JPH07202520A - マイクロ波回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高い周波数において、性能劣化が悪く、気密
を確保したマイクロ波回路を得る。 【構成】 誘電体又は半導体からなる基板１の一方の面
に形成したマイクロ波デバイス２と、上記マイクロ波デ
バイス２の地導体５に設けられた結合孔１５と、金属筐
体６内の導波管１６のＨ面に設けられた導波管結合孔１
７ａとを対向させ、電磁的に結合させ、上記地導体５と
上記金属筐体６を半田又は導電性接着剤８で一体化し、
上記金属筐体６と上記マイクロ波デバイス２を覆う金属
カバー７とを半田又は接着剤８ａで一体化した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、マイクロストリップ
ライン構造で形成したマイクロ波デバイスを気密構造で
収納してなるマイクロ波回路の改良に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】図６（ａ）は従来のマイクロ波回路の要
部を切断して示す平面図であり、図６（ｂ）はそのマイ
クロ波回路の断面図である。図において、１は誘電体ま
たは半導体からなる基板、２は基板１の一方の面に形成
したマイクロ波デバイス、３はマイクロ波デバイスを構
成するストリップ導体、４はマイクロ波デバイスを構成
品する半導体素子、５は基板１の他方の面に形成した地
導体、６は地導体と電気的に接続された金属筐体、７は
マイクロ波デバイスを覆うための金属カバー、８は半田
または導電性接着剤、８ａは半田または接着剤、９は貫
通端子、１０はコネクタ、１１はコネクタ１０の構成品
であるガラス等の気密性の誘電体、１２はコネクタ１０
の構成品である中心導体、１３は金リボン、１４はＯリ
ング、である。

【０００３】従来のマイクロ波回路は、マイクロ波デバ
イス２内の半導体素子４が貫通端子９を介し外部からの
制御信号又は電源の供給を得て、マイクロ波信号の増
幅、変調あるいは周波数変換等を実現し、これらのマイ
クロ波信号はコネクタ１０、金リボン１３及びストリッ
プ導体３を介し外部と接続されている。併せて、金属筐
体６と金属カバー７間は半田又は接着剤８ａの一体化
で、又金属筐体６とコネクタ１０間は気密性の誘電体１
１とＯリング１４により封止が実現され、マイクロ波デ
バイスの気密が確保されている。なお、このマイクロ波
回路では、説明の簡略化のため半導体素子が１個の場合
について説明しているが、通常のマイクロ波回路は半導
体素子を複数個連接して構成されている場合が多い。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のマ
イクロ波回路では、気密を確保しているコネクタにおい
て正常な同軸モードを伝搬させるために誘電体の等価径
を波長／２以下に選ぶ必要があり、周波数が高くなると
気密性の誘電体の径が細くなり過ぎ（例えば、１００Ｇ
Ｈｚでは０．２ｍｍ程度）、コネクタの加工が非常に困
難となり、併せて金リボンによるコネクタと中心導体の
接続では、金リボンが波長に対し短い場合、インダクタ
ンス等の寄生素子も少ないが、周波数が高くなると金リ
ボンの長さ・張り方が波長に対して有限な値になり、そ
の影響も無視出来無くなり、金リボンの長さ・張り方も
再現良く実現出来ないため、特性の再現性も乏しく、正
常な特性が得られない問題点があった。

【０００５】この発明はかかる問題点を解決するために
なされたものであり、マイクロ波信号の入出力及び入出
力部の気密性を基板を介し実現することにより、正常な
動作を実現することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係わる
マイクロ波回路は、誘電体または半導体からなる基板
と、上記基板の一方の面に形成したマイクロ波デバイス
と、他方の面に形成した地導体と、上記地導体に設けら
れた結合孔と、上記地導体と電気的に連続な金属筐体
と、上記基板を覆うための金属カバーと、上記金属筐体
にＨ面を上記地導体に向けて形成した導波管と、上記導
波管のＨ面に設けられた導波管結合孔とを備え、上記結
合孔と上記導波管結合孔とを対向させ、上記地導体と上
記金属筐体を半田あるいは導電性接着剤で一体化し、上
記金属筐体と上記金属カバーとを半田あるいは接着剤で
一体化し、上記結合孔と上記導波管結合孔を介して上記
マイクロ波デバイスと導波管とを電磁的に結合させるも
のである。

【０００７】請求項２の発明に係わるマイクロ波回路
は、誘電体または半導体からなる基板と、上記基板の一
方の面に形成したマイクロ波デバイスと、他方の面に形
成した地導体と、上記地導体に設けられた結合孔と、上
記地導体と電気的に連続な金属筐体と、上記基板を覆う
ための金属カバーと、上記金属筐体に端面を上記地導体
に向けて形成した導波管と、上記導波管の終端部に設け
られた第一の導波管結合孔とを備え、上記結合孔と上記
第一の導波管結合孔とを対向させ、上記地導体と上記金
属筐体を半田あるいは導電性接着剤で一体化し、上記金
属筐体と上記金属カバーとを半田あるいは接着剤で一体
化し、上記結合孔と上記導波管結合孔を介して上記マイ
クロ波デバイスと導波管とを電磁的に結合させるもので
ある。

【０００８】請求項３の発明に係わるマイクロ波回路
は、誘電体または半導体からなる第一の基板と、上記第
一の基板の一方の面に形成した第一マイクロ波デバイス
と、上記第一の基板の他方の面に形成した第一の地導体
と、上記第一の地導体に設けられた第一の結合孔と、誘
電体または半導体からなる第二の基板と、上記第二の基
板の一方の面に形成した第二のマイクロ波デバイスと、
上記第二の基板の他方の面に形成した第二の地導体と、
上記第二の地導体に設けられた第二の結合孔と、上記第
一の地導体及び上記第二の地導体と電気的に連続で、上
記第一の結合孔と上記第二の結合孔を回避する切り欠き
孔を設けた金属筐体と、上記第一の基板を覆うための金
属カバーとを備え、上記切り欠き孔を間にし上記第一の
結合孔と上記第二の結合孔とを対向させ、上記第一の地
導体と上記金属筐体を半田あるいは導電性接着剤で一体
化し、上記金属筐体と上記金属カバーとを半田あるいは
接着剤で一体化し、上記第一の結合孔と上記切り欠き孔
及び上記第二の結合孔を介して上記第一のマイクロ波デ
バイスと第二のマイクロ波デバイスとを電磁的に結合さ
せるものである。

【０００９】請求項４の発明に係わるマイクロ波回路、
は誘電体または半導体からなる第一の基板と、上記第一
の基板の一方の面に形成した第一マイクロ波デバイス
と、上記第一の基板の他方の面に形成した第一の地導体
と、上記第一の地導体に、設けられた第一の結合孔と、
誘電体からなる第二の基板と、上記第二の基板の一方の
面に形成した第一の放射導体と、誘電体または半導体か
らなる第三の基板と、上記第三の基板の一方の面に形成
した第二マイクロ波デバイスと、上記第三の基板の他方
の面に形成した第二の地導体と、上記第三の地導体に設
けられた第二の結合孔と、誘電体からなる第四の基板
と、上記第四の基板の一方の面に形成した第二の放射導
体と、上記第一の地導体及び上記第２の地導体と電気的
に連続で、上記第二の基板と上記第四の基板を回避する
第一の切り欠き孔を設けた金属筐体と、上記第一の基板
を覆うための金属カバーとを備え、上記第二の基板の他
方の面を上記第一の地導体に対向させ、上記第一基板と
上記第二の基板を積層し、上記第四の基板の他方の面を
上記第三の地導体に対向させ、上記第三基板と上記第四
の基板を積層し、上記第一の放射導体と上記第二の放射
導体を対向させ、上記第一の地導体と上記金属筐体を半
田あるいは導電性接着剤とで一体化し、上記金属筐体と
上記金属カバーとを半田あるいは接着剤で一体化し、上
記第一の結合孔と上記第２の結合孔を介して上記第一の
マイクロ波デバイスと第二のマイクロ波デバイスとを電
磁的に結合させるものである。

【００１０】請求項５の発明に係わるマイクロ波回路
は、誘電体または半導体からなる基板と、上記基板の一
方の面に形成したマイクロ波デバイスと、他方の面に形
成した地導体と、上記基板の両面間で、マイクロ波デバ
イスに電気的に接続されたスルーホールと、上記スルー
ホール内に半田等で固定され上記地導体面より突出した
導体ピンと、上記地導体に設けた上記スルーホールを中
心とする同軸孔と、上記地導体と電気的に接続された金
属筐体と、上記基板を覆うための金属カバーと、上記金
属筐体にＨ面を上記地導体に向けて形成した導波管と、
上記導波管のＨ面に設けられた第二の導波管結合孔とを
備え、上記同軸孔と上記第二の導波管結合孔とを対向さ
せ、上記地導体と上記金属筐体を半田あるいは導電性接
着剤で一体化し、上記金属筐体と上記金属カバーとを半
田あるいは接着剤で一体化し、上記同軸孔と上記第二の
導波管結合孔を介して上記マイクロ波デバイスと導波管
とを電磁的に結合させるものである。

【００１１】

【作用】この発明におけるマイクロ波回路は、基板に設
けた地導体の結合孔と導波管のＨ面に設けた導波管結合
孔とでマイクロ波デバイスと導波管とが電磁結合し、マ
イクロ波デバイスにおけるマイクロ波信号の入出力部の
気密が基板を介して確保される。

【００１２】又、基板に設けた地導体の結合孔と導波管
の終端部に設けた第一の導波管結合孔とでマイクロ波デ
バイスと導波管とが電磁結合し、マイクロ波デバイスに
おけるマイクロ波信号の入出力部の気密が基板を介して
確保される。

【００１３】また、マイクロ波デバイス相互を、各々の
基板に設けた地導体の結合孔で電磁結合し、半導体素子
を含むマイクロ波デバイスにおけるマイクロ波信号の入
出力部の気密が基板を介して確保される。

【００１４】また、マイクロ波デバイス相互を、第一、
第二の基板に設けた地導体の結合孔と、各々の結合孔に
対応し、第三、第四の基板に設けた第一、第二の放射導
体とで電磁結合し、半導体素子を含むマイクロ波デバイ
スにおけるマイクロ波信号の入出力部の気密が基板を介
して確保される。

【００１５】また、基板に設けたマイクロ波デバイスと
接続されるスルーホールと導体ピンとで構成された同軸
孔と、導波管のＨ面に設けた第二の導波管結合孔とでマ
イクロ波デバイスと導波管とが電磁結合し、マイクロ波
デバイスにおけるマイクロ波信号の入出力部の気密が基
板を介して確保される。

【００１６】

【実施例】

実施例１．図１（ａ）はこの発明のマイクロ波回路の要
部を切断してを示す平面図であり、図１（ｂ）はそのマ
イクロ波回路の断面図である。図において、１〜９は従
来のマイクロ波回路と全く同一のものであり、１５は地
導体に設けられた結合孔、１６は金属筐体に形成した導
波管、１７は導波管のＨ面に設けられた導波管結合孔で
ある。ここで、結合孔１５はストリップ導体３の先端開
放部から波長／４のヵ所に設け、Ｈ面導波管の導波管結
合孔１７は先端短絡部から波長／２のヵ所に設けてい
る。

【００１７】次に動作について説明する。マイクロ波デ
バイスのマイクロ波信号は、マイクロ波デバイス２を構
成するストリップ導体３の裏面の地導体５に直交して設
けた結合孔１５と導波管１６のＨ面に設けられた導波管
結合孔１７を対向させ、上記地導体５と上記金属筐体６
は半田又は導電性接着剤８で電気的に接続しているた
め、結合孔１５と導波管結合孔１７を介し電磁的に結合
させることが出来、導波管１６を介し外部と接続されて
いる。さらに、上記地導体５と上記金属筐体６は半田又
は導電性接着剤８で一体化し、金属筐体６と金属カバー
７は半田又は接着剤８ａで一体化しているため、マイク
ロ波信号の入出力部は基板１及び半田又は導電性接着剤
８により、又他は半田又は接着剤８ａにより封止が実現
出来、マイクロ波デバイス２の気密は確保できている。
このため、従来のように、微細加工が必要となる気密性
のコネクタと寸法精度を出しにくい金リボンを用いず、
加工性・再現性の良い結合孔１５と導波管結合孔１７の
電磁結合により外部の導波管と接続し、その箇所で気密
を確保しているため、高い周波数で性能劣化の無く、導
波管を介したマイクロ波デバイスの連接も出来る。

【００１８】実施例２．図２（ａ）はこの発明のマイク
ロ波回路の要部を切断してを示す平面図であり、図２
（ｂ）はそのマイクロ波回路の断面図である。図におい
て、１７ａは導波管の終端部に設けた第一の導波管結合
孔である。

【００１９】次に動作について説明する。第一のマイク
ロ波デバイスのマイクロ波信号は、マイクロ波デバイス
２を構成するストリップ導体３の裏面の地導体５に直交
して設けた結合孔１５と導波管の終端部に設けられた第
一の導波管結合孔１７ａを対向させ、上記地導体５と上
記金属筐体６は半田又は導電性接着剤８で電気的に接続
しているため、結合孔１５と第一の導波管結合孔１７ａ
を介し電磁的に結合させることが出来、導波管１６を介
し外部と接続されている。さらに、上記地導体５と上記
金属筐体６は半田又は導電性接着剤８で一体化し、金属
筐体６と金属カバー７は半田又は接着剤８ａで一体化し
ているため、マイクロ波信号の入出力部は基板１及び半
田又は導電性接着剤８により、又他は半田又は接着剤８
ａにより封止が実現出来、マイクロ波デバイス２の気密
は確保できている。このため、従来のように、微細加工
が必要となる気密性のコネクタと寸法精度を出しにくい
金リボンを用いず、加工性・再現性の良い結合孔１５と
第一の導波管結合孔１７ａの電磁結合により外部の導波
管と接続し、その箇所で気密を確保しているため、高い
周波数で性能劣化の無く、導波管を介したマイクロ波デ
バイスの連接も出来る。

【００２０】実施例３．図３（ａ）はこの発明のマイク
ロ波回路の要部を切断してを示す平面図であり、図３
（ｂ）はそのマイクロ波回路の断面図である。図におい
て、１ａは第一の基板、２ａは第一の基板の一方の面に
形成した第一マイクロ波デバイス、５ａは第一の基板の
他方の面に形成した第一の地導体、１５ａは第一の地導
体に設けられた第一の結合孔、１ｂは第二の基板、２ｂ
は第二の基板の一方の面に形成した第二のマイクロ波デ
バイス、５ｂは第二の基板の他方の面に形成した第二の
地導体、１５ｂａは第二の地導体に設けられた第二の結
合孔、１８は金属筐体６に設けられ上記第一の結合孔１
５ａと上記第二の結合孔１５ｂを回避する切り欠き孔で
ある。

【００２１】次に動作について説明する。第一のマイク
ロ波デバイス２ａのマイクロ波信号は、上記切り欠き孔
１８を間にし上記第一の結合孔１５ａと上記第二の結合
孔１５ｂとを対向させ、上記第一の地導体５ａと上記金
属筐体６及び上記第二の地導体５ｂと上記金属筐体６を
半田あるいは導電性接着剤８で電気的に接続しているた
め、上記第一の結合孔１５ａと上記切り欠き孔１８及び
上記第二の結合孔１５ｂを介してを電磁的に結合させる
ことが出来、第二のマイクロ波デバイス２ｂを介し外部
と接続されている。さらに、上記第一の地導体５ａと上
記金属筐体６は半田又は導電性接着剤８で一体化し、金
属筐体６と金属カバー７は半田又は接着剤８ａで一体化
しているため、マイクロ波信号の入出力部は基板１及び
半田又は導電性接着剤８により、又他は半田又は接着剤
８ａにより封止が実現出来、半導体素子４を含む第１の
マイクロ波デバイス２ａの気密は確保できている。この
ため、従来のように、微細加工が必要となる気密性のコ
ネクタと寸法精度を出しにくい金リボンを用いず、加工
性・再現性の良い第一の結合孔１５ａと第二の結合孔１
５ｂの電磁結合により外部のマイクロ波デバイスと接続
し、その箇所で気密を確保しているため、高い周波数で
性能劣化の無く、ストリップ線路を介したマイクロ波デ
バイスの連接も出来る。

【００２２】実施例４．図４（ａ）はこの発明のマイク
ロ波回路の要部を切断してを示す平面図であり、図４
（ｂ）はそのマイクロ波回路の断面図である。図におい
て、１ｃは第三の基板、１９ａは第三の基板１ｃに形成
した第一の放射導体、１ｄは第四の基板、１９ｂは第四
の基板１ｄに形成した第二の放射導体、１８ａは金属筐
体６設けた上記第三の基板１ｃと上記第四の基板１ｄを
回避する第一の切り欠き孔である。

【００２３】次に動作について説明する。第一のマイク
ロ波デバイス２ａのマイクロ波信号は、上記第三の基板
１ｃの他方の面を上記第一の地導体５ａに対向させ、上
記第一基板１ａと上記第三の基板を積層し、上記第四の
基板１ｄの他方の面を上記第二の地導体５ｂに対向さ
せ、上記第二基板１ｂと上記第四の基板１ｄを積層し、
上記第一の放射導体１９ａと上記第二の放射導体１９ｂ
を対向させ、上記第一の地導体５ａと上記金属筐体６及
び上記第二の地導体５ｂと上記金属筐体６を半田あるい
は導電性接着剤８で電気的に接続しているため、上記第
一の結合孔１５ａと上記第二の結合孔１５ｂ及び上記第
一の放射導体１９ａと上記第二の放射導体１９ｂを介し
て電磁的に結合させることが出来、第二のマイクロ波デ
バイス２ｂを介し外部と接続されている。さらに、上記
第一の地導体５ａと上記金属筐体６を半田あるいは導電
性接着剤８で一体化し、金属筐体６と金属カバー７は半
田又は接着剤８ａで一体化しているため、マイクロ波信
号の入出力部は第一の基板１ａ及び半田又は導電性接着
剤８により、又他は半田又は接着剤８ａにより封止が実
現出来、半導体素子４を含む第一のマイクロ波デバイス
２ａの気密は確保できている。このため、従来のよう
に、微細加工が必要となる気密性のコネクタと寸法精度
を出しにくい金リボンを用いず、加工性の良い第一の結
合孔１５ａと第二の結合孔１５ｂ及び第一の放射導体１
９ａと第二の放射導体１９ｂの電磁結合により外部のマ
イクロ波デバイスと接続し、その箇所で気密を確保して
いるため、高い周波数で性能劣化の無く、ストリップ線
路を介したマイクロ波デバイスの連接も出来、第一の放
射導体１９ａと第二の放射導体１９ｂを離すことも出来
るため多数のマイクロ波デバイスを接続することも容易
となる。

【００２４】実施例５．図５（ａ）はこの発明のマイク
ロ波回路の要部を切断してを示す平面図であり、図５
（ｂ）はそのマイクロ波回路の断面図である。図におい
て、１７ｂ導波管のＨ面に設けた第二の導波管結合孔、
２０は上記基板１の両面間でストリップ導体３に電気的
に接続されたスルーホール、２１は上記スルーホール２
２内に半田等で固定され上記地導体５面より突出した導
体ピン、２２は導体ピン２１と上記地導体５に設けた上
記スルーホール２０を中心とする同軸孔である。ここ
で、スルーホール２２はストリップ導体３の先端開放部
に設け、Ｈ面導波管の第二の導波管結合孔１７ｂは先端
短絡部から波長／４のヵ所に設けている。

【００２５】次に動作について説明する。マイクロ波デ
バイス２のマイクロ波信号は、上記同軸孔２２と上記第
二の導波管結合孔１７ｂとを対向させ、上記地導体５と
上記金属筐体６を半田あるいは導電性接着剤８で電気的
に接続しているため、上記同軸孔２２と上記第二の導波
管結合孔１７ｂを介して電磁的に結合させることが出
来、導波管１６を介し外部と接続されている。さらに、
上記地導体５と上記金属筐体６は半田又は導電性接着剤
８で一体化し、金属筐体６と金属カバー７は半田又は接
着剤８ａで一体化しているため、マイクロ波信号の入出
力部は基板１及び半田又は導電性接着剤８により、又他
は半田又は接着剤８ａにより封止が実現出来、マイクロ
波デバイス２の気密は確保できている。このため、従来
のように、微細加工が必要となる気密性のコネクタと寸
法精度を出しにくい金リボンを用いず、加工性・再現性
の良い同軸孔２２と第二の導波管結合孔１７ｂの電磁結
合により外部の導波管と接続し、その箇所で気密を確保
しているため、高い周波数で性能劣化の無く、導波管を
介したマイクロ波デバイスの連接も出来る。

【００２６】

【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に記載されるような効果が有る。

【００２７】基板に設けた地導体の結合孔と導波管のＨ
面に設けた導波管結合孔とでマイクロ波デバイスと導波
管とを電磁結合させ、マイクロ波デバイスにおけるマイ
クロ波信号の入出力部の気密を基板を介して確保してい
るため、高い周波数においても電気的性能を劣化させる
こと無く、正常な動作が実現出来、導波管を媒介とした
マイクロ波デバイスの連接も可能となる。

【００２８】基板に設けた地導体の結合孔と導波管の終
端部に設けた第一の導波管結合孔とでマイクロ波デバイ
スと導波管とを電磁結合させ、マイクロ波デバイスにお
けるマイクロ波信号の入出力部の気密を基板を介して確
保しているため、高い周波数においても電気的性能を劣
化させること無く、正常な動作が実現出来、導波管を媒
介としたマイクロ波デバイスの連接も可能となる。

【００２９】マイクロ波デバイス相互を、各々の基板に
設けた地導体の結合孔で電磁結合させ、半導体素子を含
むマイクロ波デバイスにおけるマイクロ波信号の入出力
部の気密を基板を介して確保しているため、高い周波数
においても電気的性能を劣化させること無く、正常な動
作が実現出来、ストリップ線路を媒介としたマイクロ波
デバイスの連接も可能となる。

【００３０】マイクロ波デバイス相互を、第一、第二の
基板地導体に設けた結合孔と、各々の結合孔に対応し、
第三、第四の基板に設けた第一、第二の放射導体とで電
磁結合させ、半導体素子を含む第一のマイクロ波デバイ
スにおけるマイクロ波信号の入出力部の気密を基板を介
して確保しているため、高い周波数においても電気的性
能を劣化させること無く、正常な動作が実現出来、第
一、第二の放射素子間を離すことも出来るため、多数の
マイクロ波デバイスを接続するフェーズアレイアンテナ
の給電系等に利用出来る。

【００３１】基板に設けたマイクロ波デバイスと接続さ
れるスルーホールと導体ピンとで構成された同軸孔と、
導波管のＨ面に設けた第二の導波管結合孔とでマイクロ
波デバイスと導波管とを電磁結合させ、マイクロ波デバ
イスにおけるマイクロ波信号の入出力部の気密を基板を
主にして確保しているため、高い周波数においても電気
的性能を劣化させること無く、正常な動作が実現出来
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１の平面図と断面図である。

【図２】この発明の実施例２の平面図と断面図である。

【図３】この発明の実施例３の平面図と断面図である。

【図４】この発明の実施例４の平面図と断面図である。

【図５】この発明の実施例５の平面図と断面図である。

【図６】従来のマイクロ波回路の平面図と断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 基板 １ａ 第一の基板 １ｂ 第二の基板 １ｃ 第三の基板 １ｄ 第四の基板 ２ マイクロ波デバイス ２ａ 第一のマイクロ波デバイス ２ｂ 第二のマイクロ波デバイス ３ ストリップ導体 ４ 半導体素子 ５ 地導体 ５ａ 第一の地導体 ５ｂ 第二の地導体 ６ 金属筐体 ７ 金属カバー ８ 半田又は導電性接着剤 ８ａ 半田又は接着剤 ９ 貫通端子 １０ コネクタ １１ 誘電体 １２ 中心導体 １３ 金リボン １４ Ｏリング １５ 結合孔 １５ａ 第一の結合孔 １５ｂ 第二の結合孔 １６ 導波管 １７ 導波管結合孔 １７ａ 第一の導波管結合孔 １７ｂ 第二の導波管結合孔 １８ 切り欠き孔 １８ａ 第一の切り欠き孔 １９ａ 第一の放射導体 １９ｂ 第二の放射導体 ２０ スルーホール ２１ 導体ピン ２２ 同軸孔

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体または半導体からなる基板と、上
   記基板の一方の面に形成したマイクロ波デバイスと、他
   方の面に形成し、結合孔を設けた地導体と、上記地導体
   と接し、上記結合孔と電磁的に結合するための導波管結
   合孔をＨ面に有する導波管を設けた金属筐体と、上記基
   板を覆うための金属カバーと、上記地導体と上記金属筐
   体を一体化するための半田あるいは導電性接着剤と、上
   記金属筐体と上記金属カバーを一体化するための半田あ
   るいは接着剤とで構成したことを特徴とするマイクロ波
   回路。
2. 【請求項２】 誘電体または半導体からなる基板と、上
   記基板の一方の面に形成したマイクロ波デバイスと、他
   方の面に形成し、結合孔を設けた地導体と、上記地導体
   と接し、上記結合孔と電磁的に結合するための第一の導
   波管結合孔を終端部に有する導波管を設けた金属筐体
   と、上記基板を覆うための金属カバーと、上記地導体と
   上記金属筐体を一体化するための半田あるいは導電性接
   着剤と、上記金属筐体と上記金属カバーと一体化するた
   めの半田あるいは接着剤とで構成したことを特徴とする
   マイクロ波回路。
3. 【請求項３】 誘電体または半導体からなる第一の基板
   と、上記第一の基板の一方の面に形成した第一マイクロ
   波デバイスと、上記第一の基板の他方の面に形成し、第
   一の結合孔を備えた第一の地導体と、誘電体または半導
   体からなる第二の基板と、上記第二の基板の一方の面に
   形成した第二のマイクロ波デバイスと、上記第二の基板
   の他方の面に形成し、上記第一の結合孔と電磁的に結合
   するための第二の結合孔を備えた第二の地導体と、上記
   第一の地導体及び上記第二の地導体と接し、上記第一の
   結合孔と上記第二の結合孔を回避する切り欠き孔を設け
   た金属筐体と、上記第一の基板を覆うための金属カバー
   と、上記第一の地導体と上記金属筐体を一体化するため
   の半田あるいは導電性接着剤と、上記金属筐体と上記金
   属カバーを一体化するための半田あるいは接着剤とで構
   成したことを特徴とするマイクロ波回路。
4. 【請求項４】 誘電体または半導体からなる第一の基板
   と、上記第一の基板の一方の面に形成した第一マイクロ
   波デバイスと、上記第一の基板の他方の面に形成し、第
   一の結合孔を設けた第一の地導体と、上記第一の結合孔
   に一方の面が接し、誘電体からなる第三の基板と、上記
   第二の結合孔と電磁的に結合するための上記第三の基板
   の他方の面に形成した第一の放射導体と、誘電体または
   半導体からなる第二の基板と、上記第二の基板の一方の
   面に形成した第二マイクロ波デバイスと、上記第二の基
   板の他方の面に形成し、第二の結合孔を設けた第二の地
   導体と、第二の結合孔に一方の面が接し、誘電体からな
   る第四の基板と、上記第一の放射導体と対向し、上記第
   二の結合孔と電磁的に結合するための上記第四の基板の
   他方の面に形成した第二の放射導体と、上記第一の地導
   体及び上記第二の地導体と接し、上記第一の結合孔、上
   記第二の結合孔、上記第三の基板及び上記第四の基板を
   回避するための第一の切り欠き孔を設けた金属筐体と、
   上記第一の基板を覆うための金属カバーと、上記第一の
   地導体と上記金属筐体を一体化するための半田あるいは
   導電性接着剤と、上記金属筐体と上記金属カバーを一体
   化するための半田あるいは接着剤と、上記第一の結合孔
   と上記第二の結合孔を介して上記第一のマイクロ波デバ
   イスと第二のマイクロ波デバイスとを電磁的に結合させ
   ることを特徴とするマイクロ波回路。
5. 【請求項５】 誘電体または半導体からなる基板と、上
   記基板の一方の面に形成したマイクロ波デバイスと、上
   記基板の両面間で、マイクロ波デバイスに電気的に接続
   されたスルーホールと、上記スルーホール内に半田等で
   固定され上記基板の他方の面より突出した導体ピンと、
   上記基板の他方の面に形成し、上記スルーホールを中心
   とする同軸孔を設けた地導体と、上記地導体と接し、上
   記同軸孔と電磁的に結合するための第二の導波管結合孔
   をＨ面に有する導波管を設けた金属筐体と、上記基板を
   覆うための金属カバーと、上記地導体と上記金属筐体を
   一体化するための半田あるいは導電性接着剤と、上記金
   属筐体と上記金属カバーを一体化するための半田あるい
   は接着剤とで構成したことを特徴とするマイクロ波回
   路。