KR20010111806A - 집적화된 고주파 공진기 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

집적화된 고주파 공진기 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 집적화된 고주파 공진기는 소정 영역이 식각되어 캐버티(cavity) 또는 관통공을 갖는 기판과, 캐버티 또는 관통공 상부에 제 1 홀 및 제 2 홀(hole)을 갖도록 캐버티 또는 관통공을 에워싸며 기판의 소정 영역에 형성된 금속 물질과, 캐버티 또는 관통공 양측에 형성된 금속 물질의 소정 영역 위에 다수 개의 연결부와, 연결부와 같은 높이를 갖고, 연결부를 에워싸며 금속 물질을 포함한 기판 위에 형성된 절연체와, 캐버티 또는 관통공 양측에 형성된 금속 물질의 소정 영역 위에 다수 개의 연결부를 갖고 금속 물질을 포함한 상기 기판 위에 형성된 절연체와, 금속 물질과 공통 접지되도록 연결부의 상부에 형성된 접지판과, 제 1 홀 및 제 2 홀의 상부에 있는 절연체 위의 소정 영역에 형성된 입력부 및 출력부를 포함하여 구성되며, 캐버티 또는 관통공에 채워진 유전체를 더 포함하여 구성되며, 캐버티에 손실이 적고 유전 상수가 큰 유전체를 채움으로써 유효 파장의 크기가 줄어들게 되어 공진기의 크기와 부피를 줄이고, 전기 도금 기술을 이용하여 접지판과 금속 물질을 연결하여 공통 접지를 형성하는 공정을 이용하여 높은 Q-펙터와 작은 디멘젼(dimension)을 가지며 경제적이고 집적화된 초소형 유전체 공진기를 제조할 수 있다.

Description

집적화된 고주파 공진기 및 그 제조 방법{Integrated Microwave Resonator and the Fabrication Method for the same}

본 발명은 집적화된 고주파 공진기 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

요즘 급속도로 발전하고 있는 무선 통신이나 초고주파 통신에서 널리 사용되는 RF(radio frequency) 대역 통과 필터를 형성하는데 있어서 여전히 크기와 부피가 크고 분리된 형태(discrete type)의 유전체 공진기나 에어 캐버티(air cavity) 공진기가 사용되고 있다. 이러한 분리된 형태의 크기와 부피가 큰 소자는 초소형, 저가형, 고성능의 무선 및 이동 통신 단말기를 구현하는데 적절하지 못하다.

따라서 이러한 문제점을 극복하고 또한 저가의 공진기를 개발하기 위하여 웨이퍼 레벨(wafer level)에서 대량 생산을 목적으로 최근에 실리콘 기판을 식각하여 에어 캐버티를 형성하고 이를 이용하여 부분적으로 집적화된 에어 케버티 공진기를 제작하는 연구가 진행되고 있다.

하지만 부분적으로 집적화된 에어 캐버티 공진기는 높은 Q-팩터(facter)를 갖고 저가화되는 장점이 있지만 여전히 큰 사이즈와 볼륨을 갖는 문제점이 있다. 사용하고자 하는 캐버티 공진기의 특정 주파수에서 유효 파장의 길이는 공진기의 사이즈와 비례한다. 유효 파장의 길이는 주파수와 캐버티 안에 채워진 재료의 유전 상수에 반비례하기 때문에 에어 캐버티 공진기는 유전 상수가 1 인 에어 캐버티에 채워져 있으므로 유효 파장의 길이에 아무런 영향을 주지 않는다.

도 1 은 부분적으로 집적화된 에어 캐버티 공진기의 단면도이다.

실리콘 기판(1)을 선택적으로 식각하여 에어 캐버티(2)를 형성한 후, 그 에어 캐버티(2)를 금속(3)으로 실딩하고 유리 기판(9)의 양쪽에 입출력 라인(4, 5), 두 개의 슬롯(slot : 6), 접지면(ground plane : 7)을 선택적으로 형성하고 에어 캐버티(2)가 형성된 기판과 접합한 후 접지면(7)끼리 와이어(8)로 연결함으로써 완성한다.

이상에서 설명한 종래 기술에 따른 고주파 공진기는 다음과 같은 문제점이 있다.

첫째, 부분적으로 집적화된 에어 캐버티 공진기는 작은 유전 상수를 가지므로 유효 파장의 길이가 길어져 고주파를 대역을 통과시키기 위해서는 공진기의 크기와 부피가 커지는 문제점이 있다.

둘째, 부분적으로 집적화되기 때문에 실제 시스템에 적용될 때 크기와 부피가 매우 크고 또한 공정 상에서 웨이퍼 투 웨이퍼(wafer to water) 접합 기술을 이용해야 하기 때문에 비경제적인 문제점이 있다.

따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 는 마이크로머시닝 기술과 전기 도금법을 이용하여 높은 Q-팩터를 가지며 완전히 집적화된 고주파 공진기 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1 은 종래 기술에 따른 부분적으로 집적화된 에어 캐버티 공진기의 단면도

도 2a 는 본 발명에 따른 완전히 집적화된 고주파 에어 캐버티 공진기의 구조 단면도

도 2b 는 도 2a 에 도시된 바와 같은 본 발명에 따른 집적화된 고주파 에어 캐버티 공진기의 평면도

도 2c 는 도 2b 에서 절연층 대신 금속막에 두 개의 커플링 슬롯(coupling slot)들을 형성한 평면도

도 3a 내지 도 3e 는 캐버티(cavity)에 저유전체가 채워진 본 발명에 따른 집적화된 고주파 유전체 공진기의 제조 공정 단면도

도 4 는 상기 도 3a 내지 도 3e 의 제조 공정에서 고유전체가 채워진 본 발명에 따른 집적화된 고주파 유전체 공진기의 구조 단면도

도 5 는 상기 도 3a 내지 도 3e 의 제조 공정에서 저유전체가 채워진 본 발명에 따른 집집적화된 고주파 유전체 공진기의 구조 단면도

도 6a 내지 도 6g 는 본 발명에 따른 집적화된 고주파 유전체 공진기의 제조공정 단면도

도 7 은 상기 도 6a 내지 도 6g 의 제조 공정에서 고유전체가 채워진 본 발명에 따른 집적화된 고주파 유전체 공진기의 구조 단면도

도 8a 내지 도 8e 는 본 발명에 따른 집적화된 고주파 유전체 공진기의 제조 공정 단면도

도 9 는은 상기 도 8a 내지 도 8e 의 제조 공정에서 고유전체가 채워진 본 발명에 따른 집적화된 고주파 유전체 공진기의 구조 단면도

도 10a 및 도 10b 는 본 발명에 따른 집적화된 고주파 유전체 공진기의 구조 단면도

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 기판 2 : 에어 캐버티

3 : 제 1 금속 4 : 입력 라인

5 : 출력 라인 6 : 슬롯

7 : 접지면 8 : 와이어

9 : 유리 기판

11 : 기판 12 : 캐버티

13 : 금속 라인 14 : 저유전체

15 : 슬롯 16 : 금속 라인

17 : 절연체 18 : 금속

19 : 입력 라인 20 : 출력 라인

21 : 접지면 22 : 고유전체

31, 51 : 기판 32, 52 : 금속 라인

33, 53 : 절연체 34, 54 : 금속

35, 55 : 접지면 36, 56 : 입력 라인

37, 57 : 출력 라인 38, 58 : 금속 라인

39, 59 : 저유전체 40, 60 : 접지 금속 라인

41, 61 : 고유전체

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 집적화된 고주파 유전체 공진기의 특징은, 소정 영역이 식각되어 캐버티(cavity) 또는 관통공을 갖는 기판과, 상기 캐버티 또는 관통공 상부에 제 1 홀 및 제 2 홀(hole)을 갖도록 상기 캐버티 또는 관통공을 에워싸며 상기 기판의 소정 영역에 형성된 금속 물질과, 상기 캐버티 또는 관통공 양측에 형성된 상기 금속 물질의 소정 영역 위에 다수 개의 연결부와, 상기 연결부와 같은 높이를 갖고 상기 연결부를 에워싸며, 상기 캐버티 또는 관통공을 제외하고 상기 금속 물질을 포함한 상기 기판 위에 형성된 절연체와, 상기 금속 물질과 공통 접지되도록 상기 연결부의 상부에 형성된 접지판과, 상기 제 1 홀 및 제 2 홀의 상부에 있는 상기 절연체 위의 소정 영역에 형성된 입력부 및 출력부를 포함하여 구성되며, 상기 캐버티 또는 관통공에 채워진 유전체를 더 포함하여 구성되는데 있다.

상기 캐버티 또는 관통공에 채워지는 유전체의 양이 조절 가능하고, 상기 유전체는 저유전체와, 고유전체 중 어느 하나이며, 상기 유전체 위에 저유전체 손실을 갖는 절연 물질을 더 포함하여 구성되기도 한다.

상기 연결부는 금속 물질이다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 집적화된 고주파 유전체 공진기 제조 방법의 특징은, 기판의 소정 영역을 식각하여 캐버티(cavity) 또는 관통공을 형성하는 단계와, 상기 캐버티 또는 관통공 상부에 제 1 및 제 2 홀(hole)을 갖도록 상기 캐버티 또는 관통공을 에워싸도록 상기 기판의 소정 영역에 금속 물질을 형성하는 단계와, 상기 캐버티 또는 관통공을 제외하고 상기 금속 물질을 포함한 상기 기판 위에 소정 높이를 갖도록 절연체를 형성하는 단계와, 상기 캐버티 또는 관통공 양측에 형성된 상기 금속 물질의 소정 영역이 노출되도록 상기 절연체의 소정 영역을 식각하고 상기 소정 영역에 금속으로 체워 넣어 다수 개의 연결부를 형성하는 단계와, 상기 금속 물질과 공통 접지되도록 상기 연결부의 상부에 접지판을 형성하는 단계와, 상기 제 1 홀 및 제 2 홀의 상부에 있는 상기 절연체 위의 소정 영역에 입력부 및 출력부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는데 있다.

상기 캐버티 또는 관통공은 유전체로 채워지기도 하며, 상기 캐버티에 채워지는 유전체는 상기 캐버티의 높이와 같게 형성된다.

상기 유전체 위에 절연 물질이 형성되기도 하며, 상기 관통공에 채워지는 유전체는 조절 가능하다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 집적화된 고주파 유전체 공진기 제조 방법의 또 다른 특징은 기판 상부가 제 1 및 제 2 홀(hole)을 가지도록 제 1 금속 물질을 기판의 일부 또는 전부에 형성하는 단계와, 상기 제 1 금속 물질을 포함한 상기 기판 위에 소정 높이를 갖도록 절연체를 형성하는 단계와, 상기 기판의 양측에 형성된 상기 제 1 금속 물질의 소정 영역이 노출되도록 상기 절연체의 소정 영역을 식각하고 상기 소정 영역에 금속으로 채워 넣어 다수 개의 연결부를 형성하는 단계와, 상기 제 1 홀 및 제 2 홀 상부에 있는 상기 절연체의 소정 영역 위에 입력부 및 출력부를 형성하는 단계와, 상기 제 1 금속 물질과 공통 접지되도록 상기 연결부에 접지판을 형성하는 단계와, 상기 제 1 및 제 2 홀 사이에 위치한 상기 절연체가 노출되도록 상기 기판을 식각하여 관통공을 형성하는 단계와, 상기 제 1 홀 및 제 2 홀 아랫 부분을 제외하고 상기 관통공을 에워싸도록 제 2 금속 물질을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는데 있다.

상기 캐버티 또는 관통공은 유전체로 채워지기도 하며, 상기 유전체 위에 접지 금속선이 형성되며, 상기 관통공에 채워지는 유전체는 조절 가능하다.

본 발명의 특징에 따른 작용은 유전체가 캐버티에 채워짐으로 손실이 적고 유전 상수가 큰 유전체가 매질로 사용되면 유효 파장의 크기가 줄어들게 되어 공진기의 크기도 줄어들게 되고, 비아를 형성하고 전기 도금함으로써 공통 접지를 형성하여 높은 Q-펙터와 작은 디멘젼(dimension)을 갖고 완전히 집적화된 고주파 공진기를 만들 수 있다.

본 발명의 다른 목적, 특성 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.

본 발명에 따른 집적화된 고주파 유전체 공진기의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.

도 2a 는 본 발명에 따른 완전히 집적화된 고주파 에어 캐버티 공진기의 구조 단면도이다.

도 2b 는 도 2a 에 도시된 바와 같은 집적화된 고주파 공진기의 평면도이다. 접지면(21)은 부분적으로 집적화된 에어 캐버티 공진기와는 달리 전기 도금을 이용한 비아 인터커넥션(via interconnection)으로 공통 접지를 형성하였다.

도 2c 는 도 2b 의 집적화된 고주파 공진기를 형성하는 과정에서 절연층 대신 금속막에 두 개의 슬롯(slot : 16)을 형성한 평면도이다.

도 3a 내지 도 3e 는 캐버티(cavity)에 저유전체가 채워진 집적화된 고주파 유전체 공진기의 제조 공정 단면도이다.

도 3a 에 도시된 바와 같이, 기판(11) 위에 캐버티(12)를 형성하고 절연시킨 후 금속 라인(13)으로 쉴딩(shielding)한다. 공진기를 형성하기 위하여 사용되는 기판(11)은 저가의 실리콘 기판이나 유리 기판을 이용한다.

이어, 도 3b 에 도시된 바와 같이 캐버티(12)를 저유전체(14)로 채우고, 유전체(14)로 채우고 큐어링(curing)을 하여 솔벤트(solvent)를 제거한다. 스핀-케스팅(spin-casting)이나 스크린-프린팅(screen-printing)을 이용하여 저유전체(14)를 형성하고 필요에 따라 기계적인 파울리싱(polishing)이나 화학적인 파울리싱을 이용하여 증착된 저유전체(14)를 평탄화한다. 절연 재료 혹은 저 손실의 유전체로 다중-코팅(multi-coating)을 하고, 필요에 따라서는 평탄화 절연 재료를 사용하여 평탄화하기도 한다.

저유전체(14)로서 유전 상수가 작은 반면 손실이 적고 주파수에 따라서 일정한 BCB나 폴리이미드(polyimide)와 같은 폴리머(polymer)를 사용하여 수십 GHz 이상의 초고주파용 공진기를 만들 수 있다.

이어 도 3c 에 도시된 바와 같이, 두 개의 슬롯(slot : 15)들을 형성하기 위해 두 개의 홀(hole)들만 남기고 금속 라인(16)으로 쉴딩(shielding)한다.

이어 도 3d 에 도시된 바와 같이, 금속 라인(16)으로 쉴딩된 기판(11) 위에 저 손실의 유전체 또는 절연체(17)를 입히고 큐어링(curing) 한 후 비아(via)를 형성하고 전기 도금을 이용하여 고전도성을 갖는 금속(18)으로 채운다. 그 위에 입출력 라인(19, 20)을 포토리소그래피와 전기 도금을 이용하여 형성시킨다. 전기 도금으로 증착된 후막을 이용하여 입력 및 출력 라인(feed line : 19, 20)을 형성함으로써 메탈릭(metallic) 손실들을 줄인다.

이어 도 3e 에 도시된 바와 같이, 접지면(21)을 금속(18)위에 각각 포토리소그래피와 전기 도금을 이용하여 형성시킨다. 이때 비아(via)는 캐버티(12) 안의 쉴딩 금속 라인(13)과 접지면(21)을 전기적으로 연결시키기 위함이다. 포토레지스트 몰드를 제거하게 되면 공진기가 형성된다.

도 4 는 상기 도 3a 내지 도 3e 의 제조 공정에서 고유전체(22)가 채워진 집적화된 고주파 유전체 공진기의 구조 단면도이다.

공정은 도 3a 내지 도 3e 에 도시된 바와 유사하고 캐버티(12)에 유전체를 채울 때 유전체막이 아니라 유전체 페이스트(paste)와 같은 고유전체(22)로 채운다. 고유전체(22)로 유전 상수가 큰 반면에 손실이 크고 또한 주파수가 증가함에 따라서 손실이 커지는 세라믹 페이스트(cermic paste)를 이용하여 수십 GHz 이하의 주파수 대역에서 동작하는 공진기를 만들 수 있다.

도 5 는 상기 도 3a 내지 도 3e 의 제조 공정에서 저유전체(14)가 채워진 집적화된 고주파 유전체 공진기의 구조 단면도이다.

도 6a 내지 도 6g 는 집적화된 고주파유전체 공진기의 제조 공정 단면도이다.

먼저, 도 6a 에 도시된 바와 같이 기판(31) 위에 절연체를 입힌 후 RF(radio frequency) 신호 커플링을 위한 금속 라인(32)을 전기 도금으로 형성한다. 이어 도 6b 에 도시된 바와 같이 유전체 혹은 저손실을 갖는 절연체(33)를 입히고 난 후 비아를 형성하고 전기 도금을 이용하여 금속(34)으로 채운다.

이어 도 6c 에 도시된 바와 같이, 접지면(35)과 입력 라인(36), 출력 라인(37)을 포토리소그래피와 전기도금을 이용하여 형성하고 포토레지스트 몰드를 제거한다. 이때 비아는 캐버티 안의 쉴딩 금속 라인(32)과 접지면(35)을 전기적으로 연결시키기 위함이다.

이어, 도 6d 에 도시된 바와 같이 실리콘 백 사이드 에칭(back side etching)을 하여 두 단계의 캐버티를 형성하고, 형성된 캐버티를 금속 라인(38)을 형성한 후 저유전체(39)인 유전체 막을 채우고 큐어링을 하여 솔벤트를 제거한다.

기판(31)에 캐버티를 형성할 때 백 사이드(back side)에서 두 단으로 캐버티를 형성함으로써 캐버티의 높이를 조절함으로써 저유전체(39)의 볼륨을 조절할 수 있어서 사용 주파수와 Q-팩터의 조절이 가능하다. 채워진 저유전체(39) 위에 접지 금속 라인(40)을 포토리소그래피와 전기 도금을 이용하여 형성하고 포토리지스트 몰드를 제거하면 공진기가 형성된다.

도 7 은 상기 도 6a 내지 도 6g 의 제조 공정에서 고유전체(41)가 채워진 집적화된 고주파 유전체 공진기의 구조 단면도이다.

도 8a 내지 도 8e 는 집적화된 고주파 유전체 공진기의 제조 공정 단면도이다.

먼저, 도 8a 에 도시된 바와 같이 기판(51) 위에 절연체를 입히고 RF 신호 커플링을 위한 금속 라인(52)을 전기 도금으로 형성하고 유전체 혹은 저손실을 갖는 절연체(53)를 입힌다. 이어 도 8b 에 도시된 바와 같이 비아를 형성하여 전기도금을 이용하여 금속(54)으로 채운다.

이어 도 8c 에 도시된 바와 같이, 접지면(55)과 입력 라인(56), 출력 라인(57)을 포토리소그래피와 전기도금을 이용하여 형성하고 포토레지스트 몰드를 제거한다. 이때 비아는 캐버티 안의 쉴딩 금속 라인(52)과 접지면(55)을 전기적으로 연결시키기 위함이다.

이어, 도 8d 에 도시된 바와 같이 실리콘 백 사이드 에칭(back side etching)을 하여 캐버티를 형성하고, 형성된 캐버티를 금속 라인(58)으로 쉴딩을 한 후 저유전체(59)인 유전체막으로 채우고 큐어링을 하여 솔벤트를 제거한다. 채워진 저유전체(59) 위에 접지 금속 라인(60)을 포토리소그래피와 전기 도금을 이용하여 형성하고 포토리지스트 몰드를 제거하면 공진기가 형성된다.

도 9 은 상기 도 8a 내지 도 8e 의 제조 공정에서 고유전체(61)가 채워진 집적화된 고주파 유전체 공진기의 구조 단면도이다. 공정은 도 9a 내지 도 9e 와 유사하고 캐버티에 유전체를 채울 때 저유전체(59)인 유전체막이 아니라고유전체(61)인 유전체 페이스트를 채운다.

도 10a 및 도 10b 는 저유전체(14) 및 고유전체(22)가 채워진 집적화된 고주파 유전체 공진기의 구조 단면도이다.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 집적화된 고주파 공진기 및 그 제조 방법에는 다음과 같은 효과가 있다.

첫째, 캐버티에 손실이 적고 유전 상수가 큰 유전체를 채움으로써 유효 파장의 크기가 줄어들게 되어 공진기의 크기와 부피를 줄일 수 있다.

둘째, 전기 도금 기술을 이용하여 접지면과 금속 라인을 연결하여 공통 접지를 형성하는 공정을 이용하여 높은 Q-펙터와 작은 디멘젼(dimension)을 가지고, 경제적인 집적화된 초소형 유전체 공진기를 제조할 수 있다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시 예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.

Claims (15)

1. 소정 영역이 식각되어 캐버티(cavity) 또는 관통공을 갖는 기판과,

   상기 캐버티 또는 관통공 상부에 제 1 홀 및 제 2 홀(hole)을 갖도록 상기 캐버티 또는 관통공을 에워싸며 상기 기판의 소정 영역에 형성된 금속 물질과,

   상기 캐버티 또는 관통공 양측에 형성된 상기 금속 물질의 소정 영역 위에 다수 개의 연결부와,

   상기 연결부와 같은 높이를 갖고 상기 연결부를 에워싸며, 상기 캐버티 또는 관통공을 제외하고 상기 금속 물질을 포함한 상기 기판 위에 형성된 절연체와,

   상기 금속 물질과 공통 접지되도록 상기 연결부의 상부에 형성된 접지판과,

   상기 제 1 홀 및 제 2 홀의 상부에 있는 상기 절연체 위의 소정 영역에 형성된 입력부 및 출력부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 집적화된 고주파 공진기.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 캐버티 또는 관통공에 채워진 유전체를 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 집적화된 고주파 공진기.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 캐버티 또는 관통공에 채워지는 유전체의 양이 조절 가능함을 특징으로 하는 집적화된 고주파 공진기.
4. 제 2 항에 있어서, 상기 유전체는 저유전체와, 고유전체 중 어느 하나임을특징으로 하는 집적화된 고주파 공진기.
5. 제 2 항에 있어서, 상기 유전체 위에 저유전체 손실을 갖는 절연 물질을 더 포함하여 구성됨을 특징으로 집적화된 고주파 공진기.
6. 제 1 항에 있어서, 상기 연결부는 금속 물질임을 특징으로 하는 집적화된 고주파 공진기.
7. 기판의 소정 영역을 식각하여 캐버티(cavity) 또는 관통공을 형성하는 단계와,

   상기 캐버티 또는 관통공 상부에 제 1 및 제 2 홀(hole)을 갖도록 상기 캐버티 또는 관통공을 에워싸며 상기 기판의 소정 영역에 금속 물질을 형성하는 단계와,

   상기 캐버티 또는 관통공을 제외하고 상기 금속 물질을 포함한 상기 기판 위에 절연체를 형성하는 단계와,

   상기 캐버티 또는 관통공 양측에 형성된 상기 금속 물질의 소정 영역이 노출되도록 상기 절연체의 소정 영역을 식각하고 상기 소정 영역에 금속으로 채워 다수 개의 연결부를 형성하는 단계와,

   상기 금속 물질과 공통 접지되도록 상기 연결부의 상부에 접지판을 형성하는 단계와,

   상기 제 1 홀 및 제 2 홀의 상부에 있는 상기 절연체 위의 소정 영역에 입력부 및 출력부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 집적화된 고주파 공진기 제조 방법.
8. 제 7 항에 있어서, 상기 캐버티 또는 관통공은 유전체로 채워지기도 함을 특징으로 하는 집적화된 고주파 공진기 제조 방법.
9. 제 8 항에 있어서, 상기 캐버티에 채워지는 유전체는 상기 캐버티의 높이와 같게 형성됨을 특징으로 하는 집적화된 고주파 공진기 제조 방법.
10. 제 8 항에 있어서, 상기 유전체 위에 절연 물질이 형성됨을 특징으로 하는 집적화된 고주파 공진기 제조 방법.
11. 제 8 항에 있어서, 상기 관통공에 채워지는 유전체는 조절 가능함을 특징으로 집적화된 고주파 공진기.
12. 기판 상부가 제 1 및 제 2 홀(hole)을 가지도록 제 1 금속 물질을 기판의 일부 또는 전부에 형성하는 단계와,

    상기 제 1 금속 물질을 포함한 상기 기판 위에 절연체를 형성하는 단계와,

    상기 기판의 양측에 형성된 상기 제 1 금속 물질의 소정 영역이 노출되도록상기 절연체의 소정 영역을 식각하고 상기 소정 영역에 금속으로 채워 넣어 다수 개의 연결부를 형성하는 단계와,

    상기 제 1 홀 및 제 2 홀 상부에 있는 상기 절연체의 소정 영역 위에 입력부 및 출력부를 형성하는 단계와,

    상기 제 1 금속 물질과 공통 접지되도록 상기 연결부에 접지판을 형성하는 단계와,

    상기 제 1 및 제 2 홀 사이에 위치한 상기 절연체가 노출되도록 상기 기판을 식각하여 관통공을 형성하는 단계와,

    상기 제 1 홀 및 제 2 홀 아랫 부분을 제외하고 상기 관통공을 에워싸도록 제 2 금속 물질을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 집적화된 고주파 공진기 제조 방법.
13. 제 12 항에 있어서, 상기 캐버티 또는 관통공은 유전체로 채워지기도 함을 특징으로 하는 집적화된 고주파 공진기 제조 방법.
14. 제 13 항에 있어서, 상기 유전체 위에 접지 금속선이 형성됨을 특징으로 하는 집적화된 고주파 공진기 제조 방법.
15. 제 13 항에 있어서, 상기 관통공에 채워지는 유전체는 조절 가능함을 특징으로 집적화된 고주파 공진기 제조 방법.