波入出力用端子のマイク
ロストリップライン５４と、導波管５２の下部に接着さ
れ、石英ガラス等の絶縁体材料からなる気密封止板５５
とを有する。
ージは、銅等の金属からなるパッケージ本体５０と、そ
のパッケージ本体５０の中央部に形成されキャリアを実
装する凹部５１と、パッケージ本体５０の両端部に形成
され、凹部５１と連通する導波管５２と、パッケージ本
体５０の上部に溶接等で取り付けられる蓋５３と、一部
が導波管５２内に突出する高周波入出力用端子のマイク
ロストリップライン５４と、導波管５２の下部に接着さ
れ、石英ガラス等の絶縁体材料からなる気密封止板５５
とを有する。
【０００９】また、導波管５２の一部又は全部に誘電体
を充填して気密封止した場合には、導波管５２を小さく
形成することができるので、パッケージの小型化を図る
ことができる。
を充填して気密封止した場合には、導波管５２を小さく
形成することができるので、パッケージの小型化を図る
ことができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術には次のよ
うな課題がある。
うな課題がある。
【００１１】（１）従来例１の集積回路パッケージで
は、導波管４１に貼り付けた誘電体基板４６の部分で、
インピーダンスの不整合が発生し、反射係数が高くなる
ため、通過損失が大きくなる。
は、導波管４１に貼り付けた誘電体基板４６の部分で、
インピーダンスの不整合が発生し、反射係数が高くなる
ため、通過損失が大きくなる。
【００１２】図１７は、従来の集積回路パッケージを用
いた場合の通過損失をシミュレーションしたグラフであ
る。図１７から、従来の集積回路パッケージでは、周波
数が高くなるにつれて通過損失が増大することがわか
る。従って、従来例１の集積回路パッケージは、６０Ｇ
Ｈｚ以上のミリ波帯の周波数では採用することが困難で
ある。
いた場合の通過損失をシミュレーションしたグラフであ
る。図１７から、従来の集積回路パッケージでは、周波
数が高くなるにつれて通過損失が増大することがわか
る。従って、従来例１の集積回路パッケージは、６０Ｇ
Ｈｚ以上のミリ波帯の周波数では採用することが困難で
ある。
【００１３】従来例２のＭＩＣパッケージにおいても、
従来例１のパッケージと同様に、気密封止板５５の部分
でインピーダンス特性が悪くなり、通過損失が増大す
る。通過損失を防止するため、気密封止板５５を薄い低
誘電率の材料で作ることが考えられるが、気密封止板５
５が割れやすくなるので、耐久性に問題がある。
従来例１のパッケージと同様に、気密封止板５５の部分
でインピーダンス特性が悪くなり、通過損失が増大す
る。通過損失を防止するため、気密封止板５５を薄い低
誘電率の材料で作ることが考えられるが、気密封止板５
５が割れやすくなるので、耐久性に問題がある。
【００１４】（２）気密封止するために誘電体基板４６
や気密封止板５５を導波管４１、５２の下部に貼り付け
ているので、貼り付けに使用する接着剤や接着精度によ
る影響が顕著に出やすくなり、最適な特性を得ることが
困難である。
や気密封止板５５を導波管４１、５２の下部に貼り付け
ているので、貼り付けに使用する接着剤や接着精度によ
る影響が顕著に出やすくなり、最適な特性を得ることが
困難である。
【００１５】（３）導波管４１、５２内にアンテナ状に
突出しているマイクロストリップライン４４、５４によ
って伝送モードの変換が行われているため、広帯域の周
波数に対応することができない。その結果、用途が制限
される。
突出しているマイクロストリップライン４４、５４によ
って伝送モードの変換が行われているため、広帯域の周
波数に対応することができない。その結果、用途が制限
される。
【００１６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、ミリ波帯の周波数で使用しても通過損
失を低減でき、構造が簡単であり、かつ、広帯域の周波
数に対応できるマイクロストリップラインー導波管変換
構造、その変換構造を備えた高周波信号用集積回路パッ
ケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
れたものであり、ミリ波帯の周波数で使用しても通過損
失を低減でき、構造が簡単であり、かつ、広帯域の周波
数に対応できるマイクロストリップラインー導波管変換
構造、その変換構造を備えた高周波信号用集積回路パッ
ケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロストリ
ップラインー導波管変換構造は、誘電体基板と、その誘
電体基板上に設けられ、導体を広げて形成された幅広部
を備えたマイクロストリップラインとを有し、誘電体基
板上に幅広部を含む導波管部を設けることを特徴とする
ものである。
ップラインー導波管変換構造は、誘電体基板と、その誘
電体基板上に設けられ、導体を広げて形成された幅広部
を備えたマイクロストリップラインとを有し、誘電体基
板上に幅広部を含む導波管部を設けることを特徴とする
ものである。
【００１８】上記マイクロストリップラインの幅広部近
傍に、その幅広部に向かって傾斜状に形成された伝送モ
ード変換部が設けられるのが好ましい。
傍に、その幅広部に向かって傾斜状に形成された伝送モ
ード変換部が設けられるのが好ましい。
【００１９】上記伝送される高周波信号は、例えばミリ
波帯の信号である。
波帯の信号である。
【００２０】本発明の第１の高周波信号用集積回路パッ
ケージは、ベース部材に設けられた高周波信号用集積回
路と、導体を広げて形成された幅広部を備えたマイクロ
ストリップラインとを上部から金属製蓋で冠着し、マイ
クロストリップラインに設けられた幅広部と金属製蓋と
の接触部に誘電体基板上に形成された導波管部を設けて
気密封止したことを特徴とするものである。
ケージは、ベース部材に設けられた高周波信号用集積回
路と、導体を広げて形成された幅広部を備えたマイクロ
ストリップラインとを上部から金属製蓋で冠着し、マイ
クロストリップラインに設けられた幅広部と金属製蓋と
の接触部に誘電体基板上に形成された導波管部を設けて
気密封止したことを特徴とするものである。
【００２１】上記マイクロストリップラインの幅広部近
傍に、その幅広部に向かって傾斜状に形成された伝送モ
ード変換部が設けられるのが好ましい。
傍に、その幅広部に向かって傾斜状に形成された伝送モ
ード変換部が設けられるのが好ましい。
【００２２】上記導波管部の形状は、誘電体基板の幅と
厚みによって決定される。
厚みによって決定される。
【００２３】本発明の第２の高周波信号用集積回路パッ
ケージは、高周波信号用集積回路を実装したベース部材
と、そのベース部材上に設けられた誘電体基板と、その
誘電体基板上に設けられ、高周波信号用集積回路に電気
的に接続され、誘電体基板の幅と略同一に導体を広げて
形成された幅広部が設けられたマイクロストリップライ
ンと、そのマイクロストリップラインの幅広部及び誘電
体基板に嵌合される凹部が形成され、高周波信号用集積
回路の周囲を囲う開口部が形成されたフレーム部材と、
そのフレーム部材の開口部を塞ぎ、高周波信号用集積回
路を気密封止する蓋部材と、を有し、マイクロストリッ
プラインに設けられた幅広部とフレーム部材の凹部との
接触部に誘電体基板上に形成された導波管部を設けて気
密封止したことを特徴とするものである。
ケージは、高周波信号用集積回路を実装したベース部材
と、そのベース部材上に設けられた誘電体基板と、その
誘電体基板上に設けられ、高周波信号用集積回路に電気
的に接続され、誘電体基板の幅と略同一に導体を広げて
形成された幅広部が設けられたマイクロストリップライ
ンと、そのマイクロストリップラインの幅広部及び誘電
体基板に嵌合される凹部が形成され、高周波信号用集積
回路の周囲を囲う開口部が形成されたフレーム部材と、
そのフレーム部材の開口部を塞ぎ、高周波信号用集積回
路を気密封止する蓋部材と、を有し、マイクロストリッ
プラインに設けられた幅広部とフレーム部材の凹部との
接触部に誘電体基板上に形成された導波管部を設けて気
密封止したことを特徴とするものである。
【００２４】本発明の第３の高周波信号用集積回路パッ
ケージは、高周波信号用集積回路を実装したベース部材
と、そのベース部材に形成された凹部に嵌入される誘電
体基板と、その誘電体基板上に設けられ、高周波信号用
集積回路に電気的に接続され、誘電体基板の幅と略同一
に導体を広げて形成された幅広部が設けられたマイクロ
ストリップラインと、そのマイクロストリップラインの
幅広部上に載置され、高周波信号用集積回路の周囲を囲
う開口部が形成されたフレーム部材と、そのフレーム部
材の開口部を塞ぎ、高周波信号用集積回路を気密封止す
る蓋部材と、を有し、マイクロストリップラインに設け
られた幅広部とフレーム部材との接触部に誘電体基板上
に形成された導波管部を設けて気密封止したことを特徴
とするものである。
ケージは、高周波信号用集積回路を実装したベース部材
と、そのベース部材に形成された凹部に嵌入される誘電
体基板と、その誘電体基板上に設けられ、高周波信号用
集積回路に電気的に接続され、誘電体基板の幅と略同一
に導体を広げて形成された幅広部が設けられたマイクロ
ストリップラインと、そのマイクロストリップラインの
幅広部上に載置され、高周波信号用集積回路の周囲を囲
う開口部が形成されたフレーム部材と、そのフレーム部
材の開口部を塞ぎ、高周波信号用集積回路を気密封止す
る蓋部材と、を有し、マイクロストリップラインに設け
られた幅広部とフレーム部材との接触部に誘電体基板上
に形成された導波管部を設けて気密封止したことを特徴
とするものである。
【００２５】上記マイクロストリップラインは、フレー
ム部材より外側に延びて形成され、フレーム部材より外
側にあるマイクロストリップラインの部分は、高周波信
号の入出力インターフェース部となってもよい。
ム部材より外側に延びて形成され、フレーム部材より外
側にあるマイクロストリップラインの部分は、高周波信
号の入出力インターフェース部となってもよい。
【００２６】上記フレーム部材は、互いに所定間隔を隔
てて配置された第１枠部及び第２枠部と、第１枠部及び
第２枠部の両端部に設けられた一対の第３枠部とを有
し、第１枠部、第２枠部及び第３枠部の内側に開口部が
形成されてもよい。
てて配置された第１枠部及び第２枠部と、第１枠部及び
第２枠部の両端部に設けられた一対の第３枠部とを有
し、第１枠部、第２枠部及び第３枠部の内側に開口部が
形成されてもよい。
【００２７】本発明の第４の高周波信号用集積回路パッ
ケージは、高周波信号用集積回路を実装したベース部材
と、そのベース部材上に設けられた誘電体基板と、その
誘電体基板上に設けられ、高周波信号用集積回路に電気
的に接続され、誘電体基板の幅と略同一に導体を広げて
形成された幅広部が設けられたマイクロストリップライ
ンと、そのマイクロストリップラインの幅広部及び誘電
体基板に嵌合される凹部が形成され、高周波信号用集積
回路の周囲を囲う開口部が形成され、かつ、外端部に切
欠部が形成されたフレーム部材と、そのフレーム部材の
開口部及び切欠部を塞ぎ、高周波信号用集積回路を気密
封止する蓋部材と、を有し、マイクロストリップライン
に設けられた幅広部とフレーム部材の凹部との接触部に
誘電体基板上に形成された導波管部を設けて気密封止
し、フレーム部材の切欠部、ベース部材及び蓋部材によ
り形成される空間部は、空気を媒質とする導波管の伝送
モードに変換される高周波信号の入出力インターフェー
ス部となることを特徴とするものである。
ケージは、高周波信号用集積回路を実装したベース部材
と、そのベース部材上に設けられた誘電体基板と、その
誘電体基板上に設けられ、高周波信号用集積回路に電気
的に接続され、誘電体基板の幅と略同一に導体を広げて
形成された幅広部が設けられたマイクロストリップライ
ンと、そのマイクロストリップラインの幅広部及び誘電
体基板に嵌合される凹部が形成され、高周波信号用集積
回路の周囲を囲う開口部が形成され、かつ、外端部に切
欠部が形成されたフレーム部材と、そのフレーム部材の
開口部及び切欠部を塞ぎ、高周波信号用集積回路を気密
封止する蓋部材と、を有し、マイクロストリップライン
に設けられた幅広部とフレーム部材の凹部との接触部に
誘電体基板上に形成された導波管部を設けて気密封止
し、フレーム部材の切欠部、ベース部材及び蓋部材によ
り形成される空間部は、空気を媒質とする導波管の伝送
モードに変換される高周波信号の入出力インターフェー
ス部となることを特徴とするものである。
【００２８】上記フレーム部材は、互いに所定間隔を隔
てて配置された第１枠部及び第２枠部と、第１枠部及び
第２枠部の端部から内側の位置に設けられ、マイクロス
トリップラインの幅広部に接触する第３枠部とを有し、
第３枠部は、マイクロストリップラインの幅広部及び誘
電体基板に嵌合される凹部が形成され、かつ、マイクロ
ストリップラインの幅広部の上部に接触する接触面から
外側に向かって蓋部材側に傾斜した傾斜面を有するのが
好ましい。
てて配置された第１枠部及び第２枠部と、第１枠部及び
第２枠部の端部から内側の位置に設けられ、マイクロス
トリップラインの幅広部に接触する第３枠部とを有し、
第３枠部は、マイクロストリップラインの幅広部及び誘
電体基板に嵌合される凹部が形成され、かつ、マイクロ
ストリップラインの幅広部の上部に接触する接触面から
外側に向かって蓋部材側に傾斜した傾斜面を有するのが
好ましい。
【００２９】本発明の第５の高周波信号用集積回路パッ
ケージは、高周波信号用集積回路を実装したベース部材
と、そのベース部材上に設けられた誘電体基板と、その
誘電体基板上に設けられ、高周波信号用集積回路に電気
的に接続され、誘電体基板の幅と略同一に導体を広げて
形成された幅広部が設けられたマイクロストリップライ
ンと、高周波信号用集積回路の周囲を囲う第１の開口部
と、その第１の開口部より外側に所定間隔を隔てて第２
の開口部とが形成され、第１及び第２の開口部の間にマ
イクロストリップラインの幅広部及び誘電体基板に嵌合
される凹部が形成されたフレーム部材と、そのフレーム
部材の第１及び第２の開口部を塞ぎ、高周波信号用集積
回路を気密封止する蓋部材と、を有し、ベース部材は、
第２の開口部側にある誘電体基板と連通する第３の開口
部が形成され、マイクロストリップラインに設けられた
幅広部とフレーム部材の凹部との接触部に誘電体基板上
に形成された導波管部を設けて気密封止し、第３の開口
部は、空気を媒質とする導波管の伝送モードに変換され
る高周波信号の入出力インターフェース部となる、こと
を特徴とするものである。
ケージは、高周波信号用集積回路を実装したベース部材
と、そのベース部材上に設けられた誘電体基板と、その
誘電体基板上に設けられ、高周波信号用集積回路に電気
的に接続され、誘電体基板の幅と略同一に導体を広げて
形成された幅広部が設けられたマイクロストリップライ
ンと、高周波信号用集積回路の周囲を囲う第１の開口部
と、その第１の開口部より外側に所定間隔を隔てて第２
の開口部とが形成され、第１及び第２の開口部の間にマ
イクロストリップラインの幅広部及び誘電体基板に嵌合
される凹部が形成されたフレーム部材と、そのフレーム
部材の第１及び第２の開口部を塞ぎ、高周波信号用集積
回路を気密封止する蓋部材と、を有し、ベース部材は、
第２の開口部側にある誘電体基板と連通する第３の開口
部が形成され、マイクロストリップラインに設けられた
幅広部とフレーム部材の凹部との接触部に誘電体基板上
に形成された導波管部を設けて気密封止し、第３の開口
部は、空気を媒質とする導波管の伝送モードに変換され
る高周波信号の入出力インターフェース部となる、こと
を特徴とするものである。
【００３０】上記ベース部材の第３の開口部は、略垂直
下方向に延びて形成され、下方向に幅広に形成されるの
が好ましい。
下方向に延びて形成され、下方向に幅広に形成されるの
が好ましい。
【００３１】上記誘電体基板は、例えばアルミナのよう
に非吸湿性で低誘電損失の特性を有する材料で作られる
のが好ましい。
に非吸湿性で低誘電損失の特性を有する材料で作られる
のが好ましい。
【００３２】上記フレーム部材及び蓋部材は、例えばコ
バール、銅タングステン又は銅等の金属で作られるのが
好ましい。
バール、銅タングステン又は銅等の金属で作られるのが
好ましい。
【００３３】上記ベース部材は、例えばコバール、銅タ
ングステン又は銅等の金属で作られるのが好ましい。
ングステン又は銅等の金属で作られるのが好ましい。
【００３４】上記ベース部材は、例えばセラミック製の
多層基板で作られてもよく、その多層基板の層間に高周
波信号用集積回路と電気的に接続された電線が配線され
るのが好ましい。
多層基板で作られてもよく、その多層基板の層間に高周
波信号用集積回路と電気的に接続された電線が配線され
るのが好ましい。
【００３５】上記マイクロストリップラインには、フレ
ーム部材側の幅広部に向かって傾斜状に形成された伝送
モード変換部を備えているのが好ましい。
ーム部材側の幅広部に向かって傾斜状に形成された伝送
モード変換部を備えているのが好ましい。
【００３６】上記ベース部材とフレーム部材は、一体に
形成されてもよい。
形成されてもよい。
【００３７】上記伝送される高周波信号は、例えばミリ
波帯の信号である。
波帯の信号である。
【００３８】本発明の高周波信号用集積回路パッケージ
の製造方法は、ベース部材に高周波信号用集積回路と、
導体を広げて形成された幅広部を備えたマイクロストリ
ップラインとを設け、次いで、高周波信号用集積回路と
マイクロストリップラインの幅広部とを上部から金属製
蓋で冠着し、マイクロストリップラインに設けられた幅
広部と金属製蓋との接触部に誘電体基板上に形成された
導波管部を設けて気密封止する、ことを特徴とするもの
である。
の製造方法は、ベース部材に高周波信号用集積回路と、
導体を広げて形成された幅広部を備えたマイクロストリ
ップラインとを設け、次いで、高周波信号用集積回路と
マイクロストリップラインの幅広部とを上部から金属製
蓋で冠着し、マイクロストリップラインに設けられた幅
広部と金属製蓋との接触部に誘電体基板上に形成された
導波管部を設けて気密封止する、ことを特徴とするもの
である。
【００３９】本発明の高周波信号用集積回路パッケージ
の製造方法は又、（１）高周波信号用集積回路と、誘電
体基板と、その誘電体基板上に設けられ、高周波信号用
集積回路に電気的に接続され、誘電体基板の幅と略同一
に導体を広げて形成された幅広部が設けられたマイクロ
ストリップラインとを有するベース部材を用意する工程
と、（２）開口部が形成され、凹部が形成された枠部を
備えたフレーム部材を、枠部の凹部がマイクロストリッ
プラインの幅広部及び誘電体基板を嵌合し、かつ、開口
部が高周波信号用集積回路の周囲を囲うように配置し
て、ベース部材に接着する工程と、（３）フレーム部材
の上部に蓋部材を接着し、フレーム部材の開口部を塞い
で、高周波信号用集積回路を気密封止する工程と、を有
し、マイクロストリップラインに設けられた幅広部とフ
レーム部材の凹部との接触部に誘電体基板上に形成され
た導波管部を設けて気密封止する、ことを特徴とするも
のである。
の製造方法は又、（１）高周波信号用集積回路と、誘電
体基板と、その誘電体基板上に設けられ、高周波信号用
集積回路に電気的に接続され、誘電体基板の幅と略同一
に導体を広げて形成された幅広部が設けられたマイクロ
ストリップラインとを有するベース部材を用意する工程
と、（２）開口部が形成され、凹部が形成された枠部を
備えたフレーム部材を、枠部の凹部がマイクロストリッ
プラインの幅広部及び誘電体基板を嵌合し、かつ、開口
部が高周波信号用集積回路の周囲を囲うように配置し
て、ベース部材に接着する工程と、（３）フレーム部材
の上部に蓋部材を接着し、フレーム部材の開口部を塞い
で、高周波信号用集積回路を気密封止する工程と、を有
し、マイクロストリップラインに設けられた幅広部とフ
レーム部材の凹部との接触部に誘電体基板上に形成され
た導波管部を設けて気密封止する、ことを特徴とするも
のである。
【００４０】上記フレーム部材を、ベース部材にろう付
け又は溶接して接着し、上記蓋部材を、フレーム部材に
ろう付け又は溶接して接着する。
け又は溶接して接着し、上記蓋部材を、フレーム部材に
ろう付け又は溶接して接着する。
【００４１】上記伝送される高周波信号は、例えばミリ
波帯の信号である。
波帯の信号である。
【００４２】本発明のマイクロストリップラインー導波
管変換構造によれば、誘電体基板上に幅広部を含む導波
管部を設けることにより、高周波信号の伝送モードを誘
電体導波管の伝送モードに変換できる。
管変換構造によれば、誘電体基板上に幅広部を含む導波
管部を設けることにより、高周波信号の伝送モードを誘
電体導波管の伝送モードに変換できる。
【００４３】本発明の高周波信号用集積回路パッケージ
によれば、ベース部材に冠着される金属製蓋によって形
成される導波管部により、高周波信号の誘電体導波管の
伝送モードへの変換と高周波信号用集積回路の気密封止
とを同時に実現することができる。
によれば、ベース部材に冠着される金属製蓋によって形
成される導波管部により、高周波信号の誘電体導波管の
伝送モードへの変換と高周波信号用集積回路の気密封止
とを同時に実現することができる。
【００４４】本発明の高周波信号用集積回路パッケージ
の製造方法によれば、上記マイクロストリップラインー
導波管変換構造を備えた高周波信号用集積回路パッケー
ジをきわめて簡単な工程で得ることができる。
の製造方法によれば、上記マイクロストリップラインー
導波管変換構造を備えた高周波信号用集積回路パッケー
ジをきわめて簡単な工程で得ることができる。
【００４５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態に係る高周波信号用集積回路パッケージを示す
分解斜視図、図２は、本発明の第１の実施の形態に係る
高周波信号用集積回路パッケージを示す平面図（蓋部材
を取り除いた状態）、図３は、本発明の第１の実施の形
態に係る高周波信号用集積回路パッケージの一部を示す
斜視図である。
て図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態に係る高周波信号用集積回路パッケージを示す
分解斜視図、図２は、本発明の第１の実施の形態に係る
高周波信号用集積回路パッケージを示す平面図（蓋部材
を取り除いた状態）、図３は、本発明の第１の実施の形
態に係る高周波信号用集積回路パッケージの一部を示す
斜視図である。
【００４６】図１乃至図３に示すように、第１の実施の
形態に係る高周波信号用集積回路パッケージは、膜回路
基板１、ＭＭＩＣ２（Monolithic Microwave Integrate
d Circuit）、バイパスコンデンサ３等の高周波信号用
集積回路部品を実装したベース部材４と、そのベース部
材４上に設けられた誘電体基板５と、その誘電体基板５
上に設けられ、高周波信号用集積回路に電気的に接続さ
れたマイクロストリップライン６と、誘電体基板５に嵌
合する凹部７ｂが形成され、集積回路部品を囲う開口部
７ａが形成されたフレーム部材７と、そのフレーム部材
７の開口部７ａを塞ぐ蓋部材８と、を有する。
形態に係る高周波信号用集積回路パッケージは、膜回路
基板１、ＭＭＩＣ２（Monolithic Microwave Integrate
d Circuit）、バイパスコンデンサ３等の高周波信号用
集積回路部品を実装したベース部材４と、そのベース部
材４上に設けられた誘電体基板５と、その誘電体基板５
上に設けられ、高周波信号用集積回路に電気的に接続さ
れたマイクロストリップライン６と、誘電体基板５に嵌
合する凹部７ｂが形成され、集積回路部品を囲う開口部
７ａが形成されたフレーム部材７と、そのフレーム部材
７の開口部７ａを塞ぐ蓋部材８と、を有する。
【００４７】ベース部材４に実装されるＭＭＩＣ２等は
バイアスを供給するためにバイアス線９を介してバイア
ス端子１０（図２参照）に電気的に接続される。
バイアスを供給するためにバイアス線９を介してバイア
ス端子１０（図２参照）に電気的に接続される。
【００４８】ベース部材４は、横長の長方形板状に形成
され、例えば金属で作られる。一般にミリ波帯用の半導
体集積回路はガリウムひ素を用いた半導体材料が用いら
れるので、ガリウムひ素の線膨張係数に合わせるため、
ベース部材４は、コバール、銅タングステン等で作られ
るのが好ましい。また、放熱性を向上させるため、ベー
ス部材４は、銅等を用いて作られてもよい。
され、例えば金属で作られる。一般にミリ波帯用の半導
体集積回路はガリウムひ素を用いた半導体材料が用いら
れるので、ガリウムひ素の線膨張係数に合わせるため、
ベース部材４は、コバール、銅タングステン等で作られ
るのが好ましい。また、放熱性を向上させるため、ベー
ス部材４は、銅等を用いて作られてもよい。
【００４９】誘電体基板５は、横長の長方形板状に形成
され、例えばアルミナ等のように非吸湿性で低誘電損失
の特性を有する材料で作られるのが好ましい。
され、例えばアルミナ等のように非吸湿性で低誘電損失
の特性を有する材料で作られるのが好ましい。
【００５０】マイクロストリップライン６は、ミリ波等
の高周波信号を伝送する線路である。マイクロストリッ
プライン６は、フレーム部材７より外側に延びて形成さ
れ、フレーム部材７より外側にある部分６ａは、信号の
入出力インターフェース部となる。
の高周波信号を伝送する線路である。マイクロストリッ
プライン６は、フレーム部材７より外側に延びて形成さ
れ、フレーム部材７より外側にある部分６ａは、信号の
入出力インターフェース部となる。
【００５１】フレーム部材７は、コバール、銅タングス
テン、銅等の金属で作られるのが好ましい。また、フレ
ーム部材７は、互いに所定間隔を隔てて平行に配置され
た第１枠部７ｃ及び第２枠部７ｄと、第１枠部７ｃ及び
第２枠部７ｄの両端部に設けられた一対の第３枠部７ｅ
とを有する。そして、第１枠部７ｃ、第２枠部７ｄ及び
第３枠部７ｅの内側に長方形状の開口部７ａが形成され
る。
テン、銅等の金属で作られるのが好ましい。また、フレ
ーム部材７は、互いに所定間隔を隔てて平行に配置され
た第１枠部７ｃ及び第２枠部７ｄと、第１枠部７ｃ及び
第２枠部７ｄの両端部に設けられた一対の第３枠部７ｅ
とを有する。そして、第１枠部７ｃ、第２枠部７ｄ及び
第３枠部７ｅの内側に長方形状の開口部７ａが形成され
る。
【００５２】第３枠部７ｅの下部に形成された凹部７ｂ
が、マイクロストリップライン６に設けられ、誘電体基
板５の幅と略同一に導体を広げて形成された幅広部６ｄ
上に接触し、誘電体基板５に嵌合されると、凹部７ｂに
よって囲まれた誘電体基板５の導波管部５ａ（図３参
照）は、誘電体を媒質とする導波管の役割をし、マイク
ロストリップライン６によって伝送される高周波信号の
伝送モードを導波管の伝送モードに変換する。幅広部６
ｄは、誘電体基板５の上面全体に幅広に形成され、誘電
体基板５の周りが全てグランド面になっているので、誘
電体導波管の管壁の役割をする。
が、マイクロストリップライン６に設けられ、誘電体基
板５の幅と略同一に導体を広げて形成された幅広部６ｄ
上に接触し、誘電体基板５に嵌合されると、凹部７ｂに
よって囲まれた誘電体基板５の導波管部５ａ（図３参
照）は、誘電体を媒質とする導波管の役割をし、マイク
ロストリップライン６によって伝送される高周波信号の
伝送モードを導波管の伝送モードに変換する。幅広部６
ｄは、誘電体基板５の上面全体に幅広に形成され、誘電
体基板５の周りが全てグランド面になっているので、誘
電体導波管の管壁の役割をする。
【００５３】マイクロストリップライン６は、フレーム
部材７の外側から幅広部６ｄに向かって傾斜状に形成さ
れた第１の伝送モード変換部６ｂと、フレーム部材７の
内側から幅広部６ｄに向かって傾斜状に形成された第２
の伝送モード変換部６ｃと、を備えているのが好まし
い。このような第１の伝送モード変換部６ｂ及び第２伝
送モード変換部６ｃを備えていることにより、高周波信
号の伝送モードを滑らかに変換することができ、インピ
ーダンスの整合性を良好にすることができる。また、伝
送モード変換部６ｂ，６ｃの長さは、使用周波数の１／
２波長以上に設計するのが好ましい。
部材７の外側から幅広部６ｄに向かって傾斜状に形成さ
れた第１の伝送モード変換部６ｂと、フレーム部材７の
内側から幅広部６ｄに向かって傾斜状に形成された第２
の伝送モード変換部６ｃと、を備えているのが好まし
い。このような第１の伝送モード変換部６ｂ及び第２伝
送モード変換部６ｃを備えていることにより、高周波信
号の伝送モードを滑らかに変換することができ、インピ
ーダンスの整合性を良好にすることができる。また、伝
送モード変換部６ｂ，６ｃの長さは、使用周波数の１／
２波長以上に設計するのが好ましい。
【００５４】蓋部材８は、横長の長方形板状に形成さ
れ、コバール、銅タングステン、銅等の金属で作られる
のが好ましい。
れ、コバール、銅タングステン、銅等の金属で作られる
のが好ましい。
【００５５】図５は、本発明の高周波信号用集積回路パ
ッケージの製造方法を工程順に示す断面図である。な
お、図５（ｃ）は図３のＡ−Ａ線断面図である。
ッケージの製造方法を工程順に示す断面図である。な
お、図５（ｃ）は図３のＡ−Ａ線断面図である。
【００５６】まず、ＭＭＩＣ２等と、誘電体基板５と、
その誘電体基板５上に設けられ、ＭＭＩＣ２と電気的に
接続されたマイクロストリップライン６とが実装された
ベース部材４を用意する（図５（ａ）参照）。
その誘電体基板５上に設けられ、ＭＭＩＣ２と電気的に
接続されたマイクロストリップライン６とが実装された
ベース部材４を用意する（図５（ａ）参照）。
【００５７】次いで、マイクロストリップライン６の幅
広部６ｄ及び誘電体基板５にフレーム部材７の凹部７ｂ
を嵌合して、溶接又は銀ろう材等のろう付けにより接着
する（図５（ｂ）参照）。凹部７ｂによって囲まれた誘
電体基板５の部分は、導波管部５ａとなる。
広部６ｄ及び誘電体基板５にフレーム部材７の凹部７ｂ
を嵌合して、溶接又は銀ろう材等のろう付けにより接着
する（図５（ｂ）参照）。凹部７ｂによって囲まれた誘
電体基板５の部分は、導波管部５ａとなる。
【００５８】最後に、フレーム部材７の上部に溶接又は
銀ろう材等のろう付けにより蓋部材８を接着し、フレー
ム部材７の開口部７ａを塞ぐ（図５（ｃ）参照）。これ
によって、ベース部材４上のＭＭＩＣ２等は気密封止さ
れる。
銀ろう材等のろう付けにより蓋部材８を接着し、フレー
ム部材７の開口部７ａを塞ぐ（図５（ｃ）参照）。これ
によって、ベース部材４上のＭＭＩＣ２等は気密封止さ
れる。
【００５９】次に、本発明の高周波信号用集積回路パッ
ケージに用いられるマイクロストリップラインー導波管
変換構造の原理について説明する。
ケージに用いられるマイクロストリップラインー導波管
変換構造の原理について説明する。
【００６０】図４（ａ）はマイクロストリップライン
６、図４（ｂ）は伝送モード変換部６ｂ（６ｃ）、図４
（ｃ）は誘電体導波管部５ａの各箇所における電気力線
分布を示す断面図である。
６、図４（ｂ）は伝送モード変換部６ｂ（６ｃ）、図４
（ｃ）は誘電体導波管部５ａの各箇所における電気力線
分布を示す断面図である。
【００６１】図４（ａ）に示すような電気力線分布でマ
イクロストリップライン６を伝送するＴＥＭモードの高
周波信号の電気力線Ｌは、伝送モード変換部６ｂ（６
ｃ）においてマイクロストリップライン６の幅が広がる
ことにより図４（ｂ）に示すように広がる。さらに、電
気力線Ｌは誘電率の高い誘電体に集中するので、マイク
ロストリップライン６が広がり誘電体基板５の幅とマイ
クロストリップライン６の幅の比が１に近くなってくる
と、図４（ｃ）に示すように、誘電体基板５の縁では電
気力線Ｌが誘電体基板５内に集中する様に曲げられるた
め、導波管のＴＥ１０モードの電気力線分布に近い形状
になり、導波管部５ａにおいてＴＥＭモードからＴＥ１
０モードに変換される。
イクロストリップライン６を伝送するＴＥＭモードの高
周波信号の電気力線Ｌは、伝送モード変換部６ｂ（６
ｃ）においてマイクロストリップライン６の幅が広がる
ことにより図４（ｂ）に示すように広がる。さらに、電
気力線Ｌは誘電率の高い誘電体に集中するので、マイク
ロストリップライン６が広がり誘電体基板５の幅とマイ
クロストリップライン６の幅の比が１に近くなってくる
と、図４（ｃ）に示すように、誘電体基板５の縁では電
気力線Ｌが誘電体基板５内に集中する様に曲げられるた
め、導波管のＴＥ１０モードの電気力線分布に近い形状
になり、導波管部５ａにおいてＴＥＭモードからＴＥ１
０モードに変換される。
【００６２】次に、第１の実施の形態に係る高周波信号
用集積回路パッケージの動作について説明する。
用集積回路パッケージの動作について説明する。
【００６３】高周波信号はパッケージ内部では、フレー
ム部材７よりも内側に位置するマイクロストリップライ
ン６を伝送している。
ム部材７よりも内側に位置するマイクロストリップライ
ン６を伝送している。
【００６４】高周波信号はフレーム部材７の内側に位置
するマイクロストリップライン６から第２の伝送モード
変換部６ｃを介して、導波管部５ａに伝送される。この
導波管部５ａで、マイクロストリップライン６の伝送モ
ードであるＴＥＭモードから導波管の伝送モードＴＥ１
０モードに変換される。
するマイクロストリップライン６から第２の伝送モード
変換部６ｃを介して、導波管部５ａに伝送される。この
導波管部５ａで、マイクロストリップライン６の伝送モ
ードであるＴＥＭモードから導波管の伝送モードＴＥ１
０モードに変換される。
【００６５】導波管部５ａに伝送された高周波信号は、
第１の伝送モード変換部６ｂによって、ＴＥ１０モード
からＴＥＭモードに変換され、外部との入出力インター
フェイス部６ａに伝送される。
第１の伝送モード変換部６ｂによって、ＴＥ１０モード
からＴＥＭモードに変換され、外部との入出力インター
フェイス部６ａに伝送される。
【００６６】また、逆に、外部からマイクロストリップ
ライン６に伝送された高周波信号は、第１の伝送モード
変換部６ｂを介して、導波管部５ａでＴＥＭモードから
ＴＥ１０モードに変換される。
ライン６に伝送された高周波信号は、第１の伝送モード
変換部６ｂを介して、導波管部５ａでＴＥＭモードから
ＴＥ１０モードに変換される。
【００６７】導波管部５ａに伝送された高周波信号は、
第２の伝送モード変換部６ｃによって、ＴＥ１０モード
からＴＥＭモードに変換され、フレーム部材７の内側に
位置するマイクロストリップライン６に伝送される。
第２の伝送モード変換部６ｃによって、ＴＥ１０モード
からＴＥＭモードに変換され、フレーム部材７の内側に
位置するマイクロストリップライン６に伝送される。
【００６８】第１の実施の形態によれば、フレーム部材
７と蓋部材８によりベース部材４に実装された高周波信
号用集積回路の気密封止を実現することができるので、
構造が簡単であり、製造コストを低減できる。
７と蓋部材８によりベース部材４に実装された高周波信
号用集積回路の気密封止を実現することができるので、
構造が簡単であり、製造コストを低減できる。
【００６９】また、誘電体基板５をフレーム部材７の凹
部７ｂで囲むことによって形成された導波管部５ａが、
誘電体を充填した導波管の役割をするので、インピーダ
ンスの整合性が良好になり、従来に比べて伝送の通過損
失を大幅に減少できる。その結果、信頼性の高い高周波
信号用集積回路パッケージを提供できる。
部７ｂで囲むことによって形成された導波管部５ａが、
誘電体を充填した導波管の役割をするので、インピーダ
ンスの整合性が良好になり、従来に比べて伝送の通過損
失を大幅に減少できる。その結果、信頼性の高い高周波
信号用集積回路パッケージを提供できる。
【００７０】さらに、従来のようにマイクロストリップ
ラインをアンテナ状にして伝送モードの変換を行う構造
ではないので、広帯域の周波数に対応することができ
る。その結果、用途を広げることができる。
ラインをアンテナ状にして伝送モードの変換を行う構造
ではないので、広帯域の周波数に対応することができ
る。その結果、用途を広げることができる。
【００７１】図６は、本発明の高周波信号用集積回路パ
ッケージを用いた場合の通過損失をシミュレーションし
たグラフである。図６から、本発明の高周波信号用集積
回路パッケージでは、周波数が高くなっても、通過損失
が増大しないことがわかる。従って、本発明の高周波信
号用集積回路パッケージは、６０ＧＨｚ以上のミリ波帯
の半導体集積回路におけるパッケージの信頼性を向上さ
せる。
ッケージを用いた場合の通過損失をシミュレーションし
たグラフである。図６から、本発明の高周波信号用集積
回路パッケージでは、周波数が高くなっても、通過損失
が増大しないことがわかる。従って、本発明の高周波信
号用集積回路パッケージは、６０ＧＨｚ以上のミリ波帯
の半導体集積回路におけるパッケージの信頼性を向上さ
せる。
【００７２】図７（ａ）は本発明の第２の実施の形態に
係る高周波信号用集積回路パッケージの一部を示す斜視
図、（ｂ）は、図７（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
係る高周波信号用集積回路パッケージの一部を示す斜視
図、（ｂ）は、図７（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【００７３】図７に示すように、第２の実施の形態は、
基本的には第１の実施の形態と同様であるが、ベース部
材４に凹部４ａに形成され、その凹部４ａに誘電体基板
５が嵌入される点を特徴とするものである。
基本的には第１の実施の形態と同様であるが、ベース部
材４に凹部４ａに形成され、その凹部４ａに誘電体基板
５が嵌入される点を特徴とするものである。
【００７４】第２の実施の形態によれば、フレーム部材
７に誘電体基板５に嵌合する凹部７ｂを形成する必要が
ないので、フレーム部材７の設計が容易になるととも
に、フレーム部材７とベース部材４との接着が容易にな
る。
７に誘電体基板５に嵌合する凹部７ｂを形成する必要が
ないので、フレーム部材７の設計が容易になるととも
に、フレーム部材７とベース部材４との接着が容易にな
る。
【００７５】図８は、本発明の第３の実施の形態に係る
高周波信号用集積回路パッケージを示す分解斜視図、図
９は、本発明の第３の実施の形態に係る高周波信号用集
積回路パッケージ（蓋部材を取り除いた状態）を示す平
面図、図１０（ａ）は図９のＣ−Ｃ線断面図、（ｂ）は
図９のＤ−Ｄ線断面図である。
高周波信号用集積回路パッケージを示す分解斜視図、図
９は、本発明の第３の実施の形態に係る高周波信号用集
積回路パッケージ（蓋部材を取り除いた状態）を示す平
面図、図１０（ａ）は図９のＣ−Ｃ線断面図、（ｂ）は
図９のＤ−Ｄ線断面図である。
【００７６】図８乃至図１０に示すように、第３の実施
の形態に係る高周波信号用集積回路パッケージは、膜回
路基板１、ＭＭＩＣ２、バイパスコンデンサ３等の集積
回路部品を実装したベース部材１４と、そのベース部材
１４上に設けられた誘電体基板１５と、その誘電体基板
１５上に設けられ、高周波信号用集積回路に電気的に接
続されたマイクロストリップライン１６と、高周波信号
用集積回路を囲う開口部１７ａが形成され、かつ、端部
に切欠部１７ｂが形成されたフレーム部材１７と、その
フレーム部材１７の開口部１７ａ及び切欠部１７ｂを塞
ぐ蓋部材１８と、を有する。
の形態に係る高周波信号用集積回路パッケージは、膜回
路基板１、ＭＭＩＣ２、バイパスコンデンサ３等の集積
回路部品を実装したベース部材１４と、そのベース部材
１４上に設けられた誘電体基板１５と、その誘電体基板
１５上に設けられ、高周波信号用集積回路に電気的に接
続されたマイクロストリップライン１６と、高周波信号
用集積回路を囲う開口部１７ａが形成され、かつ、端部
に切欠部１７ｂが形成されたフレーム部材１７と、その
フレーム部材１７の開口部１７ａ及び切欠部１７ｂを塞
ぐ蓋部材１８と、を有する。
【００７７】フレーム部材１７は、互いに所定間隔を隔
てて配置された第１枠部１７ｃ及び第２枠部１７ｄと、
第１枠部１７ｃ及び第２枠部１７ｄの端部から内側の位
置に設けられた第３枠部１７ｅとを有する。図１０
（ａ）及び（ｂ）に示すように、第３枠部１７ｅの下部
には、誘電体基板１５の上面全体に幅広に形成された幅
広部１６ｄに嵌合される凹部１７ｆが形成される。この
凹部１７ｆによって囲まれた誘電体基板１５の導波管部
１５ａは、誘電体を媒質とする導波管の役割をし、マイ
クロストリップライン１６によって伝送される高周波信
号の伝送モードを誘電体導波管の伝送モードに変換す
る。
てて配置された第１枠部１７ｃ及び第２枠部１７ｄと、
第１枠部１７ｃ及び第２枠部１７ｄの端部から内側の位
置に設けられた第３枠部１７ｅとを有する。図１０
（ａ）及び（ｂ）に示すように、第３枠部１７ｅの下部
には、誘電体基板１５の上面全体に幅広に形成された幅
広部１６ｄに嵌合される凹部１７ｆが形成される。この
凹部１７ｆによって囲まれた誘電体基板１５の導波管部
１５ａは、誘電体を媒質とする導波管の役割をし、マイ
クロストリップライン１６によって伝送される高周波信
号の伝送モードを誘電体導波管の伝送モードに変換す
る。
【００７８】また、図１０（ａ）に示すように、第３枠
部１７ｅは、凹部１７ｆの接触面から外側に向かって上
方に傾斜した傾斜面１７ｇを有する。これは、高周波信
号の伝送モードを滑らかに変換でき、インピーダンスの
整合性を良好にするためである。
部１７ｅは、凹部１７ｆの接触面から外側に向かって上
方に傾斜した傾斜面１７ｇを有する。これは、高周波信
号の伝送モードを滑らかに変換でき、インピーダンスの
整合性を良好にするためである。
【００７９】第３の実施の形態によれば、フレーム部材
１７の切欠部１７ｂ、ベース部材１４及び蓋部材１８に
より形成される空間部１９は、空気を媒質とする導波管
としての役割を有し、信号の入出力インターフェース部
となる。
１７の切欠部１７ｂ、ベース部材１４及び蓋部材１８に
より形成される空間部１９は、空気を媒質とする導波管
としての役割を有し、信号の入出力インターフェース部
となる。
【００８０】なお、ベース部材１４、フレーム部材１７
及び蓋部材１８は、コバール、銅タングステン、銅等の
金属で作られるのが好ましい。誘電体基板１５は、例え
ばアルミナ等のように非吸湿性で低誘電損失の特性を有
する材料で作られるのが好ましい。
及び蓋部材１８は、コバール、銅タングステン、銅等の
金属で作られるのが好ましい。誘電体基板１５は、例え
ばアルミナ等のように非吸湿性で低誘電損失の特性を有
する材料で作られるのが好ましい。
【００８１】また、マイクロストリップライン１６は、
フレーム部材１７の内側からフレーム部材１７側の幅広
部１６ｄに向かって傾斜して形成された伝送モード変換
部１６ａを備えているので、高周波信号の伝送モードを
滑らかに変換することができる。
フレーム部材１７の内側からフレーム部材１７側の幅広
部１６ｄに向かって傾斜して形成された伝送モード変換
部１６ａを備えているので、高周波信号の伝送モードを
滑らかに変換することができる。
【００８２】次に、第３の実施の形態に係る高周波信号
用集積回路パッケージの動作について説明する。
用集積回路パッケージの動作について説明する。
【００８３】高周波信号はパッケージ内部では、フレー
ム部材１７よりも内側に位置するマイクロストリップラ
イン１６を伝送している。
ム部材１７よりも内側に位置するマイクロストリップラ
イン１６を伝送している。
【００８４】高周波信号はフレーム部材１７の内側に位
置するマイクロストリップライン１６から伝送モード変
換部１６ａを介して、導波管部１５ａで、マイクロスト
リップライン１６の伝送モードであるＴＥＭモードから
導波管の伝送モードＴＥ１０モードに変換される。
置するマイクロストリップライン１６から伝送モード変
換部１６ａを介して、導波管部１５ａで、マイクロスト
リップライン１６の伝送モードであるＴＥＭモードから
導波管の伝送モードＴＥ１０モードに変換される。
【００８５】次に、導波管部１５ａに伝送された高周波
信号は、信号の入出力インターフェース部となる空間部
１９に伝送される。
信号は、信号の入出力インターフェース部となる空間部
１９に伝送される。
【００８６】また、逆に、外部から空間部１９に伝送さ
れた高周波信号は、導波管部１５ａによってＴＥＭモー
ドからＴＥ１０モードに変換された後、伝送モード変換
部１６ａによって、ＴＥ１０モードからＴＥＭモードに
変換され、フレーム部材１７の内側に位置するマイクロ
ストリップライン１６に伝送される。
れた高周波信号は、導波管部１５ａによってＴＥＭモー
ドからＴＥ１０モードに変換された後、伝送モード変換
部１６ａによって、ＴＥ１０モードからＴＥＭモードに
変換され、フレーム部材１７の内側に位置するマイクロ
ストリップライン１６に伝送される。
【００８７】第３の実施の形態によれば、フレーム部材
１７と蓋部材１８によりベース部材１４に実装された高
周波信号用集積回路の気密封止を実現することができ
る。
１７と蓋部材１８によりベース部材１４に実装された高
周波信号用集積回路の気密封止を実現することができ
る。
【００８８】また、フレーム部材１７の切欠部１７ｂ、
ベース部材１４及び蓋部材１８により形成される空間部
１９が、空気を媒質とする導波管としての役割を有し、
信号の入出力インターフェース部となるので、インピー
ダンスの整合性が良好になり、従来に比べて伝送の通過
損失を大幅に減少できる。
ベース部材１４及び蓋部材１８により形成される空間部
１９が、空気を媒質とする導波管としての役割を有し、
信号の入出力インターフェース部となるので、インピー
ダンスの整合性が良好になり、従来に比べて伝送の通過
損失を大幅に減少できる。
【００８９】図１１は、本発明の第４の実施の形態に係
る高周波信号用集積回路パッケージ（蓋部材を取り除い
た状態）を示す平面図、図１２（ａ）は図１１のＥ−Ｅ
線断面図、（ｂ）は図１１のＦ−Ｆ線断面図である。
る高周波信号用集積回路パッケージ（蓋部材を取り除い
た状態）を示す平面図、図１２（ａ）は図１１のＥ−Ｅ
線断面図、（ｂ）は図１１のＦ−Ｆ線断面図である。
【００９０】図１１及び図１２に示すように、第４の実
施の形態に係る高周波信号用集積回路パッケージは、膜
回路基板１、ＭＭＩＣ２、バイパスコンデンサ３等の集
積回路部品を実装したベース部材２４と、そのベース部
材２４上に設けられた誘電体基板２５と、その誘電体基
板２５上に設けられ、高周波信号用集積回路に電気的に
接続されたマイクロストリップライン２６と、高周波信
号用集積回路を囲う第１の開口部２７ａと、その第１の
開口部２７ａより外側に所定間隔を隔てて第２の開口部
２７ｂとが形成されたフレーム部材２７と、そのフレー
ム部材２７の第１及び第２の開口部２７ａ，２７ｂを塞
ぐ蓋部材２８（図１２参照）と、を有する。
施の形態に係る高周波信号用集積回路パッケージは、膜
回路基板１、ＭＭＩＣ２、バイパスコンデンサ３等の集
積回路部品を実装したベース部材２４と、そのベース部
材２４上に設けられた誘電体基板２５と、その誘電体基
板２５上に設けられ、高周波信号用集積回路に電気的に
接続されたマイクロストリップライン２６と、高周波信
号用集積回路を囲う第１の開口部２７ａと、その第１の
開口部２７ａより外側に所定間隔を隔てて第２の開口部
２７ｂとが形成されたフレーム部材２７と、そのフレー
ム部材２７の第１及び第２の開口部２７ａ，２７ｂを塞
ぐ蓋部材２８（図１２参照）と、を有する。
【００９１】フレーム部材２７は、互いに所定間隔を隔
てて配置された第１枠部２７ｃ及び第２枠部２７ｄと、
第１及び第２の開口部２７ａ、２７ｂの間に設けられた
第３枠部２７ｅとを有する。図１２（ａ）及び（ｂ）に
示すように、第３枠部２７ｅの下部には、誘電体基板１
５の上面全体に幅広に形成された幅広部２６ｄに嵌合さ
れる凹部２７ｆが形成される。この凹部２７ｆによって
囲まれた誘電体基板２５の導波管部２５ａは、誘電体を
媒質とする導波管の役割をし、マイクロストリップライ
ン２６によって伝送される高周波信号の伝送モードを誘
電体導波管の伝送モードに変換する。
てて配置された第１枠部２７ｃ及び第２枠部２７ｄと、
第１及び第２の開口部２７ａ、２７ｂの間に設けられた
第３枠部２７ｅとを有する。図１２（ａ）及び（ｂ）に
示すように、第３枠部２７ｅの下部には、誘電体基板１
５の上面全体に幅広に形成された幅広部２６ｄに嵌合さ
れる凹部２７ｆが形成される。この凹部２７ｆによって
囲まれた誘電体基板２５の導波管部２５ａは、誘電体を
媒質とする導波管の役割をし、マイクロストリップライ
ン２６によって伝送される高周波信号の伝送モードを誘
電体導波管の伝送モードに変換する。
【００９２】また、図１２（ａ）に示すように、ベース
部材２４は、第２の開口部２７ｂ側にある誘電体基板２
５の端部と連通し、信号の入出力インターフェース部と
なる第３の開口部２４ａが形成される。この第３の開口
部２４ａは、略垂直下方向に延びて形成され、下方向に
幅広に形成されるのが好ましい。これは、高周波信号の
伝送モードを滑らかに変換でき、インピーダンスの整合
性を良好にするためである。
部材２４は、第２の開口部２７ｂ側にある誘電体基板２
５の端部と連通し、信号の入出力インターフェース部と
なる第３の開口部２４ａが形成される。この第３の開口
部２４ａは、略垂直下方向に延びて形成され、下方向に
幅広に形成されるのが好ましい。これは、高周波信号の
伝送モードを滑らかに変換でき、インピーダンスの整合
性を良好にするためである。
【００９３】なお、ベース部材２４、フレーム部材２７
及び蓋部材２８は、コバール、銅タングステン、銅等の
金属で作られるのが好ましい。誘電体基板２５は、例え
ばアルミナ等のように非吸湿性で低誘電損失の特性を有
する材料で作られるのが好ましい。
及び蓋部材２８は、コバール、銅タングステン、銅等の
金属で作られるのが好ましい。誘電体基板２５は、例え
ばアルミナ等のように非吸湿性で低誘電損失の特性を有
する材料で作られるのが好ましい。
【００９４】また、マイクロストリップライン２６は、
フレーム部材２７の内側からフレーム部材２７側の幅広
部２６ｄに向かって傾斜して形成された伝送モード変換
部２６ａを備えているので、高周波信号の伝送モードを
滑らかに変換することができる。
フレーム部材２７の内側からフレーム部材２７側の幅広
部２６ｄに向かって傾斜して形成された伝送モード変換
部２６ａを備えているので、高周波信号の伝送モードを
滑らかに変換することができる。
【００９５】第４の実施の形態によればベース部材２４
に形成された第３の開口部２４ａにより垂直方向へのイ
ンターフェースが可能になる。
に形成された第３の開口部２４ａにより垂直方向へのイ
ンターフェースが可能になる。
【００９６】図１３は、本発明の第５の実施の形態に係
る高周波信号用集積回路パッケージを示す平面図（蓋部
材を取り除いた状態）、図１４（ａ）は、図１３のＧ−
Ｇ線断面図、（ｂ）は図１３のＨ−Ｈ線断面図である。
る高周波信号用集積回路パッケージを示す平面図（蓋部
材を取り除いた状態）、図１４（ａ）は、図１３のＧ−
Ｇ線断面図、（ｂ）は図１３のＨ−Ｈ線断面図である。
【００９７】第１乃至第４の実施の形態では、ベース部
材として金属製の基板が用いられているが、第５の実施
の形態におけるベース部材３０は、セラミック製の多層
基板が用いられる。
材として金属製の基板が用いられているが、第５の実施
の形態におけるベース部材３０は、セラミック製の多層
基板が用いられる。
【００９８】第５の実施の形態によれば、図１４（ｂ）
に示すように、ＭＭＩＣ２等のバイアス線９がビアホー
ル３１を介してベース部材３０の層間に接続される。従
って、第１乃至第４の実施の形態に比べ、バイアス線９
の配線等が容易となり、マルチチップモジュール化に適
した構造となる。なお、図１４では、ベース部材３０は
２層になっているが、３層以上に構成してもよい。
に示すように、ＭＭＩＣ２等のバイアス線９がビアホー
ル３１を介してベース部材３０の層間に接続される。従
って、第１乃至第４の実施の形態に比べ、バイアス線９
の配線等が容易となり、マルチチップモジュール化に適
した構造となる。なお、図１４では、ベース部材３０は
２層になっているが、３層以上に構成してもよい。
【００９９】本発明は、上記実施の形態に限定されるこ
とはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範
囲内において、種々の変更が可能である。例えば、ベー
ス部材とフレーム部材とを一体に形成してもよい。ま
た、フレーム部材と蓋部材とを一体に形成した金属製蓋
を用いてもよい。
とはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範
囲内において、種々の変更が可能である。例えば、ベー
ス部材とフレーム部材とを一体に形成してもよい。ま
た、フレーム部材と蓋部材とを一体に形成した金属製蓋
を用いてもよい。
【０１００】本発明は、例えば、無線ＬＡＮやミリ波レ
ーダー等の用途に用いられる。
ーダー等の用途に用いられる。
【０１０１】
【実施例】本発明の高周波信号用集積回路パッケージ
は、使用目的、使用条件、機構的制限等により種々のサ
イズに設計されるが、７０ＧＨｚ乃至９０ＧＨｚの高周
波用に用いる場合には、例えば、第１の実施の形態にお
いて以下のようなサイズに設計される。
は、使用目的、使用条件、機構的制限等により種々のサ
イズに設計されるが、７０ＧＨｚ乃至９０ＧＨｚの高周
波用に用いる場合には、例えば、第１の実施の形態にお
いて以下のようなサイズに設計される。
【０１０２】ベース部材４は、横１８．５ｍｍ、縦６ｍ
ｍ、高さ２ｍｍである。誘電体基板５は、横４ｍｍ、縦
１ｍｍ，高さ０．２５４ｍｍである。フレーム部材７の
凹部７ｂは幅１ｍｍ、高さ０．２５４ｍｍである。フレ
ーム部材７の開口部７ａは、横１３．７ｍｍ、縦２ｍｍ
である。フレーム部材７の第３枠部７ｅの幅は、１ｍｍ
である。蓋部材１８は、横１５．７ｍｍ、縦６ｍｍ、高
さ１ｍｍである。
ｍ、高さ２ｍｍである。誘電体基板５は、横４ｍｍ、縦
１ｍｍ，高さ０．２５４ｍｍである。フレーム部材７の
凹部７ｂは幅１ｍｍ、高さ０．２５４ｍｍである。フレ
ーム部材７の開口部７ａは、横１３．７ｍｍ、縦２ｍｍ
である。フレーム部材７の第３枠部７ｅの幅は、１ｍｍ
である。蓋部材１８は、横１５．７ｍｍ、縦６ｍｍ、高
さ１ｍｍである。
【０１０３】
【発明の効果】本発明のマイクロストリップラインー導
波管変換構造によれば、誘電体基板上に幅広部を含む導
波管部を設けることにより、高周波信号の伝送モードを
誘電体導波管の伝送モードに変換できるので、従来に比
べて構造がきわめて簡単であり、製造コストを低減でき
る。
波管変換構造によれば、誘電体基板上に幅広部を含む導
波管部を設けることにより、高周波信号の伝送モードを
誘電体導波管の伝送モードに変換できるので、従来に比
べて構造がきわめて簡単であり、製造コストを低減でき
る。
【０１０４】また、従来のようにマイクロストリップラ
インを導波管内にアンテナ状に突出して伝送モードの変
換を行う構造ではなく、直線的に変換できるので、イン
ピーダンスの整合性が良好であり、伝送の通過損失を大
幅に減少できる。その結果、信頼性の高い変換構造を提
供できる。
インを導波管内にアンテナ状に突出して伝送モードの変
換を行う構造ではなく、直線的に変換できるので、イン
ピーダンスの整合性が良好であり、伝送の通過損失を大
幅に減少できる。その結果、信頼性の高い変換構造を提
供できる。
【０１０５】さらに、広帯域の周波数に対応することが
できるので、さまざまな用途に適用することができる。
できるので、さまざまな用途に適用することができる。
【０１０６】本発明の高周波信号用集積回路パッケージ
によれば、ベース部材に冠着される金属製蓋によって形
成される導波管部により、高周波信号の誘電体導波管の
伝送モードへの変換と高周波信号用集積回路の気密封止
とを同時に実現することができる。
によれば、ベース部材に冠着される金属製蓋によって形
成される導波管部により、高周波信号の誘電体導波管の
伝送モードへの変換と高周波信号用集積回路の気密封止
とを同時に実現することができる。
【０１０７】本発明の高周波信号用集積回路パッケージ
の製造方法によれば、上記マイクロストリップラインー
導波管変換構造を備えた高周波信号用集積回路パッケー
ジをきわめて簡単な工程で得ることができる。その結
果、生産性が向上する。
の製造方法によれば、上記マイクロストリップラインー
導波管変換構造を備えた高周波信号用集積回路パッケー
ジをきわめて簡単な工程で得ることができる。その結
果、生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る高周波信号用
集積回路パッケージを示す分解斜視図である。
集積回路パッケージを示す分解斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る高周波信号用
集積回路パッケージを示す平面図（蓋部材を取り除いた
状態）である。
集積回路パッケージを示す平面図（蓋部材を取り除いた
状態）である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る高周波信号用
集積回路パッケージの一部を示す斜視図である。
集積回路パッケージの一部を示す斜視図である。
【図４】（ａ）はマイクロストリップライン、（ｂ）は
伝送モード変換部、（ｃ）は誘電体導波管部の各箇所に
おける電気力線分布を示す断面図である。
伝送モード変換部、（ｃ）は誘電体導波管部の各箇所に
おける電気力線分布を示す断面図である。
【図５】本発明の製造方法を工程順に示す断面図であ
る。（ｃ）は図３のＡ−Ａ線断面図である。
る。（ｃ）は図３のＡ−Ａ線断面図である。
【図６】本発明の高周波信号用集積回路パッケージを用
いた場合の通過損失をシミュレーションしたグラフであ
る。
いた場合の通過損失をシミュレーションしたグラフであ
る。
【図７】（ａ）は本発明の第２の実施の形態に係る高周
波信号用集積回路パッケージの一部を示す斜視図、
（ｂ）は、図７（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
波信号用集積回路パッケージの一部を示す斜視図、
（ｂ）は、図７（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る高周波信号用
集積回路パッケージを示す分解斜視図である。
集積回路パッケージを示す分解斜視図である。
【図９】本発明の第３の実施の形態に係る高周波信号用
集積回路パッケージを示す平面図（蓋部材を取り除いた
状態）である。
集積回路パッケージを示す平面図（蓋部材を取り除いた
状態）である。
【図１０】（ａ）は図９のＣ−Ｃ線断面図、（ｂ）は図
９のＤ−Ｄ線断面図である。
９のＤ−Ｄ線断面図である。
【図１１】本発明の第４の実施の形態に係る高周波信号
用集積回路パッケージを示す平面図（蓋部材を取り除い
た状態）である。
用集積回路パッケージを示す平面図（蓋部材を取り除い
た状態）である。
【図１２】（ａ）は図１１のＥ−Ｅ線断面図、（ｂ）は
図１１のＦ−Ｆ線断面図である。
図１１のＦ−Ｆ線断面図である。
【図１３】本発明の第５の実施の形態に係る高周波信号
用集積回路パッケージを示す平面図（蓋部材を取り除い
た状態）である。
用集積回路パッケージを示す平面図（蓋部材を取り除い
た状態）である。
【図１４】（ａ）は、図１３のＧ−Ｇ線断面図、（ｂ）
は図１３のＨ−Ｈ線断面図である。
は図１３のＨ−Ｈ線断面図である。
【図１５】（ａ）は、従来例１の高周波信号用集積回路
パッケージの高周波インターフェイス部分の構造を示す
平面断面図、（ｂ）は、図１５（ａ）のＩ−Ｉ線断面図
である。
パッケージの高周波インターフェイス部分の構造を示す
平面断面図、（ｂ）は、図１５（ａ）のＩ−Ｉ線断面図
である。
【図１６】従来例２のＭＩＣ用パッケージを示す断面図
である。
である。
【図１７】従来の高周波信号用集積回路パッケージを用
いた場合の通過損失をシミュレーションしたグラフであ
る。
いた場合の通過損失をシミュレーションしたグラフであ
る。
１：膜回路基板 ２：ＭＭＩＣ ３：バイパスコンデンサ ４：ベース部材 ４ａ：凹部 ５：誘電体基板 ５ａ：導波管部 ６：マイクロストリップライン ６ａ：入出力インターフェース部 ６ｂ：第１の伝送モード変換部 ６ｃ：第２の伝送モード変換部 ６ｄ：幅広部 ７：フレーム部材 ７ａ：開口部 ７ｂ：凹部 ７ｃ：第１枠部 ７ｄ：第２枠部 ７ｅ：第３枠部 ８：蓋部材 ９：バイアス線 １０：バイアス端子 １４：ベース部材 １５：誘電体基板 １５ａ：導波管部 １６：マイクロストリップライン １７ａ：開口部 １７ｂ：切欠部 １７ｃ：第１枠部 １７ｄ：第２枠部 １７ｅ：第３枠部 １７ｆ：接触面 １７ｇ：傾斜面 １８：蓋部材 １９：空間部 ２４：ベース部材 ２４ａ：第３の開口部 ２５：誘電体基板 ２５ａ：導波管部 ２６：マイクロストリップライン ２７：フレーム部材 ２７ａ：第１の開口部 ２７ｂ：第２の開口部 ２８：蓋部材 ３０：ベース部材
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年７月１３日（１９９８．７．１
３）
３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】マイクロストリップラインー導波管変換
構造、高周波信号用集積回路パッケージ及びその製造方
法
構造、高周波信号用集積回路パッケージ及びその製造方
法
Claims (34)
- 【請求項１】誘電体基板と、その誘電体基板上に設けら
れ、導体を広げて形成された幅広部を備えたマイクロス
トリップラインとを有し、前記誘電体基板上に前記幅広
部を含む導波管部を設けることを特徴とするマイクロス
トリップラインー導波管変換構造。 - 【請求項２】前記マイクロストリップラインの幅広部近
傍に、その幅広部に向かって傾斜状に形成された伝送モ
ード変換部が設けられる、ことを特徴とする請求項１に
記載のマイクロストリップラインー導波管変換構造。 - 【請求項３】伝送される高周波信号は、ミリ波帯の信号
であることを特徴とする請求項１又は２に記載のマイク
ロストリップラインー導波管変換構造。 - 【請求項４】ベース部材に設けられた高周波信号用集積
回路と、導体を広げて形成された幅広部を備えたマイク
ロストリップラインとを上部から金属製蓋で冠着し、前
記マイクロストリップラインに設けられた幅広部と前記
金属製蓋との接触部に誘電体基板上に形成された導波管
部を設けて気密封止したことを特徴とする高周波信号用
集積回路パッケージ。 - 【請求項５】前記マイクロストリップラインの幅広部近
傍に、その幅広部に向かって傾斜状に形成された伝送モ
ード変換部が設けられる、ことを特徴とする請求項４に
記載の高周波信号用集積回路パッケージ。 - 【請求項６】前記導波管部の形状は、前記誘電体基板の
幅と厚みによって決定されることを特徴とする請求項４
又は５に記載の高周波信号用集積回路パッケージ。 - 【請求項７】高周波信号用集積回路を実装したベース部
材と、 そのベース部材上に設けられた誘電体基板と、 その誘電体基板上に設けられ、前記高周波信号用集積回
路に電気的に接続され、前記誘電体基板の幅と略同一に
導体を広げて形成された幅広部が設けられたマイクロス
トリップラインと、 そのマイクロストリップラインの幅広部及び前記誘電体
基板に嵌合される凹部が形成され、前記高周波信号用集
積回路の周囲を囲う開口部が形成されたフレーム部材
と、 そのフレーム部材の開口部を塞ぎ、前記高周波信号用集
積回路を気密封止する蓋部材と、を有し、 前記マイクロストリップラインに設けられた幅広部と前
記フレーム部材の凹部との接触部に前記誘電体基板上に
形成された導波管部を設けて気密封止したことを特徴と
する高周波信号用集積回路パッケージ。 - 【請求項８】高周波信号用集積回路を実装したベース部
材と、 そのベース部材に形成された凹部に嵌入される誘電体基
板と、 その誘電体基板上に設けられ、前記高周波信号用集積回
路に電気的に接続され、前記誘電体基板の幅と略同一に
導体を広げて形成された幅広部が設けられたマイクロス
トリップラインと、 そのマイクロストリップラインの幅広部上に載置され、
前記高周波信号用集積回路の周囲を囲う開口部が形成さ
れたフレーム部材と、 そのフレーム部材の開口部を塞ぎ、前記高周波信号用集
積回路を気密封止する蓋部材と、を有し、 前記マイクロストリップラインに設けられた幅広部と前
記フレーム部材との接触部に前記誘電体基板上に形成さ
れた導波管部を設けて気密封止したことを特徴とする高
周波信号用集積回路パッケージ。 - 【請求項９】前記マイクロストリップラインは、前記フ
レーム部材より外側に延びて形成され、前記フレーム部
材より外側にあるマイクロストリップラインの部分は、
高周波信号の入出力インターフェース部となる、ことを
特徴とする請求項７又は８に記載の高周波信号用集積回
路パッケージ。 - 【請求項１０】前記フレーム部材は、互いに所定間隔を
隔てて配置された第１枠部及び第２枠部と、第１枠部及
び第２枠部の両端部に設けられた一対の第３枠部とを有
し、前記第１枠部、第２枠部及び第３枠部の内側に前記
開口部が形成される、ことを特徴とする請求項７乃至９
のいずれか１つの項に記載の高周波信号用集積回路パッ
ケージ。 - 【請求項１１】高周波信号用集積回路を実装したベース
部材と、 そのベース部材上に設けられた誘電体基板と、 その誘電体基板上に設けられ、前記高周波信号用集積回
路に電気的に接続され、前記誘電体基板の幅と略同一に
導体を広げて形成された幅広部が設けられたマイクロス
トリップラインとそのマイクロストリップラインの幅広
部及び前記誘電体基板に嵌合される凹部が形成され、前
記高周波信号用集積回路の周囲を囲う開口部が形成さ
れ、かつ、外端部に切欠部が形成されたフレーム部材
と、 そのフレーム部材の開口部及び切欠部を塞ぎ、前記高周
波信号用集積回路を気密封止する蓋部材と、を有し、 前記マイクロストリップラインに設けられた幅広部と前
記フレーム部材の凹部との接触部に前記誘電体基板上に
形成された導波管部を設けて気密封止し、 前記フレーム部材の切欠部、ベース部材及び蓋部材によ
り形成される空間部は、空気を媒質とする導波管の伝送
モードに変換される高周波信号の入出力インターフェー
ス部となる、ことを特徴とする高周波信号用集積回路パ
ッケージ。 - 【請求項１２】前記フレーム部材は、互いに所定間隔を
隔てて配置された第１枠部及び第２枠部と、第１枠部及
び第２枠部の端部から内側の位置に設けられ、前記マイ
クロストリップラインの幅広部に接触する第３枠部とを
有し、前記第３枠部は、前記マイクロストリップライン
の幅広部及び前記誘電体基板に嵌合される凹部が形成さ
れ、かつ、前記マイクロストリップラインの幅広部の上
部に接触する接触面から外側に向かって前記蓋部材側に
傾斜した傾斜面を有することを特徴とする請求項１１に
記載の高周波信号用集積回路パッケージ。 - 【請求項１３】高周波信号用集積回路を実装したベース
部材と、 そのベース部材上に設けられた誘電体基板と、 その誘電体基板上に設けられ、前記高周波信号用集積回
路に電気的に接続され、前記誘電体基板の幅と略同一に
導体を広げて形成された幅広部が設けられたマイクロス
トリップラインと、 前記高周波信号用集積回路の周囲を囲う第１の開口部
と、その第１の開口部より外側に所定間隔を隔てて第２
の開口部とが形成され、前記第１及び第２の開口部の間
に前記マイクロストリップラインの幅広部及び前記誘電
体基板に嵌合される凹部が形成されたフレーム部材と、 そのフレーム部材の第１及び第２の開口部を塞ぎ、前記
高周波信号用集積回路を気密封止する蓋部材と、を有
し、 前記ベース部材は、前記第２の開口部側にある前記誘電
体基板と連通する第３の開口部が形成され、 前記マイクロストリップラインに設けられた幅広部と前
記フレーム部材の凹部との接触部に前記誘電体基板上に
形成された導波管部を設けて気密封止し、 前記第３の開口部は、空気を媒質とする導波管の伝送モ
ードに変換される高周波信号の入出力インターフェース
部となる、ことを特徴とする高周波信号用集積回路パッ
ケージ。 - 【請求項１４】前記ベース部材の第３の開口部は、略垂
直下方向に延びて形成されることを特徴とする請求項１
３に記載の高周波信号用集積回路パッケージ。 - 【請求項１５】前記ベース部材の第３の開口部は、下方
向に幅広に形成されることを特徴とする請求項１４に記
載の高周波信号用集積回路パッケージ。 - 【請求項１６】前記誘電体基板は、非吸湿性で低誘電損
失の特性を有する材料で作られることを特徴とする請求
項４乃至１５のいずれか１つの項に記載の高周波信号用
集積回路パッケージ。 - 【請求項１７】前記誘電体基板は、アルミナで作られる
ことを特徴とする請求項１６に記載の高周波信号用集積
回路パッケージ。 - 【請求項１８】前記フレーム部材及び蓋部材は、金属で
作られることを特徴とする請求項７乃至１７のいずれか
１つの項に記載の高周波信号用集積回路パッケージ。 - 【請求項１９】前記フレーム部材及び蓋部材は、コバー
ル、銅タングステン又は銅からなる群から選択される物
質で作られることを特徴とする請求項１８に記載の高周
波信号用集積回路パッケージ。 - 【請求項２０】前記ベース部材は、金属で作られること
を特徴とする請求項４乃至１９のいずれか１つの項に記
載の高周波信号用集積回路パッケージ。 - 【請求項２１】前記ベース部材は、コバール、銅タング
ステン又は銅からなる群から選択される物質で作られる
ことを特徴とする請求項２０に記載の高周波信号用集積
回路パッケージ。 - 【請求項２２】前記ベース部材は、多層基板で作られる
ことを特徴とする請求項４乃至２１のいずれか１つの項
に記載の高周波信号用集積回路パッケージ。 - 【請求項２３】前記ベース部材は、セラミック製の多層
基板で作られることを特徴とする請求項２２に記載の高
周波信号用集積回路パッケージ。 - 【請求項２４】前記多層基板の層間に前記高周波信号用
集積回路と電気的に接続された電線が配線されることを
特徴とする請求項２２又は２３に記載の高周波信号用集
積回路パッケージ。 - 【請求項２５】前記マイクロストリップラインには、前
記フレーム部材側の幅広部に向かって傾斜状に形成され
た伝送モード変換部を備えていることを特徴とする請求
項７乃至２４のいずれか１つの項に記載の高周波信号用
集積回路パッケージ。 - 【請求項２６】前記ベース部材とフレーム部材は、一体
に形成されることを特徴とする請求項７乃至２５のいず
れか１つの項に記載の高周波信号用集積回路パッケー
ジ。 - 【請求項２７】伝送される高周波信号は、ミリ波帯の信
号であることを特徴とする請求項４乃至２６のいずれか
１つの項に記載の高周波信号用集積回路パッケージ。 - 【請求項２８】ベース部材に高周波信号用集積回路と、
導体を広げて形成された幅広部を備えたマイクロストリ
ップラインとを設け、 次いで、前記高周波信号用集積回路とマイクロストリッ
プラインの幅広部とを上部から金属製蓋で冠着し、前記
マイクロストリップラインに設けられた幅広部と前記金
属製蓋との接触部に誘電体基板上に形成された導波管部
を設けて気密封止する、 ことを特徴とする高周波信号用集積回路パッケージの製
造方法。 - 【請求項２９】（１）高周波信号用集積回路と、誘電体
基板と、その誘電体基板上に設けられ、前記高周波信号
用集積回路に電気的に接続され、前記誘電体基板の幅と
略同一に導体を広げて形成された幅広部が設けられたマ
イクロストリップラインとを有するベース部材を用意す
る工程と、（２）開口部が形成され、凹部が形成された
枠部を備えたフレーム部材を、前記枠部の凹部が前記マ
イクロストリップラインの幅広部及び誘電体基板を嵌合
し、かつ、前記開口部が前記高周波信号用集積回路の周
囲を囲うように配置して、前記ベース部材に接着する工
程と、（３）前記フレーム部材の上部に蓋部材を接着
し、前記フレーム部材の開口部を塞いで、前記高周波信
号用集積回路を気密封止する工程と、を有し、 前記マイクロストリップラインに設けられた幅広部と前
記フレーム部材の凹部との接触部に誘電体基板上に形成
された導波管部を設けて気密封止する、 ことを特徴とする高周波信号用集積回路パッケージの製
造方法。 - 【請求項３０】前記フレーム部材を、前記ベース部材に
ろう付けして接着することを特徴とする請求項２９に記
載の高周波信号用集積回路パッケージの製造方法。 - 【請求項３１】前記フレーム部材を、前記ベース部材に
溶接して接着することを特徴とする請求項２９に記載の
高周波信号用集積回路パッケージの製造方法。 - 【請求項３２】前記蓋部材を、前記フレーム部材にろう
付けして接着することを特徴とする請求項２９乃至３１
のいずれか１つの項に記載の高周波信号用集積回路パッ
ケージの製造方法。 - 【請求項３３】前記蓋部材を、前記フレーム部材に溶接
して接着することを特徴とする請求項２９乃至３１のい
ずれか１つの項に記載の高周波信号用集積回路パッケー
ジの製造方法。 - 【請求項３４】伝送される高周波信号は、ミリ波帯の信
号であることを特徴とする請求項２８乃至３３のいずれ
か１つの項に記載の高周波信号用集積回路パッケージの
製造方法。
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| DE19932540A DE19932540A1 (de) | 1998-07-08 | 1999-07-08 | Mikrostreifen-Leitungs-Wellenleiter-Konvertierungsstruktur, integriertes Schaltkreispaket für Hochfrequenzsignale, das mit dieser Konvertierungsstruktur versehen ist, und Herstellungsverfahren hierfür |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000052566A (ko) * | 1998-12-25 | 2000-08-25 | 무라타 야스타카 | 유전체 도파관과 도파관간의 선로 변환 장치, 및 이를이용한 발진기 및 송신장치 |
| US7363017B2 (en) | 2003-12-24 | 2008-04-22 | Nec Electronics Corporation | High frequency module and manufacturing method thereof |
| US8130513B2 (en) | 2007-03-14 | 2012-03-06 | Mitsubishi Electric Corporation | Radio-frequency package |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10031407A1 (de) * | 2000-06-28 | 2002-01-10 | Daimler Chrysler Ag | Hermetisches Hochfrequenzmodul und Verfahren zur Herstellung |
| US7603097B2 (en) | 2004-12-30 | 2009-10-13 | Valeo Radar Systems, Inc. | Vehicle radar sensor assembly |
| US7680464B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-03-16 | Valeo Radar Systems, Inc. | Waveguide—printed wiring board (PWB) interconnection |
| US7420436B2 (en) * | 2006-03-14 | 2008-09-02 | Northrop Grumman Corporation | Transmission line to waveguide transition having a widened transmission with a window at the widened end |
| US7873329B2 (en) * | 2006-04-25 | 2011-01-18 | ThruVision Systems Limited | Transceiver having mixer/filter within receiving/transmitting cavity |
| US20130265734A1 (en) * | 2012-04-04 | 2013-10-10 | Texas Instruments Incorporated | Interchip communication using embedded dielectric and metal waveguides |
| CN103490132A (zh) * | 2013-09-18 | 2014-01-01 | 电子科技大学 | 一种毫米波高隔离度3dB功率分配器 |
| CN103647127B (zh) * | 2013-12-09 | 2017-02-01 | 上海贝尔股份有限公司 | 用于将同轴电缆耦接至带状线的连接器 |
| US9653796B2 (en) | 2013-12-16 | 2017-05-16 | Valeo Radar Systems, Inc. | Structure and technique for antenna decoupling in a vehicle mounted sensor |
| JP2015149650A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 株式会社東芝 | ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置 |
| JP2015149649A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 株式会社東芝 | ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置 |
| US10198045B1 (en) * | 2016-07-22 | 2019-02-05 | Google Llc | Generating fringing field for wireless communication |
| KR20220079666A (ko) * | 2019-10-17 | 2022-06-13 | 쓰루비젼 엘티디 | 고주파 검출 방법 및 장치 |
| CN112382837B (zh) * | 2020-11-05 | 2021-10-22 | 西安电子工程研究所 | 一种端接电容圆弧探针形式的波导-微带转换结构 |
| CN115411481B (zh) * | 2022-09-07 | 2023-07-18 | 北京邮电大学 | 波导型集成utc-pd装置 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2829348A (en) * | 1952-04-02 | 1958-04-01 | Itt | Line-above-ground to hollow waveguide coupling |
| BE534739A (ja) * | 1954-01-14 | |||
| US3188583A (en) * | 1961-10-12 | 1965-06-08 | Raytheon Co | Parallel plate line transition section between a coaxial line and a ridged waveguide |
| FR2142838B1 (ja) * | 1971-06-25 | 1974-04-05 | Cit Alcatel | |
| JPS5128378A (en) | 1974-09-02 | 1976-03-10 | Mamiya Camera | Saigekitokenbikyo no shomeisochi |
| JPS52106249A (en) | 1976-03-04 | 1977-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | Microstrip line converter |
| JPS52127046A (en) | 1976-04-16 | 1977-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | Microstrip line convertor |
| JPS58215802A (ja) | 1982-06-09 | 1983-12-15 | Fujitsu Ltd | Ｍｉｃ用パツケ−ジ |
| US4953001A (en) * | 1985-09-27 | 1990-08-28 | Raytheon Company | Semiconductor device package and packaging method |
| EP0247794A3 (en) * | 1986-05-29 | 1989-04-12 | Btg International Limited | Matching asymmetrical discontinuities in transmission lines |
| JPH01265704A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-23 | Fujitsu Ltd | 導波管−マイクロストリップライン変換器 |
| JPH0237803A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Fujitsu Ltd | 導波管−ストリップ線路変換器 |
| US4901041A (en) * | 1988-09-30 | 1990-02-13 | Grumman Corporation | High-performance package for monolithic microwave integrated circuits |
| US5235300A (en) * | 1992-03-16 | 1993-08-10 | Trw Inc. | Millimeter module package |
| JP2674417B2 (ja) | 1992-04-01 | 1997-11-12 | 日本電気株式会社 | 超高周波用パッケージ |
| JP3144107B2 (ja) | 1992-11-30 | 2001-03-12 | ソニー株式会社 | 記録再生制御信号の伝送方法及び記録再生制御装置 |
| DE4241635C2 (de) | 1992-12-10 | 1994-11-10 | Ant Nachrichtentech | Übergang von einer Microstrip-Leitung auf einen Hohlleiter |
| JP2616698B2 (ja) | 1994-05-13 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 複合高周波回路モジュール |
| JPH09260913A (ja) | 1996-03-27 | 1997-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波用気密半導体装置の組立方法 |
| JPH09289404A (ja) * | 1996-04-24 | 1997-11-04 | Honda Motor Co Ltd | リボンとボンディングワイヤとマイクロ波回路用パッケージ |
| US6002305A (en) * | 1997-09-25 | 1999-12-14 | Endgate Corporation | Transition between circuit transmission line and microwave waveguide |
-
1998
- 1998-07-08 JP JP19348798A patent/JP3209183B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-06-21 US US09/336,748 patent/US6466101B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-08 DE DE19932540A patent/DE19932540A1/de not_active Ceased
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000052566A (ko) * | 1998-12-25 | 2000-08-25 | 무라타 야스타카 | 유전체 도파관과 도파관간의 선로 변환 장치, 및 이를이용한 발진기 및 송신장치 |
| US7363017B2 (en) | 2003-12-24 | 2008-04-22 | Nec Electronics Corporation | High frequency module and manufacturing method thereof |
| US8130513B2 (en) | 2007-03-14 | 2012-03-06 | Mitsubishi Electric Corporation | Radio-frequency package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6466101B2 (en) | 2002-10-15 |
| JP3209183B2 (ja) | 2001-09-17 |
| DE19932540A1 (de) | 2000-01-27 |
| US20010043127A1 (en) | 2001-11-22 |
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