JP2003502852A - 多層プリント回路板へチップを装着するための構成 - Google Patents

多層プリント回路板へチップを装着するための構成

Info

Publication number
JP2003502852A
JP2003502852A JP2001504729A JP2001504729A JP2003502852A JP 2003502852 A JP2003502852 A JP 2003502852A JP 2001504729 A JP2001504729 A JP 2001504729A JP 2001504729 A JP2001504729 A JP 2001504729A JP 2003502852 A JP2003502852 A JP 2003502852A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
ground plane
printed circuit
circuit board
cavity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001504729A
Other languages
English (en)
Inventor
ハルユ、トーマス
Original Assignee
テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン(パブル)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン(パブル) filed Critical テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン(パブル)
Publication of JP2003502852A publication Critical patent/JP2003502852A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/183Components mounted in and supported by recessed areas of the printed circuit board
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5385Assembly of a plurality of insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/66High-frequency adaptations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657Stacked arrangements of devices
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237High frequency adaptations
    • H05K1/0243Printed circuits associated with mounted high frequency components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64Impedance arrangements
    • H01L2223/66High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6627Waveguides, e.g. microstrip line, strip line, coplanar line
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49109Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/0651Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06527Special adaptation of electrical connections, e.g. rewiring, engineering changes, pressure contacts, layout
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06572Auxiliary carrier between devices, the carrier having an electrical connection structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06582Housing for the assembly, e.g. chip scale package [CSP]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • H01L2924/141Analog devices
    • H01L2924/1423Monolithic Microwave Integrated Circuit [MMIC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1532Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1903Structure including wave guides
    • H01L2924/19032Structure including wave guides being a microstrip line type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09818Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09845Stepped hole, via, edge, bump or conductor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431Details of mounted components
    • H05K2201/10507Involving several components
    • H05K2201/10515Stacked components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10727Leadless chip carrier [LCC], e.g. chip-modules for cards
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10954Other details of electrical connections
    • H05K2201/10969Metallic case or integral heatsink of component electrically connected to a pad on PCB
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/049Wire bonding

Abstract

(57)【要約】 本発明は多層プリント回路板中の空洞をより有効に活用することを可能とする多層プリント回路板に関する構成に関する。ボンディング・ワイヤ(18)によって基板(14)のマイクロストリップ(17)へつながれたチップ(16)を含む基板(14)が、チップ(16)を空洞(6)の底に向けてボンディング・シェルフ(13)上に設置され、それによって基板(14)上のマイクロストリップ(17)はボンディング・シェルフ(13)上のマイクロストリップ(12)と接することになる。基板(14)のアース面(15)はボンディング・ワイヤ(19)によって上側アース面(2)へつながれる。この配置は、空洞(16)が有効に利用されることと、同時に基板(14)が下層のチップ(7,16)を機械的な影響から保護することを意味する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 (発明の分野) 本発明は多層プリント回路板に関するものであって、更に詳細には、部品、好
ましくはチップをそのようなプリント回路板により密に装着するための構成に関
する。
【0002】 (発明の背景) 当業者には多くの種類の多層プリント回路板が知られている。LTCC(低温
同時焼成セラミック)を例にとって以下の説明を行うが、本発明がその他のタイ
プの多層プリント回路板に対しても適用可能であることは理解されよう。
【0003】 要約すると、多層プリント回路板は次のような方法で製造される。多層プリン
ト回路板設計に基づいて、層数、各層のパターンの外観および寸法、異なる層間
でコンタクトを取るべき場所等々の必要な情報を含む図面が作成される。
【0004】 各層それ自身は、セラミック塊から、いわゆるテープと呼ばれる樹脂膜上へ予
め定められた厚さに引き延ばされる。設計に従ってそれらのテープからいろんな
パターン、なかでも、回路板の外周、後に層を互いに位置合わせさせるために使
用されるマーク、およびいわゆるビアで異なる層を互いに結びつけるためのホー
ルが打ち抜かれる。
【0005】 層の構成に続いて、ビア・ホールに適当な導電性材料が充填される。次に、各
層にパターンが印刷される。これに関して普通に用いられる方法では、導体を正
確に位置決めするためのスクリーン印刷が用いられる。それらの導体は金、銀、
あるいはその他適当な導電性材料を含む。パターンが定まると、その上に各層が
順次配置され、すべての層が定まるまで繰り返される。
【0006】 次に、プリント回路板全体が加圧下で炉に入れられ、直ちに比較的低温の摂氏
700−800度(低温)でベーキングされる(co−fired、同時焼成)
。ここで、セラミック塊が焼結し、セラミックに変化する。このキュアあるいは
硬化プロセスの後は、テープとしてではなく、層として扱うのが普通である。
【0007】 高周波信号、特にマイクロ波域での応用では、従来の導体は、許容できない損
失および妨害につながるため使用できないことがある。マイクロ波信号の場合に
通常要求されることは導体の上または下にアース面(プレーン)が存在すること
で、このアース面は導体に追随する。片側だけにアース面を有する導体は、マイ
クロストリップと呼ばれる。そのようなストリップは通常は、片側にプリント回
路板を、反対側に空気あるいは類似の誘電体を有するように配置される。その他
の場合は、導体を上側および下側の両方をアース面で取り囲むのが好ましく、そ
の場合、この導体はストリップラインと呼ばれる。ストリップラインとアース面
との距離が導体の両側で等しい場合、そのストリップラインは対称的であると言
う。ストリップラインによって得られる1つの特徴は、例えば、いわゆるストリ
ップライン・モードにおいてマイクロ波領域で信号を送信する場合に導体からの
放射が小さいことである。これがそのような信号をそのようなやり方で送信する
理由である。マイクロストリップおよびストリップラインは多層プリント回路板
中に容易に提供でき、従ってこの目的のためにしばしば使用される。導体をアー
ス面で取り囲まれるようにするために、導体面(プレーン)およびアース面が通
常はプリント回路板中に交互に取り付けられる。
【0008】 チップ、例えばMMIC(モノリシック・マイクロ波集積回路)を多層プリン
ト回路板上に装着する可能性とは別に、前記回路板中にチップを装着することも
可能である。これは、チップをアース面または空洞中の何らかのその他のキャリ
ア上に配置し、そのチップを信号搬送層へボンディング・ワイヤで接続すること
によって実現できる。これは図1に示されており、同図では、チップは既知のや
り方でマイクロストリップへ接続されている。
【0009】 上述の方法に従って多層プリント回路板中にチップを装着する場合に発生する
1つの問題は、回路板が空洞(キャビティ)を含み得ることである。空洞とは回
路板体積の損失若しくはロスを意味する。この失われた体積は回路板の構築に有
効に活用できない。
【0010】 JP−07221211号はプリント回路板の面積の活用を促進する、空洞に
2個のチップを装着するための配置について述べている。この既知の解決法は空
洞の上に基板を装着することを含んでいる。基板は複数のビアを介してプリント
回路板へ電気的に接続され、それの裏面はチップを含んでいる。この配置の媒体
を通して空洞に装着できるチップは2個だけである。更に、この基板はプリント
回路板の上に配置されるため、プリント回路板の厚さが増えることになる。
【0011】 (発明の概要) 本発明は多層プリント回路板中の空洞をより有効に活用することを可能とする
問題に対処する。
【0012】 本発明の1つの目的はプリント回路板中の空洞をより有効に活用することを可
能とする多層プリント回路板のための構成を提供することである。
【0013】 要約すると、本発明は、空洞中にあって、例えばチップのような部品を少なく
ともそれの裏面に装着できるようにする構成を提供する。
【0014】 本発明の配置は添付の請求項1に提示する内容によって特徴付けられる。
【0015】 本発明の方法の有利な実施の形態は従属項2−7から明らかになろう。
【0016】 この問題に対する解決法に伴う1つの特徴は、多層プリント回路板を構築する
方法のコンパクトさにある。本方法では、チップを並置する代わりに構築高さを
利用して重ねるように装着することを可能とする。これにより、プリント回路板
の表面はより有効に活用できる。
【0017】 ここで本発明についてそれの好適な実施の形態および添付図面を参照しながら
詳細に説明することにする。
【0018】 (好適な実施の形態の説明) 図1は多層プリント回路板20の、プリント回路板の片側から見た切リ取られ
た外観図である。参照符号1は複数の層を示す。それらの層は同じ厚さである必
要はなく、それらの上には通常は何らかの種類の導体、例えばアース面2、10
、マイクロストリップ4、対称的なストリップライン、あるいは図示の場合のよ
うに非対称なストリップライン3の形の信号搬送導体、あるいはその他適当な導
体が装着される。
【0019】 もし必要なら、上述の導体はそれぞれ複数の層1の上に取り付けられよう。導
体を取り付ける順序は上から見て、あるいは下から見て、必要に応じて変更され
よう。分かり易くするために、どの図面にもそれらの変形について何も示されて
いない。従って、すべての導体は1つの層の上だけに配置されているが、導体が
この特別な層中にだけ配置されることを意味していない。更に、アース面をそれ
が導体に追従するようにすることによってそれに対するアース面を構成するよう
に上層または下層中に配置することもできる。これにより、不必要に広い表面を
覆わなくてもアース面として機能することができる。前記アース面は単に導体の
すぐ上に広がって前記導体よりも十分幅広いものである。これにより、1つの同
じ層1上に異なる導体を取り付けることが可能になる。
【0020】 空洞6は上側アース面2および複数の層1を貫通し、下層のアース面10に達
する。空洞6はストリップライン3の少なくとも片側上で狭くなっている。この
結果、ストリップライン3はマイクロストリップ4(それの片側にだけアース面
を有する)へ移行(transition)することになる。マイクロストリッ
プ4が位置する領域であるシェルフはしばしばボンド・シェルフ(又は棚)5と
呼ばれる。空洞6の一番底には部品、しばしばチップ7が位置しており、それは
アース面10へ直接つながれる。このチップ7は、例えばボンディング・ワイヤ
などの複数の電気的コンタクト導体8によってボンド・シェルフ5上のマイクロ
ストリップ4へつながれる。
【0021】 上述のように、この配置は空洞6の一部が利用できないことを意味する。更に
、空洞全体およびそこに取り付けられる部品が保護されない。
【0022】 図2は図1の外観図と同様な外観図であり、本発明の構成の基本的な実施の形
態を示している。図1と同じように、図2は複数の層1、2つのアース面2、1
0、ボンディング・シェルフ5上にマイクロストリップ4を備える空洞6、およ
びボンディング・ワイヤ8によってマイクロストリップ4へつながれるチップ7
を示している。
【0023】 特に、本発明の実際の構成は、アース面35と、ボンディング・シェルフ13
上に装着された別の複数のマイクロストリップ12とを含んでおり、これによっ
て前記マイクロストリップ12は複数のストリップライン11へパスあるいは通
過(トランジット)する。図2の例示におけるボンディング・シェルフ13は、
先に述べたボンディング・シェルフ5よりも空洞6中のずっと高い場所に位置し
ている。ボンディング・シェルフ13は、基板14を配置し、オプションとして
固定するための端として働く。基板14は、コア34、一対のアース面15、3
0、および複数の信号搬送導体であるマイクロストリップ17を含む。絶縁性表
面32が各マイクロストリップ17と各アース面30との間に設けられて、アー
ス面30とマイクロストリップ17とが基板14の同じ側に装着された場合にそ
れらの間の電気的コンタクトを回避する。アース面30の上には、部品、図示の
例ではチップ16が装着されて、それは電気的コンタクト導体(ボンディング・
ワイヤ)18によってマイクロストリップ17へつながれる。
【0024】 基板14は空洞16中でそれの第2のアース面15が上を向き、他方チップ1
6が内側を向くように配置される。基板14がこのような向きにある場合、マイ
クロストリップ17およびアース面30もまた空洞6の底を向く。このことは、
マイクロストリップ17が基板14の端から本質的に外へ延び出した場合に、基
板14上のマイクロストリップ17はマイクロストリップ12と電気的に接触す
ることを意味する。同様に、アース面30はボンディング・シェルフ13上のア
ース面35と電気的に接触することになろう。基板14の他方のアース面15は
、図示の場合にはボンディング・ワイヤ19である複数の電気的コンタクト導体
によってプリント回路板20の上側アース面2と電気的に接触する。第2のアー
ス面15はまた、基板14の2つのアース面15、30間に延びるビア(図面に
は示されていない)によってもアースできる。この場合はボンディング・ワイヤ
19が不要となる。
【0025】 ボンディング・シェルフ導体と基板導体との間の電気的コンタクトを確実なも
のとするために、基板14はボンディング・シェルフ13に対して接着またはは
んだ付けされるか、あるいはそれに対して何らかの適当なやり方で固定される。
【0026】 プリント回路板20の横断(クロス)方向に見られるように、互いの本質的直
下に信号搬送導体が存在しないこと、およびアース面が前記導体間に位置するこ
とが好ましく、あるいは必要である。これはそれがなかでも干渉の原因となるか
らである。この理由により、プリント回路板20はストリップライン3と導体1
1、12との間に取り付けられたアース面31を含む。しかし先に述べたように
、アース面は層1全体に広がることは必要ない。
【0027】 導体が互いに“隣接する”のを防止するためのその他の解決法も当業者に既知
である。例えば、ストリップライン3および導体11、12は、すべての導体が
図2の紙面内にこない(横たわらない)ように取り付けられよう。導体11、1
2は前記紙面内に設けられているので、ストリップライン3が紙面の上または下
に十分離れて延びる場合にはこの問題は一般に存在しない。後者の場合、ストリ
ップライン3とストリップライン11とは互いに電気的に直接接触することもあ
り得る。これは例えば、本例では紙面内に位置しないストリップライン3を図面
に示されていないビアへ接続することによって実現することができる。ビアは、
層1を貫通して、マイクロストリップ11を含む層まで達し、そこにおいて1つ
のマイクロストリップに接続し、それが紙面につながって、そこにおいて前記マ
イクロストリップ11と接触する。
【0028】 分かりやすくするために図面には示されていないが、もし必要ならチップが基
板14のアース面15の上、すなわち基板14の上に取り付けられよう。この場
合、このチップは、チップ16がプリント回路板20へつながれるのと同じよう
にして、あるいは層1上に取り付けられた導体へ直接つながるボンディング・ワ
イヤによって、複数の導体へつながれる。
【0029】 図3は基板14について詳しく示している。この図は図2とは上下逆に基板1
4を、これも鳥瞰図的に示している。前の図面と同じように、図3は、アース面
30上に装着され、ボンディング・ワイヤ18によってマイクロストリップ17
へつながれたチップ16およびコア34を示す。図3はまた、図2の断面の表面
を破線で示している。この図はマイクロストリップ17およびアース面30の両
方が本質的に基板14の端まで広がっていることを明瞭に示している。マイクロ
ストリップ17は前記基板の端に接近して取り付けられ、他方アース面30は同
じ側で基板表面の残りの部分を覆っている。例外は、複数の表面32がマイクロ
ストリップ17とアース面30との間に設けられていることであり、表面32は
前記マイクロストリップ17と前記アース面30との間の絶縁の役目を持つ。
【0030】 マイクロストリップ17およびアース面30は基板14の端にまで広がってい
るので、それらはボンディング・シェルフ13と接触することになろう。ボンデ
ィング・シェルフ13の上に位置するマイクロストリップ12、これは前記基板
14上のマイクロストリップ17に対応するのであるが、このマイクロストリッ
プに加えて、ボンディング・シェルフ13はまた、アース面30と電気的に接触
することを意図された複数のアースされた導体(図面には示されていない)を含
むことができる。更に、基板14上には2個以上のチップ16が装着されること
を理解されよう。その場合、基板14にはより多くのマイクロストリップ17が
必要となり、ボンディング・シェルフ13上にそれに対応するマイクロストリッ
プ12が必要となる。
【0031】 図4は本発明の構成の別の実施の形態の簡略化表示である。分かりやすくする
ために、例えばすべてのアース面を示しているわけではない。この第2の実施の
形態は基本的な実施の形態の拡張であり、例示の場合には二度以上用いられてい
る。図2と同じように、図3は空洞6を有する多層プリント回路板20を示して
いる。チップ7が空洞6の底に装着される。空洞6中のもっと上のほうには基板
14が装着され、その上には空洞6の底を向いたチップ16が装着されている。
プリント回路板20はまた、複数の異なる導電性層:アース面2、10、および
ストリップライン3、11を含む。
【0032】 図4の実施の形態は図2の実施の形態とはいくつかの点で異なる。例えば、図
4の実施の形態の回路板20は図2の実施の形態の回路板よりも厚く、空洞6は
より深い。更に、回路板20はより多くの層を含み、その上には複数の導体27
、28、および29が装着されている。いくつかの異なる導体が1つの同じ層上
に装着されるので、読者はより詳しい説明のために図2を参照することができる
。基板14はまた、別のチップ21を含み、それは基板14のチップ16が装着
されているのとは反対側に装着される。
【0033】 図4の実施の形態の場合、別の基板22が空洞6中に取り付けられている。こ
の基板22は第1の基板14よりも空洞6の底から遠い場所に位置している。こ
の第2の基板22は基板14と類似した構造を有する。基板はそれぞれの面に複
数のチップ23、24、および複数のマイクロストリップ25および一対のアー
ス面26、33を含む。基板22と、その上に装着された部品であるチップ23
、24および導体は、第1の基板14と本質的に同じやり方で回路板20と電気
的に接触している。上記の図2についての説明を参照されたい。
【0034】 本発明の基本的構成では、基板14は空洞6のカバーを形成し、従って下層の
チップ7、16を保護する。もし必要なら、基板14のアース面15の上に別の
1または複数のチップ21を装着することができる。もしも空洞6に十分な深さ
があれば、基本的な実施の形態に従う構成は一度ならず利用することができる。
これは、本発明の構成の第2の実施の形態の場合と同じように、空洞6中でもっ
と上のほうに別の基板22を装着することによって実現することができる。基本
的な実施の形態に従って、2以上の基板を同じ空洞6中にまた同じ層1の上に配
置することができる。
【0035】 空洞6は前記空洞の縦方向に延長した中にチップを装着するために利用するこ
とができるので、プリント回路板20の表面積はもっと有効に活用できる。これ
により、回路板20をより小型化できる。
【0036】 チップと基板と回路板導体の接続ポイントを図面に示したのよりもっと増やし
てもよい。図面や説明の中に、制御および電力供給のための導体および接続が含
まれていないことに注意されたい。更に、部品の設計は変更することができるし
、異なる材料および異なるタイプのプリント回路板を使用してもよい。
【0037】 本発明は単にマイクロ波応用のみに限定されることはなく、高実装密度を必要
とするより汎用的な多層プリント回路板にも応用できることを理解されよう。
【0038】 本発明はこれまで説明した例示的な実施の形態に限定されることはなく、添付
の特許請求の範囲のスコープ内で修正を行うことも可能であることも理解されよ
う。
【図面の簡単な説明】
【図1】 多層プリント回路板の切リ取った外観であり、空洞中に1個のチップを装着す
る既知の方法を示しており、前記プリント回路板がそれの片側から見えている外
観図。
【図2】 図1に似た外観図であり、本発明の配置の基本的な実施の形態を示す外観図。
【図3】 本発明に従う方式の一部を鳥瞰図的および詳細に示す鳥瞰図。
【図4】 本質的に図1と同じ外観図であり、本発明の配置の別の実施の形態を簡略化し
て示す外観図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/46 H01L 23/12 N (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG ,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD, RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM,AT, AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,CA,C H,CN,CR,CU,CZ,DE,DK,DM,DZ ,EE,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM, HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,KE,K G,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS,LT ,LU,LV,MA,MD,MG,MK,MN,MW, MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,S D,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR ,TT,TZ,UA,UG,UZ,VN,YU,ZA, ZW

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 多層プリント回路板(20)中の導体(4)へ電気的につな
    がれた少なくとも第1の部品(7)と、少なくとも1つの第1アース面(30)
    および複数の信号搬送導体(17)を含む基板(14)とを含む空洞(6)を含
    み、前記1つのアース面または複数のアース面(30)および信号搬送導体(1
    7)が絶縁表面(32)によって互いに分離されるように配置されており、部品
    (16)が複数の電気的コンタクト導体(18)によって前記信号搬送導体(1
    7)へ電気的につながれている、多層プリント回路板に関する構成であって、別
    の複数の信号搬送導体(12)およびアース面(35)を取り付けられる少なく
    とも1つのシェルフ(13)を前記空洞(6)が含むように前記空洞(6)が前
    記回路板(20)の複数の層(1)中で徐々に狭まっていく窪みによって構成さ
    れていること、及び、前記基板(14)上の前記信号搬送導体(17)及び前記
    1つのアース面または複数のアース面(30)が前記シェルフ(13)上の対応
    する信号搬送導体12および1つのアース面または複数のアース面(35)と接
    触するように前記基板(14)が前記シェルフ(13)に対して、配置且つ固定
    されていることとを特徴とする、多層プリント回路板に関する構成。
  2. 【請求項2】 前記部品(16)が前記空洞(6)の底に向いたフリーな上
    側を有することを特徴とする、請求項1の構成。
  3. 【請求項3】 前記基板(14)が更に第2のアース面(15)を含むこと
    を特徴とする、請求項1の構成。
  4. 【請求項4】 複数の電気的コンタクト導体(19)によるプリント回路板
    (20)のフリーな側のアース面(2)との電気的コンタクトによって前記アー
    ス面(15)がアースされることを特徴とする、請求項3の構成。
  5. 【請求項5】 前記基板(14)を貫通する複数の導電性ビアによる前記基
    板(14)上の前記アース面(30)との電気的コンタクトによって前記アース
    面(15)がアースされることを特徴とする、請求項3の構成。
  6. 【請求項6】 前記基板(14)が第2の部品(21)を含み、前記部品(
    16,21)が前記基板(14)の互いに反対側に位置するように配置されてい
    ることを特徴とする、請求項1の構成。
  7. 【請求項7】 前記第2基板(22)が前記第1基板(14)と一般的に同
    じ外観を有していることを特徴とし、ここで前記第2基板(22)が前記空洞(
    6)の底から前記第1基板(14)よりも遠い場所に位置する第2シェルフ(3
    6)上に取り付けられている、請求項1の構成。
JP2001504729A 1999-06-17 2000-06-13 多層プリント回路板へチップを装着するための構成 Pending JP2003502852A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9902300-4 1999-06-17
SE9902300A SE514426C2 (sv) 1999-06-17 1999-06-17 Anordning för chipmontering i kavitet i flerlagers mönsterkort
PCT/SE2000/001011 WO2000079845A1 (en) 1999-06-17 2000-06-13 An arrangement for mounting chips in multilayer printed circuit boards

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003502852A true JP2003502852A (ja) 2003-01-21

Family

ID=20416129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001504729A Pending JP2003502852A (ja) 1999-06-17 2000-06-13 多層プリント回路板へチップを装着するための構成

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6333856B1 (ja)
EP (1) EP1195079B1 (ja)
JP (1) JP2003502852A (ja)
AU (1) AU5856800A (ja)
DE (1) DE60029962T2 (ja)
IL (1) IL146913A (ja)
SE (1) SE514426C2 (ja)
WO (1) WO2000079845A1 (ja)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6890798B2 (en) * 1999-06-08 2005-05-10 Intel Corporation Stacked chip packaging
JP2002026187A (ja) * 2000-07-07 2002-01-25 Sony Corp 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
US6445591B1 (en) * 2000-08-10 2002-09-03 Nortel Networks Limited Multilayer circuit board
DE10109542B4 (de) 2001-02-28 2004-02-05 Siemens Ag Anordung zur Verbindung eines auf einer Leiterplatte angebrachten Bauelementes mit einer flexiblen Schichtanordnung
SE0101042D0 (sv) 2001-03-23 2001-03-23 Ericsson Telefon Ab L M Circulator and network
US6787916B2 (en) * 2001-09-13 2004-09-07 Tru-Si Technologies, Inc. Structures having a substrate with a cavity and having an integrated circuit bonded to a contact pad located in the cavity
US6633005B2 (en) * 2001-10-22 2003-10-14 Micro Mobio Corporation Multilayer RF amplifier module
JP3662219B2 (ja) * 2001-12-27 2005-06-22 三菱電機株式会社 積層高周波モジュール
US6891239B2 (en) * 2002-03-06 2005-05-10 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Integrated sensor and electronics package
TW571606B (en) * 2002-06-27 2004-01-11 High Tech Comp Corp Printed circuit board
JP2005026263A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd 混成集積回路
WO2005020288A2 (en) * 2003-08-19 2005-03-03 Vectron International Multiple cavity/compartment package
TW200404706A (en) * 2003-12-05 2004-04-01 Chung Shan Inst Of Science Composite material structure for rotary-wings and its producing method
TWI239083B (en) * 2004-02-26 2005-09-01 Advanced Semiconductor Eng Chip package structure
US20050231922A1 (en) * 2004-04-16 2005-10-20 Jung-Chien Chang Functional printed circuit board module with an embedded chip
US7359213B2 (en) * 2004-07-09 2008-04-15 The Agency For Science, Technology And Research Circuit board
JP2006041238A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Toshiba Corp 配線基板及び配線基板の製造方法
US7755457B2 (en) * 2006-02-07 2010-07-13 Harris Corporation Stacked stripline circuits
KR20070101579A (ko) * 2006-04-11 2007-10-17 엘지이노텍 주식회사 모듈 대 모듈 연결구조를 갖는 패키지 시스템
US9713258B2 (en) * 2006-04-27 2017-07-18 International Business Machines Corporation Integrated circuit chip packaging
JP5100081B2 (ja) 2006-10-20 2012-12-19 新光電気工業株式会社 電子部品搭載多層配線基板及びその製造方法
US7626827B2 (en) * 2007-09-07 2009-12-01 Kla-Tencor Corporation High density in-package microelectronic amplifier
US9293350B2 (en) * 2008-10-28 2016-03-22 Stats Chippac Ltd. Semiconductor package system with cavity substrate and manufacturing method therefor
US8116090B2 (en) * 2009-04-09 2012-02-14 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Low temperature co-fired ceramic (LTCC) transmit/receive (T/R) assembly utilizing ball grid array (BGA) technology
FR2945379B1 (fr) * 2009-05-05 2011-07-22 United Monolithic Semiconductors Sa Composant miniature hyperfrequences pour montage en surface
US8519270B2 (en) * 2010-05-19 2013-08-27 Unimicron Technology Corp. Circuit board and manufacturing method thereof
US8879276B2 (en) * 2011-06-15 2014-11-04 Power Gold LLC Flexible circuit assembly and method thereof
WO2014068811A1 (ja) * 2012-11-02 2014-05-08 日本電気株式会社 半導体パッケージ及びその実装構造
JP6015508B2 (ja) * 2013-03-18 2016-10-26 富士通株式会社 高周波モジュール
US9070568B2 (en) * 2013-07-26 2015-06-30 Infineon Technologies Ag Chip package with embedded passive component
US9190389B2 (en) 2013-07-26 2015-11-17 Infineon Technologies Ag Chip package with passives
US9190355B2 (en) 2014-04-18 2015-11-17 Freescale Semiconductor, Inc. Multi-use substrate for integrated circuit
CN109417673A (zh) * 2016-04-14 2019-03-01 罗伯特·博世有限公司 模制成型的互连微机电系统(mems)装置封装体
DE102018100946A1 (de) * 2018-01-17 2019-07-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteil und verfahren zur herstellung eines bauteils
EP3582259B1 (en) * 2018-06-11 2021-11-03 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Stepped component assembly accommodated within a stepped cavity in component carrier
US11540395B2 (en) * 2018-10-17 2022-12-27 Intel Corporation Stacked-component placement in multiple-damascene printed wiring boards for semiconductor package substrates

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5586354U (ja) * 1978-12-11 1980-06-14
JPS6010764A (ja) * 1983-06-30 1985-01-19 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH04219966A (ja) * 1990-12-20 1992-08-11 Fujitsu Ltd 半導体素子
JPH06112344A (ja) * 1992-09-25 1994-04-22 Hitachi Ltd 集積回路モジュール
JPH10135406A (ja) * 1996-11-01 1998-05-22 Nec Corp 半導体装置の実装構造
JPH1187549A (ja) * 1997-07-18 1999-03-30 Lucent Technol Inc Rf・icパッケージ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR900001273B1 (ko) * 1983-12-23 1990-03-05 후지쑤 가부시끼가이샤 반도체 집적회로 장치
US5237204A (en) * 1984-05-25 1993-08-17 Compagnie D'informatique Militaire Spatiale Et Aeronautique Electric potential distribution device and an electronic component case incorporating such a device
JPH07221211A (ja) * 1994-02-03 1995-08-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置
JP2682477B2 (ja) * 1994-11-16 1997-11-26 日本電気株式会社 回路部品の実装構造
US5766975A (en) * 1995-01-09 1998-06-16 Integrated Device Technology, Inc. Packaged integrated circuit having thermal enhancement and reduced footprint size
SE9502326D0 (sv) * 1995-06-27 1995-06-27 Sivers Ima Ab Mikrovågskrets, sådan krets av kapslat utförande, samt användning av mikrovågskretsen i ett kretsarrangemang
DE19743356A1 (de) * 1997-09-30 1999-04-08 Bosch Gmbh Robert Thermophotovoltaischer Generator

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5586354U (ja) * 1978-12-11 1980-06-14
JPS6010764A (ja) * 1983-06-30 1985-01-19 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH04219966A (ja) * 1990-12-20 1992-08-11 Fujitsu Ltd 半導体素子
JPH06112344A (ja) * 1992-09-25 1994-04-22 Hitachi Ltd 集積回路モジュール
JPH10135406A (ja) * 1996-11-01 1998-05-22 Nec Corp 半導体装置の実装構造
JPH1187549A (ja) * 1997-07-18 1999-03-30 Lucent Technol Inc Rf・icパッケージ

Also Published As

Publication number Publication date
SE514426C2 (sv) 2001-02-19
EP1195079B1 (en) 2006-08-09
DE60029962D1 (de) 2006-09-21
IL146913A0 (en) 2002-08-14
US6333856B1 (en) 2001-12-25
EP1195079A1 (en) 2002-04-10
DE60029962T2 (de) 2007-02-15
AU5856800A (en) 2001-01-09
WO2000079845A1 (en) 2000-12-28
SE9902300L (sv) 2000-12-18
SE9902300D0 (sv) 1999-06-17
IL146913A (en) 2005-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003502852A (ja) 多層プリント回路板へチップを装着するための構成
JP3732927B2 (ja) 多層配線基板
US6646516B2 (en) Complex circuit board, nonreciprocal circuit device, resonator, filter, duplexer, communications device, circuit module, complex circuit board manufacturing method, and nonreciprocal circuit device manufacturing method
US6700076B2 (en) Multi-layer interconnect module and method of interconnection
US20200168525A1 (en) Integrated circuit chip packaging
JPH0321089B2 (ja)
US6683260B2 (en) Multilayer wiring board embedded with transmission line conductor
US20020074654A1 (en) Wiring substrate, wiring board, and wiring substrate mounting structure
JP3786545B2 (ja) 配線基板とその接続構造
JP4278326B2 (ja) 空洞内における非対称型ストリップライン及びマイクロストリップ間の遷移
JP2002289737A (ja) 配線基板およびそれを用いた配線基板モジュール
JPH11176987A (ja) 高周波用電力増幅器
JP3081786B2 (ja) 高周波半導体装置
US20060236533A1 (en) Bonding arrangement and method for LTCC circuitry
JP3762109B2 (ja) 配線基板の接続構造
JP2593509B2 (ja) 半導体集積回路用パッケージ
JP2784523B2 (ja) 電子部品搭載用基板
JPH01183196A (ja) 多層印刷配線板装置の製造方法
JP2003078103A (ja) 回路基板
JP2000164764A (ja) 高周波用配線基板の実装構造
JPH01183195A (ja) 多層印刷配線板装置の製造方法
JP2003197810A (ja) 電子部品
JP2874409B2 (ja) 集積回路用パッケージ
JP2002198712A (ja) 導波管変換基板及び高周波モジュール
JP2001244409A (ja) 高周波モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20060320

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060328

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060412

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070605

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100712

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100720

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110118