JPH0237803A - 導波管−ストリップ線路変換器 - Google Patents
導波管−ストリップ線路変換器Info
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- JPH0237803A JPH0237803A JP18771388A JP18771388A JPH0237803A JP H0237803 A JPH0237803 A JP H0237803A JP 18771388 A JP18771388 A JP 18771388A JP 18771388 A JP18771388 A JP 18771388A JP H0237803 A JPH0237803 A JP H0237803A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
マイクc2濃、ミリ波を低損失に伝送できる導波管と、
半導体部品等との適合性が艮瞬伝送路でおるス) IJ
ツブ線路との変換器に関し、vjt体基板基板波管内部
に挿通されていて、かつ、導波管内部の磁界に垂直であ
り、損失の少ない、再現性に優れた24仮コーストリツ
プ線路変換器をつくることを目的とし、一端にショート
面を設けられた導波管と、該導波管に挿通されていて、
前記導波管内の部分にモード変換手段、前記導波管外の
部分にストリップ線路を設けられた誘を体基板を有する
導波管−ストリップ線路変換器に於いて、 前記モード変換手段が前記ス) IJツブ線路に結合さ
れている入射e、変換用と反射波変換用のフィンライン
からなり、前記d′砿体基板が前記導波管内部の磁界に
垂直でフィンラインは誘電体基板が挿入されるG界面と
反対側の磁界面に電気的に接続されるよう槽底する。
半導体部品等との適合性が艮瞬伝送路でおるス) IJ
ツブ線路との変換器に関し、vjt体基板基板波管内部
に挿通されていて、かつ、導波管内部の磁界に垂直であ
り、損失の少ない、再現性に優れた24仮コーストリツ
プ線路変換器をつくることを目的とし、一端にショート
面を設けられた導波管と、該導波管に挿通されていて、
前記導波管内の部分にモード変換手段、前記導波管外の
部分にストリップ線路を設けられた誘を体基板を有する
導波管−ストリップ線路変換器に於いて、 前記モード変換手段が前記ス) IJツブ線路に結合さ
れている入射e、変換用と反射波変換用のフィンライン
からなり、前記d′砿体基板が前記導波管内部の磁界に
垂直でフィンラインは誘電体基板が挿入されるG界面と
反対側の磁界面に電気的に接続されるよう槽底する。
本発明は、マイクC2B、、ミリ改を低損失に伝送でき
る導波管と半導体部品等との適合性が良い伝送路でらる
ス) IJツブ線路との変換器に関する。
る導波管と半導体部品等との適合性が良い伝送路でらる
ス) IJツブ線路との変換器に関する。
近年の無線通信に用いられる周波数は年々高くなってき
ており、各装置を結ぶ伝送路には、低損失伝送が可能な
導波管が用いられるようになりている。このため半導体
を用いた装置に信号を送るためには、導波管からの信号
を半導体部品の入出力回路を構成するス) IJツブ線
路に送るための、あるいはその逆の変換器が必要となっ
ている。
ており、各装置を結ぶ伝送路には、低損失伝送が可能な
導波管が用いられるようになりている。このため半導体
を用いた装置に信号を送るためには、導波管からの信号
を半導体部品の入出力回路を構成するス) IJツブ線
路に送るための、あるいはその逆の変換器が必要となっ
ている。
導波管−ス) IJツブ線路変換器の従来例を第5゜6
図に示す。この従来例は特に垂直変換を行なう場合のも
のである。
図に示す。この従来例は特に垂直変換を行なう場合のも
のである。
図中1は導波管、2に誘電体基板、3に同軸端子、4は
マイクロストリップアンテナ、5はシ1−ト面、9はス
トリップ線路10a、10bは導波管の磁界面である。
マイクロストリップアンテナ、5はシ1−ト面、9はス
トリップ線路10a、10bは導波管の磁界面である。
第5図は、同軸端子3t−用いた導波管−スh IJツ
ブ線路変換器でらる。
ブ線路変換器でらる。
同軸端子3t−導波管1の磁界面1さ垂直に導波管1内
に挿入し、導波管1外部で同軸端子3とストリップ線路
9t−半田により接合しである。
に挿入し、導波管1外部で同軸端子3とストリップ線路
9t−半田により接合しである。
前記同軸端子3はアンテナとして受信するものである。
しかし、この変換器は、同軸端子3とス) IJツブ線
路9の接合を半田で行なうため、工作精度が一定せず再
現性が悪い。また半田量が犬すぎたり、半田の付きが悪
かりたりすると、損失が大きくなるなどの間IIを生じ
ていた。
路9の接合を半田で行なうため、工作精度が一定せず再
現性が悪い。また半田量が犬すぎたり、半田の付きが悪
かりたりすると、損失が大きくなるなどの間IIを生じ
ていた。
このため第6図のようにマイクロストリップアンテナ4
を用いた変換器が考えられた。これはストリップ線路9
の延長線上にマイクロストリップアンテナ4のバタン全
形広し、誘電体基板20表面が導波管1内部の磁界に平
行になるよう挿通し変換を行なうものである。
を用いた変換器が考えられた。これはストリップ線路9
の延長線上にマイクロストリップアンテナ4のバタン全
形広し、誘電体基板20表面が導波管1内部の磁界に平
行になるよう挿通し変換を行なうものである。
この場合は、マイクロストリップアンテナ4のパタンを
エツチングにより形成するので工作精度が一定かつ容易
である。さらに、マイクロストリップアンテナ4は、入
出力回路t−構成する基板のストリップ線路延長線上に
、ストリップ線路9といっしょにエツチングされるため
接合部もなく変換損失も極めて小さくなっていた。
エツチングにより形成するので工作精度が一定かつ容易
である。さらに、マイクロストリップアンテナ4は、入
出力回路t−構成する基板のストリップ線路延長線上に
、ストリップ線路9といっしょにエツチングされるため
接合部もなく変換損失も極めて小さくなっていた。
第6図の従来例では導波管1内部に誘電体基板2が挿通
され、かつ導波管1内部の磁界に平行であった。しかし
現在では装置構成上の要求及び部品からの効率のよい熱
放射の便から、誘電体基板2t−導波管1内部の磁界に
垂直に挿通しなければならない場合がある。この場合第
5図のマイクロストリップアンテナ4が磁界に垂直とな
りアンテナの役目を果す面積がほとんどなくなり受信困
難となってしまうため、構成上自由度のある第5図の端
子3f:用いた形式を損失を犠牲にして使用しなければ
ならなかった。
され、かつ導波管1内部の磁界に平行であった。しかし
現在では装置構成上の要求及び部品からの効率のよい熱
放射の便から、誘電体基板2t−導波管1内部の磁界に
垂直に挿通しなければならない場合がある。この場合第
5図のマイクロストリップアンテナ4が磁界に垂直とな
りアンテナの役目を果す面積がほとんどなくなり受信困
難となってしまうため、構成上自由度のある第5図の端
子3f:用いた形式を損失を犠牲にして使用しなければ
ならなかった。
そこで本発明は、誘電体基板2が導波管1内部の磁界と
垂直に挿通された形式をとり、かつ、損失の少ない導波
管−ストリップ線路変換器を構成することを目的とする
。
垂直に挿通された形式をとり、かつ、損失の少ない導波
管−ストリップ線路変換器を構成することを目的とする
。
本発明は前記目的を達成するためモード変換手段I−次
のように構成する。
のように構成する。
誘電体基板が導波管内に磁界に垂直に挿入されている。
前記誘電体基板の先端には、ス) IJツブ線路に結合
でれている入射波変換用、及び反射激変供用のフィンラ
インが設けられている。
でれている入射波変換用、及び反射激変供用のフィンラ
インが設けられている。
また、フィンラインは、jlI通孔を有する磁界面と反
対側の磁界面に電気的に接続されている。
対側の磁界面に電気的に接続されている。
一般にモード変換用のフィンラインは第4図<a)のよ
うな形態をとり、(b)のように導波管内1にフィンラ
イン13a、13b及びストリップ線路9t−設は九誘
電体基板2全体を挿入して使用されていた。
うな形態をとり、(b)のように導波管内1にフィンラ
イン13a、13b及びストリップ線路9t−設は九誘
電体基板2全体を挿入して使用されていた。
本発明ではフィンライン11に続くストリ・プ線路9を
第4図(C)のごとく電界に平行な方向に変えることに
より―直f余t−可能とした。また、肪電体基板20幅
は非常に狭〈従来程フィンライン13aを長くすること
ができないため効率が悪くなるオそこで入射波用2反射
波用の2つのツインラインを設けることにより効率のよ
い変換を可能としている。
第4図(C)のごとく電界に平行な方向に変えることに
より―直f余t−可能とした。また、肪電体基板20幅
は非常に狭〈従来程フィンライン13aを長くすること
ができないため効率が悪くなるオそこで入射波用2反射
波用の2つのツインラインを設けることにより効率のよ
い変換を可能としている。
第1図及び第2因に実施例を示す。第1図((転)は変
換冊本−ζ)に変換器の断面口で、第2図の(1(b)
はフィンライン?a、7b、8a、8b及びストリップ
線路9が設けられた誘電体基板2の表面、裏面の実施例
である。回申1は導波管、5はV m −)面、61は
貫通孔、10a、 10bは導波管1の磁界面である。
換冊本−ζ)に変換器の断面口で、第2図の(1(b)
はフィンライン?a、7b、8a、8b及びストリップ
線路9が設けられた誘電体基板2の表面、裏面の実施例
である。回申1は導波管、5はV m −)面、61は
貫通孔、10a、 10bは導波管1の磁界面である。
以上系11.第21に基づいて本発明の詳細な説明する
。
。
誘電体基板2の表裏面には第2図(a) 、 (b)の
ごとくストリップ線路9及びフィン9イン7a、7b。
ごとくストリップ線路9及びフィン9イン7a、7b。
8a、8bがエツチングされている。この誘電体基板2
が貫通孔61f:通し導改管内に挿辿され・誘電体基板
2の先瑞は導波管1の磁界面10bに接合されており、
フィンライン7a、8aはalW面10bに、電気的に
接続されている。このとき誘電体基板2の′a面及び裏
面は導波管1内部の磁界に垂直となっている。この構造
においてモード変換を行なう。
が貫通孔61f:通し導改管内に挿辿され・誘電体基板
2の先瑞は導波管1の磁界面10bに接合されており、
フィンライン7a、8aはalW面10bに、電気的に
接続されている。このとき誘電体基板2の′a面及び裏
面は導波管1内部の磁界に垂直となっている。この構造
においてモード変換を行なう。
第2図((転)、(b)の形状のフィンライン7a、7
b。
b。
8a、8bt−設けることにより、第3図のととく導波
管1内部の電界モードをストリップ線路モードに変換可
能となる。
管1内部の電界モードをストリップ線路モードに変換可
能となる。
またフィンライン?a、7bは入射波受信用、フィンラ
イン8a・8bはシs −ト面からの反射波受信用であ
る。このとき誘電体基、仮27m−ト面5との距mを調
整することにより、入射波と反射波の位相を2つのフィ
ルライン’P A結合部中心で同相にすることで最も強
い電界モードを得ることができ効率のよい変換ができる
。またフィンライン、9Fトリツプ線路はエツチングに
より同時に設けられるため接合部もな一変換損失も極め
て小さくなる。ここで誘電体基板2とシl−ト1lll
j5での距、11はフィンライン?m結会部の中心とシ
m −ト面5との距離が (2n−1)eス/4 (n−1,2,・・・・・
・)の時に入射波と反射波は同相となる。
イン8a・8bはシs −ト面からの反射波受信用であ
る。このとき誘電体基、仮27m−ト面5との距mを調
整することにより、入射波と反射波の位相を2つのフィ
ルライン’P A結合部中心で同相にすることで最も強
い電界モードを得ることができ効率のよい変換ができる
。またフィンライン、9Fトリツプ線路はエツチングに
より同時に設けられるため接合部もな一変換損失も極め
て小さくなる。ここで誘電体基板2とシl−ト1lll
j5での距、11はフィンライン?m結会部の中心とシ
m −ト面5との距離が (2n−1)eス/4 (n−1,2,・・・・・
・)の時に入射波と反射波は同相となる。
但し、x2因のA−8間まで誘電体が導波管内さ
に挿入されていないと以上述べてまた作用は得られ危い
。
。
まな、この変換器は送受信両方に使用可能なものである
。
。
以上実施例に基づいて本発明を説明してきたが本発明は
実施例に限られるものではない。
実施例に限られるものではない。
以上説明した様に本発明により導波管1内部の磁界方向
に垂直に、誘電体基板2を挿入した構造をとり、損失に
優れた再現性の容易に変換器を構成することを可能とし
た。
に垂直に、誘電体基板2を挿入した構造をとり、損失に
優れた再現性の容易に変換器を構成することを可能とし
た。
また、誘電体基板2とシッート図5との距離を調整する
ことにより入射波と反射波を同相とし効率のよい受信が
可能となった。
ことにより入射波と反射波を同相とし効率のよい受信が
可能となった。
ひいては無線通信装置の性能、信頼性、生産性に寄与す
ることになる。
ることになる。
第1図は本発明の実施例
したフィンライン
第5,6図は従来例である。
1・・・・・導波管
2・・・・・・誘電体基板
3・・・・・同軸1子
7a、7b、8a、8b、la、Bb・−・ツインライ
ン9・・・・・・ストリップ線路 10a、10b・・・・・・磁界面 11・・・・・・中心線 茂埋人弁理士 升 桁 貞 − 茅 j 口 (aン (b〕 才芝米制 茅S図 矛6図
ン9・・・・・・ストリップ線路 10a、10b・・・・・・磁界面 11・・・・・・中心線 茂埋人弁理士 升 桁 貞 − 茅 j 口 (aン (b〕 才芝米制 茅S図 矛6図
Claims (1)
- 一端にショート面(5)を設けられた導波管(1)と
、該導波管(1)に挿通されていて、前記導波管(1)
内の部分にモード変換手段、前記導波管(1)外の部分
にストリップ線路(9)を設けられた誘電体基板(2)
とを有する導波管−ストリップ線路変換器に於いて、前
記モード変換手段が、前記ストリップ線路(9)に結合
されている入射波変換用と反射波変換用のフィンライン
(7a,7b,8a,8b)からなり、前記誘電体基板
(2)が前記導波管(1)内部の磁界に垂直で、フィン
ライン(7a,7b,8a,8b)は誘電体基板(2)
が挿入される磁界面(10a)と反対側の磁界面(10
b)に電気的に接続されていることを特徴とする導波管
−ストリップ線路変換器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18771388A JPH0237803A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 導波管−ストリップ線路変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18771388A JPH0237803A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 導波管−ストリップ線路変換器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0237803A true JPH0237803A (ja) | 1990-02-07 |
Family
ID=16210870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18771388A Pending JPH0237803A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 導波管−ストリップ線路変換器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0237803A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1141010A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Nec Corp | ストリップ線路−導波管変換器 |
KR20010112034A (ko) * | 2000-06-13 | 2001-12-20 | 권영우 | 도파관-마이크로스트립 변환 구조를 이용한 전력 결합기 |
US6396364B1 (en) * | 1998-12-22 | 2002-05-28 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Broadband microstrip-waveguide junction |
US6466101B2 (en) * | 1998-07-08 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Microstrip line-waveguide converter structure, integrated circuit package for high frequency signals provided with this converter structure, and manufacturing method therefor |
-
1988
- 1988-07-27 JP JP18771388A patent/JPH0237803A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1141010A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Nec Corp | ストリップ線路−導波管変換器 |
US6060959A (en) * | 1997-07-16 | 2000-05-09 | Nec Corporation | Small transducer connected between strip line and waveguide tube and available for hybrid integrated circuit |
US6466101B2 (en) * | 1998-07-08 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Microstrip line-waveguide converter structure, integrated circuit package for high frequency signals provided with this converter structure, and manufacturing method therefor |
US6396364B1 (en) * | 1998-12-22 | 2002-05-28 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Broadband microstrip-waveguide junction |
KR20010112034A (ko) * | 2000-06-13 | 2001-12-20 | 권영우 | 도파관-마이크로스트립 변환 구조를 이용한 전력 결합기 |
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