JPH01265704A - 導波管−マイクロストリップライン変換器 - Google Patents
導波管−マイクロストリップライン変換器Info
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- JPH01265704A JPH01265704A JP9534888A JP9534888A JPH01265704A JP H01265704 A JPH01265704 A JP H01265704A JP 9534888 A JP9534888 A JP 9534888A JP 9534888 A JP9534888 A JP 9534888A JP H01265704 A JPH01265704 A JP H01265704A
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- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
導波管からマイクロストリップラインに効率良く信号を
変換するための導波管−マイクロストリップライン変換
器に関し、 整合のための調整が容易で、特性変化り)大きいマイク
ロストリ・ツブラインのパターン形状を得ることを目的
とし7、 マイクロス1〜リツプラインが載置されている誘電体基
板をそなえ、当該基板を導波管の中に直接挿入する暢造
の導波管−マイクロストリップライン変換器において、
導波管に挿入された部分のストリップラ・インのパター
ン形状は方形スパイラル型とし、整合のための調整に当
たってはストリップ。
変換するための導波管−マイクロストリップライン変換
器に関し、 整合のための調整が容易で、特性変化り)大きいマイク
ロストリ・ツブラインのパターン形状を得ることを目的
とし7、 マイクロス1〜リツプラインが載置されている誘電体基
板をそなえ、当該基板を導波管の中に直接挿入する暢造
の導波管−マイクロストリップライン変換器において、
導波管に挿入された部分のストリップラ・インのパター
ン形状は方形スパイラル型とし、整合のための調整に当
たってはストリップ。
ラインの先端から切削用1teにすることを楊成とする
。
。
[産業上の利用分野〕
本発明は、導波管からマイクロス)・リップラインに効
率良<イ1+1号を変換するための導波管−マイクロス
1〜リツプライン変換器に関するものである。
率良<イ1+1号を変換するための導波管−マイクロス
1〜リツプライン変換器に関するものである。
近年、電磁波の使用周波数が高くなり、導波管とマイク
ロストリップラインとの接続部の形:iメSか微細にな
ゲ(きたため、整合が益々困難にな−)てきた。
ロストリップラインとの接続部の形:iメSか微細にな
ゲ(きたため、整合が益々困難にな−)てきた。
第3図ないし第5図を参照し、つり従来例を1jiA明
する1、 ′ 第3図(イ)は従来例における導波管とマイクロストリ
ップラインとの接続部を示す概観図、(ロ)はその上面
図である、。
する1、 ′ 第3図(イ)は従来例における導波管とマイクロストリ
ップラインとの接続部を示す概観図、(ロ)はその上面
図である、。
第4図は従来例におけるマイクロス1ヘリツブラインパ
ターンの切削説明図である。
ターンの切削説明図である。
第5図は従来例におけるマイクロス1へリップラインの
パターン説明図である。
パターン説明図である。
図中、2は基板、3はマイクロストリップライン、4は
導波管、5は窓、6は筐体、7は導波管の底部くショー
ト面)、8は導波管内に挿入される部分のマイクロスト
リップラインのパターン、9は金の薄膜、]Oは抵抗膜
、]1はダイアモンド針である。。
導波管、5は窓、6は筐体、7は導波管の底部くショー
ト面)、8は導波管内に挿入される部分のマイクロスト
リップラインのパターン、9は金の薄膜、]Oは抵抗膜
、]1はダイアモンド針である。。
マイクロストリップライン3が載置されている基板2は
、セラミック等の誘電体から構成され、」二記基板2の
一トに載置されているマイクロストリップライン3は、
金からなる薄膜9と抵抗膜10とから構成され、そのラ
イン幅はミリ波帯においては0.25111111程度
である。導波管4は、例えばアルミニウムあるいは真鋳
のような金属フロックからなり、第3し1の土面から電
磁波が入るとその底部7のショート面で反射される。
、セラミック等の誘電体から構成され、」二記基板2の
一トに載置されているマイクロストリップライン3は、
金からなる薄膜9と抵抗膜10とから構成され、そのラ
イン幅はミリ波帯においては0.25111111程度
である。導波管4は、例えばアルミニウムあるいは真鋳
のような金属フロックからなり、第3し1の土面から電
磁波が入るとその底部7のショート面で反射される。
マイクロストリップラインが載置された基板2は、導波
管4の窓5から挿入配置されている。筐体6は導波管4
と同様な金属フロックからなる。
管4の窓5から挿入配置されている。筐体6は導波管4
と同様な金属フロックからなる。
電磁波の反射率は、導波管4の底部7であるショート面
とマイクロス1〜リツプライン3との距離および導波管
内に挿入するマイクロストリップラインのパターン形状
により大きく影響する。
とマイクロス1〜リツプライン3との距離および導波管
内に挿入するマイクロストリップラインのパターン形状
により大きく影響する。
マイクロス)〜リップラインのパターン8は、ダイアモ
ンド針1]て切削され、その形状に変化を与えて、導波
管−マイクロス1〜リツプライン変換器の特性の調整か
行なわれる。
ンド針1]て切削され、その形状に変化を与えて、導波
管−マイクロス1〜リツプライン変換器の特性の調整か
行なわれる。
第3図において、マイクロストリップライン3は、導波
管4の窓5から導波管4内に挿入配置され、この部分が
アンテナとしての役目を果し、これによって、導波管4
の」一部からの電磁波は、導波管モードからマイクロス
トリップラインモー1へに変換される。
管4の窓5から導波管4内に挿入配置され、この部分が
アンテナとしての役目を果し、これによって、導波管4
の」一部からの電磁波は、導波管モードからマイクロス
トリップラインモー1へに変換される。
このような導波管−マイクロストリップライン変換器て
は、マイクロストリップラインとショート面までの距離
、マイクロストリップラインの基板2を挿入する窓5の
大きさ、この窓に挿入するマイクロストリップラインの
基板2の大きさ、あるいは挿入されたマイクロス1−リ
ップラインのパターンの大きさとその形状などを変化さ
せることによ゛り変換効率を少しでも上げることに努力
してきた、。
は、マイクロストリップラインとショート面までの距離
、マイクロストリップラインの基板2を挿入する窓5の
大きさ、この窓に挿入するマイクロストリップラインの
基板2の大きさ、あるいは挿入されたマイクロス1−リ
ップラインのパターンの大きさとその形状などを変化さ
せることによ゛り変換効率を少しでも上げることに努力
してきた、。
特に、導波管4の中に挿入されたマイクロス1〜リツプ
ラインの調整パターン8の形状は、直線形、正方形、長
方形などが採用されている。
ラインの調整パターン8の形状は、直線形、正方形、長
方形などが採用されている。
そして、上記マイクロストリップラインのパターンをダ
イアモンド針]1によって、第5図の(ロ)ないしくホ
)あるいは(ト)に図示されているようにその前後左右
を切削することによって、所望の調整か行なわれ、整合
を得るようにされる。
イアモンド針]1によって、第5図の(ロ)ないしくホ
)あるいは(ト)に図示されているようにその前後左右
を切削することによって、所望の調整か行なわれ、整合
を得るようにされる。
しかし、マイクロストリップラインのパターンの調整を
行なう場合、第5図(へ)に図示されている直線形のも
のを切削して、(ト)に図示されているように加工する
ことは、一番簡即であるが切削の割りに特性の変化が少
ないという問題かあつ ノフニ 。
行なう場合、第5図(へ)に図示されている直線形のも
のを切削して、(ト)に図示されているように加工する
ことは、一番簡即であるが切削の割りに特性の変化が少
ないという問題かあつ ノフニ 。
また、第5四1(イ)に図示されている方形のものを切
削して、(ロ)ないしくホ〉に図示されているような正
方形あるいは長方形に加工することは、特性の変化は火
宅いのだが、前後左右の切削にむらができるので□、切
削が容易でないだけでなく、特性の再現か難しい。
削して、(ロ)ないしくホ〉に図示されているような正
方形あるいは長方形に加工することは、特性の変化は火
宅いのだが、前後左右の切削にむらができるので□、切
削が容易でないだけでなく、特性の再現か難しい。
さらに、マイクロ、ス1〜リップラインのパターン8を
タイヤモント針11]で切削すると、正方形または長方
形型のパターンの切削においては比較的 G − Jへい切削端縁にA−ザキ→ノーか付き特性に悪影響を
及はずという問題かあった。
タイヤモント針11]で切削すると、正方形または長方
形型のパターンの切削においては比較的 G − Jへい切削端縁にA−ザキ→ノーか付き特性に悪影響を
及はずという問題かあった。
本発明は、辺1−のような問題を解決するために、整合
のための調整か容易で、特性変1ヒの大きいマイクロ、
ス)〜リッツプラインのパターン形4犬を1号−ること
かできる導波管−マイクロス1−リップライン変換器を
提供することを目的とする。
のための調整か容易で、特性変1ヒの大きいマイクロ、
ス)〜リッツプラインのパターン形4犬を1号−ること
かできる導波管−マイクロス1−リップライン変換器を
提供することを目的とする。
1[課題を解決するための手段]
第1図は本発明の原理説明図゛ζある。
図中、8はマイクロストリップラインの拡大された方形
スパイラル型パターンで、この部分か導波管の窓から挿
入され、アンテナの動きをする2は方形スパイラル型パ
ターンを@置する基板である。そして、変換器全体の構
造は、第31メ1に示した従来のものと実質的に回しで
あるので説明を省略している。
スパイラル型パターンで、この部分か導波管の窓から挿
入され、アンテナの動きをする2は方形スパイラル型パ
ターンを@置する基板である。そして、変換器全体の構
造は、第31メ1に示した従来のものと実質的に回しで
あるので説明を省略している。
F記方形スパイラル型バクーン8は、)1(板21を外
側から中に向って方形のスパイラル状に巻かれている。
側から中に向って方形のスパイラル状に巻かれている。
第1 [2jに示す本発明の原I11!説明図を参照し
、つり、本発明における導波管−マイクロスI・リップ
ライン変換器について整合を得るための調整態様を説明
する。
、つり、本発明における導波管−マイクロスI・リップ
ライン変換器について整合を得るための調整態様を説明
する。
第]し]に図示されているマイクロス1−リップライン
の方形パターンをその内側の先端から切削して行く。
の方形パターンをその内側の先端から切削して行く。
第1図(r7)および(ハ)は、マイクロス1〜リツプ
ラインの先端を横方向に短く切削したものを示1〜、第
]V′ソ+ (ニ)は、昂Y方向に知〈切削したものを
示している4゜ このように、本発明においては、マイクロス1〜リツプ
ラインのパターンを直線形のパターンの場合と同様イC
力1「[方法て、その先端から切削することかてきるの
で、パターンの加■が簡卯て、切削端縁にキー1フ’−
i−ザか生り、る部分が短く(第1図図示のパターン寸
法では0.25mmである)、再現性かよくなった。。
ラインの先端を横方向に短く切削したものを示1〜、第
]V′ソ+ (ニ)は、昂Y方向に知〈切削したものを
示している4゜ このように、本発明においては、マイクロス1〜リツプ
ラインのパターンを直線形のパターンの場合と同様イC
力1「[方法て、その先端から切削することかてきるの
で、パターンの加■が簡卯て、切削端縁にキー1フ’−
i−ザか生り、る部分が短く(第1図図示のパターン寸
法では0.25mmである)、再現性かよくなった。。
−只 −
また、直線形に比べて、特性の変化か幅広<11゜られ
な。
な。
本発明の一実施例を第1図および第2[シ1にしたがっ
て説明する。
て説明する。
第1図に図示されているように、基板2十に載置された
方形スパイラル型パターン1におけるマイクロストリッ
プライン3のライン幅Wは、025關で、方形の渦巻状
で中心方向に巻かれた方形スパイラル型をしている。
方形スパイラル型パターン1におけるマイクロストリッ
プライン3のライン幅Wは、025關で、方形の渦巻状
で中心方向に巻かれた方形スパイラル型をしている。
また、マイクロストリップライン3のう・イン間距離り
は、無作為の値を採用し、第3図に示されている導波管
4の底面7であるショート面とマイクロストリップライ
ン3との距離は、1.17 mmとした。 なお、図示
の導波管−マイクロストリップライン変換器の設定周波
数は38GHzである。
は、無作為の値を採用し、第3図に示されている導波管
4の底面7であるショート面とマイクロストリップライ
ン3との距離は、1.17 mmとした。 なお、図示
の導波管−マイクロストリップライン変換器の設定周波
数は38GHzである。
第1図(ロ)は、図示(イ)のものからマイクロストリ
ップラインの先端を横方向に0.2mm切削したものを
示す。第1図(ハ)は、さらに横方向に0 、35 +
u+切削したものを示す。第1図(ニ)は、(ハ)に[
4示されているものを縦方向に0.6+nm切削1−た
ものを示す。
ップラインの先端を横方向に0.2mm切削したものを
示す。第1図(ハ)は、さらに横方向に0 、35 +
u+切削したものを示す。第1図(ニ)は、(ハ)に[
4示されているものを縦方向に0.6+nm切削1−た
ものを示す。
上記のような方形スパイラル型パターンについて、周波
数36ないし40 、G i(z帯における周波数に対
する反射損失特性を第2図に示す。
数36ないし40 、G i(z帯における周波数に対
する反射損失特性を第2図に示す。
Xl1Il!!は周波数てGHz 、 Y i!llは
反射損失dBを表わす。
反射損失dBを表わす。
導波管から入力された電磁波か全てマイクロストリップ
ラインに伝わらす、導波管の人口へ反射された場合、反
射損失はQ d Bとなり、全てマイクロス1〜リツプ
ライン側に伝達された時、反射損失は無限大dBとなる
。通常、20 (l B <らいて良い特性ということ
になっている。すなわち、反射損失か20 cl Bの
時、人力電磁波電力の]%が入口に反射される。
ラインに伝わらす、導波管の人口へ反射された場合、反
射損失はQ d Bとなり、全てマイクロス1〜リツプ
ライン側に伝達された時、反射損失は無限大dBとなる
。通常、20 (l B <らいて良い特性ということ
になっている。すなわち、反射損失か20 cl Bの
時、人力電磁波電力の]%が入口に反射される。
本発明の方形スパイラル型マイクロス1ヘリツブライン
における上記条件の測定結果を第2図に示ず3、 − 1. 0 − 図中、第1[A(イ)はパターンの切削をI5.ていな
いもので、その測定結果は第21ン1の(イ)に、第1
1図(ロ)に図示の如く切削した時の測定結■シは第2
図(ロ)に、以下同様にして第1図と第2図とは切削の
程度とその測定結果とて対応している。
における上記条件の測定結果を第2図に示ず3、 − 1. 0 − 図中、第1[A(イ)はパターンの切削をI5.ていな
いもので、その測定結果は第21ン1の(イ)に、第1
1図(ロ)に図示の如く切削した時の測定結■シは第2
図(ロ)に、以下同様にして第1図と第2図とは切削の
程度とその測定結果とて対応している。
設定周波数38 G T−T zにおける反射損失は、
第2図の(ロ)ないしく二)に示されているよつに全て
20dBを越え、反射損失性ツ′Fがか1足できるもの
となってゆくことを示しζいる。
第2図の(ロ)ないしく二)に示されているよつに全て
20dBを越え、反射損失性ツ′Fがか1足できるもの
となってゆくことを示しζいる。
本発明のようにマイクロス1〜リツプラインの方形スパ
イラル型パターンをその先端からライン長を知< L、
ていくと、導波管4とマイクロス1〜リツプライン3と
の整合がとれはしめるという測定結果が得らカーな。こ
の傾向は、マイクロストリップラインのライン間距MD
を別の伯にある程度無作為に変えても、ライン長の変化
で同様におこる。
イラル型パターンをその先端からライン長を知< L、
ていくと、導波管4とマイクロス1〜リツプライン3と
の整合がとれはしめるという測定結果が得らカーな。こ
の傾向は、マイクロストリップラインのライン間距MD
を別の伯にある程度無作為に変えても、ライン長の変化
で同様におこる。
また、パターンのライン長を変えるにしたかい、整合が
とれる周波数かシフ1〜することから一個のJi形スパ
イラル型パクーン゛ζ広い周波数をカバーできる。。
とれる周波数かシフ1〜することから一個のJi形スパ
イラル型パクーン゛ζ広い周波数をカバーできる。。
r発明の効果〕
1、J上説明したように、本発明によれは、マイクロ7
ス■・リップラインの1周整に当って直線形のパターン
σ)場合と回し、コニうな切削加[がてきるため、その
調整か容易でパある。
ス■・リップラインの1周整に当って直線形のパターン
σ)場合と回し、コニうな切削加[がてきるため、その
調整か容易でパある。
また、本発明によれは、−個のパターンで広い周波数範
囲をカバーすることかてき、かつ」二記直線形σ)パタ
ーンの場合にくらべて調整量か大きい。
囲をカバーすることかてき、かつ」二記直線形σ)パタ
ーンの場合にくらべて調整量か大きい。
第1図は本発明の原理説明図、第2図は本発明の一実施
例における反則」0失竹性説明図、第31図は従来例説
明図、第41′y+は従来例に、りけるマイクロストリ
ップラ、インパクーンの切削説明し1、第5図は従来例
におけるマイクロス)・リップラインバクーンの説明図
である。 [)1 中 、 1 ノ)形スパイラル型パターン 2− マイクロス1〜リツプラインを載置ずろ基板3
マイクロ7ス1゛・リップライン4−導波管 5 マイクロストリップラインを挿入する窓6−筐体 7−導波管の底部(シミ+’l・而) 8− マイクロス1〜リツプラインのパターン9−金の
薄膜 ]0−抵抗膜 ]] −タイヤモンド針
例における反則」0失竹性説明図、第31図は従来例説
明図、第41′y+は従来例に、りけるマイクロストリ
ップラ、インパクーンの切削説明し1、第5図は従来例
におけるマイクロス)・リップラインバクーンの説明図
である。 [)1 中 、 1 ノ)形スパイラル型パターン 2− マイクロス1〜リツプラインを載置ずろ基板3
マイクロ7ス1゛・リップライン4−導波管 5 マイクロストリップラインを挿入する窓6−筐体 7−導波管の底部(シミ+’l・而) 8− マイクロス1〜リツプラインのパターン9−金の
薄膜 ]0−抵抗膜 ]] −タイヤモンド針
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マイクロストリップラインが載置されている誘電体基
板をそなえ、当該基板を導波管の中に直接挿入する構造
の導波管−マイクロストリップライン変換器において、 導波管(4)に挿入された部分のストリップライン(3
)のパターン形状は方形スパイラル型パターン(1)と
し、 整合のための調整に当たってはストリップラインの先端
から切削することを可能にした ことを特徴とする導波管−マイクロストリップライン変
換器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9534888A JPH01265704A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 導波管−マイクロストリップライン変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9534888A JPH01265704A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 導波管−マイクロストリップライン変換器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01265704A true JPH01265704A (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14135167
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9534888A Pending JPH01265704A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 導波管−マイクロストリップライン変換器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01265704A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6201453B1 (en) * | 1998-11-19 | 2001-03-13 | Trw Inc. | H-plane hermetic sealed waveguide probe |
US6466101B2 (en) * | 1998-07-08 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Microstrip line-waveguide converter structure, integrated circuit package for high frequency signals provided with this converter structure, and manufacturing method therefor |
-
1988
- 1988-04-18 JP JP9534888A patent/JPH01265704A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6466101B2 (en) * | 1998-07-08 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Microstrip line-waveguide converter structure, integrated circuit package for high frequency signals provided with this converter structure, and manufacturing method therefor |
US6201453B1 (en) * | 1998-11-19 | 2001-03-13 | Trw Inc. | H-plane hermetic sealed waveguide probe |
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