JP3155901B2 - 高周波基板装置 - Google Patents
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- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Description
する。なお、ここでは説明の便宜上、高周波気密モジュ
ールについて以下説明する。
示す平面透視図、図18は図17のB6視図、図19は
図17のA6−A6断面図である。これらの図において
1は導体フレーム、5は地導体、9は高周波集積回路基
板、10は入出力端子、11はバイアス端子、12はロ
ウ材、14は導体ワイヤ、15は気密カバー、24は導
体ベース、25は入出力用フィードスルー基板、26は
入出力用パターン、27は誘電体ブロック、28はバイ
アス用フィードスルー基板、29はバイアス用パターン
である。
の地導体5とバイアス用フィードスルー基板29の地導
体5はそれぞれロウ材12により導体ベース24にロウ
付けされている。また、入出力用フィードスルー基板2
5の入出力用パターン26の上に誘電体ブロック27を
貼り合わせ、その周りを導体ベース24及び導体フレー
ム1で囲むことによりトリプレートのフィードスルーを
構成し、同様にバイアス線路もバイアス用フィードスル
ー基板28のバイアス用パターン29の上に誘電体ブロ
ック27を貼り合わせ、その周りを導体ベース24及び
導体フレーム1で囲むことにより気密のフィードスルー
を構成している。これらのフィードスルーのパターンと
高周波集積回路基板9の入出力端子10及びバイアス端
子11を導体ワイヤ14で接続し、気密カバー15をロ
ウ付け又は熔接することによりとりつけることにより、
モジュール内の気密を保ち高周波集積回路基板9の耐環
境性を高めている。
では、トリプレート型のフィードスルーによりモジュー
ル内の気密を保ちながら高周波集積回路基板9と高周波
信号およびバイアスをインタフェースしていた。例えば
高周波集積回路基板9が増幅器の場合には、入出力用フ
ィードスルー基板25から入力された高周波信号はトリ
プレートのフィードスルーを通過し高周波集積回路基板
9に入力される。入力された信号は高周波集積回路基板
9で電力増幅されトリプレートのフィードスルーを通過
し入出力用フィードスルー基板25から出力される。
モジュールでは入出力用フィードスルー基板25やバイ
アス用フィードスルー基板28は加工の実現性から高温
焼成厚膜基板が使用されている。高温焼成厚膜基板の線
路パターンは一般に下地にタングステン等の電気抵抗の
大きい金属を用い厚みも7〜15μmと薄膜基板の線路
パターンに比べ厚いため、マイクロストリップ線路を伝
送する信号が高周波になると表皮効果のため抵抗の大き
い下地金属にほとんどの電流が流れ損失が大きくなると
いう問題があった。
を防ぐために基板厚を薄くする必要があり、必然的にマ
イクロストリップ線路のパターン幅も狭くなる。更にト
リプレート線路部においてはマイクロストリップ線路部
と同一の特性インピーダンスにするためにはパターン幅
はより狭くなるためパターン精度がいっそう厳しくな
る。厚膜のパターン寸法精度は薄膜に比べ悪いため、寸
法誤差により特性インピーダンスが大きくずれてしまう
という問題点があった。
ためになされたもので、高周波気密モジュールの入出力
端子の高周波信号伝搬特性を改善することを目的とす
る。
回路基板は、一方面には、オープンスタブにより先端開
放の第1、第2のマイクロストリップ線路が設けられ、他
方面には、当該第1、第2のマイクロストリップ線路と
それぞれ電磁結合する第1、第2の結合孔を有する地導
体が設けられ、かつ当該地導体が高周波集積回路の搭載
面のグランド層と成るベース基板と、一方面が上記ベー
ス基板に積層され、他方面には、オープンスタブにより
先端開放の第3のマイクロストリップ線路が当該スタブ
を上記第1の結合孔に対向させて電磁結合するように設
けられ、当該第3のマイクロストリップ線路が導体にて
上記高周波集積回路とボンディングされるとともに、当
該他方面には、オープンスタブにより先端開放の第4の
マイクロストリップ線路が当該スタブを上記第2の結合
孔に対向させて電磁結合するように設けられ、当該第4
のマイクロストリップ線路が導体にて上記高周波集積回
路とボンディングされ、上記高周波集積回路を載置する
ための空隙を成して配置される副基板と、上記積層され
た基板との間で上記高周波集積回路を封止するように気
密構造を有して接合される導体とを具備したものであ
る。
の発明において、上記ベース基板の一方面における、上
記第1、第2のマイクロストリップ線路外における周辺部
と上記ベース基板の地導体とを接続するグランド端子を
設けたものである。
の発明において、一方面には、オープンスタブにより先
端開放の第1、第2のマイクロストリップ線路が設けられ
るとともに、当該マイクロストリップ線路に接続された
コプレーナ線路中心導体と該コプレーナ線路中心導体の
両側に設けられたコプレーナ線路地導体が設けられ、他
方面には、当該第1、第2のマイクロストリップ線路と
それぞれ電磁結合する第1、第2の結合孔を有する地導
体が設けられ、かつ当該地導体が高周波集積回路の搭載
面のグランド層と成るとともに、上記コプレーナ線路地
導体と上記地導体とを接続するスルーホールを有したベ
ース基板と、一方面が上記ベース基板に積層され、他方
面には、オープンスタブにより先端開放の第3のマイク
ロストリップ線路が当該スタブを上記第1の結合孔に対
向させて電磁結合するように設けられ、当該第3のマイ
クロストリップ線路が導体にて上記高周波集積回路とボ
ンディングされるとともに、当該他方面には、オープン
スタブにより先端開放の第4のマイクロストリップ線路
が当該スタブを上記第2の結合孔に対向させて電磁結合
するように設けられ、当該第4のマイクロストリップ線
路が導体にて上記高周波集積回路とボンディングされ、
上記高周波集積回路を載置するための空隙を成して配置
される副基板と、上記積層された基板との間で上記高周
波集積回路を封止するように気密構造を有して接合され
る導体とを具備したものである。
の発明において、一方面にマイクロストリップ線路を有
し、他方面に地導体を有する第1、第2の導波管―マイク
ロストリップ変換基板と、上記第1、第2の導波管―マイ
クロストリップ変換基板のマイクロストリップ線路と上
記ベース基板における第1、第2のマイクロストリップ線
路とを接続する導体とを具備したものである。
の発明において、入出力用矩形導波管と、上記入出力矩
形導波管につながる導波管インピーダンス変成器と、上
記ベース基板における第1、第2のマイクロストリップ線
路と上記導波管インピーダンス変成器とを接続する導体
とを具備したものである。
ールは、気密部との高周波信号のインタフェースを結合
孔を介した電磁結合により行っているため、厚膜基板を
用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり高周
波信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分を遮
断することができる。
ルは、気密部との高周波信号のインタフェースを結合孔
を介した電磁結合により行っているため、厚膜基板を用
いたトリプレート型フィードスルーが不要になり高周波
信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分を遮断
することができる。そして、入出力のインタフェースに
おいて、入出力マイクロストリップ線路の両側にスルー
ホールにより地導体と導通がとられたグラウンド端子を
設け、モジュールどうしのグラウンドを接続できるよう
にしているため、モジュールどうしの接続部の高周波特
性が改善できる。
ジュールは、気密部との高周波信号のインタフェースを
結合孔を介した電磁結合により行っているため、厚膜基
板を用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり
高周波信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分
を遮断することができる。そして、入出力のインタフェ
ースをマイクロストリップ線路からコプレーナ線路に変
換して行っているため、モジュールどうしの接続部の高
周波特性が更に改善できる。
ルは、気密部との高周波信号のインタフェースを結合孔
を介した電磁結合により行っているため、厚膜基板を用
いたトリプレート型フィードスルーが不要になり高周波
信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分を遮断
することができる。そして、入出力のインタフェースを
マイクロストリップ線路からE面プローブ型の導波管−
マイクロストリップ変換器により矩形導波管に変換して
行っているため、モジュールどうしの接続部の高周波特
性がよりいっそう改善できる。
ジュールは、気密部との高周波信号のインタフェースを
結合孔を介した電磁結合により行っているため、厚膜基
板を用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり
高周波信号の伝搬特性が改善でき、更に不要な直流成分
を遮断することができる。そして、入出力のインタフェ
ースをマイクロストリップ線路から導波管インピーダン
ス変成器を用いた導波管−マイクロストリップ変換器に
より矩形導波管に変換して行っているため、モジュール
どうしの接続部の高周波特性が広帯域によりいっそう改
善できる。
の平面図、図2は図1におけるA1−A1断面図、図3
は図2におけるB1方向からの透視図、図4は電磁結合
部の詳細図である。図において1は導体フレーム、2は
誘電体又は半導体からなるベース基板、3は入出力用マ
イクロストリップ線路、4はオープンスタブ、5は地導
体、6は結合孔、7は誘電体又は半導体からなる副基
板、8は接続用マイクロストリップ線路、9は誘電体又
は半導体からなる高周波集積回路基板、10は入出力線
路、11はバイアス端子、12はロウ材、13はバイア
ス用気密貫通端子、14は導体ワイヤ、15は気密カバ
ーである。
ロウ材12により取付けられている。ベース基板2には
表面に入出力用マイクロストリップ線路3とマイクロス
トリップ線路3に接続されたオープンスタブ4が二組設
けられている。また、裏面には結合孔6を有する地導体
5が設けられており、結合孔6は入出力用マイクロスト
リップ線路3とオープンスタブ4の接続部の真裏に入出
力用マイクロストリップ線路3の信号伝搬方向と結合孔
6の長手方向が直交するように位置する。副基板7には
表面に接続用マイクロストリップ線路8と接続用マイク
ロストリップ線路8に接続されたオープンスタブ4が設
けられている。また、裏面には結合孔6を有する地導体
5が設けられている。ベース基板2と二枚の副基板7は
それぞれの地導体5に設けられた結合孔6の部分を合致
させロウ材12により地導体5どうしを貼り合わせてい
る。高周波集積回路基板9は、表面に入出力端子10と
バイアス端子11が設けられている。また、裏面には地
導体5が設けられている。高周波集積回路基板9は、二
枚の副基板7の間に挟まれ地導体5がベース基板2の地
導体5にロウ材12により貼り合わせている。バイアス
用気密貫通端子13は導体フレーム1の側面に隙間なく
埋め込まれている。また、接続用マイクロストリップ線
路8と入出力端子10間およびバイアス端子11とバイ
アス用気密貫通端子13間は導体ワイヤ14によりボン
ディングされている。気密カバー15は導体フレーム1
に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
線路3と接続用マイクロストリップ線路4は、オープン
スタブ4及び結合孔6の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路3から入力された高周波信号は結合孔6を介して接続
用マイクロストリップ線路8に伝搬され、導体ワイヤ1
4を通じて高周波集積回路基板9の入出力端子10に入
力される。一方、高周波集積回路基板9の入出力端子1
0から出力された高周波信号は、導体ワイヤ14を通じ
て接続用マイクロストリップ線路8に伝搬され、結合孔
6を介して入出力用マイクロストリップ線路3に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
た際の高周波特性を改善するために、上記入出力用マイ
クロストリップ線路の両側にスルーホールにより地導体
と導通がとられたグラウンド端子を設けた高周波気密モ
ジュールの平面図、図5は図4におけるA2−A2断面
図、図6は図5におけるB2方向からの透視図である。
図において1は導体フレーム、2はベース基板、3は入
出力用マイクロストリップ線路、4はオープンスタブ、
5は地導体、6は結合孔、7は副基板、8は接続用マイ
クロストリップ線路、9は高周波集積回路基板、10は
入出力線路、11はバイアス端子、12はロウ材、13
はバイアス用気密貫通端子、14は導体ワイヤ、15は
気密カバー、16はグラウンド端子、17はスルーホー
ルである。
ム1にロウ材12により取付けられている。ベース基板
2には表面に入出力用マイクロストリップ線路3とマイ
クロストリップ線路3に接続されたオープンスタブ4が
二組設けられている。また、裏面には結合孔6を有する
地導体5が設けられており、結合孔6は入出力用マイク
ロストリップ線路3とオープンスタブ4の接続部の真裏
に入出力用マイクロストリップ線路3の信号伝搬方向と
結合孔6の長手方向が直交するように位置する。副基板
7には表面に接続用マイクロストリップ線路8と接続用
マイクロストリップ線路8に接続されたオープンスタブ
4が設けられている。また、裏面には結合孔6を有する
地導体5が設けられている。ベース基板2と二枚の副基
板7はそれぞれの地導体5に設けられた結合孔6の部分
を合致させロウ材12により地導体5どうしを貼り合わ
せている。高周波集積回路基板9は、表面に入出力端子
10とバイアス端子11が設けられている。また、裏面
には地導体5が設けられている。高周波集積回路基板9
は、二枚の副基板7の間に挟まれ地導体5がベース基板
2の地導体5にロウ材12により貼り合わせている。バ
イアス用気密貫通端子13は導体フレーム1の側面に隙
間なく埋め込まれている。また、接続用マイクロストリ
ップ線路8と入出力端子10間およびバイアス端子11
とバイアス用気密貫通端子13間は導体ワイヤ14によ
りボンディングされている。気密カバー15は導体フレ
ーム1に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
線路3と接続用マイクロストリップ線路4は、オープン
スタブ4及び結合孔6の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路3から入力された高周波信号は結合孔6を介して接続
用マイクロストリップ線路8に伝搬され、導体ワイヤ1
4を通じて高周波集積回路基板9の入出力端子10に入
力される。一方、高周波集積回路基板9の入出力端子1
0から出力された高周波信号は、導体ワイヤ14を通じ
て接続用マイクロストリップ線路8に伝搬され、結合孔
6を介して入出力用マイクロストリップ線路3に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
の両側にスルーホール17により地導体5と導通がとら
れたグラウンド端子16を設けているため、モジュール
どうしの入出力の接続においてグラウンド端子16どう
しを接続することによりグラウンドを流れる電流の経路
を短くすることができるため、モジュールどうしの接続
部の高周波特性が改善できる。
た際の高周波特性を改善するために、上記入出力用マイ
クロストリップ線路の両側にスルーホールにより地導体
と導通がとられたグラウンド端子を設けた高周波気密モ
ジュールの平面図、図8は図7におけるA3−A3断面
図、図9は図8におけるB3方向からの透視図である。
図において1は導体フレーム、2はベース基板、3は入
出力用マイクロストリップ線路、4はオープンスタブ、
5は地導体、6は結合孔、7は副基板、8は接続用マイ
クロストリップ線路、9は高周波集積回路基板、10は
入出力線路、11はバイアス端子、12はロウ材、13
はバイアス用気密貫通端子、14は導体ワイヤ、15は
気密カバー、18はコプレーナ線路中心導体、19はコ
プレーナ線路地導体である。
ム1にロウ材12により取付けられている。ベース基板
2には表面に入出力用マイクロストリップ線路3とマイ
クロストリップ線路3に接続されたオープンスタブ4が
二組設けられている。また、裏面には結合孔6を有する
地導体5が設けられており、結合孔6は入出力用マイク
ロストリップ線路3とオープンスタブ4の接続部の真裏
に入出力用マイクロストリップ線路3の信号伝搬方向と
結合孔6の長手方向が直交するように位置する。副基板
7には表面に接続用マイクロストリップ線路8と接続用
マイクロストリップ線路8に接続されたオープンスタブ
4が設けられている。また、裏面には結合孔6を有する
地導体5が設けられている。ベース基板2と二枚の副基
板7はそれぞれの地導体5に設けられた結合孔6の部分
を合致させロウ材12により地導体5どうしを貼り合わ
せている。高周波集積回路基板9は、表面に入出力端子
10とバイアス端子11が設けられている。また、裏面
には地導体5が設けられている。高周波集積回路基板9
は、二枚の副基板7の間に挟まれ地導体5がベース基板
2の地導体5にロウ材12により貼り合わせている。バ
イアス用気密貫通端子13は導体フレーム1の側面に隙
間なく埋め込まれている。また、接続用マイクロストリ
ップ線路8と入出力端子10間およびバイアス端子11
とバイアス用気密貫通端子13間は導体ワイヤ14によ
りボンディングされている。気密カバー15は導体フレ
ーム1に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
線路3と接続用マイクロストリップ線路4は、オープン
スタブ4及び結合孔6の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路3から入力された高周波信号は結合孔6を介して接続
用マイクロストリップ線路8に伝搬され、導体ワイヤ1
4を通じて高周波集積回路基板9の入出力端子10に入
力される。一方、高周波集積回路基板9の入出力端子1
0から出力された高周波信号は、導体ワイヤ14を通じ
て接続用マイクロストリップ線路8に伝搬され、結合孔
6を介して入出力用マイクロストリップ線路3に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
に接続されたコプレーナ線路中心導体18、コプレーナ
線路中心導体18の両側に設けられたコプレーナ線路地
導体19及びコプレーナ線路地導体19とベース基板2
の地導体5を接続するスルーホールによりマイクロスト
リップ−コプレーナ変換を行っている。このため、モジ
ュールどうしの入出力の接続においてコプレーナ線路中
心導体18及びコプレーナ線路地導体19どうしを接続
することによりコプレーナ線路のイタンフェースとなる
ため、モジュールどうしの接続部の高周波特性を更に改
善できる。
部高周波特性を改善するために、モジュール内でE面プ
ローブ型の導波管−マイクロストリップ変換を行うこと
により入出力のインタフェースを矩形導波管とした高周
波気密モジュールの平面図、図11は図10におけるA
4−A4断面図、図12は図11におけるB4方向から
の透視図である。図において1は導体フレーム、2はベ
ース基板、3は入出力用マイクロストリップ線路、4は
オープンスタブ、5は地導体、6は結合孔、7は副基
板、8は接続用マイクロストリップ線路、9は高周波集
積回路基板、10は入出力線路、11はバイアス端子、
12はロウ材、13はバイアス用気密貫通端子、14は
導体ワイヤ、15は気密カバー、20は入出力用矩形導
波管、21は導波管−マイクロストリップ変換基板、2
2はプローブ用マイクロストリップ線路である。
ム1にロウ材12により取付けられている。ベース基板
2には表面に入出力用マイクロストリップ線路3とマイ
クロストリップ線路3に接続されたオープンスタブ4が
二組設けられている。また、裏面には結合孔6を有する
地導体5が設けられており、結合孔6は入出力用マイク
ロストリップ線路3とオープンスタブ4の接続部の真裏
に入出力用マイクロストリップ線路3の信号伝搬方向と
結合孔6の長手方向が直交するように位置する。副基板
7には表面に接続用マイクロストリップ線路8と接続用
マイクロストリップ線路8に接続されたオープンスタブ
4が設けられている。また、裏面には結合孔6を有する
地導体5が設けられている。ベース基板2と二枚の副基
板7はそれぞれの地導体5に設けられた結合孔6の部分
を合致させロウ材12により地導体5どうしを貼り合わ
せている。高周波集積回路基板9は、表面に入出力端子
10とバイアス端子11が設けられている。また、裏面
には地導体5が設けられている。高周波集積回路基板9
は、二枚の副基板7の間に挟まれ地導体5がベース基板
2の地導体5にロウ材12により貼り合わせている。バ
イアス用気密貫通端子13は導体フレーム1の側面に隙
間なく埋め込まれている。また、接続用マイクロストリ
ップ線路8と入出力端子10間およびバイアス端子11
とバイアス用気密貫通端子13間は導体ワイヤ14によ
りボンディングされている。気密カバー15は導体フレ
ーム1に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
線路3と接続用マイクロストリップ線路4は、オープン
スタブ4及び結合孔6の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路3から入力された高周波信号は結合孔6を介して接続
用マイクロストリップ線路8に伝搬され、導体ワイヤ1
4を通じて高周波集積回路基板9の入出力端子10に入
力される。一方、高周波集積回路基板9の入出力端子1
0から出力された高周波信号は、導体ワイヤ14を通じ
て接続用マイクロストリップ線路8に伝搬され、結合孔
6を介して入出力用マイクロストリップ線路3に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
に接続された導波管−マイクロストリップ変換基板2
1、プローブ用マイクロストリップ線路22、入出力用
矩形導波管20により導波管−マイクロストリップ変換
をおこなっている。このため、モジュールどうしの入出
力の接続において入出力用矩形導波管20どうしを接続
することにより矩形導波管のインタフェースとなるた
め、モジュールどうしの接続部の高周波特性をよりいっ
そう改善できる。
部高周波特性を改善するために、モジュール内で導波管
インピーダンス変成器を用いた導波管−マイクロストリ
ップ変換を行うことにより入出力のインタフェースを矩
形導波管とした高周波気密モジュールの平面図、図14
は図13におけるC5視図、図15は図13におけるA
5−A5断面図、図16は図15におけるB5方向から
の透視図である。図において1は導体フレーム、2はベ
ース基板、3は入出力用マイクロストリップ線路、4は
オープンスタブ、5は地導体、6は結合孔、7は副基
板、8は接続用マイクロストリップ線路、9は高周波集
積回路基板、10は入出力線路、11はバイアス端子、
12はロウ材、13はバイアス用気密貫通端子、14は
導体ワイヤ、15は気密カバー、20は入出力用矩形導
波管、23は導波管インピーダンス変成器である。
ム1にロウ材12により取付けられている。ベース基板
2には表面に入出力用マイクロストリップ線路3とマイ
クロストリップ線路3に接続されたオープンスタブ4が
二組設けられている。また、裏面には結合孔6を有する
地導体5が設けられており、結合孔6は入出力用マイク
ロストリップ線路3とオープンスタブ4の接続部の真裏
に入出力用マイクロストリップ線路3の信号伝搬方向と
結合孔6の長手方向が直交するように位置する。副基板
7には表面に接続用マイクロストリップ線路8と接続用
マイクロストリップ線路8に接続されたオープンスタブ
4が設けられている。また、裏面には結合孔6を有する
地導体5が設けられている。ベース基板2と二枚の副基
板7はそれぞれの地導体5に設けられた結合孔6の部分
を合致させロウ材12により地導体5どうしを貼り合わ
せている。高周波集積回路基板9は、表面に入出力端子
10とバイアス端子11が設けられている。また、裏面
には地導体5が設けられている。高周波集積回路基板9
は、二枚の副基板7の間に挟まれ地導体5がベース基板
2の地導体5にロウ材12により貼り合わせている。バ
イアス用気密貫通端子13は導体フレーム1の側面に隙
間なく埋め込まれている。また、接続用マイクロストリ
ップ線路8と入出力端子10間およびバイアス端子11
とバイアス用気密貫通端子13間は導体ワイヤ14によ
りボンディングされている。気密カバー15は導体フレ
ーム1に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
線路3と接続用マイクロストリップ線路4は、オープン
スタブ4及び結合孔6の効果による電磁結合で高周波信
号に対して接続される。入出力用マイクロストリップ線
路3から入力された高周波信号は結合孔6を介して接続
用マイクロストリップ線路8に伝搬され、導体ワイヤ1
4を通じて高周波集積回路基板9の入出力端子10に入
力される。一方、高周波集積回路基板9の入出力端子1
0から出力された高周波信号は、導体ワイヤ14を通じ
て接続用マイクロストリップ線路8に伝搬され、結合孔
6を介して入出力用マイクロストリップ線路3に伝搬さ
れ出力される。このような気密モジュールにおいては、
モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パ
ターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いる
ことができる。このため、高周波気密モジュールの入出
力線路が低損失になり、性能が改善される。更に電磁結
合部は導体により接続されていないため高周波信号線路
から直流を遮断することができる。
に接続された導波管インピーダンス変成器23、入出力
用矩形導波管20により広帯域な導波管−マイクロスト
リップ変換をおこなっている。このため、モジュールど
うしの入出力の接続において入出力用矩形導波管20ど
うしを接続することにより矩形導波管のインタフェース
となるため、モジュールどうしの接続部の高周波特性を
広帯域によりよりいっそう改善できる。
ブにより先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地
導体に設けた結合孔を介して電磁結合により高周波信号
を伝搬させることにより気密モジュールを実現している
ため、厚膜基板を用いたトリプレート型フィードスルー
が不要になり入出力線路の伝搬特性を改善でき、更に不
要な直流成分を遮断することができる。
先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導体に設
けた結合孔を介して電磁結合により高周波信号を伝搬さ
せることにより気密モジュールを実現しているため、厚
膜基板を用いたトリプレート型フィードスルーが不要に
なり入出力線路の伝搬特性を改善でき、更に不要な直流
成分を遮断することができる。そして、入出力のインタ
フェースにおいて、入出力マイクロストリップ線路の両
側にスルーホールにより地導体と導通がとられたグラウ
ンド端子を設け、モジュールどうしのグラウンドを接続
できるようにしているため、モジュールどうしの接続部
の高周波特性が改善できる。
開放にしたマイクロストリップ線路の地導体に設けられ
た結合孔を介して電磁結合により高周波信号を伝搬させ
ることにより気密モジュールを実現しているため、厚膜
基板を用いたトリプレート型フィードスルーが不要にな
り、入出力線路の伝搬特性を改善でき、更に不要な直流
成分を遮断することができる。そして、入出力のインタ
フェースをマイクロストリップ線路からコプレーナ線路
に変換して行っているため、モジュールどうしの接続部
の高周波特性が更に改善できる。
先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導体に設
けた結合孔を介して電磁結合により高周波信号を伝搬さ
せることにより気密モジュールを実現しているため、厚
膜基板を用いたトリプレート型フィードスルーが不要に
なり入出力線路の伝搬特性を改善でき、更に不要な直流
成分を遮断することができる。そして、入出力のインタ
フェースをマイクロストリップ線路からE面プローブ型
の導波管―マイクロストリップ変換器により矩形導波管
に変換して行っているため、モジュールどうしの接続部
の高周波特性がよりいっそう改善できる。
開放にしたマイクロストリップ線路の地導体に設けた結
合孔を介して電磁結合により高周波信号を伝搬させるこ
とにより気密モジュールを実現しているため、厚膜基板
を用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり入
出力線路の伝搬特性を改善でき、更に不要な直流成分を
遮断することができる。そして、入出力のインタフェー
スをマイクロストリップ線路から導波管インピーダンス
変成器を用いた導波管−マイクロストリップ変換器によ
り矩形導波管に変換して行っているため、モジュールど
うしの接続部の高周波特性が広帯域によりいっそう改善
できる。
1における平面図である。
1を示す図1におけるA1−A1断面図である。
1を示す図2におけるB1方向からの透視図である。
2における平面図である。
2を示す図4におけるA2−A2断面図である。
2を示す図5におけるB2方向からの透視図である。
3における平面図である。
3を示す図7におけるA3−A3断面図である。
3を示す図8におけるB3方向からの透視図である。
例4における平面図である。
例4を示す図10におけるA4−A4断面図である。
例4を示す図11におけるB4方向からの透視図であ
る。
例5における平面図である。
例5を示す図13におけるC5視図である。
例5を示す図13におけるA5−A5断面図である。
例5を示す図15におけるB5方向からの透視図であ
る。
視図である。
おけるB6視図である。
おけるA6−A6断面図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 一方面には、オープンスタブにより先端
開放の第1、第2のマイクロストリップ線路が設けられ、
他方面には、当該第1、第2のマイクロストリップ線路
とそれぞれ電磁結合する第1、第2の結合孔を有する地
導体が設けられ、かつ当該地導体が高周波集積回路の搭
載面のグランド層と成るベース基板と、 一方面が上記ベース基板に積層され、他方面には、オー
プンスタブにより先端開放の第3のマイクロストリップ
線路が当該スタブを上記第1の結合孔に対向させて電磁
結合するように設けられ、当該第3のマイクロストリッ
プ線路が導体にて上記高周波集積回路とボンディングさ
れるとともに、当該他方面には、オープンスタブにより先端開放の第4
のマイクロストリップ線路が当該スタブを上記第2の結
合孔に対向させて電磁結合するように設けられ、当該第
4のマイクロストリップ線路が導体にて上記高周波集積
回路とボンディングされ、上記高周波集積回路を載置す
るための空隙を成して配置される副基板と、 上記積層された基板との間で上記高周波集積回路を封止
するように気密構造を有して接合される導体と、 を具備した 高周波基板装置。 - 【請求項2】 上記ベース基板の一方面における、上記
第1、第2のマイクロストリップ線路外における周辺部と
上記ベース基板の地導体とを接続するグランド端子を、
設けたことを特徴とする請求項1記載の高周波基板装
置。 - 【請求項3】 一方面には、オープンスタブにより先端
開放の第1、第2のマイクロストリップ線路が設けられる
とともに、当該マイクロストリップ線路に接続されたコ
プレーナ線路中心導体と該コプレーナ線路中心導体の両
側に設けられたコプレーナ線路地導体が設けられ、他方
面には、当該第1、第2のマイクロストリップ線路とそ
れぞれ電磁結合する第1、第2の結合孔を有する地導体
が設けられ、かつ当該地導体が高周波集積回路の搭載面
のグランド層と成るとともに、上記コプレーナ線路地導
体と上記地導体とを接続するスルーホールを有したベー
ス基板と、 一方面が上記ベース基板に積層され、他方面には、オー
プンスタブにより先端開放の第3のマイクロストリップ
線路が当該スタブを上記第1の結合孔に対向させて電磁
結合するように設けられ、当該第3のマイクロストリッ
プ線路が導体にて上記高周波集積回路とボンディングさ
れるとともに、当該他方面には、オープンスタブにより先端開放の第4
のマイクロストリップ線路が当該スタブを上記第2の結
合孔に対向させて電磁結合するように設けられ、当該第
4のマイクロストリップ線路が導体にて上記高周波集積
回路とボンディングされ、上記高周波集積回路を載置す
るための空隙を成して配置される副基板と、 上記積層された基板との間で上記高周波集積回路を封止
するように気密構造を有して接合される導体と、 を具備した 高周波基板装置。 - 【請求項4】 一方面にマイクロストリップ線路を有
し、他方面に地導体を有する第1、第2の導波管―マイク
ロストリップ変換基板と、上記第1、第2の導波管―マイ
クロストリップ変換基板のマイクロストリップ線路と上
記ベース基板における第1、第2のマイクロストリップ線
路とを接続する導体とを具備したことを特徴とする請求
項1もしくは2に記載の高周波回路基板。 - 【請求項5】 入出力用矩形導波管と、上記入出力矩形
導波管につながる導波管インピーダンス変成器と、上記
ベース基板における第1、第2のマイクロストリップ線路
と上記導波管インピーダンス変成器とを接続する導体と
を具備したことを特徴とする請求項1もしくは2に記載
の高周波回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05415895A JP3155901B2 (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | 高周波基板装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05415895A JP3155901B2 (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | 高周波基板装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08250911A JPH08250911A (ja) | 1996-09-27 |
JP3155901B2 true JP3155901B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=12962748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05415895A Expired - Lifetime JP3155901B2 (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | 高周波基板装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3155901B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8957325B2 (en) | 2013-01-15 | 2015-02-17 | Fujitsu Limited | Optimized via cutouts with ground references |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3427040B2 (ja) * | 1996-02-29 | 2003-07-14 | 京セラ株式会社 | 高周波用パッケージ |
JP3464118B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2003-11-05 | 京セラ株式会社 | 高周波用パッケージの接続構造 |
JP3570887B2 (ja) * | 1998-04-28 | 2004-09-29 | 京セラ株式会社 | 高周波用配線基板 |
JP3439967B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2003-08-25 | 京セラ株式会社 | 高周波半導体素子用パッケージ |
JP2001352206A (ja) | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波回路装置 |
JP3801884B2 (ja) * | 2001-07-23 | 2006-07-26 | 株式会社日立製作所 | 高周波送受信装置 |
RU2607507C2 (ru) * | 2015-06-18 | 2017-01-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" (МАИ) | Способ ремонта сваркой тонкостенных деталей авиационной техники |
-
1995
- 1995-03-14 JP JP05415895A patent/JP3155901B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
1990年電子情報通信学会秋季全国大会 C−59 |
1994 IEEE MTT−S Dig,pp.1141−1144 |
IEEE Trans.Microwave Theory and Techniques,Vol.43,No.7,1995,pp.1516−1523 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8957325B2 (en) | 2013-01-15 | 2015-02-17 | Fujitsu Limited | Optimized via cutouts with ground references |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08250911A (ja) | 1996-09-27 |
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