JP2000049509A

JP2000049509A - 配線基板とその接続構造

Info

Publication number: JP2000049509A
Application number: JP10216793A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Koriyama; 慎一郡山; Kenji Kitazawa; 謙治北澤; Hidehiro Nanjiyou; 英博南上
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1998-07-31
Filing date: 1998-07-31
Publication date: 2000-02-18
Anticipated expiration: 2018-07-31
Also published as: JP3762109B2

Abstract

(57)【要約】【課題】グランド層を誘電体基板内部に有する高周波用
線路を具備する配線基板を他の配線基板に対して簡単な
構造で信号の伝送損失を低減して接続する。【解決手段】誘電体基板１と、誘電体基板１表面に形成
されたストリップ導体２と誘電体基板１内部に形成され
たグランド層３を有する高周波用線路とを具備する配線
基板Ａを、他の電気回路、例えば誘電体基板７表面にグ
ランド層９が形成された配線基板Ｂと接続する構造であ
って、配線基板Ａの端部にグランド層３が露出した段差
面５を設け、段差面５を配線基板Ｂのグランド層９に重
ね合わせることによって、配線基板Ａのグランド層３と
配線基板Ｂのグランド層９とを略同一平面内にて電気的
に接続し、配線基板Ｂに形成されたストリップ導体８と
配線基板Ａに形成されたストリップ導体２とをワイヤ、
リボン、ＴＡＢ用テープなどの導体部材１２によって電
気的に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板や高
周波素子を収納するパッケージ等に適用され、ストリッ
プ導体とグランド層を有するマイクロストリップ線路、
グランド付きコプレーナ線路などの高周波用線路を具備
する配線基板と、その基板を他の配線基板に接続するた
めの構造に関し、高周波信号の伝送損失を低減して他の
配線基板に接続するための改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、高度情報化時代を迎え、情報伝達
に用いられる電波は１〜３０ＧＨｚのマイクロ波領域か
ら、更に３０〜３００ＧＨｚのミリ波領域の周波数まで
活用することが検討されており、例えば、車間レーダー
やオフィス内高速データ通信システム（無線ＬＡＮ）の
ようなミリ波の電波を用いたさまざまな応用システムも
提案されるようになっている。

【０００３】そのようなマイクロ波、ミリ波用のシステ
ムにおいて用いられる配線基板７０としては、例えば、
図７に示すように、誘電体基板７１表面に高周波用素子
７２が搭載されており、さらに基板７１表面には、その
高周波素子７２に信号を伝送するための信号線が設けら
れている。信号線としては、マイクロ波、ミリ波領域で
は、一般的な導体線では信号の伝送ができないために、
通常、従来より、マイクロストリップ線路、ストリップ
線路、コプレーナ線路、グランド付きコプレーナ線路な
どの高周波用線路７３が用いられている。

【０００４】高周波用線路のうち、マイクロストリップ
線路、ストリップ線路、グランド付きコプレーナ線路
は、いずれもストリップ導体７４とグランド層７５を有
するものであり、ストリップ導体７４は誘電体基板７１
表面に形成され、グランド層７５は誘電体基板７１の裏
面または内部に設けることができるが、この図７におい
ては、グランド層７５は誘電体基板７１の内部に設けら
れている。

【０００５】そして、このような構造の配線基板７０を
複数配置してモジュール化する場合、配線基板７０と、
同様にストリップ導体７６とグランド層７７を有する高
周波用線路７３を具備する他の配線基板７８とを接続す
る場合には、各配線基板７０、７８において、ビアホー
ル導体７９、８０によってグランド層７５、７７を配線
基板７０、７８の下面に導出し、配線基板７０、７８を
接続用グランド層８１が表面に形成された外部基板８２
の表面にそれぞれ実装することにより、グランド層７５
とグランド層７７を、ビアホール導体７９、８０、接続
用グランド層８１を介して接続される。

【０００６】そして、ストリップ導体７４とストリップ
導体７６とは、ワイヤやリボンなどの導体線８３によっ
て電気的に接続される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、グラン
ド層７５，７７が誘電体基板７１の内部に設けられた配
線基板７０、７８同士を接続する場合、図７に示したよ
うに、ビアホール導体７９、８０や接続用グランド層８
１などを用いて引き回して接続すると、接続部における
ストリップ導体とグランド層との間隔が変動して電磁的
な結合状態が変化するために、この接続部において信号
の伝送の損失が大きくなるという問題があった。しか
も、電磁場分布の位相がずれてしまい信号が反射してし
まうという問題があった。

【０００８】また、グランド層７５、７７を誘電体基板
７１の裏面に形成する場合、扱う信号の周波数が高くな
るにつれて、ストリップ導体とグランド層間の距離を狭
くする必要があるために、誘電体基板厚みを必然的に１
ｍｍ以下の厚さまで薄くする必要がある。そのために、
基板がわずかな衝撃で破損しやすくなり、取扱いが難し
いという問題があった。

【０００９】従って、本発明は、グランド層を誘電体基
板内部に有する高周波用線路を具備する配線基板を他の
配線基板に対して簡単な構造で且つ接続部における信号
の伝送損失が小さい配線基板とその接続構造を提供する
ことを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
に対して検討を重ねた結果、グランド層を内部に有する
配線基板の端部に段差を設けて、その段差面にグランド
層を露出せしめ、この露出したグランド層を用いて、他
の配線基板のグランド層と略同一平面内にて接続するこ
とにより、接続部での信号の伝送損失を低減できるとと
もに、他の配線基板との接続構造を簡略化できることを
見出した。

【００１１】即ち、本発明によれば、誘電体基板表面に
形成されたストリップ導体と誘電体基板内部に形成され
たグランド層を有するマイクロストリップ線路などの高
周波用線路とを具備する配線基板の端部に、誘電体基板
内部のグランド層が露出するような段差を設けることに
より、グランド層が露出した段差面を形成し、このグラ
ンド層が露出した段差面を他の電気回路におけるグラン
ド層に重ね合わせることによって、配線基板のグランド
層と、他の配線基板のグランド層とを略同一平面内にて
電気的に接続することにより、接続部において高周波信
号による電磁界分布が乱されることなく伝送することが
可能になり、高周波信号の伝送特性の良好な接続が可能
になる。

【００１２】なお、かかる接続構造によれば、他の配線
基板にストリップ導体が設けられている場合には、双方
のストリップ導体をワイヤ、リボンなどの導体部材によ
って電気的に接続するものである。

【００１３】また、上記接続構造においては、２つの配
線基板のいずれか一方、または両方が高周波素子を搭載
したパッケージなどからなる場合においても適用できる
他、他の配線基板は、電子機器を構成するハウジングで
あってもよいし、さらには、さらに他の配線基板と接続
するための接続部材であってもよい。

【００１４】さらに、他の配線基板におけるグランド層
が誘電体基板内部に形成されている場合、他の配線基板
においてもその端部に同様に段差部を形成して、グラン
ド層が露出した段差面を形成し、２つの配線基板の段差
面同士を当接させて重ね合わせることにより、２つのグ
ランド層間を接続することも可能である。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の接続構造を具体的
に図面を用いて説明する。まず、図１は、本発明の配線
基板の接続構造において用いられる配線基板の基本構造
を説明するための概略断面図である。

【００１６】先ず、図１の配線基板Ａは、誘電体層１
ａ、１ｂを積層して形成された誘電体基板１を有し、こ
の誘電体基板１の表面には、ストリップ導体２が被着形
成されており、誘電体層１ａと誘電体層１ｂの間には、
グランド層３が内蔵されている。そして、このストリッ
プ導体２と、グランド層３によってマイクロストリップ
線路が形成されている。

【００１７】かかる構造の配線基板Ａにおいては、誘電
体層１ａの厚みを信号の周波数に応じて適宜厚さを調整
することにより、ストリップ導体２とグランド層３との
間隔を調整できるために、良好な高周波伝送特性を有す
るマイクロストリップ線路を形成することができる。ま
た、誘電体層１ｂの厚みの調整によって、配線基板Ａ全
体としての厚みを任意に定めることができるために、配
線基板Ａとしての強度を向上することができる。

【００１８】本発明においては、配線基板Ａの端部にお
いて、誘電体層１ａ、誘電体層１ｂのいずれか一方を切
り欠くことにより段差部４を形成し、その段差面５にグ
ランド層３を露出させる。この段差部４は、配線基板Ａ
の一端、あるいは複数の端部に形成することもでき、図
１の配線基板Ａでは、誘電体層１ｂの長さを誘電体１ａ
よりも短くして両端に段差部４、４が設けられ、その段
差面５、５にグランド層３が露出した構造からなり、か
かる露出したグランド層３を他の電気回路、例えば、配
線基板や、配線基板を支持しそれ自体が接地された金属
製シャーシ、さらには他の配線基板と接続するための接
続部材などに形成されたグランド層と接続する。なお、
他の電気回路におけるグランド層とは、誘電体基板表面
に導体層として形成されたグランド層や金属製シャーシ
のように、配線基板を接続する箇所が電気的に接地され
た金属面であってもよい。

【００１９】図２乃至図４は、いずれも本発明の配線基
板の接続構造における基本的接続構造を説明するための
概略断面図である。図２によれば、配線基板Ｂは、例え
ば、配線基板Ａを収納する金属製のシャーシ６の一部に
設けられており、配線基板Ｂは、誘電体層７ａと誘電体
層７ｂとの積層体からなる誘電体基板７の誘電体層７ａ
表面にストリップ導体８が被着形成されており、また、
誘電体基板７の内部には、グランド層９が設けられてい
る。また、配線基板Ｂの配線基板Ａとの接続部には、段
差部１０が設けられており、その段差面１１には、グラ
ンド層９が露出されている。

【００２０】そして、配線基板Ｂのグランド層９が露出
した段差面１１に対して、配線基板Ａのグランド層３が
露出した段差面５を当接させて重ね合わせることによ
り、配線基板Ａのグランド層３と、配線基板Ｂのグラン
ド層９とを略同一平面内にて電気的に接続することがで
きるために、高周波信号による電磁界分布を乱すことが
なく配線基板Ａと配線基板Ｂ間において良好な高周波伝
送特性が得られる。

【００２１】また、配線基板Ａのストリップ導体２と、
配線基板Ｂのストリップ導体８とは、ワイヤ、リボン、
ＴＡＢ用テープなどの導体部材１２によって電気的に接
続されている。なお、上記グランド層３とグランド層９
とは、半田などのロウ剤によって強固に接続することも
可能である。なお、配線基板Ａと配線基板Ｂとの隙間
は、できるだけ小さいほうが高周波特性を劣化させない
ために望ましい。

【００２２】図３の接続構造においては、配線基板Ｃ
は、配線基板Ａと同様に、誘電体層１３ａ、１３ｂを積
層して形成された誘電体基板１３を有し、この誘電体基
板１３の表面には、ストリップ導体１４が被着形成され
ており、誘電体層１３ａと誘電体層１３ｂの間には、グ
ランド層１５が内蔵されている。そして、このストリッ
プ導体１４と、グランド層１５によってマイクロストリ
ップ線路が形成されている。そして、配線基板Ｃの端部
において、誘電体層１３ａ、誘電体層１３ｂを一定の幅
だけずらして積層された構造によって両端に段差部１
６、１６が形成され、その段差面１７、１７にグランド
層１５、１５が露出されている。一方、配線基板Ｄは、
配線基板Ｃと全く同様の構造の誘電体基板１３’、スト
リップ導体１４’、グランド層１５’、段差部１６’、
段差面１７’を具備する配線基板から構成されるもので
ある。

【００２３】図３によれば、配線基板Ｃの段差面１７と
配線基板Ｄの段差面１７’とを当接させて重ね合わせる
ことにより、配線基板Ｃのグランド層１５と、配線基板
Ｄのグランド層１５’とを略同一平面内にて電気的に接
続することができるために、高周波信号による電磁界分
布を乱すことがなく、配線基板Ｃと配線基板Ｄ間におい
て良好な高周波伝送特性が得られる。

【００２４】また、配線基板Ｃのストリップ導体１４
と、配線基板Ｄのストリップ導体１４’とはワイヤ、リ
ボン、ＴＡＢ用テープなどの導体部材１８によって電気
的に接続されている。なお、上記グランド層１５とグラ
ンド層１５’とは、半田などのロウ材によって強固に接
続することも可能である。

【００２５】図４は、図１に示した配線基板Ａと、配線
基板Ａと全く同様の構造を有する、誘電体基板１’、ス
トリップ導体２’、グランド層３’、段差部４’、段差
面５’を具備する配線基板Ｅとを接続するための構造に
関するものである。図４の接続構造によれば、配線基板
Ａと配線基板Ｅとの間には、誘電体基板１９の表面にグ
ランド層２０が設けられた接続部材Ｆが設けられてい
る。そして、配線基板Ａおよび配線基板Ｅの段差面５，
５’は、接続部材Ｆのグランド層２０に対してそれぞれ
当接させて重ね合わせることにより、配線基板Ａのグラ
ンド層３、接続部材Ｆのグランド層２０、配線基板Ｅの
グランド層３’とを略同一平面内にて電気的に接続する
ことができる。また、配線基板Ａのストリップ導体２
と、配線基板Ｅのストリップ導体２’とをワイヤ、リボ
ン、ＴＡＢ用テープなどの導体部材２１によって電気的
に接続する。なお、上記配線基板Ａ，Ｅのグランド層
３，３’と接続部材Ｆのグランド層２０とは、半田など
のロウ材によって強固に接続することも可能である。

【００２６】このような接続構造においては、配線基板
Ａのグランド層３と、配線基板Ｅのグランド層３’とを
接続部材Ｆのグランド層２０を介して略同一平面内にて
電気的に接続することができるために、配線基板Ａと配
線基板Ｅとの接続部において、高周波信号による電磁界
分布を乱すことがなく、配線基板Ａと配線基板Ｅ間にお
いて良好な高周波信号の伝達が可能となる。

【００２７】また、図４における接続部材Ｆは、上記の
ように誘電体基板１９の表面にグランド層２０を設けた
もの以外に、全てが金属からなり、電気的に接地された
シャーシ部材であってもよい。

【００２８】次に、図５及び図６は、本発明における配
線基板の典型的な応用例として高周波素子を搭載した複
数のパッケージを相互接続した高周波用モジュールに応
用した場合の接続構造を説明するための概略断面図であ
る。

【００２９】図５における高周波素子収納用パッケージ
Ｇ１によれば、誘電体層３１ａ，誘電体層３１ｂを積層
してなる誘電体基板３１を具備し、その誘電体層３１ａ
と誘電体層３１ｂとの界面には、グランド層３２が設け
られている。また、誘電体基板３１の中央部には凹部３
３が設けられており、凹部３３内のグランド層３２の表
面には、高周波素子３４が固着されている。

【００３０】また、誘電体層３１ｂの表面には、ストリ
ップ導体３５が被着形成されており、誘電体基板３１内
部のグランド層３２とともにマイクロストリップ線路を
形成している。そして、誘電体基板３１の高周波素子３
４搭載側には、高周波素子３４を気密に封止するために
金属製の蓋体３６が取り付けられている。

【００３１】一方、誘電体基板３１の高周波素子３４搭
載側とは反対の表面には、ストリップ導体３７が設けら
れており、誘電体基板３１内部のグランド層３２ととも
にマイクロストリップ線路が形成されている。

【００３２】そして、高周波素子３４搭載面側に設けら
れたストリップ導体３５とグランド層３２からなるマイ
クロストリップ線路と、高周波素子３４搭載面側の反対
側に設けられたストリップ導体３７とグランド層３２か
らなるマイクロストリップ線路とは、ストリップ導体３
５とストリップ導体３７との端部をスルーホール導体３
８によって電気的に接続することにより信号の伝達を可
能としている。

【００３３】また、この高周波素子収納用パッケージＧ
１によれば、誘電体層３１ａと誘電体層３１ｂとを所定
量ずらして積層された構造によって、パッケージの端部
に、グランド層３２が上側に露出した段差面３９を有す
る段差部４０と、グランド層３２が下側に露出した段差
面４１を有する段差部４２が形成されている。

【００３４】そして、このパッケージＧ１と全く同様の
形状からなるパッケージＧ２は、各パッケージの段差面
３９と、隣接するパッケージの段差面４１とを当接させ
て重ね合わせることにより、各パッケージＧ１、Ｇ２の
グランド層３２を略同一平面内にて電気的に接続するこ
とができる。そして、各パッケージのストリップ導体３
７同士をワイヤ、リボン、ＴＡＢ用テープ等の導体部材
４３によって電気的に接続することにより、各パッケー
ジＧ１、Ｇ２の各マイクロストリップ線路間を高周波信
号による電磁界分布を乱すことがなく良好な高周波信号
の伝達が可能ななる。

【００３５】図６における高周波素子収納用パッケージ
Ｈ１によれば、高周波素子収納用パッケージＧ１と同様
に、誘電体層５１ａ，誘電体層５１ｂを積層してなる誘
電体基板５１を具備し、誘電体層５１ａと誘電体層５１
ｂとの界面には、グランド層５２が設けられている。ま
た、誘電体基板５１の中央部には凹部５３が設けられて
おり、凹部５３内のグランド層５２の表面には、高周波
素子５４が固着されている。

【００３６】また、誘電体層５１ｂの表面には、ストリ
ップ導体５５が被着形成されており、誘電体基板５１内
部のグランド層５２とともにマイクロストリップ線路を
形成している。一方、誘電体基板５１の高周波素子５４
搭載側とは反対の表面には、ストリップ導体５６が設け
られており、誘電体基板５１内部のグランド層５２とと
もにマイクロストリップ線路が形成されている。

【００３７】そして、高周波素子５４搭載面側に設けら
れたストリップ導体５５とグランド層５２からなるマイ
クロストリップ線路と、高周波素子５４搭載面側の反対
側に設けられたストリップ導体５６とグランド層５２か
らなるマイクロストリップ線路とは、ストリップ導体５
５とストリップ導体５６との端部をグランド層５２に設
けられたスロット５７を介して対照的に配置することに
より、互いに電磁的に結合され信号の伝達を可能として
いる。

【００３８】また、この高周波素子収納用パッケージＨ
１によれば、誘電体層５１ｂの長さを誘電体層５１ａよ
りも短くして積層された構造によって、パッケージの端
部に、グランド層５２が下側に露出した段差面５８を有
する段差部５９が両端に形成されている。

【００３９】そして、このパッケージＨ１およびパッケ
ージＨ１と全く同様の形状からなるパッケージＨ２は、
パッケージＨ１、Ｈ２の高周波素子５４、５４’をそれ
ぞれ気密に封止するための凹部６０を有し、接地された
金属製のシャーシ６１に対して、その突起部６２にパッ
ケージの段差面５８、５８’を当接させて重ね合わせる
ことにより、各パッケージＨ１、Ｈ２のグランド層５
２、５２’を略同一平面内にて電気的に接続することが
できるとともに、高周波素子５４、５４’は金属製シャ
ーシ６１によって気密に封止される。そして、各パッケ
ージのストリップ導体５６、５６’同士をワイヤ、リボ
ン、ＴＡＢ用テープ等の導体部材６３によって電気的に
接続することにより、各パッケージＨ１、Ｈ２の各マイ
クロストリップ線路間を各パッケージの接続部におい
て、高周波信号による電磁界分布を乱すことがなく、良
好な高周波信号の伝達が可能となる。

【００４０】本発明によれば、高周波素子を搭載した複
数のパッケージを相互接続した高周波用モジュールに応
用した場合の接続構造については図５及び図６に説明し
た構造に限定されるものではなく、図１乃至図３に示し
た基本的な接続構造を基礎として、あらゆる組み合わせ
によって、高周波素子を搭載したパッケージとシャー
シ、あるいは、高周波素子を搭載したパッケージ同士な
どの接続に適用することが可能である。

【００４１】本発明の配線基板の接続構造において、配
線基板の誘電体基板は、アルミナ、ムライト、ガラス、
ガラスセラミックス、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒
化珪素等の焼結体や、有機樹脂を構成要素として含有す
る有機質絶縁材によって構成される。また、グランド
層、ストリップ導体などは、高周波信号の伝送損失を小
さくするためには、導体層材料としてＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ
等の低抵抗導体によって形成されていることが望まし
く、そのために、誘電体基板を焼結体によって形成する
場合には、焼成温度が８００〜１０００℃程度のガラ
ス、ガラスセラミックス等の低温焼成の焼結体が最適で
あり、この組み合わせにより誘電体層とストリップ導体
やグランド層とを同時焼成によって形成することも可能
である。

【００４２】次に、本発明における配線基板を製造する
には、例えば、ガラスセラミックスを構成する原料粉末
に有機物系のバインダーを混合して調製した成形材料
を、ドクターブレード法やプレス成形法、圧延法等の周
知の成形方法でシート状の成形体を得た後、各シート状
成形体に適宜打ち抜き加工して凹部やスルーホール等を
形成し、次いでスルーホール内にＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ等の
低抵抗金属を主体とするペーストを用いてスルーホール
導体や、ストリップ導体、グランド層などの線路パター
ンを印刷形成する。

【００４３】そして、複数のシート状成形体のうちグラ
ンド層の上側、または下側のシート状成形体をずらすか
または短く切断して積層して、段差面にグランド層を有
する段差部を形成する。その後、該積層体を８００〜１
０００℃の温度で、窒素等の非酸化性雰囲気中で焼成す
ることにより配線基板が得られる。

【００４４】また、段差面にグランド層を有する段差部
を形成する方法としては、焼成した配線基板から、グラ
ンド層の上側、または下側の誘電体層を研削加工してグ
ランド層を露出させることも可能である。

【００４５】かくして得られた配線基板の凹部内に高周
波素子をＡｕ・Ｇｅ合金、Ａｕ・Ｓｎ合金等により凹部
内の所定位置に接着固定した後、ワイヤボンディングや
リボンにより信号伝送線路と電気的に接続したり、金属
製蓋体を接着することにより高周波素子用パッケージを
作製することができる。

【００４６】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の配線基板お
よびその接続構造は、グランド層を内蔵する配線基板に
おいて、その端部おいてグランド層が露出した段差面を
形成して、その露出したグランド層をもって略同一平面
内にて他の配線基板のグランド層を接続することによ
り、接続部におけるストリップ導体とグランド層間の極
端な間隙の変化を抑制することができるために、簡略化
した構造からなり、接続部での伝送損失の小さい接続構
造を提供できる。また、かかる配線基板の構造において
は、基板の厚さを大きくして表面に近い部分にグランド
層を形成してマイクロストリップ線路等の高周波用線路
を形成することが可能であり、しかも他の配線基板のグ
ランド層との接続を良好に行うことができるために、配
線基板の強度の向上と伝送する周波数に応じて高周波特
性に優れた接続構造を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線基板の接続構造における配線基板
の基本的な構造を説明するための概略断面図である。

【図２】本発明の配線基板の接続構造における基本的接
続構造の一実施態様を説明するための概略断面図であ
る。

【図３】本発明の配線基板の接続構造における基本的接
続構造の他の実施態様を説明するための概略断面図であ
る。

【図４】本発明の配線基板の接続構造における基本的接
続構造のさらに他の実施態様を説明するための概略断面
図である。

【図５】本発明の配線基板の接続構造を高周波素子を搭
載した複数のパッケージを相互接続した高周波用モジュ
ールに応用した場合の接続構造の一実施態様を説明する
ための概略断面図である。

【図６】本発明の配線基板の接続構造を高周波素子を搭
載した複数のパッケージを相互接続した高周波用モジュ
ールに応用した場合の接続構造の他の実施態様を説明す
るための概略断面図である。

【図７】従来の高周波用線路を有する配線基板の接続構
造を説明するための概略断面図である。

【符号の説明】

Ａ，Ｂ配線基板１ａ，１ｂ、７ａ，７ｂ誘電体層１，７誘電体基板２，８ストリップ導体３，９グランド層４，１０段差部５，１１段差面６シャーシ１２導体部材

フロントページの続きＦターム(参考） 5E346 AA13 BB02 BB06 FF21 HH06 HH07 5J011 DA12 5J014 CA08 CA42 CA56

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体基板と、該誘電体基板表面に形成さ
れたストリップ導体と、前記誘電体基板内部に形成され
たグランド層を有する高周波用線路とを具備してなる配
線基板において、該基板端部にグランド層が露出した段
差面を形成し、該露出したグランド層を他の電気回路に
おけるグランド層と接続せしめることを特徴とする配線
基板。
【請求項２】前記誘電体基板表面に、高周波素子が搭載
され、前記高周波素子と前記ストリップ導体とが電気的
に接続されてなることを特徴とする請求項１記載の配線
基板。
【請求項３】前記高周波用線路が、マイクロストリップ
線路、グランド付きコプレーナ線路のうちの少なくとも
１種である請求項１記載の配線基板。
【請求項４】第１の誘電体基板と、該第１の誘電体基板
表面に形成されたストリップ導体と該第１の誘電体基板
内部に形成された第１のグランド層を有する高周波用線
路とを具備する第１の配線基板を、第２の誘電体基板表
面に第２のグランド層が形成された第２の配線基板と接
続する構造であって、前記第１の配線基板の端部に前記
第１のグランド層が露出した段差面を設け、該段差面を
前記第２のグランド層に重ね合わせることによって、前
記第１のグランド層と前記第２のグランド層とを略同一
平面内にて電気的に接続したことを特徴とする配線基板
の接続構造。
【請求項５】前記第２の配線基板が、前記第２の誘電体
基板表面に第２のストリップ導体を具備しており、前記
第１のストリップ導体と前記第２のストリップ導体と
を、ワイヤ、リボンなどの導体部材によって電気的に接
続してなることを特徴とする請求項４記載の配線基板の
接続構造。
【請求項６】前記第２の配線基板における第２のグラン
ド層が誘電体基板内部に形成されるとともに、前記第２
の配線基板の端部に前記第２のグランド層が露出した段
差面が設けられており、前記第１の配線基板における段
差面を前記第２の段差面と重ね合わせることを特徴とす
る請求項４または請求項５記載の配線基板の接続構造。
【請求項７】前記第２の配線基板が、前記第１の配線基
板を支持するためのシャーシの一部に設けられているこ
とを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれか記載の
配線基板の接続構造。
【請求項８】前記第１の配線基板表面に高周波素子が搭
載されてなることを特徴とする請求項４乃至請求項７の
いずれか記載の配線基板の接続構造。
【請求項９】前記第２の配線基板表面に高周波素子が搭
載されてなることを特徴とする請求項４乃至請求項８の
いずれか記載の配線基板の接続構造。
【請求項１０】誘電体基板と、該誘電体基板表面に形成
されたストリップ導体と該誘電体基板内部に形成された
グランド層を有する高周波用線路とを具備する２つの配
線基板を接続する構造であって、各配線基板の端部に前
記グランド層が露出した段差面を設け、各配線基板の段
差部を、接続部材表面に形成されたグランド層に重ね合
わせて、各配線基板のグランド層と前記接続部材のグラ
ンド層を略同一平面内にて電気的に接続するとともに、
前記各配線基板の前記ストリップ導体同士をワイヤ、リ
ボンなどの導体部材によって電気的に接続したことを特
徴とする配線基板の接続構造。