KR100588497B1 - 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법 - Google Patents

Abstract

직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법이 개시된다. 개시된 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법은, (a) 기판 위에 신호 전송선 부분의 금 전해 도금을 위한 기반층으로 크롬과 금을 연속적으로 열증착하고, 그 위에 소정 두께의 감광제를 도포하며, 상기 신호 전송선 부분의 형상을 도금하기 위한 도금틀을 사진 식각으로 패턴을 형성하는 단계와; (b) 상기 신호 전송선에 금을 전해 도금하는 단계와; (c) 지지부재를 구동할 때 구동 전극과 바닥 전극 사이에서 DC 단락을 방지하기 위한 절연막으로 소정 두께의 실리콘 질화막으로 패턴을 형성하는 단계와; (d) 상기 신호 전송선의 단차를 보정하기 위한 표면을 평탄화하는 단계와; (e) 상기 신호 전송선과 접촉부의 간격을 고려하여 소정 두께의 희생층이 형성되도록 감광막을 도포하는 단계; (f) 상기 희생층 감광막을 대류 오븐에서 소정 온도까지 열처리하는 단계와; (g) 스위치를 동작할 때 상기 구동부가 바닥 전극에 닫기 전에 접촉부가 먼저 상기 신호 전송선에 닫도록 하기 위하여 상기 희생층을 식각하여 상기 구동부와 상기 접촉부의 높이차가 있도록 단차를 만들어 주고, 상기 희생층 위에 도금 기반층을 증착하고 도금틀을 형성하는 단계와; (h) 상기 접촉부와 구동부를 전기적으로 분리시키는 연결 구조로서 절연막을 형성하는 단계와; (i) 상기 희생층을 제거한 후, 초기 변형이 작고 기계적 특성이 우수한 소정 금속으로 전해 도금을 실시하여 구동부를 형성하는 단계와; (j) 상기 희생층으로 사용된 감광제를 플라즈마 애싱을 이용한 등방성 식각 조건으로 제거하여 스위치를 완성하는 단계;를 포함하는 것을 그 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 수십 GHz 이상의 주파수 대역에서 사용되는 무선 통신 송수신 시스템에 적용할 수 있고, 전기적, 기계적 특성이 향상되며, 신뢰성과 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

MEMs 스위치, SPDT 스위치, 절연막

Description

직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법{METHOD OF MANUFACTURING DIRECT CONTACT MEMs SWITCH}

도 1은 본 발명에 따른 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법이 적용되는 스위치의 구성을 개략적으로 나타내 보인 사시도.

도 2는 직접 접촉식 스위치를 이용한 SPDT 스위치의 개략적인 개념도.

도 3은 본 발명에 따른 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법을 순차적으로 나타내 보인 개략적인 순서도.

도 4a 내지 도 4i는 본 발명에 따른 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법을 순차적으로 나타내 보인 개략적인 제조 공정도.

도 5는 스위치의 특성 측정 결과 도면.

도 6은 SPDT 스위치의 특성 측정 결과 도면.

본 발명은 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고주파를 응용한 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법에 관한 것이다.

일반적인 전기적 스위치는, 응용 주파수 대역이 증가함에 따라 신호 전송시 삽입 손실과 아이솔레이션(isolation) 특성이 좋지 않다. 이는 수 GHz 이상의 주파수 대역에서 삽입 손실은 2~3dB 이상이며, 아이솔레이션도 20~25dB 이하로 자동차 응용 등을 위한 고주파 대역에서는 사용하기 어렵다.

그리고 고주파 대역에서 손실을 보상하기 위한 전력 소모가 크고, 스위치 및 트랜지스터 등과 같이 고주파 회로 구현을 위해 외부 회로로 따로 부착되는 수동 및 능동소자로 인해 생산 단가 및 소자의 크기가 증가하는 문제점이 있다.

또한 MEMs 스위치는, 정전 용량형 스위치의 경우 수십 GHz 이상의 주파수 대역에서는 응용이 용이하지만 PCS나 휴대폰(cellular phone)과 같은 이동 통신 단말기에 사용되는 수 GHz 정도의 주파수 대역에서 사용하기 어렵다.

그리고 직접 접촉식 스위치의 경우 수십 GHz 이상의 주파수 대역에서 특성이 좋지 않다. 기존의 MEMs 스위치에서도 수십 GHz 이상의 고주파 대역에서 응용되는 SPDT(Single-pole double throw)형 스위치나 이를 확장한 SPMT(single-pole multi-throw)형 스위치 구조가 없다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 수십 GHz 이상의 주파수 대역에서 사용되는 무선 통신 송수신 시스템에 적용할 수 있고, 전기적, 기계적 특성이 향상되며, 신뢰성과 생산성이 향상되도록 한 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법은, (a) 기판 위에 신호 전송선 부분의 금 전해 도금을 위한 기반층으로 크롬과 금을 연속적으로 열증착하고, 그 위에 소정 두께의 감광제를 도포하며, 상기 신호 전송선 부분의 형상을 도금하기 위한 도금틀을 사진 식각으로 패턴을 형성하는 단계와; (b) 상기 신호 전송선에 금을 전해 도금하는 단계와; (c) 지지부재를 구동할 때 구동 전극과 바닥 전극 사이에서 DC 단락을 방지하기 위한 절연막으로 소정 두께의 실리콘 질화막으로 패턴을 형성하는 단계와; (d) 상기 신호 전송선의 단차를 보정하기 위한 표면을 평탄화하는 단계와; (e) 상기 신호 전송선과 접촉부의 간격을 고려하여 소정 두께의 희생층이 형성되도록 감광막을 도포하는 단계; (f) 상기 희생층 감광막을 대류 오븐에서 소정 온도까지 열처리하는 단계와; (g) 스위치를 동작할 때 상기 구동부가 바닥 전극에 닫기 전에 접촉부가 먼저 상기 신호 전송선에 닫도록 하기 위하여 상기 희생층을 식각하여 상기 구동부와 상기 접촉부의 높이차가 있도록 단차를 만들어 주고, 상기 희생층 위에 도금 기반층을 증착하고 도금틀을 형성하는 단계와; (h) 상기 접촉부와 구동부를 전기적으로 분리시키는 연결 구조로서 절연막을 형성하는 단계와; (i) 상기 희생층을 제거한 후, 초기 변형이 작고 기계적 특성이 우수한 소정 금속으로 전해 도금을 실시하여 구동부를 형성하는 단계와; (j) 상기 희생층으로 사용된 감광제를 플라즈마 애싱을 이용한 등방성 식각 조건으로 제거하여 스위치를 완성하는 단계;를 포함하는 것을 그 특징으로 한다.

삭제

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.

도 1에는 본 발명에 따른 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법이 적용되는 스위치의 구성을 개략적으로 나타낸 사시도가 도시되어 있다.

도면을 참조하면, 직접 접촉식 MEMs 스위치는, 기판(11)과, 이 기판(11) 상에 형성되는 신호 전송선과, 이 신호 전송선과 접촉하게 되어 온(ON) 상태를 만들어 주는 접촉부(12)와, 상기 기판(11) 상에 마련되어 정전력으로 구동되는 구동부(13)와, 이 구동부(13)를 연결하는 지지부재(14)와, 상기 구동부(13)와 접촉부(12) 사이를 전기적으로 완전히 분리하여, 구동을 위한 인가 전압 신호와 전송선의 입력단에서 출력단으로 전송되는 신호를 분리하는 절연막 연결부(15)를 포함하여 구성된다.

그리고 상기 절연막 연결부(15)는 접촉부(12)와 구동부(13)의 일부분에만 접착된다.

또한 상기 신호 전송선과 접촉부(12) 사이의 간격은 1.5㎛로 하고, 접지선과 구동부(13) 사이의 간격은 2㎛로 하며, 상기 구동부(13)를 연결하는 지지부재(14)는 신호 전송선으로부터 4㎛ 떠 있게 설치되며, 상기 지지부재(14)의 폭은 10㎛로 한다.

상기와 같이 구성된 직접 접촉식 MEMs 스위치의 작용 설명을 하기로 한다.

상기 기판(11)에 접해 있는 신호 전송선은 끊어져서 개방되어 있으며, 이 위에 형성된 스위치의 구동에 의해 단락된다. 그리고 상기 구동부(13)와 지지부재(14)의 접지선 사이에 정전압을 인가하게 되면 정전력에 의해 구동부(13)에 연결된 접촉부(12)가 신호 전송선에 접촉하게 되면서 신호 전송선은 단락이 되어 스위치의 온(ON) 상태가 된다.

또한 상기 절연막 연결부(15)는 구동부(13)와 접촉부(12) 사이를 전기적으로 완전히 분리하여 구동을 위한 인가 전압 신호와 신호 전송선의 입력단에서 출력단으로 전송되는 신호를 분리하는 역할을 한다.

그리고 상기 접촉부(12)와 구동부(13)는 전기적으로 완전히 분리되어 있기 때문에 신호 전달 특성과 상관없이 구동 전압 및 복원력 등의 특성을 고려하여 구동부의 재료와 구조를 설계할 수 있다.

한편, 상기한 직접 접촉식 MEMs 스위치에서는, 상기 구동부(13)의 구조로서 양단 고정보 형태를 이용하여 설계하였다.

또한 상기 절연막 연결부(15)는 접촉부(12)와 구동부(13)의 일부분에만 접착 하게 되어 절연막(15)에 의해 발생되는 응력에 의해 지지부재(14)가 변형되는 것을 최소화하도록 하였다. 도 1과 같이 상기 구동부(13)는 접촉부(12)의 양쪽에서 지지부재(14)를 통해 서로 연결되어 있다.

이와 같은 구조로 제작함으로써 제작 시에 발생할 수 있는 지지부재(14)의 변형을 줄일 수 있고 또한 스위치의 정전력 구동에 의한 접촉부(12)의 접촉력을 증가시킬 수 있게 된다.

동시에 안정된 구조를 취함으로써 제작시에 발생되는 절연막 연결부(15)의 파괴 현상을 줄여주는 효과를 얻어 제작 수율을 향상시킬 수 있다.

이와 더불어 본 기술에서 제안하는 제작 방법을 사용함으로써 스위치의 접촉부(12)에 비해 지지부재(14)가 바닥에서 더 떨어지게 함으로써 지지부재(14)에 의한 RF 특성 저하는 일어나지 않는 구조로 제작할 수 있다. 즉, 상기 지지부재(14)를 사용함으로써 스위치의 기계적 특성을 향상시키면서 동시에 RF 특성도 개선되는 효과를 얻을 수 있다.

그리고 스위치의 폭과 길이는 각각 100㎛, 560㎛이고, 신호 전송선과 접촉부(12) 사이의 간격은 1.5㎛이며, 접지선과 구동부(13) 사이의 간격은 2㎛이다. 또한 상기 구동부(13)를 연결하는 지지부재(14)는 신호 전송선으로부터 4㎛ 떠 있게 제작하여 스위치의 구동 상태에서도 신호 전송선으로부터 2.5㎛ 떠 있는 상태가 유지되도록 하였으며 지지부재(14)의 폭은 10㎛이다.

이하에서는, 상기한 직접 접촉식 MEMs 스위치를 이용하여 SPDT 스위치의 개념에서 설명한다.

도 2에는 직접 접촉식 MEMs 스위치를 이용한 SPDT 스위치의 개념도가 도시되어 있다.

상기한 스위치에서는 직접 접촉식 MEMs 스위치와, 이중공명 기술(double resonance technique)을 이용하여 수십 GHz 이상의 고주파에서 응용 가능한 SPDT 스위치의 구조이다.

도 2를 참조하면, 하나의 입력 단자(input)에서 두개의 출력단자(output1,2)로 갈라지는 T라인(line)의 양쪽 출력 신호선(L2)에 제안된 직접 접촉식 MEMs 스위치 두개를 각각 위치시켜 각 출력 단자의 온(ON)과 오프(OFF) 동작을 개별적으로 가능하게 한다.

이와 동시에 양쪽의 출력 단자로 갈라지는 지점(cross junction)에서 50Ω 전송선을 연결하고, 이 끝을 신호 접지선과 단락시킴으로써(short-ended line, L2) T라인의 각 출력 신호선과 이중공명 짝(double resonance pair)을 형성하는 구조가 된다.

한쪽의 출력 단자(output 1)에 위치한 직접 접촉식 스위치를 구동하게 되면 접지선과 단락되어 있는 신호 전송선(short-ended line)은 스위치를 구동하지 않은 쪽의 출력 신호선(output 2)과 서로 이중공명 짝을 형성하게 된다.

이렇게 형성된 이중공명 짝은 입력 신호에 대해서 이 방향의 출력 단자(output 2)를 개방되어 있는 상태로 만들게 되므로 입력 신호는 손실 없이 스위치가 구동된 출력 신호선 쪽(output 1)으로 전달된다.

이와 같은 원리에 의하여 수십 GHz 이상의 고주파에서도 응용될 수 있는 SPDT 스위치를 구현할 수 있고, 동시에 이를 응용하여 고주파 대역에서 사용할 수 있는 SPMT 스위치의 구현도 가능하다.

그리고 35 GHz에서 60 GHz의 주파수 대역에서 사용할 수 있도록 설계된 SPDT 스위치에서는 양쪽으로 갈라지는 각 출력 신호선의 길이가 270㎛이며, 접지선과 단락된 신호 전송선(short-ended line)의 길이는 450㎛이다. SPDT 스위치의 전체 회로 크기는 약 1mm × 2mm이다.

상술한 바와 같은 구성을 갖는 상기한 직접 접촉식 MEMs 스위치를 근거로 하여 본 발명에 따른 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법을 설명하면 다음과 같다.

도 3에는 본 발명에 따른 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법을 순차적으로 나타내 보인 개략적인 순서도가 도시되어 있다.

우선, 본 발명에 따른 직접 접촉식 MEMs 스위치는, CPW(coplanar waveguide) 형태의 신호 전송선 위에 구동부(13)와 접촉부(12)를 형성하여 제작된다. 이 CPW 형태의 신호 전송선과 접촉부(12)는 전도성이 우수하고 제작이 용이한 도금된 금 지지부재(14)로 이루어져 있으며 기판(11)으로는 표면 유전체 손실을 줄이기 위해 쿼츠(quartz) 기판(11)을 사용한다.

이를 보다 구체적으로 설명한다.

우선, 도 4a에 도시된 바와 같이, 신호 전송선 부분의 금 전해 도금을 위한 기반층으로 크롬(200Å)과, 금(1000Å)을 열증착(thermal evaporation) 방법을 사용하여 기판(substrate)(21)위에 시드 레이어(seed layer)(22)를 연속적으로 증착하고, 그 위에 3.5㎛ 두께의 감광제(AZ4330)를 도포한 후, 신호 전송선 부분의 형 상을 도금하기 위한 도금틀(electroplating mold)(23)을 사진 식각 과정을 거쳐 패턴을 형성한다.(단계 110)

이어서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 2㎛ 두께를 갖는 신호 전송선 부분을 위해 금층(electroplated gold layer)(24a)을 전해 도금한다.(단계 120) 이 전해 도금 후, 도금틀(23)로 사용된 감광제는 아세톤(acetone)을 사용하여 쉽게 제거할 수 있으며, 도금 기반층(21,22)으로 사용된 크롬과 금은 습식 식각액을 사용하여 제거한다.

그리고 상기 신호 전송선 부분의 전해 도금 후, 상기 지지부재(14)를 구동할 때 구동 전극과 바닥 전극 사이에서 DC 단락을 방지하기 위한 절연막으로 0.2㎛ 두께의 실리콘 질화막(24b)으로 패턴을 형성한다.(단계 130)

상기 실리콘 질화막(24b)은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방식으로 증착하며, 증착 온도는 200℃로 한다. 또한 상기 실리콘 질화막(24b)은 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching, RIE)을 이용하여 패턴을 형성한다.

그리고 도 4c 및 4d에 도시된 바와 같이, 스위치의 신호 전송선으로 사용된 금 지지부재(14)는 2㎛의 두께를 가지며 따라서 감광막(25)을 이용하여 희생층(26)을 도포할 때 신호 전송선 단차의 모양을 따라 희생층(26)의 형상이 만들어진다.

이는 상기 지지부재(14)의 구동에 영향을 주거나, 스위치가 구동될 때 접촉부(12)와 신호 전송선의 접촉 상태를 나쁘게 하므로 신호 전송선 단차를 보정하기 위해 표면을 평탄화 하여야 한다.(단계 140)

이를 위해 신호 전송선과 신호 전송선 사이 부분을 감광막(AZ4330)(26)으로 채우고 열처리하여 표면의 단차를 보정한다. 이 과정에서 스위치 접촉부(12)의 양쪽에 있는 구동부(13)를 서로 연결하는 지지부재(14)의 아래쪽에 희생층(26) 패턴이 동시에 형성되게 함으로써 최종 제작 완료 후 지지부재(14)가 스위치의 접촉부(12)보다 신호 전송선으로부터 더 높이 떠 있게 된다.

상기 희생층(26)으로는 감광막(25)을 이용한다. 신호 전송선과 접촉부(12)의 간격을 고려하여 1.5㎛ 두께의 희생층(26)이 형성되도록 감광막(26)을 도포한다.(단계 150)

상기한 감광막(25,26)을 사진 식각 과정을 거쳐 패터닝(patterning) 한 후, 지지부재(14)의 전해 도금을 위해 필요한 기반층(21,22)이 옆벽에도 균일하게 증착되도록 하고 또한 후속 공정에서 열적, 화학적으로 안정화가 되도록 희생층 감광막(26)을 대류 오븐에서 210℃까지 열처리한다.(단계 160).

그리고 스위치를 동작할 때 스위치의 상기 구동부(13)가 바닥 전극에 닫기 전에 접촉부(12)가 먼저 신호 전송선에 닫도록 하여야 한다. 따라서 도 4의 (e)에 도시된 바와 같이, 스위치 접촉 부분의 희생층(26)을 식각하여(화살표 참조) 구동부(13)와 접촉부(12)의 높이에 차이가 있는 단차를 만들어 준다. 이를 위해 산소 플라즈마를 이용한 건식 식각 방법으로 접촉부(12)의 희생층(26)을 이방성으로 식각하였으며, 상기 접촉부(12)의 단차는 0.5㎛로서, 이 접촉부(12)와 신호 전송선 사이의 간격은 1.5㎛가 된다.

또한 도 4f에 도시된 바와 같이, 상기 접촉부(12)는 스위치 온(ON) 상태에서 삽입 손실과 직접 관계되는 중요한 부분이다. 따라서 접촉부(12)로는 표면 저항이 작은 금을 전해 도금으로 형성하게 된다. 이를 위해 희생층(26) 위에 도금 기반층을 증착하고 도금틀(27)을 형성한다.(단계 170)

이때, 상기 기반층으로 사용되는 금의 접착층으로는 희생층(25) 식각시 동시에 제거되는 크롬을 사용함으로써 최종적으로 접촉부(12)와 신호 전송부의 접촉 계면이 모두 금 표면으로 이루어지도록 하였다. 상기 접촉부(12)로 도금되는 금의 두께는 1㎛이다.

그리고 도 4g에 도시된 바와 같이, 스위치의 접촉부(12)와 구동부(13)를 전기적으로 분리시키는 연결 구조로서, 절연막(28)을 형성한다.(단계 180) 이 절연막(28)으로는 실리콘 산화막이나, 질화막을 0.5㎛의 두께로 증착하고 패턴을 형성한다.

또한 도 4h에 도시된 바와 같이, 상기 구동부(13)는 접촉부(12)와 전기적으로 분리되어 있기 때문에 신호 전송선이나 접촉부(12)와는 달리 지지부재(14)를 릴리즈(release)하였을 때 변형이 작고, 기계적 특성이 우수한 재료를 선택하여야 한다. 본 발명에서는 희생층(25)을 제거한 후 초기 변형이 작고, 기계적 특성이 우수한 니켈을 구동부(29)로서 사용한다. 이 구동부(29)의 니켈은 전해 도금 공정을 이용하여 형성한다.(단계 190)

그리고 도 4i에 도시된 바와 같이, 상기 희생층(25)으로 사용된 감광제를 플라즈마 에싱(ashing)을 이용한 등방성 식각 조건으로 제거하여 스위치 구조가 완성되게 된다.(단계 200)

상기와 같이 본 발명에 따른 단위 스위치의 특성 측정 결과가 도 5에 도시되어 있다.

도시된 바와 같이, 50GHz의 주파수에서 isolation은 15.5dB로 측정되었으며 삽입 손실을 0.34dB로 매우 우수한 특성을 보이고 있음을 알 수 있다. 그리고 스위치의 구동 전압은 35V이고, 응답 속도는 5s 정도로 측정되었다.

이러한 측정 결과로부터 제안된 스위치가 밀리미터파 대역의 무선 통신 송수신 시스템에서 적용될 수 있음을 알 수 있다.

또한 도 6에는 SPDT 스위치의 특성 측정 결과가 도시되어 있다.

도시된 바와 같이, 35GHz에서 60GHz의 주파수 대역에서 isolation은 19dB 이상으로 측정되었으며, 삽입 손실은 이 주파수 대역 전체에서 1dB 보다 더 작다는 것을 알 수 있다.

47GHz의 중심 주파수에서는 삽입 손실과 isolation이 각각 0.45dB와 22dB로서 그 특성이 매우 우수함을 알 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법은 다음과 같은 효과를 갖는다.

수십 GHz 이상의 주파수 대역에서 사용되는 무선 통신 송수신 시스템에 적용할 수 있고, 전기적, 기계적 특성이 향상되며, 신뢰성과 생산성을 향상시킬 수 있다.

본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

Claims (13)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. (a) 기판 위에 신호 전송선 부분의 금 전해 도금을 위한 기반층으로 크롬과 금을 연속적으로 열증착하고, 그 위에 소정 두께의 감광제를 도포하며, 상기 신호 전송선 부분의 형상을 도금하기 위한 도금틀을 사진 식각으로 패턴을 형성하는 단계와;

   (b) 상기 신호 전송선에 금을 전해 도금하는 단계와;

   (c) 지지부재를 구동할 때 구동 전극과 바닥 전극 사이에서 DC 단락을 방지하기 위한 절연막으로 소정 두께의 실리콘 질화막으로 패턴을 형성하는 단계와;

   (d) 상기 신호 전송선의 단차를 보정하기 위한 표면을 평탄화하는 단계와;

   (e) 상기 신호 전송선과 접촉부의 간격을 고려하여 소정 두께의 희생층이 형성되도록 감광막을 도포하는 단계;

   (f) 상기 희생층 감광막을 대류 오븐에서 소정 온도까지 열처리하는 단계와;

   (g) 스위치를 동작할 때 상기 구동부가 바닥 전극에 닫기 전에 접촉부가 먼저 상기 신호 전송선에 닫도록 하기 위하여 상기 희생층을 식각하여 상기 구동부와 상기 접촉부의 높이차가 있도록 단차를 만들어 주고, 상기 희생층 위에 도금 기반층을 증착하고 도금틀을 형성하는 단계와;

   (h) 상기 접촉부와 구동부를 전기적으로 분리시키는 연결 구조로서 절연막을 형성하는 단계와;

   (i) 상기 희생층을 제거한 후, 초기 변형이 작고 기계적 특성이 우수한 소정 금속으로 전해 도금을 실시하여 구동부를 형성하는 단계;

   (j) 상기 희생층으로 사용된 감광제를 플라즈마 애싱을 이용한 등방성 식각 조건으로 제거하여 스위치를 완성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법.
5. 제4항에 있어서,

   상기 단계 (a)에서, 상기 크롬은 200Å으로, 상기 금은 1000Å의 두께로 증착시키고, 상기 감광제는 3.5㎛의 두께로 도포하는 것을 특징으로 하는 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법.
6. 제4항에 있어서,

   상기 단계 (c)에서, 상기 실리콘 질화막은, 0.2㎛ 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법.
7. 제4항에 있어서,

   상기 단계 (c)에서, 상기 실리콘 질화막은, PECVD 방식으로 증착하며, 증착 온도는 200℃이며, 반응성 이온 식각(RIE)을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법.
8. 제4항에 있어서,

   상기 단계 (d)에서, 상기 표면 평탄화는, 신호 전송선들 사이 부분을 감광막으로 채운 후, 열처리하여 표면의 단차를 보정하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법.
9. 제4항에 있어서,

   상기 단계 (e)에서, 상기 희생층은, 1.5㎛ 두께로 형성시키는 것을 특징으로 하는 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법.
10. 제4항에 있어서,

    상기 단계 (f)에서, 상기 희생층 감광막은, 열적, 화학적으로 안정화가 되도록 상기 대류 오븐에서 210℃ 까지 열처리하는 것을 특징으로 하는 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법.
11. 제4항에 있어서,

    상기 단계 (g)에서, 상기 접촉부의 단차는 0.5㎛로 형성하고, 상기 접촉부와 상기 신호 전송선 사이의 간격은 1.5㎛가 되게 형성하며, 상기 접촉부는 금으로 전해 도금으로 형성하고, 상기 금의 두께는 1㎛로 형성시키는 것을 특징으로 하는 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법.
12. 제4항에 있어서,

    상기 단계 (h)에서, 상기 절연막은 0.5㎛의 두께로 증착시키는 것을 특징으로 하는 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법.
13. 제4항에 있어서,

    상기 단계 (i)에서, 상기 금속은 니켈을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법.

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