JPH11112209A - 高周波用パッケージおよびその接続構造 - Google Patents
高周波用パッケージおよびその接続構造Info
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- JPH11112209A JPH11112209A JP9266312A JP26631297A JPH11112209A JP H11112209 A JPH11112209 A JP H11112209A JP 9266312 A JP9266312 A JP 9266312A JP 26631297 A JP26631297 A JP 26631297A JP H11112209 A JPH11112209 A JP H11112209A
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Abstract
(57)【要約】
【課題】キャビティ内部を気密に保ったまま開放端を有
する導波管に直接接続できる量産性に優れた高周波用パ
ッケージとその接続構造を提供する。 【解決手段】誘電体基板１と、高周波素子４を収納する
ためのキャビティ３と、蓋体２と、キャビティ３内の誘
電体基板１表面に被着形成され、高周波素子４と一端が
接続され且つ終端５ａを有する高周波用伝送線路５を具
備する高周波用パッケージＡ１と、開放端Ｂ’を有する
導波管Ｂとの接続構造であって、パッケージＡ１が誘電
体基板１の伝送線路５形成面と反対の表面に設けられ伝
送線路５の終端５ａと対峙する位置に開口部６が形成さ
れたグランド層７と、少なくとも開口部６を含むグラン
ド層表面に形成された整合用誘電体９とを具備し、導波
管Ｂ１をグランド層７とに開口部６が導波管Ｂ１の中心
となる位置にて電気的に接続してグランド層７が導波管
Ｂ１の終端壁を形成せしめるように接続する。
する導波管に直接接続できる量産性に優れた高周波用パ
ッケージとその接続構造を提供する。 【解決手段】誘電体基板１と、高周波素子４を収納する
ためのキャビティ３と、蓋体２と、キャビティ３内の誘
電体基板１表面に被着形成され、高周波素子４と一端が
接続され且つ終端５ａを有する高周波用伝送線路５を具
備する高周波用パッケージＡ１と、開放端Ｂ’を有する
導波管Ｂとの接続構造であって、パッケージＡ１が誘電
体基板１の伝送線路５形成面と反対の表面に設けられ伝
送線路５の終端５ａと対峙する位置に開口部６が形成さ
れたグランド層７と、少なくとも開口部６を含むグラン
ド層表面に形成された整合用誘電体９とを具備し、導波
管Ｂ１をグランド層７とに開口部６が導波管Ｂ１の中心
となる位置にて電気的に接続してグランド層７が導波管
Ｂ１の終端壁を形成せしめるように接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波用半導体素
子や、高周波用受動素子などの高周波素子等を気密封止
するための高周波用パッケージとその接続構造に関し、
気密を保持しつつ外部電気回路等に形成された導波管に
直接接続することのできる高周波用パッケージとその接
続構造に関するものである。
子や、高周波用受動素子などの高周波素子等を気密封止
するための高周波用パッケージとその接続構造に関し、
気密を保持しつつ外部電気回路等に形成された導波管に
直接接続することのできる高周波用パッケージとその接
続構造に関するものである。
【０００２】
【従来技術】近年、社会の情報化が進み、情報の伝達は
携帯電話に代表されるように無線化、パーソナル化が進
んでいる。このような状況の中、さらに高速大容量の情
報伝達を可能にするために、ミリ波（３０〜３００ＧＨ
ｚ）領域で動作する半導体素子の開発が進んでいる。最
近ではこのような高周波半導体素子技術の進歩に伴い、
その応用として車間レーダーや無線ＬＡＮのようなミリ
波の電波を用いたさまざまな応用システムも提案される
ようになってきた。例えば、ミリ波を用いた車間レーダ
ー（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ大会、ＳＣ−７−６参照）、コードレスカメラ
システム（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニク
スソサイエティ大会、Ｃ−１３７参照）、高速無線ＬＡ
Ｎ（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ大会、Ｃ−１３９参照）が提案されている。
携帯電話に代表されるように無線化、パーソナル化が進
んでいる。このような状況の中、さらに高速大容量の情
報伝達を可能にするために、ミリ波（３０〜３００ＧＨ
ｚ）領域で動作する半導体素子の開発が進んでいる。最
近ではこのような高周波半導体素子技術の進歩に伴い、
その応用として車間レーダーや無線ＬＡＮのようなミリ
波の電波を用いたさまざまな応用システムも提案される
ようになってきた。例えば、ミリ波を用いた車間レーダ
ー（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ大会、ＳＣ−７−６参照）、コードレスカメラ
システム（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニク
スソサイエティ大会、Ｃ−１３７参照）、高速無線ＬＡ
Ｎ（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ大会、Ｃ−１３９参照）が提案されている。
【０００３】このようにミリ波の応用が進むにつれ、そ
れらの応用を可能とするための要素技術の開発も同時に
進められており、特に、各種の電子部品においては、必
要な伝送特性を有しながら、いかに小型化と低コスト化
を図るかが、大きな課題となっている。
れらの応用を可能とするための要素技術の開発も同時に
進められており、特に、各種の電子部品においては、必
要な伝送特性を有しながら、いかに小型化と低コスト化
を図るかが、大きな課題となっている。
【０００４】このような要素技術の中でも、高周波素子
が収納されたパッケージと、外部電気回路とをいかに簡
単で且つ小型な構造で接続するかが重要な要素として位
置づけられている。とりわけ、伝送損失の最も小さい導
波管が形成された外部電気回路と、高周波素子を搭載し
たパッケージとをいかに接続するかが大きな問題であっ
た。
が収納されたパッケージと、外部電気回路とをいかに簡
単で且つ小型な構造で接続するかが重要な要素として位
置づけられている。とりわけ、伝送損失の最も小さい導
波管が形成された外部電気回路と、高周波素子を搭載し
たパッケージとをいかに接続するかが大きな問題であっ
た。
【０００５】従来における高周波用パッケージを外部電
気回路に形成された導波管に接続する方法としては、高
周波用パッケージからコネクタを用いて一旦同軸線路に
変換して導波管と接続する方法、外部電気回路におい
て、導波管を一旦マイクロストリップ線路等に接続した
後、そのマイクロストリップ線路と高周波用パッケージ
とを接続する方法が採用される。
気回路に形成された導波管に接続する方法としては、高
周波用パッケージからコネクタを用いて一旦同軸線路に
変換して導波管と接続する方法、外部電気回路におい
て、導波管を一旦マイクロストリップ線路等に接続した
後、そのマイクロストリップ線路と高周波用パッケージ
とを接続する方法が採用される。
【０００６】最近では、高周波素子を収納したパッケー
ジを外部電気回路の導波管に直接接続する方法も提案さ
れている（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニク
スソサイエティ大会、ＳＣ−７−５参照）。この提案で
は、素子をキャビティ内に気密封止する蓋体の一部に石
英を埋め込み、その石英埋め込み部を通じて電磁波をキ
ャビティ内に導入し、キャビティ内に設置した導波管−
マイクロストリップ線路変換基板と接続したものであ
る。
ジを外部電気回路の導波管に直接接続する方法も提案さ
れている（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニク
スソサイエティ大会、ＳＣ−７−５参照）。この提案で
は、素子をキャビティ内に気密封止する蓋体の一部に石
英を埋め込み、その石英埋め込み部を通じて電磁波をキ
ャビティ内に導入し、キャビティ内に設置した導波管−
マイクロストリップ線路変換基板と接続したものであ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように、外部電気回路の導波管を一旦、コネクタやマイ
クロストリップ線路などの他の伝送線路形態を介して、
パッケージと接続する方法では、接続構造自体が複雑化
するとともに、コネクタや他の伝送線路を形成する領域
を確保する必要があるために、接続構造自体が大型化し
てしまうという問題があった。しかも、他の線路形態や
コネクタを介することにより伝送損失が増大する可能性
もあった。
ように、外部電気回路の導波管を一旦、コネクタやマイ
クロストリップ線路などの他の伝送線路形態を介して、
パッケージと接続する方法では、接続構造自体が複雑化
するとともに、コネクタや他の伝送線路を形成する領域
を確保する必要があるために、接続構造自体が大型化し
てしまうという問題があった。しかも、他の線路形態や
コネクタを介することにより伝送損失が増大する可能性
もあった。
【０００８】これに対して、導波管から電磁波の形でパ
ッケージのキャビティ内部まで直接導入する方法は、接
続構造を小型化できる点では有効的であるが、蓋などの
キャビティ形成部材を通過する際に電磁波の損失を小さ
くするために、その通過部を誘電率および誘電正接が小
さい材料を使用することが必要であり、そのために、前
記文献に記載されるように、石英などの低誘電率、低損
失材料を埋め込む処理が必要となる。このような埋め込
み処理は、気密封止性の信頼性を損なうばかりでなく、
量産には全く不向きである。
ッケージのキャビティ内部まで直接導入する方法は、接
続構造を小型化できる点では有効的であるが、蓋などの
キャビティ形成部材を通過する際に電磁波の損失を小さ
くするために、その通過部を誘電率および誘電正接が小
さい材料を使用することが必要であり、そのために、前
記文献に記載されるように、石英などの低誘電率、低損
失材料を埋め込む処理が必要となる。このような埋め込
み処理は、気密封止性の信頼性を損なうばかりでなく、
量産には全く不向きである。
【０００９】また、キャビティ形成部材をすべて低誘電
率、低損失材料によって構成することも考えられるが、
パッケージを構成する材料として、それら電気特性以外
にも機械的な強度や気密封止性、メタライズ性など各種
の特性が要求され、それら特性をすべて満足し、且つ安
価に製造できるような適切な材料は見当たらない。
率、低損失材料によって構成することも考えられるが、
パッケージを構成する材料として、それら電気特性以外
にも機械的な強度や気密封止性、メタライズ性など各種
の特性が要求され、それら特性をすべて満足し、且つ安
価に製造できるような適切な材料は見当たらない。
【００１０】つまり、上記の困難性は、高周波信号を導
波管を通じ電磁波のままパッケージのキャビティ内部に
導入しようとすることによって生じている。つまり信号
が、キャビティ内部に導入される部分において電磁波で
あるため、この部分の気密封止性と低損失化を両立させ
なければならないためである。
波管を通じ電磁波のままパッケージのキャビティ内部に
導入しようとすることによって生じている。つまり信号
が、キャビティ内部に導入される部分において電磁波で
あるため、この部分の気密封止性と低損失化を両立させ
なければならないためである。
【００１１】本発明は、前記課題を解消せんとして成さ
れたもので、高周波素子の気密性に影響を及ぼすことな
く、外部電気回路に設けられた導波管と直接的に低損失
に接続可能な接続部を具備する高周波用パッケージを提
供することを目的とするものである。また、本発明は、
前記高周波用パッケージを用いて外部電気回路に設けら
れた導波管に対して、低損失に接続可能な接続構造を提
供することを他の目的とするものである。
れたもので、高周波素子の気密性に影響を及ぼすことな
く、外部電気回路に設けられた導波管と直接的に低損失
に接続可能な接続部を具備する高周波用パッケージを提
供することを目的とするものである。また、本発明は、
前記高周波用パッケージを用いて外部電気回路に設けら
れた導波管に対して、低損失に接続可能な接続構造を提
供することを他の目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
について鋭意検討した結果、キャビティ内部に収納され
る高周波素子に接続される高周波伝送線路を形成した面
とは反対の誘電体基板表面に開口部を有するグランド層
を形成し、このグランド層を接続する導波管の終端壁と
して機能させるとともに、高周波伝送線路を電磁結合に
より開口部に結合させ、この開口部を用いて接続した導
波管を励振させることにより、開放端を有する導波管と
直接的に接続することができるとともに、高周波素子の
キャビティ内での封止を確実に行うことができることを
見いだした。
について鋭意検討した結果、キャビティ内部に収納され
る高周波素子に接続される高周波伝送線路を形成した面
とは反対の誘電体基板表面に開口部を有するグランド層
を形成し、このグランド層を接続する導波管の終端壁と
して機能させるとともに、高周波伝送線路を電磁結合に
より開口部に結合させ、この開口部を用いて接続した導
波管を励振させることにより、開放端を有する導波管と
直接的に接続することができるとともに、高周波素子の
キャビティ内での封止を確実に行うことができることを
見いだした。
【００１３】即ち、本発明の高周波用パッケージは、誘
電体材料からなる誘電体基板と、高周波素子を収納する
ためのキャビティと、該キャビティ内を封止するための
蓋体と、該キャビティ内における前記誘電体基板の表面
に被着形成され、前記高周波素子と一端が接続され且つ
終端を有する高周波用伝送線路と、前記高周波用伝送線
路と導波管とを接続するための接続部を具備する高周波
用パッケージであって、前記接続部が、前記誘電体基板
の前記伝送線路形成面と反対の表面に設けられ、前記高
周波用伝送線路の終端と前記第１の誘電体基板を介して
対峙する位置に開口部が形成され、且つ接続される導波
管の導体壁と電気的に接続することにより導波管の終端
壁を構成するグランド層と、該グランド層の少なくとも
前記開口部形成表面に形成された整合用誘電体部とを具
備することを特徴とするものである。
電体材料からなる誘電体基板と、高周波素子を収納する
ためのキャビティと、該キャビティ内を封止するための
蓋体と、該キャビティ内における前記誘電体基板の表面
に被着形成され、前記高周波素子と一端が接続され且つ
終端を有する高周波用伝送線路と、前記高周波用伝送線
路と導波管とを接続するための接続部を具備する高周波
用パッケージであって、前記接続部が、前記誘電体基板
の前記伝送線路形成面と反対の表面に設けられ、前記高
周波用伝送線路の終端と前記第１の誘電体基板を介して
対峙する位置に開口部が形成され、且つ接続される導波
管の導体壁と電気的に接続することにより導波管の終端
壁を構成するグランド層と、該グランド層の少なくとも
前記開口部形成表面に形成された整合用誘電体部とを具
備することを特徴とするものである。
【００１４】また、かかる高周波用パッケージは、前記
グランド層表面に形成された整合用誘電体部の周囲に、
前記グランド層と電気的に接続され、且つ導波管の導体
壁と接続される金属枠体が取り付けられていること、あ
るいは前記誘電体基板のグランド層形成面側に、前記整
合用誘電体部を具備する第２の誘電体基板が積層され、
該第２の誘電体基板の前記整合用誘電体部の周囲に、前
記導波管の導体壁と前記グランド層を電気的に接続する
ためのビアホール導体あるいは貫通孔が形成されてなる
ことを特徴とするもので、さらには、前記整合用誘電体
部の厚さが該誘電体内の信号波長の１／４であること、
前記誘電体基板および／または整合用誘電体部がセラミ
ックスまたは有機樹脂、あるいはそれらの複合体からな
ること、前記高周波伝送線路および前記グランド層が、
タングステン、モリブデン、銅、銀および金の群から選
ばれる少なくとも１種を主成分とする導体からなること
を特徴とする。
グランド層表面に形成された整合用誘電体部の周囲に、
前記グランド層と電気的に接続され、且つ導波管の導体
壁と接続される金属枠体が取り付けられていること、あ
るいは前記誘電体基板のグランド層形成面側に、前記整
合用誘電体部を具備する第２の誘電体基板が積層され、
該第２の誘電体基板の前記整合用誘電体部の周囲に、前
記導波管の導体壁と前記グランド層を電気的に接続する
ためのビアホール導体あるいは貫通孔が形成されてなる
ことを特徴とするもので、さらには、前記整合用誘電体
部の厚さが該誘電体内の信号波長の１／４であること、
前記誘電体基板および／または整合用誘電体部がセラミ
ックスまたは有機樹脂、あるいはそれらの複合体からな
ること、前記高周波伝送線路および前記グランド層が、
タングステン、モリブデン、銅、銀および金の群から選
ばれる少なくとも１種を主成分とする導体からなること
を特徴とする。
【００１５】また、本発明の高周波用パッケージの接続
構造は、誘電体材料からなる誘電体基板と、前記誘電体
基板と蓋体により形成された高周波素子を収納するため
のキャビティと、該キャビティ内における前記第１の誘
電体基板の表面に被着形成され、前記高周波素子と一端
が接続され且つ終端を有する高周波用伝送線路と、前記
高周波用伝送線路と導波管とを接続するための接続部を
具備する高周波用パッケージと、開放端を有する導波管
との接続構造であって、前記パッケージにおける接続部
が、前記誘電体基板の前記高周波用伝送線路形成面と反
対の表面に設けられ前記高周波用伝送線路の終端と前記
第１の誘電体基板を介して対峙する位置に開口部が形成
されたグランド層と、該グランド層の少なくとも前記開
口部形成表面に形成された整合用誘電体部とを具備して
なり、前記導波管の開放端における導体壁と、前記パッ
ケージの前記グランド層とを前記グランド層の前記開口
部が前記導波管の中心となる位置にて電気的に接続して
前記グランド層が前記導波管の終端壁を形成せしめるよ
うに接続したことを特徴とするものである。
構造は、誘電体材料からなる誘電体基板と、前記誘電体
基板と蓋体により形成された高周波素子を収納するため
のキャビティと、該キャビティ内における前記第１の誘
電体基板の表面に被着形成され、前記高周波素子と一端
が接続され且つ終端を有する高周波用伝送線路と、前記
高周波用伝送線路と導波管とを接続するための接続部を
具備する高周波用パッケージと、開放端を有する導波管
との接続構造であって、前記パッケージにおける接続部
が、前記誘電体基板の前記高周波用伝送線路形成面と反
対の表面に設けられ前記高周波用伝送線路の終端と前記
第１の誘電体基板を介して対峙する位置に開口部が形成
されたグランド層と、該グランド層の少なくとも前記開
口部形成表面に形成された整合用誘電体部とを具備して
なり、前記導波管の開放端における導体壁と、前記パッ
ケージの前記グランド層とを前記グランド層の前記開口
部が前記導波管の中心となる位置にて電気的に接続して
前記グランド層が前記導波管の終端壁を形成せしめるよ
うに接続したことを特徴とするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の高周波用パッケー
ジの構造について以下に図面をもとに説明する。まず、
図１によれば、高周波用パッケージＡ１は、誘電体基板
１と、蓋体２によって形成されたキャビティ３内におい
て、高周波素子４が誘電体基板１表面に実装搭載され、
キャビティ３内は気密に封止されている。
ジの構造について以下に図面をもとに説明する。まず、
図１によれば、高周波用パッケージＡ１は、誘電体基板
１と、蓋体２によって形成されたキャビティ３内におい
て、高周波素子４が誘電体基板１表面に実装搭載され、
キャビティ３内は気密に封止されている。
【００１７】誘電体基板１のキャビティ３内の表面に
は、高周波素子４と一端が接続され、且つ終端５ａを有
する高周波伝送線路の中心導体５が形成されている。そ
して、誘電体基板１の中心導体５が形成された面とは反
対の表面には、導体が形成されていない開口部（スロッ
ト）６を有するグランド層７が一面に形成されている。
は、高周波素子４と一端が接続され、且つ終端５ａを有
する高周波伝送線路の中心導体５が形成されている。そ
して、誘電体基板１の中心導体５が形成された面とは反
対の表面には、導体が形成されていない開口部（スロッ
ト）６を有するグランド層７が一面に形成されている。
【００１８】このパッケージにおいては、このグランド
層７と中心導体５によりマイクロストリップ線路からな
る高周波伝送線路が形成されている。なお、誘電体基板
１の中心導体５の周辺には、例えば、蓋体２を取り付け
るための導体層８が形成されている。
層７と中心導体５によりマイクロストリップ線路からな
る高周波伝送線路が形成されている。なお、誘電体基板
１の中心導体５の周辺には、例えば、蓋体２を取り付け
るための導体層８が形成されている。
【００１９】上記の線路構成において、マイクロストリ
ップ線路の中心導体５は、スロット６と電磁的に結合さ
れている（電磁結合によりスロット６に給電する。）。
この電磁結合構造は、具体的には、特開平１−２６６５
７８号に記載されるように、図１（ｂ）の誘電体基板１
の平面図に示すように、マイクロストリップ線路の中心
導体５の終端５ａがスロット６中心から信号周波数の１
／４波長の長さＬで突出するように形成することによ
り、電磁結合することができる。しかし、電磁結合は必
ずしも前記寸法の組み合わせだけでなく、その他の組み
合わせでも良好な結合は可能である。
ップ線路の中心導体５は、スロット６と電磁的に結合さ
れている（電磁結合によりスロット６に給電する。）。
この電磁結合構造は、具体的には、特開平１−２６６５
７８号に記載されるように、図１（ｂ）の誘電体基板１
の平面図に示すように、マイクロストリップ線路の中心
導体５の終端５ａがスロット６中心から信号周波数の１
／４波長の長さＬで突出するように形成することによ
り、電磁結合することができる。しかし、電磁結合は必
ずしも前記寸法の組み合わせだけでなく、その他の組み
合わせでも良好な結合は可能である。
【００２０】また、図１の高周波用パッケージＡ１にお
いては、グランド層７のスロット６の表面には、整合用
誘電体部９が誘電体基板１と一体的に取り付けられてい
る。
いては、グランド層７のスロット６の表面には、整合用
誘電体部９が誘電体基板１と一体的に取り付けられてい
る。
【００２１】この整合用誘電体部９は、電磁結合に用い
たスロット６のインピーダンスと、このパッケージに接
続される導波管のインピーダンスが異なるため、両者の
インピーダンス整合を図るためのものであり、整合用誘
電体部９の厚さｄは整合用誘電体部９内での伝送信号波
長の１／４波長長さに設定される。この整合用誘電体部
９は、導波管との接続時には、導波管内に配設されるよ
うな形状、特に導波管の断面における内径形状を有す
る。
たスロット６のインピーダンスと、このパッケージに接
続される導波管のインピーダンスが異なるため、両者の
インピーダンス整合を図るためのものであり、整合用誘
電体部９の厚さｄは整合用誘電体部９内での伝送信号波
長の１／４波長長さに設定される。この整合用誘電体部
９は、導波管との接続時には、導波管内に配設されるよ
うな形状、特に導波管の断面における内径形状を有す
る。
【００２２】図１（ｃ）は、図１（ａ）の高周波用パッ
ケージＡ１に導波管Ｂ１を接続した時の構造を説明する
ための概略断面図である。図１（ｃ）によれば、導波管
Ｂ１の開放端Ｂ’をパッケージＡ１のグランド層７に形
成されたスロット６が導波管の中心となる位置にて当接
させるか、またはロウ付けにより接合するか、あるいは
ネジ止めなどの機械的な接合手段により取り付け、導波
管Ｂ１の導体壁１０と電気的に接続する。そして、この
ようにして導波管Ｂ１の導体壁１０とグランド層７とを
電気的に接続することにより、グランド層７が、導波管
Ｂ１の終端壁をとして機能することになる。そして、キ
ャビティ３内にて高周波素子４と接続された中心導体５
と、導波管Ｂ１とは、グランド層７に設けられたスロッ
ト６により電磁結合され、信号の伝達を行うことができ
る。また、導波管Ｂ１の接続部には、整合用誘電体部９
が配設されることから、スロット６−導波管Ｂ１間のイ
ンピーダンス整合が行われ、良好な信号の伝達が可能と
なるのである。
ケージＡ１に導波管Ｂ１を接続した時の構造を説明する
ための概略断面図である。図１（ｃ）によれば、導波管
Ｂ１の開放端Ｂ’をパッケージＡ１のグランド層７に形
成されたスロット６が導波管の中心となる位置にて当接
させるか、またはロウ付けにより接合するか、あるいは
ネジ止めなどの機械的な接合手段により取り付け、導波
管Ｂ１の導体壁１０と電気的に接続する。そして、この
ようにして導波管Ｂ１の導体壁１０とグランド層７とを
電気的に接続することにより、グランド層７が、導波管
Ｂ１の終端壁をとして機能することになる。そして、キ
ャビティ３内にて高周波素子４と接続された中心導体５
と、導波管Ｂ１とは、グランド層７に設けられたスロッ
ト６により電磁結合され、信号の伝達を行うことができ
る。また、導波管Ｂ１の接続部には、整合用誘電体部９
が配設されることから、スロット６−導波管Ｂ１間のイ
ンピーダンス整合が行われ、良好な信号の伝達が可能と
なるのである。
【００２３】図２は、図１の高周波用パッケージＡ１の
変形例を示すパッケージであり、（ａ）は概略断面図、
（ｂ）は誘電体基板の底面図、（ｃ）は導波管Ｂ１と接
続した時の概略断面図である。この高周波用パッケージ
Ａ２によれば、整合用誘電体部９の周囲において、グラ
ンド層７に金属枠体１１をロウ剤等の導電性接着剤を用
いて取付けることにより、グランド層７と金属枠体１１
とを電気的に接続させ、導波管Ｂ１の導体壁１０の開放
端Ｂ’をこの金属枠体１１に対して、当接するか、ロウ
付けにより接合するかあるいは金属枠体１１にネジ止め
などの機械的な接合手段により取り付ける。この構成に
よれば、金属枠体１１はグランド層７と電気的に接続し
ているために、金属枠体１１が導波管Ｂ１の導体壁を形
成し、グランド層７が導波管Ｂ１の終端壁として機能す
る。
変形例を示すパッケージであり、（ａ）は概略断面図、
（ｂ）は誘電体基板の底面図、（ｃ）は導波管Ｂ１と接
続した時の概略断面図である。この高周波用パッケージ
Ａ２によれば、整合用誘電体部９の周囲において、グラ
ンド層７に金属枠体１１をロウ剤等の導電性接着剤を用
いて取付けることにより、グランド層７と金属枠体１１
とを電気的に接続させ、導波管Ｂ１の導体壁１０の開放
端Ｂ’をこの金属枠体１１に対して、当接するか、ロウ
付けにより接合するかあるいは金属枠体１１にネジ止め
などの機械的な接合手段により取り付ける。この構成に
よれば、金属枠体１１はグランド層７と電気的に接続し
ているために、金属枠体１１が導波管Ｂ１の導体壁を形
成し、グランド層７が導波管Ｂ１の終端壁として機能す
る。
【００２４】かかる構造によれば、導波管Ｂ１を金属枠
体１１を介して高周波用パッケージに対して強固に接合
することができ、パッケージＡ２と導波管Ｂ１との接続
信頼性を高めることができる。なお、図２では、誘電体
基板１の底面に形成された２つの整合用誘電体部９の個
々の周囲に分割して金属枠体１１、１１を形成したが、
この２つの金属枠体１１、１１は、一体化して誘電体基
板１の底面におけるグランド層７に取り付けることも可
能である。
体１１を介して高周波用パッケージに対して強固に接合
することができ、パッケージＡ２と導波管Ｂ１との接続
信頼性を高めることができる。なお、図２では、誘電体
基板１の底面に形成された２つの整合用誘電体部９の個
々の周囲に分割して金属枠体１１、１１を形成したが、
この２つの金属枠体１１、１１は、一体化して誘電体基
板１の底面におけるグランド層７に取り付けることも可
能である。
【００２５】図１、図２の高周波用パッケージにおいて
は、整合用誘電体部９は、グランド層７の表面に誘電体
基板１と一体的に設けられているが、この整合用誘電体
部９は、誘電体基板１を作製した後に、適当な接着剤を
用いてグランド層７表面に取り付けることができるが、
工程数が増加するなどの問題もある。また、一体的に設
ける場合、誘電体基板１がセラミックスからなる場合、
未焼成の誘電体基板１にグランド層７および中心導体５
を印刷塗布し、同様に未焼成の整合用誘電体部９を接着
剤により接着して、それを一括して同時焼成することに
より作製することも可能であるが、焼成時に脱落する可
能性がある。
は、整合用誘電体部９は、グランド層７の表面に誘電体
基板１と一体的に設けられているが、この整合用誘電体
部９は、誘電体基板１を作製した後に、適当な接着剤を
用いてグランド層７表面に取り付けることができるが、
工程数が増加するなどの問題もある。また、一体的に設
ける場合、誘電体基板１がセラミックスからなる場合、
未焼成の誘電体基板１にグランド層７および中心導体５
を印刷塗布し、同様に未焼成の整合用誘電体部９を接着
剤により接着して、それを一括して同時焼成することに
より作製することも可能であるが、焼成時に脱落する可
能性がある。
【００２６】そこで、図３乃至図４は、整合用誘電体部
を誘電体基板１と一体的に形成可能な高周波用パッケー
ジに関するものである。まず、図３の高周波用パッケー
ジＡ３によれば、誘電体基板１の底面に形成されたグラ
ンド層７の表面に、第２の誘電体基板１２を形成する。
この第２の誘電体基板１２の表面には、導波管Ｂ１が接
触する部分に導体層１３が被着形成される。そして、導
波管Ｂ１と高周波用パッケージＡ３のグランド層７を同
電位にするために、導体層１３とグランド層７とは、こ
の基板を貫通する複数のビアホール導体１４により電気
的に接続されている。そして、このビアホール導体１４
内に位置する誘電体が整合用誘電体部１５として機能す
ることになる。なお、複数のビアホール導体１４は、導
波管Ｂ１の終端壁となるグランド層７と導波管とを接続
するもので、導波管の疑似的な導体壁を形成するもので
あることから、ビアホール導体１４を形成した部位から
の信号の漏洩を防止するため、ビアホール導体１４間の
間隔Ｌ2 は、伝送する信号波長の１／４波長長さ以下に
設定される。
を誘電体基板１と一体的に形成可能な高周波用パッケー
ジに関するものである。まず、図３の高周波用パッケー
ジＡ３によれば、誘電体基板１の底面に形成されたグラ
ンド層７の表面に、第２の誘電体基板１２を形成する。
この第２の誘電体基板１２の表面には、導波管Ｂ１が接
触する部分に導体層１３が被着形成される。そして、導
波管Ｂ１と高周波用パッケージＡ３のグランド層７を同
電位にするために、導体層１３とグランド層７とは、こ
の基板を貫通する複数のビアホール導体１４により電気
的に接続されている。そして、このビアホール導体１４
内に位置する誘電体が整合用誘電体部１５として機能す
ることになる。なお、複数のビアホール導体１４は、導
波管Ｂ１の終端壁となるグランド層７と導波管とを接続
するもので、導波管の疑似的な導体壁を形成するもので
あることから、ビアホール導体１４を形成した部位から
の信号の漏洩を防止するため、ビアホール導体１４間の
間隔Ｌ2 は、伝送する信号波長の１／４波長長さ以下に
設定される。
【００２７】この高周波用パッケージＡ３に対しては、
導波管Ｂ１の導体壁１０の開放端Ｂ’を第２の誘電体基
板１２の導体層１３に対して、当接するか、ロウ付けに
より接合するか、あるいは第２の誘電体基板１２にネジ
止めなどの機械的な接合手段によって取り付ける。この
接続構造によれば、ビホアール導体１４が導波管の疑似
的な導体壁を形成し、グランド層７が導波管Ｂ１の終端
壁として機能する。
導波管Ｂ１の導体壁１０の開放端Ｂ’を第２の誘電体基
板１２の導体層１３に対して、当接するか、ロウ付けに
より接合するか、あるいは第２の誘電体基板１２にネジ
止めなどの機械的な接合手段によって取り付ける。この
接続構造によれば、ビホアール導体１４が導波管の疑似
的な導体壁を形成し、グランド層７が導波管Ｂ１の終端
壁として機能する。
【００２８】この図３の構造のパッケージＡ３は、第１
の誘電体基板１と第２の誘電体基板１２、導体層１３、
ビアホール導体１４を、周知のセラミック積層技術を用
いて一括して製造することができる点で有利である。
の誘電体基板１と第２の誘電体基板１２、導体層１３、
ビアホール導体１４を、周知のセラミック積層技術を用
いて一括して製造することができる点で有利である。
【００２９】図１、図２のパッケージにおいては、高周
波素子４は、第１の誘電体基板１の表面に実装された構
造であるが、その変形例として、第２の誘電体基板１２
を有する場合には、図３のパッケージに示すように、第
１の誘電体基板１と第２の誘電体基板１２によりキャビ
ティ３を形成して、グランド層７を第２の誘電体基板１
２の表面に形成して、さらにそのグランド層７の表面に
高周波素子４を実装することも可能である。
波素子４は、第１の誘電体基板１の表面に実装された構
造であるが、その変形例として、第２の誘電体基板１２
を有する場合には、図３のパッケージに示すように、第
１の誘電体基板１と第２の誘電体基板１２によりキャビ
ティ３を形成して、グランド層７を第２の誘電体基板１
２の表面に形成して、さらにそのグランド層７の表面に
高周波素子４を実装することも可能である。
【００３０】次に、図４は、さらに他の高周波用パッケ
ージＡ４を説明するためのもので、（ａ）は概略断面
図、（ｂ）はその底面図、（ｃ）は接続する導波管Ｂ２
の開放端の斜視図、（ｄ）は（ａ）の高周波用パッケー
ジと導波管との接続構造を示す概略断面図である。図４
の高周波用パッケージＡ４によれば、第１の誘電体基板
１の底面に形成されたグランド層７の表面に第２の誘電
体基板１６を第１の誘電体基板１に対して一体的に形成
する。
ージＡ４を説明するためのもので、（ａ）は概略断面
図、（ｂ）はその底面図、（ｃ）は接続する導波管Ｂ２
の開放端の斜視図、（ｄ）は（ａ）の高周波用パッケー
ジと導波管との接続構造を示す概略断面図である。図４
の高周波用パッケージＡ４によれば、第１の誘電体基板
１の底面に形成されたグランド層７の表面に第２の誘電
体基板１６を第１の誘電体基板１に対して一体的に形成
する。
【００３１】この第２の誘電体基板１６には、図４
（ｃ）に示すような形状に加工された開放端構造を有す
る導波管Ｂ２の対向する長辺側（Ｈ面）の導体壁１７、
１８を挿入するための貫通孔１９が設けられている。ま
た、導波管Ｂ２の他の対向する短辺側の（Ｅ面）の導体
壁２０、２１と接触する部分には導体層２２が被着形成
される。そして、導波管Ｂ２と高周波用パッケージＡ４
のグランド層７を同電位にするために、導体層２２とグ
ランド層７とは、この基板を貫通する複数のビアホール
導体２３により電気的に接続されている。そして、第２
の誘電体基板１６における貫通孔１９と、ビアホール導
体２３内に位置する誘電体が整合用誘電体部２４として
機能することになる。
（ｃ）に示すような形状に加工された開放端構造を有す
る導波管Ｂ２の対向する長辺側（Ｈ面）の導体壁１７、
１８を挿入するための貫通孔１９が設けられている。ま
た、導波管Ｂ２の他の対向する短辺側の（Ｅ面）の導体
壁２０、２１と接触する部分には導体層２２が被着形成
される。そして、導波管Ｂ２と高周波用パッケージＡ４
のグランド層７を同電位にするために、導体層２２とグ
ランド層７とは、この基板を貫通する複数のビアホール
導体２３により電気的に接続されている。そして、第２
の誘電体基板１６における貫通孔１９と、ビアホール導
体２３内に位置する誘電体が整合用誘電体部２４として
機能することになる。
【００３２】なお、複数のビアホール導体２３は、導波
管Ｂ２の終端壁となるグランド層７と導波管Ｂ２の対向
する一辺の導体壁２０、２１とを接続するもので、導波
管の疑似的な導体壁を形成するものであることから、ビ
アホール導体２３を形成した部位からの信号の漏洩を防
止するため、ビアホール導体２３間の間隔Ｌ3 は、伝送
する信号波長の１／４波長長さ以下に設定される。
管Ｂ２の終端壁となるグランド層７と導波管Ｂ２の対向
する一辺の導体壁２０、２１とを接続するもので、導波
管の疑似的な導体壁を形成するものであることから、ビ
アホール導体２３を形成した部位からの信号の漏洩を防
止するため、ビアホール導体２３間の間隔Ｌ3 は、伝送
する信号波長の１／４波長長さ以下に設定される。
【００３３】この高周波用パッケージＡ４に対しては、
導波管Ｂ１の導体壁１７、１８を第２の誘電体基板１６
に形成された貫通孔１９に挿入し、グランド層７に導体
壁１７、１８の端部を当接するか、ロウ付けにより接合
するか、あるいは第２の誘電体基板１６にネジ止めなど
の機械的な接合手段によって取り付ける。また、どうよ
うに導波管Ｂ２の導体壁２０、２１を第２の誘電体基板
１６の表面の導体層２２に当接するか、ロウ付けにより
接合させる。
導波管Ｂ１の導体壁１７、１８を第２の誘電体基板１６
に形成された貫通孔１９に挿入し、グランド層７に導体
壁１７、１８の端部を当接するか、ロウ付けにより接合
するか、あるいは第２の誘電体基板１６にネジ止めなど
の機械的な接合手段によって取り付ける。また、どうよ
うに導波管Ｂ２の導体壁２０、２１を第２の誘電体基板
１６の表面の導体層２２に当接するか、ロウ付けにより
接合させる。
【００３４】この接続構造によれば、ビアホール導体２
３が導波管の疑似的な導体壁を形成し、グランド層７が
導波管Ｂ２の終端壁として機能する。
３が導波管の疑似的な導体壁を形成し、グランド層７が
導波管Ｂ２の終端壁として機能する。
【００３５】かかる高周波用パッケージＡ４において
も、第１の誘電体基板１と、貫通孔１９、導体層２２、
整合用誘電体部２４、ビアホール導体２３とを具備する
第２の誘電体基板１６とを周知のセラミック積層技術を
用いて同時焼成することにより、一括して製造すること
ができる点で有利である。なお、図４のパッケージで
は、導波管Ｂ２の長辺側導体壁１７、１８をグランド層
７に直接接続したが、短辺側導体壁２０、２１をグラン
ド層７に直接接続して、長辺側導体壁１７、１８を導体
層およびビアホール導体を介して接続してもよい。
も、第１の誘電体基板１と、貫通孔１９、導体層２２、
整合用誘電体部２４、ビアホール導体２３とを具備する
第２の誘電体基板１６とを周知のセラミック積層技術を
用いて同時焼成することにより、一括して製造すること
ができる点で有利である。なお、図４のパッケージで
は、導波管Ｂ２の長辺側導体壁１７、１８をグランド層
７に直接接続したが、短辺側導体壁２０、２１をグラン
ド層７に直接接続して、長辺側導体壁１７、１８を導体
層およびビアホール導体を介して接続してもよい。
【００３６】上記図１乃至図４に示した本発明のパッケ
ージＡ１乃至Ａ４においては、第１の誘電体基板１、第
２の誘電体基板１２、１６および整合用誘電体部９、１
５、２４は、セラミックスまたは有機樹脂、あるいはそ
れらの複合体からなる構成することができる。例えば、
セラミックスとしては、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ
4 などのセラミックス材料や、ガラス材料、あるいはガ
ラスとＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯなどの無機質フィ
ラーとの複合体からなるガラスセラミックス材料により
形成でき、これらの原料粉末を用いて所定の基板形状に
成形した後、焼成することにより形成される。また、有
機樹脂としては、有機系材料からなるプリント基板によ
って形成することができる。
ージＡ１乃至Ａ４においては、第１の誘電体基板１、第
２の誘電体基板１２、１６および整合用誘電体部９、１
５、２４は、セラミックスまたは有機樹脂、あるいはそ
れらの複合体からなる構成することができる。例えば、
セラミックスとしては、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ
4 などのセラミックス材料や、ガラス材料、あるいはガ
ラスとＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯなどの無機質フィ
ラーとの複合体からなるガラスセラミックス材料により
形成でき、これらの原料粉末を用いて所定の基板形状に
成形した後、焼成することにより形成される。また、有
機樹脂としては、有機系材料からなるプリント基板によ
って形成することができる。
【００３７】また、信号の伝達を担う各伝送線路および
グランド層は、タングステン、モリブデンなどの高融点
金属や、金、銀、銅などの低抵抗金属などにより形成す
ることができ、これらは、用いる基板材料に応じて適宜
選択して、従来の積層技術をもって一体的に形成するこ
とができる。
グランド層は、タングステン、モリブデンなどの高融点
金属や、金、銀、銅などの低抵抗金属などにより形成す
ることができ、これらは、用いる基板材料に応じて適宜
選択して、従来の積層技術をもって一体的に形成するこ
とができる。
【００３８】例えば、基板をＡｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、Ｓｉ
3 Ｎ4 などのセラミック材料により形成する場合には、
タングステン、モリブデン等の高融点金属を用いて未焼
成体に印刷塗布して、１５００〜１９００℃の温度で焼
成すればよく、基板をガラス材料、ガラスセラミック材
料により形成する場合には、銅、金、銀などを用いて同
様にして８００〜１１００℃の温度で焼成することによ
り作製できる。なお、基板を有機樹脂を含む絶縁材料に
より形成する場合には、銅、金、銀などを用いてペース
トを塗布するか、金属箔を接着することにより線路やグ
ランド層を形成することができる。
3 Ｎ4 などのセラミック材料により形成する場合には、
タングステン、モリブデン等の高融点金属を用いて未焼
成体に印刷塗布して、１５００〜１９００℃の温度で焼
成すればよく、基板をガラス材料、ガラスセラミック材
料により形成する場合には、銅、金、銀などを用いて同
様にして８００〜１１００℃の温度で焼成することによ
り作製できる。なお、基板を有機樹脂を含む絶縁材料に
より形成する場合には、銅、金、銀などを用いてペース
トを塗布するか、金属箔を接着することにより線路やグ
ランド層を形成することができる。
【００３９】次に、上記本発明の高周波用パッケージと
導波管との接続による伝送特性について図１の高周波用
パッケージＡ１に対して、有限要素法に基づいて評価し
た。
導波管との接続による伝送特性について図１の高周波用
パッケージＡ１に対して、有限要素法に基づいて評価し
た。
【００４０】その結果を図５に示した。図５の結果によ
れば、高周波用パッケージと導波管とが６０ＧＨｚにお
いて、Ｓ２１（損失）が０ｄＢ、Ｓ１１（反射）が−２
０ｄＢの良好な伝送特性をもって接続されていることが
わかる。
れば、高周波用パッケージと導波管とが６０ＧＨｚにお
いて、Ｓ２１（損失）が０ｄＢ、Ｓ１１（反射）が−２
０ｄＢの良好な伝送特性をもって接続されていることが
わかる。
【００４１】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の高周波用パ
ッケージおよびその接続構造によれば、キャビティ内部
に先端が電磁気的に開放された開放端部を有する信号導
体を形成し、高周波信号をキャビティ外部に形成したス
ロットに電磁結合により給電し、スロットと導波管のイ
ンピーダンス整合をとるための整合用誘電体部を設ける
ことにより、パッケージの封止構造に影響を与えること
なく、高周波信号の伝送損失の小さい接続構造を実現で
きる。その結果、この接続構造を構成するパッケージの
信頼性と量産性を高めることができる。しかも、パッケ
ージ自体に導波管の終端壁を具備することから、開放端
を有する導波管に対して直接接続することができる。
ッケージおよびその接続構造によれば、キャビティ内部
に先端が電磁気的に開放された開放端部を有する信号導
体を形成し、高周波信号をキャビティ外部に形成したス
ロットに電磁結合により給電し、スロットと導波管のイ
ンピーダンス整合をとるための整合用誘電体部を設ける
ことにより、パッケージの封止構造に影響を与えること
なく、高周波信号の伝送損失の小さい接続構造を実現で
きる。その結果、この接続構造を構成するパッケージの
信頼性と量産性を高めることができる。しかも、パッケ
ージ自体に導波管の終端壁を具備することから、開放端
を有する導波管に対して直接接続することができる。
【図１】本発明の一実施態様である高周波用パッケージ
Ａ１と導波管Ｂ１との接続構造の一実施態様を説明する
ためものであり，（ａ）は高周波用パッケージＡ１の概
略断面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ１における誘
電体基板の平面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構
造を説明するための概略断面図である。
Ａ１と導波管Ｂ１との接続構造の一実施態様を説明する
ためものであり，（ａ）は高周波用パッケージＡ１の概
略断面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ１における誘
電体基板の平面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構
造を説明するための概略断面図である。
【図２】本発明の他の実施態様である高周波用パッケー
ジＡ２と導波管Ｂ１との接続構造を説明するためもので
あり，（ａ）は高周波用パッケージＡ２の概略断面図、
（ｂ）は高周波用パッケージＡ２における誘電体基板の
底面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構造を説明す
るための概略断面図である。
ジＡ２と導波管Ｂ１との接続構造を説明するためもので
あり，（ａ）は高周波用パッケージＡ２の概略断面図、
（ｂ）は高周波用パッケージＡ２における誘電体基板の
底面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構造を説明す
るための概略断面図である。
【図３】本発明のさらに他の実施態様である高周波用パ
ッケージＡ３と導波管Ｂ１との接続構造を説明するため
ものであり，（ａ）は高周波用パッケージＡ３の概略断
面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ３における誘電体
基板の底面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構造を
説明するための概略断面図である。
ッケージＡ３と導波管Ｂ１との接続構造を説明するため
ものであり，（ａ）は高周波用パッケージＡ３の概略断
面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ３における誘電体
基板の底面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構造を
説明するための概略断面図である。
【図４】本発明のさらに他の実施態様である高周波用パ
ッケージＡ４と導波管Ｂ２との接続構造を説明するため
ものであり、（ａ）は高周波用パッケージＡ４の概略断
面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ４における誘電体
基板の底面図、（ｃ）は導波管Ｂ２の開放端を説明する
ための斜視図、（ｄ）は高周波用パッケージＡ４と
（ｃ）の先端構造を有する導波管Ｂ２との接続構造を説
明するための概略断面図である。
ッケージＡ４と導波管Ｂ２との接続構造を説明するため
ものであり、（ａ）は高周波用パッケージＡ４の概略断
面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ４における誘電体
基板の底面図、（ｃ）は導波管Ｂ２の開放端を説明する
ための斜視図、（ｄ）は高周波用パッケージＡ４と
（ｃ）の先端構造を有する導波管Ｂ２との接続構造を説
明するための概略断面図である。
【図５】図１の高周波用パッケージＡ１と導波管Ｂ１と
の接続による伝送特性を示す図である。
の接続による伝送特性を示す図である。
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４ 高周波用パッケージ Ｂ１，Ｂ２ 導波管 Ｂ’ 開放端 １ （第１の）誘電体基板 ２ 蓋体 ３ キャビティ ４ 高周波素子 ５ 中心導体 ５ａ 終端 ６ 開口部（スロット） ７ グランド層 ８，１３，２２ 導体層 ９，１５，２４ 整合用誘電体部 １０，１７，１８，２０，２１ 導体壁 １１ 金属枠体 １２，１６ 第２の誘電体基板 １４，２３ ビアホール導体 １９ 貫通孔
Claims (7)
- 【請求項１】誘電体材料からなる誘電体基板と、高周波
素子を収納するためのキャビティと、該キャビティ内を
封止するための蓋体と、該キャビティ内における前記誘
電体基板の表面に被着形成され、前記高周波素子と一端
が接続され且つ終端を有する高周波用伝送線路と、前記
高周波用伝送線路と導波管とを接続するための接続部を
具備する高周波用パッケージであって、 前記接続部が、前記誘電体基板の前記伝送線路形成面と
反対の表面に設けられ、前記高周波用伝送線路の終端と
前記第１の誘電体基板を介して対峙する位置に開口部が
形成され、且つ接続される導波管の導体壁と電気的に接
続することにより導波管の終端壁を構成するグランド層
と、該グランド層の少なくとも前記開口部形成表面に形
成された整合用誘電体部とを具備することを特徴とする
高周波用パッケージ。 - 【請求項２】前記グランド層表面に形成された整合用誘
電体部の周囲に、前記グランド層と電気的に接続され、
且つ導波管の導体壁と接続される金属枠体が取り付けら
れていることを特徴とする請求項１記載の高周波用パッ
ケージ。 - 【請求項３】前記誘電体基板のグランド層形成面側に、
前記整合用誘電体部を具備する第２の誘電体基板が積層
され、該第２の誘電体基板の前記整合用誘電体部の周囲
に、前記導波管の導体壁と前記グランド層を電気的に接
続するためのビアホール導体あるいは貫通孔が形成され
てなることを特徴とする請求項１記載の高周波用パッケ
ージ。 - 【請求項４】前記整合用誘電体部の厚さが該誘電体内の
信号波長の１／４である請求項１乃至請求項３記載の高
周波用パッケージ。 - 【請求項５】前記誘電体基板および／または整合用誘電
体部がセラミックスまたは有機樹脂、あるいはそれらの
複合体からなる請求項１乃至請求項３記載の高周波用パ
ッケージ。 - 【請求項６】前記高周波伝送線路および前記グランド層
が、タングステン、モリブデン、銅、銀および金の群か
ら選ばれる少なくとも１種を主成分とする導体からなる
請求項５記載の高周波用パッケージ。 - 【請求項７】誘電体材料からなる誘電体基板と、前記誘
電体基板と蓋体により形成された高周波素子を収納する
ためのキャビティと、該キャビティ内における前記第１
の誘電体基板の表面に被着形成され、前記高周波素子と
一端が接続され且つ終端を有する高周波用伝送線路と、
前記高周波用伝送線路と導波管とを接続するための接続
部を具備する高周波用パッケージと、開放端を有する導
波管との接続構造であって、 前記パッケージにおける接続部が、前記誘電体基板の前
記高周波用伝送線路形成面と反対の表面に設けられ前記
高周波用伝送線路の終端と前記第１の誘電体基板を介し
て対峙する位置に開口部が形成されたグランド層と、該
グランド層の少なくとも前記開口部形成表面に形成され
た整合用誘電体部とを具備してなり、前記導波管の開放
端における導体壁と、前記パッケージの前記グランド層
とを前記グランド層の前記開口部が前記導波管の中心と
なる位置にて電気的に接続して前記グランド層が前記導
波管の終端壁を形成せしめるように接続することを特徴
とする高周波用パッケージと導波管との接続構造。
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