JP3385294B2 - ランゲカプラ - Google Patents
ランゲカプラInfo
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- JP3385294B2 JP3385294B2 JP29723394A JP29723394A JP3385294B2 JP 3385294 B2 JP3385294 B2 JP 3385294B2 JP 29723394 A JP29723394 A JP 29723394A JP 29723394 A JP29723394 A JP 29723394A JP 3385294 B2 JP3385294 B2 JP 3385294B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lange coupler
- substrate
- conductor
- back surface
- coupled line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば１ＧＨz 以上
の周波数波帯域のマイクロ波回路にて、その構成要素の
１つとして用いられるランゲカプラに関するものであ
る。
の周波数波帯域のマイクロ波回路にて、その構成要素の
１つとして用いられるランゲカプラに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来のランゲカプラの一例を示す
平面図、図５はそれをＭ−Ｍに添って切断した断面図で
あり、結合線路の導体数が４本の場合のものについて示
している。また、図６は従来のランゲカプラの他の例を
示す断面図であり、結合線路の導体数が６本の場合のも
のについて示している。図において、１はこのランゲカ
プラが形成される基板であり、２はこの基板１の表面に
配置された、マイクロ波信号を結合するための複数の導
体より成る結合線路、３はこの基板１の裏面に全体的に
配置された裏面導体である。また、４ａ，４ｂはそれぞ
れ結合線路２の導体が接続された入出力ポートであり、
５ａ，５ｂは同様に結合線路２の導体が接続された負荷
ポートである。
平面図、図５はそれをＭ−Ｍに添って切断した断面図で
あり、結合線路の導体数が４本の場合のものについて示
している。また、図６は従来のランゲカプラの他の例を
示す断面図であり、結合線路の導体数が６本の場合のも
のについて示している。図において、１はこのランゲカ
プラが形成される基板であり、２はこの基板１の表面に
配置された、マイクロ波信号を結合するための複数の導
体より成る結合線路、３はこの基板１の裏面に全体的に
配置された裏面導体である。また、４ａ，４ｂはそれぞ
れ結合線路２の導体が接続された入出力ポートであり、
５ａ，５ｂは同様に結合線路２の導体が接続された負荷
ポートである。
【０００３】次に動作について説明する。結合線路２の
一方の入出力ポート４ａに入力されたマイクロ波は、そ
れに接続され導体から他方の入出力ポート４ｂに接続さ
れた導体に結合されて、その入出力ポート４ｂより出力
される。このようなランゲカプラを回路の構成要素とし
て持つマイクロ波回路の使用可能周波数帯域は、ランゲ
カプラの帯域によって制限されることがある。そのよう
な場合に、ランゲカプラの周波数帯域を広げてマイクロ
波回路の広帯域化をはかろうとするには、ランゲカプラ
の結合線路２の導体数を増やす方法が有効である。この
結合線路２の導体数ｎが、図４、図５に示す４本の場合
と図６に示す６本の場合のシミュレーション結果を次の
表１に示す。
一方の入出力ポート４ａに入力されたマイクロ波は、そ
れに接続され導体から他方の入出力ポート４ｂに接続さ
れた導体に結合されて、その入出力ポート４ｂより出力
される。このようなランゲカプラを回路の構成要素とし
て持つマイクロ波回路の使用可能周波数帯域は、ランゲ
カプラの帯域によって制限されることがある。そのよう
な場合に、ランゲカプラの周波数帯域を広げてマイクロ
波回路の広帯域化をはかろうとするには、ランゲカプラ
の結合線路２の導体数を増やす方法が有効である。この
結合線路２の導体数ｎが、図４、図５に示す４本の場合
と図６に示す６本の場合のシミュレーション結果を次の
表１に示す。
【０００４】
【表１】
【０００５】この表１は、そのランゲカプラの通過損失
Ｓ21については図７に示すような、また反射量ＶＳＷＲ
については図８に示すような周波数特性のシミュレーシ
ョンを、その負荷ポート５ａ，５ｂをオープン状態にし
た場合とショート状態にした場合のそれぞれについて実
行し、通過損失の絶対値｜Ｓ21｜が２ｄＢ未満となる周
波数帯域Δｆ1 、および反射量ＶＳＷＲが２未満となる
周波数帯域Δｆ2 を示したものであり、そのときの結合
線路２の導体幅ｗと導体間隔ｓについても併せて示して
いる。なお、この場合の基板１の厚さは２００μｍ、ε
r は１２．９、tan δは０．００１であり、また、結合
線路２の導体幅ｗと導体間隔ｓは、導体数ｎが４本およ
び６本の場合において最も周波数帯域が広くなるように
最適化した場合の値である。
Ｓ21については図７に示すような、また反射量ＶＳＷＲ
については図８に示すような周波数特性のシミュレーシ
ョンを、その負荷ポート５ａ，５ｂをオープン状態にし
た場合とショート状態にした場合のそれぞれについて実
行し、通過損失の絶対値｜Ｓ21｜が２ｄＢ未満となる周
波数帯域Δｆ1 、および反射量ＶＳＷＲが２未満となる
周波数帯域Δｆ2 を示したものであり、そのときの結合
線路２の導体幅ｗと導体間隔ｓについても併せて示して
いる。なお、この場合の基板１の厚さは２００μｍ、ε
r は１２．９、tan δは０．００１であり、また、結合
線路２の導体幅ｗと導体間隔ｓは、導体数ｎが４本およ
び６本の場合において最も周波数帯域が広くなるように
最適化した場合の値である。
【０００６】この表１によれば、結合線路２の導体数ｎ
を４本から６本に増加させることによって、通過損失の
絶対値｜Ｓ21｜が２ｄＢ未満となる周波数帯域Δｆ1 は
４〜５．５ＧＨz 程度、反射量ＶＳＷＲが２未満となる
周波数帯域Δｆ2 は２ＧＨz程度広帯域化されることが
わかる。また、このように結合線路２の導体数ｎを４本
から６本に増加させて広帯域化させた場合には、その導
体幅ｗは６．７μｍから１．０μｍに、導体間隔ｓは１
４．６μｍから８．２μｍにそれぞれ小さくする必要が
あることがわかる。
を４本から６本に増加させることによって、通過損失の
絶対値｜Ｓ21｜が２ｄＢ未満となる周波数帯域Δｆ1 は
４〜５．５ＧＨz 程度、反射量ＶＳＷＲが２未満となる
周波数帯域Δｆ2 は２ＧＨz程度広帯域化されることが
わかる。また、このように結合線路２の導体数ｎを４本
から６本に増加させて広帯域化させた場合には、その導
体幅ｗは６．７μｍから１．０μｍに、導体間隔ｓは１
４．６μｍから８．２μｍにそれぞれ小さくする必要が
あることがわかる。
【０００７】なお、このような従来のランゲカプラに関
連した技術が記載された文献としては、例えば「アイ・
イー・イー・イー トランザクションズ オン マイク
ロウェーブ セオリー アンド テクニクス（ＩＥＥＥ
ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳＯＮ ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ
ＴＨＥＯＲＹ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ）」Ｍ
ＴＴ−２６巻 １０号（１９７８年１０月）の７９５〜
８０１ページに、ユウスケ タジマ（ＹＵＳＵＫＥ Ｔ
ＡＪＩＭＡ）等によって発表されたされた論文「マルチ
コンダクター カプラーズ（Ｍｕｌｔｉｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ Ｃｏｕ−ｐｌｅｒｓ）」などがある。
連した技術が記載された文献としては、例えば「アイ・
イー・イー・イー トランザクションズ オン マイク
ロウェーブ セオリー アンド テクニクス（ＩＥＥＥ
ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳＯＮ ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ
ＴＨＥＯＲＹ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ）」Ｍ
ＴＴ−２６巻 １０号（１９７８年１０月）の７９５〜
８０１ページに、ユウスケ タジマ（ＹＵＳＵＫＥ Ｔ
ＡＪＩＭＡ）等によって発表されたされた論文「マルチ
コンダクター カプラーズ（Ｍｕｌｔｉｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ Ｃｏｕ−ｐｌｅｒｓ）」などがある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のランゲカプラは
以上のように構成されているので、マイクロ波回路の周
波数帯域を結合線路２の導体数を増やすことによって広
げようとした場合、結合線路２の導体幅や導体間隔が著
しく小さくなって、プロセス上実現不可能になることが
あるといった問題点があった。
以上のように構成されているので、マイクロ波回路の周
波数帯域を結合線路２の導体数を増やすことによって広
げようとした場合、結合線路２の導体幅や導体間隔が著
しく小さくなって、プロセス上実現不可能になることが
あるといった問題点があった。
【０００９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、結合線路の導体数を増やしたこ
とによる広帯域特性を維持したままで、製造が可能な導
体幅および導体間隔の結合線路を持ったランゲカプラを
得ることを目的とする。
ためになされたもので、結合線路の導体数を増やしたこ
とによる広帯域特性を維持したままで、製造が可能な導
体幅および導体間隔の結合線路を持ったランゲカプラを
得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
係るランゲカプラは、表面に結合線路、裏面に裏面導体
がそれぞれ配置された基板の、結合線路が配置された部
分の裏面にほりこみ部を設けたものである。
係るランゲカプラは、表面に結合線路、裏面に裏面導体
がそれぞれ配置された基板の、結合線路が配置された部
分の裏面にほりこみ部を設けたものである。
【００１１】また、請求項２に記載の発明に係るランゲ
カプラは、そのほりこみ部を低誘電率材料で充填したも
のである。
カプラは、そのほりこみ部を低誘電率材料で充填したも
のである。
【００１２】
【作用】請求項１に記載の発明におけるランゲカプラ
は、基板の結合線路が配置された部分の裏面にほりこみ
部を設けることにより、基板の誘電率を低減して結合線
路と裏面導体の間の電界を小さくし、結合線路が製造可
能な導体幅および導体間隔を持った周波数帯域の広いラ
ンゲカプラを実現する。
は、基板の結合線路が配置された部分の裏面にほりこみ
部を設けることにより、基板の誘電率を低減して結合線
路と裏面導体の間の電界を小さくし、結合線路が製造可
能な導体幅および導体間隔を持った周波数帯域の広いラ
ンゲカプラを実現する。
【００１３】また、請求項２に記載の発明におけるラン
ゲカプラは、基板裏面のほりこみ部に低誘電率材料を充
填することにより、基板の強度が高く、裏面導体の処理
も簡単な、製造のし易いランゲカプラを実現する。
ゲカプラは、基板裏面のほりこみ部に低誘電率材料を充
填することにより、基板の強度が高く、裏面導体の処理
も簡単な、製造のし易いランゲカプラを実現する。
【００１４】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は実施例１によるランゲカプラを示す平面
図、図２はそれをＭ−Ｍに添って切断した断面図であ
り、結合線路の導体数が６本の場合のものを示してい
る。図において、１は基板、２は結合線路、３は裏面導
体、４ａ，４ｂは入出力ポート、５ａ，５ｂは負荷ポー
トであり、図４および図５に同一符号を付した従来のそ
れらと同一、もしくは相当部分であるため詳細な説明は
省略する。また、６は基板１の裏面の結合線路２が配置
された部分の直下に設けられたほりこみ部である。
する。図１は実施例１によるランゲカプラを示す平面
図、図２はそれをＭ−Ｍに添って切断した断面図であ
り、結合線路の導体数が６本の場合のものを示してい
る。図において、１は基板、２は結合線路、３は裏面導
体、４ａ，４ｂは入出力ポート、５ａ，５ｂは負荷ポー
トであり、図４および図５に同一符号を付した従来のそ
れらと同一、もしくは相当部分であるため詳細な説明は
省略する。また、６は基板１の裏面の結合線路２が配置
された部分の直下に設けられたほりこみ部である。
【００１５】次に動作について説明する。ここで、この
ランゲカプラの基本的な動作は従来の場合と同様であ
る。なお、このランゲカプラは、イーブン（ｅｖｅｎ）
モードとオッド（ｏｄｄ）モードの相互作用によってそ
の特性インピーダンスＺ0 が決定されるものであり、そ
れぞれのモードのインピーダンスＺevenおよびＺodd よ
り次の式で与えられる。
ランゲカプラの基本的な動作は従来の場合と同様であ
る。なお、このランゲカプラは、イーブン（ｅｖｅｎ）
モードとオッド（ｏｄｄ）モードの相互作用によってそ
の特性インピーダンスＺ0 が決定されるものであり、そ
れぞれのモードのインピーダンスＺevenおよびＺodd よ
り次の式で与えられる。
【００１６】
Ｚ0 ＝ (Ｚeven×Ｚodd)1/2 （＝５０Ω）
【００１７】また、このランゲカプラの結合線路２の導
体幅ｗと導体間隔ｓは、前記イーブンモードとオッドモ
ードのインピーダンスＺevenおよびＺodd と、基板１の
厚みおよびその誘電率によって決められる。そして、そ
のインピーダンスＺevenは主として結合線路２と裏面導
体３の間の電界分布によって決定され、インピーダンス
Ｚodd は結合線路２の導体間の電界分布によって決定さ
れる。ここで、ランゲカプラを広帯域化するため、結合
線路２の導体数を増やしてその結合度を増加させると、
インピーダンスＺodd は減少する。従って、そのときの
特性インピーダンスＺ0 を５０Ωに維持しておくために
は、インピーダンスＺevenを増加させる必要が生じる。
このインピーダンスＺevenを増加させる方法としては、
主に結合線路２の導体幅を減少させるか、結合線路２と
裏面導体３の間の電界を小さくするなどの方法がとられ
ている。この発明では、結合線路２の導体幅をあまり減
少させると製造が困難になってくるため、基板１の結合
線路２が配置された部分の裏面にほりこみ部６を設けて
結合線路２と裏面導体３の間の電界を小さくすること
で、インピーダンスＺevenを増加させている。なおこの
ほりこみ部６は、基板１の結合線路２が配置された部分
の直下を裏面より、例えばウェットエッチングなどによ
ってほりこむことによって形成している。
体幅ｗと導体間隔ｓは、前記イーブンモードとオッドモ
ードのインピーダンスＺevenおよびＺodd と、基板１の
厚みおよびその誘電率によって決められる。そして、そ
のインピーダンスＺevenは主として結合線路２と裏面導
体３の間の電界分布によって決定され、インピーダンス
Ｚodd は結合線路２の導体間の電界分布によって決定さ
れる。ここで、ランゲカプラを広帯域化するため、結合
線路２の導体数を増やしてその結合度を増加させると、
インピーダンスＺodd は減少する。従って、そのときの
特性インピーダンスＺ0 を５０Ωに維持しておくために
は、インピーダンスＺevenを増加させる必要が生じる。
このインピーダンスＺevenを増加させる方法としては、
主に結合線路２の導体幅を減少させるか、結合線路２と
裏面導体３の間の電界を小さくするなどの方法がとられ
ている。この発明では、結合線路２の導体幅をあまり減
少させると製造が困難になってくるため、基板１の結合
線路２が配置された部分の裏面にほりこみ部６を設けて
結合線路２と裏面導体３の間の電界を小さくすること
で、インピーダンスＺevenを増加させている。なおこの
ほりこみ部６は、基板１の結合線路２が配置された部分
の直下を裏面より、例えばウェットエッチングなどによ
ってほりこむことによって形成している。
【００１８】このように、この実施例１は基板１の裏面
の結合線路２が配置された部分の直下にほりこみ部６を
設け、基板１の誘電率を低下させて結合線路２と裏面導
体３の間の電界を小さくすることにより、インピーダン
スＺevenを増加させてインピーダンスＺodd の減少分を
補償するものであり、これによって、結合線路２の導体
数を増やしたことによる広帯域特性を維持したままで、
製造が可能な導体幅および導体間隔を持った結合線路２
によるランゲカプラを実現する。
の結合線路２が配置された部分の直下にほりこみ部６を
設け、基板１の誘電率を低下させて結合線路２と裏面導
体３の間の電界を小さくすることにより、インピーダン
スＺevenを増加させてインピーダンスＺodd の減少分を
補償するものであり、これによって、結合線路２の導体
数を増やしたことによる広帯域特性を維持したままで、
製造が可能な導体幅および導体間隔を持った結合線路２
によるランゲカプラを実現する。
【００１９】実施例２．次に、この発明の他の実施例を
図について説明する。図３は実施例２によるランゲカプ
ラを示す断面図で、相当部分には図１と同一符号を付し
てその説明を省略する。図において、７は基板１の裏面
の結合線路２が配置された部分の直下に設けられたほり
こみ部６に充填された低誘電率材料で、この低誘電率材
料７としては、例えばポリイミド樹脂等が用いられる。
図について説明する。図３は実施例２によるランゲカプ
ラを示す断面図で、相当部分には図１と同一符号を付し
てその説明を省略する。図において、７は基板１の裏面
の結合線路２が配置された部分の直下に設けられたほり
こみ部６に充填された低誘電率材料で、この低誘電率材
料７としては、例えばポリイミド樹脂等が用いられる。
【００２０】次に動作について説明する。なお、このラ
ンゲカプラの基本的な動作は実施例１の場合と同様であ
る。ここで、空気の誘電率ε1 はε1 ＝１であるのに対
して、低誘電率材料７の誘電率ε2 はいくら低誘電率と
いってもε2 ＞１となる。そのため、このようにほりこ
み部６に低誘電率材料７を充填した場合、実施例１のよ
うにほりこみ部６になにも充填せず空気のままとした場
合に比べると、インピーダンスＺevenの増大効果は低下
する。従って、ほりこみ部６内に充填する低誘電率材料
７としては極力誘電率ε2 の低い材料を用いることが望
ましい。
ンゲカプラの基本的な動作は実施例１の場合と同様であ
る。ここで、空気の誘電率ε1 はε1 ＝１であるのに対
して、低誘電率材料７の誘電率ε2 はいくら低誘電率と
いってもε2 ＞１となる。そのため、このようにほりこ
み部６に低誘電率材料７を充填した場合、実施例１のよ
うにほりこみ部６になにも充填せず空気のままとした場
合に比べると、インピーダンスＺevenの増大効果は低下
する。従って、ほりこみ部６内に充填する低誘電率材料
７としては極力誘電率ε2 の低い材料を用いることが望
ましい。
【００２１】ここで、実際の製造を考慮した場合、実施
例１のように、ほりこみ部６内になにも充填せず空洞の
ままにしておくと基板１の裏面が平らでなくなって裏面
導体３の処理がめんどうなものとなり、基板１の強度も
低いものとなってしまう、しかしながら、この実施例２
のように、ほりこみ部６内を低誘電率材料７にて充填す
ると、基板１の裏面が平らになるため裏面導体３の処理
が容易となり、なにも充填せずに空洞のままとした場合
に比べて基板１の強度も強いものとなる。
例１のように、ほりこみ部６内になにも充填せず空洞の
ままにしておくと基板１の裏面が平らでなくなって裏面
導体３の処理がめんどうなものとなり、基板１の強度も
低いものとなってしまう、しかしながら、この実施例２
のように、ほりこみ部６内を低誘電率材料７にて充填す
ると、基板１の裏面が平らになるため裏面導体３の処理
が容易となり、なにも充填せずに空洞のままとした場合
に比べて基板１の強度も強いものとなる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、請求項１に記載の発明に
よれば、基板の結合線路が配置された部分の裏面にほり
こみ部を設けるように構成したので、広帯域化のために
結合線路の導体数を増加させた際のインピーダンスＺ
odd の減少分を、結合線路と裏面導体の間の電界を小さ
くすることによってインピーダンスＺevenを増加させて
補償することが可能となり、結合線路の導体幅および導
体間隔を製造可能なサイズに留め、広帯域特性を維持し
ておくことが可能なランゲカプラが得られる効果があ
る。
よれば、基板の結合線路が配置された部分の裏面にほり
こみ部を設けるように構成したので、広帯域化のために
結合線路の導体数を増加させた際のインピーダンスＺ
odd の減少分を、結合線路と裏面導体の間の電界を小さ
くすることによってインピーダンスＺevenを増加させて
補償することが可能となり、結合線路の導体幅および導
体間隔を製造可能なサイズに留め、広帯域特性を維持し
ておくことが可能なランゲカプラが得られる効果があ
る。
【００２３】また、請求項２に記載の発明によれば、そ
のほりこみ部をさらに低誘電率材料で充填するように構
成したので、基板裏面が平らになって裏面導体の処理が
容易となり、さらに基板の強度も補強することができる
ランゲカプラが得られる効果がある。
のほりこみ部をさらに低誘電率材料で充填するように構
成したので、基板裏面が平らになって裏面導体の処理が
容易となり、さらに基板の強度も補強することができる
ランゲカプラが得られる効果がある。
【図１】 この発明の実施例１によるランゲカプラを示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】 上記実施例によるランゲカプラの断面図であ
る。
る。
【図３】 この発明の実施例２によるランゲカプラを示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】 従来のランゲカプラの一例を示す平面図であ
る。
る。
【図５】 上記従来のランゲカプラの断面図である。
【図６】 従来のランゲカプラの他の例を示す断面図で
ある。
ある。
【図７】 その通過損失の周波数特性のシミュレーショ
ン例を示す説明図である。
ン例を示す説明図である。
【図８】 その反射量の周波数特性のシミュレーション
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
１ 基板、２ 結合線路、３ 裏面導体、６ ほりこみ
部、７ 低誘電率材料。
部、７ 低誘電率材料。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平１−213005（ＪＰ，Ａ)
特開 昭53−116757（ＪＰ，Ａ)
特開 昭51−58844（ＪＰ，Ａ)
実開 昭54−136944（ＪＰ，Ｕ)
米国特許4937541（ＵＳ，Ａ)
米国特許4288761（ＵＳ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01P 5/18
Claims (2)
- 【請求項１】 その裏面に裏面導体が配置された基板の
表面に、マイクロ波信号を結合するための複数の導体に
よる結合線路を配置して成るランゲカプラにおいて、前
記基板の前記結合線路が配置された部分の裏面にほりこ
み部を設けたことを特徴とするランゲカプラ。 - 【請求項２】 前記結合線路が配置された部分の前記基
板の裏面に設けられたほりこみ部を、低誘電率材料で充
填したことを特徴とする請求項１に記載のランゲカプ
ラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29723394A JP3385294B2 (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | ランゲカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29723394A JP3385294B2 (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | ランゲカプラ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162811A JPH08162811A (ja) | 1996-06-21 |
| JP3385294B2 true JP3385294B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=17843895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29723394A Expired - Lifetime JP3385294B2 (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | ランゲカプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3385294B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100367623B1 (ko) * | 1999-11-29 | 2003-01-10 | 대한민국 | 공기 절연층을 갖는 마이크로스트립 구조의 모놀리식마이크로웨이브 아이.씨.용 3 ｄＢ 커플러 및 그 제작 방법 |
-
1994
- 1994-11-30 JP JP29723394A patent/JP3385294B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08162811A (ja) | 1996-06-21 |
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