JPH08250911A - 高周波気密モジュール - Google Patents
高周波気密モジュールInfo
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- JPH08250911A JPH08250911A JP7054158A JP5415895A JPH08250911A JP H08250911 A JPH08250911 A JP H08250911A JP 7054158 A JP7054158 A JP 7054158A JP 5415895 A JP5415895 A JP 5415895A JP H08250911 A JPH08250911 A JP H08250911A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Abstract
(57)【要約】
【目的】 入出力線路の高周波信号伝搬特性が良好な高
周波気密モジュールを得る。 【構成】 高周波気密モジュールの入出力信号線路にお
いて、一方の面に先端をオープンスタブ４により開放し
たマイクロストリップ線路を、他の面に地導体５を有す
る２枚の基板の地導体５どうしを貼り合わせ、前記地導
体５に設けられた結合孔６を介して高周波信号を伝搬さ
せるようにした。
周波気密モジュールを得る。 【構成】 高周波気密モジュールの入出力信号線路にお
いて、一方の面に先端をオープンスタブ４により開放し
たマイクロストリップ線路を、他の面に地導体５を有す
る２枚の基板の地導体５どうしを貼り合わせ、前記地導
体５に設けられた結合孔６を介して高周波信号を伝搬さ
せるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、耐環境性向上のため
気密を保った高周波気密モジュールに関するものであ
る。
気密を保った高周波気密モジュールに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図１７は従来の高周波気密モジュールを
示す平面透視図、図１８は図１７のＢ６視図、図１９は
図１７のＡ６−Ａ６断面図である。これらの図において
１は導体フレーム、５は地導体、９は高周波集積回路基
板、１０は入出力端子、１１はバイアス端子、１２はロ
ウ材、１４は導体ワイヤ、１５は気密カバー、２４は導
体ベース、２５は入出力用フィードスルー基板、２６は
入出力用パターン、２７は誘電体ブロック、２８はバイ
アス用フィードスルー基板、２９はバイアス用パターン
である。
示す平面透視図、図１８は図１７のＢ６視図、図１９は
図１７のＡ６−Ａ６断面図である。これらの図において
１は導体フレーム、５は地導体、９は高周波集積回路基
板、１０は入出力端子、１１はバイアス端子、１２はロ
ウ材、１４は導体ワイヤ、１５は気密カバー、２４は導
体ベース、２５は入出力用フィードスルー基板、２６は
入出力用パターン、２７は誘電体ブロック、２８はバイ
アス用フィードスルー基板、２９はバイアス用パターン
である。
【０００３】ここで、入出力用フィードスルー基板２５
の地導体５とバイアス用フィードスルー基板２９の地導
体５はそれぞれロウ材１２により導体ベース２４にロウ
付けされている。また、入出力用フィードスルー基板２
５の入出力用パターン２６の上に誘電体ブロック２７を
貼り合わせ、その周りを導体ベース２４及び導体フレー
ム１で囲むことによりトリプレートのフィードスルーを
構成し、同様にバイアス線路もバイアス用フィードスル
ー基板２８のバイアス用パターン２９の上に誘電体ブロ
ック２７を貼り合わせ、その周りを導体ベース２４及び
導体フレーム１で囲むことにより気密のフィードスルー
を構成している。これらのフィードスルーのパターンと
高周波集積回路基板９の入出力端子１０及びバイアス端
子１１を導体ワイヤ１４で接続し、気密カバー１５をロ
ウ付け又は熔接することによりとりつけることにより、
モジュール内の気密を保ち高周波集積回路基板９の耐環
境性を高めている。
の地導体５とバイアス用フィードスルー基板２９の地導
体５はそれぞれロウ材１２により導体ベース２４にロウ
付けされている。また、入出力用フィードスルー基板２
５の入出力用パターン２６の上に誘電体ブロック２７を
貼り合わせ、その周りを導体ベース２４及び導体フレー
ム１で囲むことによりトリプレートのフィードスルーを
構成し、同様にバイアス線路もバイアス用フィードスル
ー基板２８のバイアス用パターン２９の上に誘電体ブロ
ック２７を貼り合わせ、その周りを導体ベース２４及び
導体フレーム１で囲むことにより気密のフィードスルー
を構成している。これらのフィードスルーのパターンと
高周波集積回路基板９の入出力端子１０及びバイアス端
子１１を導体ワイヤ１４で接続し、気密カバー１５をロ
ウ付け又は熔接することによりとりつけることにより、
モジュール内の気密を保ち高周波集積回路基板９の耐環
境性を高めている。
【０００４】このように、従来の高周波気密モジュール
では、トリプレート型のフィードスルーによりモジュー
ル内の気密を保ちながら高周波集積回路基板９と高周波
信号およびバイアスをインタフェースしていた。例えば
高周波集積回路基板９が増幅器の場合には、入出力用フ
ィードスルー基板２５から入力された高周波信号はトリ
プレートのフィードスルーを通過し高周波集積回路基板
９に入力される。入力された信号は高周波集積回路基板
９で電力増幅されトリプレートのフィードスルーを通過
し入出力用フィードスルー基板２５から出力される。
では、トリプレート型のフィードスルーによりモジュー
ル内の気密を保ちながら高周波集積回路基板９と高周波
信号およびバイアスをインタフェースしていた。例えば
高周波集積回路基板９が増幅器の場合には、入出力用フ
ィードスルー基板２５から入力された高周波信号はトリ
プレートのフィードスルーを通過し高周波集積回路基板
９に入力される。入力された信号は高周波集積回路基板
９で電力増幅されトリプレートのフィードスルーを通過
し入出力用フィードスルー基板２５から出力される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の高周波気密
モジュールでは入出力用フィードスルー基板２５やバイ
アス用フィードスルー基板２８は加工の実現性から高温
焼成厚膜基板が使用されている。高温焼成厚膜基板の線
路パターンは一般に下地にタングステン等の電気抵抗の
大きい金属を用い厚みも７〜１５μｍと薄膜基板の線路
パターンに比べ厚いため、マイクロストリップ線路を伝
送する信号が高周波になると表皮効果のため抵抗の大き
い下地金属にほとんどの電流が流れ損失が大きくなると
いう問題があった。
モジュールでは入出力用フィードスルー基板２５やバイ
アス用フィードスルー基板２８は加工の実現性から高温
焼成厚膜基板が使用されている。高温焼成厚膜基板の線
路パターンは一般に下地にタングステン等の電気抵抗の
大きい金属を用い厚みも７〜１５μｍと薄膜基板の線路
パターンに比べ厚いため、マイクロストリップ線路を伝
送する信号が高周波になると表皮効果のため抵抗の大き
い下地金属にほとんどの電流が流れ損失が大きくなると
いう問題があった。
【０００６】また、高周波においては高次モードの発生
を防ぐために基板厚を薄くする必要があり、必然的にマ
イクロストリップ線路のパターン幅も狭くなる。更にト
リプレート線路部においてはマイクロストリップ線路部
と同一の特性インピーダンスにするためにはパターン幅
はより狭くなるためパターン精度がいっそう厳しくな
る。厚膜のパターン寸法精度は薄膜に比べ悪いため、寸
法誤差により特性インピーダンスが大きくずれてしまう
という問題点があった。
を防ぐために基板厚を薄くする必要があり、必然的にマ
イクロストリップ線路のパターン幅も狭くなる。更にト
リプレート線路部においてはマイクロストリップ線路部
と同一の特性インピーダンスにするためにはパターン幅
はより狭くなるためパターン精度がいっそう厳しくな
る。厚膜のパターン寸法精度は薄膜に比べ悪いため、寸
法誤差により特性インピーダンスが大きくずれてしまう
という問題点があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、高周波気密モジュールの入出力
端子の高周波信号伝搬特性を改善することを目的とす
る。
ためになされたもので、高周波気密モジュールの入出力
端子の高周波信号伝搬特性を改善することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる実施例
１の高周波気密モジュールは高周波信号が伝搬するトリ
プレート型フィードスルーの代わりに、オープンスタブ
により先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導
体どうしを貼り合わせその地導体に設けた結合孔を介し
て電磁結合により高周波信号を伝搬させることにより気
密モジュールを実現したものである。
１の高周波気密モジュールは高周波信号が伝搬するトリ
プレート型フィードスルーの代わりに、オープンスタブ
により先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導
体どうしを貼り合わせその地導体に設けた結合孔を介し
て電磁結合により高周波信号を伝搬させることにより気
密モジュールを実現したものである。
【０００９】この発明の実施例２の高周波気密モジュー
ルは実施例１の高周波気密モジュールにおいて、入出力
のインタフェースを表面にグラウンド端子を設けたマイ
クロストリップ線路としたものである。
ルは実施例１の高周波気密モジュールにおいて、入出力
のインタフェースを表面にグラウンド端子を設けたマイ
クロストリップ線路としたものである。
【００１０】また、この発明の実施例３の高周波気密モ
ジュールは実施例１の高周波気密モジュールにおいて、
入出力のインタフェースをコプレーナ線路としたもので
ある。
ジュールは実施例１の高周波気密モジュールにおいて、
入出力のインタフェースをコプレーナ線路としたもので
ある。
【００１１】この発明の実施例４の高周波気密モジュー
ルは実施例１の高周波気密モジュールにおいて、Ｅ面プ
ローブ型導波管−マイクロストリップ線路変換器付加す
ることにより入出力のインタフェースを矩形導波管とし
たものである。
ルは実施例１の高周波気密モジュールにおいて、Ｅ面プ
ローブ型導波管−マイクロストリップ線路変換器付加す
ることにより入出力のインタフェースを矩形導波管とし
たものである。
【００１２】また、この発明の実施例５の高周波気密モ
ジュールは実施例１の高周波気密モジュールにおいて、
ステップ変成器を用いた導波管−マイクロストリップ線
路変換器付加することにより入出力のインタフェースを
矩形導波管としたものである。
ジュールは実施例１の高周波気密モジュールにおいて、
ステップ変成器を用いた導波管−マイクロストリップ線
路変換器付加することにより入出力のインタフェースを
矩形導波管としたものである。
【００１３】
【作用】この発明における実施例１の高周波気密モジュ
ールは、気密部との高周波信号のインタフェースを結合
孔を介した電磁結合により行っているため、厚膜基板を
用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり高周
波信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分を遮
断することができる。
ールは、気密部との高周波信号のインタフェースを結合
孔を介した電磁結合により行っているため、厚膜基板を
用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり高周
波信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分を遮
断することができる。
【００１４】この発明の実施例２の高周波気密モジュー
ルは、気密部との高周波信号のインタフェースを結合孔
を介した電磁結合により行っているため、厚膜基板を用
いたトリプレート型フィードスルーが不要になり高周波
信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分を遮断
することができる。そして、入出力のインタフェースに
おいて、入出力マイクロストリップ線路の両側にスルー
ホールにより地導体と導通がとられたグラウンド端子を
設け、モジュールどうしのグラウンドを接続できるよう
にしているため、モジュールどうしの接続部の高周波特
性が改善できる。
ルは、気密部との高周波信号のインタフェースを結合孔
を介した電磁結合により行っているため、厚膜基板を用
いたトリプレート型フィードスルーが不要になり高周波
信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分を遮断
することができる。そして、入出力のインタフェースに
おいて、入出力マイクロストリップ線路の両側にスルー
ホールにより地導体と導通がとられたグラウンド端子を
設け、モジュールどうしのグラウンドを接続できるよう
にしているため、モジュールどうしの接続部の高周波特
性が改善できる。
【００１５】また、この発明の実施例３の高周波気密モ
ジュールは、気密部との高周波信号のインタフェースを
結合孔を介した電磁結合により行っているため、厚膜基
板を用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり
高周波信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分
を遮断することができる。そして、入出力のインタフェ
ースをマイクロストリップ線路からコプレーナ線路に変
換して行っているため、モジュールどうしの接続部の高
周波特性が更に改善できる。
ジュールは、気密部との高周波信号のインタフェースを
結合孔を介した電磁結合により行っているため、厚膜基
板を用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり
高周波信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分
を遮断することができる。そして、入出力のインタフェ
ースをマイクロストリップ線路からコプレーナ線路に変
換して行っているため、モジュールどうしの接続部の高
周波特性が更に改善できる。
【００１６】この発明の実施例４の高周波気密モジュー
ルは、気密部との高周波信号のインタフェースを結合孔
を介した電磁結合により行っているため、厚膜基板を用
いたトリプレート型フィードスルーが不要になり高周波
信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分を遮断
することができる。そして、入出力のインタフェースを
マイクロストリップ線路からＥ面プローブ型の導波管−
マイクロストリップ変換器により矩形導波管に変換して
行っているため、モジュールどうしの接続部の高周波特
性がよりいっそう改善できる。
ルは、気密部との高周波信号のインタフェースを結合孔
を介した電磁結合により行っているため、厚膜基板を用
いたトリプレート型フィードスルーが不要になり高周波
信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分を遮断
することができる。そして、入出力のインタフェースを
マイクロストリップ線路からＥ面プローブ型の導波管−
マイクロストリップ変換器により矩形導波管に変換して
行っているため、モジュールどうしの接続部の高周波特
性がよりいっそう改善できる。
【００１７】また、この発明の実施例５の高周波気密モ
ジュールは、気密部との高周波信号のインタフェースを
結合孔を介した電磁結合により行っているため、厚膜基
板を用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり
高周波信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分
を遮断することができる。そして、入出力のインタフェ
ースをマイクロストリップ線路から導波管インピーダン
ス変成器を用いた導波管−マイクロストリップ変換器に
より矩形導波管に変換して行っているため、モジュール
どうしの接続部の高周波特性が広帯域によりいっそう改
善できる。
ジュールは、気密部との高周波信号のインタフェースを
結合孔を介した電磁結合により行っているため、厚膜基
板を用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり
高周波信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分
を遮断することができる。そして、入出力のインタフェ
ースをマイクロストリップ線路から導波管インピーダン
ス変成器を用いた導波管−マイクロストリップ変換器に
より矩形導波管に変換して行っているため、モジュール
どうしの接続部の高周波特性が広帯域によりいっそう改
善できる。
【００１８】
実施例１ 図１はこの発明の一実施例を示す高周波気密モジュール
の平面図、図２は図１におけるＡ１−Ａ１断面図、図３
は図２におけるＢ１方向からの透視図、図４は電磁結合
部の詳細図である。図において１は導体フレーム、２は
誘電体又は半導体からなるベース基板、３は入出力用マ
イクロストリップ線路、４はオープンスタブ、５は地導
体、６は結合孔、７は誘電体又は半導体からなる副基
板、８は接続用マイクロストリップ線路、９は誘電体又
は半導体からなる高周波集積回路基板、１０は入出力線
路、１１はバイアス端子、１２はロウ材、１３はバイア
ス用気密貫通端子、１４は導体ワイヤ、１５は気密カバ
ーである。
の平面図、図２は図１におけるＡ１−Ａ１断面図、図３
は図２におけるＢ１方向からの透視図、図４は電磁結合
部の詳細図である。図において１は導体フレーム、２は
誘電体又は半導体からなるベース基板、３は入出力用マ
イクロストリップ線路、４はオープンスタブ、５は地導
体、６は結合孔、７は誘電体又は半導体からなる副基
板、８は接続用マイクロストリップ線路、９は誘電体又
は半導体からなる高周波集積回路基板、１０は入出力線
路、１１はバイアス端子、１２はロウ材、１３はバイア
ス用気密貫通端子、１４は導体ワイヤ、１５は気密カバ
ーである。
【００１９】ここで、ベース基板２は導体フレーム１に
ロウ材１２により取付けられている。ベース基板２には
表面に入出力用マイクロストリップ線路３とマイクロス
トリップ線路３に接続されたオープンスタブ４が二組設
けられている。また、裏面には結合孔６を有する地導体
５が設けられており、結合孔６は入出力用マイクロスト
リップ線路３とオープンスタブ４の接続部の真裏に入出
力用マイクロストリップ線路３の信号伝搬方向と結合孔
６の長手方向が直交するように位置する。副基板７には
表面に接続用マイクロストリップ線路８と接続用マイク
ロストリップ線路８に接続されたオープンスタブ４が設
けられている。また、裏面には結合孔６を有する地導体
５が設けられている。ベース基板２と二枚の副基板７は
それぞれの地導体５に設けられた結合孔６の部分を合致
させロウ材１２により地導体５どうしを貼り合わせてい
る。高周波集積回路基板９は、表面に入出力端子１０と
バイアス端子１１が設けられている。また、裏面には地
導体５が設けられている。高周波集積回路基板９は、二
枚の副基板７の間に挟まれ地導体５がベース基板２の地
導体５にロウ材１２により貼り合わせている。バイアス
用気密貫通端子１３は導体フレーム１の側面に隙間なく
埋め込まれている。また、接続用マイクロストリップ線
路８と入出力端子１０間およびバイアス端子１１とバイ
アス用気密貫通端子１３間は導体ワイヤ１４によりボン
ディングされている。気密カバー１５は導体フレーム１
に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
ロウ材１２により取付けられている。ベース基板２には
表面に入出力用マイクロストリップ線路３とマイクロス
トリップ線路３に接続されたオープンスタブ４が二組設
けられている。また、裏面には結合孔６を有する地導体
５が設けられており、結合孔６は入出力用マイクロスト
リップ線路３とオープンスタブ４の接続部の真裏に入出
力用マイクロストリップ線路３の信号伝搬方向と結合孔
６の長手方向が直交するように位置する。副基板７には
表面に接続用マイクロストリップ線路８と接続用マイク
ロストリップ線路８に接続されたオープンスタブ４が設
けられている。また、裏面には結合孔６を有する地導体
５が設けられている。ベース基板２と二枚の副基板７は
それぞれの地導体５に設けられた結合孔６の部分を合致
させロウ材１２により地導体５どうしを貼り合わせてい
る。高周波集積回路基板９は、表面に入出力端子１０と
バイアス端子１１が設けられている。また、裏面には地
導体５が設けられている。高周波集積回路基板９は、二
枚の副基板７の間に挟まれ地導体５がベース基板２の地
導体５にロウ材１２により貼り合わせている。バイアス
用気密貫通端子１３は導体フレーム１の側面に隙間なく
埋め込まれている。また、接続用マイクロストリップ線
路８と入出力端子１０間およびバイアス端子１１とバイ
アス用気密貫通端子１３間は導体ワイヤ１４によりボン
ディングされている。気密カバー１５は導体フレーム１
に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
【００２０】これにより、入出力用マイクロストリップ
線路３と接続用マイクロストリップ線路４は、オープン
スタブ４及び結合孔６の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路３から入力された高周波信号は結合孔６を介して接続
用マイクロストリップ線路８に伝搬され、導体ワイヤ１
４を通じて高周波集積回路基板９の入出力端子１０に入
力される。一方、高周波集積回路基板９の入出力端子１
０から出力された高周波信号は、導体ワイヤ１４を通じ
て接続用マイクロストリップ線路８に伝搬され、結合孔
６を介して入出力用マイクロストリップ線路３に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
線路３と接続用マイクロストリップ線路４は、オープン
スタブ４及び結合孔６の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路３から入力された高周波信号は結合孔６を介して接続
用マイクロストリップ線路８に伝搬され、導体ワイヤ１
４を通じて高周波集積回路基板９の入出力端子１０に入
力される。一方、高周波集積回路基板９の入出力端子１
０から出力された高周波信号は、導体ワイヤ１４を通じ
て接続用マイクロストリップ線路８に伝搬され、結合孔
６を介して入出力用マイクロストリップ線路３に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
【００２１】実施例２ 図４は上記実施例１においてモジュールどうしを接続し
た際の高周波特性を改善するために、上記入出力用マイ
クロストリップ線路の両側にスルーホールにより地導体
と導通がとられたグラウンド端子を設けた高周波気密モ
ジュールの平面図、図５は図４におけるＡ２−Ａ２断面
図、図６は図５におけるＢ２方向からの透視図である。
図において１は導体フレーム、２はベース基板、３は入
出力用マイクロストリップ線路、４はオープンスタブ、
５は地導体、６は結合孔、７は副基板、８は接続用マイ
クロストリップ線路、９は高周波集積回路基板、１０は
入出力線路、１１はバイアス端子、１２はロウ材、１３
はバイアス用気密貫通端子、１４は導体ワイヤ、１５は
気密カバー、１６はグラウンド端子、１７はスルーホー
ルである。
た際の高周波特性を改善するために、上記入出力用マイ
クロストリップ線路の両側にスルーホールにより地導体
と導通がとられたグラウンド端子を設けた高周波気密モ
ジュールの平面図、図５は図４におけるＡ２−Ａ２断面
図、図６は図５におけるＢ２方向からの透視図である。
図において１は導体フレーム、２はベース基板、３は入
出力用マイクロストリップ線路、４はオープンスタブ、
５は地導体、６は結合孔、７は副基板、８は接続用マイ
クロストリップ線路、９は高周波集積回路基板、１０は
入出力線路、１１はバイアス端子、１２はロウ材、１３
はバイアス用気密貫通端子、１４は導体ワイヤ、１５は
気密カバー、１６はグラウンド端子、１７はスルーホー
ルである。
【００２２】この場合にも、ベース基板２は導体フレー
ム１にロウ材１２により取付けられている。ベース基板
２には表面に入出力用マイクロストリップ線路３とマイ
クロストリップ線路３に接続されたオープンスタブ４が
二組設けられている。また、裏面には結合孔６を有する
地導体５が設けられており、結合孔６は入出力用マイク
ロストリップ線路３とオープンスタブ４の接続部の真裏
に入出力用マイクロストリップ線路３の信号伝搬方向と
結合孔６の長手方向が直交するように位置する。副基板
７には表面に接続用マイクロストリップ線路８と接続用
マイクロストリップ線路８に接続されたオープンスタブ
４が設けられている。また、裏面には結合孔６を有する
地導体５が設けられている。ベース基板２と二枚の副基
板７はそれぞれの地導体５に設けられた結合孔６の部分
を合致させロウ材１２により地導体５どうしを貼り合わ
せている。高周波集積回路基板９は、表面に入出力端子
１０とバイアス端子１１が設けられている。また、裏面
には地導体５が設けられている。高周波集積回路基板９
は、二枚の副基板７の間に挟まれ地導体５がベース基板
２の地導体５にロウ材１２により貼り合わせている。バ
イアス用気密貫通端子１３は導体フレーム１の側面に隙
間なく埋め込まれている。また、接続用マイクロストリ
ップ線路８と入出力端子１０間およびバイアス端子１１
とバイアス用気密貫通端子１３間は導体ワイヤ１４によ
りボンディングされている。気密カバー１５は導体フレ
ーム１に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
ム１にロウ材１２により取付けられている。ベース基板
２には表面に入出力用マイクロストリップ線路３とマイ
クロストリップ線路３に接続されたオープンスタブ４が
二組設けられている。また、裏面には結合孔６を有する
地導体５が設けられており、結合孔６は入出力用マイク
ロストリップ線路３とオープンスタブ４の接続部の真裏
に入出力用マイクロストリップ線路３の信号伝搬方向と
結合孔６の長手方向が直交するように位置する。副基板
７には表面に接続用マイクロストリップ線路８と接続用
マイクロストリップ線路８に接続されたオープンスタブ
４が設けられている。また、裏面には結合孔６を有する
地導体５が設けられている。ベース基板２と二枚の副基
板７はそれぞれの地導体５に設けられた結合孔６の部分
を合致させロウ材１２により地導体５どうしを貼り合わ
せている。高周波集積回路基板９は、表面に入出力端子
１０とバイアス端子１１が設けられている。また、裏面
には地導体５が設けられている。高周波集積回路基板９
は、二枚の副基板７の間に挟まれ地導体５がベース基板
２の地導体５にロウ材１２により貼り合わせている。バ
イアス用気密貫通端子１３は導体フレーム１の側面に隙
間なく埋め込まれている。また、接続用マイクロストリ
ップ線路８と入出力端子１０間およびバイアス端子１１
とバイアス用気密貫通端子１３間は導体ワイヤ１４によ
りボンディングされている。気密カバー１５は導体フレ
ーム１に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
【００２３】これにより、入出力用マイクロストリップ
線路３と接続用マイクロストリップ線路４は、オープン
スタブ４及び結合孔６の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路３から入力された高周波信号は結合孔６を介して接続
用マイクロストリップ線路８に伝搬され、導体ワイヤ１
４を通じて高周波集積回路基板９の入出力端子１０に入
力される。一方、高周波集積回路基板９の入出力端子１
０から出力された高周波信号は、導体ワイヤ１４を通じ
て接続用マイクロストリップ線路８に伝搬され、結合孔
６を介して入出力用マイクロストリップ線路３に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
線路３と接続用マイクロストリップ線路４は、オープン
スタブ４及び結合孔６の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路３から入力された高周波信号は結合孔６を介して接続
用マイクロストリップ線路８に伝搬され、導体ワイヤ１
４を通じて高周波集積回路基板９の入出力端子１０に入
力される。一方、高周波集積回路基板９の入出力端子１
０から出力された高周波信号は、導体ワイヤ１４を通じ
て接続用マイクロストリップ線路８に伝搬され、結合孔
６を介して入出力用マイクロストリップ線路３に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
【００２４】また、入出力用マイクロストリップ線路３
の両側にスルーホール１７により地導体５と導通がとら
れたグラウンド端子１６を設けているため、モジュール
どうしの入出力の接続においてグラウンド端子１６どう
しを接続することによりグラウンドを流れる電流の経路
を短くすることができるため、モジュールどうしの接続
部の高周波特性が改善できる。
の両側にスルーホール１７により地導体５と導通がとら
れたグラウンド端子１６を設けているため、モジュール
どうしの入出力の接続においてグラウンド端子１６どう
しを接続することによりグラウンドを流れる電流の経路
を短くすることができるため、モジュールどうしの接続
部の高周波特性が改善できる。
【００２５】実施例３ 図７は上記実施例１においてモジュールどうしを接続し
た際の高周波特性を改善するために、上記入出力用マイ
クロストリップ線路の両側にスルーホールにより地導体
と導通がとられたグラウンド端子を設けた高周波気密モ
ジュールの平面図、図８は図７におけるＡ３−Ａ３断面
図、図９は図８におけるＢ３方向からの透視図である。
図において１は導体フレーム、２はベース基板、３は入
出力用マイクロストリップ線路、４はオープンスタブ、
５は地導体、６は結合孔、７は副基板、８は接続用マイ
クロストリップ線路、９は高周波集積回路基板、１０は
入出力線路、１１はバイアス端子、１２はロウ材、１３
はバイアス用気密貫通端子、１４は導体ワイヤ、１５は
気密カバー、１８はコプレーナ線路中心導体、１９はコ
プレーナ線路地導体である。
た際の高周波特性を改善するために、上記入出力用マイ
クロストリップ線路の両側にスルーホールにより地導体
と導通がとられたグラウンド端子を設けた高周波気密モ
ジュールの平面図、図８は図７におけるＡ３−Ａ３断面
図、図９は図８におけるＢ３方向からの透視図である。
図において１は導体フレーム、２はベース基板、３は入
出力用マイクロストリップ線路、４はオープンスタブ、
５は地導体、６は結合孔、７は副基板、８は接続用マイ
クロストリップ線路、９は高周波集積回路基板、１０は
入出力線路、１１はバイアス端子、１２はロウ材、１３
はバイアス用気密貫通端子、１４は導体ワイヤ、１５は
気密カバー、１８はコプレーナ線路中心導体、１９はコ
プレーナ線路地導体である。
【００２６】この場合にも、ベース基板２は導体フレー
ム１にロウ材１２により取付けられている。ベース基板
２には表面に入出力用マイクロストリップ線路３とマイ
クロストリップ線路３に接続されたオープンスタブ４が
二組設けられている。また、裏面には結合孔６を有する
地導体５が設けられており、結合孔６は入出力用マイク
ロストリップ線路３とオープンスタブ４の接続部の真裏
に入出力用マイクロストリップ線路３の信号伝搬方向と
結合孔６の長手方向が直交するように位置する。副基板
７には表面に接続用マイクロストリップ線路８と接続用
マイクロストリップ線路８に接続されたオープンスタブ
４が設けられている。また、裏面には結合孔６を有する
地導体５が設けられている。ベース基板２と二枚の副基
板７はそれぞれの地導体５に設けられた結合孔６の部分
を合致させロウ材１２により地導体５どうしを貼り合わ
せている。高周波集積回路基板９は、表面に入出力端子
１０とバイアス端子１１が設けられている。また、裏面
には地導体５が設けられている。高周波集積回路基板９
は、二枚の副基板７の間に挟まれ地導体５がベース基板
２の地導体５にロウ材１２により貼り合わせている。バ
イアス用気密貫通端子１３は導体フレーム１の側面に隙
間なく埋め込まれている。また、接続用マイクロストリ
ップ線路８と入出力端子１０間およびバイアス端子１１
とバイアス用気密貫通端子１３間は導体ワイヤ１４によ
りボンディングされている。気密カバー１５は導体フレ
ーム１に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
ム１にロウ材１２により取付けられている。ベース基板
２には表面に入出力用マイクロストリップ線路３とマイ
クロストリップ線路３に接続されたオープンスタブ４が
二組設けられている。また、裏面には結合孔６を有する
地導体５が設けられており、結合孔６は入出力用マイク
ロストリップ線路３とオープンスタブ４の接続部の真裏
に入出力用マイクロストリップ線路３の信号伝搬方向と
結合孔６の長手方向が直交するように位置する。副基板
７には表面に接続用マイクロストリップ線路８と接続用
マイクロストリップ線路８に接続されたオープンスタブ
４が設けられている。また、裏面には結合孔６を有する
地導体５が設けられている。ベース基板２と二枚の副基
板７はそれぞれの地導体５に設けられた結合孔６の部分
を合致させロウ材１２により地導体５どうしを貼り合わ
せている。高周波集積回路基板９は、表面に入出力端子
１０とバイアス端子１１が設けられている。また、裏面
には地導体５が設けられている。高周波集積回路基板９
は、二枚の副基板７の間に挟まれ地導体５がベース基板
２の地導体５にロウ材１２により貼り合わせている。バ
イアス用気密貫通端子１３は導体フレーム１の側面に隙
間なく埋め込まれている。また、接続用マイクロストリ
ップ線路８と入出力端子１０間およびバイアス端子１１
とバイアス用気密貫通端子１３間は導体ワイヤ１４によ
りボンディングされている。気密カバー１５は導体フレ
ーム１に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
【００２７】これにより、入出力用マイクロストリップ
線路３と接続用マイクロストリップ線路４は、オープン
スタブ４及び結合孔６の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路３から入力された高周波信号は結合孔６を介して接続
用マイクロストリップ線路８に伝搬され、導体ワイヤ１
４を通じて高周波集積回路基板９の入出力端子１０に入
力される。一方、高周波集積回路基板９の入出力端子１
０から出力された高周波信号は、導体ワイヤ１４を通じ
て接続用マイクロストリップ線路８に伝搬され、結合孔
６を介して入出力用マイクロストリップ線路３に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
線路３と接続用マイクロストリップ線路４は、オープン
スタブ４及び結合孔６の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路３から入力された高周波信号は結合孔６を介して接続
用マイクロストリップ線路８に伝搬され、導体ワイヤ１
４を通じて高周波集積回路基板９の入出力端子１０に入
力される。一方、高周波集積回路基板９の入出力端子１
０から出力された高周波信号は、導体ワイヤ１４を通じ
て接続用マイクロストリップ線路８に伝搬され、結合孔
６を介して入出力用マイクロストリップ線路３に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
【００２８】また、入出力用マイクロストリップ線路３
に接続されたコプレーナ線路中心導体１８、コプレーナ
線路中心導体１８の両側に設けられたコプレーナ線路地
導体１９及びコプレーナ線路地導体１９とベース基板２
の地導体５を接続するスルーホールによりマイクロスト
リップ−コプレーナ変換を行っている。このため、モジ
ュールどうしの入出力の接続においてコプレーナ線路中
心導体１８及びコプレーナ線路地導体１９どうしを接続
することによりコプレーナ線路のイタンフェースとなる
ため、モジュールどうしの接続部の高周波特性を更に改
善できる。
に接続されたコプレーナ線路中心導体１８、コプレーナ
線路中心導体１８の両側に設けられたコプレーナ線路地
導体１９及びコプレーナ線路地導体１９とベース基板２
の地導体５を接続するスルーホールによりマイクロスト
リップ−コプレーナ変換を行っている。このため、モジ
ュールどうしの入出力の接続においてコプレーナ線路中
心導体１８及びコプレーナ線路地導体１９どうしを接続
することによりコプレーナ線路のイタンフェースとなる
ため、モジュールどうしの接続部の高周波特性を更に改
善できる。
【００２９】実施例４ 図１０は上記実施例１においてモジュールどうしの接続
部高周波特性を改善するために、モジュール内でＥ面プ
ローブ型の導波管−マイクロストリップ変換を行うこと
により入出力のインタフェースを矩形導波管とした高周
波気密モジュールの平面図、図１１は図１０におけるＡ
４−Ａ４断面図、図１２は図１１におけるＢ４方向から
の透視図である。図において１は導体フレーム、２はベ
ース基板、３は入出力用マイクロストリップ線路、４は
オープンスタブ、５は地導体、６は結合孔、７は副基
板、８は接続用マイクロストリップ線路、９は高周波集
積回路基板、１０は入出力線路、１１はバイアス端子、
１２はロウ材、１３はバイアス用気密貫通端子、１４は
導体ワイヤ、１５は気密カバー、２０は入出力用矩形導
波管、２１は導波管−マイクロストリップ変換基板、２
２はプローブ用マイクロストリップ線路である。
部高周波特性を改善するために、モジュール内でＥ面プ
ローブ型の導波管−マイクロストリップ変換を行うこと
により入出力のインタフェースを矩形導波管とした高周
波気密モジュールの平面図、図１１は図１０におけるＡ
４−Ａ４断面図、図１２は図１１におけるＢ４方向から
の透視図である。図において１は導体フレーム、２はベ
ース基板、３は入出力用マイクロストリップ線路、４は
オープンスタブ、５は地導体、６は結合孔、７は副基
板、８は接続用マイクロストリップ線路、９は高周波集
積回路基板、１０は入出力線路、１１はバイアス端子、
１２はロウ材、１３はバイアス用気密貫通端子、１４は
導体ワイヤ、１５は気密カバー、２０は入出力用矩形導
波管、２１は導波管−マイクロストリップ変換基板、２
２はプローブ用マイクロストリップ線路である。
【００３０】この場合にも、ベース基板２は導体フレー
ム１にロウ材１２により取付けられている。ベース基板
２には表面に入出力用マイクロストリップ線路３とマイ
クロストリップ線路３に接続されたオープンスタブ４が
二組設けられている。また、裏面には結合孔６を有する
地導体５が設けられており、結合孔６は入出力用マイク
ロストリップ線路３とオープンスタブ４の接続部の真裏
に入出力用マイクロストリップ線路３の信号伝搬方向と
結合孔６の長手方向が直交するように位置する。副基板
７には表面に接続用マイクロストリップ線路８と接続用
マイクロストリップ線路８に接続されたオープンスタブ
４が設けられている。また、裏面には結合孔６を有する
地導体５が設けられている。ベース基板２と二枚の副基
板７はそれぞれの地導体５に設けられた結合孔６の部分
を合致させロウ材１２により地導体５どうしを貼り合わ
せている。高周波集積回路基板９は、表面に入出力端子
１０とバイアス端子１１が設けられている。また、裏面
には地導体５が設けられている。高周波集積回路基板９
は、二枚の副基板７の間に挟まれ地導体５がベース基板
２の地導体５にロウ材１２により貼り合わせている。バ
イアス用気密貫通端子１３は導体フレーム１の側面に隙
間なく埋め込まれている。また、接続用マイクロストリ
ップ線路８と入出力端子１０間およびバイアス端子１１
とバイアス用気密貫通端子１３間は導体ワイヤ１４によ
りボンディングされている。気密カバー１５は導体フレ
ーム１に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
ム１にロウ材１２により取付けられている。ベース基板
２には表面に入出力用マイクロストリップ線路３とマイ
クロストリップ線路３に接続されたオープンスタブ４が
二組設けられている。また、裏面には結合孔６を有する
地導体５が設けられており、結合孔６は入出力用マイク
ロストリップ線路３とオープンスタブ４の接続部の真裏
に入出力用マイクロストリップ線路３の信号伝搬方向と
結合孔６の長手方向が直交するように位置する。副基板
７には表面に接続用マイクロストリップ線路８と接続用
マイクロストリップ線路８に接続されたオープンスタブ
４が設けられている。また、裏面には結合孔６を有する
地導体５が設けられている。ベース基板２と二枚の副基
板７はそれぞれの地導体５に設けられた結合孔６の部分
を合致させロウ材１２により地導体５どうしを貼り合わ
せている。高周波集積回路基板９は、表面に入出力端子
１０とバイアス端子１１が設けられている。また、裏面
には地導体５が設けられている。高周波集積回路基板９
は、二枚の副基板７の間に挟まれ地導体５がベース基板
２の地導体５にロウ材１２により貼り合わせている。バ
イアス用気密貫通端子１３は導体フレーム１の側面に隙
間なく埋め込まれている。また、接続用マイクロストリ
ップ線路８と入出力端子１０間およびバイアス端子１１
とバイアス用気密貫通端子１３間は導体ワイヤ１４によ
りボンディングされている。気密カバー１５は導体フレ
ーム１に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
【００３１】これにより、入出力用マイクロストリップ
線路３と接続用マイクロストリップ線路４は、オープン
スタブ４及び結合孔６の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路３から入力された高周波信号は結合孔６を介して接続
用マイクロストリップ線路８に伝搬され、導体ワイヤ１
４を通じて高周波集積回路基板９の入出力端子１０に入
力される。一方、高周波集積回路基板９の入出力端子１
０から出力された高周波信号は、導体ワイヤ１４を通じ
て接続用マイクロストリップ線路８に伝搬され、結合孔
６を介して入出力用マイクロストリップ線路３に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
線路３と接続用マイクロストリップ線路４は、オープン
スタブ４及び結合孔６の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路３から入力された高周波信号は結合孔６を介して接続
用マイクロストリップ線路８に伝搬され、導体ワイヤ１
４を通じて高周波集積回路基板９の入出力端子１０に入
力される。一方、高周波集積回路基板９の入出力端子１
０から出力された高周波信号は、導体ワイヤ１４を通じ
て接続用マイクロストリップ線路８に伝搬され、結合孔
６を介して入出力用マイクロストリップ線路３に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
【００３２】また、入出力用マイクロストリップ線路３
に接続された導波管−マイクロストリップ変換基板２
１、プローブ用マイクロストリップ線路２２、入出力用
矩形導波管２０により導波管−マイクロストリップ変換
をおこなっている。このため、モジュールどうしの入出
力の接続において入出力用矩形導波管２０どうしを接続
することにより矩形導波管のインタフェースとなるた
め、モジュールどうしの接続部の高周波特性をよりいっ
そう改善できる。
に接続された導波管−マイクロストリップ変換基板２
１、プローブ用マイクロストリップ線路２２、入出力用
矩形導波管２０により導波管−マイクロストリップ変換
をおこなっている。このため、モジュールどうしの入出
力の接続において入出力用矩形導波管２０どうしを接続
することにより矩形導波管のインタフェースとなるた
め、モジュールどうしの接続部の高周波特性をよりいっ
そう改善できる。
【００３３】実施例５ 図１３は上記実施例１においてモジュールどうしの接続
部高周波特性を改善するために、モジュール内で導波管
インピーダンス変成器を用いた導波管−マイクロストリ
ップ変換を行うことにより入出力のインタフェースを矩
形導波管とした高周波気密モジュールの平面図、図１４
は図１３におけるＣ５視図、図１５は図１３におけるＡ
５−Ａ５断面図、図１６は図１５におけるＢ５方向から
の透視図である。図において１は導体フレーム、２はベ
ース基板、３は入出力用マイクロストリップ線路、４は
オープンスタブ、５は地導体、６は結合孔、７は副基
板、８は接続用マイクロストリップ線路、９は高周波集
積回路基板、１０は入出力線路、１１はバイアス端子、
１２はロウ材、１３はバイアス用気密貫通端子、１４は
導体ワイヤ、１５は気密カバー、２０は入出力用矩形導
波管、２３は導波管インピーダンス変成器である。
部高周波特性を改善するために、モジュール内で導波管
インピーダンス変成器を用いた導波管−マイクロストリ
ップ変換を行うことにより入出力のインタフェースを矩
形導波管とした高周波気密モジュールの平面図、図１４
は図１３におけるＣ５視図、図１５は図１３におけるＡ
５−Ａ５断面図、図１６は図１５におけるＢ５方向から
の透視図である。図において１は導体フレーム、２はベ
ース基板、３は入出力用マイクロストリップ線路、４は
オープンスタブ、５は地導体、６は結合孔、７は副基
板、８は接続用マイクロストリップ線路、９は高周波集
積回路基板、１０は入出力線路、１１はバイアス端子、
１２はロウ材、１３はバイアス用気密貫通端子、１４は
導体ワイヤ、１５は気密カバー、２０は入出力用矩形導
波管、２３は導波管インピーダンス変成器である。
【００３４】この場合にも、ベース基板２は導体フレー
ム１にロウ材１２により取付けられている。ベース基板
２には表面に入出力用マイクロストリップ線路３とマイ
クロストリップ線路３に接続されたオープンスタブ４が
二組設けられている。また、裏面には結合孔６を有する
地導体５が設けられており、結合孔６は入出力用マイク
ロストリップ線路３とオープンスタブ４の接続部の真裏
に入出力用マイクロストリップ線路３の信号伝搬方向と
結合孔６の長手方向が直交するように位置する。副基板
７には表面に接続用マイクロストリップ線路８と接続用
マイクロストリップ線路８に接続されたオープンスタブ
４が設けられている。また、裏面には結合孔６を有する
地導体５が設けられている。ベース基板２と二枚の副基
板７はそれぞれの地導体５に設けられた結合孔６の部分
を合致させロウ材１２により地導体５どうしを貼り合わ
せている。高周波集積回路基板９は、表面に入出力端子
１０とバイアス端子１１が設けられている。また、裏面
には地導体５が設けられている。高周波集積回路基板９
は、二枚の副基板７の間に挟まれ地導体５がベース基板
２の地導体５にロウ材１２により貼り合わせている。バ
イアス用気密貫通端子１３は導体フレーム１の側面に隙
間なく埋め込まれている。また、接続用マイクロストリ
ップ線路８と入出力端子１０間およびバイアス端子１１
とバイアス用気密貫通端子１３間は導体ワイヤ１４によ
りボンディングされている。気密カバー１５は導体フレ
ーム１に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
ム１にロウ材１２により取付けられている。ベース基板
２には表面に入出力用マイクロストリップ線路３とマイ
クロストリップ線路３に接続されたオープンスタブ４が
二組設けられている。また、裏面には結合孔６を有する
地導体５が設けられており、結合孔６は入出力用マイク
ロストリップ線路３とオープンスタブ４の接続部の真裏
に入出力用マイクロストリップ線路３の信号伝搬方向と
結合孔６の長手方向が直交するように位置する。副基板
７には表面に接続用マイクロストリップ線路８と接続用
マイクロストリップ線路８に接続されたオープンスタブ
４が設けられている。また、裏面には結合孔６を有する
地導体５が設けられている。ベース基板２と二枚の副基
板７はそれぞれの地導体５に設けられた結合孔６の部分
を合致させロウ材１２により地導体５どうしを貼り合わ
せている。高周波集積回路基板９は、表面に入出力端子
１０とバイアス端子１１が設けられている。また、裏面
には地導体５が設けられている。高周波集積回路基板９
は、二枚の副基板７の間に挟まれ地導体５がベース基板
２の地導体５にロウ材１２により貼り合わせている。バ
イアス用気密貫通端子１３は導体フレーム１の側面に隙
間なく埋め込まれている。また、接続用マイクロストリ
ップ線路８と入出力端子１０間およびバイアス端子１１
とバイアス用気密貫通端子１３間は導体ワイヤ１４によ
りボンディングされている。気密カバー１５は導体フレ
ーム１に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
【００３５】これにより、入出力用マイクロストリップ
線路３と接続用マイクロストリップ線路４は、オープン
スタブ４及び結合孔６の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路３から入力された高周波信号は結合孔６を介して接続
用マイクロストリップ線路８に伝搬され、導体ワイヤ１
４を通じて高周波集積回路基板９の入出力端子１０に入
力される。一方、高周波集積回路基板９の入出力端子１
０から出力された高周波信号は、導体ワイヤ１４を通じ
て接続用マイクロストリップ線路８に伝搬され、結合孔
６を介して入出力用マイクロストリップ線路３に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
線路３と接続用マイクロストリップ線路４は、オープン
スタブ４及び結合孔６の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路３から入力された高周波信号は結合孔６を介して接続
用マイクロストリップ線路８に伝搬され、導体ワイヤ１
４を通じて高周波集積回路基板９の入出力端子１０に入
力される。一方、高周波集積回路基板９の入出力端子１
０から出力された高周波信号は、導体ワイヤ１４を通じ
て接続用マイクロストリップ線路８に伝搬され、結合孔
６を介して入出力用マイクロストリップ線路３に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
【００３６】また、入出力用マイクロストリップ線路３
に接続された導波管インピーダンス変成器２３、入出力
用矩形導波管２０により広帯域な導波管−マイクロスト
リップ変換をおこなっている。このため、モジュールど
うしの入出力の接続において入出力用矩形導波管２０ど
うしを接続することにより矩形導波管のインタフェース
となるため、モジュールどうしの接続部の高周波特性を
広帯域によりよりいっそう改善できる。
に接続された導波管インピーダンス変成器２３、入出力
用矩形導波管２０により広帯域な導波管−マイクロスト
リップ変換をおこなっている。このため、モジュールど
うしの入出力の接続において入出力用矩形導波管２０ど
うしを接続することにより矩形導波管のインタフェース
となるため、モジュールどうしの接続部の高周波特性を
広帯域によりよりいっそう改善できる。
【００３７】
【発明の効果】以上のようにこの発明は、オープンスタ
ブにより先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地
導体どうしを接合しその地導体に設けた結合孔を介して
電磁結合により高周波信号を伝搬させることにより気密
モジュールを実現しているため、厚膜基板を用いたトリ
プレート型フィードスルーが不要になり入出力線路の伝
搬特性を改善でき、更に不要な直流成分を遮断すること
ができる。
ブにより先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地
導体どうしを接合しその地導体に設けた結合孔を介して
電磁結合により高周波信号を伝搬させることにより気密
モジュールを実現しているため、厚膜基板を用いたトリ
プレート型フィードスルーが不要になり入出力線路の伝
搬特性を改善でき、更に不要な直流成分を遮断すること
ができる。
【００３８】また、この発明は、オープンスタブにより
先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どう
しを接合しその地導体に設けた結合孔を介して電磁結合
により高周波信号を伝搬させることにより気密モジュー
ルを実現しているため、厚膜基板を用いたトリプレート
型フィードスルーが不要になり入出力線路の伝搬特性を
改善でき、更に不要な直流成分を遮断することができ
る。そして、入出力のインタフェースにおいて、入出力
マイクロストリップ線路の両側にスルーホールにより地
導体と導通がとられたグラウンド端子を設け、モジュー
ルどうしのグラウンドを接続できるようにしているた
め、モジュールどうしの接続部の高周波特性が改善でき
る。
先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どう
しを接合しその地導体に設けた結合孔を介して電磁結合
により高周波信号を伝搬させることにより気密モジュー
ルを実現しているため、厚膜基板を用いたトリプレート
型フィードスルーが不要になり入出力線路の伝搬特性を
改善でき、更に不要な直流成分を遮断することができ
る。そして、入出力のインタフェースにおいて、入出力
マイクロストリップ線路の両側にスルーホールにより地
導体と導通がとられたグラウンド端子を設け、モジュー
ルどうしのグラウンドを接続できるようにしているた
め、モジュールどうしの接続部の高周波特性が改善でき
る。
【００３９】この発明は、オープンスタブにより先端を
開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どうしを接
合し、その地導体に設けた結合孔を介して電磁結合によ
り高周波信号を伝搬させることにより気密モジュールを
実現しているため、厚膜基板を用いたトリプレート型フ
ィードスルーが不要になり、入出力線路の伝搬特性を改
善でき、更に不要な直流成分を遮断することができる。
そして、入出力のインタフェースをマイクロストリップ
線路からコプレーナ線路に変換して行っているため、モ
ジュールどうしの接続部の高周波特性が更に改善でき
る。
開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どうしを接
合し、その地導体に設けた結合孔を介して電磁結合によ
り高周波信号を伝搬させることにより気密モジュールを
実現しているため、厚膜基板を用いたトリプレート型フ
ィードスルーが不要になり、入出力線路の伝搬特性を改
善でき、更に不要な直流成分を遮断することができる。
そして、入出力のインタフェースをマイクロストリップ
線路からコプレーナ線路に変換して行っているため、モ
ジュールどうしの接続部の高周波特性が更に改善でき
る。
【００４０】また、この発明は、オープンスタブにより
先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どう
しを接合し、その地導体に設けた結合孔を介して電磁結
合により高周波信号を伝搬させることにより気密モジュ
ールを実現しているため、厚膜基板を用いたトリプレー
ト型フィードスルーが不要になり入出力線路の伝搬特性
を改善でき、更に不要な直流成分を遮断することができ
る。そして、入出力のインタフェースをマイクロストリ
ップ線路からＥ面プローブ型の導波管−マイクロストリ
ップ変換器により矩形導波管に変換して行っているた
め、モジュールどうしの接続部の高周波特性がよりいっ
そう改善できる。
先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どう
しを接合し、その地導体に設けた結合孔を介して電磁結
合により高周波信号を伝搬させることにより気密モジュ
ールを実現しているため、厚膜基板を用いたトリプレー
ト型フィードスルーが不要になり入出力線路の伝搬特性
を改善でき、更に不要な直流成分を遮断することができ
る。そして、入出力のインタフェースをマイクロストリ
ップ線路からＥ面プローブ型の導波管−マイクロストリ
ップ変換器により矩形導波管に変換して行っているた
め、モジュールどうしの接続部の高周波特性がよりいっ
そう改善できる。
【００４１】この発明は、オープンスタブにより先端を
開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どうしを接
合しその地導体に設けた結合孔を介して電磁結合により
高周波信号を伝搬させることにより気密モジュールを実
現しているため、厚膜基板を用いたトリプレート型フィ
ードスルーが不要になり入出力線路の伝搬特性を改善で
き、更に不要な直流成分を遮断することができる。そし
て、入出力のインタフェースをマイクロストリップ線路
から導波管インピーダンス変成器を用いた導波管−マイ
クロストリップ変換器により矩形導波管に変換して行っ
ているため、モジュールどうしの接続部の高周波特性が
広帯域によりいっそう改善できる。
開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どうしを接
合しその地導体に設けた結合孔を介して電磁結合により
高周波信号を伝搬させることにより気密モジュールを実
現しているため、厚膜基板を用いたトリプレート型フィ
ードスルーが不要になり入出力線路の伝搬特性を改善で
き、更に不要な直流成分を遮断することができる。そし
て、入出力のインタフェースをマイクロストリップ線路
から導波管インピーダンス変成器を用いた導波管−マイ
クロストリップ変換器により矩形導波管に変換して行っ
ているため、モジュールどうしの接続部の高周波特性が
広帯域によりいっそう改善できる。
【図１】この発明による高周波気密モジュールの実施例
１における平面図である。
１における平面図である。
【図２】この発明による高周波気密モジュールの実施例
１を示す図１におけるＡ１−Ａ１断面図である。
１を示す図１におけるＡ１−Ａ１断面図である。
【図３】この発明による高周波気密モジュールの実施例
１を示す図２におけるＢ１方向からの透視図である。
１を示す図２におけるＢ１方向からの透視図である。
【図４】この発明による高周波気密モジュールの実施例
２における平面図である。
２における平面図である。
【図５】この発明による高周波気密モジュールの実施例
２を示す図４におけるＡ２−Ａ２断面図である。
２を示す図４におけるＡ２−Ａ２断面図である。
【図６】この発明による高周波気密モジュールの実施例
２を示す図５におけるＢ２方向からの透視図である。
２を示す図５におけるＢ２方向からの透視図である。
【図７】この発明による高周波気密モジュールの実施例
３における平面図である。
３における平面図である。
【図８】この発明による高周波気密モジュールの実施例
３を示す図７におけるＡ３−Ａ３断面図である。
３を示す図７におけるＡ３−Ａ３断面図である。
【図９】この発明による高周波気密モジュールの実施例
３を示す図８におけるＢ３方向からの透視図である。
３を示す図８におけるＢ３方向からの透視図である。
【図１０】この発明による高周波気密モジュールの実施
例４における平面図である。
例４における平面図である。
【図１１】この発明による高周波気密モジュールの実施
例４を示す図１０におけるＡ４−Ａ４断面図である。
例４を示す図１０におけるＡ４−Ａ４断面図である。
【図１２】この発明による高周波気密モジュールの実施
例４を示す図１１におけるＢ４方向からの透視図であ
る。
例４を示す図１１におけるＢ４方向からの透視図であ
る。
【図１３】この発明による高周波気密モジュールの実施
例５における平面図である。
例５における平面図である。
【図１４】この発明による高周波気密モジュールの実施
例５を示す図１３におけるＣ５視図である。
例５を示す図１３におけるＣ５視図である。
【図１５】この発明による高周波気密モジュールの実施
例５を示す図１３におけるＡ５−Ａ５断面図である。
例５を示す図１３におけるＡ５−Ａ５断面図である。
【図１６】この発明による高周波気密モジュールの実施
例５を示す図１５におけるＢ５方向からの透視図であ
る。
例５を示す図１５におけるＢ５方向からの透視図であ
る。
【図１７】従来の高周波気密モジュールにおける平面透
視図である。
視図である。
【図１８】従来の高周波気密モジュールを示す図１７に
おけるＢ６視図である。
おけるＢ６視図である。
【図１９】従来の高周波気密モジュールを示す図１７に
おけるＡ６−Ａ６断面図である。
おけるＡ６−Ａ６断面図である。
１ 導体フレーム ２ ベース基板 ３ 入出力用マイクロストリップ線路 ４ オープンスタブ ５ 地導体 ６ 結合孔 ７ 副基板 ８ 接続用マイクロストリップ線路 ９ 高周波集積回路基板 １０ 入出力線路 １１ バイアス端子 １２ ロウ材 １３ バイアス用気密貫通端子 １４ 導体ワイヤ １５ 気密カバー １６ グラウンド端子 １７ スルーホール １８ コプレーナ線路中心導体 １９ コプレーナ線路地導体 ２０ 入出力用矩形導波管 ２１ 導波管−マイクロストリップ変換基板 ２２ プローブ用マイクロストリップ線路 ２３ 導波管インピーダンス変成器 ２４ 導体ベース ２５ 入出力用フィードスルー基板 ２６ 入出力用パターン ２７ 誘電体ブロック ２８ バイアス用フィードスルー基板 ２９ バイアス用パターン
Claims (5)
- 【請求項１】 導体フレームと、ベース基板と、上記ベ
ース基板の一方の面に形成された入出力用マイクロスト
リップ線路と、上記入出力用マイクロストリップ線路に
接続されたオープンスタブと、上記ベース基板の他の面
に形成された結合孔を有する地導体と、副基板と、上記
副基板の一方の面に形成された接続用マイクロストリッ
プ線路と上記接続用マイクロストリップ線路に接続され
たオープンスタブと、上記副基板の他の面に形成された
結合孔を有する地導体と、高周波集積回路基板と、上記
高周波集積回路基板の一方の面に設けられた入出力端子
と、上記高周波集積回路基板の上記入出力端子と同一面
に設けられたバイアス端子と、上記高周波集積回路基板
の他の面に形成された地導体と、上記導体フレームと上
記ベース基板の上記地導体を接合する接合材と、上記ベ
ース基板及び上記副基板の上記結合孔どうしの位置が合
うように上記地導体どうしを接合する接合材と、上記ベ
ース基板の上記地導体と上記高周波集積回路基板の上記
地導体を接合する接合材と、バイアス用気密貫通端子
と、上記高周波集積回路基板の上記入出力端子と上記副
基板の上記接続用マイクロストリップ線路を接続する導
体ワイヤと、上記高周波集積回路基板の上記バイアス端
子とバイアス用気密貫通端子を接続する導体ワイヤと、
上記導体フレームに固定された気密カバーとを具備した
ことを特徴とする高周波気密モジュール。 - 【請求項２】 導体フレームと、ベース基板と、上記ベ
ース基板の一方の面に形成された入出力用マイクロスト
リップ線路と、上記入出力用マイクロストリップ線路に
接続されたオープンスタブと、上記ベース基板の他の面
に形成された結合孔を有する地導体と、上記入出力用マ
イクロストリップ線路の両側に設けられたグラウンド端
子と、上記グラウンド端子と上記地導体を接続するスル
ーホールと、副基板と、上記副基板の一方の面に形成さ
れた接続用マイクロストリップ線路と、上記接続用マイ
クロストリップ線路に接続されたオープンスタブと、上
記副基板の他の面に形成された結合孔を有する地導体
と、高周波集積回路基板と、上記高周波集積回路基板の
一方の面に設けられた入出力端子と、上記高周波集積回
路基板の上記入出力端子と同一面に設けられたバイアス
端子と、上記高周波集積回路基板の他の面に形成された
地導体と、上記導体フレームと上記ベース基板の上記地
導体を接合する接合材と、上記ベース基板及び上記副基
板の上記結合孔どうしの位置が合うように上記地導体ど
うしを接合する接合材と、上記ベース基板の上記地導体
と上記高周波集積回路基板の上記地導体を接合する接合
材と、バイアス用気密貫通端子と、上記高周波集積回路
基板の上記入出力端子と上記副基板の上記接続用マイク
ロストリップ線路を接続する導体ワイヤと、上記高周波
集積回路基板の上記バイアス端子とバイアス用気密貫通
端子を接続する導体ワイヤと、上記導体フレームに固定
された気密カバーとを具備したことを特徴とする高周波
気密モジュール。 - 【請求項３】 導体フレームと、ベース基板と、上記ベ
ース基板の一方の面に形成された入出力用マイクロスト
リップ線路と、上記入出力用マイクロストリップ線路に
接続されたオープンスタブと、上記ベース基板の他の面
に形成された結合孔を有する地導体と、上記入出力用マ
イクロストリップ線路に接続されたコプレーナ線路中心
導体と、上記コプレーナ線路中心導体の両側に設けられ
たコプレーナ線路地導体と、上記コプレーナ線路地導体
と上記地導体を接続するスルーホールと、副基板と、上
記副基板の一方の面に形成された接続用マイクロストリ
ップ線路と、上記接続用マイクロストリップ線路に接続
されたオープンスタブと、上記副基板の他の面に形成さ
れた結合孔を有する地導体と、高周波集積回路基板と、
上記高周波集積回路基板の一方の面に設けられた入出力
端子と、上記高周波集積回路基板の上記入出力端子と同
一面に設けられたバイアス端子と、上記高周波集積回路
基板の他の面に形成された地導体と、上記導体フレーム
と上記ベース基板の上記地導体を接合する接合材と、上
記ベース基板及び上記副基板の上記結合孔どうしの位置
が合うように上記地導体どうしを接合する接合材と、上
記ベース基板の上記地導体と上記高周波集積回路基板の
上記地導体を接合する接合材と、バイアス用気密貫通端
子と、上記高周波集積回路基板の上記入出力端子と上記
副基板の上記接続用マイクロストリップ線路を接続する
導体ワイヤと、上記高周波集積回路基板の上記バイアス
端子とバイアス用気密貫通端子を接続する導体ワイヤ
と、上記導体フレームに固定された気密カバーとを具備
したことを特徴とする高周波気密モジュール。 - 【請求項４】 導体フレームと、上記導体フレームに設
けられた入出力用矩形導波管と、ベース基板と、上記ベ
ース基板の一方の面に形成された入出力用マイクロスト
リップ線路と、上記入出力用マイクロストリップ線路に
接続されたオープンスタブと、上記ベース基板の他の面
に形成された結合孔を有する地導体と、導波管−マイク
ロストリップ変換基板と、上記導波管−マイクロストリ
ップ変換基板の一方の面に形成されたマイクロストリッ
プ線路と、上記導波管−マイクロストリップ変換基板の
他の面に形成された地導体と、副基板と、上記副基板の
一方の面に形成された接続用マイクロストリップ線路
と、上記接続用マイクロストリップ線路に接続されたオ
ープンスタブと、上記副基板の他の面に形成された結合
孔を有する地導体と、高周波集積回路基板と、上記高周
波集積回路基板の一方の面に設けられた入出力端子と、
上記高周波集積回路基板の上記入出力端子と同一面に設
けられたバイアス端子と、上記高周波集積回路基板の他
の面に形成された地導体と、上記導体フレームと上記ベ
ース基板及び上記導波管−マイクロストリップ変換基板
の上記地導体を接合する接合材と、上記ベース基板及び
上記副基板の上記結合孔どうしの位置が合うように上記
地導体どうしを接合する接合材と、上記ベース基板の上
記地導体と上記高周波集積回路基板の上記地導体を接合
する接合材と、バイアス用気密貫通端子と、上記導波管
−マイクロストリップ変換基板の上記マイクロストリッ
プ線路と上記ベース基板の上記入出力用マイクロストリ
ップ線路を接続する導体ワイヤと、上記高周波集積回路
基板の上記入出力端子と上記副基板の上記接続用マイク
ロストリップ線路を接続する導体ワイヤと、上記高周波
集積回路基板の上記バイアス端子とバイアス用気密貫通
端子を接続する導体ワイヤと、上記導体フレームに固定
された気密カバーとを具備したことを特徴とする高周波
気密モジュール。 - 【請求項５】 導体フレームと、上記導体ブロックに設
けられた入出力用矩形導波管と、上記導体ブロックに設
けられた導波管インピーダンス変成器と、ベース基板
と、上記ベース基板の一方の面に形成された入出力用マ
イクロストリップ線路と、上記入出力用マイクロストリ
ップ線路に接続されたオープンスタブと、上記ベース基
板の他の面に形成された結合孔を有する地導体と、副基
板と、上記副基板の一方の面に形成された接続用マイク
ロストリップ線路と、上記接続用マイクロストリップ線
路に接続されたオープンスタブと、上記副基板の他の面
に形成された結合孔を有する地導体と、高周波集積回路
基板と、上記高周波集積回路基板の一方の面に設けられ
た入出力端子と、上記高周波集積回路基板の上記入出力
端子と同一面に設けられたバイアス端子と、上記高周波
集積回路基板の他の面に形成された地導体と、上記導体
フレームと上記ベース基板の上記地導体を接合する接合
材と、上記ベース基板及び上記副基板の上記結合孔どう
しの位置が合うように上記地導体どうしを接合する接合
材と、上記ベース基板の上記地導体と上記高周波集積回
路基板の上記地導体を接合する接合材と、バイアス用気
密貫通端子と、上記導波管インピーダンス変成器と上記
ベース基板の上記入出力用マイクロストリップ線路を接
続する導体ワイヤと、上記高周波集積回路基板の上記入
出力端子と上記副基板の上記接続用マイクロストリップ
線路を接続する導体ワイヤと、上記高周波集積回路基板
の上記バイアス端子とバイアス用気密貫通端子を接続す
る導体ワイヤと、上記導体フレームに固定された気密カ
バーとを具備したことを特徴とする高周波気密モジュー
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05415895A JP3155901B2 (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | 高周波基板装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05415895A JP3155901B2 (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | 高周波基板装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250911A true JPH08250911A (ja) | 1996-09-27 |
| JP3155901B2 JP3155901B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=12962748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05415895A Expired - Lifetime JP3155901B2 (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | 高周波基板装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3155901B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10303613A (ja) * | 1997-04-25 | 1998-11-13 | Kyocera Corp | 高周波用パッケージ及びその接続構造 |
| JPH11163185A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Kyocera Corp | 高周波半導体素子用パッケージ |
| JPH11312760A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Kyocera Corp | 高周波用配線基板 |
| JP2001028413A (ja) * | 1996-02-29 | 2001-01-30 | Kyocera Corp | 高周波用パッケージ |
| JP2003037420A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Hitachi Ltd | 高周波送受信装置 |
| US6535090B1 (en) | 2000-06-07 | 2003-03-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Compact high-frequency circuit device |
| RU2607507C2 (ru) * | 2015-06-18 | 2017-01-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" (МАИ) | Способ ремонта сваркой тонкостенных деталей авиационной техники |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8957325B2 (en) | 2013-01-15 | 2015-02-17 | Fujitsu Limited | Optimized via cutouts with ground references |
-
1995
- 1995-03-14 JP JP05415895A patent/JP3155901B2/ja not_active Expired - Lifetime
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