JPS604603B2 - 伝送モ−ド変換器 - Google Patents
伝送モ−ド変換器Info
- Publication number
- JPS604603B2 JPS604603B2 JP16378878A JP16378878A JPS604603B2 JP S604603 B2 JPS604603 B2 JP S604603B2 JP 16378878 A JP16378878 A JP 16378878A JP 16378878 A JP16378878 A JP 16378878A JP S604603 B2 JPS604603 B2 JP S604603B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ground plane
- coaxial line
- dielectric substrate
- stripline
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/085—Coaxial-line/strip-line transitions
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はストリップラインと同軸線路またはストリップ
ラインと導波管との間の伝送モードを変摸するための伝
送モード変換器に関し、特にＭＩＣ（マイクロ波集積回
路）の実装に用いることができるものである。
ラインと導波管との間の伝送モードを変摸するための伝
送モード変換器に関し、特にＭＩＣ（マイクロ波集積回
路）の実装に用いることができるものである。
従来から伝送モード変換器として、ストリップラインに
垂直に同軸線路を接続したストリップライン一同軸線路
変換器が知られている。
垂直に同軸線路を接続したストリップライン一同軸線路
変換器が知られている。
このストリップライン一同軸線路変換器の代表的な構成
は第１図に示される。第１図ａはマイクロストリップラ
イン側の部分を上から見た平面図、第１図ｂはストリッ
プライン１の中心部を通る断面図である。第１図におい
て、誘電体基板２はアルミナ、テフロンフアイバ等の高
周波損失の少ない材料が用いられる。誘電体基板２の裏
面に形成されたグランドプレーン３は同軸線路４の外導
体５と接続される。同軸線路４の内導体６の先端は誘電
体基板２を通ってストリップライン１の先端に接続され
る。内導体６の直径はストリップライン１の線路と同程
度かむしろ大きい場合があるため、図のように先端を細
くして接続されるのが普通である。グランドプレーン３
と同軸線路４との接触面７ではグランドプレーン３が内
導体６を中心として直径ｄで取り除かれ、同軸線路４の
誘電体（または空間）８と誘電体基板２とが接している
。一般に直径ｄは外導体５の内径より小さくとる。この
理由は、垂直に接続された２つの伝送線路の不連続部の
影響を少なくするためであるが、実際には誘電体基板２
の板厚寸法と外導体５の内蓬寸法の違いや譲軍体基板２
と同軸内の誘電体８の誘電率の違いにより電界の乱れを
生じるためで、特に周波数が高くなるほどこの影響が大
きいためである。第２図は同軸線路４を整合終端したと
き、ストリップライン１のある基板面Ａーバから見た反
射係数ｒの様子を示す一例である。
は第１図に示される。第１図ａはマイクロストリップラ
イン側の部分を上から見た平面図、第１図ｂはストリッ
プライン１の中心部を通る断面図である。第１図におい
て、誘電体基板２はアルミナ、テフロンフアイバ等の高
周波損失の少ない材料が用いられる。誘電体基板２の裏
面に形成されたグランドプレーン３は同軸線路４の外導
体５と接続される。同軸線路４の内導体６の先端は誘電
体基板２を通ってストリップライン１の先端に接続され
る。内導体６の直径はストリップライン１の線路と同程
度かむしろ大きい場合があるため、図のように先端を細
くして接続されるのが普通である。グランドプレーン３
と同軸線路４との接触面７ではグランドプレーン３が内
導体６を中心として直径ｄで取り除かれ、同軸線路４の
誘電体（または空間）８と誘電体基板２とが接している
。一般に直径ｄは外導体５の内径より小さくとる。この
理由は、垂直に接続された２つの伝送線路の不連続部の
影響を少なくするためであるが、実際には誘電体基板２
の板厚寸法と外導体５の内蓬寸法の違いや譲軍体基板２
と同軸内の誘電体８の誘電率の違いにより電界の乱れを
生じるためで、特に周波数が高くなるほどこの影響が大
きいためである。第２図は同軸線路４を整合終端したと
き、ストリップライン１のある基板面Ａーバから見た反
射係数ｒの様子を示す一例である。
第２図ａはｄが外導体５の内径に等しいとき、第２図ｂ
はｄが内導体６の直径に近づいたときの様子を示す。確
かにｄを４・さくすると反射係数ｒは小さくなるが、こ
れでもまだ不充分である。本発明はこれらの問題点を改
善した良好な伝送モード変換器を提供するものであり、
表面にストリップラインを有する誘電体基板の裏面に設
けたグランドプレーンに、前記誘電体基板に垂直に配置
した同軸線路の外導体または導波管を接続し、前記スト
リップラインの先端に前記誘電体基板を通して前記同軸
線路の内導体または前記導波管内に立てられるブローブ
を接続し、前記同軸線路または導波管と前記誘電体基板
とが接している接触面内に前記内導体またはプローブを
中心とする円形のグランドプレーン削除部分を設け、こ
のグランドプレーン削除部分における前記ストリップラ
インが表面に存在する側の部分に前記同軸線路の内導体
または前記導波管のプローブに接近してグランドプレー
ンとしての導体を配置したものである。
はｄが内導体６の直径に近づいたときの様子を示す。確
かにｄを４・さくすると反射係数ｒは小さくなるが、こ
れでもまだ不充分である。本発明はこれらの問題点を改
善した良好な伝送モード変換器を提供するものであり、
表面にストリップラインを有する誘電体基板の裏面に設
けたグランドプレーンに、前記誘電体基板に垂直に配置
した同軸線路の外導体または導波管を接続し、前記スト
リップラインの先端に前記誘電体基板を通して前記同軸
線路の内導体または前記導波管内に立てられるブローブ
を接続し、前記同軸線路または導波管と前記誘電体基板
とが接している接触面内に前記内導体またはプローブを
中心とする円形のグランドプレーン削除部分を設け、こ
のグランドプレーン削除部分における前記ストリップラ
インが表面に存在する側の部分に前記同軸線路の内導体
または前記導波管のプローブに接近してグランドプレー
ンとしての導体を配置したものである。
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第３図は本発明の一実施例としてのストリップライン一
同軸線路変換器を示しており、グランドプレーンと同軸
線路の接続される部分を同軸線路を取り除いて見たもの
である。第３図において、接触面におけるグランドプレ
ーン３を取り除いた円形の部分８のストリップライン１
がある側に対向するほぼ半円部に内導体６に接近してグ
ランドプレーン９が配置されている。ここでｄは外導体
５の内径に等しい。このようにグランドプレーン３の削
除部分内でのグランドプレーン９の導体形状を工夫する
ことによりストリップライン１による電磁界は同軸の内
導体６との接続部までそのＴＥＭモードを保つことがで
き、さらに従来例ではｄが内導体６の外径に近づくこに
よって生じていた同軸線路４側でのＴＥＭモード電磁界
の乱れを最少限にすることができる。第４図は上記実施
例における反射係数ｒの様子を示したもので、第２図の
従釆例と比べてその効果は明らかである。
同軸線路変換器を示しており、グランドプレーンと同軸
線路の接続される部分を同軸線路を取り除いて見たもの
である。第３図において、接触面におけるグランドプレ
ーン３を取り除いた円形の部分８のストリップライン１
がある側に対向するほぼ半円部に内導体６に接近してグ
ランドプレーン９が配置されている。ここでｄは外導体
５の内径に等しい。このようにグランドプレーン３の削
除部分内でのグランドプレーン９の導体形状を工夫する
ことによりストリップライン１による電磁界は同軸の内
導体６との接続部までそのＴＥＭモードを保つことがで
き、さらに従来例ではｄが内導体６の外径に近づくこに
よって生じていた同軸線路４側でのＴＥＭモード電磁界
の乱れを最少限にすることができる。第４図は上記実施
例における反射係数ｒの様子を示したもので、第２図の
従釆例と比べてその効果は明らかである。
グランドプレーン３とほぼ半円形のグランドプレーン９
を一体にしたグランドプレーンは膜技術などによって容
易に誘電体基板２の裏面に形成することができる。
を一体にしたグランドプレーンは膜技術などによって容
易に誘電体基板２の裏面に形成することができる。
あるいは同軸線路４の断面において金属薄膜により実現
してもよい。第５図は本発明の別の実施例のグランドプ
レーンのパターンを示す。
してもよい。第５図は本発明の別の実施例のグランドプ
レーンのパターンを示す。
この場合グランドプレーン削除部分８内でのグランドプ
レーン９′は丁度半円形であり、中心部に内導体６に対
応する切欠きを有しており、反射係数ｒの様子は第４図
とほとんど変わらない。第６図は本発明の他の実施例と
してのストリップライン−導波管変換器の断面図を示す
。
レーン９′は丁度半円形であり、中心部に内導体６に対
応する切欠きを有しており、反射係数ｒの様子は第４図
とほとんど変わらない。第６図は本発明の他の実施例と
してのストリップライン−導波管変換器の断面図を示す
。
誘電体基板１０上のストリップライン１１の先端からプ
ローブ１２が導波管１３内に立てられており、誘電体基
板１０の裏面のグランドプレーン１４はそのプロープ１
２を中心とする円形のグランドプレーン削除部分内にお
いてストリップライン１１のある側でプローブ１２に接
近したグランドプレーン１５を有している。これにより
非常に良好な特性を有する導波管−ストリップライン変
換器を構成できる。以上本発明によれば、非常に簡単な
構成により反射係数の小さい非常に良好な特性をもった
伝送モード変換器を得ることができ、その工業的価値は
著しく大きい。
ローブ１２が導波管１３内に立てられており、誘電体基
板１０の裏面のグランドプレーン１４はそのプロープ１
２を中心とする円形のグランドプレーン削除部分内にお
いてストリップライン１１のある側でプローブ１２に接
近したグランドプレーン１５を有している。これにより
非常に良好な特性を有する導波管−ストリップライン変
換器を構成できる。以上本発明によれば、非常に簡単な
構成により反射係数の小さい非常に良好な特性をもった
伝送モード変換器を得ることができ、その工業的価値は
著しく大きい。
第１図ａ，ｂは従来のストリップライン一同軸線路変換
器の一例をストリップライン側より見た上面図、および
断面図第２図ａ，ｂは反射特性図、第３図は本発明の一
実施例を示す、同軸線路を取り除いて見た裏面図、第４
図はその反射特性図、第５図は別の実施例を示す裏面図
、第６図はさらに別の実施例を示す断面図である。 １，１１・・・ストリップライン、２，１０・・・誘電
体基板、３，１４・・・グランドプレーン、４…同軸線
路、６・・・外導体、９，９′，１５・・・グランドプ
レーン削除部分のグランドプレーン、１２・・・プロー
プ、１３・・・導波管。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
器の一例をストリップライン側より見た上面図、および
断面図第２図ａ，ｂは反射特性図、第３図は本発明の一
実施例を示す、同軸線路を取り除いて見た裏面図、第４
図はその反射特性図、第５図は別の実施例を示す裏面図
、第６図はさらに別の実施例を示す断面図である。 １，１１・・・ストリップライン、２，１０・・・誘電
体基板、３，１４・・・グランドプレーン、４…同軸線
路、６・・・外導体、９，９′，１５・・・グランドプ
レーン削除部分のグランドプレーン、１２・・・プロー
プ、１３・・・導波管。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面にストリツプラインを有する誘電体基板の裏面
に設けたグランドプレーンに、前記誘電体基板に垂直に
配置した同軸線路の外導体を接続し、前記ストリツプラ
インの先端に前記誘電体基板を通して前記同軸線路の内
導体を接続し、前記同軸線路と前記誘電体基板とが接し
ている接触面内に前記内導体を中心とする円形のグラン
ドプレーン削除部分を設け、このグランドプレーン削除
部分内における前記ストリツプラインが表面に存在する
側の部分に前記同軸線路の内導体に接近してストリツプ
ラインとしての導体を配置したことを特徴とする伝送モ
ード変換器。 ２ 表面にストリツプラインを有する誘電体基板の裏面
に設けたグランドプレーンに、前記誘電体基板に垂直に
配置した同軸線路の外導体の構造をもつ導波管の外導体
を接続し、前記ストリツプラインの先端に前記誘電体基
板および前記同軸線路の外導体部を通して前記導波管内
に立てられるプローブを接続し、前記導波管と前記誘電
体基板とが接している接触面内に前記プローブを中心と
する円形のグランドプレーン削除部分を設け、このグラ
ンドプレーン削除部分内における前記ストリツプライン
が表面に存在する側の部分に前記プローブに接近してグ
ランドプレーンとしての導体を配置したことを特徴とす
る伝送モード変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16378878A JPS604603B2 (ja) | 1978-12-21 | 1978-12-21 | 伝送モ−ド変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16378878A JPS604603B2 (ja) | 1978-12-21 | 1978-12-21 | 伝送モ−ド変換器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5585104A JPS5585104A (en) | 1980-06-26 |
| JPS604603B2 true JPS604603B2 (ja) | 1985-02-05 |
Family
ID=15780712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16378878A Expired JPS604603B2 (ja) | 1978-12-21 | 1978-12-21 | 伝送モ−ド変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604603B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60170301A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導波管−ストリツプ線路変換装置 |
| JPS6454904A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Coaxial-microstrip line converter |
| JP4829014B2 (ja) * | 2006-06-15 | 2011-11-30 | 株式会社エムシーエム | モルタル連続練り装置とこれを用いた連続練りシステム |
| US7750764B2 (en) | 2008-02-27 | 2010-07-06 | Microsemi Corporation | Coaxial-to-microstrip transitions and manufacturing methods |
| JP6013297B2 (ja) * | 2013-09-03 | 2016-10-25 | 日本電信電話株式会社 | 高周波伝送線路 |
| JP6013298B2 (ja) * | 2013-09-03 | 2016-10-25 | 日本電信電話株式会社 | 高周波伝送線路 |
-
1978
- 1978-12-21 JP JP16378878A patent/JPS604603B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5585104A (en) | 1980-06-26 |
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