JPH0326643Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0326643Y2 JPH0326643Y2 JP1985150552U JP15055285U JPH0326643Y2 JP H0326643 Y2 JPH0326643 Y2 JP H0326643Y2 JP 1985150552 U JP1985150552 U JP 1985150552U JP 15055285 U JP15055285 U JP 15055285U JP H0326643 Y2 JPH0326643 Y2 JP H0326643Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- waveguide
- dielectric block
- dielectric
- converter
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 36
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
- H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本考案は、誘電体を詰めた導波管から伝達され
る信号をマイクロストリツプラインに信号損失な
く伝達する導波管−マイクロストリツプライン変
換器に関するものである。
る信号をマイクロストリツプラインに信号損失な
く伝達する導波管−マイクロストリツプライン変
換器に関するものである。
(従来の技術)
マイクロ波帯においては立体回路から種々の利
点がある平面回路が多く採用されるようになつて
きた。そこで、立体回路の導波管から平面回路の
マイクロストリツプラインへ(この逆ケースもあ
る)信号を伝達することがしばしば見受けられ
る。方形導波管で一般的なのがTEモードであり、
マイクロストリツプラインはTEMモードであり、
導波管とマイクロストリツプラインとを接続する
にはインピーダンス整合をとるためにモード変換
器を介して接続しなければならない。
点がある平面回路が多く採用されるようになつて
きた。そこで、立体回路の導波管から平面回路の
マイクロストリツプラインへ(この逆ケースもあ
る)信号を伝達することがしばしば見受けられ
る。方形導波管で一般的なのがTEモードであり、
マイクロストリツプラインはTEMモードであり、
導波管とマイクロストリツプラインとを接続する
にはインピーダンス整合をとるためにモード変換
器を介して接続しなければならない。
従来の導波管−マイクロストリツプライン変換
器を第4図に示す。21は短絡導波管、22はプ
ローブ、23はMIC基板、24はマイクロスト
リツプライン、25は半田、26は取付台、27
はネジ、28は切欠き部である。
器を第4図に示す。21は短絡導波管、22はプ
ローブ、23はMIC基板、24はマイクロスト
リツプライン、25は半田、26は取付台、27
はネジ、28は切欠き部である。
金属性の短絡導波管21は空洞になつており、
プローブ22の一端が突出する切欠き部28とプ
ローブ22をネジ27で固定するための穴が設け
られており、プローブ22の一端を切欠き部28
から突出させプローブ22の他端をネジ27によ
つて短絡導波管21に固定してプローブ22を短
絡導波管21の内に設け、短絡導波管21から突
出したプローブ22の一端はMIC基板23の上
に形成されたマイクロストリツプライン24と半
田25によつて接続される。そして、MIC基板
23と短絡導波管21とを取付台26に取り付け
て導波管−マイクロストリツプライン変換器を構
成していた。
プローブ22の一端が突出する切欠き部28とプ
ローブ22をネジ27で固定するための穴が設け
られており、プローブ22の一端を切欠き部28
から突出させプローブ22の他端をネジ27によ
つて短絡導波管21に固定してプローブ22を短
絡導波管21の内に設け、短絡導波管21から突
出したプローブ22の一端はMIC基板23の上
に形成されたマイクロストリツプライン24と半
田25によつて接続される。そして、MIC基板
23と短絡導波管21とを取付台26に取り付け
て導波管−マイクロストリツプライン変換器を構
成していた。
(考案が解決しようとする問題点)
従来の導波管−マイクロストリツプライン変換
器ではプローブ22をネジ27によつて短絡導波
管21に固定しており、プローブ22がネジ27
止めされる面は表面電流が多く流れ、プローブ2
2と短絡導波管21との接触がネジ27止めであ
るために不完全となり易く、この接触部分におけ
る高周波抵抗が大きくなり、信号損失が大きくな
るという問題点があつた。また、ネジ27止めは
振動等により緩み易く、プローブ22のガタツキ
が発生し、振動に弱く、信号損失も大きくあつ
た。
器ではプローブ22をネジ27によつて短絡導波
管21に固定しており、プローブ22がネジ27
止めされる面は表面電流が多く流れ、プローブ2
2と短絡導波管21との接触がネジ27止めであ
るために不完全となり易く、この接触部分におけ
る高周波抵抗が大きくなり、信号損失が大きくな
るという問題点があつた。また、ネジ27止めは
振動等により緩み易く、プローブ22のガタツキ
が発生し、振動に弱く、信号損失も大きくあつ
た。
本考案の目的は、このような従来例における問
題点を解決するためになされたもので、内部に誘
電体を充填したタイプの短絡導波管の内にプロー
ブを設けることにより誘電体でプローブを保持で
き、プローブのガタツキ等の発生がなく、またプ
ローブと短絡導波管の表面の誘電体層とを一体に
形成することにより高周波抵抗を小さくでき、信
号損失をきわめて小さくした導波管−マイクロス
トリツプライン変換器を提供することにある。
題点を解決するためになされたもので、内部に誘
電体を充填したタイプの短絡導波管の内にプロー
ブを設けることにより誘電体でプローブを保持で
き、プローブのガタツキ等の発生がなく、またプ
ローブと短絡導波管の表面の誘電体層とを一体に
形成することにより高周波抵抗を小さくでき、信
号損失をきわめて小さくした導波管−マイクロス
トリツプライン変換器を提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
かかる目的を達成するために、本考案に係るモ
ード変換器は、誘電体ブロツク内に導電体のプロ
ーブを設け、該プローブの一端を前記誘電体ブロ
ツクの第2の面の表面に露出させて接続部とな
し、前記第1の面に平行な第2の面と前記接続部
の周囲とを除いた表面に誘電体層を形成し、前記
第2の面に導波管の一端を接続すると共に前記接
続部とマイクロストリツプラインとを接続してモ
ード変換を行なように構成されている。
ード変換器は、誘電体ブロツク内に導電体のプロ
ーブを設け、該プローブの一端を前記誘電体ブロ
ツクの第2の面の表面に露出させて接続部とな
し、前記第1の面に平行な第2の面と前記接続部
の周囲とを除いた表面に誘電体層を形成し、前記
第2の面に導波管の一端を接続すると共に前記接
続部とマイクロストリツプラインとを接続してモ
ード変換を行なように構成されている。
(作用)
プローブを誘電体ブロツク内に設けることによ
り、誘電体でプローブを固定保持するので、プロ
ーブのガタツキが発生せず、振動に対しても強く
信号の損失も起こらない。また、プローブを誘電
体ブロツクの表面に形成される誘電体層と一体に
形成できるのでプローブと短絡導波管とが確実に
接続でき、この部分の高周波抵抗を小さくでき
る。
り、誘電体でプローブを固定保持するので、プロ
ーブのガタツキが発生せず、振動に対しても強く
信号の損失も起こらない。また、プローブを誘電
体ブロツクの表面に形成される誘電体層と一体に
形成できるのでプローブと短絡導波管とが確実に
接続でき、この部分の高周波抵抗を小さくでき
る。
(実施例の説明)
本考案の実施例を第1図〜第3図に示して詳細
に説明する。1,6は誘電体ブロツク、2はプロ
ーブ、3は接続部、4,5,7は誘電体ブロツク
1,6の露出部、8は短絡導波管をそれぞれ示
す。2つの誘電体ブロツク1,6の表面にメツキ
技術等の手段により導電体層を形成し、まず誘電
体ブロツク1では導波管と接する面とプローブ2
が形成される面の露出部4およびプローブ2が形
成される面に隣接した面に形成される接続部3の
周囲の露出部5をエツチング技術等の手段により
形成する。即ち、導波管と接する面と露出部45
とに形成されていた導電体層をエツチング技術に
よつて除去し、プローブ2と接続部3が形成され
る。なお、プローブ2の他端は誘電体ブロツク1
の表面に形成された導電体層と一体になつて確実
に表面の導電体層と接続されている。一方、誘電
体ブロツク6では導波管と接する面とプローブ2
と接する面および露出部7の部分の導電体層をエ
ツチング技術等の手段で除去する。そして、誘電
体ブロツク1,6をプローブ2を挾むように合わ
せ、2つの誘電体ブロツク1,6を1つの誘電体
ブロツクとみなし、その表面に導電体層を形成し
た短絡導波管8が構成される。この短絡導波管8
とプローブ2とにより導波管−マイクロストリツ
プライン変換器が構成される。
に説明する。1,6は誘電体ブロツク、2はプロ
ーブ、3は接続部、4,5,7は誘電体ブロツク
1,6の露出部、8は短絡導波管をそれぞれ示
す。2つの誘電体ブロツク1,6の表面にメツキ
技術等の手段により導電体層を形成し、まず誘電
体ブロツク1では導波管と接する面とプローブ2
が形成される面の露出部4およびプローブ2が形
成される面に隣接した面に形成される接続部3の
周囲の露出部5をエツチング技術等の手段により
形成する。即ち、導波管と接する面と露出部45
とに形成されていた導電体層をエツチング技術に
よつて除去し、プローブ2と接続部3が形成され
る。なお、プローブ2の他端は誘電体ブロツク1
の表面に形成された導電体層と一体になつて確実
に表面の導電体層と接続されている。一方、誘電
体ブロツク6では導波管と接する面とプローブ2
と接する面および露出部7の部分の導電体層をエ
ツチング技術等の手段で除去する。そして、誘電
体ブロツク1,6をプローブ2を挾むように合わ
せ、2つの誘電体ブロツク1,6を1つの誘電体
ブロツクとみなし、その表面に導電体層を形成し
た短絡導波管8が構成される。この短絡導波管8
とプローブ2とにより導波管−マイクロストリツ
プライン変換器が構成される。
そして、例えば、第3図に示すようなバンドパ
スフイルタに用いられる。第3図において、内部
に誘電体が充填された導波管共振器11〜13を
順次接続し、その両端に内部に誘電体が充填され
た導波管10,14を設けてバンドパスフイルタ
を構成し、このバンドパスフイルタの両端に本考
案による導波管−マイクロストリツプライン変換
器9,15を接続して取付台20の上に乗せ、導
波管−マイクロストリツプライン変換器9,15
の接続部3をMIC基板16,17上に形成した
マイクロストリツプライン18,19に半田付け
にて接続する。
スフイルタに用いられる。第3図において、内部
に誘電体が充填された導波管共振器11〜13を
順次接続し、その両端に内部に誘電体が充填され
た導波管10,14を設けてバンドパスフイルタ
を構成し、このバンドパスフイルタの両端に本考
案による導波管−マイクロストリツプライン変換
器9,15を接続して取付台20の上に乗せ、導
波管−マイクロストリツプライン変換器9,15
の接続部3をMIC基板16,17上に形成した
マイクロストリツプライン18,19に半田付け
にて接続する。
(考案の効果)
叙上のように本考案によると、誘電体ブロツク
の内にプローブを設けたので、導電体によつてプ
ローブが固定保持され、特に、誘電体ブロツク上
に形成されて誘電体ブロツクで挾む構造であれば
機械的に安定となり、振動に対して強く、振動等
による劣化はほとんど認められず、信号損失も起
こらない。また、短絡導波管の表面の導電体層と
プローブとを一体に形成できるので導電体層とプ
ローブが確実に接続でき、この部分の高周波抵抗
が小さく信号損失を生じさせない等のきわめて大
きな効果を奏する。
の内にプローブを設けたので、導電体によつてプ
ローブが固定保持され、特に、誘電体ブロツク上
に形成されて誘電体ブロツクで挾む構造であれば
機械的に安定となり、振動に対して強く、振動等
による劣化はほとんど認められず、信号損失も起
こらない。また、短絡導波管の表面の導電体層と
プローブとを一体に形成できるので導電体層とプ
ローブが確実に接続でき、この部分の高周波抵抗
が小さく信号損失を生じさせない等のきわめて大
きな効果を奏する。
第1図は、本考案による実施例を示す分解斜視
図であり、第2図は、同じく実施例を示す斜視図
であり、第3図は、実施例をバンドパスフイルタ
に採用した状態を示す分解斜視図であり、第4図
は、従来の導波管−マイクロストリツプライン変
換器を示す斜視図である。 1,6……誘電体ブロツク、2……プローブ、
3……接続部、4,5,7……露出部、8……短
絡導波管、9,15……導波管−マイクロストリ
ツプライン変換器、18,19……マイクロスト
リツプライン。
図であり、第2図は、同じく実施例を示す斜視図
であり、第3図は、実施例をバンドパスフイルタ
に採用した状態を示す分解斜視図であり、第4図
は、従来の導波管−マイクロストリツプライン変
換器を示す斜視図である。 1,6……誘電体ブロツク、2……プローブ、
3……接続部、4,5,7……露出部、8……短
絡導波管、9,15……導波管−マイクロストリ
ツプライン変換器、18,19……マイクロスト
リツプライン。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 誘電体ブロツク内に導電体のプローブを設
け、該プローブの一端を前記誘電体ブロツクの
第1の面の表面に露出させて接続部となし、前
記第1の面に平行な第2の面と前記接続部の周
囲とを除いた表面に導電体層を形成し、前記第
2の面に導波管の一端を接続すると共に、前記
接続部にマイクロストリツプラインを接続して
モード変換することを特徴とする導波管−マイ
クロストリツプライン変換器。 (2) 誘電体ブロツクの側壁に導電体でプローブを
形成し、該誘電体ブロツクと他の誘電体ブロツ
クとで該プローブを挾むように合せることを特
徴とする実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の
導波管−マイクロストリツプライン変換器。 (3) プローブの他端を誘電体ブロツクの表面に形
成された誘電体層と一体に形成したことを特徴
とする実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の導
波管−マイクロストリツプライン変換器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985150552U JPH0326643Y2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | |
US06/911,393 US4725793A (en) | 1985-09-30 | 1986-09-25 | Waveguide-microstrip line converter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985150552U JPH0326643Y2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6258908U JPS6258908U (ja) | 1987-04-11 |
JPH0326643Y2 true JPH0326643Y2 (ja) | 1991-06-10 |
Family
ID=15499370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1985150552U Expired JPH0326643Y2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4725793A (ja) |
JP (1) | JPH0326643Y2 (ja) |
Families Citing this family (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5017892A (en) * | 1989-05-16 | 1991-05-21 | Cornell Research Foundation, Inc. | Waveguide adaptors and Gunn oscillators using the same |
US5262739A (en) * | 1989-05-16 | 1993-11-16 | Cornell Research Foundation, Inc. | Waveguide adaptors |
US4920450A (en) * | 1989-06-23 | 1990-04-24 | Motorola, Inc. | Temperature dependent capacitor |
TW212252B (ja) * | 1992-05-01 | 1993-09-01 | Martin Marietta Corp | |
US6380751B2 (en) * | 1992-06-11 | 2002-04-30 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
US5345170A (en) * | 1992-06-11 | 1994-09-06 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having integrated guarding, Kelvin connection and shielding systems |
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US5561377A (en) * | 1995-04-14 | 1996-10-01 | Cascade Microtech, Inc. | System for evaluating probing networks |
JP3389819B2 (ja) * | 1996-06-10 | 2003-03-24 | 株式会社村田製作所 | 誘電体導波管型共振器 |
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SE508296C2 (sv) * | 1997-01-10 | 1998-09-21 | Ericsson Telefon Ab L M | Anordning vid mikrostripfördelningsnät samt gruppantenn |
SE509159C2 (sv) * | 1997-01-27 | 1998-12-07 | Ericsson Telefon Ab L M | Hållkrets jämte förfarande för styrning av en hållkrets |
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DE19902248A1 (de) * | 1999-01-21 | 2000-07-27 | Bosch Gmbh Robert | Schaltungsanordnung |
US6578264B1 (en) | 1999-06-04 | 2003-06-17 | Cascade Microtech, Inc. | Method for constructing a membrane probe using a depression |
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WO2003052435A1 (en) | 2001-08-21 | 2003-06-26 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
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