JPH10173403A - 高周波気密モジュール - Google Patents
高周波気密モジュールInfo
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- JPH10173403A JPH10173403A JP8331027A JP33102796A JPH10173403A JP H10173403 A JPH10173403 A JP H10173403A JP 8331027 A JP8331027 A JP 8331027A JP 33102796 A JP33102796 A JP 33102796A JP H10173403 A JPH10173403 A JP H10173403A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波入出力端子の通過損失の小さな高周波
気密モジュールを得る。 【解決手段】 高周波気密モジュールの高周波信号入出
力の気密導波路において各々が信号中心周波数でＴＥ１
０モードの管内波長の２分の１の長さでかつ不要モード
の共振が使用周波数帯域より高くなるような寸法の２つ
以上の側面メタライズ誘電体導波路８をＴＥ１０モード
の磁界面どうしを重ねカバー４の角穴６にロウ付け又は
ハンダ付けした並列誘電体導波路を作ることにより不要
モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広
げて気密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を低
減した。
気密モジュールを得る。 【解決手段】 高周波気密モジュールの高周波信号入出
力の気密導波路において各々が信号中心周波数でＴＥ１
０モードの管内波長の２分の１の長さでかつ不要モード
の共振が使用周波数帯域より高くなるような寸法の２つ
以上の側面メタライズ誘電体導波路８をＴＥ１０モード
の磁界面どうしを重ねカバー４の角穴６にロウ付け又は
ハンダ付けした並列誘電体導波路を作ることにより不要
モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広
げて気密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を低
減した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、耐環境性向上の
ため気密を保った高周波気密モジュールに関するもので
ある。
ため気密を保った高周波気密モジュールに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図２５は従来の高周波気密モジュールを
示す斜視図、図２６は図２５のＡ７視図、図２７は図２
５のＡ７方向からの平面透視図、図２８はＢ７−Ｂ７断
面図である。これらの図において１は気密ケース、２は
入出力導波管、３は高周波回路部、４はカバー、５は接
続導波管、６は角穴、７はモジュール出力導波管、８は
側面メタライズ誘電体導波路、９はロウ材又はハンダ、
１０はバイアス用気密貫通端子、１１は導波管−マイク
ロストリップ変換基板、１２はマイクロストリップ線
路、１３は高周波集積回路基板、１４は入出力端子、１
５はバイアス端子、１６は導体ワイヤである。
示す斜視図、図２６は図２５のＡ７視図、図２７は図２
５のＡ７方向からの平面透視図、図２８はＢ７−Ｂ７断
面図である。これらの図において１は気密ケース、２は
入出力導波管、３は高周波回路部、４はカバー、５は接
続導波管、６は角穴、７はモジュール出力導波管、８は
側面メタライズ誘電体導波路、９はロウ材又はハンダ、
１０はバイアス用気密貫通端子、１１は導波管−マイク
ロストリップ変換基板、１２はマイクロストリップ線
路、１３は高周波集積回路基板、１４は入出力端子、１
５はバイアス端子、１６は導体ワイヤである。
【０００３】ここで、気密ケース１に設けられた高周波
回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設けられ
た接続導波管５と角穴６にロウ材又はハンダ９によりロ
ウ付け又はハンダ付けされた１個の側面メタライズ誘電
体導波路８とモジュール出力導波管７に接続され、気密
ケース１にカバー４をロウ付け、ハンダ付け、又は溶接
のいずれかの方法で取付けることにより、モジュール内
の気密を保ち高周波回路部３の耐環境性を高めている。
回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設けられ
た接続導波管５と角穴６にロウ材又はハンダ９によりロ
ウ付け又はハンダ付けされた１個の側面メタライズ誘電
体導波路８とモジュール出力導波管７に接続され、気密
ケース１にカバー４をロウ付け、ハンダ付け、又は溶接
のいずれかの方法で取付けることにより、モジュール内
の気密を保ち高周波回路部３の耐環境性を高めている。
【０００４】このように、従来の高周波気密モジュール
では、導波管の気密を１個の側面メタライズ誘電体導波
路８をカバー４の角穴にロウ付け、又はハンダ付けする
ことにより行っており、高周波入出力信号のインタフェ
ースは１個の側面メタライズ誘電体導波路８を介して行
っていた。例えば高周波回路部３が導波管−マイクロス
トリップ変換器を有する増幅器の場合には、バイアス用
気密貫通端子１０に加えられた直流バイアスは導体ワイ
ヤ１６を介し高周波集積回路基板１３のバイアス端子１
５に入力される。また、モジュール入出力導波管７から
入力された信号は側面メタライズ誘電体導波路８と接続
導波管５を通過し、入出力導波管２に入力される。この
信号は高周波回路部３を構成し気密ケース１にロウ材又
はハンダ９によりロウ付け、又はハンダ付けされた導波
管−マイクロストリップ変換器基板１１によりマイクロ
ストリップモードに変換された後、マイクロストリップ
線路１２、導体ワイヤ１６を通じて高周波集積回路基板
１３の入出力端子１４に入力され高周波集積回路基板１
３で増幅された後、入出力端子１４から導体ワイヤ１６
を通じて、導波管−マイクロストリップ変換器基板１１
のマイクロストリップ線路１２、に出力され、導波管モ
ードに変換された後、入出力導波管２に出力され接続導
波管５、側面メタライズ誘電体導波路８を通過してモジ
ュール入出力導波管７から出力される。ここで、側面メ
タライズ誘電体導波路８の寸法は、導波路の基本モード
の共振（ＴＥ１０１）を利用しインピーダンス整合をと
るため、入出力導波管２を伝搬する信号の中心周波数で
ＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで、且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなる寸
法となっている。
では、導波管の気密を１個の側面メタライズ誘電体導波
路８をカバー４の角穴にロウ付け、又はハンダ付けする
ことにより行っており、高周波入出力信号のインタフェ
ースは１個の側面メタライズ誘電体導波路８を介して行
っていた。例えば高周波回路部３が導波管−マイクロス
トリップ変換器を有する増幅器の場合には、バイアス用
気密貫通端子１０に加えられた直流バイアスは導体ワイ
ヤ１６を介し高周波集積回路基板１３のバイアス端子１
５に入力される。また、モジュール入出力導波管７から
入力された信号は側面メタライズ誘電体導波路８と接続
導波管５を通過し、入出力導波管２に入力される。この
信号は高周波回路部３を構成し気密ケース１にロウ材又
はハンダ９によりロウ付け、又はハンダ付けされた導波
管−マイクロストリップ変換器基板１１によりマイクロ
ストリップモードに変換された後、マイクロストリップ
線路１２、導体ワイヤ１６を通じて高周波集積回路基板
１３の入出力端子１４に入力され高周波集積回路基板１
３で増幅された後、入出力端子１４から導体ワイヤ１６
を通じて、導波管−マイクロストリップ変換器基板１１
のマイクロストリップ線路１２、に出力され、導波管モ
ードに変換された後、入出力導波管２に出力され接続導
波管５、側面メタライズ誘電体導波路８を通過してモジ
ュール入出力導波管７から出力される。ここで、側面メ
タライズ誘電体導波路８の寸法は、導波路の基本モード
の共振（ＴＥ１０１）を利用しインピーダンス整合をと
るため、入出力導波管２を伝搬する信号の中心周波数で
ＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで、且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなる寸
法となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図２５に示すような高
周波気密モジュールでは、高周波信号の入出力に１つの
側面メタライズ誘電体導波路８だけを用い帯域内の不要
モードの共振がないよう開口寸法を小さく絞っているた
め通過損失が大きくなるという問題点があった。
周波気密モジュールでは、高周波信号の入出力に１つの
側面メタライズ誘電体導波路８だけを用い帯域内の不要
モードの共振がないよう開口寸法を小さく絞っているた
め通過損失が大きくなるという問題点があった。
【０００６】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、高周波気密モジュールの高周波入
出力端子の通過損失を低減することを目的とする。
めになされたもので、高周波気密モジュールの高周波入
出力端子の通過損失を低減することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明による高周波
気密モジュールは、高周波入出力気密端子に、ＴＥ１０
モードで管内波長の２分の１長さの誘電体導波路の代わ
りに、各々が入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数
でＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さの側面メ
タライズ誘電体導波路２つ以上をＴＥ１０モードの磁界
面どうしを合わせロウ付け、又はハンダ付けして並列誘
電体導波路を作ることにより、各々の線路は不要モード
の共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広げるこ
とにより、高周波入出力気密端子の通過損失を減らした
気密モジュールを実現したものである。
気密モジュールは、高周波入出力気密端子に、ＴＥ１０
モードで管内波長の２分の１長さの誘電体導波路の代わ
りに、各々が入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数
でＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さの側面メ
タライズ誘電体導波路２つ以上をＴＥ１０モードの磁界
面どうしを合わせロウ付け、又はハンダ付けして並列誘
電体導波路を作ることにより、各々の線路は不要モード
の共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広げるこ
とにより、高周波入出力気密端子の通過損失を減らした
気密モジュールを実現したものである。
【０００８】また、第２の発明による高周波気密モジュ
ールは、第１の発明による高周波気密モジュールの高周
波入出力気密端子を各々が入出力導波管を伝搬する信号
の中心周波数でＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の
長さの誘電体導波路２つ以上をＴＥ１０モードの磁界面
どうしで合わせて導電性接着剤で接着して並列誘電体導
波路としたものである。
ールは、第１の発明による高周波気密モジュールの高周
波入出力気密端子を各々が入出力導波管を伝搬する信号
の中心周波数でＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の
長さの誘電体導波路２つ以上をＴＥ１０モードの磁界面
どうしで合わせて導電性接着剤で接着して並列誘電体導
波路としたものである。
【０００９】また、第３の発明による高周波気密モジュ
ールは、第１の発明による高周波気密モジュールの高周
波入出力気密端子を入出力導波管を伝搬する信号の中心
周波数においてＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の
長さの誘電体からなる誘電体導波路２つ以上をＴＥ１０
モードの磁界面に平行な面で隣り合わせて磁界面分割角
穴に圧入して並列誘電体導波路としたものである。
ールは、第１の発明による高周波気密モジュールの高周
波入出力気密端子を入出力導波管を伝搬する信号の中心
周波数においてＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の
長さの誘電体からなる誘電体導波路２つ以上をＴＥ１０
モードの磁界面に平行な面で隣り合わせて磁界面分割角
穴に圧入して並列誘電体導波路としたものである。
【００１０】また、第４の発明による高周波気密モジュ
ールは第１の発明による高周波気密モジュールにおい
て、高周波気密モジュールの高周波入出力気密端子を各
々が接着剤又はポッティング剤を充填したとき、入出力
導波管を伝搬する信号の中心周波数でＴＥ１０モードの
管内波長の２分の１の長さで且つ導波管のＴＥ１０モー
ドの磁界面に平行な面で分割された磁界面分割角穴と、
磁界面分割角穴を充填する接着剤又はポッティング剤で
構成して並列誘電体導波路としたものである。
ールは第１の発明による高周波気密モジュールにおい
て、高周波気密モジュールの高周波入出力気密端子を各
々が接着剤又はポッティング剤を充填したとき、入出力
導波管を伝搬する信号の中心周波数でＴＥ１０モードの
管内波長の２分の１の長さで且つ導波管のＴＥ１０モー
ドの磁界面に平行な面で分割された磁界面分割角穴と、
磁界面分割角穴を充填する接着剤又はポッティング剤で
構成して並列誘電体導波路としたものである。
【００１１】また、第５の発明による高周波気密モジュ
ールは第１の発明による高周波気密モジュールにおい
て、並列誘電体導波路からなる高周波入出力気密端子の
両端に導波管インピーダンス変成器を接続したものであ
る。
ールは第１の発明による高周波気密モジュールにおい
て、並列誘電体導波路からなる高周波入出力気密端子の
両端に導波管インピーダンス変成器を接続したものであ
る。
【００１２】また、第６の発明による高周波気密モジュ
ールは第１の発明による高周波気密モジュールにおい
て、並列誘電体導波路からなる高周波入出力気密端子の
両端にテーパー導波管を接続したものである。
ールは第１の発明による高周波気密モジュールにおい
て、並列誘電体導波路からなる高周波入出力気密端子の
両端にテーパー導波管を接続したものである。
【００１３】
実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１を示す斜
視図、図２は図１のＡ１視図、図３は図１のＡ１方向か
らの平面透視図、図４はＢ１−Ｂ１断面図である。これ
らの図において１は気密ケース、２は入出力導波管、３
は高周波回路部、４はカバー、５は接続導波管、６は角
穴、７はモジュール出力導波管、８は側面メタライズ誘
電体導波路、９はロウ材又はハンダ、１０はバイアス用
気密貫通端子、１１は導波管−マイクロストリップ変換
基板、１２はマイクロストリップ線路、１３は高周波集
積回路基板、１４は入出力端子、１５はバイアス端子、
１６は導体ワイヤである。
視図、図２は図１のＡ１視図、図３は図１のＡ１方向か
らの平面透視図、図４はＢ１−Ｂ１断面図である。これ
らの図において１は気密ケース、２は入出力導波管、３
は高周波回路部、４はカバー、５は接続導波管、６は角
穴、７はモジュール出力導波管、８は側面メタライズ誘
電体導波路、９はロウ材又はハンダ、１０はバイアス用
気密貫通端子、１１は導波管−マイクロストリップ変換
基板、１２はマイクロストリップ線路、１３は高周波集
積回路基板、１４は入出力端子、１５はバイアス端子、
１６は導体ワイヤである。
【００１４】ここで、気密ケース１に設けられた高周波
回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設けられ
た接続導波管５に接続されている。接続導波管５は角穴
６にそのＴＥ１０モードの磁界面どうしを合わせてロウ
材又はハンダ９によりロウ付け、又はハンダ付けされた
２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路８からなる気密
導波路を介してモジュール出力導波管７に接続されてお
り、気密ケース１にカバー４をロウ付け、ハンダ付け、
又は溶接のいずれかの方法で取付けることにより、モジ
ュール内の気密を保ち高周波回路部３の耐環境性を高め
ている。
回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設けられ
た接続導波管５に接続されている。接続導波管５は角穴
６にそのＴＥ１０モードの磁界面どうしを合わせてロウ
材又はハンダ９によりロウ付け、又はハンダ付けされた
２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路８からなる気密
導波路を介してモジュール出力導波管７に接続されてお
り、気密ケース１にカバー４をロウ付け、ハンダ付け、
又は溶接のいずれかの方法で取付けることにより、モジ
ュール内の気密を保ち高周波回路部３の耐環境性を高め
ている。
【００１５】また、各々が入出力導波管２を伝搬する信
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法の側面メタライズ誘電体導波路８を２つ以上Ｔ
Ｅ１０モードの磁界面どうしを貼り合わせて並列誘電体
導波路を作ることにより、不要モードの共振を抑圧しつ
つ、導波路の全体の有効開口を広げることができるた
め、気密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減
らすことができる。
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法の側面メタライズ誘電体導波路８を２つ以上Ｔ
Ｅ１０モードの磁界面どうしを貼り合わせて並列誘電体
導波路を作ることにより、不要モードの共振を抑圧しつ
つ、導波路の全体の有効開口を広げることができるた
め、気密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減
らすことができる。
【００１６】例えば高周波回路部３が導波管−マイクロ
ストリップ変換器を有する増幅器の場合には、バイアス
用気密貫通端子１０に加えられた直流バイアスは導体ワ
イヤ１６を介し高周波集積回路基板１３のバイアス端子
１５に入力される。また、モジュール入出力導波管７か
ら入力された信号は、ＴＥ１０モードの磁界面どうしを
貼り合わせた２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路８
と接続導波管５を通過し、入出力導波管２に入力され
る。この信号は高周波回路部３を構成し気密ケース１に
ロウ材又はハンダ９によりロウ付け、又はハンダ付けさ
れた導波管−マイクロストリップ変換器基板１１により
マイクロストリップモードに変換された後、マイクロス
トリップ線路１２、導体ワイヤ１６を通じて高周波集積
回路基板１３の入出力端子１４に入力され高周波集積回
路基板１３で増幅された後、入出力端子１４から導体ワ
イヤ１６を通じて、導波管−マイクロストリップ変換器
基板１１のマイクロストリップ線路１２、に出力され、
導波管モードに変換された後、入出力導波管２に出力さ
れ接続導波管５、ＴＥ１０モードの磁界面どうしを貼り
合わせた２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路８を通
過してモジュール入出力導波管７から出力される。この
ようにして気密モジュールの入出力の通過損失を減らす
ことができるため、増幅器の雑音指数の低減、高利得、
高出力化ができる。
ストリップ変換器を有する増幅器の場合には、バイアス
用気密貫通端子１０に加えられた直流バイアスは導体ワ
イヤ１６を介し高周波集積回路基板１３のバイアス端子
１５に入力される。また、モジュール入出力導波管７か
ら入力された信号は、ＴＥ１０モードの磁界面どうしを
貼り合わせた２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路８
と接続導波管５を通過し、入出力導波管２に入力され
る。この信号は高周波回路部３を構成し気密ケース１に
ロウ材又はハンダ９によりロウ付け、又はハンダ付けさ
れた導波管−マイクロストリップ変換器基板１１により
マイクロストリップモードに変換された後、マイクロス
トリップ線路１２、導体ワイヤ１６を通じて高周波集積
回路基板１３の入出力端子１４に入力され高周波集積回
路基板１３で増幅された後、入出力端子１４から導体ワ
イヤ１６を通じて、導波管−マイクロストリップ変換器
基板１１のマイクロストリップ線路１２、に出力され、
導波管モードに変換された後、入出力導波管２に出力さ
れ接続導波管５、ＴＥ１０モードの磁界面どうしを貼り
合わせた２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路８を通
過してモジュール入出力導波管７から出力される。この
ようにして気密モジュールの入出力の通過損失を減らす
ことができるため、増幅器の雑音指数の低減、高利得、
高出力化ができる。
【００１７】実施の形態２．図５はこの発明の実施の形
態２を示す斜視図、図６は図５のＡ２視図、図７は図５
のＡ２方向からの平面透視図、図８はＢ２−Ｂ２断面図
である。これらの図において１は気密ケース、２は入出
力導波管、３は高周波回路部、４はカバー、５は接続導
波管、６は角穴、７はモジュール出力導波管、９はロウ
材又はハンダ、１０はバイアス用気密貫通端子、１１は
導波管−マイクロストリップ変換基板、１２はマイクロ
ストリップ線路、１３は高周波集積回路基板、１４は入
出力端子、１５はバイアス端子、１６は導体ワイヤ、１
７は誘電体導波路、１８は導電性接着剤である。
態２を示す斜視図、図６は図５のＡ２視図、図７は図５
のＡ２方向からの平面透視図、図８はＢ２−Ｂ２断面図
である。これらの図において１は気密ケース、２は入出
力導波管、３は高周波回路部、４はカバー、５は接続導
波管、６は角穴、７はモジュール出力導波管、９はロウ
材又はハンダ、１０はバイアス用気密貫通端子、１１は
導波管−マイクロストリップ変換基板、１２はマイクロ
ストリップ線路、１３は高周波集積回路基板、１４は入
出力端子、１５はバイアス端子、１６は導体ワイヤ、１
７は誘電体導波路、１８は導電性接着剤である。
【００１８】この場合にも、気密ケース１に設けられた
高周波回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設
けられた接続導波管５に接続されている。接続導波管５
は角穴６にそのＴＥ１０モードの磁界面どうしを合わせ
て導電性接着剤１８により接着された２つ以上の誘電体
導波路１７からなる気密導波路を介してモジュール出力
導波管７に接続されており、気密ケース１にカバー４を
ロウ付け、ハンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取
付けることにより、モジュール内の気密を保ち高周波回
路部３の耐環境性を高めている。
高周波回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設
けられた接続導波管５に接続されている。接続導波管５
は角穴６にそのＴＥ１０モードの磁界面どうしを合わせ
て導電性接着剤１８により接着された２つ以上の誘電体
導波路１７からなる気密導波路を介してモジュール出力
導波管７に接続されており、気密ケース１にカバー４を
ロウ付け、ハンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取
付けることにより、モジュール内の気密を保ち高周波回
路部３の耐環境性を高めている。
【００１９】また、各々が入出力導波管２を伝搬する信
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法の誘電体導波路１７を２つ以上ＴＥ１０モード
の磁界面どうしを貼り合わせて並列誘電体導波路を作る
ことにより、不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全
体の有効開口を広げることができるため、気密モジュー
ルの高周波入出力端子の通過損失を減らすことができ
る。更に誘電体導波路のメタライズが不要となり、ロウ
付け、又はハンダ付けの代わりに導電性接着剤１８によ
る接着を行えばよく、安価に気密モジュールを作ること
ができる。
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法の誘電体導波路１７を２つ以上ＴＥ１０モード
の磁界面どうしを貼り合わせて並列誘電体導波路を作る
ことにより、不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全
体の有効開口を広げることができるため、気密モジュー
ルの高周波入出力端子の通過損失を減らすことができ
る。更に誘電体導波路のメタライズが不要となり、ロウ
付け、又はハンダ付けの代わりに導電性接着剤１８によ
る接着を行えばよく、安価に気密モジュールを作ること
ができる。
【００２０】実施の形態３．図９はこの発明の実施の形
態３を示す斜視図、図１０は図９のＡ３視図、図１１は
図９のＡ３方向からの平面透視図、図１２はＢ３−Ｂ３
断面図である。これらの図において１は気密ケース、２
は入出力導波管、３は高周波回路部、４はカバー、５は
接続導波管、７はモジュール出力導波管、９はロウ材又
はハンダ、１０はバイアス用気密貫通端子、１１は導波
管−マイクロストリップ変換基板、１２はマイクロスト
リップ線路、１３は高周波集積回路基板、１４は入出力
端子、１５はバイアス端子、１６は導体ワイヤ、１７は
誘電体導波路、１９は磁界面分割角穴である。
態３を示す斜視図、図１０は図９のＡ３視図、図１１は
図９のＡ３方向からの平面透視図、図１２はＢ３−Ｂ３
断面図である。これらの図において１は気密ケース、２
は入出力導波管、３は高周波回路部、４はカバー、５は
接続導波管、７はモジュール出力導波管、９はロウ材又
はハンダ、１０はバイアス用気密貫通端子、１１は導波
管−マイクロストリップ変換基板、１２はマイクロスト
リップ線路、１３は高周波集積回路基板、１４は入出力
端子、１５はバイアス端子、１６は導体ワイヤ、１７は
誘電体導波路、１９は磁界面分割角穴である。
【００２１】この場合にも、気密ケース１に設けられた
高周波回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設
けられた接続導波管５に接続されている。接続導波管５
は２つ以上の磁界面分割角穴１９に誘電体導波路１７を
２つ以上磁界面どうしを隣り合わせて圧入した気密導波
路を介してモジュール出力導波管７に接続されており、
気密ケース１にカバー４をロウ付け、ハンダ付け、又は
溶接のいずれかの方法で取付けることにより、モジュー
ル内の気密を保ち高周波回路部３の耐環境性を高めてい
る。
高周波回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設
けられた接続導波管５に接続されている。接続導波管５
は２つ以上の磁界面分割角穴１９に誘電体導波路１７を
２つ以上磁界面どうしを隣り合わせて圧入した気密導波
路を介してモジュール出力導波管７に接続されており、
気密ケース１にカバー４をロウ付け、ハンダ付け、又は
溶接のいずれかの方法で取付けることにより、モジュー
ル内の気密を保ち高周波回路部３の耐環境性を高めてい
る。
【００２２】また、各々が入出力導波管２を伝搬する信
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法の誘電体導波路１７を２つ以上ＴＥ１０モード
の磁界面どうしを隣り合わせて磁界面分割角穴１９に圧
入して並列誘電体導波路を作ることにより、不要モード
の共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広げるこ
とができるため、気密モジュールの高周波入出力端子の
通過損失を減らすことができる。更に誘電体導波路のメ
タライズが不要となるとともにロウ付け、ハンダ付け、
接着も不要となるため、より安価に気密モジュールを作
ることができる。
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法の誘電体導波路１７を２つ以上ＴＥ１０モード
の磁界面どうしを隣り合わせて磁界面分割角穴１９に圧
入して並列誘電体導波路を作ることにより、不要モード
の共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広げるこ
とができるため、気密モジュールの高周波入出力端子の
通過損失を減らすことができる。更に誘電体導波路のメ
タライズが不要となるとともにロウ付け、ハンダ付け、
接着も不要となるため、より安価に気密モジュールを作
ることができる。
【００２３】実施の形態４．図１３はこの発明の実施の
形態４を示す斜視図、図１４は図１３のＡ４視図、図１
５は図１３のＡ４方向からの平面透視図、図１６はＢ４
−Ｂ４断面図である。これらの図において１は気密ケー
ス、２は入出力導波管、３は高周波回路部、４はカバ
ー、５は接続導波管、７はモジュール出力導波管、９は
ロウ材、又はハンダ１０はバイアス用気密貫通端子、１
１は導波管−マイクロストリップ変換基板、１２はマイ
クロストリップ線路、１３は高周波集積回路基板、１４
は入出力端子、１５はバイアス端子、１６は導体ワイ
ヤ、１９は磁界面分割角穴、２０は接着剤又はポッティ
ング剤である。
形態４を示す斜視図、図１４は図１３のＡ４視図、図１
５は図１３のＡ４方向からの平面透視図、図１６はＢ４
−Ｂ４断面図である。これらの図において１は気密ケー
ス、２は入出力導波管、３は高周波回路部、４はカバ
ー、５は接続導波管、７はモジュール出力導波管、９は
ロウ材、又はハンダ１０はバイアス用気密貫通端子、１
１は導波管−マイクロストリップ変換基板、１２はマイ
クロストリップ線路、１３は高周波集積回路基板、１４
は入出力端子、１５はバイアス端子、１６は導体ワイ
ヤ、１９は磁界面分割角穴、２０は接着剤又はポッティ
ング剤である。
【００２４】この場合にも、気密ケース１に設けられた
高周波回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設
けられた接続導波管５に接続されている。接続導波管５
は２つ以上の磁界面分割角穴１９に接着剤又はポッティ
ング剤２０を充填した気密導波路を介してモジュール出
力導波管７に接続されており、気密ケース１にカバー４
をロウ付け、ハンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で
取付けることにより、モジュール内の気密を保ち高周波
回路部３の耐環境性を高めている。
高周波回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設
けられた接続導波管５に接続されている。接続導波管５
は２つ以上の磁界面分割角穴１９に接着剤又はポッティ
ング剤２０を充填した気密導波路を介してモジュール出
力導波管７に接続されており、気密ケース１にカバー４
をロウ付け、ハンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で
取付けることにより、モジュール内の気密を保ち高周波
回路部３の耐環境性を高めている。
【００２５】また、２つ以上に分割した磁界面分割角穴
１９の各々を、接着剤又はポッティング剤２０が充填さ
れたとき入出力導波管２を伝搬する信号の中心周波数で
基本モードの共振（ＴＥ１０１）をするＴＥ１０モード
の管内波長の２分の１の長さで且つ不要モードの共振周
波数が使用周波数帯域より高くなるような寸法にするこ
とにより、不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体
の有効開口を広げることができるため、気密モジュール
の高周波入出力端子の通過損失を減らすことができる。
更に側面メタライズ誘電体導波路が不要となるととも
に、ロウ付け、又はハンダ付けの代わりに接着剤の充填
を行えばよく、いっそう安価に気密モジュールを作るこ
とができる。そして、充填する接着剤又はポッティング
剤２０の量を調整することにより、基本モードの共振周
波数を入出力導波管２を伝搬する信号の中心周波数に合
わせることができるため、通過損失も更に低減できる。
１９の各々を、接着剤又はポッティング剤２０が充填さ
れたとき入出力導波管２を伝搬する信号の中心周波数で
基本モードの共振（ＴＥ１０１）をするＴＥ１０モード
の管内波長の２分の１の長さで且つ不要モードの共振周
波数が使用周波数帯域より高くなるような寸法にするこ
とにより、不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体
の有効開口を広げることができるため、気密モジュール
の高周波入出力端子の通過損失を減らすことができる。
更に側面メタライズ誘電体導波路が不要となるととも
に、ロウ付け、又はハンダ付けの代わりに接着剤の充填
を行えばよく、いっそう安価に気密モジュールを作るこ
とができる。そして、充填する接着剤又はポッティング
剤２０の量を調整することにより、基本モードの共振周
波数を入出力導波管２を伝搬する信号の中心周波数に合
わせることができるため、通過損失も更に低減できる。
【００２６】実施の形態５．図１７はこの発明の実施の
形態５を示す斜視図、図１８は図１７のＡ５視図、図１
９は図１７のＡ５方向からの平面透視図、図２０はＢ５
−Ｂ５断面図である。これらの図において１は気密ケー
ス、２は入出力導波管、３は高周波回路部、４はカバ
ー、５は接続導波管、６は角穴、７はモジュール出力導
波管、８は側面メタライズ誘電体導波路、９はロウ材又
はハンダ、１０はバイアス用気密貫通端子、１１は導波
管−マイクロストリップ変換基板、１２はマイクロスト
リップ線路、１３は高周波集積回路基板、１４は入出力
端子、１５はバイアス端子、１６は導体ワイヤ、２１は
第１の導波管インピーダンス変成器、２２は第２の導波
管インピーダンス変成器である。
形態５を示す斜視図、図１８は図１７のＡ５視図、図１
９は図１７のＡ５方向からの平面透視図、図２０はＢ５
−Ｂ５断面図である。これらの図において１は気密ケー
ス、２は入出力導波管、３は高周波回路部、４はカバ
ー、５は接続導波管、６は角穴、７はモジュール出力導
波管、８は側面メタライズ誘電体導波路、９はロウ材又
はハンダ、１０はバイアス用気密貫通端子、１１は導波
管−マイクロストリップ変換基板、１２はマイクロスト
リップ線路、１３は高周波集積回路基板、１４は入出力
端子、１５はバイアス端子、１６は導体ワイヤ、２１は
第１の導波管インピーダンス変成器、２２は第２の導波
管インピーダンス変成器である。
【００２７】この場合にも、気密ケース１に設けられた
高周波回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設
けられた接続導波管５に接続されている。接続導波管５
は第１の導波管インピーダンス変成器２１と接続され、
第１の導波管インピーダンス変成器２１は角穴６にその
ＴＥ１０モードの磁界面どうしを合わせてロウ材又はハ
ンダ９によりロウ付け、又はハンダ付けされた２つ以上
の側面メタライズ誘電体導波路８からなる気密導波路及
び第２の導波管インピーダンス変成器２２を介してモジ
ュール出力導波管７に接続されており、気密ケース１に
カバー４をロウ付け、ハンダ付け、又は溶接のいずれか
の方法で取付けることにより、モジュール内の気密を保
ち高周波回路部３の耐環境性を高めている。
高周波回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設
けられた接続導波管５に接続されている。接続導波管５
は第１の導波管インピーダンス変成器２１と接続され、
第１の導波管インピーダンス変成器２１は角穴６にその
ＴＥ１０モードの磁界面どうしを合わせてロウ材又はハ
ンダ９によりロウ付け、又はハンダ付けされた２つ以上
の側面メタライズ誘電体導波路８からなる気密導波路及
び第２の導波管インピーダンス変成器２２を介してモジ
ュール出力導波管７に接続されており、気密ケース１に
カバー４をロウ付け、ハンダ付け、又は溶接のいずれか
の方法で取付けることにより、モジュール内の気密を保
ち高周波回路部３の耐環境性を高めている。
【００２８】また、各々が入出力導波管２を伝搬する信
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法の側面メタライズ誘電体導波路８を２つ以上Ｔ
Ｅ１０モードの磁界面どうしを貼り合わせ並列誘電体導
波路を作ることにより、不要モードの共振を抑圧しつつ
導波路の全体の有効開口を広げることができるため、気
密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減らすこ
とができる。更に、接続導波管と並列誘電体導波路間及
びモジュール出力導波管と並列誘電体導波路間を導波管
インピーダンス変成器で接続しているため、接続部の不
連続や導波管と並列誘電体導波路のインピーダンスの不
整合による通過損失を低減できる。
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法の側面メタライズ誘電体導波路８を２つ以上Ｔ
Ｅ１０モードの磁界面どうしを貼り合わせ並列誘電体導
波路を作ることにより、不要モードの共振を抑圧しつつ
導波路の全体の有効開口を広げることができるため、気
密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減らすこ
とができる。更に、接続導波管と並列誘電体導波路間及
びモジュール出力導波管と並列誘電体導波路間を導波管
インピーダンス変成器で接続しているため、接続部の不
連続や導波管と並列誘電体導波路のインピーダンスの不
整合による通過損失を低減できる。
【００２９】実施の形態６．図２１はこの発明の実施の
形態６を示す斜視図、図２２は図１１のＡ６視図、図２
３は図２１のＡ６方向からの平面透視図、図２４はＢ６
−Ｂ６断面図である。これらの図において１は気密ケー
ス、２は入出力導波管、３は高周波回路部、４はカバ
ー、５は接続導波管、６は角穴、７はモジュール出力導
波管、８は側面メタライズ誘電体導波路、９はロウ材又
はハンダ、１０はバイアス用気密貫通端子、１１は導波
管−マイクロストリップ変換基板、１２はマイクロスト
リップ線路、１３は高周波集積回路基板、１４は入出力
端子、１５はバイアス端子、１６は導体ワイヤ、２３は
第１のテーパー導波管、２４は第２のテーパー導波管で
ある。
形態６を示す斜視図、図２２は図１１のＡ６視図、図２
３は図２１のＡ６方向からの平面透視図、図２４はＢ６
−Ｂ６断面図である。これらの図において１は気密ケー
ス、２は入出力導波管、３は高周波回路部、４はカバ
ー、５は接続導波管、６は角穴、７はモジュール出力導
波管、８は側面メタライズ誘電体導波路、９はロウ材又
はハンダ、１０はバイアス用気密貫通端子、１１は導波
管−マイクロストリップ変換基板、１２はマイクロスト
リップ線路、１３は高周波集積回路基板、１４は入出力
端子、１５はバイアス端子、１６は導体ワイヤ、２３は
第１のテーパー導波管、２４は第２のテーパー導波管で
ある。
【００３０】この場合にも、気密ケース１に設けられた
高周波回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設
けられた接続導波管５に接続されている。接続導波管５
は第１のテーパー導波管２３と接続され、第１のテーパ
ー導波管２３は角穴６にそのＴＥ１０モードの磁界面ど
うしを合わせてロウ材又はハンダ９によりロウ付け、又
はハンダ付けされた２つ以上の側面メタライズ誘電体導
波路８からなる気密導波路及び第２のテーパー導波管２
４を介してモジュール出力導波管７に接続されており、
気密ケース１にカバー４をロウ付け、ハンダ付け、又は
溶接のいずれかの方法で取付けることにより、モジュー
ル内の気密を保ち高周波回路部３の耐環境性を高めてい
る。
高周波回路部３は入出力導波管２により、カバー４に設
けられた接続導波管５に接続されている。接続導波管５
は第１のテーパー導波管２３と接続され、第１のテーパ
ー導波管２３は角穴６にそのＴＥ１０モードの磁界面ど
うしを合わせてロウ材又はハンダ９によりロウ付け、又
はハンダ付けされた２つ以上の側面メタライズ誘電体導
波路８からなる気密導波路及び第２のテーパー導波管２
４を介してモジュール出力導波管７に接続されており、
気密ケース１にカバー４をロウ付け、ハンダ付け、又は
溶接のいずれかの方法で取付けることにより、モジュー
ル内の気密を保ち高周波回路部３の耐環境性を高めてい
る。
【００３１】また、各々が入出力導波管２を伝搬する信
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法の側面メタライズ誘電体導波路８を２つ以上Ｔ
Ｅ１０モードの磁界面どうしを貼り合わせ並列誘電体導
波路を作ることにより、不要モードの共振を抑圧しつつ
導波路の全体の有効開口を広げることができるため、気
密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減らすこ
とができる。更に、接続導波管と並列誘電体導波路間及
びモジュール出力導波管と並列誘電体導波路間をテーパ
ー導波管で接続しているため、接続部の不連続や導波管
と並列誘電体導波路のインピーダンスの不整合による通
過損失をよりいっそう低減できる。
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法の側面メタライズ誘電体導波路８を２つ以上Ｔ
Ｅ１０モードの磁界面どうしを貼り合わせ並列誘電体導
波路を作ることにより、不要モードの共振を抑圧しつつ
導波路の全体の有効開口を広げることができるため、気
密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減らすこ
とができる。更に、接続導波管と並列誘電体導波路間及
びモジュール出力導波管と並列誘電体導波路間をテーパ
ー導波管で接続しているため、接続部の不連続や導波管
と並列誘電体導波路のインピーダンスの不整合による通
過損失をよりいっそう低減できる。
【００３２】
【発明の効果】第１の発明によれば、高周波信号入出力
の気密導波路を、各々が入出力導波管を伝搬する信号の
中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をするＴ
Ｅ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不要モ
ードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるような
寸法の２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路をＴＥ１
０モードの磁界面どうしを重ねカバーの角穴にロウ付
け、又はハンダ付けした並列誘電体導波路とすることに
より不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効
開口を広くすることができ気密モジュールの高周波入出
力端子の通過損失を減らすことができる。
の気密導波路を、各々が入出力導波管を伝搬する信号の
中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をするＴ
Ｅ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不要モ
ードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるような
寸法の２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路をＴＥ１
０モードの磁界面どうしを重ねカバーの角穴にロウ付
け、又はハンダ付けした並列誘電体導波路とすることに
より不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有効
開口を広くすることができ気密モジュールの高周波入出
力端子の通過損失を減らすことができる。
【００３３】また、第２の発明によれば、高周波信号入
出力の気密導波路を、各々が入出力導波管を伝搬する信
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法の２つ以上の誘電体導波路をＴＥ１０モードの
磁界面どうしを重ねカバーの角穴に導電性接着剤で接着
した並列誘電体導波路とすることにより不要モードの共
振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広くすること
ができるため、気密モジュールの高周波入出力端子の通
過損失を減らすことができる。そして誘電体導波路のメ
タライズが不要となり、ロウ付け、又はハンダ付けの代
わりに作業性の良い導電性接着剤による接着を行ってい
るため、安価に気密モジュールを作ることができる。
出力の気密導波路を、各々が入出力導波管を伝搬する信
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法の２つ以上の誘電体導波路をＴＥ１０モードの
磁界面どうしを重ねカバーの角穴に導電性接着剤で接着
した並列誘電体導波路とすることにより不要モードの共
振を抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広くすること
ができるため、気密モジュールの高周波入出力端子の通
過損失を減らすことができる。そして誘電体導波路のメ
タライズが不要となり、ロウ付け、又はハンダ付けの代
わりに作業性の良い導電性接着剤による接着を行ってい
るため、安価に気密モジュールを作ることができる。
【００３４】また、第３の発明によれば、高周波信号入
出力の気密導波路を、各々が入出力導波管を伝搬する信
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法の誘電体導波路を２つ以上ＴＥ１０モードの磁
界面どうしを隣り合わせて導波管の面に平行な面で２つ
以上に分割した磁界面分割角穴に圧入した並列誘電体導
波路とすることにより不要モードの共振を抑圧しつつ導
波路の全体の有効開口を広くすることができるため、気
密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減らすこ
とができる。更に誘電体導波路のメタライズが不要とな
るとともにロウ付け、ハンダ付け、接着も不要となるた
め、より安価に気密モジュールを作ることができる。
出力の気密導波路を、各々が入出力導波管を伝搬する信
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法の誘電体導波路を２つ以上ＴＥ１０モードの磁
界面どうしを隣り合わせて導波管の面に平行な面で２つ
以上に分割した磁界面分割角穴に圧入した並列誘電体導
波路とすることにより不要モードの共振を抑圧しつつ導
波路の全体の有効開口を広くすることができるため、気
密モジュールの高周波入出力端子の通過損失を減らすこ
とができる。更に誘電体導波路のメタライズが不要とな
るとともにロウ付け、ハンダ付け、接着も不要となるた
め、より安価に気密モジュールを作ることができる。
【００３５】また、第４の発明によれば、高周波信号入
出力の気密導波路を、導波管の面に平行な面で２つ以上
に分割した磁界面分割角穴の各々を接着剤、又はポッテ
ィング剤が充填されたとき、入出力導波管を伝搬する信
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法として接着剤、又はポッティング剤を充填した
並列誘電体導波路とすることにより不要モードの共振を
抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広くすることがで
きるため、気密モジュールの高周波入出力端子の通過損
失を減らすことができる。更に側面メタライズ誘電体導
波路が不要となるとともに、ロウ付け、又はハンダ付け
の代わりに接着剤の充填を行えばよく、安価に気密モジ
ュールを作ることができる。そして、充填する接着剤、
又はポッティング剤の量を調整することにより、容易に
基本モードの共振周波数を入出力導波管を伝搬する信号
の中心周波数に合わせることができるため、更に通過損
失を低減できる。
出力の気密導波路を、導波管の面に平行な面で２つ以上
に分割した磁界面分割角穴の各々を接着剤、又はポッテ
ィング剤が充填されたとき、入出力導波管を伝搬する信
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法として接着剤、又はポッティング剤を充填した
並列誘電体導波路とすることにより不要モードの共振を
抑圧しつつ導波路の全体の有効開口を広くすることがで
きるため、気密モジュールの高周波入出力端子の通過損
失を減らすことができる。更に側面メタライズ誘電体導
波路が不要となるとともに、ロウ付け、又はハンダ付け
の代わりに接着剤の充填を行えばよく、安価に気密モジ
ュールを作ることができる。そして、充填する接着剤、
又はポッティング剤の量を調整することにより、容易に
基本モードの共振周波数を入出力導波管を伝搬する信号
の中心周波数に合わせることができるため、更に通過損
失を低減できる。
【００３６】また、第５の発明によれば、高周波信号入
出力の気密導波路を、各々が入出力導波管を伝搬する信
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法の２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路をＴ
Ｅ１０モードの磁界面どうしを重ねカバーの角穴にロウ
付け、又はハンダ付けした並列誘電体導波路とすること
により不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有
効開口を広くすることができるため、気密モジュールの
高周波入出力端子の通過損失を減らすことができる。更
に、接続導波管と並列誘電体導波路間及びモジュール出
力導波管と並列誘電体導波路間を導波管インピーダンス
変成器で接続しているため、接続部の不連続や導波管と
並列誘電体導波路のインピーダンスの不整合による通過
損失を低減できる。
出力の気密導波路を、各々が入出力導波管を伝搬する信
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法の２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路をＴ
Ｅ１０モードの磁界面どうしを重ねカバーの角穴にロウ
付け、又はハンダ付けした並列誘電体導波路とすること
により不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有
効開口を広くすることができるため、気密モジュールの
高周波入出力端子の通過損失を減らすことができる。更
に、接続導波管と並列誘電体導波路間及びモジュール出
力導波管と並列誘電体導波路間を導波管インピーダンス
変成器で接続しているため、接続部の不連続や導波管と
並列誘電体導波路のインピーダンスの不整合による通過
損失を低減できる。
【００３７】また、第６の発明によれば、高周波信号入
出力の気密導波路を、各々が入出力導波管を伝搬する信
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法の２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路をＴ
Ｅ１０モードの磁界面どうしを重ねカバーの角穴にロウ
付け、又はハンダ付けした並列誘電体導波路とすること
により不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有
効開口を広くすることができるため、気密モジュールの
高周波入出力端子の通過損失を減らすことができる。更
に接続導波管と並列誘電体導波路間及びモジュール出力
導波管と並列誘電体導波路間をテーパー導波管で接続し
ているため、接続部の不連続や導波管と並列誘電体導波
路のインピーダンスの不整合による通過損失をよりいっ
そう低減できる。
出力の気密導波路を、各々が入出力導波管を伝搬する信
号の中心周波数で基本モードの共振（ＴＥ１０１）をす
るＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで且つ不
要モードの共振周波数が使用周波数帯域より高くなるよ
うな寸法の２つ以上の側面メタライズ誘電体導波路をＴ
Ｅ１０モードの磁界面どうしを重ねカバーの角穴にロウ
付け、又はハンダ付けした並列誘電体導波路とすること
により不要モードの共振を抑圧しつつ導波路の全体の有
効開口を広くすることができるため、気密モジュールの
高周波入出力端子の通過損失を減らすことができる。更
に接続導波管と並列誘電体導波路間及びモジュール出力
導波管と並列誘電体導波路間をテーパー導波管で接続し
ているため、接続部の不連続や導波管と並列誘電体導波
路のインピーダンスの不整合による通過損失をよりいっ
そう低減できる。
【図１】 この発明による高周波気密モジュールの実施
の形態１を示す斜視図である。
の形態１を示す斜視図である。
【図２】 この発明による高周波気密モジュールの実施
の形態１を示す図１におけるＡ１視図である。
の形態１を示す図１におけるＡ１視図である。
【図３】 この発明による高周波気密モジュールの実施
の形態１を示す図１におけるＡ１方向からの平面透視図
である。
の形態１を示す図１におけるＡ１方向からの平面透視図
である。
【図４】 この発明による高周波気密モジュールの実施
の形態１を示す図１におけるＢ１−Ｂ１断面図である。
の形態１を示す図１におけるＢ１−Ｂ１断面図である。
【図５】 この発明による高周波気密モジュールの実施
の形態２を示す斜視図である。
の形態２を示す斜視図である。
【図６】 この発明による高周波気密モジュールの実施
の形態２を示す図５におけるＡ２視図である。
の形態２を示す図５におけるＡ２視図である。
【図７】 この発明による高周波気密モジュールの実施
の形態２を示す図５におけるＡ２方向からの平面透視図
である。
の形態２を示す図５におけるＡ２方向からの平面透視図
である。
【図８】 この発明による高周波気密モジュールの実施
の形態２を示す図５におけるＢ２−Ｂ２断面図である。
の形態２を示す図５におけるＢ２−Ｂ２断面図である。
【図９】 この発明による高周波気密モジュールの実施
の形態３を示す斜視図である。
の形態３を示す斜視図である。
【図１０】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態３を示す図９におけるＡ３視図である。
施の形態３を示す図９におけるＡ３視図である。
【図１１】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態３を示す図９におけるＡ３方向からの平面透視
図である。
施の形態３を示す図９におけるＡ３方向からの平面透視
図である。
【図１２】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態３を示す図９におけるＢ３−Ｂ３断面図であ
る。
施の形態３を示す図９におけるＢ３−Ｂ３断面図であ
る。
【図１３】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態４を示す斜視図である。
施の形態４を示す斜視図である。
【図１４】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態４を示す図１３におけるＡ４視図である。
施の形態４を示す図１３におけるＡ４視図である。
【図１５】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態４を示す図１３におけるＡ４方向からの平面透
視図である。
施の形態４を示す図１３におけるＡ４方向からの平面透
視図である。
【図１６】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態４を示す図１３におけるＢ４−Ｂ４断面図であ
る。
施の形態４を示す図１３におけるＢ４−Ｂ４断面図であ
る。
【図１７】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態５を示す斜視図である。
施の形態５を示す斜視図である。
【図１８】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態５を示す図１７におけるＡ５視図である。
施の形態５を示す図１７におけるＡ５視図である。
【図１９】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態５を示す図１７におけるＡ５方向からの平面透
視図である。
施の形態５を示す図１７におけるＡ５方向からの平面透
視図である。
【図２０】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態５を示す図１７におけるＢ５−Ｂ５断面図であ
る。
施の形態５を示す図１７におけるＢ５−Ｂ５断面図であ
る。
【図２１】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態６を示す斜視図である。
施の形態６を示す斜視図である。
【図２２】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態６を示す図２１におけるＡ６視図である。
施の形態６を示す図２１におけるＡ６視図である。
【図２３】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態６を示す図２１におけるＡ６方向からの平面透
視図である。
施の形態６を示す図２１におけるＡ６方向からの平面透
視図である。
【図２４】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態６を示す図２１におけるＢ６−Ｂ６断面図であ
る。
施の形態６を示す図２１におけるＢ６−Ｂ６断面図であ
る。
【図２５】 従来の高周波気密モジュールを示す斜視図
である。
である。
【図２６】 従来の高周波気密モジュールを示す図２５
におけるＡ７視図である。
におけるＡ７視図である。
【図２７】 従来の高周波気密モジュールを示す図２５
におけるＡ７方向からの平面透視図である。
におけるＡ７方向からの平面透視図である。
【図２８】 従来の高周波気密モジュールを示す図２５
におけるＢ７−Ｂ７断面図である。
におけるＢ７−Ｂ７断面図である。
１ 気密ケース、２ 入出力導波管、３ 高周波回路
部、４ カバー、５ 接続導波管、６ 角穴、７ モジ
ュール出力導波管、８ 側面メタライズ誘電体導波路、
９ ロウ材又はハンダ、１０ バイアス用気密貫通端
子、１１ 導波管−マイクロストリップ変換基板、１２
マイクロストリップ線路、１３ 高周波集積回路基
板、１４ 入出力端子、１５ バイアス端子、１６ 導
体ワイヤ、１７誘電体導波路、１８ 導電性接着剤、１
９ 磁界面分割角穴、２０ 接着剤又はポッティング
剤、２１ 第１の導波管インピーダンス変成器、２２
第２の導波管インピーダンス変成器、２３ 第１のテー
パー導波管、２４ 第２のテーパー導波管。
部、４ カバー、５ 接続導波管、６ 角穴、７ モジ
ュール出力導波管、８ 側面メタライズ誘電体導波路、
９ ロウ材又はハンダ、１０ バイアス用気密貫通端
子、１１ 導波管−マイクロストリップ変換基板、１２
マイクロストリップ線路、１３ 高周波集積回路基
板、１４ 入出力端子、１５ バイアス端子、１６ 導
体ワイヤ、１７誘電体導波路、１８ 導電性接着剤、１
９ 磁界面分割角穴、２０ 接着剤又はポッティング
剤、２１ 第１の導波管インピーダンス変成器、２２
第２の導波管インピーダンス変成器、２３ 第１のテー
パー導波管、２４ 第２のテーパー導波管。
Claims (6)
- 【請求項１】 導体又は表面をメタライズした誘電体か
らなる気密ケースと、上記気密ケースに設けられた入出
力導波管と、上記入出力導波管に接続され上記気密ケー
スに設けられた高周波回路部と、導体又は表面をメタラ
イズした誘電体からなり上記気密ケースにロウ付け、ハ
ンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取付けられたカ
バーと、上記入出力導波管に接続され上記カバーに設け
られた接続導波管と、上記接続導波管に接続され、上記
カバーに設けられた角穴と、上記角穴に接続され、上記
カバーに設けられたモジュール入出力導波管と、側面を
メタライズされ、上記入出力導波管を伝搬する信号の中
心周波数においてＴＥ１０モードの管内波長の２分の１
長さの誘電体からなる側面メタライズ誘電体導波路と、
上記側面メタライズ誘電体導波路２つ以上をＴＥ１０モ
ードの磁界面どうしを重ね上記角穴にロウ付け、又はハ
ンダ付けするロウ材又はハンダとで構成したことを特徴
とする高周波気密モジュール。 - 【請求項２】 導体又は表面をメタライズした誘電体か
らなる気密ケースと、上記気密ケースに設けられた入出
力導波管と、上記入出力導波管に接続され上記気密ケー
スに設けられた高周波回路部と、導体又は表面をメタラ
イズした誘電体からなり上記気密ケースにロウ付け、ハ
ンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取付けられたカ
バーと、上記入出力導波管に接続され上記カバーに設け
られた接続導波管と、上記接続導波管に接続され上記カ
バーに設けられた角穴と、上記角穴に接続され、上記カ
バーに設けられたモジュール入出力導波管と、上記入出
力導波管を伝搬する信号の中心周波数においてＴＥ１０
モードの管内波長の２分の１長さの誘電体からなる誘電
体導波路と、上記側面メタライズ導波路２つ以上をＴＥ
１０モードの磁界面どうしを重ね上記角穴に接着する導
電性接着剤とで構成したことを特徴とする高周波気密モ
ジュール。 - 【請求項３】 導体又は表面をメタライズした誘電体か
らなる気密ケースと、上記気密ケースに設けられた入出
力導波管と、上記入出力導波管に接続され上記気密ケー
スに設けられた高周波回路部と、導体又は表面をメタラ
イズした誘電体からなり上記気密ケースにロウ付け、ハ
ンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取付けられたカ
バーと、上記入出力導波管に接続され上記カバーに設け
られた接続導波管と、上記入出力導波管を伝搬する信号
の中心周波数においてＴＥ１０モードの管内波長の２分
の１長さの誘電体からなる誘電体導波路と、上記接続導
波管に接続され且つ上記誘電体導波路をＴＥ１０モード
の磁界面に平行な面で隣り合わせて圧入するため上記カ
バーに設けられ上記接続導波管の磁界面と並行な面で２
つ以上に分割された磁界面分割角穴と、上記磁界面分割
角穴に接続され上記カバーに設けられたモジュール入出
力導波管とで構成したことを特徴とする高周波気密モジ
ュール。 - 【請求項４】 導体又は表面をメタライズした誘電体か
らなる気密ケースと、上記気密ケースに設けられた入出
力導波管と、上記入出力導波管に接続され上記気密ケー
スに設けられた高周波回路部と、導体又は表面をメタラ
イズした誘電体からなり上記気密ケースにロウ付け、ハ
ンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取付けられたカ
バーと、上記入出力導波管に接続され上記カバーに設け
られた接続導波管と、誘電体導波路形成用の接着剤又は
ポッティング剤と、上記接続導波管に接続され上記カバ
ーに設けられ且つ上記接着剤又はポッティング剤を充填
したとき上記入出力導波管を伝搬する信号の中心周波数
においてＴＥ１０モードの管内波長の２分の１の長さで
上記導波管のＴＥ１０モードの磁界面に平行な面で２つ
以上に分割された磁界面分割角穴と、上記磁界面分割角
穴に接続され上記カバーに設けられたモジュール入出力
導波管とで構成したことを特徴とする高周波気密モジュ
ール。 - 【請求項５】 導体又は表面をメタライズした誘電体か
らなる気密ケースと、上記気密ケースに設けられた入出
力導波管と、上記入出力導波管に接続され上記気密ケー
スに設けられた高周波回路部と、導体又は表面をメタラ
イズした誘電体からなり上記気密ケースにロウ付け、ハ
ンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取付けられたカ
バーと、上記入出力導波管に接続され上記カバーに設け
られた接続導波管と、上記接続導波管に接続され上記カ
バーに設けられた第１の導波管インピーダンス変成器
と、上記第１の導波管インピーダンス変成器に接続され
上記カバーに設けられた角穴と、上記角穴に接続され上
記カバーに設けられた第２の導波管インピーダンス変成
器と、上記第２の導波管インピーダンス変成器に接続さ
れ上記カバーに設けられたモジュール入出力導波管と、
側面をメタライズされ上記入出力導波管を伝搬する信号
の中心周波数においてＴＥ１０モードの管内波長の２分
の１の長さの誘電体からなる側面メタライズ誘電体導波
路と、上記側面メタライズ誘電体導波路２つ以上をＴＥ
１０モードの磁界面どうしを重ね上記角穴にロウ付け、
又はハンダ付けするロウ材又はハンダとで構成したこと
を特徴とする高周波気密モジュール。 - 【請求項６】 導体又は表面をメタライズした誘電体か
らなる気密ケースと、上記気密ケースに設けられた入出
力導波管と、上記入出力導波管に接続され上記気密ケー
スに設けられた高周波回路部と、導体又は表面をメタラ
イズした誘電体からなり上記気密ケースにロウ付け、ハ
ンダ付け、又は溶接のいずれかの方法で取付けられたカ
バーと、上記入出力導波管に接続され上記カバーに設け
られた接続導波管と、上記接続導波管に接続され上記カ
バーに設けられた第１のテーパー導波管と、上記第１の
テーパー導波管に接続され上記カバーに設けられた角穴
と、上記角穴に接続され上記カバーに設けられた第２の
テーパー導波管と、上記第２のテーパー導波管に接続さ
れ上記カバーに設けられたモジュール入出力導波管と、
側面をメタライズされ上記入出力導波管を伝搬する信号
の中心周波数においてＴＥ１０モードの管内波長の２分
の１の長さの誘電体からなる側面メタライズ誘電体導波
路と、上記側面メタライズ誘電体導波路２つ以上をＴＥ
１０モードの磁界面どうしを重ね上記角穴にロウ付け、
又はハンダ付けするロウ材又はハンダとで構成したこと
を特徴とする高周波気密モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33102796A JP3791077B2 (ja) | 1996-12-11 | 1996-12-11 | 高周波気密モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33102796A JP3791077B2 (ja) | 1996-12-11 | 1996-12-11 | 高周波気密モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10173403A true JPH10173403A (ja) | 1998-06-26 |
| JP3791077B2 JP3791077B2 (ja) | 2006-06-28 |
Family
ID=18239011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33102796A Expired - Lifetime JP3791077B2 (ja) | 1996-12-11 | 1996-12-11 | 高周波気密モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3791077B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015133580A (ja) * | 2014-01-10 | 2015-07-23 | 古河電気工業株式会社 | 平面伝送線路導波管変換器 |
| CN104835806A (zh) * | 2014-02-07 | 2015-08-12 | 株式会社东芝 | 毫米波段半导体用封装件以及毫米波段用半导体装置 |
| KR20150093571A (ko) * | 2014-02-07 | 2015-08-18 | 가부시끼가이샤 도시바 | 밀리파대용 반도체 패키지 및 밀리파대용 반도체 장치 |
| US9343793B2 (en) | 2014-02-07 | 2016-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Millimeter wave bands semiconductor package |
| US9536843B2 (en) | 2013-12-25 | 2017-01-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor package and semiconductor module |
-
1996
- 1996-12-11 JP JP33102796A patent/JP3791077B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9536843B2 (en) | 2013-12-25 | 2017-01-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor package and semiconductor module |
| JP2015133580A (ja) * | 2014-01-10 | 2015-07-23 | 古河電気工業株式会社 | 平面伝送線路導波管変換器 |
| CN104835806A (zh) * | 2014-02-07 | 2015-08-12 | 株式会社东芝 | 毫米波段半导体用封装件以及毫米波段用半导体装置 |
| KR20150093571A (ko) * | 2014-02-07 | 2015-08-18 | 가부시끼가이샤 도시바 | 밀리파대용 반도체 패키지 및 밀리파대용 반도체 장치 |
| JP2015149649A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 株式会社東芝 | ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置 |
| US9343794B2 (en) | 2014-02-07 | 2016-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Millimeter wave bands semiconductor package |
| US9343793B2 (en) | 2014-02-07 | 2016-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Millimeter wave bands semiconductor package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3791077B2 (ja) | 2006-06-28 |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
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|
| A521 | Written amendment |
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