JP4737192B2 - 2つのマイクロストリップ線路の接続構造及び筐体を用いた集積回路チップの実装基板への実装構造 - Google Patents
2つのマイクロストリップ線路の接続構造及び筐体を用いた集積回路チップの実装基板への実装構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4737192B2 JP4737192B2 JP2007331094A JP2007331094A JP4737192B2 JP 4737192 B2 JP4737192 B2 JP 4737192B2 JP 2007331094 A JP2007331094 A JP 2007331094A JP 2007331094 A JP2007331094 A JP 2007331094A JP 4737192 B2 JP4737192 B2 JP 4737192B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- patch
- strip conductor
- housing
- circuit chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Description
特許文献2には、マイクロストリップ線路とコプレーナ線路のモード変換接続が記載されている。モード変換接続部におけるグランド電位の確保が重要である。
非特許文献1には本発明が利用するパッチアンテナについて説明されている。
そこで本発明の目的とするところは、向かい合わせた2つのマイクロストリップ線路の接続構造において、所望の高周波に対して損失を抑制することである。
本発明によれば、導体部を3層以上有する多層基板を使わずに、集積回路チップを保護用の筐体に搭載した上、回路配線基板(実装基板)へ実装することが容易となる。即ち、ミリ波が効率良く伝送できる基板と保護用の筐体(パッケージ)の接続部を提供できる。
但し、所望の高周波に対して定在波を形成することが必要なのであって、パッチの形状は矩形状に限定されるものではない。円形、楕円形、或いは非特許文献1で説明されている進行波形状、その他所望の高周波に対して設計可能な任意の形状とすることができる。
第1のパッチと第2のパッチは、各々の開放端が十分に近く、電界の結合、磁界の結合又は電磁結合が生じることが重要である。この点で第1のパッチの形状と第2のパッチの形状は、合同又は合同に近い相似、或いは少なくとも開放端の大きさが近いことが好ましい。実際、矩形状のパッチアンテナは、接地層との距離(誘電体層の厚さ)の影響が比較的に小さく、ストリップ導体のパッチ形状、特に開放端となる向かい合う2辺の距離が共振周波数をほぼ決定づける。各々のマイクロストリップ線路の誘電体の誘電率が近ければ、2つのマイクロストリップ線路の端部に、ほぼ同じ形状の矩形状のパッチアンテナを容易に設計可能である。但し、2つのパッチの形状は完全に合同となる必要はない。
中心を導体で接続する場合は第1のパッチと第2のパッチの各々の中心が上下方向(各々のマイクロストリップ線路の厚さ方向)に重なる必要がある。尚、設計により、共振時の電界が0となる位置を離れた複数個有するようなパッチを用いることも可能であるが、その際は第1のパッチと第2のパッチの位置関係は、それら電界が0となる複数個の位置が各々上下方向(各々のマイクロストリップ線路の厚さ方向)に重なる様にすることが好ましい。
この構成は、実装基板の表面側へ全てを実装した構成であり、筐体部にアンテナを設けているので極めて小型のアンテナ付き集積回路パッケージを実現できる。パッケージであるので耐環境性が高い。また、集積回路チップを筐体部に搭載するので、放熱性を持たせることも可能である。この際、筐体部は誘電体を用いても良いが、例えば金属を用いても良く、これにより更に放熱性を上げ、或いは筐体部の両面のグランド層の電位を安定してグランド電位とすることができる。
このうち、筐体ストリップ導体230の左端(x軸の正側)には、x軸とy軸に平行な四辺を有する方形のパッチ230pが形成されている。また、実装基板ストリップ導体330の右端(x軸の負側)には、x軸とy軸に平行な四辺を有する方形のパッチ330pが形成されている。
第1のマイクロストリップ線路20の接続構造において形成されている方形のパッチ230pの平面形状と、第2のマイクロストリップ線路30の接続構造において形成されている方形のパッチ330pの平面形状は、ほぼ一致し、それらの中心は、xy座標が同じ、即ちz軸方向に重なっている。
また、これら方形のパッチ230pと330pとは、それらの中心部で、導体から成るバンプB23により接続されている。
図2で示したのは、方形のパッチ230pの開放端の荷電と、方形のパッチ330pの開放端の荷電とが符号が異なる可能性である。この場合、方形のパッチ230pの2つの開放端と、方形のパッチ330pの2つの開放端が各々向かい合っているので、各々容量を形成する。即ち、向かい合ったパッチ230p及び330pの2つの開放端で高周波が伝送するものである。
尚、パッチ230p及び330pはλ/2共振器であるので、その中心部付近では、各々が第1グランド層220gとの間、実装基板グランド層320gとの間に電界が生じず、パッチ230p中央部及び330p中央部は接地電位に保たれる。図1ではこれらパッチ230p中央部及び330p中央部を導体からなるバンプB23で接続している。これは、パッチ230pから330pへの高周波の伝送をより確実なものとする。
当然のことながら、入出力を反対方向にした、即ちパッチ330pから230pへの伝送も可能である。
第1のマイクロストリップ線路20は、第1誘電体層210を厚さ25μmとし、誘電率はポリイミドの誘電率とした。
第2のマイクロストリップ線路30は、誘電体310を厚さ168μmとし、誘電率はF4の誘電率とした。
パッチ230p及び330pの平面形状はx軸及びy軸に平行な長さ1mmの正方形とした。これは77GHzの高周波のλ/2共振器である。また、バンプB23の高さ(z軸方向)は80μmとし、直径が約0.2mmの円柱状とした。実装基板グランド層320gは十分に広く、理想的な接地電位を保てるものとした。第1グランド層220gは、誘電体310に設けた図示しない数個のビアホールにバンプを設けて実装基板グランド層320gと接続するものとした
この条件で、周波数に対する伝送特性(S21)、反射特性(S11及びS22)をシミュレートすると、図3.Aの通りとなった。設計した共振周波数77GHz近傍において、伝送特性(S21)が−3dB程度と、極めて良好であり、且つ反射特性(S11及びS22)が−20dB以下と、やはり極めて良好であった。また、伝送特性が高く、反射特性が低い周波数範囲は5GHz程度であり、本発明の接続構造がフィルタ特性を有することも示された。即ち、図1に示した2つのマイクロストリップ線路20及び30の接続構造は、所望の高周波に対して損失を抑制した接続構造であることが示された。
図4.Aに示される通り、図1の2つのマイクロストリップ線路20及び30の接続構造において、バンプB23の高さを60〜100μmで変化させても、その伝送特性(S21)は、設計周波数77GHz近傍においてはほとんど変化しなかった。また、60〜90GHzの周波数範囲においても、伝送特性(S21)は大きくは変化しなかった。
図4.Bに示される通り、図1の2つのマイクロストリップ線路20及び30の接続構造において、バンプB23の高さを60〜100μmで変化させると、その反射特性(S11)は、設計周波数77GHz近傍においては若干変化した。但し、バンプB23の高さが60μmでも、設計周波数での反射特性(S11)は−20dB以下であり、例えばスミスチャートにおいてはほぼ中央に位置し、実質的には変化が無いものと言える。尚、60〜75及び82〜90GHzの周波数範囲においては、反射特性(S11)は大きいままであり、ほとんど変化しなかった。
図4.Cに示される通り、図1の2つのマイクロストリップ線路20及び30の接続構造において、バンプB23の高さを60〜100μmで変化させると、その反射特性(S22)は、設計周波数77GHz近傍及び90GHz迄の範囲においては若干変化した。但し、バンプB23の高さが100μmでも、設計周波数での反射特性(S22)は−20dB以下であり、例えばスミスチャートにおいてはほぼ中央に位置し、実質的には変化が無いものと言える。尚、60〜75の周波数範囲においては、反射特性(S22)は大きいままであり、ほとんど変化しなかった。
実装基板300は、裏面に実装基板グランド層320gを、表面に実装基板ストリップ導体330を有する。
筐体部200は、基体250の第1の面251に、集積回路チップ100を配設する凹部Cvと、凹部Cvを除く部分に形成された導体から成る第1グランド層220g及び221gと、第1グランド層220g及び221gの上に形成された第1誘電体層210及び211と、第1誘電体層210及び211の上に形成された、筐体ストリップ導体230と第1スロット結合ストリップ導体231を有する。
また、筐体部200は、基体250の第2の面252に、導体から成る第2グランド層222gと、第2グランド層222gの上に形成された第2誘電体層212と、第2誘電体層212の上に形成された、第2スロット結合ストリップ導体232とそれと接続された少なくとも1個の導体から成る平面アンテナ232Aを有する。
また、筐体部250は、凹部Cvを除く部分に形成された、第1の面251から第2の面252までを貫く貫通孔から成る導波管Wgと、導波管Wgに結合する、第1グランド層221gの開口部から成る第1スロット221sと第2グランド層222gの開口部から成る第2スロット222sを有する。ここにおいて、第1スロット結合ストリップ導体231と第1スロット221sとが結合し、第2スロット222sと第2スロット結合ストリップ導体232とが結合している。
集積回路チップ100は、その表面に、チップグランド層120g及び121gと、チップグランド層120g及び121g上に形成されたチップ誘電体層110及び111と、チップ誘電体層110及び111上に形成された、チップストリップ導体130とスロット接続チップストリップ導体131とを有する。(以上、図5)
筐体部200の凹部Cvに集積回路チップ100を固定して、筐体ストリップ導体230とチップストリップ導体130とを接続し、スロット接続チップストリップ導体131と第1スロット結合ストリップ導体231とを接続し、筐体部250の第1の面251が実装基板300の表面と向きあうように、集積回路チップ100を固定した筐体部200を実装基板300に固定して実装基板ストリップ導体330と筐体ストリップ導体230とを接続して、アンテナ付きの集積回路パッケージ1000を構成する(図6)。
ここにおいて、実装基板ストリップ導体330と筐体ストリップ導体230の接続部は、本願発明の、所望の高周波で各々共振するパッチ330pと230pにより形成されており、バンプB23は、それらのパッチ330p及び230pの中央部を接続する導体である。
図5の筐体部200は、その構成の概略を断面図として示してある。第1の面251から第2の面252まで貫通する導波管Wgの内面は導体膜260gで被覆されている。図5の筐体部200の第1の面251には、凹部Cvを挟んで、左側と右側に、それぞれマイクロストリップ線路が形成されている。それら左右のマイクロストリップ線路は凹部Cvに突き出したフィンガー部F0及びF1を有している。これらフィンガー部F0及びF1の形状は図7を用いて後述する。
図5の実装基板300は、その構成の概略を断面図として示してある。板状の誘電体310を一部除去して実装基板グランド層320gを露出させたビアホールvhが形成されている。図5では、図面の構成を簡略とするため、実装基板300のビアホールvhを1箇所としているが、実装基板300のビアホールvhは、筐体部200や集積回路チップ100の回路配線に影響を及ぼさない位置であれば多数設けて良い。
尚、図6では示されていないが、第1グランド層220gは、実装基板300のビアホールにより露出させた実装基板グランド層320gとバンプにより接続されており、また、第2グランド層222gは、誘電体から成る基体250に複数個形成されたビアホールにより第1グランド層220g及び221gと接続されているものとする。
この際、実装基板ストリップ導体330と筐体ストリップ導体230の接続部は、本願発明の所望の高周波で各々共振するパッチ330pと230pにより形成されており、それらの中央部を接続する導体であるバンプB23が設けられているので、上記実施例1の図3.Aに示された通り、極めて低損失の接続構造となる。
このように、平面アンテナ232Aを有する極めて小さな筐体部200に、集積回路チップ100を搭載して実装基板300に実装することが可能となる。
図7.Dのように、筐体ストリップ導体230が形成されている。筐体ストリップ導体230は第1誘電体層210表面に形成されていると共に、チップストリップ導体130とバンプB12aを介して接続される部分である、図7.Cで示したハッチングの無い破線矩形部に向かって延びたフィンガー部Fを有する。
尚、図7は左右の各図が、z軸方向に同じ高さであることを示すものではない。
また、全く同様に、図5のフィンガー部F1も加工されて集積回路チップ100の回路配線と接続される。
本発明は、SiGe、CMOS IC、あるいはGaAsで利用される3D−MMICに有効である。
230p、330p:パッチ
1000、1100:アンテナ付き集積回路パッケージ
100:集積回路チップ
110:チップ誘電体層
120g、121g:チップグランド層
130:チップストリップ導体
131:スロット接続チップストリップ導体
150:半導体基板
200:筐体部
210、211:誘電体薄膜から成る第1誘電体層
220g、221g:第1グランド層
221s:第1スロット
230:筐体ストリップ導体
231:第1スロット結合ストリップ導体
212:誘電体膜から成る第2誘電体層
222g:第2グランド層
222s:第2スロット
232:第2スロット結合ストリップ導体
232A:平面アンテナ
250:誘電体から成る基体
260g:導波管を構成する金属層
300:実装基板
310:板状の誘電体
320g:実装基板グランド層
330:実装基板ストリップ導体
Cv:凹部
DA:素子領域
vh:ビアホール
Wg:導波管内部
B12a、B12b、B12g1、B12g2、B23g:バンプ
Claims (2)
- 板状又は膜状の第1の誘電体の裏面に形成された導体からなる第1の接地層と、当該第1の誘電体の表面に形成された第1のストリップ導体とから形成された第1のマイクロストリップ線路と、
板状又は膜状の第2の誘電体の裏面に形成された導体からなる第2の接地層と、当該第2の誘電体の表面に形成された第2のストリップ導体とから形成された第2のマイクロストリップ線路との接続構造であって、
前記接続構造を成す前記第1のストリップ導体の端部には、所望の高周波で共振する第1のパッチが形成されており、
前記接続構造を成す前記第2のストリップ導体の端部には、前記所望の高周波で共振する第2のパッチが形成されており、
前記第1のパッチと前記第2のパッチとを向かい合わせて、それらの中心が上下方向に重なるように配置された2つのマイクロストリップ線路の接続構造を有し、
前記第1のマイクロストリップ線路は、集積回路チップを搭載した筐体表面に形成されており、
前記第2のマイクロストリップ線路は、回路配線の形成された実装基板の一部であり、
前記2つのマイクロストリップ線路の接続構造を介して、前記実装基板から筐体を介して集積回路チップへの配線が形成されていることを特徴とする筐体を用いた集積回路チップの実装基板への実装構造。 - 前記第1のパッチの中心と前記第2のパッチの中心とを導体で接続したことを特徴とする請求項1に記載の集積回路チップの実装基板への実装構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007331094A JP4737192B2 (ja) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | 2つのマイクロストリップ線路の接続構造及び筐体を用いた集積回路チップの実装基板への実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007331094A JP4737192B2 (ja) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | 2つのマイクロストリップ線路の接続構造及び筐体を用いた集積回路チップの実装基板への実装構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009153071A JP2009153071A (ja) | 2009-07-09 |
JP4737192B2 true JP4737192B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=40921623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007331094A Expired - Fee Related JP4737192B2 (ja) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | 2つのマイクロストリップ線路の接続構造及び筐体を用いた集積回路チップの実装基板への実装構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4737192B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116264356A (zh) * | 2021-12-15 | 2023-06-16 | 华为技术有限公司 | 一种传输线连接结构 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5093639A (en) * | 1990-09-20 | 1992-03-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Electromagnetic stripline coupler apparatus |
JPH09172303A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-06-30 | Kyocera Corp | マイクロストリップ線路の結合構造 |
JPH11261308A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Hitachi Chem Co Ltd | トリプレート線路層間接続器 |
US6529105B1 (en) * | 2000-01-31 | 2003-03-04 | Thomson-Cfs | Process and device for bonding two millimeter elements |
JP2006140933A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 伝送線路層間接続器 |
JP2009038696A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Toyota Central R&D Labs Inc | アンテナ付き集積回路パッケージ |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0583011A (ja) * | 1991-09-25 | 1993-04-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用パツケージの入出力結合デバイス |
-
2007
- 2007-12-21 JP JP2007331094A patent/JP4737192B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5093639A (en) * | 1990-09-20 | 1992-03-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Electromagnetic stripline coupler apparatus |
JPH09172303A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-06-30 | Kyocera Corp | マイクロストリップ線路の結合構造 |
JPH11261308A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Hitachi Chem Co Ltd | トリプレート線路層間接続器 |
US6529105B1 (en) * | 2000-01-31 | 2003-03-04 | Thomson-Cfs | Process and device for bonding two millimeter elements |
JP2006140933A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 伝送線路層間接続器 |
JP2009038696A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Toyota Central R&D Labs Inc | アンテナ付き集積回路パッケージ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009153071A (ja) | 2009-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20210203059A1 (en) | Antenna apparatus and antenna module | |
JP2009038696A (ja) | アンテナ付き集積回路パッケージ | |
CN110391213B (zh) | 电子装置与电子封装件 | |
EP2901523B1 (en) | Radiofrequency module | |
CN108604722A (zh) | 包括siw与波导或天线之间的非接触过渡或连接的过渡装置 | |
JP5669043B2 (ja) | ポスト壁導波路アンテナ及びアンテナモジュール | |
JP6132692B2 (ja) | アンテナ装置 | |
CN104124211A (zh) | 具有波导转换元件的集成电路模块 | |
WO2011021328A1 (ja) | シールド層と素子側電源端子が容量結合した半導体装置 | |
JP2004327641A (ja) | 電子部品モジュール | |
JP2007287916A (ja) | 電子部品パッケージ | |
TWI663785B (zh) | 電子裝置、射頻裝置及其訊號傳輸構件 | |
US9245866B2 (en) | Antenna device and wireless apparatus | |
JP2008244289A (ja) | 電磁シールド構造 | |
JP2017163385A (ja) | 電子装置及び電子機器 | |
Lee et al. | LTCC‐based monolithic system‐in‐package (SiP) module for millimeter‐wave applications | |
JPWO2020130004A1 (ja) | 回路基板及び電子機器 | |
CN107665885B (zh) | 半导体装置封装 | |
JP2011029446A (ja) | 高周波モジュール及び高周波モジュールの製造方法 | |
JP4737192B2 (ja) | 2つのマイクロストリップ線路の接続構造及び筐体を用いた集積回路チップの実装基板への実装構造 | |
US8829659B2 (en) | Integrated circuit | |
JP2004342948A (ja) | 電子部品モジュール | |
JP6215577B2 (ja) | 半導体パッケージ容器、半導体装置、電子機器 | |
JP2014107486A (ja) | 配線構造、及び、電子装置 | |
JP2012195329A (ja) | 高周波モジュール、及び高周波モジュール用シールドカバー |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100720 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100818 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100818 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110118 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110311 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110418 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |