JPH09172303A - マイクロストリップ線路の結合構造 - Google Patents
マイクロストリップ線路の結合構造Info
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- JPH09172303A JPH09172303A JP7333359A JP33335995A JPH09172303A JP H09172303 A JPH09172303 A JP H09172303A JP 7333359 A JP7333359 A JP 7333359A JP 33335995 A JP33335995 A JP 33335995A JP H09172303 A JPH09172303 A JP H09172303A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来のマイクロストリップ線路の結合構造で
は、低周波または高周波のいずれかにおいて伝送損失が
大きくなるという問題があった。 【解決手段】導体層からなるグランド層１と、グランド
層１の一方の面に第１の誘電体層２を介して形成された
第１のストリップ導体路３と、グランド層１の他方の面
に第２の誘電体層５を介して形成された第２のストリッ
プ導体路６とを具備し、グランド層１に第１の孔部１０
を形成するとともに、孔部１０を挟む対向位置にストリ
ップ導体路３、６とが平面的に重なるように配置すると
ともに、ストリップ導体３とストリップ導体６とを、誘
電体層２、孔部１０内および誘電体層５を貫通する導体
線１１により電気的に接続する。
は、低周波または高周波のいずれかにおいて伝送損失が
大きくなるという問題があった。 【解決手段】導体層からなるグランド層１と、グランド
層１の一方の面に第１の誘電体層２を介して形成された
第１のストリップ導体路３と、グランド層１の他方の面
に第２の誘電体層５を介して形成された第２のストリッ
プ導体路６とを具備し、グランド層１に第１の孔部１０
を形成するとともに、孔部１０を挟む対向位置にストリ
ップ導体路３、６とが平面的に重なるように配置すると
ともに、ストリップ導体３とストリップ導体６とを、誘
電体層２、孔部１０内および誘電体層５を貫通する導体
線１１により電気的に接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路基板に
おけるマイクロストリップ線路間の結合構造に関するも
のである。
おけるマイクロストリップ線路間の結合構造に関するも
のである。
【０００２】
【従来技術】従来より、高周波回路基板において、信号
を伝送するための線路として、マイクロソトリップ線路
が知られている。また、マイクロストリップ線路間を接
続する技術は、回路基板の回路設計上、重要なものとな
っている。
を伝送するための線路として、マイクロソトリップ線路
が知られている。また、マイクロストリップ線路間を接
続する技術は、回路基板の回路設計上、重要なものとな
っている。
【０００３】従来からのマイクロストリップ線路間を接
続する方法について図５〜図８をもとに説明する。図
５，６において、導体層からなるグランド層（地導体層
または接地層ともいう。）２１と、グランド層２１の一
方の面に誘電体層２２を介して形成された第１のストリ
ップ導体路２３からなる第１のマイクロストリップ線路
２４が形成されている。一方、グランド層２１の反対の
面には、グランド層２１の他方の面に形成された誘電体
層２５を介して形成された第２のストリップ導体路２６
からなる第２のマイクロストリップ線路２７が形成され
ている。
続する方法について図５〜図８をもとに説明する。図
５，６において、導体層からなるグランド層（地導体層
または接地層ともいう。）２１と、グランド層２１の一
方の面に誘電体層２２を介して形成された第１のストリ
ップ導体路２３からなる第１のマイクロストリップ線路
２４が形成されている。一方、グランド層２１の反対の
面には、グランド層２１の他方の面に形成された誘電体
層２５を介して形成された第２のストリップ導体路２６
からなる第２のマイクロストリップ線路２７が形成され
ている。
【０００４】そして、第１のマイクロストリップ線路２
４と、第２のマイクロストリップ線路２７を接続する方
法として、図５によれば、グランド層２１に孔部２８が
形成されており、この孔部２８を貫通する導体路２９に
よって、第１のストリップ導体路２３と、第２のストリ
ップ導体路２６とが電気的に接続されている。
４と、第２のマイクロストリップ線路２７を接続する方
法として、図５によれば、グランド層２１に孔部２８が
形成されており、この孔部２８を貫通する導体路２９に
よって、第１のストリップ導体路２３と、第２のストリ
ップ導体路２６とが電気的に接続されている。
【０００５】一方、他の接続方法として、図６によれ
ば、第１のストリップ導体路２３および第２のストリッ
プ導体路２６はいずれも開放された終端部３０、３１を
有するものであり、グランド層２１に長孔（スロット）
３２が形成されており、このスロット３２を挟むように
第１のストリップ導体路２３と第２のストリップ導体路
２６が信号波長の１／２波長の長さで平面的に重なるよ
うに配置することにより、スロット３２を介して電磁結
合により接続されている。この時、スロット３２は、１
／２波長の長さをもち、導体路２３、２６に対して、平
面上、直角になるように形成される。
ば、第１のストリップ導体路２３および第２のストリッ
プ導体路２６はいずれも開放された終端部３０、３１を
有するものであり、グランド層２１に長孔（スロット）
３２が形成されており、このスロット３２を挟むように
第１のストリップ導体路２３と第２のストリップ導体路
２６が信号波長の１／２波長の長さで平面的に重なるよ
うに配置することにより、スロット３２を介して電磁結
合により接続されている。この時、スロット３２は、１
／２波長の長さをもち、導体路２３、２６に対して、平
面上、直角になるように形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
５の方法によれば、直流電流は損失無く透過するもの
の、図７の透過係数の周波数特性図から明らかなよう
に、信号の周波数が高くなるに従い損失が著しく増大す
るという問題があった。
５の方法によれば、直流電流は損失無く透過するもの
の、図７の透過係数の周波数特性図から明らかなよう
に、信号の周波数が高くなるに従い損失が著しく増大す
るという問題があった。
【０００７】また、図６のように電磁結合による方法で
は、図８から明らかなように、高周波領域では損失は小
さいが、低周波数の領域において損失が著しく大きくな
るという問題があった。
は、図８から明らかなように、高周波領域では損失は小
さいが、低周波数の領域において損失が著しく大きくな
るという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、上記の問
題点に対して検討を重ねた結果、マイクロストリップ線
路間の接続を電磁結合させると同時に、導体線によって
ストリップ導体路間を接続することにより、接続間で低
周波から高周波領域まで損失のない良好な特性が得られ
ることを知見に本発明に至った。
題点に対して検討を重ねた結果、マイクロストリップ線
路間の接続を電磁結合させると同時に、導体線によって
ストリップ導体路間を接続することにより、接続間で低
周波から高周波領域まで損失のない良好な特性が得られ
ることを知見に本発明に至った。
【０００９】即ち、本発明のマイクロストリップ線路の
結合構造は、導体層からなるグランド層と、該グランド
層の一方の面に第１の誘電体層を介して形成された第１
のストリップ導体路と、該グランド層の他方の面に第２
の誘電体層を介して形成された第２のストリップ導体路
とを具備し、該グランド層に第１の孔部を形成し、該第
１の孔部を挟むように前記第１のストリップ導体路と前
記第２のストリップ導体路が平面的に重なるように配置
するとともに、第１のストリップ導体と第２のストリッ
プ導体とを、第１の孔部内を通ずる導体線により電気的
に接続したことことを特徴とするものである。
結合構造は、導体層からなるグランド層と、該グランド
層の一方の面に第１の誘電体層を介して形成された第１
のストリップ導体路と、該グランド層の他方の面に第２
の誘電体層を介して形成された第２のストリップ導体路
とを具備し、該グランド層に第１の孔部を形成し、該第
１の孔部を挟むように前記第１のストリップ導体路と前
記第２のストリップ導体路が平面的に重なるように配置
するとともに、第１のストリップ導体と第２のストリッ
プ導体とを、第１の孔部内を通ずる導体線により電気的
に接続したことことを特徴とするものである。
【００１０】また、本発明の他の結合構造は、導体層か
らなるグランド層と、該グランド層の一方の面に第１の
誘電体層を介して形成された第１のストリップ導体路
と、該グランド層の他方の面に第２の誘電体層を介して
形成された第２のストリップ導体路とを具備し、該グラ
ンド層に第１の孔部と、第２の孔部を形成し、該第１の
孔部を挟む対向位置に前記第１のストリップ導体路と前
記第２のストリップ導体路とが平面的に重なるように配
置するとともに、第１のストリップ導体の端部と第２の
ストリップ導体とを、第２の孔部内を通ずる導体線によ
り電気的に接続したことを特徴とするものである。
らなるグランド層と、該グランド層の一方の面に第１の
誘電体層を介して形成された第１のストリップ導体路
と、該グランド層の他方の面に第２の誘電体層を介して
形成された第２のストリップ導体路とを具備し、該グラ
ンド層に第１の孔部と、第２の孔部を形成し、該第１の
孔部を挟む対向位置に前記第１のストリップ導体路と前
記第２のストリップ導体路とが平面的に重なるように配
置するとともに、第１のストリップ導体の端部と第２の
ストリップ導体とを、第２の孔部内を通ずる導体線によ
り電気的に接続したことを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】本発明の結合構造によれば、低周波の信号は信
号導体路間に接続された導体線を経由して直流電流のよ
うに透過することができる。高周波の信号は、マイクロ
ストリップ線路とグランド層のスロット間での電磁結合
により、高周波数の信号を伝送することができる。この
時、本発明の構造によれば、信号導体路の先端から引き
出した導体線はこの高周波数の信号の透過に悪影響を与
えないように置かれるとき、低周波と高周波の両領域に
おいて信号を透過することができる。
号導体路間に接続された導体線を経由して直流電流のよ
うに透過することができる。高周波の信号は、マイクロ
ストリップ線路とグランド層のスロット間での電磁結合
により、高周波数の信号を伝送することができる。この
時、本発明の構造によれば、信号導体路の先端から引き
出した導体線はこの高周波数の信号の透過に悪影響を与
えないように置かれるとき、低周波と高周波の両領域に
おいて信号を透過することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の結合構造を図１乃至図４
をもとに説明する。
をもとに説明する。
【００１３】図１は、本発明の結合構造の概略配置図で
ある。図１によれば、導体層からなるグランド層１が全
面に形成され、グランド層１の一方の面には第１の誘電
体層２を介して第１のストリップ導体路３が形成され、
これらにより第１のマイクロストリップ線路４が形成さ
れている。このマイクロストリップ線路においては、グ
ランド層１とストリップ導体路３との電磁結合により、
信号が伝送される。
ある。図１によれば、導体層からなるグランド層１が全
面に形成され、グランド層１の一方の面には第１の誘電
体層２を介して第１のストリップ導体路３が形成され、
これらにより第１のマイクロストリップ線路４が形成さ
れている。このマイクロストリップ線路においては、グ
ランド層１とストリップ導体路３との電磁結合により、
信号が伝送される。
【００１４】一方、グランド層１の他方の面には、第２
の誘電体層５を介して第２のストリップ導体路６が形成
され、これらにより第２のマイクロストリップ線路７が
形成されている。
の誘電体層５を介して第２のストリップ導体路６が形成
され、これらにより第２のマイクロストリップ線路７が
形成されている。
【００１５】そして、第１のマイクロストリップ線路４
と第２のマイクロストリップ線路７との結合構造とし
て、図１によれば、第１のストリップ導体路３および第
２のストリップ導体路６は、いずれも開放端８、９を有
しており、これらは、平面的にみて重なるように配置さ
れている。この重なりは、望ましくは伝送信号の１／２
波長の長さで重なるように配置される。
と第２のマイクロストリップ線路７との結合構造とし
て、図１によれば、第１のストリップ導体路３および第
２のストリップ導体路６は、いずれも開放端８、９を有
しており、これらは、平面的にみて重なるように配置さ
れている。この重なりは、望ましくは伝送信号の１／２
波長の長さで重なるように配置される。
【００１６】また、グランド層１には、一端が長い長孔
（スロット）からなる第１の孔部１０が形成されてい
る。この第１の孔部１０は、第１のストリップ導体路３
および第２のストリップ導体路６の重なる部分における
中間位置に形成されている。従って、第１のストリップ
導体路３および第２のストリップ導体路６が伝送信号の
１／２波長の長さで重なるように配置される場合、孔部
１０から第１のストリップ導体路３および第２のストリ
ップ導体路６の開放端８、９までの長さは信号波長の１
／４波長の長さになる。また、この長孔の幅は、ストリ
ップ導体路３、６とほぼ同一の幅からなり、その長さは
信号波長の１／２波長の長さに設定されることが望まし
い。
（スロット）からなる第１の孔部１０が形成されてい
る。この第１の孔部１０は、第１のストリップ導体路３
および第２のストリップ導体路６の重なる部分における
中間位置に形成されている。従って、第１のストリップ
導体路３および第２のストリップ導体路６が伝送信号の
１／２波長の長さで重なるように配置される場合、孔部
１０から第１のストリップ導体路３および第２のストリ
ップ導体路６の開放端８、９までの長さは信号波長の１
／４波長の長さになる。また、この長孔の幅は、ストリ
ップ導体路３、６とほぼ同一の幅からなり、その長さは
信号波長の１／２波長の長さに設定されることが望まし
い。
【００１７】そして、第１のストリップ導体路３および
第２のストリップ導体路６は、第１の誘電体層２と、孔
部１０内と、第２の誘電体層５とを貫通する導体線１１
により接続されている。この導体線１１は、グランド層
１とは電気的には接続されていない。
第２のストリップ導体路６は、第１の誘電体層２と、孔
部１０内と、第２の誘電体層５とを貫通する導体線１１
により接続されている。この導体線１１は、グランド層
１とは電気的には接続されていない。
【００１８】かかる図１の構造によれば、例えば、スト
リップ導体路３から入力された信号が低周波の場合は、
ストリップ導体路３、６間に接続された導体線１１を経
由して直流電流のように透過し、ストリップ導体路６に
伝送される。また、高周波の信号の場合は、孔部１０を
挟むストリップ導体路３、６間の電磁結合により、スト
リップ導体路６に信号が伝送されることになる。
リップ導体路３から入力された信号が低周波の場合は、
ストリップ導体路３、６間に接続された導体線１１を経
由して直流電流のように透過し、ストリップ導体路６に
伝送される。また、高周波の信号の場合は、孔部１０を
挟むストリップ導体路３、６間の電磁結合により、スト
リップ導体路６に信号が伝送されることになる。
【００１９】次に、図２は、本発明の他の結合構造の概
略図である。図２によれば、グランド層１には、図１で
説明したように第１の孔部１０と、第２の孔部１２が形
成されている。そして、ストリップ導体路路３の端部７
と、ストリップ導体路路６とが、第１の誘電体層２と、
孔部１２内と、第２の誘電体層５とを貫通する導体線１
１により接続されている。なお、孔部１２の形状は、導
体線１１がグランド層１と電気的には接続されないレベ
ルであればいかなる形状でもよい。
略図である。図２によれば、グランド層１には、図１で
説明したように第１の孔部１０と、第２の孔部１２が形
成されている。そして、ストリップ導体路路３の端部７
と、ストリップ導体路路６とが、第１の誘電体層２と、
孔部１２内と、第２の誘電体層５とを貫通する導体線１
１により接続されている。なお、孔部１２の形状は、導
体線１１がグランド層１と電気的には接続されないレベ
ルであればいかなる形状でもよい。
【００２０】図２の構造によれば、例えば、ストリップ
導体路３から入力された信号が低周波の場合は、ストリ
ップ導体路３、６間に接続された導体線１１を経由して
ストリップ導体路６に伝送される。また、高周波の信号
の場合は、孔部１０を挟むストリップ導体路３、６間の
電磁結合により、ストリップ導体路６に信号が伝送され
ることになる。
導体路３から入力された信号が低周波の場合は、ストリ
ップ導体路３、６間に接続された導体線１１を経由して
ストリップ導体路６に伝送される。また、高周波の信号
の場合は、孔部１０を挟むストリップ導体路３、６間の
電磁結合により、ストリップ導体路６に信号が伝送され
ることになる。
【００２１】上述した図１および図２の結合構造におい
て、第１の孔部１０の形状は上記の形状に限定するもの
ではなく、特に長辺の長さや幅は、電磁結合による線路
の接続特性を阻害しない範囲であれば、他の形状であっ
ても何ら問題はない。
て、第１の孔部１０の形状は上記の形状に限定するもの
ではなく、特に長辺の長さや幅は、電磁結合による線路
の接続特性を阻害しない範囲であれば、他の形状であっ
ても何ら問題はない。
【００２２】上記の結合構造において、誘電体層として
は、とりわけ限定するものではないが、例えば、アルミ
ナ系、窒化アルミニウム系、ガラスセラミックス系焼結
体など周知の材料により形成される。
は、とりわけ限定するものではないが、例えば、アルミ
ナ系、窒化アルミニウム系、ガラスセラミックス系焼結
体など周知の材料により形成される。
【００２３】また、ストリップ導体路、グランド層は、
いずれも公知の多層化技術により形成されるもので、例
えば、誘電体層に対するメタライズにより形成するか、
または誘電体層成形体にメタライズペーストを塗布した
後、同時焼成することによっても形成できる。なお、導
体層はＷ，Ｍｏ，Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ等の導体により形成
できるが、高周波領域までの信号の伝送特性の点からは
良電気伝導性に優れたＣｕ、Ａｇ、Ａｕなどが好適に使
用される。
いずれも公知の多層化技術により形成されるもので、例
えば、誘電体層に対するメタライズにより形成するか、
または誘電体層成形体にメタライズペーストを塗布した
後、同時焼成することによっても形成できる。なお、導
体層はＷ，Ｍｏ，Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ等の導体により形成
できるが、高周波領域までの信号の伝送特性の点からは
良電気伝導性に優れたＣｕ、Ａｇ、Ａｕなどが好適に使
用される。
【００２４】また、導体線１１は、上記導体層と同様な
メタライズ法によりスルーホールを形成してメタライズ
を充填することにより形成できる他、金属線を埋設して
形成することも可能である。
メタライズ法によりスルーホールを形成してメタライズ
を充填することにより形成できる他、金属線を埋設して
形成することも可能である。
【００２５】次に、上記の結合構造の伝送特性について
調べた。誘電体層として誘電率３．６７のガラスセラミ
ックス基板を用いて、Ｃｕメタライズ法により図１およ
び図２に示すような回路を形成した。なお、ストリップ
導体路の線幅は１．８５ｍｍ、第１の孔部（スロット）
の長辺は７．８３ｍｍ、短辺は１．５５ｍｍとし、スト
リップ導体路３、６の重なる長さを７．９２ｍｍとし、
スロットは、重なる部分の中間位置に形成した。なお、
導体線径は０．６ｍｍとした。
調べた。誘電体層として誘電率３．６７のガラスセラミ
ックス基板を用いて、Ｃｕメタライズ法により図１およ
び図２に示すような回路を形成した。なお、ストリップ
導体路の線幅は１．８５ｍｍ、第１の孔部（スロット）
の長辺は７．８３ｍｍ、短辺は１．５５ｍｍとし、スト
リップ導体路３、６の重なる長さを７．９２ｍｍとし、
スロットは、重なる部分の中間位置に形成した。なお、
導体線径は０．６ｍｍとした。
【００２６】各基板に対して、ストリップ導体路３から
信号を入力し、ストリップ導体路６から出力される信号
の強さを測定し、入力信号強度に対する出力信号強度の
比率（透過係数）と、２８ＧＨｚまでの信号の周波数と
の関係を調べた。その結果を図３および図４に示した。
なお、従来例である図７および図８の回路を形成し、同
様に伝送特性を評価した。
信号を入力し、ストリップ導体路６から出力される信号
の強さを測定し、入力信号強度に対する出力信号強度の
比率（透過係数）と、２８ＧＨｚまでの信号の周波数と
の関係を調べた。その結果を図３および図４に示した。
なお、従来例である図７および図８の回路を形成し、同
様に伝送特性を評価した。
【００２７】図７乃至図８の結果によれば、従来例で
は、低周波または高周波のいずれかで損失が大きくなっ
ているのに対して、本発明に基づく図３および図４で
は、低周波から高周波まで伝送損失の小さいものであっ
た。とりわけ、図４については、その伝送損失が小さく
良好な伝送特性を示した。
は、低周波または高周波のいずれかで損失が大きくなっ
ているのに対して、本発明に基づく図３および図４で
は、低周波から高周波まで伝送損失の小さいものであっ
た。とりわけ、図４については、その伝送損失が小さく
良好な伝送特性を示した。
【００２８】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のマイクロス
トリップ線路の結合構造によれば、低周波から高周波ま
で伝送損失の小さい結合が可能となる。これにより、回
路の信頼性と回路設計の自由度を高めることができる。
トリップ線路の結合構造によれば、低周波から高周波ま
で伝送損失の小さい結合が可能となる。これにより、回
路の信頼性と回路設計の自由度を高めることができる。
【図１】本発明のマイクロストリップ線路の結合構造の
一実施例を示す概略配置図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は断面図である。
一実施例を示す概略配置図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は断面図である。
【図２】本発明のマイクロストリップ線路の結合構造の
他の実施例を示す概略配置図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は断面図である。
他の実施例を示す概略配置図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は断面図である。
【図３】図１のマイクロストリップ線路の結合構造にお
ける透過係数と伝送周波数との関係を示す図である。
ける透過係数と伝送周波数との関係を示す図である。
【図４】図２のマイクロストリップ線路の結合構造にお
ける透過係数と伝送周波数との関係を示す図である。
ける透過係数と伝送周波数との関係を示す図である。
【図５】従来のマイクロストリップ線路の結合構造の概
略配置図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図であ
る。
略配置図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図であ
る。
【図６】従来のマイクロストリップ線路の他の結合構造
の概略配置図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図
である。
の概略配置図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図
である。
【図７】図５のマイクロストリップ線路の結合構造にお
ける透過係数と伝送周波数との関係を示す図である。
ける透過係数と伝送周波数との関係を示す図である。
【図８】図６のマイクロストリップ線路の結合構造にお
ける透過係数と伝送周波数との関係を示す図である。
ける透過係数と伝送周波数との関係を示す図である。
１ グランド層 ２ 第１の誘電体層 ３ 第１のストリップ導体路 ４ 第１のマイクロストリップ線路 ５ 第２の誘電体層 ６ 第２のストリップ導体路 ７ 第２のマイクロストリップ線路 ８，９ 開放端 １０ 第１の孔部 １１ 導体線 １２ 第２の孔部
Claims (2)
- 【請求項１】導体層からなるグランド層と、該グランド
層の一方の面に第１の誘電体層を介して形成された第１
のストリップ導体路と、該グランド層の他方の面に第２
の誘電体層を介して形成された第２のストリップ導体路
とを具備し、該グランド層に第１の孔部を形成し、該第
１の孔部を挟むように前記第１のストリップ導体路と前
記第２のストリップ導体路とが平面的に重なるように配
置するとともに、第１のストリップ導体と第２のストリ
ップ導体とを、前記第１の誘電体層、第１の孔部内およ
び第２の誘電体層を貫通する導体線により電気的に接続
したことことを特徴とするマイクロストリップ線路の結
合構造。 - 【請求項２】導体層からなるグランド層と、該グランド
層の一方の面に第１の誘電体層を介して形成された第１
のストリップ導体路と、該グランド層の他方の面に第２
の誘電体層を介して形成された第２のストリップ導体路
とを具備し、該グランド層に第１の孔部と、第２の孔部
を形成し、該第１の孔部を挟む対向位置に前記第１のス
トリップ導体路と前記第２のストリップ導体路とが平面
的に重なるように配置するとともに、第１のストリップ
導体の端部と第２のストリップ導体とを、前記第１の誘
電体層、第１の孔部内および第２の誘電体層を貫通する
導体線により電気的に接続したことを特徴とするマイク
ロストリップ線路の結合構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33335995A JP3158031B2 (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | マイクロストリップ線路の結合構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33335995A JP3158031B2 (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | マイクロストリップ線路の結合構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09172303A true JPH09172303A (ja) | 1997-06-30 |
| JP3158031B2 JP3158031B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=18265236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33335995A Expired - Fee Related JP3158031B2 (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | マイクロストリップ線路の結合構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3158031B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007043643A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-02-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 伝送線路層間接続構造 |
| US7193490B2 (en) | 2003-04-11 | 2007-03-20 | Tdk Corporation | High frequency transmission line and high frequency board |
| US7259642B2 (en) | 2002-06-13 | 2007-08-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna control unit and phased-array antenna |
| JP2009153071A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Toyota Central R&D Labs Inc | ２つのマイクロストリップ線路の接続構造及び筐体を用いた集積回路チップの実装基板への実装構造 |
| JP2019096929A (ja) * | 2017-11-17 | 2019-06-20 | 株式会社Ｓｏｋｅｎ | 高周波伝送線路 |
-
1995
- 1995-12-21 JP JP33335995A patent/JP3158031B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7259642B2 (en) | 2002-06-13 | 2007-08-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna control unit and phased-array antenna |
| US7193490B2 (en) | 2003-04-11 | 2007-03-20 | Tdk Corporation | High frequency transmission line and high frequency board |
| JP2007043643A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-02-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 伝送線路層間接続構造 |
| JP2009153071A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Toyota Central R&D Labs Inc | ２つのマイクロストリップ線路の接続構造及び筐体を用いた集積回路チップの実装基板への実装構造 |
| JP4737192B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2011-07-27 | トヨタ自動車株式会社 | ２つのマイクロストリップ線路の接続構造及び筐体を用いた集積回路チップの実装基板への実装構造 |
| JP2019096929A (ja) * | 2017-11-17 | 2019-06-20 | 株式会社Ｓｏｋｅｎ | 高周波伝送線路 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3158031B2 (ja) | 2001-04-23 |
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