JP2001217618A - 配線基板およびその導波管との接続構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】表面に形成された信号伝送線路と導波管とを低
損失、低反射で接続できる配線基板と導波管との接続構
造を提供する。 【解決手段】誘電体基板１と、誘電体基板１の一方の表
面に形成された信号伝送線路５と、信号伝送線路５と導
波管Ｂ１とを接続するにあたり、誘電体基板１の他方の
表面の信号伝送線路５の終端５ａと対峙する位置に第１
のスロット孔６を有する第１のグランド層７を形成し、
第１のグランド層７の第１のスロット孔６形成表面に誘
電体部９を形成し、さらに誘電体部９の表面に、第１の
スロット孔６と対峙する位置に第２のスロット孔１０を
有し、且つ第１のグランド層７と同電位に保たれた第２
のグランド層１１を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波信号を伝達
する配線基板に関し、配線基板上の信号伝送線路と、導
波管とを低損失で接続可能な配線基板と、その導波管と
の接続構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、社会の情報化が進み、情報の伝達
は携帯電話に代表されるように無線化、パーソナル化が
進んでいる。このような状況の中、さらに高速大容量の
情報伝達を可能にするために、ミリ波（３０〜３００Ｇ
Ｈｚ）領域で動作する半導体素子の開発が進んでいる。
最近ではこのような高周波半導体素子技術の進歩に伴
い、その応用として車間レーダーや無線ＬＡＮのような
ミリ波の電波を用いたさまざまな応用システムも提案さ
れるようになってきた。例えば、ミリ波を用いた車間レ
ーダー（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクス
ソサイエティ大会、ＳＣ−７−６参照）、コードレスカ
メラシステム（１９９５年電子情報通信学会エレクトロ
ニクスソサイエティ大会、Ｃ−１３７参照）、高速無線
ＬＡＮ（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクス
ソサイエティ大会、Ｃ−１３９参照）が提案されてい
る。

【０００３】このようにミリ波の応用が進むにつれ、そ
れらの応用を可能とするための要素技術の開発も同時に
進められており、特に、各種の電子部品においては、必
要な伝送特性を有しながら、いかに小型化と低コスト化
を図るかが、大きな課題となっている。

【０００４】このような要素技術の中でも、高周波素子
が収納された回路基板あるいはパッケージと、外部電気
回路とをいかに簡単で且つ小型な構造で接続するかが重
要な要素として位置づけられている。とりわけ、伝送損
失の最も小さい導波管が形成された外部電気回路と、高
周波素子を搭載した回路基板あるいはパッケージとをい
かに接続するかが大きな問題であった。

【０００５】従来における回路基板あるいはパッケージ
を外部電気回路に形成された導波管に接続する方法とし
ては、高周波用パッケージからコネクタを用いて一旦同
軸線路に変換して導波管と接続する方法、外部電気回路
において、導波管を一旦マイクロストリップ線路等に接
続した後、そのマイクロストリップ線路と高周波用パッ
ケージとを接続する方法が採用される。

【０００６】最近では、高周波素子を収納したパッケー
ジを外部電気回路の導波管に直接接続する方法も提案さ
れている（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニク
スソサイエティ大会、ＳＣ−７−５参照）。この提案で
は、素子をキャビティ内に気密封止する蓋体の一部に石
英を埋め込み、その石英埋め込み部を通じて電磁波をキ
ャビティ内に導入し、キャビティ内に設置した導波管−
マイクロストリップ線路変換基板と接続したものであ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように、外部電気回路の導波管を一旦、コネクタやマイ
クロストリップ線路などの他の伝送線路形態を介して、
パッケージと接続する方法では、接続構造自体が複雑化
するとともに、コネクタや他の伝送線路を形成する領域
を確保する必要があるために、接続構造自体が大型化し
てしまうという問題があった。しかも、他の線路形態や
コネクタを介することにより伝送損失が増大する可能性
もあった。

【０００８】これに対して、導波管から電磁波の形でパ
ッケージのキャビティ内部まで直接導入する方法は、接
続構造を小型化できる点では有効的であるが、蓋などの
キャビティ形成部材を通過する際に電磁波の損失を小さ
くするために、その通過部を誘電率および誘電正接が小
さい材料を使用することが必要であり、そのために、前
記文献に記載されるように、石英などの低誘電率、低損
失材料を埋め込む処理が必要となる。このような埋め込
み処理は、気密封止性の信頼性を損なうばかりでなく、
量産には全く不向きである。

【０００９】また、キャビティ形成部材をすべて低誘電
率、低損失材料によって構成することも考えられるが、
パッケージを構成する材料として、それら電気特性以外
にも機械的な強度や気密封止性、メタライズ性など各種
の特性が要求され、それら特性をすべて満足し、且つ安
価に製造できるような適切な材料は見当たらない。

【００１０】また、特開平１１−１１２２０９号では、
気密封止可能でありかつ伝送線路−導波管の信号接続が
できる技術が提唱されているが、これはマイクロストリ
ップラインの信号をグランド層に設けた開口部を通し誘
電体層を介して導波管に接続するもので、開口部下の誘
電体層厚みのみで信号の透過周波数を調整するので誘電
体厚みの影響が大きく、結果的に特性バラツキが大きく
なり製品としては使えなかった。

【００１１】本発明は、前記課題を解消せんとして成さ
れたもので、前記高周波用パッケージなどの配線基板表
面に形成された信号伝送線路と、導波管とを信号の損失
が小さく、また反射の小さい接続が可能な配線基板とそ
の導波管との接続構造を提供することを目的とするもの
である。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
について鋭意検討した結果、誘電体基板の一方の表面に
信号伝送線路が形成された配線基板において、該誘電体
基板の他方の表面に前記信号伝送線路の終端と対峙する
位置に第１のスロット孔を有する第１のグランド層を形
成し、その第１のグランド層の第１スロット孔形成表面
に誘電体部を介して信号励振用の第２のスロット孔を有
する第２のグランド層を設けることによって、信号伝送
線路−導波管間の信号伝送を低損失、低反射で効率よく
行うことが可能であり、また高周波素子の気密封止をも
確実に行うことができることを見出した。

【００１３】また、係る構成においては、前記誘電体部
の大きさが、接続される導波管の内径以下であることが
のぞましく、さらに前記誘電体部の周囲に、前記第１の
グランド層と電気的に接続され且つ導波管の導体壁と接
続される金属枠体を取り付けてなることも可能である。

【００１４】また、前記誘電体基板の前記第１のグラン
ド層の表面に、誘電体層を一体的に設け、前記誘電体部
を前記誘電体層内に設けることも可能である。その場
合、前記誘電体層の前記第１のスロット形成部を中心と
する周囲に、前記第１のグランド層と第２のグランド層
とを電気的に接続するための複数の垂直導体を前記誘電
体層を貫通して形成し、前記垂直導体によって囲まれた
領域を前記誘電体部として機能させることができる。

【００１５】さらに、前記誘電体部の側面に、前記第１
のグランド層と前記第２のグランド層とを接続する導体
層を形成してなることが望ましい。

【００１６】

【発明の実施の形態】 以下、本発明の配線基板の構造
について、典型的な応用例として高周波用パッケージの
一例を以下に図面をもとに説明する。

【００１７】まず、図１によれば、高周波用パッケージ
Ａ１は、誘電体基板１と、蓋体２によって形成されたキ
ャビティ３内において、高周波素子４が誘電体基板１表
面に実装搭載され、キャビティ３内は蓋体２によって気
密に封止されている。

【００１８】誘電体基板１のキャビティ３内の表面に
は、高周波素子４と一端が接続され、且つ終端５ａを有
する信号伝送線路５が形成されている。そして、誘電体
基板１の信号伝送線路５が形成された面とは反対の表面
には、一面に第１のグランド層７が形成されており、そ
してその第１のグランド層７は、信号伝送線路５と対峙
する部分に導体が形成されていない第１のスロット孔６
を有する。

【００１９】このパッケージにおいては、信号伝送線路
５は、これが中心導体をなし、第１のグランド層７とと
もにマイクロストリップ構造の線路を形成している。な
お、信号伝送線路は上記マイクロストリップ線路に限ら
ず、信号伝送線路（中心導体）の両脇にグランド層を形
成し、第１のグランド層７とともにグランド付きコプレ
ーナ構造の線路でも良い。また、誘電体基板１の信号伝
送線路５の周辺には、蓋体２を取り付けるためのシール
導体層８が形成されている。

【００２０】また、図１の高周波用パッケージＡ１にお
いては、第１のグランド層７の第１のスロット孔６形成
表面には、誘電体部９が設けられており、この誘電体部
９の表面には、第１のスロット孔６と対峙する位置に、
第２のスロット孔１０を有する第２のグランド層１１が
被着形成されている。

【００２１】この第２のスロット孔１０は、平面的にみ
て、第１のスロット孔６とほぼ同じ形状からなるもの
で、互いに平行に形成されている。この第２のスロット
孔１０の形成によって、第１のスロット６を通過した高
周波信号を第２のスロット孔１０によってさらに励振す
ることができる結果、信号伝送線路５と導波管との接続
性をさらに高めることができる。

【００２２】この第２のグランド層１１は、導波管との
接続時に第１のグランド層と同電位に保たれることが必
要であり、そのために、図１のパッケージＡによれば、
誘電体部９の側面に、導体層１２が被着形成されてお
り、この導体層１２によって第１のグランド層７と第２
のグランド層１１とは電気的に接続されている。

【００２３】なお、第１のグランド層７と第２のグラン
ド層１１とは、導波管接続時に同電位に保たれればよ
く、例えば、第１のグランド層７と第２のグランド層１
１とが導波管の導体壁によって電気的に接続されるので
あれば、導体層１２は必ずしも必要でない。

【００２４】上記の線路構成において、マイクロストリ
ップ線路の信号伝送線路５は、第１のスロット孔６と電
磁結合されている、言い換えれば電磁結合により第１の
スロット孔６に給電する。この電磁結合構造は、具体的
には、特開平３−１２９９０３号に記載されており、図
１（ｂ）の誘電体基板１の平面図に示すように、マイク
ロストリップ線路の信号伝送線路５の終端５ａが第１の
スロット孔６中心から信号周波数の１／４波長の長さＬ
で突出するように形成することにより、電磁結合するこ
とができる。しかし、電磁結合は必ずしも前記寸法の組
み合わせだけでなく、その他の組み合わせでも良好な結
合は可能である。

【００２５】図１（ｃ）は、図１（ａ）の高周波用パッ
ケージＡ１に導波管Ｂ１を接続した時の構造を説明する
ための概略断面図である。高周波用パッケージＡ１の第
２のスロット孔１０を有する誘電体部９は、導波管Ｂ１
の内壁サイズと同じ、あるいはそれよりも小さいサイズ
からなり、導波管Ｂ１との接続時に、導波管Ｂ１内に配
設されるような形状を有する。

【００２６】そして、導波管Ｂ１の開放端のフランジ
Ｂ’をパッケージＡ１の第１のグランド層７に形成され
た第１のスロット孔６が導波管の中心となる位置にて当
接させるか、またはフランジＢ’を第１のグランド層７
にロウ付けにより接合するか、あるいはフランジＢ’を
誘電体基板１にネジ止めなどの機械的な接合手段により
取り付けて、導波管Ｂ１の導体壁１３と第１のグランド
層７と電気的に接続し、さらには第２のグランド層１１
とも電気的に接続する。そして、このようにして導波管
Ｂ１の導体壁１３と第１のグランド層７および第２のグ
ランド層１１とを電気的に接続することにより、第１の
グランド層７、第２のグランド層１１と導波管Ｂ１の電
位を同電位にする。このとき、誘電体部９の側面に導体
層１２が形成されている場合には、誘電体部９の側面は
導波管Ｂ１の内壁に接する必要性はない。

【００２７】かかる接続構造において、キャビティ３内
にて高周波素子４と接続された信号伝送線路５における
信号は、第１のグランド層７に設けられた第１のスロッ
ト孔６により電磁結合され、さらに第２のスロット孔１
０により励振され、信号が導波管Ｂ１に伝達される。

【００２８】また誘電体部９および第２のスロット孔１
０は、信号伝送線路５から第１のスロット６へ結合した
信号を導波管Ｂ１にスムーズに接続する作用を有し、第
１のスロット孔６−第２のスロット孔１０−導波管Ｂ１
の電磁場分布を連続的にする役割を有し、反射を少なく
抑えることができる。特に第２のスロット孔１０と導波
管Ｂ１の界面において磁場分布を水平とすることが可能
となり、さらに、接続部における空気中への電磁場の分
布を抑制し放射による変換損失を抑えることが実現で
き、その結果、高周波信号の伝送損失の小さい接続構造
を実現できる。

【００２９】図２は、図１の高周波用パッケージＡ１の
変形例を示すパッケージであり、（ａ）は概略断面図、
（ｂ）は誘電体基板の底面図、（ｃ）は導波管Ｂ１と接
続した時の概略断面図である。この高周波用パッケージ
Ａ２によれば、誘電体部９の周囲において、第１のグラ
ンド層７に金属枠体１４をロウ剤等の導電性接着剤を用
いて取付けることにより、第１のグランド層７と金属枠
体１４とを電気的に接続させ、導波管Ｂ１の開放端のフ
ランジＢ’をこの金属枠体１４に対して当接するか、ロ
ウ付けにより接合するか、あるいは金属枠体１４にフラ
ンジＢ’をネジ止めなどの機械的な接合手段により取り
付けることができる。

【００３０】また、第１のグランド層７と第２のグラン
ド層１１とは、金属枠体１４によって電気的に接続する
か、または図１と同様に誘電体部９の側面に導体層（図
示せず）を設けて第１のグランド層７と第２のグランド
層とを同電位に保つことが必要である。

【００３１】かかる構造によれば、導波管Ｂ１を金属枠
体１４を介して高周波用パッケージＡ２に対して強固に
接合することができ、パッケージＡ２と導波管Ｂ１との
接続信頼性を高めることができる。なお、図２では、誘
電体基板１の底面に形成された誘電体部９の周囲に一体
化した金属枠体１４を形成したが、この金属枠体１４
は、分割した構造であってもよく、それぞれ接合一体化
して誘電体基板１の底面における第１のグランド層７に
取り付けることも可能である。

【００３２】図１、図２の高周波用パッケージにおいて
は、誘電体部９は、第１のグランド層７の表面に誘電体
基板１に一体的に設けられているが、この誘電体部９
は、誘電体基板１を作製した後に、適当な接着剤を用い
て第１のグランド層７表面に取り付けることができる
が、工程数が増加するなどの問題もある。また、一体的
に設ける場合、誘電体基板１がセラミックスからなる場
合、未焼成の誘電体基板１に第１のグランド層７および
信号伝送線路５を印刷塗布し、同様に未焼成の誘電体部
９を接着剤により接着して、それを一括して同時焼成す
ることにより作製することも可能であるが、焼成時に脱
落する可能性がある。

【００３３】そこで、図３乃至図４は、誘電体部９を誘
電体基板１と一体的に形成してなる高周波用パッケージ
に関するものである。まず、図３の高周波用パッケージ
Ａ３によれば、誘電体基板１の底面に形成された第１の
グランド層７の表面に、誘電体層１５が一体的に積層形
成されており、この誘電体層１５の底面には、第２のス
ロット孔１０を有する第２のグランド層１１が形成され
ている。そして、この誘電体層１５の第１のスロット孔
６および第２のスロット孔１０形成部を中心とする周囲
には、第１のグランド層７と第２のグランド層１１とを
電気的に接続するために複数の垂直導体１６が誘電体層
１５を貫通して形成されており、この垂直導体１６によ
って囲まれた領域に誘電体部９が形成されている。そし
て、上記の垂直導体１６によって第１のグランド層と第
２のグランド層は同電位に保たれている。

【００３４】この高周波用パッケージＡ３に対しては、
導波管Ｂ１の開放端のフランジＢ’を誘電体層１５の表
面に形成された第２のグランド層１１に対して当接する
か、ロウ付けにより接合するか、あるいは基板にネジ止
めなどの機械的な接合手段によって取り付ける。

【００３５】この図３の構造のパッケージＡ３は、誘電
体基板１と誘電体部９を含む誘電体層１５、第１のグラ
ンド層７、第２のグランド層１１、垂直導体１６など
を、周知のセラミック積層技術を用いて一括して焼成し
て製造することができる点で有利である。

【００３６】図１、図２のパッケージにおいては、高周
波素子４は、誘電体基板１の表面に実装された構造であ
るが、その変形例として、図３のパッケージに示すよう
に、誘電体基板１と誘電体層１５によりキャビティ３を
形成して、第１のグランド層７を誘電体層１５の表面に
形成して、さらにその第１のグランド層７の表面に高周
波素子４を実装することも可能である。

【００３７】次に、図４は、さらに他の高周波用パッケ
ージＡ４を説明するためのもので、（ａ）は概略断面
図、（ｂ）は誘電体基板の底面図、（ｃ）は接続する導
波管Ｂ２の開放端の斜視図、（ｄ）は（ａ）の高周波用
パッケージと（ｃ）の導波管との接続構造を示す概略断
面図である。図４の高周波用パッケージＡ４によれば、
図３の高周波用パッケージＡ３と同様に誘電体基板１の
底面に形成された第１のグランド層７の表面に誘電体層
１５、及び第２のスロット孔１０を具備する第２のグラ
ンド層１１が誘電体基板１に対して一体的に形成されて
いる。

【００３８】この誘電体層１５には、図４（ｃ）に示す
ような形状に加工された開放端構造を有する導波管Ｂ２
の対向する長辺側（Ｈ面）の導体壁１８、１９を挿入す
るための貫通孔２０が設けられている。また、導波管Ｂ
２の他の対向する短辺側の（Ｅ面）の導体壁２１、２２
と接触する部分には第２のグランド層１１が被着形成さ
れる。そして、導波管Ｂ２と高周波用パッケージＡ４の
第１のグランド層７を同電位にするために、第２のグラ
ンド層１１と第１のグランド層７とは、この誘電体層１
５を貫通する複数の垂直導体１６により電気的に接続さ
れている。

【００３９】そして、誘電体層１５における貫通孔２０
と、垂直導体１６および貫通孔２０によって囲まれる誘
電体が誘電体部９として機能することになる。

【００４０】この高周波用パッケージＡ４に対しては、
導波管Ｂ２の導体壁１８、１９を誘電体層１５に形成さ
れた貫通孔２０に挿入し、第１のグランド層７に導体壁
１８、１９の端部を当接するか、ロウ付けにより接合す
ることによって取り付ける。また、同様に導波管Ｂ２の
導体壁２１、２２を第２誘電体層１５の表面の第２のグ
ランド層１８に当接するか、ロウ付けにより接合させ
る。

【００４１】かかる高周波用パッケージＡ４において
も、誘電体基板１と、貫通孔２０を具備する誘電体層１
５、第１、第２のグランド層７、１１、垂直導体１６と
を周知のセラミック積層技術を用いて同時焼成すること
により、一括して製造することができる点で有利であ
る。

【００４２】なお、図４のパッケージでは、導波管Ｂ２
の長辺側導体壁１８、１９を第１のグランド層７に直接
接続したが、短辺側導体壁２１、２２を第１のグランド
層７に直接接続して、長辺側導体壁１８、１９を導体層
およびビアホール導体を介して接続してもよい。

【００４３】さらには、図１乃至図４では半導体素子を
実装し気密封止したパッケージについて述べたが、半導
体素子を収納したパッケージを実装する回路基板、ある
いは半導体素子を直接実装する回路基板においても同様
のことがいえる。

【００４４】上記図１乃至図４に示した本発明の高周波
パッケージＡ１乃至Ａ４においては、誘電体基板１、誘
電体部９、誘電体層１５は、セラミックスまたは有機樹
脂含有材料、あるいはそれらの複合体からなる構成する
ことができる。例えば、セラミックスとしては、Ａｌ₂
Ｏ₃、ＡｌＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄などのセラミック材料や、ガラ
ス材料、あるいはガラスとＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＭｇＯ
などの無機質フィラーとの複合体からなるガラスセラミ
ック材料の群から選ばれる少なくとも１種の絶縁材料に
より形成でき、これらの原料粉末を用いて所定の基板形
状に成形した後、焼成することにより形成される。

【００４５】また、有機樹脂含有材料としては、エポキ
シ樹脂、ポリアミド樹脂などの熱硬化性樹脂、あるいは
これらの樹脂とガラスクロスとの複合材料、さらにはフ
ッ素系樹脂などによって形成することができる。

【００４６】また、信号の伝達を担う各伝送線路および
グランド層は、タングステン、モリブデンなどの高融点
金属や、金、銀、銅などの低抵抗金属などにより形成す
ることができ、これらは、用いる基板材料に応じて適宜
選択して、従来の積層技術をもって一体的に形成するこ
とができる。

【００４７】例えば、基板をＡｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、Ｓｉ₃
Ｎ₄などのセラミック材料により形成する場合には、タ
ングステン、モリブデン等の高融点金属を用いて未焼成
体に印刷塗布して、１５００〜１９００℃の温度で焼成
すればよく、基板をガラス材料、ガラスセラミック材料
により形成する場合には、銅、金、銀などを用いて同様
にして８００〜１１００℃の温度で焼成することにより
作製できる。なお、基板を有機樹脂を含む絶縁材料によ
り形成する場合には、銅、金、銀などを用いてペースト
を塗布するか、金属箔を接着することにより線路やグラ
ンド層を形成することができる。

【００４８】次に、上記本発明の高周波用パッケージと
導波管との接続による伝送特性について図１の高周波用
パッケージＡ１に対して、誘電体基板材料としてアルミ
ナセラミックスを、導体材料としてタングステンを用い
て図１の配線基板（サンプル１）を作製し、ネットワー
クアナライザーを用いて、変換部分の損失（Ｓ２１）を
測定しその結果を図５に示した。図５の結果によれば、
高周波用パッケージと導波管とが７７ＧＨｚにおいて、
Ｓ２１（損失）が−０．５５ｄＢの良好な伝送特性をも
って接続されていることがわかる。

【００４９】なお、参考例として、図１のパッケージＡ
１において、誘電体部９の表面にグランド層７や導波管
Ｂ１と電気的に独立した、パッチアンテナ的機能を有す
る導体層を被着形成した配線基板（サンプル２）につい
て同様の測定を行なった結果、図５に示すように、７７
ＧＨｚにおいて、Ｓ２１（損失）が０．９ｄＢであっ
て、本発明品よりも劣るものであった。

【００５０】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、配
線基板表面に形成された信号伝送線路と導波管との信号
の伝送にあたり、低損失、低反射で効率よく行うことが
可能であり、またパッケージ構造においても高周波素子
の気密封止をも確実に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施態様である高周波用パッケージ
Ａ１と導波管Ｂ１との接続構造の一実施態様を説明する
ためものであり、（ａ）は高周波用パッケージＡ１の概
略断面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ１における誘
電体基板の平面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構
造を説明するための概略断面図である。

【図２】本発明の他の実施態様である高周波用パッケー
ジＡ２と導波管Ｂ１との接続構造を説明するためもので
あり、（ａ）は高周波用パッケージＡ２の概略断面図、
（ｂ）は高周波用パッケージＡ２における誘電体基板の
底面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構造を説明す
るための概略断面図である。

【図３】本発明のさらに他の実施態様である高周波用パ
ッケージＡ３と導波管Ｂ１との接続構造を説明するため
ものであり、（ａ）は高周波用パッケージＡ３の概略断
面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ３における誘電体
基板の底面図、（ｃ）はその導波管Ｂ１との接続構造を
説明するための概略断面図である。

【図４】本発明のさらに他の実施態様である高周波用パ
ッケージＡ４と導波管Ｂ２との接続構造を説明するため
ものであり、（ａ）は高周波用パッケージＡ４の概略断
面図、（ｂ）は高周波用パッケージＡ４における誘電体
基板の底面図、（ｃ）はその導波管Ｂ２の開放端を説明
するための斜視図、（ｄ）は高周波用パッケージＡ４と
（ｃ）の先端構造を有する導波管Ｂ２との接続構造を説
明するための概略断面図である。

【図５】図１の高周波用パッケージＡ１と導波管Ｂ１と
の接続による伝送特性を示す図である。

【符号の説明】

Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４ 高周波用パッケージ Ｂ１，Ｂ２ 導波管 Ｂ’ フランジ １ 誘電体基板 ２ 蓋体 ３ キャビティ ４ 高周波素子 ５ 信号伝送線路 ５ａ 終端 ６ 第１のスロット孔 ７ 第１のグランド層 ９ 誘電体部 １０ 第２のスロット孔 １１ 第２のグランド層 １２ 導体層 １４ 誘電体層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南上 英博 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】誘電体基板と、該誘電体基板の一方の表面
   に形成された信号伝送線路と、該信号伝送線路と導波管
   とを接続するための接続部を具備する配線基板であっ
   て、前記接続部が、前記誘電体基板の他方の表面に形成
   され、前記信号伝送線路の終端と対峙する位置に第１の
   スロット孔を有する第１のグランド層と、該第１のグラ
   ンド層の少なくとも前記第１のスロット孔形成表面に形
   成された誘電体部と、該誘電体部の表面に設けられ、前
   記第１のスロット孔と対峙する位置に第２のスロット孔
   を有し、且つ導波管との接続時に前記第１のグランド層
   と同電位に保たれる第２のグランド層と、を具備するこ
   とを特徴とする配線基板。
2. 【請求項２】前記誘電体部の大きさが、接続される導波
   管の内径以下であることを特徴とする請求項１記載の配
   線基板。
3. 【請求項３】前記誘電体部の周囲に、前記第１のグラン
   ド層と電気的に接続され且つ導波管の導体壁と接続され
   る金属枠体を取り付けてなることを特徴とする請求項１
   記載の配線基板。
4. 【請求項４】前記誘電体基板の前記第１のグランド層の
   表面に、誘電体層が一体的に設けられており、前記誘電
   体部が前記誘電体層内に設けられていることを特徴とす
   る請求項１記載の配線基板。
5. 【請求項５】前記誘電体層の前記第１のスロット形成部
   を中心とする周囲に、前記第１のグランド層と前記第２
   のグランド層とを電気的に接続するための複数の垂直導
   体が前記誘電体層を貫通して形成されてなり、前記垂直
   導体によって囲まれた領域が前記誘電体部を形成してい
   ることを特徴とする請求項４記載の配線基板。
6. 【請求項６】前記誘電体部の側面に、前記第１のグラン
   ド層と前記第２のグランド層とを接続する導体層を形成
   してなることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいず
   れか記載の配線基板。
7. 【請求項７】誘電体基板と、該誘電体基板の一方の表面
   に形成された信号伝送線路と、該信号伝送線路と導波管
   とを接続してなる配線基板と導波管との接続構造であっ
   て、前記配線基板の接続部が、該誘電体基板の他方の表
   面に形成され、前記信号伝送線路の終端と対峙する位置
   に第１のスロット孔を有する第１のグランド層と、該第
   １のグランド層の第１のスロット孔形成表面に形成され
   た誘電体部と、該誘電体部の表面に設けられ、前記第１
   のスロット孔と対峙する位置に第２のスロット孔を有
   し、且つ前記第１のグランド層と同電位に保たれた第２
   のグランド層と、を具備することを特徴とする配線基板
   と導波管との接続構造。
8. 【請求項８】前記配線基板における前記誘電体部の大き
   さが、接続される導波管の内径以下であることを特徴と
   する請求項７記載の配線基板と導波管との接続構造。
9. 【請求項９】前記誘電体部の周囲に、前記第１のグラン
   ド層と電気的に接続された金属枠体が取り付けられ、該
   金属枠体と前記導波管のフランジとを接続固定してなる
   ことを特徴とする請求項７記載の配線基板と導波管との
   接続構造。
10. 【請求項１０】前記配線基板における前記誘電体基板の
    第１のグランド層の表面に、誘電体層が一体的に形成さ
    れており、前記誘電体部が前記誘電体層内に設けられて
    いることを特徴とする請求項７記載の配線基板と導波管
    との接続構造。
11. 【請求項１１】前記配線基板における前記第１のスロッ
    ト形成部を中心とする周囲に、前記第１のグランド層と
    前記第２のグランド層を電気的に接続するための複数の
    垂直導体が前記誘電体層を貫通して形成されてなり、前
    記垂直導体によって囲まれた領域が前記誘電体部を形成
    しており、前記導波管の導体壁と前記垂直導体とが電気
    的に接続されてなることを特徴とする請求項１０記載の
    配線基板と導波管との接続構造。
12. 【請求項１２】前記誘電体部の側面に、前記第１のグラ
    ンド層と前記第２のグランド層とを接続する導体層を形
    成してなることを特徴とする請求項７乃至請求項１１の
    いずれか記載の配線基板と導波管との接続構造。