JPS592402A - 導波管−マイクロストリツプ線路変換器 - Google Patents
導波管−マイクロストリツプ線路変換器Info
- Publication number
- JPS592402A JPS592402A JP10970682A JP10970682A JPS592402A JP S592402 A JPS592402 A JP S592402A JP 10970682 A JP10970682 A JP 10970682A JP 10970682 A JP10970682 A JP 10970682A JP S592402 A JPS592402 A JP S592402A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microstrip line
- converter
- short
- plane
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 206010044625 Trichorrhexis Diseases 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- YXVFQADLFFNVDS-UHFFFAOYSA-N diammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(C(=O)O)CC([O-])=O YXVFQADLFFNVDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
- H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は導波管そ−ドなマイクロストリップ線路モード
に変換する変換器の構造に関するものである。
に変換する変換器の構造に関するものである。
第１図に従来の導波管−マイクロストリップ線路変換器
の分解斜視図を示す。この変換器は。
の分解斜視図を示す。この変換器は。
終端短絡方形導波管をＢ平面中央の位置で電波進行方向
と平行に終端短絡方形導波管１．２に分割し、誘電体基
板３表面のストリップ導体４と裏面導体５からなるマイ
クロストリップ線路６とこれを支える支持金属板７を裏
面導体５に密着させ、上記ストリップ導体４の一方にほ
ぼ１／２波長の長さをもつ終端開放のＴ字形パターン８
を形成し、このＴ字形パターン８を短絡面９から希望の
ｆＵｔ’！ ｔ／、ａ管内波長の距離において方形導波
管のＨ平面の中央かつ垂直に粒間させるべく、終端短絡
方形導波管２０Ｂ平面にマイクロストリップ線路６の幅
で、深さがｔ１！ぼマイクロストリップ線路６と支持金
属板７を合せた厚みである凹溝１０を形成し、との凹溝
１０にマイクロストリップ線路６と支持金属板７を挿入
し、これを終端短絡方形導波管１で挾む構造をもつ。
と平行に終端短絡方形導波管１．２に分割し、誘電体基
板３表面のストリップ導体４と裏面導体５からなるマイ
クロストリップ線路６とこれを支える支持金属板７を裏
面導体５に密着させ、上記ストリップ導体４の一方にほ
ぼ１／２波長の長さをもつ終端開放のＴ字形パターン８
を形成し、このＴ字形パターン８を短絡面９から希望の
ｆＵｔ’！ ｔ／、ａ管内波長の距離において方形導波
管のＨ平面の中央かつ垂直に粒間させるべく、終端短絡
方形導波管２０Ｂ平面にマイクロストリップ線路６の幅
で、深さがｔ１！ぼマイクロストリップ線路６と支持金
属板７を合せた厚みである凹溝１０を形成し、との凹溝
１０にマイクロストリップ線路６と支持金属板７を挿入
し、これを終端短絡方形導波管１で挾む構造をもつ。
終端短絡方形導波管１，２の内部に挿入されるマイクロ
ストリップ線路乙の裏面導体５と支持金属板６は除去さ
れ、またストリップ導体４と終端短絡方形導波管１が接
触する部分には、管壁に満１１が形成場れている。この
構造の変換器は。
ストリップ線路乙の裏面導体５と支持金属板６は除去さ
れ、またストリップ導体４と終端短絡方形導波管１が接
触する部分には、管壁に満１１が形成場れている。この
構造の変換器は。
簡単な構造で導波管モードからマイクロストリップ線路
モードへの変換ができ、また、マイクロストリップ線路
を基本構成とする平面回路の支持金属板と一体で構成で
き、構造的に堅固であることからよく使われる。し、か
じ、本構成は凋洩尻力が大きい欠点をもっている。第２
図に短絡面９からみた変換器の断面図を示す。分割され
た終端短絡方形導波管１，２に挿入されたマイクロスト
リップ線路６の誘電体基板５の厚みが、終端短絡方形導
波管１，２０Ｈ平面のすき間となっているため、導波管
内の電磁波の一部が、このすき間を通って漏洩ｍ界１２
、漏洩磁界１３となって外部へ放射される。ここで、漏
洩磁界１５は、磁界の断面を表わし、その方向は紙面に
対して垂直である。漏洩ｍ界１２と漏洩磁界１３の量は
、導波管内の電界、磁界が１゛字形ノくターン８および
それに続くストリップ導体４に集中するため、変換器よ
シストリップ導体４が引出されている側が最も大きく、
その反対側での漏洩は微小で問題にはならない。このよ
うｔ、ｃことからストリップ導体４が引出される側の漏
洩軍、磁波と変換器外部のストリップ導体４とが結合し
。
モードへの変換ができ、また、マイクロストリップ線路
を基本構成とする平面回路の支持金属板と一体で構成で
き、構造的に堅固であることからよく使われる。し、か
じ、本構成は凋洩尻力が大きい欠点をもっている。第２
図に短絡面９からみた変換器の断面図を示す。分割され
た終端短絡方形導波管１，２に挿入されたマイクロスト
リップ線路６の誘電体基板５の厚みが、終端短絡方形導
波管１，２０Ｈ平面のすき間となっているため、導波管
内の電磁波の一部が、このすき間を通って漏洩ｍ界１２
、漏洩磁界１３となって外部へ放射される。ここで、漏
洩磁界１５は、磁界の断面を表わし、その方向は紙面に
対して垂直である。漏洩ｍ界１２と漏洩磁界１３の量は
、導波管内の電界、磁界が１゛字形ノくターン８および
それに続くストリップ導体４に集中するため、変換器よ
シストリップ導体４が引出されている側が最も大きく、
その反対側での漏洩は微小で問題にはならない。このよ
うｔ、ｃことからストリップ導体４が引出される側の漏
洩軍、磁波と変換器外部のストリップ導体４とが結合し
。
漏洩ｍ力による変換損失の増大に加えて、変換特性の乱
れが大きな問題となっている。
れが大きな問題となっている。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を解消し、簡
単な構成で、変換損失が小さく安定した特性が得られる
導波管−マイクロストリップ線路変換器を提供すること
にある。
単な構成で、変換損失が小さく安定した特性が得られる
導波管−マイクロストリップ線路変換器を提供すること
にある。
本発明では、変換器から引出されでいるストリップ導体
の両側に、誘電体基板および裏面導体を貫通し、−辺が
ＢＸｇ−面内壁の位置にあシ、他辺がス） ＋Ｊツブ導
体側にあるＬ字溝を形成しこのＬ字溝を介してマイクロ
ストリップ線路の表１≦を短絡し、変換器からストリッ
プ導体を引出し′〔いる側のＨ平面内壁の不連続を短絡
することによシ、すき間からの漏洩電磁波をなくして、
低損失で安定した変換特性を得る。以下、本発明を図に
示す実施例に従って詳細に説明する。第５図に本発明に
おけるマイクロストリップ線路の分解斜視図を示す。本
発明におけるマイクロストリップ線路では、ストリップ
導体４０両側には、誘電体基板３および裏面導体５を貝
通し、−辺がＨ平面内壁の位置にあシ、他辺がストリッ
プ導体側にあるＬ字溝１４が形成され。
の両側に、誘電体基板および裏面導体を貫通し、−辺が
ＢＸｇ−面内壁の位置にあシ、他辺がス） ＋Ｊツブ導
体側にあるＬ字溝を形成しこのＬ字溝を介してマイクロ
ストリップ線路の表１≦を短絡し、変換器からストリッ
プ導体を引出し′〔いる側のＨ平面内壁の不連続を短絡
することによシ、すき間からの漏洩電磁波をなくして、
低損失で安定した変換特性を得る。以下、本発明を図に
示す実施例に従って詳細に説明する。第５図に本発明に
おけるマイクロストリップ線路の分解斜視図を示す。本
発明におけるマイクロストリップ線路では、ストリップ
導体４０両側には、誘電体基板３および裏面導体５を貝
通し、−辺がＨ平面内壁の位置にあシ、他辺がストリッ
プ導体側にあるＬ字溝１４が形成され。
Ｌ字溝１４には５幅がＬ字溝１４の各辺の幅に等しく、
互に分離されている金属辺をもつ金属板１５が、挿通さ
れ、誘電体基板５の表面で折曲げられ、マイクロストリ
ップ線路６０表裏が短絡されている。第４図は、本発明
にょる導波管−マイクロストリップ変換器の短絡板から
みた断面図である。本発明による変換器ではマイクロス
トリップ線路６が終端短絡方形導波管１，２に装着され
ることによシ、従来、誘電体基板５によって上下に分離
されていたＲ平面内壁が連続した金属面となシ、電磁波
の漏洩がなくなる。この結果、低損失でかつ安定した変
換特性が得られる。
互に分離されている金属辺をもつ金属板１５が、挿通さ
れ、誘電体基板５の表面で折曲げられ、マイクロストリ
ップ線路６０表裏が短絡されている。第４図は、本発明
にょる導波管−マイクロストリップ変換器の短絡板から
みた断面図である。本発明による変換器ではマイクロス
トリップ線路６が終端短絡方形導波管１，２に装着され
ることによシ、従来、誘電体基板５によって上下に分離
されていたＲ平面内壁が連続した金属面となシ、電磁波
の漏洩がなくなる。この結果、低損失でかつ安定した変
換特性が得られる。
以上説明したように本発明によれば、変換器よシストリ
ップ導体を引出している側の、誘電体基板によって、従
来、上下に分離していたＲ平面内壁が、連続した金属面
に形成できるので漏洩電磁波がなくなり、低損失で安定
した変換特性が得られる導波管−マイクロストリップ線
路変換器を提供できる。
ップ導体を引出している側の、誘電体基板によって、従
来、上下に分離していたＲ平面内壁が、連続した金属面
に形成できるので漏洩電磁波がなくなり、低損失で安定
した変換特性が得られる導波管−マイクロストリップ線
路変換器を提供できる。
第１図は従来の導波管−マイクロストリップ線路変換器
の一例を示す分解斜視図、第２図は上記従来の変換器の
断面図、第３図は本発明におけるマイクロストップ線路
を示す分解斜視図、第４図は本発明による変換器の一実
施例を示す断面図である。 １．２・・・終端短絡方形導波管。 ５・・・誘晟体基板、 ４・・・ストリップ導体、
５・・・裏面導体、 １４・・・Ｌ字溝、１５・
・・金属板、 ６・・・マイクロストリップ線路、 ７・・・支持金属板。 才 ｌ 図 才 Ｚ 図 ！ １−３ 図 才 ＋ 図
の一例を示す分解斜視図、第２図は上記従来の変換器の
断面図、第３図は本発明におけるマイクロストップ線路
を示す分解斜視図、第４図は本発明による変換器の一実
施例を示す断面図である。 １．２・・・終端短絡方形導波管。 ５・・・誘晟体基板、 ４・・・ストリップ導体、
５・・・裏面導体、 １４・・・Ｌ字溝、１５・
・・金属板、 ６・・・マイクロストリップ線路、 ７・・・支持金属板。 才 ｌ 図 才 Ｚ 図 ！ １−３ 図 才 ＋ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 終端短絡方形導波管がＢ平面の中央の位置でＲ平面に垂
直かつ電波進行方向と平行な面で分割され、マイクロス
トリップ線路が支持金属板に密着され、分割された終端
短絡方形導波管の短絡面から希望信号の＃１は１／４波
長の距離に。 マイクロストリップ線路のストリップ導体がＢ平面に垂
直に挿入され、マイクロストリップ線路および支持金属
板が分割された終端短絡方形導波管によって挾まれた導
波ａ−マイクロストリップ線路変換器において、変換器
よシ引出されているストリップ導体の両側に誘電体基板
および裏面導体が貫通し、−辺が８平面内壁の位置にあ
シ、他辺がストリップ導体側にあるＬ字溝が形成され、
このＬ字溝な介してマイクロストリップ線路の表裏が短
絡されていることを特徴とする導ｒｌｔ、ｉ−マイクロ
ストリップ線路変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10970682A JPS592402A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 導波管−マイクロストリツプ線路変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10970682A JPS592402A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 導波管−マイクロストリツプ線路変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592402A true JPS592402A (ja) | 1984-01-09 |
Family
ID=14517147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10970682A Pending JPS592402A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 導波管−マイクロストリツプ線路変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592402A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4716386A (en) * | 1986-06-10 | 1987-12-29 | Canadian Marconi Company | Waveguide to stripline transition |
| JPS63147004U (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-28 | ||
| US4901040A (en) * | 1989-04-03 | 1990-02-13 | American Telephone And Telegraph Company | Reduced-height waveguide-to-microstrip transition |
| US5867073A (en) * | 1992-05-01 | 1999-02-02 | Martin Marietta Corporation | Waveguide to transmission line transition |
| EP1592081A1 (en) * | 2004-04-29 | 2005-11-02 | Siemens Mobile Communications S.p.A. | Microstrip to waveguide transition for millimetric waves embodied in a multilayer printed circuit board |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP10970682A patent/JPS592402A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4716386A (en) * | 1986-06-10 | 1987-12-29 | Canadian Marconi Company | Waveguide to stripline transition |
| JPS63147004U (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-28 | ||
| US4901040A (en) * | 1989-04-03 | 1990-02-13 | American Telephone And Telegraph Company | Reduced-height waveguide-to-microstrip transition |
| EP0391596A2 (en) * | 1989-04-03 | 1990-10-10 | AT&T Corp. | Reduced-height waveguide-to-microstrip transition |
| US5867073A (en) * | 1992-05-01 | 1999-02-02 | Martin Marietta Corporation | Waveguide to transmission line transition |
| EP1592081A1 (en) * | 2004-04-29 | 2005-11-02 | Siemens Mobile Communications S.p.A. | Microstrip to waveguide transition for millimetric waves embodied in a multilayer printed circuit board |
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