JPH09260913A - 高周波用気密半導体装置の組立方法 - Google Patents
高周波用気密半導体装置の組立方法Info
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- JPH09260913A JPH09260913A JP7282396A JP7282396A JPH09260913A JP H09260913 A JPH09260913 A JP H09260913A JP 7282396 A JP7282396 A JP 7282396A JP 7282396 A JP7282396 A JP 7282396A JP H09260913 A JPH09260913 A JP H09260913A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波電波の伝送において、伝送損失及びリ
ターンロスを小さくすることで伝送特性を改善すると共
に、外形寸法を小さくし小型軽量化な高周波用気密半導
体装置を得る。 【解決手段】 高周波電波入力導波管１ａと気密混合器
ケース２ａとの間に低誘電体ガラス４を内蔵した気密カ
バー３を位置決めピン６により取付け、気密混合器ケー
ス２ａには導波管／マイクロ波集積回路変換器５、混合
器回路７、局部信号用整合回路８、中間周波数用整合回
路９、第１の接続基板１０、第２の接続基板１１、局発
信号用入力回路１２及び中間周波数用出力回路１３が固
着される。基板及び回路は金ワイヤ１４または金リボン
１５で接続し組立てる。
ターンロスを小さくすることで伝送特性を改善すると共
に、外形寸法を小さくし小型軽量化な高周波用気密半導
体装置を得る。 【解決手段】 高周波電波入力導波管１ａと気密混合器
ケース２ａとの間に低誘電体ガラス４を内蔵した気密カ
バー３を位置決めピン６により取付け、気密混合器ケー
ス２ａには導波管／マイクロ波集積回路変換器５、混合
器回路７、局部信号用整合回路８、中間周波数用整合回
路９、第１の接続基板１０、第２の接続基板１１、局発
信号用入力回路１２及び中間周波数用出力回路１３が固
着される。基板及び回路は金ワイヤ１４または金リボン
１５で接続し組立てる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波用気密半導
体装置に関し、特に高周波の混合器及び増幅器の高周波
用気密半導体装置の組立方法に関するものである。
体装置に関し、特に高周波の混合器及び増幅器の高周波
用気密半導体装置の組立方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３４は従来の周波数変換する混合器回
路を有する高周波用気密半導体装置を示す平面図、図３
５はその断面図である。図３４及び図３５において１ａ
は高周波電波入力導波管（以下ＲＦ入力導波管と称
す）、２ａは気密混合器ケース、３は気密混合器ケース
２ａと接合される気密カバー、５はＲＦ入力導波管１ａ
と気密混合器ケース２ａに固定される導波管／マイクロ
波集積回路変換器（以下ＷＧ／ＭＩＣ変換器と称す）、
５ａはＷＧ／ＭＩＣ変換器５の導波路、５ｂはＷＧ／Ｍ
ＩＣ変換器５の導波管−マイクロストリップ線路変換基
板、７は混合器回路、８は局部信号を入力する整合回路
（以下ＬＯ整合回路と称す）、９は中間周波信号を出力
する整合回路（以下ＩＦ整合回路と称す）、２０は気密
混合器ケース２ａの内外を水平に貫通する接続基板、１
４は接続基板２０と混合器回路７、混合器回路７と整合
回路８、混合器回路７と整合回路９、整合回路８と接続
基板２０及び整合回路９と接続基板２０を接続する金ワ
イヤ、１５はＷＧ／ＭＩＣ変換器５と混合器回路７を接
続する金リボンである。
路を有する高周波用気密半導体装置を示す平面図、図３
５はその断面図である。図３４及び図３５において１ａ
は高周波電波入力導波管（以下ＲＦ入力導波管と称
す）、２ａは気密混合器ケース、３は気密混合器ケース
２ａと接合される気密カバー、５はＲＦ入力導波管１ａ
と気密混合器ケース２ａに固定される導波管／マイクロ
波集積回路変換器（以下ＷＧ／ＭＩＣ変換器と称す）、
５ａはＷＧ／ＭＩＣ変換器５の導波路、５ｂはＷＧ／Ｍ
ＩＣ変換器５の導波管−マイクロストリップ線路変換基
板、７は混合器回路、８は局部信号を入力する整合回路
（以下ＬＯ整合回路と称す）、９は中間周波信号を出力
する整合回路（以下ＩＦ整合回路と称す）、２０は気密
混合器ケース２ａの内外を水平に貫通する接続基板、１
４は接続基板２０と混合器回路７、混合器回路７と整合
回路８、混合器回路７と整合回路９、整合回路８と接続
基板２０及び整合回路９と接続基板２０を接続する金ワ
イヤ、１５はＷＧ／ＭＩＣ変換器５と混合器回路７を接
続する金リボンである。
【０００３】図３６は従来の増幅器用半導体素子を有す
る高周波用気密半導体装置を示す平面図、図３７はその
断面図である。図３６及び図３７において１ａはＲＦ入
力導波管、１ｂは高周波電波出力導波管（以下ＲＦ出力
導波管と称す）、２ｂは気密増幅器ケース、３は気密増
幅器ケース３と接合される気密カバー、２２１はＲＦ入
力導波管１ａと気密混合器ケース２ｂに固定される第１
の導波管／マイクロ波集積回路変換器（以下第１のＷＧ
／ＭＩＣ変換器と称す）、２２ａは第１のＷＧ／ＭＩＣ
変換器の導波路、２２ｂは第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器の
導波管−マイクロストリップ変換基板、２３はＲＦ出力
導波管１ｂと気密増幅器ケース２ｂに固定される第２の
導波管／マイクロ波集積回路変換器（以下第２のＷＧ／
ＭＩＣ変換器と称す）、２３ａは第２のＷＧ／ＭＩＣ変
換器の導波路、２３ｂは第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導
波管−マイクロストリップ変換基板、２４は第１の増幅
器用半導体素子、２５は第２の増幅器用半導体素子、２
６は増幅器整合回路、２０は気密増幅器ケース２ｂの内
外を水平に貫通し高周波信号を接続する接続基板、２８
は気密増幅器ケース２ｂの内外を水平に貫通しバイアス
を供給する第１のバイアス供給基板、２９は気密増幅器
ケース２ｂの内外を水平に貫通しバイアスを供給する第
２のバイアス供給基板、１４は接続基板２０と第１の増
幅器用半導体素子２３、第１の増幅器用半導体素子２３
と増幅器整合回路２５、増幅器整合回路２５と第２の増
幅器用半導体素子２４、第２の増幅器用半導体素子２４
と接続基板２０、第１の増幅器用半導体素子２３と第１
のバイアス供給基板２８及び第２の増幅器用半導体素子
２４と第２のバイアス供給基板とを接続する金ワイヤ、
１５は第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２１と接続基板２０、
第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２と接続基板２０とを接続
する金リボンである。
る高周波用気密半導体装置を示す平面図、図３７はその
断面図である。図３６及び図３７において１ａはＲＦ入
力導波管、１ｂは高周波電波出力導波管（以下ＲＦ出力
導波管と称す）、２ｂは気密増幅器ケース、３は気密増
幅器ケース３と接合される気密カバー、２２１はＲＦ入
力導波管１ａと気密混合器ケース２ｂに固定される第１
の導波管／マイクロ波集積回路変換器（以下第１のＷＧ
／ＭＩＣ変換器と称す）、２２ａは第１のＷＧ／ＭＩＣ
変換器の導波路、２２ｂは第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器の
導波管−マイクロストリップ変換基板、２３はＲＦ出力
導波管１ｂと気密増幅器ケース２ｂに固定される第２の
導波管／マイクロ波集積回路変換器（以下第２のＷＧ／
ＭＩＣ変換器と称す）、２３ａは第２のＷＧ／ＭＩＣ変
換器の導波路、２３ｂは第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導
波管−マイクロストリップ変換基板、２４は第１の増幅
器用半導体素子、２５は第２の増幅器用半導体素子、２
６は増幅器整合回路、２０は気密増幅器ケース２ｂの内
外を水平に貫通し高周波信号を接続する接続基板、２８
は気密増幅器ケース２ｂの内外を水平に貫通しバイアス
を供給する第１のバイアス供給基板、２９は気密増幅器
ケース２ｂの内外を水平に貫通しバイアスを供給する第
２のバイアス供給基板、１４は接続基板２０と第１の増
幅器用半導体素子２３、第１の増幅器用半導体素子２３
と増幅器整合回路２５、増幅器整合回路２５と第２の増
幅器用半導体素子２４、第２の増幅器用半導体素子２４
と接続基板２０、第１の増幅器用半導体素子２３と第１
のバイアス供給基板２８及び第２の増幅器用半導体素子
２４と第２のバイアス供給基板とを接続する金ワイヤ、
１５は第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２１と接続基板２０、
第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２と接続基板２０とを接続
する金リボンである。
【０００４】次に作用について説明する。従来の周波数
変換する混合器回路を有する高周波用気密半導体装置は
上記のように構成され、ＲＦ入力導波管１ａの信号はＷ
Ｇ／ＭＩＣ変換器５を介して混合器回路７に入力され
る。一方局部発振部信号は接続基板２０と整合回路８を
通過し混合器回路７に入力される。混合器回路７では信
号を混合し中間周波信号を整合回路９と接続基板２０を
介し外部へ出力される。
変換する混合器回路を有する高周波用気密半導体装置は
上記のように構成され、ＲＦ入力導波管１ａの信号はＷ
Ｇ／ＭＩＣ変換器５を介して混合器回路７に入力され
る。一方局部発振部信号は接続基板２０と整合回路８を
通過し混合器回路７に入力される。混合器回路７では信
号を混合し中間周波信号を整合回路９と接続基板２０を
介し外部へ出力される。
【０００５】また従来の増幅器用半導体素子を有する高
周波用気密半導体装置は上記のように構成され、ＲＦ入
力導波管１ａより入力されるＲＦ信号は第１のＷＧ／Ｍ
ＩＣ変換器２１を介して第１の増幅器用半導体素子２３
に入力され、その後増幅器整合回路２５と第２の増幅器
用半導体素子２４を通過し、その後第２のＷＧ／ＭＩＣ
変換器２２を経た後ＲＦ信号はＲＦ出力導波管１ｂより
外部へ出力される。一方、第１の増幅器用半導体素子２
３へは第１のバイアス供給基板２８で第２の増幅器用半
導体素子２４へは第２のバイアス供給基板２９を介して
バイアスが入力される。
周波用気密半導体装置は上記のように構成され、ＲＦ入
力導波管１ａより入力されるＲＦ信号は第１のＷＧ／Ｍ
ＩＣ変換器２１を介して第１の増幅器用半導体素子２３
に入力され、その後増幅器整合回路２５と第２の増幅器
用半導体素子２４を通過し、その後第２のＷＧ／ＭＩＣ
変換器２２を経た後ＲＦ信号はＲＦ出力導波管１ｂより
外部へ出力される。一方、第１の増幅器用半導体素子２
３へは第１のバイアス供給基板２８で第２の増幅器用半
導体素子２４へは第２のバイアス供給基板２９を介して
バイアスが入力される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の周波数変換する
混合器回路を有する高周波用気密半導体装置及び増幅器
用半導体素子を有する高周波用気密半導体装置は以上の
ように構成されており、高周波電波をＷＧ／ＭＩＣ変換
器５を用い伝搬することは良好な伝搬特性を得ることが
できるが、気密ケース２ａの内外を水平に貫通し高周波
信号を伝送する接続基板２０は、フィードスルーの構造
にする必要性から一般的に高温焼成厚膜基板が使用され
る。この高温焼成厚膜基板の線路パターンは一般に下地
にタングステン等の電気抵抗の大きな金属を用いられる
ため、マイクロストリップ線路を伝送する信号が高周波
になると表皮効果のため抵抗の大きい下地金属に殆んど
の電流が流れ、伝送損失が大きくなるという課題があっ
た。
混合器回路を有する高周波用気密半導体装置及び増幅器
用半導体素子を有する高周波用気密半導体装置は以上の
ように構成されており、高周波電波をＷＧ／ＭＩＣ変換
器５を用い伝搬することは良好な伝搬特性を得ることが
できるが、気密ケース２ａの内外を水平に貫通し高周波
信号を伝送する接続基板２０は、フィードスルーの構造
にする必要性から一般的に高温焼成厚膜基板が使用され
る。この高温焼成厚膜基板の線路パターンは一般に下地
にタングステン等の電気抵抗の大きな金属を用いられる
ため、マイクロストリップ線路を伝送する信号が高周波
になると表皮効果のため抵抗の大きい下地金属に殆んど
の電流が流れ、伝送損失が大きくなるという課題があっ
た。
【０００７】また従来構造の場合、ＷＧ／ＭＩＣ変換器
５と気密ケース２ａが分割されているため、ねじ等によ
り締結されることが多い。その場合、ＷＧ／ＭＩＣ変換
器５と気密ケース２ａの内外を水平に貫通し高周波信号
を伝送する接続基板２０との間のリターンロスが大きく
なること、及び装置全体として外形寸法が大きくなり小
型化しにくいという課題があった。
５と気密ケース２ａが分割されているため、ねじ等によ
り締結されることが多い。その場合、ＷＧ／ＭＩＣ変換
器５と気密ケース２ａの内外を水平に貫通し高周波信号
を伝送する接続基板２０との間のリターンロスが大きく
なること、及び装置全体として外形寸法が大きくなり小
型化しにくいという課題があった。
【０００８】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、高周波の伝搬特性を改善する
ことで高性能なものを得ることができ、また小型軽量な
高周波用気密半導体装置を得ることを目的としている。
るためになされたもので、高周波の伝搬特性を改善する
ことで高性能なものを得ることができ、また小型軽量な
高周波用気密半導体装置を得ることを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の発明による混合器
回路を有する高周波用気密半導体装置の組立方法は、予
め上記気密混合器ケース内に設けられた上記ＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器の導波路の開口部と上記気密カバーに設ける上
記低誘電体ガラスとの位置決め用ピン穴を設けた上記気
密カバーに、上記低誘電体ガラスを固定し且つ気密を保
つためにはんだ付し、また上記気密混合器ケースには上
記ＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路を設け、また上記第１の
接続基板及び上記第２の接続基板を固定し且つ気密を保
つためにロー付し、その組立後に上記気密混合器ケース
内で上記ＷＧ／ＭＩＣ変換器の上記導波管−マイクロス
トリップ変換基板と上記混合器回路と上記ＬＯ整合回路
及び上記ＩＦ整合回路を、また上記気密混合器ケース外
に上記ＬＯ入力回路と上記ＩＦ出力回路をはんだにより
ダイボンディングし、その組立後に上記気密混合器ケー
ス内で上記ＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マイクロスト
リップ変換基板と上記混合器回路を、上記混合器回路と
上記ＬＯ整合回路を、上記混合器回路と上記ＩＦ整合回
路を、上記ＬＯ整合回路と上記第１の接続基板を、上記
ＩＦ整合回路と上記第２の接続基板を金ワイヤにてワイ
ヤボンディングし、その組立後に上記気密混合器ケース
外で上記第１の接続基板と上記ＬＯ入力回路を、上記第
２の接続基板と上記ＩＦ出力回路を金リボンにてワイヤ
ボンディングし、以上の組立が完了した後、上記気密カ
バーを位置決め用ピンを用い上記気密混合器ケースと組
立て、その後上記気密カバーの周辺部を上記気密混合器
ケースに対し抵抗溶接またはレーザ溶接によりシーリン
グし、その後上記ＲＦ入力導波管と組立てる方法であ
る。
回路を有する高周波用気密半導体装置の組立方法は、予
め上記気密混合器ケース内に設けられた上記ＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器の導波路の開口部と上記気密カバーに設ける上
記低誘電体ガラスとの位置決め用ピン穴を設けた上記気
密カバーに、上記低誘電体ガラスを固定し且つ気密を保
つためにはんだ付し、また上記気密混合器ケースには上
記ＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路を設け、また上記第１の
接続基板及び上記第２の接続基板を固定し且つ気密を保
つためにロー付し、その組立後に上記気密混合器ケース
内で上記ＷＧ／ＭＩＣ変換器の上記導波管−マイクロス
トリップ変換基板と上記混合器回路と上記ＬＯ整合回路
及び上記ＩＦ整合回路を、また上記気密混合器ケース外
に上記ＬＯ入力回路と上記ＩＦ出力回路をはんだにより
ダイボンディングし、その組立後に上記気密混合器ケー
ス内で上記ＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マイクロスト
リップ変換基板と上記混合器回路を、上記混合器回路と
上記ＬＯ整合回路を、上記混合器回路と上記ＩＦ整合回
路を、上記ＬＯ整合回路と上記第１の接続基板を、上記
ＩＦ整合回路と上記第２の接続基板を金ワイヤにてワイ
ヤボンディングし、その組立後に上記気密混合器ケース
外で上記第１の接続基板と上記ＬＯ入力回路を、上記第
２の接続基板と上記ＩＦ出力回路を金リボンにてワイヤ
ボンディングし、以上の組立が完了した後、上記気密カ
バーを位置決め用ピンを用い上記気密混合器ケースと組
立て、その後上記気密カバーの周辺部を上記気密混合器
ケースに対し抵抗溶接またはレーザ溶接によりシーリン
グし、その後上記ＲＦ入力導波管と組立てる方法であ
る。
【００１０】また、第２の発明による混合器回路を有す
る高周波用気密半導体装置の組立方法は、予め上記気密
混合器ケース内に設けられた上記ＷＧ／ＭＩＣの導波路
の開口部と上記気密カバーに設ける上記低誘電体ガラス
との位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバーに、上記
低誘電体ガラスを固定し且つ気密を保つためにはんだ付
し、また上記気密混合器ケースには上記ＷＧ／ＭＩＣ変
換器の導波路を設け、また上記第１の同軸線路及び上記
第２の同軸線路を固定し且つ気密を保つためにロー付
し、その組立後に上記気密混合器ケース内で上記ＷＧ／
ＭＩＣ変換器の導波管−マイクロストリップ変換基板と
上記混合器回路と上記ＬＯ整合回路及び上記ＩＦ整合回
路を、また上記気密混合器ケース外に上記金属キャリア
とＬＯ入力回路と上記ＩＦ出力回路をはんだによりダイ
ボンディングし、その組立後に上記気密混合器ケース内
で上記ＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マイクロストリッ
プ変換基板と上記混合器回路を、上記混合器回路と上記
ＬＯ整合回路を、上記混合器回路と上記ＩＦ整合回路
を、上記ＬＯ整合回路と上記第１の同軸線路を、上記Ｉ
Ｆ整合回路と上記第２の同軸線路を金ワイヤにてワイヤ
ボンディングし、その組立後に上記気密混合器ケース外
で上記第１の同軸線路と上記ＬＯ入力回路を、上記第２
の同軸線路と上記中間周波数出力回路を金リボンにてワ
イヤボンディングし、上記気密カバーを位置決め用ピン
を用い上記気密混合器ケースと組立て、その後上記気密
カバーの周辺部を上記気密混合器ケースに対し抵抗溶接
またはレーザ溶接によりシーリングし、その後上記ＲＦ
入力導波管と組立てる方法である。
る高周波用気密半導体装置の組立方法は、予め上記気密
混合器ケース内に設けられた上記ＷＧ／ＭＩＣの導波路
の開口部と上記気密カバーに設ける上記低誘電体ガラス
との位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバーに、上記
低誘電体ガラスを固定し且つ気密を保つためにはんだ付
し、また上記気密混合器ケースには上記ＷＧ／ＭＩＣ変
換器の導波路を設け、また上記第１の同軸線路及び上記
第２の同軸線路を固定し且つ気密を保つためにロー付
し、その組立後に上記気密混合器ケース内で上記ＷＧ／
ＭＩＣ変換器の導波管−マイクロストリップ変換基板と
上記混合器回路と上記ＬＯ整合回路及び上記ＩＦ整合回
路を、また上記気密混合器ケース外に上記金属キャリア
とＬＯ入力回路と上記ＩＦ出力回路をはんだによりダイ
ボンディングし、その組立後に上記気密混合器ケース内
で上記ＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マイクロストリッ
プ変換基板と上記混合器回路を、上記混合器回路と上記
ＬＯ整合回路を、上記混合器回路と上記ＩＦ整合回路
を、上記ＬＯ整合回路と上記第１の同軸線路を、上記Ｉ
Ｆ整合回路と上記第２の同軸線路を金ワイヤにてワイヤ
ボンディングし、その組立後に上記気密混合器ケース外
で上記第１の同軸線路と上記ＬＯ入力回路を、上記第２
の同軸線路と上記中間周波数出力回路を金リボンにてワ
イヤボンディングし、上記気密カバーを位置決め用ピン
を用い上記気密混合器ケースと組立て、その後上記気密
カバーの周辺部を上記気密混合器ケースに対し抵抗溶接
またはレーザ溶接によりシーリングし、その後上記ＲＦ
入力導波管と組立てる方法である。
【００１１】また、第３の発明による混合器回路を有す
る高周波用気密半導体装置は、予め上記気密混合器ケー
ス内に設けられた上記第１及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換
器の導波路の開口部と上記気密カバーに設ける上記低誘
電体ガラスとの位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバ
ーに、上記低誘電体ガラスを固定し且つ気密を保つため
にはんだ付し、また上記気密混合器ケースには上記第１
及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路を設け、また上
記接続基板を固定し且つ気密を保つためにロー付し、そ
の組立後に上記気密混合器ケース内で上記第１及び第２
ＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マイクロストリップ変換
基板と上記混合器回路と上記ＬＯ整合回路及び上記ＩＦ
整合回路を、また上記気密混合器ケース外に上記ＩＦ出
力回路をはんだによりダイボンディングし、その組立後
に上記気密混合器ケース内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変
換器の導波管−マイクロストリップ変換基板と上記混合
器回路を、上記第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マ
イクロストリップ変換基板と上記ＬＯ整合回路を、上記
混合器回路と上記ＬＯ整合回路を、上記混合器回路と上
記ＩＦ整合回路を、上記ＩＦ整合回路と上記接続基板を
金ワイヤにてワイヤボンディングし、その組立後に上記
気密混合器ケース外で上記接続基板と上記ＩＦ出力回路
を金リボンにてワイヤボンディングし、その組立が完了
した後、上記気密カバーを位置決め用ピンを用い上記気
密混合器ケースと組立て、その後上記気密カバーの周辺
部を上記気密混合器ケースに対し抵抗溶接またはレーザ
溶接によりシーリングし、その後上記ＲＦ入力導波管及
び上記ＬＯ入力導波管と組立てる方法である。
る高周波用気密半導体装置は、予め上記気密混合器ケー
ス内に設けられた上記第１及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換
器の導波路の開口部と上記気密カバーに設ける上記低誘
電体ガラスとの位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバ
ーに、上記低誘電体ガラスを固定し且つ気密を保つため
にはんだ付し、また上記気密混合器ケースには上記第１
及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路を設け、また上
記接続基板を固定し且つ気密を保つためにロー付し、そ
の組立後に上記気密混合器ケース内で上記第１及び第２
ＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マイクロストリップ変換
基板と上記混合器回路と上記ＬＯ整合回路及び上記ＩＦ
整合回路を、また上記気密混合器ケース外に上記ＩＦ出
力回路をはんだによりダイボンディングし、その組立後
に上記気密混合器ケース内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変
換器の導波管−マイクロストリップ変換基板と上記混合
器回路を、上記第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マ
イクロストリップ変換基板と上記ＬＯ整合回路を、上記
混合器回路と上記ＬＯ整合回路を、上記混合器回路と上
記ＩＦ整合回路を、上記ＩＦ整合回路と上記接続基板を
金ワイヤにてワイヤボンディングし、その組立後に上記
気密混合器ケース外で上記接続基板と上記ＩＦ出力回路
を金リボンにてワイヤボンディングし、その組立が完了
した後、上記気密カバーを位置決め用ピンを用い上記気
密混合器ケースと組立て、その後上記気密カバーの周辺
部を上記気密混合器ケースに対し抵抗溶接またはレーザ
溶接によりシーリングし、その後上記ＲＦ入力導波管及
び上記ＬＯ入力導波管と組立てる方法である。
【００１２】また、第４の発明による混合器回路を有す
る高周波用気密半導体装置は、予め上記気密混合器ケー
ス内に設けられた上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器及び上
記第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路の開口部と上記気
密カバーに設ける上記低誘電体ガラスとの位置決め用ピ
ン穴を設けた上記気密カバーに、上記低誘電体ガラスを
固定し且つ気密を保つためにはんだ付し、また上記気密
混合器ケースには上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器及び第
２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路を設け、また上記接続
基板を固定し且つ気密を保つためにロー付し、その組立
後に上記気密混合器ケース内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ
変換器及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マイク
ロストリップ変換基板と上記混合器回路と上記ＬＯ整合
回路及び上記ＩＦ整合回路をはんだによりダイボンディ
ングし、その組立後に上記気密混合器ケース内で上記第
１のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マイクロストリップ
変換基板と上記混合器回路を、上記第２のＷＧ／ＭＩＣ
変換器の導波管−マイクロストリップ変換基板と上記Ｌ
Ｏ整合回路を、上記混合器回路と上記ＬＯ整合回路を、
上記混合器回路と上記ＩＦ整合回路を、上記ＩＦ整合回
路と上記同軸線路を金ワイヤにてワイヤボンディング
し、その組立が完了した後、上記気密カバーを位置決め
用ピンを用い上記気密混合器ケースと組立て、その後上
記気密カバーの周辺部を上記気密混合器ケースに対し抵
抗溶接またはレーザ溶接によりシーリングし、その後上
記ＲＦ入力導波管及びＬＯ入力導波管と組立てる方法で
ある。
る高周波用気密半導体装置は、予め上記気密混合器ケー
ス内に設けられた上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器及び上
記第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路の開口部と上記気
密カバーに設ける上記低誘電体ガラスとの位置決め用ピ
ン穴を設けた上記気密カバーに、上記低誘電体ガラスを
固定し且つ気密を保つためにはんだ付し、また上記気密
混合器ケースには上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器及び第
２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路を設け、また上記接続
基板を固定し且つ気密を保つためにロー付し、その組立
後に上記気密混合器ケース内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ
変換器及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マイク
ロストリップ変換基板と上記混合器回路と上記ＬＯ整合
回路及び上記ＩＦ整合回路をはんだによりダイボンディ
ングし、その組立後に上記気密混合器ケース内で上記第
１のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マイクロストリップ
変換基板と上記混合器回路を、上記第２のＷＧ／ＭＩＣ
変換器の導波管−マイクロストリップ変換基板と上記Ｌ
Ｏ整合回路を、上記混合器回路と上記ＬＯ整合回路を、
上記混合器回路と上記ＩＦ整合回路を、上記ＩＦ整合回
路と上記同軸線路を金ワイヤにてワイヤボンディング
し、その組立が完了した後、上記気密カバーを位置決め
用ピンを用い上記気密混合器ケースと組立て、その後上
記気密カバーの周辺部を上記気密混合器ケースに対し抵
抗溶接またはレーザ溶接によりシーリングし、その後上
記ＲＦ入力導波管及びＬＯ入力導波管と組立てる方法で
ある。
【００１３】また、第５の発明による増幅器用半導体素
子を有する高周波用気密半導体装置は、予め上記気密増
幅器ケース内に設けられた上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換
器及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路の開口部と上
記気密カバーに設ける上記低誘電体ガラスとの位置決め
用ピン穴を設けた上記気密カバーに、上記低誘電体ガラ
スを固定し且つ気密を保つためにはんだ付し、また上記
気密増幅器ケースには上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器及
び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路を設け、またハー
メチック端子を固定し且つ気密を保つためにロー付し、
その組立後に上記気密増幅器ケース内で上記第１のＷＧ
／ＭＩＣ変換器及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管
−マイクロストリップ変換基板と上記第１及び第２の増
幅器用半導体素子と上記増幅器整合回路をはんだにより
ダイボンディングし、その組立後に上記気密増幅器ケー
ス内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マイク
ロストリップ変換基板と上記第１の増幅器用半導体素子
を、上記第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マイクロ
ストリップ変換基板と上記第２の増幅器用半導体素子
を、上記第１の増幅器用半導体素子と上記増幅器整合回
路を、上記増幅器整合回路と上記第２の増幅器用半導体
素子を、上記第１及び第２の増幅器用半導体素子と上記
ハーメチック端子を金ワイヤにてワイヤボンディング
し、その組立が完了した後、上記気密カバーを位置決め
用ピンを用い上記気密増幅器ケースと組立て、その後上
記気密カバーの周辺部を上記気密増幅器ケースに対し抵
抗溶接またはレーザ溶接によりシーリングし、その後上
記ＲＦ導波管及びＲＦ出力導波管と組立てる方法であ
る。
子を有する高周波用気密半導体装置は、予め上記気密増
幅器ケース内に設けられた上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換
器及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路の開口部と上
記気密カバーに設ける上記低誘電体ガラスとの位置決め
用ピン穴を設けた上記気密カバーに、上記低誘電体ガラ
スを固定し且つ気密を保つためにはんだ付し、また上記
気密増幅器ケースには上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器及
び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路を設け、またハー
メチック端子を固定し且つ気密を保つためにロー付し、
その組立後に上記気密増幅器ケース内で上記第１のＷＧ
／ＭＩＣ変換器及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管
−マイクロストリップ変換基板と上記第１及び第２の増
幅器用半導体素子と上記増幅器整合回路をはんだにより
ダイボンディングし、その組立後に上記気密増幅器ケー
ス内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マイク
ロストリップ変換基板と上記第１の増幅器用半導体素子
を、上記第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マイクロ
ストリップ変換基板と上記第２の増幅器用半導体素子
を、上記第１の増幅器用半導体素子と上記増幅器整合回
路を、上記増幅器整合回路と上記第２の増幅器用半導体
素子を、上記第１及び第２の増幅器用半導体素子と上記
ハーメチック端子を金ワイヤにてワイヤボンディング
し、その組立が完了した後、上記気密カバーを位置決め
用ピンを用い上記気密増幅器ケースと組立て、その後上
記気密カバーの周辺部を上記気密増幅器ケースに対し抵
抗溶接またはレーザ溶接によりシーリングし、その後上
記ＲＦ導波管及びＲＦ出力導波管と組立てる方法であ
る。
【００１４】また、第６の発明による増幅器用半導体素
子を有する高周波用気密半導体装置は、予め上記気密増
幅器ケース内に設けられた上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換
器及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路の開口部と上
記気密カバーに設ける上記低誘電体ガラスとの位置決め
用ピン穴を設けた上記気密カバーに、上記低誘電体ガラ
スを固定し且つ気密を保つためにはんだ付し、また上記
気密増幅器ケースには上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器及
び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路を設け、また第１
及び第２のバイアス供給基板を固定し且つ気密を保つた
めにロー付し、その組立後に上記気密増幅器ケース内で
上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器及び第２のＷＧ／ＭＩＣ
変換器の導波管−マイクロストリップ変換基板と上記第
１及び第２の増幅器用半導体素子と上記増幅器整合回路
をはんだによりダイボンディングし、その組立後に上記
気密増幅器ケース内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器の
導波管−マイクロストリップ変換基板と上記第１の増幅
器用半導体素子を、上記第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導
波管−マイクロストリップ変換基板と上記第２の増幅器
用半導体素子を、上記第１の増幅器用半導体素子と上記
増幅器整合回路を、上記増幅器整合回路と上記第２の増
幅器用半導体素子を、上記第１及び第２の増幅器用半導
体素子と上記第１及び第２のバイアス供給基板を金ワイ
ヤにてワイヤボンディングし、その組立が完了した後、
上記気密カバーを位置決め用ピンを用い上記気密増幅器
ケースと組立て、その後上記気密カバーの周辺部を上記
気密増幅器ケースに対し抵抗溶接またはレーザ溶接によ
りシーリングし、その後上記ＲＦ入力導波管及びＲＦ出
力導波管と組立てる方法である。
子を有する高周波用気密半導体装置は、予め上記気密増
幅器ケース内に設けられた上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換
器及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路の開口部と上
記気密カバーに設ける上記低誘電体ガラスとの位置決め
用ピン穴を設けた上記気密カバーに、上記低誘電体ガラ
スを固定し且つ気密を保つためにはんだ付し、また上記
気密増幅器ケースには上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器及
び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路を設け、また第１
及び第２のバイアス供給基板を固定し且つ気密を保つた
めにロー付し、その組立後に上記気密増幅器ケース内で
上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器及び第２のＷＧ／ＭＩＣ
変換器の導波管−マイクロストリップ変換基板と上記第
１及び第２の増幅器用半導体素子と上記増幅器整合回路
をはんだによりダイボンディングし、その組立後に上記
気密増幅器ケース内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器の
導波管−マイクロストリップ変換基板と上記第１の増幅
器用半導体素子を、上記第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導
波管−マイクロストリップ変換基板と上記第２の増幅器
用半導体素子を、上記第１の増幅器用半導体素子と上記
増幅器整合回路を、上記増幅器整合回路と上記第２の増
幅器用半導体素子を、上記第１及び第２の増幅器用半導
体素子と上記第１及び第２のバイアス供給基板を金ワイ
ヤにてワイヤボンディングし、その組立が完了した後、
上記気密カバーを位置決め用ピンを用い上記気密増幅器
ケースと組立て、その後上記気密カバーの周辺部を上記
気密増幅器ケースに対し抵抗溶接またはレーザ溶接によ
りシーリングし、その後上記ＲＦ入力導波管及びＲＦ出
力導波管と組立てる方法である。
【００１５】また、第７の発明による増幅器用半導体素
子を有する高周波用気密半導体装置は、第６の発明の増
幅器用半導体素子を有する高周波用気密半導体装置にバ
イアス供給を行うための補助機構として、上記気密増幅
器ケース外に設けられ、上記第１のバイアス供給基板及
び第２のバイアス供給基板に設けられたストリップ線路
上で、上記気密増幅器ケースの固定面に対して水平に設
けられバイアスを供給する平型リードを具備し、予め上
記気密増幅器ケース内に設けられた上記第１のＷＧ／Ｍ
ＩＣ変換器及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路の開
口部と上記気密カバーに設ける上記低誘電体ガラスとの
位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバーに、上記低誘
電体ガラスを固定し且つ気密を保つためにはんだ付し、
また上記気密増幅器ケースには上記第１のＷＧ／ＭＩＣ
変換器及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路を設け、
また第１及び第２のバイアス供給基板の上記気密増幅器
ケースの外側に上記平リードをロー付により固定すると
共に上記気密増幅器ケースに固定し且つ気密を保つため
にロー付し、その組立後に上記気密増幅器ケース内で上
記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変
換器の導波管−マイクロストリップ変換基板と上記第１
及び第２の増幅器用半導体素子と上記増幅器整合回路を
はんだによりダイボンディングし、その組立後に上記気
密増幅器ケース内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導
波管−マイクロストリップ変換基板と上記第１の増幅器
用半導体素子を、上記第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波
管−マイクロストリップ変換基板と上記第２の増幅器用
半導体素子を、上記第１の増幅器用半導体素子と上記増
幅器整合回路を、上記増幅器整合回路と上記第２の増幅
器用半導体素子を、上記第１及び第２の増幅器用半導体
素子と上記第１及び第２のバイアス供給基板を金ワイヤ
にてワイヤボンディングし、その組立が完了した後、上
記気密カバーを位置決め用ピンを用い上記気密増幅器ケ
ースと組立て、その後上記気密カバーの周辺部を上記気
密増幅器ケースに対し抵抗溶接またはレーザ溶接により
シーリングし、その後上記高周波電波入力導波管及び高
周波電波出力導波管と組立てる方法である。
子を有する高周波用気密半導体装置は、第６の発明の増
幅器用半導体素子を有する高周波用気密半導体装置にバ
イアス供給を行うための補助機構として、上記気密増幅
器ケース外に設けられ、上記第１のバイアス供給基板及
び第２のバイアス供給基板に設けられたストリップ線路
上で、上記気密増幅器ケースの固定面に対して水平に設
けられバイアスを供給する平型リードを具備し、予め上
記気密増幅器ケース内に設けられた上記第１のＷＧ／Ｍ
ＩＣ変換器及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路の開
口部と上記気密カバーに設ける上記低誘電体ガラスとの
位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバーに、上記低誘
電体ガラスを固定し且つ気密を保つためにはんだ付し、
また上記気密増幅器ケースには上記第１のＷＧ／ＭＩＣ
変換器及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波路を設け、
また第１及び第２のバイアス供給基板の上記気密増幅器
ケースの外側に上記平リードをロー付により固定すると
共に上記気密増幅器ケースに固定し且つ気密を保つため
にロー付し、その組立後に上記気密増幅器ケース内で上
記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変
換器の導波管−マイクロストリップ変換基板と上記第１
及び第２の増幅器用半導体素子と上記増幅器整合回路を
はんだによりダイボンディングし、その組立後に上記気
密増幅器ケース内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導
波管−マイクロストリップ変換基板と上記第１の増幅器
用半導体素子を、上記第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波
管−マイクロストリップ変換基板と上記第２の増幅器用
半導体素子を、上記第１の増幅器用半導体素子と上記増
幅器整合回路を、上記増幅器整合回路と上記第２の増幅
器用半導体素子を、上記第１及び第２の増幅器用半導体
素子と上記第１及び第２のバイアス供給基板を金ワイヤ
にてワイヤボンディングし、その組立が完了した後、上
記気密カバーを位置決め用ピンを用い上記気密増幅器ケ
ースと組立て、その後上記気密カバーの周辺部を上記気
密増幅器ケースに対し抵抗溶接またはレーザ溶接により
シーリングし、その後上記高周波電波入力導波管及び高
周波電波出力導波管と組立てる方法である。
【００１６】また、第８の発明による増幅器用半導体素
子を有する高周波用気密半導体装置は、第６の発明の増
幅器用半導体素子を有する高周波用気密半導体装置にバ
イアス供給を行うための補助機構として、上記気密増幅
器ケース外に設けられ、上記第１のバイアス供給基板及
び第２のバイアス供給基板に近接し、上記気密増幅器ケ
ースの固定面に対して垂直に貫通しバイアスを供給する
ターミナルと、上記第１のバイアス供給基板及び第２の
バイアス供給基板上のストリップ線路の一端と上記ター
ミナルとを接続する金ワイヤとを具備し、予め上記気密
増幅器ケース内に設けられた上記第１及び第２の導波管
／マイクロストリップ線路変換器の導波路の開口部と上
記気密カバーに設ける上記低誘電体ガラスとの位置決め
用ピン穴を設けた上記気密カバーに、上記低誘電体ガラ
スを固定し且つ気密を保つためにはんだ付し、また上記
気密増幅器ケースには上記第１及び第２の導波管／マイ
クロストリップ線路変換器の導波路を設け、また上記気
密増幅器ケースの外側で上記第１及び第２のバイアス供
給基板に近接しターミナルを設けると共に上記第１及び
第２のバイアス供給基板を固定し且つ気密を保つために
ロー付し、その組立後に上記気密増幅器ケース内で上記
第１及び第２の導波管／マイクロストリップ線路変換器
の導波管−マイクロストリップ変換基板と上記第１及び
第２の増幅器用半導体素子と上記増幅器整合回路をはん
だによりダイボンディングし、その組立後に上記気密増
幅器ケース内で上記第１の導波管／マイクロストリップ
線路変換器の導波管−マイクロストリップ変換基板と上
記第１の増幅器用半導体素子を、上記第２の導波管／マ
イクロストリップ線路変換器の導波管−マイクロストリ
ップ変換基板と上記第２の増幅器用半導体素子を、上記
第１の増幅器用半導体素子と上記増幅器整合回路を、上
記増幅器整合回路と上記第２の増幅器用半導体素子を、
上記第１及び第２の増幅器用半導体素子と上記第１及び
第２のバイアス供給基板を金ワイヤにてワイヤボンディ
ングし、その組立後に上記気密増幅器ケース外で上記第
１及び第２のバイアス供給基板と上記ターミナルを金リ
ボンにてワイヤボンディングし、その組立が完了した
後、上記気密カバーを位置決め用ピンを用い上記気密増
幅器ケースと組立て、その後上記気密カバーの周辺部を
上記気密増幅器ケースに対し抵抗溶接またはレーザ溶接
によりシーリングし、その後上記高周波電波入力導波管
及び高周波電波出力導波管と組立てる方法である。
子を有する高周波用気密半導体装置は、第６の発明の増
幅器用半導体素子を有する高周波用気密半導体装置にバ
イアス供給を行うための補助機構として、上記気密増幅
器ケース外に設けられ、上記第１のバイアス供給基板及
び第２のバイアス供給基板に近接し、上記気密増幅器ケ
ースの固定面に対して垂直に貫通しバイアスを供給する
ターミナルと、上記第１のバイアス供給基板及び第２の
バイアス供給基板上のストリップ線路の一端と上記ター
ミナルとを接続する金ワイヤとを具備し、予め上記気密
増幅器ケース内に設けられた上記第１及び第２の導波管
／マイクロストリップ線路変換器の導波路の開口部と上
記気密カバーに設ける上記低誘電体ガラスとの位置決め
用ピン穴を設けた上記気密カバーに、上記低誘電体ガラ
スを固定し且つ気密を保つためにはんだ付し、また上記
気密増幅器ケースには上記第１及び第２の導波管／マイ
クロストリップ線路変換器の導波路を設け、また上記気
密増幅器ケースの外側で上記第１及び第２のバイアス供
給基板に近接しターミナルを設けると共に上記第１及び
第２のバイアス供給基板を固定し且つ気密を保つために
ロー付し、その組立後に上記気密増幅器ケース内で上記
第１及び第２の導波管／マイクロストリップ線路変換器
の導波管−マイクロストリップ変換基板と上記第１及び
第２の増幅器用半導体素子と上記増幅器整合回路をはん
だによりダイボンディングし、その組立後に上記気密増
幅器ケース内で上記第１の導波管／マイクロストリップ
線路変換器の導波管−マイクロストリップ変換基板と上
記第１の増幅器用半導体素子を、上記第２の導波管／マ
イクロストリップ線路変換器の導波管−マイクロストリ
ップ変換基板と上記第２の増幅器用半導体素子を、上記
第１の増幅器用半導体素子と上記増幅器整合回路を、上
記増幅器整合回路と上記第２の増幅器用半導体素子を、
上記第１及び第２の増幅器用半導体素子と上記第１及び
第２のバイアス供給基板を金ワイヤにてワイヤボンディ
ングし、その組立後に上記気密増幅器ケース外で上記第
１及び第２のバイアス供給基板と上記ターミナルを金リ
ボンにてワイヤボンディングし、その組立が完了した
後、上記気密カバーを位置決め用ピンを用い上記気密増
幅器ケースと組立て、その後上記気密カバーの周辺部を
上記気密増幅器ケースに対し抵抗溶接またはレーザ溶接
によりシーリングし、その後上記高周波電波入力導波管
及び高周波電波出力導波管と組立てる方法である。
【００１７】
実施の形態１ 図１はこの発明の実施の形態１を示す斜視図であり、図
２は図１の平面図であり、図３，図４及び図５は図２の
断面図であり、図１において１ａはＲＦ入力導波管、２
ａはＲＦ入力導波管１ａに固定される気密混合器ケー
ス、３はＲＦ入力導波管１ａと気密混合器ケース２ａと
の間に取付けられる気密カバー、４は気密カバー３に内
蔵された例えば石英ガラス等の低誘電体ガラス、６は低
誘電体ガラス４と対向するＷＧ／ＭＩＣ変換器５の導波
管の開口部との位置決め用ピンである。図２において５
は気密混合器ケース２ａ内に設けたＷＧ／ＭＩＣ変換
器、７は混合器回路、８はＬＯ整合回路、９はＩＦ整合
回路、１０は気密混合器ケース２ａの内外を水平に貫通
する第１の接続基板、１１は気密混合器ケース２ａの内
外を水平に貫通する第２の接続基板、１２はＬＯ入力回
路、１３はＩＦ出力回路、１４はＷＧ／ＭＩＣ変換器５
と混合器回路７、混合器回路７とＬＯ整合回路８、混合
器回路７とＩＦ整合回路９、ＬＯ整合回路８と第１の接
続基板１０及びＩＦ整合回路９と第２の接続基板１１と
を接続する金ワイヤ、１５は第１の接続基板１０とＬＯ
入力回路１２及び第２の接続基板１１とＩＦ出力回路１
３とを接続する金リボンである。
２は図１の平面図であり、図３，図４及び図５は図２の
断面図であり、図１において１ａはＲＦ入力導波管、２
ａはＲＦ入力導波管１ａに固定される気密混合器ケー
ス、３はＲＦ入力導波管１ａと気密混合器ケース２ａと
の間に取付けられる気密カバー、４は気密カバー３に内
蔵された例えば石英ガラス等の低誘電体ガラス、６は低
誘電体ガラス４と対向するＷＧ／ＭＩＣ変換器５の導波
管の開口部との位置決め用ピンである。図２において５
は気密混合器ケース２ａ内に設けたＷＧ／ＭＩＣ変換
器、７は混合器回路、８はＬＯ整合回路、９はＩＦ整合
回路、１０は気密混合器ケース２ａの内外を水平に貫通
する第１の接続基板、１１は気密混合器ケース２ａの内
外を水平に貫通する第２の接続基板、１２はＬＯ入力回
路、１３はＩＦ出力回路、１４はＷＧ／ＭＩＣ変換器５
と混合器回路７、混合器回路７とＬＯ整合回路８、混合
器回路７とＩＦ整合回路９、ＬＯ整合回路８と第１の接
続基板１０及びＩＦ整合回路９と第２の接続基板１１と
を接続する金ワイヤ、１５は第１の接続基板１０とＬＯ
入力回路１２及び第２の接続基板１１とＩＦ出力回路１
３とを接続する金リボンである。
【００１８】上記に示す上記気密カバー３に設ける低誘
電体ガラス４は、数１で求められる使用周波数において
導波管の管内波長の２分の１の整数倍の長さの側面をメ
タライズすることではんだ付けし、気密を保つことが可
能となる。
電体ガラス４は、数１で求められる使用周波数において
導波管の管内波長の２分の１の整数倍の長さの側面をメ
タライズすることではんだ付けし、気密を保つことが可
能となる。
【００１９】
【数１】
【００２０】また、この低誘電体ガラス４の断面の寸法
は、数２に示す高周波の基本モード（ＴＥ10モード）伝
送する条件、及び数３に示す高次モード（ＴＭ11モード
など）をカットオフするための条件を満たすように決定
されるものである。
は、数２に示す高周波の基本モード（ＴＥ10モード）伝
送する条件、及び数３に示す高次モード（ＴＭ11モード
など）をカットオフするための条件を満たすように決定
されるものである。
【００２１】
【数２】
【００２２】
【数３】
【００２３】上記のように構成された高周波用気密半導
体装置を、予め上記気密混合器ケース２ａ内に設けられ
た上記ＷＧ／ＭＩＣ変換器５の導波路５ａの開口部と上
記気密カバー３に設ける上記低誘電体ガラス４との位置
決め用ピン穴を設けた上記気密カバー３に、上記低誘電
体ガラス４を固定し且つ気密を保つために接合部の表面
を金属にてメタライズすることではんだ付し、また上記
気密混合器ケース２ａには上記ＷＧ／ＭＩＣ変換器５の
導波路５ａを設け、また上記第１の接続基板１０及び上
記第２の接続基板１１を固定し且つ気密を保つためにロ
ー付し、その組立後に上記気密混合器ケース２ａ内で上
記ＷＧ／ＭＩＣ変換器５の上記導波管−マイクロストリ
ップ変換基板５ｂと上記混合器回路７と上記局発信号用
整合回路８及び上記中間周波数用整合回路９を、また上
記気密混合器ケース２ａ外に上記ＬＯ入力回路１２と上
記ＩＦ出力回路１３をはんだによりダイボンディングす
る。
体装置を、予め上記気密混合器ケース２ａ内に設けられ
た上記ＷＧ／ＭＩＣ変換器５の導波路５ａの開口部と上
記気密カバー３に設ける上記低誘電体ガラス４との位置
決め用ピン穴を設けた上記気密カバー３に、上記低誘電
体ガラス４を固定し且つ気密を保つために接合部の表面
を金属にてメタライズすることではんだ付し、また上記
気密混合器ケース２ａには上記ＷＧ／ＭＩＣ変換器５の
導波路５ａを設け、また上記第１の接続基板１０及び上
記第２の接続基板１１を固定し且つ気密を保つためにロ
ー付し、その組立後に上記気密混合器ケース２ａ内で上
記ＷＧ／ＭＩＣ変換器５の上記導波管−マイクロストリ
ップ変換基板５ｂと上記混合器回路７と上記局発信号用
整合回路８及び上記中間周波数用整合回路９を、また上
記気密混合器ケース２ａ外に上記ＬＯ入力回路１２と上
記ＩＦ出力回路１３をはんだによりダイボンディングす
る。
【００２４】次に上記気密混合器ケース２ａ内で上記Ｗ
Ｇ／ＭＩＣ変換器５の導波管−マイクロストリップ変換
基板５ｂと上記混合器回路７を、上記混合器回路７と上
記局発信号用整合回路８を、上記混合器回路７と上記中
間周波数用整合回路９を、上記局発信号用整合回路８と
上記第１の接続基板１０を、上記中間周波数用整合回路
９と上記第２の接続基板１１を金ワイヤにてワイヤボン
ディングし、その組立後に上記気密混合器ケース２ａ外
で上記第１の接続基板１０と上記ＬＯ入力回路１２を、
上記第２接続基板１１と上記ＩＦ出力回路１３を金リボ
ン１５にてワイヤボンディングし、以上の組立が完了し
た後、上記気密カバーを３位置決め用ピン６を用い上記
気密混合器ケース２ａと組立て、その後上記気密カバー
３の周辺部を上記気密混合器ケース２ａに対し抵抗溶接
またはレーザ溶接によりシーリングし、その後上記ＲＦ
入力導波管１ａと組立てる方法である。この組立方法に
より上記気密カバー３に低誘電体ガラス４に内蔵するこ
とが可能となり、また上記気密カバー３に内蔵した低誘
電体ガラス４と対向するＷＧ／ＭＩＣ変換器５の導波路
５ａの開口部との位置ズレを防ぐことが可能である。
Ｇ／ＭＩＣ変換器５の導波管−マイクロストリップ変換
基板５ｂと上記混合器回路７を、上記混合器回路７と上
記局発信号用整合回路８を、上記混合器回路７と上記中
間周波数用整合回路９を、上記局発信号用整合回路８と
上記第１の接続基板１０を、上記中間周波数用整合回路
９と上記第２の接続基板１１を金ワイヤにてワイヤボン
ディングし、その組立後に上記気密混合器ケース２ａ外
で上記第１の接続基板１０と上記ＬＯ入力回路１２を、
上記第２接続基板１１と上記ＩＦ出力回路１３を金リボ
ン１５にてワイヤボンディングし、以上の組立が完了し
た後、上記気密カバーを３位置決め用ピン６を用い上記
気密混合器ケース２ａと組立て、その後上記気密カバー
３の周辺部を上記気密混合器ケース２ａに対し抵抗溶接
またはレーザ溶接によりシーリングし、その後上記ＲＦ
入力導波管１ａと組立てる方法である。この組立方法に
より上記気密カバー３に低誘電体ガラス４に内蔵するこ
とが可能となり、また上記気密カバー３に内蔵した低誘
電体ガラス４と対向するＷＧ／ＭＩＣ変換器５の導波路
５ａの開口部との位置ズレを防ぐことが可能である。
【００２５】実施の形態２ 図６はこの発明の実施の形態２を示す斜視図であり、図
７は図６の平面図であり、図８及び図９は図７の断面図
であり、図６において１ａはＲＦ入力導波管、２ａはＲ
Ｆ入力導波管１ａに固定される気密混合器ケース、３は
ＲＦ入力導波管１ａと気密混合器ケース２ａとの間に取
付けられる気密カバー、４は気密カバー３に内蔵された
低誘電体ガラス、６は低誘電体ガラス４と対向するＷＧ
／ＭＩＣ変換器５の導波管の開口部との位置決め用ピン
である。図７において５は気密混合器ケース２ａ内に設
けたＷＧ／ＭＩＣ変換器、７は混合器回路、８はＬＯ整
合回路、９はＩＦ整合回路、１６は気密混合器ケース２
ａの内外を水平に貫通する第１の同軸線路、１７は気密
混合器ケース２ａの内外を水平に貫通する第２の同軸線
路、１８は金属キャリア、１２はＬＯ入力回路、１３は
ＩＦ出力回路、１４はＷＧ／ＭＩＣ変換器５と混合器回
路７、混合器回路７とＬＯ整合回路８、混合器回路７と
ＩＦ整合回路９、ＬＯ整合回路８と第１の同軸線路１６
及びＩＦ整合回路９と第２の同軸線路１７とを接続する
金ワイヤ、１５は第１の同軸線路１６とＬＯ入力回路１
２及び第２の同軸線路１７とＩＦ出力回路１３とを接続
する金リボンである。
７は図６の平面図であり、図８及び図９は図７の断面図
であり、図６において１ａはＲＦ入力導波管、２ａはＲ
Ｆ入力導波管１ａに固定される気密混合器ケース、３は
ＲＦ入力導波管１ａと気密混合器ケース２ａとの間に取
付けられる気密カバー、４は気密カバー３に内蔵された
低誘電体ガラス、６は低誘電体ガラス４と対向するＷＧ
／ＭＩＣ変換器５の導波管の開口部との位置決め用ピン
である。図７において５は気密混合器ケース２ａ内に設
けたＷＧ／ＭＩＣ変換器、７は混合器回路、８はＬＯ整
合回路、９はＩＦ整合回路、１６は気密混合器ケース２
ａの内外を水平に貫通する第１の同軸線路、１７は気密
混合器ケース２ａの内外を水平に貫通する第２の同軸線
路、１８は金属キャリア、１２はＬＯ入力回路、１３は
ＩＦ出力回路、１４はＷＧ／ＭＩＣ変換器５と混合器回
路７、混合器回路７とＬＯ整合回路８、混合器回路７と
ＩＦ整合回路９、ＬＯ整合回路８と第１の同軸線路１６
及びＩＦ整合回路９と第２の同軸線路１７とを接続する
金ワイヤ、１５は第１の同軸線路１６とＬＯ入力回路１
２及び第２の同軸線路１７とＩＦ出力回路１３とを接続
する金リボンである。
【００２６】上記のように構成された高周波用気密半導
体装置を、予め上記気密混合器ケース２ａ内に設けられ
た上記ＷＧ／ＭＩＣ５の導波路５ａの開口部と上記気密
カバー３に設ける上記低誘電体ガラス４との位置決め用
ピン穴を設けた上記気密カバー３に、上記低誘電体ガラ
ス４を固定し且つ気密を保つために接合部の表面を金属
にてメタライズすることではんだ付し、また上記気密混
合器ケース２ａには上記ＷＧ／ＭＩＣ変換器５の導波路
５ａを設け、また上記第１の同軸線路１６及び上記第２
の同軸線路１７を固定し且つ気密を保つためにロー付
し、その組立後に上記気密混合器ケース２ａ内で上記Ｗ
Ｇ／ＭＩＣ変換器５の導波管−マイクロストリップ変換
基板５ｂと上記混合器回路７と上記ＬＯ整合回路８及び
上記ＩＦ整合回路９を、また上記気密混合器ケース２ａ
外に上記金属キャリア１８と上記ＬＯ入力回路１２と上
記ＩＦ出力回路１３をはんだによりダイボンディングす
る。
体装置を、予め上記気密混合器ケース２ａ内に設けられ
た上記ＷＧ／ＭＩＣ５の導波路５ａの開口部と上記気密
カバー３に設ける上記低誘電体ガラス４との位置決め用
ピン穴を設けた上記気密カバー３に、上記低誘電体ガラ
ス４を固定し且つ気密を保つために接合部の表面を金属
にてメタライズすることではんだ付し、また上記気密混
合器ケース２ａには上記ＷＧ／ＭＩＣ変換器５の導波路
５ａを設け、また上記第１の同軸線路１６及び上記第２
の同軸線路１７を固定し且つ気密を保つためにロー付
し、その組立後に上記気密混合器ケース２ａ内で上記Ｗ
Ｇ／ＭＩＣ変換器５の導波管−マイクロストリップ変換
基板５ｂと上記混合器回路７と上記ＬＯ整合回路８及び
上記ＩＦ整合回路９を、また上記気密混合器ケース２ａ
外に上記金属キャリア１８と上記ＬＯ入力回路１２と上
記ＩＦ出力回路１３をはんだによりダイボンディングす
る。
【００２７】次に上記気密混合器ケース２ａ内で上記Ｗ
Ｇ／ＭＩＣ変換器５の導波管−マイクロストリップ変換
基板５ｂと上記混合器回路７を、上記混合器回路７と上
記ＬＯ整合回路８を、上記混合器回路７と上記ＩＦ整合
回路９を、上記ＬＯ整合回路８と上記第１の同軸線路１
６を、上記ＩＦ整合回路９と上記第２の同軸線路１７を
金ワイヤ１４にてワイヤボンディングし、その組立後に
上記気密混合器ケース２ａ外で上記第１の同軸線路１６
と上記ＬＯ入力回路１２を、上記第２の同軸線路１７と
上記ＩＦ出力回路１３を金リボン１５にてワイヤボンデ
ィングし、その組立が完了した後、上記気密カバー３を
位置決め用ピン６を用い上記気密混合器ケース２ａと組
立て、その後上記気密カバー３の周辺部を上記気密混合
器ケース２ａに対し抵抗溶接またはレーザ溶接によりシ
ーリングし、その後上記ＲＦ入力導波管１ａと組立てる
方法である。この組立方法により上記気密カバー３に低
誘電体ガラス４に内蔵することが可能となり、また上記
気密カバー３に内蔵した低誘電体ガラス４と対向するＷ
Ｇ／ＭＩＣ変換器５の導波路５ａの開口部との位置ズレ
を防ぐことが可能である。
Ｇ／ＭＩＣ変換器５の導波管−マイクロストリップ変換
基板５ｂと上記混合器回路７を、上記混合器回路７と上
記ＬＯ整合回路８を、上記混合器回路７と上記ＩＦ整合
回路９を、上記ＬＯ整合回路８と上記第１の同軸線路１
６を、上記ＩＦ整合回路９と上記第２の同軸線路１７を
金ワイヤ１４にてワイヤボンディングし、その組立後に
上記気密混合器ケース２ａ外で上記第１の同軸線路１６
と上記ＬＯ入力回路１２を、上記第２の同軸線路１７と
上記ＩＦ出力回路１３を金リボン１５にてワイヤボンデ
ィングし、その組立が完了した後、上記気密カバー３を
位置決め用ピン６を用い上記気密混合器ケース２ａと組
立て、その後上記気密カバー３の周辺部を上記気密混合
器ケース２ａに対し抵抗溶接またはレーザ溶接によりシ
ーリングし、その後上記ＲＦ入力導波管１ａと組立てる
方法である。この組立方法により上記気密カバー３に低
誘電体ガラス４に内蔵することが可能となり、また上記
気密カバー３に内蔵した低誘電体ガラス４と対向するＷ
Ｇ／ＭＩＣ変換器５の導波路５ａの開口部との位置ズレ
を防ぐことが可能である。
【００２８】実施の形態３ 図１０はこの発明の実施の形態３を示す斜視図であり、
図１１は図１０の平面図であり、図１２及び図１３は図
１１の断面図であり、図１０において１ａはＲＦ入力導
波管、１９はＬＯ入力導波管、２ａはＲＦ入力導波管１
ａに固定される気密混合器ケース、３はＲＦ入力導波管
１ａと気密混合器ケース２ａとの間に取付けられる気密
カバー、４は気密カバー３に内蔵された低誘電体ガラ
ス、６は低誘電体ガラス４と対向するＷＧ／ＭＩＣ変換
器５の導波管の開口部との位置決め用ピンである。図１
１において２２は気密混合器ケース２ａ内に設けられ高
周波電波を入力する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器、２３は
気密混合器ケース２ａ内に設けられ局発信号を入力する
第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器、７は混合器回路、８はＬＯ
整合回路、９はＩＦ整合回路、２０は気密混合器ケース
２ａの内外を水平に貫通する接続基板、１３はＩＦ出力
回路、１４は第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２と混合器回
路７、第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３とＬＯ整合回路
８、混合器回路７とＩＦ整合回路９、混合器回路７とＩ
Ｆ整合回路９及びＩＦ整合回路９と接続基板２０とを接
続する金ワイヤ、１５は接続基板２０とＩＦ出力回路と
を接続する金リボンである。
図１１は図１０の平面図であり、図１２及び図１３は図
１１の断面図であり、図１０において１ａはＲＦ入力導
波管、１９はＬＯ入力導波管、２ａはＲＦ入力導波管１
ａに固定される気密混合器ケース、３はＲＦ入力導波管
１ａと気密混合器ケース２ａとの間に取付けられる気密
カバー、４は気密カバー３に内蔵された低誘電体ガラ
ス、６は低誘電体ガラス４と対向するＷＧ／ＭＩＣ変換
器５の導波管の開口部との位置決め用ピンである。図１
１において２２は気密混合器ケース２ａ内に設けられ高
周波電波を入力する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器、２３は
気密混合器ケース２ａ内に設けられ局発信号を入力する
第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器、７は混合器回路、８はＬＯ
整合回路、９はＩＦ整合回路、２０は気密混合器ケース
２ａの内外を水平に貫通する接続基板、１３はＩＦ出力
回路、１４は第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２と混合器回
路７、第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３とＬＯ整合回路
８、混合器回路７とＩＦ整合回路９、混合器回路７とＩ
Ｆ整合回路９及びＩＦ整合回路９と接続基板２０とを接
続する金ワイヤ、１５は接続基板２０とＩＦ出力回路と
を接続する金リボンである。
【００２９】上記のように構成された高周波用気密半導
体装置を、予め上記気密混合器ケース２ａ内に設けられ
た上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａの
開口部及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波路２３
ａの開口部と上記気密カバー３に設ける上記低誘電体ガ
ラス４との位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバー３
に、上記低誘電体ガラス４を固定し且つ気密を保つため
に接合部の表面を金属にてメタライズすることではんだ
付し、また上記気密混合器ケース２ａには上記第１のＷ
Ｇ／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａ及び第２のＷＧ／
ＭＩＣ変換器２３の導波路２３ａを設け、また上記接続
基板２０を固定し且つ気密を保つためにロー付し、その
組立後に上記気密混合器ケース２ａ内で上記第１のＷＧ
／ＭＩＣ変換器２２の導波管−マイクロストリップ変換
基板２２ｂ及び第２ＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波管−
マイクロストリップ変換基板２３ｂと上記混合器回路７
と上記ＬＯ整合回路８及び上記ＩＦ整合回路９を、また
上記気密混合器ケース２ａ外に上記ＩＦ出力回路１３を
はんだによりダイボンディングする。
体装置を、予め上記気密混合器ケース２ａ内に設けられ
た上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａの
開口部及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波路２３
ａの開口部と上記気密カバー３に設ける上記低誘電体ガ
ラス４との位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバー３
に、上記低誘電体ガラス４を固定し且つ気密を保つため
に接合部の表面を金属にてメタライズすることではんだ
付し、また上記気密混合器ケース２ａには上記第１のＷ
Ｇ／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａ及び第２のＷＧ／
ＭＩＣ変換器２３の導波路２３ａを設け、また上記接続
基板２０を固定し且つ気密を保つためにロー付し、その
組立後に上記気密混合器ケース２ａ内で上記第１のＷＧ
／ＭＩＣ変換器２２の導波管−マイクロストリップ変換
基板２２ｂ及び第２ＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波管−
マイクロストリップ変換基板２３ｂと上記混合器回路７
と上記ＬＯ整合回路８及び上記ＩＦ整合回路９を、また
上記気密混合器ケース２ａ外に上記ＩＦ出力回路１３を
はんだによりダイボンディングする。
【００３０】次に上記気密混合器ケース２ａ内で上記第
１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波管−マイクロストリ
ップ変換基板２２ｂと上記混合器回路７を、上記第２の
ＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波管−マイクロストリップ
変換基板２３ｂと上記ＬＯ整合回路８を、上記混合器回
路７と上記ＬＯ整合回路８を、上記混合器回路７と上記
ＩＦ整合回路９を、上記ＩＦ整合回路９と上記接続基板
２０を金ワイヤ１４にてワイヤボンディングし、その組
立後に上記気密混合器ケース２ａ外で上記接続基板２０
と上記ＩＦ出力回路１３を金リボン１５にてワイヤボン
ディングし、その組立が完了した後、上記気密カバー３
を位置決め用ピン６を用い上記気密混合器ケース２ａと
組立て、その後上記気密カバー３の周辺部を上記気密混
合器ケース２ａに対し抵抗溶接またはレーザ溶接により
シーリングし、その後上記ＲＦ入力導波管１ａ及び上記
ＬＯ入力導波管１９と組立てる方法である。この組立方
法により上記気密カバー３に低誘電体ガラス４に内蔵す
ることが可能となり、また上記気密カバー３に内蔵した
低誘電体ガラス４と対向する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器
２２の導波路２２ａ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３
の導波路２３ａの開口部との位置ズレを防ぐことが可能
である。
１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波管−マイクロストリ
ップ変換基板２２ｂと上記混合器回路７を、上記第２の
ＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波管−マイクロストリップ
変換基板２３ｂと上記ＬＯ整合回路８を、上記混合器回
路７と上記ＬＯ整合回路８を、上記混合器回路７と上記
ＩＦ整合回路９を、上記ＩＦ整合回路９と上記接続基板
２０を金ワイヤ１４にてワイヤボンディングし、その組
立後に上記気密混合器ケース２ａ外で上記接続基板２０
と上記ＩＦ出力回路１３を金リボン１５にてワイヤボン
ディングし、その組立が完了した後、上記気密カバー３
を位置決め用ピン６を用い上記気密混合器ケース２ａと
組立て、その後上記気密カバー３の周辺部を上記気密混
合器ケース２ａに対し抵抗溶接またはレーザ溶接により
シーリングし、その後上記ＲＦ入力導波管１ａ及び上記
ＬＯ入力導波管１９と組立てる方法である。この組立方
法により上記気密カバー３に低誘電体ガラス４に内蔵す
ることが可能となり、また上記気密カバー３に内蔵した
低誘電体ガラス４と対向する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器
２２の導波路２２ａ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３
の導波路２３ａの開口部との位置ズレを防ぐことが可能
である。
【００３１】実施の形態４ 図１４はこの発明の実施の形態４を示す斜視図であり、
図１５は図１４の平面図であり、図１６及び図１７は図
１５の断面図であり、図１４において１ａはＲＦ入力導
波管、１９はＬＯ入力導波管、２ａはＲＦ入力導波管１
ａに固定される気密混合器ケース、３はＲＦ入力導波管
１ａと気密混合器ケース２ａとの間に取付けられる気密
カバー、４は気密カバー３に内蔵された低誘電体ガラ
ス、６は低誘電体ガラス４と対向する第１のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２２と第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波管
の開口部との位置決め用ピンである。図１５において２
２は気密混合器ケース２ａ内に設けられ高周波電波を入
力する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器、２３は気密混合器ケ
ース２ａ内に設けられ局発信号を入力する第２のＷＧ／
ＭＩＣ変換器、７は混合器回路、８はＬＯ整合回路、９
はＩＦ整合回路、２１は気密混合器ケース２ａの内外を
垂直に貫通する同軸線路、１４は第１のＷＧ／ＭＩＣ変
換器２２と混合器回路７、第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２
３とＬＯ整合回路８、混合器回路７とＬＯ整合回路８、
混合器回路７とＩＦ整合回路９及びＩＦ整合回路９と同
軸線路２１とを接続する金ワイヤである。
図１５は図１４の平面図であり、図１６及び図１７は図
１５の断面図であり、図１４において１ａはＲＦ入力導
波管、１９はＬＯ入力導波管、２ａはＲＦ入力導波管１
ａに固定される気密混合器ケース、３はＲＦ入力導波管
１ａと気密混合器ケース２ａとの間に取付けられる気密
カバー、４は気密カバー３に内蔵された低誘電体ガラ
ス、６は低誘電体ガラス４と対向する第１のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２２と第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波管
の開口部との位置決め用ピンである。図１５において２
２は気密混合器ケース２ａ内に設けられ高周波電波を入
力する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器、２３は気密混合器ケ
ース２ａ内に設けられ局発信号を入力する第２のＷＧ／
ＭＩＣ変換器、７は混合器回路、８はＬＯ整合回路、９
はＩＦ整合回路、２１は気密混合器ケース２ａの内外を
垂直に貫通する同軸線路、１４は第１のＷＧ／ＭＩＣ変
換器２２と混合器回路７、第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２
３とＬＯ整合回路８、混合器回路７とＬＯ整合回路８、
混合器回路７とＩＦ整合回路９及びＩＦ整合回路９と同
軸線路２１とを接続する金ワイヤである。
【００３２】上記のように構成された高周波用気密半導
体装置を、予め上記気密混合器ケース２ａ内に設けられ
た上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａ及
び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波路２３ａの開口
部と上記気密カバー３に設ける上記低誘電体ガラス４と
の位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバー３に、上記
低誘電体ガラス４を固定し且つ気密を保つために接合部
の表面を金属にてメタライズすることではんだ付し、ま
た上記気密混合器ケース２ａには上記第１のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２２の導波路２２ａ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変
換器２３の導波路２３ａを設け、また上記同軸線路を固
定し且つ気密を保つためにロー付し、その組立後に上記
気密混合器ケース内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器及
び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マイクロストリ
ップ変換基板と上記混合器回路と上記ＬＯ整合回路及び
上記ＩＦ整合回路をはんだによりダイボンディングす
る。
体装置を、予め上記気密混合器ケース２ａ内に設けられ
た上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａ及
び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波路２３ａの開口
部と上記気密カバー３に設ける上記低誘電体ガラス４と
の位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバー３に、上記
低誘電体ガラス４を固定し且つ気密を保つために接合部
の表面を金属にてメタライズすることではんだ付し、ま
た上記気密混合器ケース２ａには上記第１のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２２の導波路２２ａ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変
換器２３の導波路２３ａを設け、また上記同軸線路を固
定し且つ気密を保つためにロー付し、その組立後に上記
気密混合器ケース内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器及
び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マイクロストリ
ップ変換基板と上記混合器回路と上記ＬＯ整合回路及び
上記ＩＦ整合回路をはんだによりダイボンディングす
る。
【００３３】次に上記気密混合器ケース２ａ内で上記第
１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波管−マイクロストリ
ップ変換基板２２ｂと上記混合器回路７を、上記第２の
ＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波管−マイクロストリップ
変換基板２３ｂと上記ＬＯ整合回路８を、上記混合器回
路７と上記ＬＯ整合回路８を、上記混合器回路７と上記
ＩＦ整合回路９を、上記ＩＦ整合回路９と上記同軸線路
２１を金ワイヤ１４にてワイヤボンディングし、その組
立が完了した後、上記気密カバー３を位置決め用ピン６
を用い上記気密混合器ケース２ａと組立て、その後上記
気密カバー３の周辺部を上記気密混合器ケース２ａに対
し抵抗溶接またはレーザ溶接によりシーリングし、その
後上記高周波電波入力導波管及び局発信号入力導波管と
組立てる方法である。この組立方法により上記気密カバ
ー３に低誘電体ガラス４に内蔵することが可能となり、
また上記気密カバー３に内蔵した低誘電体ガラス４と対
向する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａ及
び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波路２３ａの開口
部との位置ズレを防ぐことが可能である。
１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波管−マイクロストリ
ップ変換基板２２ｂと上記混合器回路７を、上記第２の
ＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波管−マイクロストリップ
変換基板２３ｂと上記ＬＯ整合回路８を、上記混合器回
路７と上記ＬＯ整合回路８を、上記混合器回路７と上記
ＩＦ整合回路９を、上記ＩＦ整合回路９と上記同軸線路
２１を金ワイヤ１４にてワイヤボンディングし、その組
立が完了した後、上記気密カバー３を位置決め用ピン６
を用い上記気密混合器ケース２ａと組立て、その後上記
気密カバー３の周辺部を上記気密混合器ケース２ａに対
し抵抗溶接またはレーザ溶接によりシーリングし、その
後上記高周波電波入力導波管及び局発信号入力導波管と
組立てる方法である。この組立方法により上記気密カバ
ー３に低誘電体ガラス４に内蔵することが可能となり、
また上記気密カバー３に内蔵した低誘電体ガラス４と対
向する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａ及
び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波路２３ａの開口
部との位置ズレを防ぐことが可能である。
【００３４】実施の形態５ 図１８はこの発明の実施の形態５を示す平面図であり、
図１９は図１８の断面図であり、図２０及び図２１は図
１９の断面図であり、図１８において１ａはＲＦ入力導
波管、１ｂはＲＦ出力導波管、２ｂはＲＦ入力導波管１
ａ及びＲＦ出力導波管１ｂに固定される気密混合器ケー
ス、３はＲＦ入力導波管１ａと気密増幅器ケース２ｂと
の間に取付けられる気密カバー、４は気密カバー３に内
蔵された低誘電体ガラス、６は低誘電体ガラス４と対向
する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２と第２のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２３の導波管の開口部との位置決め用ピンであ
る。図１９において２２は気密混合器ケース２ｂ内に設
けられ高周波電波を入力する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換
器、２３は気密増幅器ケース２ｂ内に設けられ高周波電
波を出力する第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器、２４は第１の
増幅器用半導体素子、２５は第２の増幅器用半導体素
子、２６は増幅器整合回路、２７は気密増幅器ケース２
ｂ内外を垂直に貫通しバイアスを供給するハーメチック
端子、１４は第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２と第１の増
幅器用半導体素子２４、第１の増幅器用半導体素子２４
と増幅器整合回路２６、増幅器整合回路２６と第２の増
幅器用半導体素子２５、第２の増幅器用半導体素子２５
と第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３、第１の増幅器用半導
体素子２４及び第２の増幅器用半導体素子２５とハーメ
チック端子２７とを接続する金ワイヤである。
図１９は図１８の断面図であり、図２０及び図２１は図
１９の断面図であり、図１８において１ａはＲＦ入力導
波管、１ｂはＲＦ出力導波管、２ｂはＲＦ入力導波管１
ａ及びＲＦ出力導波管１ｂに固定される気密混合器ケー
ス、３はＲＦ入力導波管１ａと気密増幅器ケース２ｂと
の間に取付けられる気密カバー、４は気密カバー３に内
蔵された低誘電体ガラス、６は低誘電体ガラス４と対向
する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２と第２のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２３の導波管の開口部との位置決め用ピンであ
る。図１９において２２は気密混合器ケース２ｂ内に設
けられ高周波電波を入力する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換
器、２３は気密増幅器ケース２ｂ内に設けられ高周波電
波を出力する第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器、２４は第１の
増幅器用半導体素子、２５は第２の増幅器用半導体素
子、２６は増幅器整合回路、２７は気密増幅器ケース２
ｂ内外を垂直に貫通しバイアスを供給するハーメチック
端子、１４は第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２と第１の増
幅器用半導体素子２４、第１の増幅器用半導体素子２４
と増幅器整合回路２６、増幅器整合回路２６と第２の増
幅器用半導体素子２５、第２の増幅器用半導体素子２５
と第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３、第１の増幅器用半導
体素子２４及び第２の増幅器用半導体素子２５とハーメ
チック端子２７とを接続する金ワイヤである。
【００３５】上記のように構成された高周波用気密半導
体装置を、予め上記気密増幅器ケース２ｂ内に設けられ
た上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａ及
び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波路２３ａの開口
部と上記気密カバー３に設ける上記低誘電体ガラス４と
の位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバー３に、上記
低誘電体ガラス４を固定し且つ気密を保つために接合部
の表面を金属にてメタライズすることではんだ付し、ま
た上記気密混合器ケース２ｂには上記第１のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２２の導波路２２ａ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変
換器２３の導波路２３ａを設け、またハーメチック端子
２７はハーメチックの材料として通常ガラスを使用し気
密を保つためにロー付し、その組立後に上記気密増幅器
ケース２ｂ内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導
波管−マイクロストリップ変換基板２２ｂ及び第２のＷ
Ｇ／ＭＩＣ変換器２３の導波管−マイクロストリップ変
換基板２３ｂと上記第１の増幅器用半導体素子２４及び
第２の増幅器用半導体素子２５と上記増幅器整合回路２
６をはんだによりダイボンディングする。
体装置を、予め上記気密増幅器ケース２ｂ内に設けられ
た上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａ及
び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波路２３ａの開口
部と上記気密カバー３に設ける上記低誘電体ガラス４と
の位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバー３に、上記
低誘電体ガラス４を固定し且つ気密を保つために接合部
の表面を金属にてメタライズすることではんだ付し、ま
た上記気密混合器ケース２ｂには上記第１のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２２の導波路２２ａ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変
換器２３の導波路２３ａを設け、またハーメチック端子
２７はハーメチックの材料として通常ガラスを使用し気
密を保つためにロー付し、その組立後に上記気密増幅器
ケース２ｂ内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導
波管−マイクロストリップ変換基板２２ｂ及び第２のＷ
Ｇ／ＭＩＣ変換器２３の導波管−マイクロストリップ変
換基板２３ｂと上記第１の増幅器用半導体素子２４及び
第２の増幅器用半導体素子２５と上記増幅器整合回路２
６をはんだによりダイボンディングする。
【００３６】次に上記気密増幅器ケース２ｂ内で上記第
１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波管−マイクロストリ
ップ変換基板２２ｂと上記第１の増幅器用半導体素子２
４を、上記第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波管−マ
イクロストリップ変換基板２３ｂと上記第２の増幅器用
半導体素子２５を、上記第１の増幅器用半導体素子２４
と上記増幅器整合回路２６を、上記増幅器整合回路２６
と上記第２の増幅器用半導体素子２５を、上記第１の増
幅器用半導体素子２４及び第２の増幅器用半導体素子２
５と上記ハーメチック端子２７を金ワイヤ１４にてワイ
ヤボンディングし、その組立が完了した後、上記気密カ
バー３を位置決め用ピン６を用い上記気密増幅器ケース
２ｂと組立て、その後上記気密カバー３の周辺部を上記
気密増幅器ケース２ｂに対し抵抗溶接またはレーザ溶接
によりシーリングし、その後上記ＲＦ導波管１ａ及びＲ
Ｆ出力導波管１ｂと組立てる方法である。この組立方法
により上記気密カバー３に低誘電体ガラス４に内蔵する
ことが可能となり、また上記気密カバー３に内蔵した低
誘電体ガラス４と対向する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２
２の導波路２２ａ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の
導波路２３ａの開口部との位置ズレを防ぐことが可能で
ある。
１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波管−マイクロストリ
ップ変換基板２２ｂと上記第１の増幅器用半導体素子２
４を、上記第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波管−マ
イクロストリップ変換基板２３ｂと上記第２の増幅器用
半導体素子２５を、上記第１の増幅器用半導体素子２４
と上記増幅器整合回路２６を、上記増幅器整合回路２６
と上記第２の増幅器用半導体素子２５を、上記第１の増
幅器用半導体素子２４及び第２の増幅器用半導体素子２
５と上記ハーメチック端子２７を金ワイヤ１４にてワイ
ヤボンディングし、その組立が完了した後、上記気密カ
バー３を位置決め用ピン６を用い上記気密増幅器ケース
２ｂと組立て、その後上記気密カバー３の周辺部を上記
気密増幅器ケース２ｂに対し抵抗溶接またはレーザ溶接
によりシーリングし、その後上記ＲＦ導波管１ａ及びＲ
Ｆ出力導波管１ｂと組立てる方法である。この組立方法
により上記気密カバー３に低誘電体ガラス４に内蔵する
ことが可能となり、また上記気密カバー３に内蔵した低
誘電体ガラス４と対向する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２
２の導波路２２ａ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の
導波路２３ａの開口部との位置ズレを防ぐことが可能で
ある。
【００３７】実施の形態６ 図２２はこの発明の実施の形態６を示す平面図であり、
図２３は図２２の断面図であり、図２４及び図２５は図
２３の断面図であり、図２２において１ａはＲＦ入力導
波管、１ｂはＲＦ出力導波管、２ｂはＲＦ入力導波管１
ａ及びＲＦ出力導波管１ｂに固定される気密増幅器ケー
ス、３はＲＦ入力導波管１ａと気密増幅器ケース２ｂと
の間に取付けられる気密カバー、４は気密カバー３に内
蔵された低誘電体ガラス、６は低誘電体ガラス４と対向
する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２と第２のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２３の導波管の開口部との位置決め用ピンであ
る。図２３において２２は気密増幅器ケース２ｂ内に設
けられ高周波電波を入力する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換
器、２３は気密増幅器ケース２ｂ内に設けられ高周波電
波を出力する第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器、２４は第１の
増幅器用半導体素子、２５は第２の増幅器用半導体素
子、２６は増幅器整合回路、２８は気密増幅器ケース２
ｂ内外を水平に貫通しバイアスを供給する第１のバイア
ス供給基板、２９は気密増幅器ケース２ｂ内外を水平に
貫通しバイアスを供給する第２のバイアス供給基板、１
４は第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２と第１の増幅器用半
導体素子２４、第１の増幅器用半導体素子２４と増幅器
整合回路２６、増幅器整合回路２６と第２の増幅器用半
導体素子２５、第２の増幅器用半導体素子２５と第２の
ＷＧ／ＭＩＣ変換器２３、第１の増幅器用半導体素子２
４と第１のバイアス供給基板２８及び第２の増幅器用半
導体素子２５と第２のバイアス供給基板２９とを接続す
る金ワイヤである。
図２３は図２２の断面図であり、図２４及び図２５は図
２３の断面図であり、図２２において１ａはＲＦ入力導
波管、１ｂはＲＦ出力導波管、２ｂはＲＦ入力導波管１
ａ及びＲＦ出力導波管１ｂに固定される気密増幅器ケー
ス、３はＲＦ入力導波管１ａと気密増幅器ケース２ｂと
の間に取付けられる気密カバー、４は気密カバー３に内
蔵された低誘電体ガラス、６は低誘電体ガラス４と対向
する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２と第２のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２３の導波管の開口部との位置決め用ピンであ
る。図２３において２２は気密増幅器ケース２ｂ内に設
けられ高周波電波を入力する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換
器、２３は気密増幅器ケース２ｂ内に設けられ高周波電
波を出力する第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器、２４は第１の
増幅器用半導体素子、２５は第２の増幅器用半導体素
子、２６は増幅器整合回路、２８は気密増幅器ケース２
ｂ内外を水平に貫通しバイアスを供給する第１のバイア
ス供給基板、２９は気密増幅器ケース２ｂ内外を水平に
貫通しバイアスを供給する第２のバイアス供給基板、１
４は第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２と第１の増幅器用半
導体素子２４、第１の増幅器用半導体素子２４と増幅器
整合回路２６、増幅器整合回路２６と第２の増幅器用半
導体素子２５、第２の増幅器用半導体素子２５と第２の
ＷＧ／ＭＩＣ変換器２３、第１の増幅器用半導体素子２
４と第１のバイアス供給基板２８及び第２の増幅器用半
導体素子２５と第２のバイアス供給基板２９とを接続す
る金ワイヤである。
【００３８】上記のように構成された高周波用気密半導
体装置を、予め上記気密増幅器ケース２ｂ内に設けられ
た上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａ及
び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波路２３ａの開口
部と上記気密カバー３に設ける上記低誘電体ガラス４と
の位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバー３に、上記
低誘電体ガラス４を固定し且つ気密を保つために接合部
の表面を金属にてメタライズすることではんだ付し、ま
た上記気密増幅器ケース２ｂには上記第１のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２２の導波路２２ａ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変
換器２３の導波路２３ａを設け、また第１のバイアス供
給基板２８及び第２のバイアス供給基板２９を固定し且
つ気密を保つためにロー付し、その組立後に上記気密増
幅器ケース２ｂ内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２
の導波管−マイクロストリップ変換基板２２ｂ及び第２
のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波管−マイクロストリッ
プ変換基板２３ｂと上記第１の増幅器用半導体素子２５
及び第２の増幅器用半導体素子２５と上記増幅器整合回
路２６をはんだによりダイボンディングする。
体装置を、予め上記気密増幅器ケース２ｂ内に設けられ
た上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａ及
び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波路２３ａの開口
部と上記気密カバー３に設ける上記低誘電体ガラス４と
の位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバー３に、上記
低誘電体ガラス４を固定し且つ気密を保つために接合部
の表面を金属にてメタライズすることではんだ付し、ま
た上記気密増幅器ケース２ｂには上記第１のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２２の導波路２２ａ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変
換器２３の導波路２３ａを設け、また第１のバイアス供
給基板２８及び第２のバイアス供給基板２９を固定し且
つ気密を保つためにロー付し、その組立後に上記気密増
幅器ケース２ｂ内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２
の導波管−マイクロストリップ変換基板２２ｂ及び第２
のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波管−マイクロストリッ
プ変換基板２３ｂと上記第１の増幅器用半導体素子２５
及び第２の増幅器用半導体素子２５と上記増幅器整合回
路２６をはんだによりダイボンディングする。
【００３９】その組立後に上記気密増幅器ケース２ｂ内
で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波管−マイク
ロストリップ変換基板２２ｂと上記第１の増幅器用半導
体素子２４を、上記第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導
波管−マイクロストリップ変換基板２３ｂと上記第２の
増幅器用半導体素子２５を、上記第１の増幅器用半導体
素子２４と上記増幅器整合回路２６を、上記増幅器整合
回路２６と上記第２の増幅器用半導体素子２５を、上記
第１の増幅器用半導体素子２４及び第２の増幅器用半導
体素子２５と上記第１のバイアス供給基板２８及び第２
のバイアス供給基板２９を金ワイヤ１４にてワイヤボン
ディングし、その組立が完了した後、上記気密カバー３
を位置決め用ピン６を用い上記気密増幅器ケースと組立
て、その後上記気密カバー３の周辺部を上記気密増幅器
ケース２ｂに対し抵抗溶接またはレーザ溶接によりシー
リングし、その後上記ＲＦ入力導波管１ａ及びＲＦ出力
導波管１ｂと組立てる方法である。この組立方法により
上記気密カバー３に低誘電体ガラス４に内蔵することが
可能となり、また上記気密カバー３に内蔵した低誘電体
ガラス４と対向する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導
波路２２ａ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波路
２３ａの開口部との位置ズレを防ぐことが可能である。
で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波管−マイク
ロストリップ変換基板２２ｂと上記第１の増幅器用半導
体素子２４を、上記第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導
波管−マイクロストリップ変換基板２３ｂと上記第２の
増幅器用半導体素子２５を、上記第１の増幅器用半導体
素子２４と上記増幅器整合回路２６を、上記増幅器整合
回路２６と上記第２の増幅器用半導体素子２５を、上記
第１の増幅器用半導体素子２４及び第２の増幅器用半導
体素子２５と上記第１のバイアス供給基板２８及び第２
のバイアス供給基板２９を金ワイヤ１４にてワイヤボン
ディングし、その組立が完了した後、上記気密カバー３
を位置決め用ピン６を用い上記気密増幅器ケースと組立
て、その後上記気密カバー３の周辺部を上記気密増幅器
ケース２ｂに対し抵抗溶接またはレーザ溶接によりシー
リングし、その後上記ＲＦ入力導波管１ａ及びＲＦ出力
導波管１ｂと組立てる方法である。この組立方法により
上記気密カバー３に低誘電体ガラス４に内蔵することが
可能となり、また上記気密カバー３に内蔵した低誘電体
ガラス４と対向する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導
波路２２ａ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波路
２３ａの開口部との位置ズレを防ぐことが可能である。
【００４０】実施の形態７ 図２６はこの発明の実施の形態７を示す平面図であり、
図２７は図２６の断面図であり、図２８及び図２９は図
２７の断面図であり、図２６において１ａはＲＦ入力導
波管、１ｂはＲＦ出力導波管、２ｂはＲＦ入力導波管１
ａ及びＲＦ出力導波管１ｂに固定される気密増幅器ケー
ス、３はＲＦ入力導波管１ａと気密増幅器ケース２ｂと
の間に取付けられる気密カバー、４は気密カバー３に内
蔵された低誘電体ガラス、６は低誘電体ガラス４と対向
する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２と第２のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２３の導波管の開口部との位置決め用ピンであ
る。図２７において２２は気密混合器ケース２ｂ内に設
けられ高周波電波を入力する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換
器、２３は気密増幅器ケース２ｂ内に設けられ高周波電
波を出力する第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器、２４は第１の
増幅器用半導体素子、２５は第２の増幅器用半導体素
子、２６は増幅器整合回路、２８は気密増幅器ケース２
ｂ内外を水平に貫通しバイアスを供給する第１のバイア
ス供給基板、２９は気密増幅器ケース２ｂ内外を水平に
貫通しバイアスを供給する第２のバイアス供給基板、３
０は第１のバイアス供給基板２８及び第２のバイアス供
給基板上に設けた平型リード、１４は第１のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２２と第１の増幅器用半導体素子２４、第１の
増幅器用半導体素子２４と増幅器整合回路２６、増幅器
整合回路２６と第２の増幅器用半導体素子２５、第２の
増幅器用半導体素子２５と第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２
３、第１の増幅器用半導体素子２４と第１のバイアス供
給基板２８及び第２の増幅器用半導体素子２５と第２の
バイアス供給基板２９とを接続する金ワイヤである。
図２７は図２６の断面図であり、図２８及び図２９は図
２７の断面図であり、図２６において１ａはＲＦ入力導
波管、１ｂはＲＦ出力導波管、２ｂはＲＦ入力導波管１
ａ及びＲＦ出力導波管１ｂに固定される気密増幅器ケー
ス、３はＲＦ入力導波管１ａと気密増幅器ケース２ｂと
の間に取付けられる気密カバー、４は気密カバー３に内
蔵された低誘電体ガラス、６は低誘電体ガラス４と対向
する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２と第２のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２３の導波管の開口部との位置決め用ピンであ
る。図２７において２２は気密混合器ケース２ｂ内に設
けられ高周波電波を入力する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換
器、２３は気密増幅器ケース２ｂ内に設けられ高周波電
波を出力する第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器、２４は第１の
増幅器用半導体素子、２５は第２の増幅器用半導体素
子、２６は増幅器整合回路、２８は気密増幅器ケース２
ｂ内外を水平に貫通しバイアスを供給する第１のバイア
ス供給基板、２９は気密増幅器ケース２ｂ内外を水平に
貫通しバイアスを供給する第２のバイアス供給基板、３
０は第１のバイアス供給基板２８及び第２のバイアス供
給基板上に設けた平型リード、１４は第１のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２２と第１の増幅器用半導体素子２４、第１の
増幅器用半導体素子２４と増幅器整合回路２６、増幅器
整合回路２６と第２の増幅器用半導体素子２５、第２の
増幅器用半導体素子２５と第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２
３、第１の増幅器用半導体素子２４と第１のバイアス供
給基板２８及び第２の増幅器用半導体素子２５と第２の
バイアス供給基板２９とを接続する金ワイヤである。
【００４１】上記のように構成された高周波用気密半導
体装置を、予め上記気密増幅器ケース２ｂ内に設けられ
た上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａ及
び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波路２３ａの開口
部と上記気密カバー３に設ける上記低誘電体ガラス４と
の位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバー３に、上記
低誘電体ガラス４を固定し且つ気密を保つためにはんだ
付し、また上記気密増幅器ケース２ｂには上記第１のＷ
Ｇ／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａ及び第２のＷＧ／
ＭＩＣ変換器２３の導波路２３ｂを設け、また第１のバ
イアス供給基板２８及び第２のバイアス供給基板２９の
上記気密増幅器ケース２ｂの外側に上記平リード３０を
ロー付により固定すると共に上記気密増幅器ケース２ｂ
に固定し且つ気密を保つためにロー付し、その組立後に
上記気密増幅器ケース２ｂ内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ
変換器２２の導波管−マイクロストリップ変換基板２２
ｂ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波管−マイク
ロストリップ変換基板２３ｂと上記第１の増幅器用半導
体素子２４及び第２の増幅器用半導体素子２５と上記増
幅器整合回路２６をはんだによりダイボンディングす
る。
体装置を、予め上記気密増幅器ケース２ｂ内に設けられ
た上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａ及
び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波路２３ａの開口
部と上記気密カバー３に設ける上記低誘電体ガラス４と
の位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバー３に、上記
低誘電体ガラス４を固定し且つ気密を保つためにはんだ
付し、また上記気密増幅器ケース２ｂには上記第１のＷ
Ｇ／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａ及び第２のＷＧ／
ＭＩＣ変換器２３の導波路２３ｂを設け、また第１のバ
イアス供給基板２８及び第２のバイアス供給基板２９の
上記気密増幅器ケース２ｂの外側に上記平リード３０を
ロー付により固定すると共に上記気密増幅器ケース２ｂ
に固定し且つ気密を保つためにロー付し、その組立後に
上記気密増幅器ケース２ｂ内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ
変換器２２の導波管−マイクロストリップ変換基板２２
ｂ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波管−マイク
ロストリップ変換基板２３ｂと上記第１の増幅器用半導
体素子２４及び第２の増幅器用半導体素子２５と上記増
幅器整合回路２６をはんだによりダイボンディングす
る。
【００４２】次に上記気密増幅器ケース２ｂ内で上記第
１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波管−マイクロストリ
ップ変換基板２２ｂと上記第１の増幅器用半導体素子２
４を、上記第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波管−マ
イクロストリップ変換基板２３ｂと上記第２の増幅器用
半導体素子２４を、上記第１の増幅器用半導体素子２４
と上記増幅器整合回路２６を、上記増幅器整合回路２６
と上記第２の増幅器用半導体素子２５を、上記第１の増
幅器用半導体素子２４及び第２の増幅器用半導体素子２
５と上記第１のバイアス供給基板２８及び第２のバイア
ス供給基板２９を金ワイヤ１４にてワイヤボンディング
し、その組立が完了した後、上記気密カバー３を位置決
め用ピン６を用い上記気密増幅器ケース２ｂと組立て、
その後上記気密カバー３の周辺部を上記気密増幅器ケー
ス２ｂに対し抵抗溶接またはレーザ溶接によりシーリン
グし、その後上記ＲＦ入力導波管１ａ及びＲＦ出力導波
管１ｂと組立てる方法である。この組立方法により上記
気密カバー３に低誘電体ガラス４に内蔵することが可能
となり、また上記気密カバー３に内蔵した低誘電体ガラ
ス４と対向する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波路
２２ａ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波路２３
ａの開口部との位置ズレを防ぐことが可能である。
１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波管−マイクロストリ
ップ変換基板２２ｂと上記第１の増幅器用半導体素子２
４を、上記第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波管−マ
イクロストリップ変換基板２３ｂと上記第２の増幅器用
半導体素子２４を、上記第１の増幅器用半導体素子２４
と上記増幅器整合回路２６を、上記増幅器整合回路２６
と上記第２の増幅器用半導体素子２５を、上記第１の増
幅器用半導体素子２４及び第２の増幅器用半導体素子２
５と上記第１のバイアス供給基板２８及び第２のバイア
ス供給基板２９を金ワイヤ１４にてワイヤボンディング
し、その組立が完了した後、上記気密カバー３を位置決
め用ピン６を用い上記気密増幅器ケース２ｂと組立て、
その後上記気密カバー３の周辺部を上記気密増幅器ケー
ス２ｂに対し抵抗溶接またはレーザ溶接によりシーリン
グし、その後上記ＲＦ入力導波管１ａ及びＲＦ出力導波
管１ｂと組立てる方法である。この組立方法により上記
気密カバー３に低誘電体ガラス４に内蔵することが可能
となり、また上記気密カバー３に内蔵した低誘電体ガラ
ス４と対向する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波路
２２ａ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波路２３
ａの開口部との位置ズレを防ぐことが可能である。
【００４３】実施の形態８ 図３０はこの発明の実施の形態８を示す平面図であり、
図３１は図３０の断面図であり、図３２及び図３３は図
３１の断面図であり、図３１において１ａはＲＦ入力導
波管、１ｂはＲＦ出力導波管、２ｂはＲＦ入力導波管１
ａ及びＲＦ出力導波管１ｂに固定される気密増幅器ケー
ス、３はＲＦ入力導波管１ａと気密増幅器ケース２ｂと
の間に取付けられる気密カバー、４は気密カバー３に内
蔵された低誘電体ガラス、６は低誘電体ガラス４と対向
する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２と第２のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２３の導波管の開口部との位置決め用ピンであ
る。
図３１は図３０の断面図であり、図３２及び図３３は図
３１の断面図であり、図３１において１ａはＲＦ入力導
波管、１ｂはＲＦ出力導波管、２ｂはＲＦ入力導波管１
ａ及びＲＦ出力導波管１ｂに固定される気密増幅器ケー
ス、３はＲＦ入力導波管１ａと気密増幅器ケース２ｂと
の間に取付けられる気密カバー、４は気密カバー３に内
蔵された低誘電体ガラス、６は低誘電体ガラス４と対向
する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２と第２のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２３の導波管の開口部との位置決め用ピンであ
る。
【００４４】図３１において２２は気密混合器ケース２
ｂ内に設けられ高周波電波を入力する第１のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器、２３は気密増幅器ケース２ｂ内に設けられ高
周波電波を入力する第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器、２４は
第１の増幅器用半導体素子、２５は第２の増幅器用半導
体素子、２６は増幅器整合回路、２８は気密増幅器ケー
ス２ｂ内を水平に貫通しバイアスを供給する第１のバイ
アス供給基板、２９は気密増幅器ケース２ｂ内外を水平
に貫通しバイアスを供給する第２のバイアス供給基板、
３１は気密増幅器ケース２ｂ外で第１のバイアス供給基
板２８及び第２のバイアス供給基板２９に近接し垂直に
貫通しバイアスを供給するターミナル、１４は第１のＷ
Ｇ／ＭＩＣ変換器２２と第１の増幅器用半導体素子２
４、第１の増幅器用半導体素子２４と増幅器整合回路２
６、増幅器整合回路２６と第２の増幅器用半導体素子２
５、第２の増幅器用半導体素子２５と第２のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２３、第１の増幅器用半導体素子２４と第１の
バイアス供給基板２８及び第２の増幅器用半導体素子２
５と第２のバイアス供給基板２９とを接続する金ワイ
ヤ、１５は第１のバイアス供給基板２８及び第２のバイ
アス供給基板２９とターミナル３１とを接続する金リボ
ンである。
ｂ内に設けられ高周波電波を入力する第１のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器、２３は気密増幅器ケース２ｂ内に設けられ高
周波電波を入力する第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器、２４は
第１の増幅器用半導体素子、２５は第２の増幅器用半導
体素子、２６は増幅器整合回路、２８は気密増幅器ケー
ス２ｂ内を水平に貫通しバイアスを供給する第１のバイ
アス供給基板、２９は気密増幅器ケース２ｂ内外を水平
に貫通しバイアスを供給する第２のバイアス供給基板、
３１は気密増幅器ケース２ｂ外で第１のバイアス供給基
板２８及び第２のバイアス供給基板２９に近接し垂直に
貫通しバイアスを供給するターミナル、１４は第１のＷ
Ｇ／ＭＩＣ変換器２２と第１の増幅器用半導体素子２
４、第１の増幅器用半導体素子２４と増幅器整合回路２
６、増幅器整合回路２６と第２の増幅器用半導体素子２
５、第２の増幅器用半導体素子２５と第２のＷＧ／ＭＩ
Ｃ変換器２３、第１の増幅器用半導体素子２４と第１の
バイアス供給基板２８及び第２の増幅器用半導体素子２
５と第２のバイアス供給基板２９とを接続する金ワイ
ヤ、１５は第１のバイアス供給基板２８及び第２のバイ
アス供給基板２９とターミナル３１とを接続する金リボ
ンである。
【００４５】上記のように構成された高周波用気密半導
体装置を、予め上記気密増幅器ケース内に設けられた上
記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａ及び第
２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波路２３ａの開口部と
上記気密カバー３に設ける上記低誘電体ガラス４との位
置決め用ピン穴を設けた上記気密カバー３に、上記低誘
電体ガラス４を固定し且つ気密を保つためにはんだ付
し、また上記気密増幅器ケース２ｂには上記第１のＷＧ
／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａ及び第２のＷＧ／Ｍ
ＩＣ変換器２３の導波路２３ａを設け、また上記気密増
幅器ケース２ｂの外側で上記第１のバイアス供給基板２
８及び第２のバイアス供給基板２９に近接しターミナル
３１を設けると共に上記第１のバイアス供給基板２８及
び第２のバイアス供給基板２９を固定し且つ気密を保つ
ためにロー付し、その組立後に上記気密増幅器ケース２
ｂ内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マイク
ロストリップ変換基板２２ｂ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変
換器２３の導波管−マイクロストリップ変換基板２３ｂ
と上記第１の増幅器用半導体素子２４及び第２の増幅器
用半導体素子２５と上記増幅器整合回路２６をはんだに
よりダイボンディングする。
体装置を、予め上記気密増幅器ケース内に設けられた上
記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａ及び第
２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波路２３ａの開口部と
上記気密カバー３に設ける上記低誘電体ガラス４との位
置決め用ピン穴を設けた上記気密カバー３に、上記低誘
電体ガラス４を固定し且つ気密を保つためにはんだ付
し、また上記気密増幅器ケース２ｂには上記第１のＷＧ
／ＭＩＣ変換器２２の導波路２２ａ及び第２のＷＧ／Ｍ
ＩＣ変換器２３の導波路２３ａを設け、また上記気密増
幅器ケース２ｂの外側で上記第１のバイアス供給基板２
８及び第２のバイアス供給基板２９に近接しターミナル
３１を設けると共に上記第１のバイアス供給基板２８及
び第２のバイアス供給基板２９を固定し且つ気密を保つ
ためにロー付し、その組立後に上記気密増幅器ケース２
ｂ内で上記第１のＷＧ／ＭＩＣ変換器の導波管−マイク
ロストリップ変換基板２２ｂ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変
換器２３の導波管−マイクロストリップ変換基板２３ｂ
と上記第１の増幅器用半導体素子２４及び第２の増幅器
用半導体素子２５と上記増幅器整合回路２６をはんだに
よりダイボンディングする。
【００４６】次に上記気密混合器ケース２ｂ内で上記第
１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波管−マイクロストリ
ップ変換基板２２ｂと上記第１の増幅器用半導体素子２
４を、上記第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波管−マ
イクロストリップ変換基板２３ｂと上記第２の増幅器用
半導体素子２５を、上記第１の増幅器用半導体素子２４
と上記増幅器整合回路２６を、上記増幅器整合回路２６
と上記第２の増幅器用半導体素子２５を、上記第１の増
幅器用半導体素子２４及び第２の増幅器用半導体素子２
５と上記第１のバイアス供給基板２８及び第２のバイア
ス供給基板２９を金ワイヤ１４にてワイヤボンディング
を行う。
１のＷＧ／ＭＩＣ変換器２２の導波管−マイクロストリ
ップ変換基板２２ｂと上記第１の増幅器用半導体素子２
４を、上記第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２３の導波管−マ
イクロストリップ変換基板２３ｂと上記第２の増幅器用
半導体素子２５を、上記第１の増幅器用半導体素子２４
と上記増幅器整合回路２６を、上記増幅器整合回路２６
と上記第２の増幅器用半導体素子２５を、上記第１の増
幅器用半導体素子２４及び第２の増幅器用半導体素子２
５と上記第１のバイアス供給基板２８及び第２のバイア
ス供給基板２９を金ワイヤ１４にてワイヤボンディング
を行う。
【００４７】しかる後上記気密増幅器ケース２ｂ外で上
記第１のバイアス供給基板２８及び第２のバイアス供給
基板２９と上記ターミナル３１を金リボン１５にてワイ
ヤボンディングし、その組立が完了した後、上記気密カ
バー３を位置決め用ピン６を用い上記気密増幅器ケース
２ｂと組立て、その後上記気密カバー３の周辺部を上記
気密増幅器ケース２ｂに対し抵抗溶接またはレーザ溶接
によりシーリングし、その後上記ＲＦ入力導波管１ａ及
びＲＦ出力導波管１ｂと組立てる方法である。この組立
方法により上記気密カバー３に低誘電体ガラス４に内蔵
することが可能となり、また上記気密カバー３に内蔵し
た低誘電体ガラス４と対向する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換
器２２の導波路２２ａ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２
３の導波路２３ａの開口部との位置ズレを防ぐことが可
能である。
記第１のバイアス供給基板２８及び第２のバイアス供給
基板２９と上記ターミナル３１を金リボン１５にてワイ
ヤボンディングし、その組立が完了した後、上記気密カ
バー３を位置決め用ピン６を用い上記気密増幅器ケース
２ｂと組立て、その後上記気密カバー３の周辺部を上記
気密増幅器ケース２ｂに対し抵抗溶接またはレーザ溶接
によりシーリングし、その後上記ＲＦ入力導波管１ａ及
びＲＦ出力導波管１ｂと組立てる方法である。この組立
方法により上記気密カバー３に低誘電体ガラス４に内蔵
することが可能となり、また上記気密カバー３に内蔵し
た低誘電体ガラス４と対向する第１のＷＧ／ＭＩＣ変換
器２２の導波路２２ａ及び第２のＷＧ／ＭＩＣ変換器２
３の導波路２３ａの開口部との位置ズレを防ぐことが可
能である。
【００４８】
【発明の効果】第１の発明によれば、気密カバー３に内
蔵するために低誘電体ガラスの接合部の表面を金にてメ
タライズすることで、気密カバー３とはんだ付けによる
一体化ができ気密を図れるものとしたこと、気密混合器
ケース２ａの一部にＷＧ／ＭＩＣ変換器５を組込んだこ
と、及び気密カバー３と気密混合器ケース２ａの接合は
気密カバー３の周辺部を抵抗溶接またはレーザ溶接によ
り実施するものであるが、低誘電体ガラス４と対向する
ＷＧ／ＭＩＣ変換器５の導波管の開口部との位置ズレを
防ぐために設けた位置決め用ピン６があることにより、
気密カバー３と気密混合器ケース２ａを精度よく組立て
ることが可能となり高周波の伝搬特性の良好なものがで
き、かつ小さくできるため小型軽量化が図れる。
蔵するために低誘電体ガラスの接合部の表面を金にてメ
タライズすることで、気密カバー３とはんだ付けによる
一体化ができ気密を図れるものとしたこと、気密混合器
ケース２ａの一部にＷＧ／ＭＩＣ変換器５を組込んだこ
と、及び気密カバー３と気密混合器ケース２ａの接合は
気密カバー３の周辺部を抵抗溶接またはレーザ溶接によ
り実施するものであるが、低誘電体ガラス４と対向する
ＷＧ／ＭＩＣ変換器５の導波管の開口部との位置ズレを
防ぐために設けた位置決め用ピン６があることにより、
気密カバー３と気密混合器ケース２ａを精度よく組立て
ることが可能となり高周波の伝搬特性の良好なものがで
き、かつ小さくできるため小型軽量化が図れる。
【００４９】第２の発明によれば、上記第１の発明に示
すと同様に高周波の伝搬特性の良好なものができ、かつ
小さくできるため小型軽量化が図れる。
すと同様に高周波の伝搬特性の良好なものができ、かつ
小さくできるため小型軽量化が図れる。
【００５０】第３の発明によれば、上記第１の発明に示
すと同様に高周波の伝搬特性の良好なものができ、かつ
小さくできるため小型軽量化が図れる。
すと同様に高周波の伝搬特性の良好なものができ、かつ
小さくできるため小型軽量化が図れる。
【００５１】第４の発明によれば、上記第１の発明に示
すと同様に高周波の伝搬特性の良好なものができ、かつ
小さくできるため小型軽量化が図れる。
すと同様に高周波の伝搬特性の良好なものができ、かつ
小さくできるため小型軽量化が図れる。
【００５２】第５の発明によれば、上記第１の発明に示
すと同様に高周波の伝搬特性の良好なものができ、かつ
小さくできるため小型軽量化が図れる。また、本高周波
用気密半導体装置を機器等に隣接し複数個組込む際、外
部に設けられたバイアス回路からの接続ワイヤの中継タ
ーミナルとしても使用可能であるため、作業の容易さに
合わせ接続方法が選択でき接続作業の効率化が図れる。
すと同様に高周波の伝搬特性の良好なものができ、かつ
小さくできるため小型軽量化が図れる。また、本高周波
用気密半導体装置を機器等に隣接し複数個組込む際、外
部に設けられたバイアス回路からの接続ワイヤの中継タ
ーミナルとしても使用可能であるため、作業の容易さに
合わせ接続方法が選択でき接続作業の効率化が図れる。
【００５３】第６の発明によれば、上記第１の発明に示
すと同様に高周波の伝搬特性の良好なものができ、かつ
小さくできるため小型軽量化が図れる。また、第１のバ
イアス供給基板２８及び第２のバイアス供給基板２９上
にストリップ線路を有するによって、外部よりのバイア
ス供給用接続ワイヤをはんだ付け及び熱圧着等による接
続が容易に可能となった。
すと同様に高周波の伝搬特性の良好なものができ、かつ
小さくできるため小型軽量化が図れる。また、第１のバ
イアス供給基板２８及び第２のバイアス供給基板２９上
にストリップ線路を有するによって、外部よりのバイア
ス供給用接続ワイヤをはんだ付け及び熱圧着等による接
続が容易に可能となった。
【００５４】第７の発明によれば、上記第１の発明に示
すと同様に高周波の伝搬特性の良好なものができ、かつ
小さくできるため小型軽量化が図れる。また平型リード
３０を設けたことにより、外部に設けられるバイアス回
路部へ上記平型リード３０を直接接続することが可能で
あるため、本高周波用気密半導体装置を機器等に組込む
際の組立てにおいて、本高周波用気密半導体装置部での
接続ワイヤの接続作業が出来ない箇所においても使用可
能とした。
すと同様に高周波の伝搬特性の良好なものができ、かつ
小さくできるため小型軽量化が図れる。また平型リード
３０を設けたことにより、外部に設けられるバイアス回
路部へ上記平型リード３０を直接接続することが可能で
あるため、本高周波用気密半導体装置を機器等に組込む
際の組立てにおいて、本高周波用気密半導体装置部での
接続ワイヤの接続作業が出来ない箇所においても使用可
能とした。
【００５５】第８の発明によれば、上記第１の発明に示
すと同様に高周波の伝搬特性の良好なものができ、かつ
小さくできるため小型軽量化が図れる。また本高周波用
気密半導体装置を機器等に隣接し複数個組込む際、外部
に設けられるバイアス回路部からの接続ワイヤの中継タ
ーミナルとしても使用可能であるため、作業の容易さに
合わせ接続方法が選択でき接続作業の効率化が図れる。
すと同様に高周波の伝搬特性の良好なものができ、かつ
小さくできるため小型軽量化が図れる。また本高周波用
気密半導体装置を機器等に隣接し複数個組込む際、外部
に設けられるバイアス回路部からの接続ワイヤの中継タ
ーミナルとしても使用可能であるため、作業の容易さに
合わせ接続方法が選択でき接続作業の効率化が図れる。
【図１】この発明による高周波用気密半導体装置の実施
の形態１における斜視図である。
の形態１における斜視図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】図２のＡ１−Ａ１横断面図である。
【図４】図２のＢ１−Ｂ１縦断面図である。
【図５】図３のＣ−Ｃ横断面図である。
【図６】この発明による高周波用気密半導体装置の実施
の形態２における斜視図である。
の形態２における斜視図である。
【図７】図６の平面図である。
【図８】図７のＡ２−Ａ２横断面図である。
【図９】図７のＢ２−Ｂ２縦断面図である。
【図１０】この発明による高周波用気密半導体装置の実
施の形態３における斜視図である。
施の形態３における斜視図である。
【図１１】図１０の平面図である。
【図１２】図１１のＡ３−Ａ３横断面図である。
【図１３】図１１のＢ３−Ｂ３縦断面図である。
【図１４】この発明による高周波用気密半導体装置の実
施の形態４における斜視図である。
施の形態４における斜視図である。
【図１５】図１４の平面図である。
【図１６】図１５のＡ４−Ａ４横断面図である。
【図１７】図１５のＢ４−Ｂ４縦断面図である。
【図１８】この発明による高周波用気密半導体装置の実
施の形態５における斜視図である。
施の形態５における斜視図である。
【図１９】図１８の平面図である。
【図２０】図１９のＡ５−Ａ５横断面図である。
【図２１】図１９のＢ５−Ｂ５縦断面図である。
【図２２】この発明による高周波用気密半導体装置の実
施の形態６における斜視図である。
施の形態６における斜視図である。
【図２３】図２２の平面図である。
【図２４】図２３のＡ６−Ａ６横断面図である。
【図２５】図２３のＢ６−Ｂ６縦断面図である。
【図２６】この発明による高周波用気密半導体装置の実
施の形態７における斜視図である。
施の形態７における斜視図である。
【図２７】図２６の平面図である。
【図２８】図２７のＡ７−Ａ７横断面図である。
【図２９】図２７のＢ７−Ｂ７縦断面図である。
【図３０】この発明による高周波用気密混合器装置の実
施の形態８における斜視図である。
施の形態８における斜視図である。
【図３１】図３０の平面図である。
【図３２】図３１のＡ８−Ａ８横断面図である。
【図３３】図３１のＢ８−Ｂ８縦断面図である。
【図３４】従来の混合器回路を有する高周波用気密増幅
器装置における平面図である。
器装置における平面図である。
【図３５】図３４のＡ９−Ａ９横断面図である。
【図３６】従来の増幅器用半導体素子を有する高周波用
気密増幅器装置における平面図である。
気密増幅器装置における平面図である。
【図３７】図３６のＡ１０−Ａ１０横断面図である。
１ａ 高周波電波入力導波管 １ｂ 高周波電波出力導波管 ２ａ 気密混合器ケース ２ｂ 気密増幅器ケース ３ 気密カバー ４ 低誘電体ガラス ５ 導波管／マイクロストリップ線路変換器 ５ａ 導波路 ５ｂ 導波管−マイクロストリップ変換基板 ６ 位置決め用ピン ７ 混合器回路 ８ 局発信号用整合回路 ９ 中間周波数用整合回路 １０ 第１の接続基板 １１ 第２の接続基板 １２ 局発信号入力回路 １３ 中間周波数出力回路 １４ 金ワイヤ １５ 金リボン １６ 第１の同軸線路 １７ 第２の同軸線路 １８ 金属キャリア １９ 局発信号入力導波管 ２０ 接続基板 ２１ 同軸線路 ２２ 第１の導波管／マイクロストリップ線路変換器 ２２ａ 導波路 ２２ｂ 導波管−マイクロストリップ変換基板 ２３ 第２の導波管／マイクロストリップ線路変換器 ２３ａ 導波路 ２３ｂ 導波管−マイクロストリップ変換基板 ２４ 第１の増幅器用半導体素子 ２５ 第２の増幅器用半導体素子 ２６ 増幅器整合回路 ２７ ハーメチック端子 ２８ 第１のバイアス供給基板 ２９ 第２のバイアス供給基板 ３０ 平型リード ３１ ターミナル
Claims (8)
- 【請求項１】 高周波電波入力導波管と、上記高周波電
波入力導波管に固定される気密混合器ケースと、上記高
周波電波入力導波管と上記気密混合器ケースとの間に取
付けられる気密カバーと、上記気密カバーの上記高周波
電波入力導波管の開口部と対向する部分に設けられた高
周波電波の入力用の低誘電体ガラスと、上記気密混合器
ケース内に設けられ導波路と導波管−マイクロストリッ
プ変換基板から成る導波管／マイクロストリップ線路変
換器と、上記低誘電体ガラスと対向する上記導波管／マ
イクロストリップ線路変換器の導波路の開口部との位置
決め用ピンと、上記気密混合器ケース内に設けられ周波
数変換する混合器回路と、上記混合器回路と近接し混合
器回路に局発信号を入力する局発信号用整合回路と、上
記混合器回路と近接し混合器回路からの中間周波信号を
出力する中間周波数用整合回路と、上記気密混合器ケー
ス内外を水平に貫通する第１の接続基板及び第２の接続
基板と、上記気密混合器ケース外に設けられ上記第１の
接続基板に近接して局発信号を入力する局発信号入力回
路と、上記気密混合器ケース外に設けられ上記第２の接
続基板に近接して中間周波信号を出力する中間周波数出
力回路と、上記導波管／マイクロストリップ線路変換器
からの高周波電波入力と上記混合器回路とを接続する金
ワイヤと、上記混合器回路と上記局発信号用整合回路と
を接続する金ワイヤと、上記混合器回路と上記中間周波
用整合回路とを接続する金ワイヤと、上記局発信号用整
合回路と上記第１の接続基板とを接続する金ワイヤと、
上記中間周波用整合回路と上記第２の接続基板とを接続
する金ワイヤと、上記第１の接続基板と上記局発信号入
力回路とを接続する金リボンと、上記第２の接続基板と
上記中間周波出力回路とを接続する金リボンとを具備
し、 （１） 予め上記気密混合器ケース内に設けられた上記
導波管／マイクロストリップ線路変換器の導波路の開口
部と上記気密カバーに設ける上記低誘電体ガラスとの位
置決め用ピン穴を設けた上記気密カバーに、上記低誘電
体ガラスを固定し且つ気密を保つためにはんだ付し、 （２） 上記気密混合器ケースには上記導波管／マイク
ロストリップ線路変換器の導波路を設け、また上記第１
の接続基板及び上記第２の接続基板を固定し且つ気密を
保つためにロー付し、 （３） 上記（２）の組立後に上記気密混合器ケース内
で上記導波管／マイクロストリップ線路変換器の導波管
−マイクロストリップ変換基板と上記混合器回路と上記
局発信号用整合回路及び上記中間周波数用整合回路を、
また上記気密混合器ケース外に上記局発信号入力回路と
上記中間周波数出力回路をはんだによりダイボンディン
グし、 （４） 上記（３）の組立後に上記気密混合器ケース内
で上記導波管／マイクロストリップ線路変換器の導波管
−マイクロストリップ変換基板と上記混合器回路を、上
記混合器回路と上記局発信号用整合回路を、上記混合器
回路と上記中間周波数用整合回路を、上記局発信号用整
合回路と上記第１の接続基板を、上記中間周波数用整合
回路と上記第２の接続基板を金ワイヤにてワイヤボンデ
ィングし、 （５） 上記（４）の組立後に上記気密混合器ケース外
で上記第１の接続基板と上記局発信号入力回路を、上記
第２接続基板と上記中間周波数出力回路を金リボンにて
ワイヤボンディングし、 （６） 上記（１）から（５）の組立が完了した後、上
記気密カバーを位置決め用ピンを用い上記気密混合器ケ
ースと組立て、その後上記気密カバーの周辺部を上記気
密混合器ケースに対し抵抗溶接またはレーザ溶接により
シーリングし、その後上記高周波電波入力導波管と組立
てることを特徴とする高周波用気密半導体装置の組立方
法。 - 【請求項２】 高周波電波入力導波管と、上記高周波電
波入力導波管に固定される気密混合器ケースと、上記高
周波電波入力導波管と上記気密混合器ケースとの間に取
付けられる気密カバーと、上記気密カバーの上記入力導
波管の開口部と対向する部分に設けられた高周波電波の
入力用の低誘電体ガラスと、上記気密混合器ケース内に
設けられ導波路と導波管−マイクロストリップ変換基板
から成る導波管／マイクロストリップ線路変換器と、上
記低誘電体ガラスと対向する上記導波管／マイクロスト
リップ線路変換器の導波管の開口部との位置決め用ピン
と、上記気密混合器ケース内に設けられ周波数変換する
混合器回路と、上記混合器回路と近接し混合器回路に局
発信号を入力する局発信号用整合回路と、上記混合器回
路と近接し混合器回路からの中間周波信号を出力する中
間周波数用整合回路と、上記気密混合器ケース内外を水
平に貫通し中心導体と誘電体から成る第１の同軸線路及
び第２の同軸線路と、上記気密混合器ケース外に設けら
れ上記第１の同軸線路に近接して局発信号を入力する局
発信号入力回路と、上記局発信号を入力する局発信号入
力回路の回路表面と上記第１の同軸線路の中心導体の上
面を面一にするために設けられ金属キャリアと、上記気
密混合器ケース外に設けられ上記第２の接続基板に近接
して中間周波信号を出力する中間周波数出力回路と、上
記中間周波信号を出力する中間周波数出力回路の回路表
面と上記第２の同軸線路の中心導体の上面を面一にする
ために設けられ金属キャリアと、上記導波管／マイクロ
ストリップ線路変換器からの高周波電波入力と上記混合
器回路とを接続する金ワイヤと、上記混合器回路と上記
局発信号用整合回路とを接続する金ワイヤと、上記混合
器回路と上記中間周波数用整合回路とを接続する金ワイ
ヤと、上記局発信号用整合回路と上記第１の接続基板と
を接続する金ワイヤと、上記中間周波数用整合回路と上
記第２の接続基板とを接続する金ワイヤと、上記第１の
接続基板と上記局発信号入力回路とを接続する金リボン
と、上記第２の接続基板と上記中間周波数出力回路とを
接続する金リボンとを具備し、 （１） 予め上記気密混合器ケース内に設けられた上記
導波管／マイクロストリップ線路変換器の導波路の開口
部と上記気密カバーに設ける上記低誘電体ガラスとの位
置決め用ピン穴を設けた上記気密カバーに、上記低誘電
体ガラスを固定し且つ気密を保つためにはんだ付し、 （２） 上記気密混合器ケースには上記導波管／マイク
ロストリップ線路変換器の導波路を設け、また上記第１
の同軸線路及び上記第２の同軸線路を固定し且つ気密を
保つためにロー付し、 （３） 上記（２）の組立後に上記気密混合器ケース内
で上記導波管／マイクロストリップ線路変換器の導波管
−マイクロストリップ変換基板と上記混合器回路と上記
局発信号用整合回路及び上記中間周波数用整合回路を、
また上記気密混合器ケース外に上記金属キャリアと上記
局発信号入力回路と上記中間周波数出力回路をはんだに
よりダイボンディングし、 （４） 上記（３）の組立後に上記気密混合器ケース内
で上記導波管／マイクロストリップ線路変換器の導波管
−マイクロストリップ変換基板と上記混合器回路を、上
記混合器回路と上記局発信号用整合回路を、上記混合器
回路と上記中間周波数用整合回路を、上記局発信号用整
合回路と上記第１の同軸線路を、上記中間周波数用整合
回路と上記第２の同軸線路を金ワイヤにてワイヤボンデ
ィングし、 （５） 上記（４）の組立後に上記気密混合器ケース外
で上記第１の同軸線路と上記局発信号入力回路を、上記
第２同軸線路と上記中間周波数出力回路を金リボンにて
ワイヤボンディングし、 （６） 上記（１）から（５）の組立が完了した後、上
記気密カバーを位置決め用ピンを用い上記気密混合器ケ
ースと組立て、その後上記気密カバーの周辺部を上記気
密混合器ケースに対し抵抗溶接またはレーザ溶接により
シーリングし、その後上記高周波電波入力導波管と組立
てることを特徴とする高周波用気密半導体装置の組立方
法。 - 【請求項３】 高周波電波入力導波管と、局発信号入力
導波管と、上記高周波電波入力導波管及び上記局発信号
入力導波管に固定される気密混合器ケースと、上記高周
波電波入力導波管及び上記局発信号入力導波管と上記気
密混合器ケースとの間に取付けられる気密カバーと、上
記気密カバーの上記高周波電波入力導波管及び上記局発
信号入力導波管の開口部と対向する部分に設けられた高
周波電波及び局発信号入力用の低誘電体ガラスと、上記
気密混合器ケース内に設けられ導波路と導波管−マイク
ロストリップ変換基板から成る高周波電波を入力する第
１の導波管／マイクロストリップ線路変換器と、上記気
密混合器ケース内に設けられ導波路と導波管−マイクロ
ストリップ変換基板から成る局発信号を入力する第２の
導波管／マイクロストリップ線路変換器と、上記低誘電
体ガラスと対向する上記第１及び第２の導波管／マイク
ロストリップ線路変換器の導波管の開口部との位置決め
用ピンと、上記気密混合器ケース内に設けられ周波数変
換する混合器回路と、上記混合器回路と近接し混合器回
路に局発信号を入力する局発信号用整合回路と、上記混
合器回路と近接し混合器回路からの中間周波信号を出力
する中間周波数用整合回路と、上記気密混合器ケース内
外を水平に貫通する接続基板と、上記気密ケース外に設
けられ上記接続基板に近接して中間周波信号を出力する
中間周波数出力回路と、上記第１の導波管／マイクロス
トリップ線路変換器からの高周波電波入力と上記混合器
回路とを接続する金ワイヤと、上記第２の導波管／マイ
クロストリップ線路変換器から局発信号と上記混合器回
路とを接続する金ワイヤと、上記混合器回路と上記局発
信号用整合回路とを接続する金ワイヤと、上記混合器回
路と上記中間周波数用整合回路とを接続する金ワイヤ
と、上記中間周波数用整合回路と上記接続基板とを接続
する金ワイヤと、上記接続基板と上記中間周波数出力回
路とを接続する金リボンとを具備し、 （１） 予め上記気密混合器ケース内に設けられた上記
第１及び第２の導波管／マイクロストリップ線路変換器
の導波路の開口部と上記気密カバーに設ける上記低誘電
体ガラスとの位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバー
に、上記低誘電体ガラスを固定し且つ気密を保つために
はんだ付し、 （２） 上記気密混合器ケースには上記第１及び第２の
導波管／マイクロストリップ線路変換器の導波路を設
け、また上記接続基板を固定し且つ気密を保つためにロ
ー付し、 （３） 上記（２）の組立後に上記気密混合器ケース内
で上記第１及び第２導波管／マイクロストリップ線路変
換器の導波管−マイクロストリップ変換基板と上記混合
器回路と上記局発信号用整合回路及び上記中間周波数用
整合回路を、また上記気密混合器ケース外に上記中間周
波数出力回路をはんだによりダイボンディングし、 （４） 上記（３）の組立後に上記気密混合器ケース内
で上記第１の導波管／マイクロストリップ線路変換器の
導波管−マイクロストリップ変換基板と上記混合器回路
を、上記第２の導波管／マイクロストリップ線路変換器
の導波管−マイクロストリップ変換基板と上記局発信号
用整合回路を、上記混合器回路と上記局発信号用整合回
路を、上記混合器回路と上記中間周波数用整合回路を、
上記中間周波数用整合回路と上記接続基板を金ワイヤに
てワイヤボンディングし、 （５） 上記（４）の組立後に上記気密混合器ケース外
で上記接続基板と上記中間周波数出力回路を金リボンに
てワイヤボンディングし、 （６） 上記（１）から（５）の組立が完了した後、上
記気密カバーを位置決め用ピンを用い上記気密混合器ケ
ースと組立て、その後上記気密カバーの周辺部を上記気
密混合器ケースに対し抵抗溶接またはレーザ溶接により
シーリングし、その後上記高周波電波入力導波管及び上
記局発信号入力導波管と組立てることを特徴とする高周
波用気密半導体装置の組立方法。 - 【請求項４】 高周波電波入力導波管と、局発信号入力
導波管と、上記高周波電波入力導波管及び上記局発信号
入力導波管に固定される気密混合器ケースと、上記高周
波電波入力導波管及び上記局発信号入力導波管と上記気
密混合器ケースとの間に取付けられる気密カバーと、上
記気密カバーの上記高周波電波入力導波管及び上記局発
信号入力導波管の開口部と対向する部分に設けられた高
周波電波及び局発信号入力用の低誘電体ガラスと、上記
気密混合器ケース内に設けられ導波路と導波管−マイク
ロストリップ変換基板から成る高周波電波を入力する第
１の導波管／マイクロストリップ線路変換器と、上記気
密混合器ケース内に設けられ導波路と導波管−マイクロ
ストリップ変換基板から成る局発信号を入力する第２の
導波管／マイクロストリップ線路変換器と、上記低誘電
体ガラスと対向する上記第１及び第２の導波管／マイク
ロストリップ線路変換器の導波管の開口部との位置決め
用ピンと、上記気密混合器ケース内に設けられ周波数変
換する混合器回路と、上記混合器回路と近接し混合器回
路に局発信号を入力する局発信号用整合回路と、上記混
合器回路と近接し混合器回路からの中間周波信号を出力
する中間周波数用整合回路と、上記気密混合器ケース内
外を垂直に貫通し中間周波信号を出力する上記中間周波
数用整合回路からの中間周波信号を出力する同軸線路
と、上記第１の導波管／マイクロストリップ線路変換器
からの高周波電波入力と上記混合器回路とを接続する金
ワイヤと、上記第２の導波管／マイクロストリップ線路
変換器から局発信号と上記混合器回路とを接続する金ワ
イヤと、上記混合器回路と上記局発信号用整合回路とを
接続する金ワイヤと、上記混合器回路と上記中間周波数
用整合回路とを接続する金ワイヤと、上記中間周波数用
整合回路と同軸線路とを接続する金ワイヤを具備し、 （１） 予め上記気密混合器ケース内に設けられた上記
第１及び第２の導波管／マイクロストリップ線路変換器
の導波路の開口部と上記気密カバーに設ける上記低誘電
体ガラスとの位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバー
に、上記低誘電体ガラスを固定し且つ気密を保つために
はんだ付し、 （２） 上記気密混合器ケースには上記第１及び第２の
導波管／マイクロストリップ線路変換器の導波路を設
け、また上記同軸線路を固定し且つ気密を保つためにロ
ー付し、 （３） 上記（２）の組立後に上記気密混合器ケース内
で上記第１及び第２の導波管／マイクロストリップ線路
変換器の導波管−マイクロストリップ変換基板と上記混
合器回路と上記局発信号用整合回路及び上記中間周波数
用整合回路をはんだによりダイボンディングし、 （４） 上記（３）の組立後に上記気密混合器ケース内
で上記第１の導波管／マイクロストリップ線路変換器の
導波管−マイクロストリップ変換基板と上記混合器回路
を、上記第２の導波管／マイクロストリップ線路変換器
の導波管−マイクロストリップ変換基板と上記局発信号
用整合回路を、上記混合器回路と上記局発信号用整合回
路を、上記混合器回路と上記中間周波数用整合回路を、
上記中間周波数用整合回路と上記同軸線路を金ワイヤに
てワイヤボンディングし、 （５） 上記（１）から（４）の組立が完了した後、上
記気密カバーを位置決め用ピンを用い上記気密混合器ケ
ースと組立て、その後上記気密カバーの周辺部を上記気
密混合器ケースに対し抵抗溶接またはレーザ溶接により
シーリングし、その後上記高周波電波入力導波管及び局
発信号入力導波管と組立てることを特徴とする高周波用
気密半導体装置の組立方法。 - 【請求項５】 高周波電波入力導波管と、高周波電波出
力導波管と、上記高周波電波入力導波管及び高周波電波
出力導波管に固定される気密増幅器ケースと、上記高周
波電波入出力導波管及び高周波電波出力導波管と上記気
密増幅器ケースとの間に取付けられる気密カバーと、上
記気密カバーの上記高周波電波入力導波管及び高周波電
波出力導波管の開口部と対向する部分に設けられた高周
波電波を入力及び出力用の低誘電体ガラスと、上記気密
増幅器ケース内に設けられ導波路と導波管−マイクロス
トリップ変換基板から成る第１の導波管／マイクロスト
リップ線路変換器及び第２の導波管／マイクロストリッ
プ線路変換器と、上記気密増幅器ケース内に設けられた
第１の増幅器用半導体素子及び第２の増幅器用半導体素
子と、上記第１の増幅器用半導体素子及び第２の増幅器
用半導体素子の間に設けられた増幅器整合回路と、上記
気密増幅器ケース内部でケースに垂直に貫通しバイアス
を供給するハーメチック端子と、上記第１の導波管／マ
イクロストリップ線路変換器からの高周波電波入力と上
記第１の増幅器用半導体素子とを接続する金ワイヤと、
上記第１の増幅器用半導体素子と上記増幅器整合回路と
を接続する金ワイヤと、上記増幅器整合回路と上記第２
の増幅器用半導体素子とを接続する金ワイヤと、上記第
２の増幅器用半導体素子と上記第２の導波管／マイクロ
ストリップ線路変換器とを接続する金ワイヤと、上記第
１の増幅器用半導体素子及び第２の増幅器用半導体素子
と上記バイアスを供給するハーメチック端子とを接続す
る金ワイヤを具備し、 （１） 予め上記気密混合器ケース内に設けられた上記
第１及び第２の導波管／マイクロストリップ線路変換器
の導波路の開口部と上記気密カバーに設ける上記低誘電
体ガラスとの位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバー
に、上記低誘電体ガラスを固定し且つ気密を保つために
はんだ付し、 （２） 上記気密増幅器ケースには上記第１及び第２の
導波管／マイクロストリップ線路変換器の導波路を設
け、またハーメチック端子を固定し且つ気密を保つため
にロー付し、 （３） 上記（２）の組立後に上記気密増幅器ケース内
で上記第１及び第２の導波管／マイクロストリップ線路
変換器の導波管−マイクロストリップ変換基板と上記第
１及び第２の増幅器用半導体素子と上記増幅器整合回路
をはんだによりダイボンディングし、 （４） 上記（３）の組立後に上記気密混合器ケース内
で上記第１の導波管／マイクロストリップ線路変換器の
導波管−マイクロストリップ変換基板と上記第１の増幅
器用半導体素子を、上記第２の導波管／マイクロストリ
ップ線路変換器の導波管−マイクロストリップ変換基板
と上記第２の増幅器用半導体素子を、上記第１の増幅器
用半導体素子と上記増幅器整合回路を、上記増幅器整合
回路と上記第２の増幅器用半導体素子を、上記第１及び
第２の増幅器用半導体素子と上記ハーメチック端子を金
ワイヤにてワイヤボンディングし、 （５） 上記（１）から（４）の組立が完了した後、上
記気密カバーを位置決め用ピンを用い上記気密増幅器ケ
ースと組立て、その後上記気密カバーの周辺部を上記気
密増幅器ケースに対し抵抗溶接またはレーザ溶接により
シーリングし、その後上記高周波電波入力導波管及び高
周波電波出力導波管と組立てることを特徴とする高周波
用気密半導体装置の組立方法。 - 【請求項６】 高周波電波入力導波管と、高周波電波出
力導波管と、上記高周波電波入力導波管及び高周波電波
出力導波管に固定される気密増幅器ケースと、上記高周
波電波入出力導波管及び高周波電波出力導波管と上記気
密増幅器ケースとの間に取付けられる気密カバーと、上
記気密カバーの上記高周波電波入力導波管及び高周波電
波出力導波管の開口部と対向する部分に設けられた高周
波電波を入力及び出力用の低誘電体ガラスと、上記気密
増幅器ケース内に設けられ導波路と導波管−マイクロス
トリップ変換基板から成る第１の導波管／マイクロスト
リップ線路変換器及び第２の導波管／マイクロストリッ
プ線路変換器と、上記気密増幅器ケース内に設けられた
第１の増幅器用半導体素子及び第２の増幅器用半導体素
子と、上記第１の増幅器用半導体素子及び第２の増幅器
用半導体素子の間に設けられた増幅器整合回路と、上記
気密増幅器ケースの内外を水平に貫通しバイアスを供給
する第１のバイアス供給基板及び第２のバイアス供給基
板と、上記第１のバイアス供給基板及び第２のバイアス
供給基板上に設けられたストリップ線路と、上記第１の
導波管／マイクロストリップ線路変換器からの高周波電
波入力と上記第１の増幅器用半導体素子とを接続する金
ワイヤと、上記第１の増幅器用半導体素子と上記増幅器
整合回路とを接続する金ワイヤと、上記増幅器整合回路
と上記第２の増幅器用半導体素子とを接続する金ワイヤ
と、上記第２の増幅器用半導体素子と上記第２の導波管
／マイクロストリップ線路変換器とを接続する金ワイヤ
と、上記第１の増幅器用半導体素子と上記第１のバイア
ス供給基板上に設けられたストリップ線路とを気密増幅
器ケース内で接続する金ワイヤと、上記第２の増幅器用
半導体素子と上記第２のバイアス供給基板上に設けられ
たストリップ線路とを気密増幅器ケース内で接続する金
ワイヤを具備し、 （１） 予め上記気密増幅器ケース内に設けられた上記
第１及び第２の導波管／マイクロストリップ線路変換器
の導波路の開口部と上記気密カバーに設ける上記低誘電
体ガラスとの位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバー
に、上記低誘電体ガラスを固定し且つ気密を保つために
はんだ付し、 （２） 上記気密増幅器ケースには上記第１及び第２の
導波管／マイクロストリップ線路変換器の導波路を設
け、また第１及び第２のバイアス供給基板を固定し且つ
気密を保つためにロー付し、 （３） 上記（２）の組立後に上記気密増幅器ケース内
で上記第１及び第２の導波管／マイクロストリップ線路
変換器の導波管−マイクロストリップ変換基板と上記第
１及び第２の増幅器用半導体素子と上記増幅器整合回路
をはんだによりダイボンディングし、 （４） 上記（３）の組立後に上記気密混合器ケース内
で上記第１の導波管／マイクロストリップ線路変換器の
導波管−マイクロストリップ変換基板と上記第１の増幅
器用半導体素子を、上記第２の導波管／マイクロストリ
ップ線路変換器の導波管−マイクロストリップ変換基板
と上記第２の増幅器用半導体素子を、上記第１の増幅器
用半導体素子と上記増幅器整合回路を、上記増幅器整合
回路と上記第２の増幅器用半導体素子を、上記第１及び
第２の増幅器用半導体素子と上記第１及び第２のバイア
ス供給基板を金ワイヤにてワイヤボンディングし、 （５） 上記（１）から（４）の組立が完了した後、上
記気密カバーを位置決め用ピンを用い上記気密増幅器ケ
ースと組立て、その後上記気密カバーの周辺部を上記気
密増幅器ケースに対し抵抗溶接またはレーザ溶接により
シーリングし、その後上記高周波電波入力導波管及び高
周波電波出力導波管と組立てることを特徴とする高周波
用気密半導体装置の組立方法。 - 【請求項７】 上記気密増幅器ケース外に設けられ、上
記第１のバイアス供給基板及び第２のバイアス供給基板
に設けられたストリップ線路上で、上記気密増幅器ケー
スの固定面に対して水平に設けられバイアスを供給する
平型リードを具備し、 （１） 予め上記気密増幅器ケース内に設けられた上記
第１及び第２の導波管／マイクロストリップ線路変換器
の導波路の開口部と上記気密カバーに設ける上記低誘電
体ガラスとの位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバー
に、上記低誘電体ガラスを固定し且つ気密を保つために
はんだ付し、 （２） 上記気密増幅器ケースには上記第１及び第２の
導波管／マイクロストリップ線路変換器の導波路を設
け、また第１及び第２のバイアス供給基板の上記気密増
幅器ケースの外側に上記平リードをロー付により固定す
ると共に上記気密増幅器ケースに固定し且つ気密を保つ
ためにロー付し、 （３） 上記（２）の組立後に上記気密増幅器ケース内
で上記第１及び第２の導波管／マイクロストリップ線路
変換器の導波管−マイクロストリップ変換基板と上記第
１及び第２の増幅器用半導体素子と上記増幅器整合回路
をはんだによりダイボンディングし、 （４） 上記（３）の組立後に上記気密増幅器ケース内
で上記第１の導波管／マイクロストリップ線路変換器の
導波管−マイクロストリップ変換基板と上記第１の増幅
器用半導体素子を、上記第２の導波管／マイクロストリ
ップ線路変換器の導波管−マイクロストリップ変換基板
と上記第２の増幅器用半導体素子を、上記第１の増幅器
用半導体素子と上記増幅器整合回路を、上記増幅器整合
回路と上記第２の増幅器用半導体素子を、上記第１及び
第２の増幅器用半導体素子と上記第１及び第２のバイア
ス供給基板を金ワイヤにてワイヤボンディングし、 （５） 上記（１）から（４）の組立が完了した後、上
記気密カバーを位置決め用ピンを用い上記気密増幅器ケ
ースと組立て、その後上記気密カバーの周辺部を上記気
密増幅器ケースに対し抵抗溶接またはレーザ溶接により
シーリングし、その後上記高周波電波入力導波管及び高
周波電波出力導波管と組立てることを特徴とする高周波
用気密半導体装置の組立方法。 - 【請求項８】 上記気密増幅器ケース外に設けられ、上
記第１のバイアス供給基板及び第２のバイアス供給基板
に近接し、上記気密増幅器ケースの固定面に対して垂直
に貫通しバイアスを供給するターミナルと、上記第１の
バイアス供給基板及び第２のバイアス供給基板上のスト
リップ線路の一端と上記ターミナルとを接続する金ワイ
ヤとを具備し、 （１） 予め上記気密増幅器ケース内に設けられた上記
第１及び第２の導波管／マイクロストリップ線路変換器
の導波路の開口部と上記気密カバーに設ける上記低誘電
体ガラスとの位置決め用ピン穴を設けた上記気密カバー
に、上記低誘電体ガラスを固定し且つ気密を保つために
はんだ付し、 （２） 上記気密増幅器ケースには上記第１及び第２の
導波管／マイクロストリップ線路変換器の導波路を設
け、また上記気密増幅器ケースの外側で上記第１及び第
２のバイアス供給基板に近接しターミナルを設けると共
に上記第１及び第２のバイアス供給基板を固定し且つ気
密を保つためにロー付し、 （３） 上記（２）の組立後に上記気密増幅器ケース内
で上記第１及び第２の導波管／マイクロストリップ線路
変換器の導波管−マイクロストリップ変換基板と上記第
１及び第２の増幅器用半導体素子と上記増幅器整合回路
をはんだによりダイボンディングし、 （４） 上記（３）の組立後に上記気密増幅器ケース内
で上記第１の導波管／マイクロストリップ線路変換器の
導波管−マイクロストリップ変換基板と上記第１の増幅
器用半導体素子を、上記第２の導波管／マイクロストリ
ップ線路変換器の導波管−マイクロストリップ変換基板
と上記第２の増幅器用半導体素子を、上記第１の増幅器
用半導体素子と上記増幅器整合回路を、上記増幅器整合
回路と上記第２の増幅器用半導体素子を、上記第１及び
第２の増幅器用半導体素子と上記第１及び第２のバイア
ス供給基板を金ワイヤにてワイヤボンディングし、 （５） 上記（４）の組立後に上記気密増幅器ケース外
で上記第１及び第２のバイアス供給基板と上記ターミナ
ルを金リボンにてワイヤボンディングし、 （６） 上記（１）から（５）の組立が完了した後、上
記気密カバーを位置決め用ピンを用い上記気密増幅器ケ
ースと組立て、その後上記気密カバーの周辺部を上記気
密増幅器ケースに対し抵抗溶接またはレーザ溶接により
シーリングし、その後上記高周波電波入力導波管及び高
周波電波出力導波管と組立てることを特徴とする高周波
用気密半導体装置の組立方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7282396A JPH09260913A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 高周波用気密半導体装置の組立方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7282396A JPH09260913A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 高周波用気密半導体装置の組立方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260913A true JPH09260913A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13500530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7282396A Pending JPH09260913A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 高周波用気密半導体装置の組立方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPH09260913A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6466101B2 (en) | 1998-07-08 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Microstrip line-waveguide converter structure, integrated circuit package for high frequency signals provided with this converter structure, and manufacturing method therefor |
| JP2012124651A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Tdk Corp | 非可逆回路素子、通信装置、及び非可逆回路素子の製造方法 |
| JP2016225801A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 三菱電機株式会社 | 導波管マイクロストリップ線路変換器 |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP7282396A patent/JPH09260913A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6466101B2 (en) | 1998-07-08 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Microstrip line-waveguide converter structure, integrated circuit package for high frequency signals provided with this converter structure, and manufacturing method therefor |
| JP2012124651A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Tdk Corp | 非可逆回路素子、通信装置、及び非可逆回路素子の製造方法 |
| JP2016225801A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 三菱電機株式会社 | 導波管マイクロストリップ線路変換器 |
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