KR100400741B1 - 가변 대역통과필터 및 그 제조방법 - Google Patents

가변 대역통과필터 및 그 제조방법 Download PDF

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KR100400741B1
KR100400741B1 KR10-2001-0011816A KR20010011816A KR100400741B1 KR 100400741 B1 KR100400741 B1 KR 100400741B1 KR 20010011816 A KR20010011816 A KR 20010011816A KR 100400741 B1 KR100400741 B1 KR 100400741B1
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Abstract

RF 신호의 수신과 발신 성능의 향상에 중요한 역할을 하는 가변 대역통과 필터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 홀을 갖는 기판 위에 멤브레인막이 형성되고, 멤브레인막 위에 소정 형태로 형성되는 하부전극, 상기 하부전극의 일부에 형성되는 압전체와, 상기 압전체 위에 소정의 형태로 형성되는 상부전극으로 구성되는 공진기와, 공진기와 전기적으로 연결되도록 공진기 양측의 멤브레인막 위에 각각 제 1, 제 2 가변 커패시터를 형성하여, 중심 주파수 특성이 우수한 박막 용적 탄성파 공진기의 장점과 중심 주파수를 미세 조정하는 가변 커패시터의 장점을 접목하여 주파수 특성 및 신뢰도가 우수하여 고주파 통신 등 여러 분야에 응용될 수 있다.

Description

가변 대역통과필터 및 그 제조방법{tunable bandpass filter and method for fabricating the same}
본 발명은 무선 통신 및 고주파 통신용 부품에 관한 것으로, 특히 RF 신호의 수신과 발신 성능의 향상에 중요한 역할을 하는 가변 대역통과 필터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 이동 통신 시장의 비약적인 확장과 더불어 정보 통신 기술의 획기적인 발전이 이루어져 왔다.
특히, 이동 통신 단말기의 소형화 추세와 함께 이동 통신용 정보 통신 부품의 소형화와 고기능화가 요구되고 있다.
고주파 송수신용 대역통과 필터는 이러한 소형화의 추세에 맞추어 기존의 유전 공진기(Dielectric Resonator) 방식을 적용하는 것 대신에 표면 탄성파 공진기(Surface Acoustic Wave Resonator) 방식이나 용적 탄성파 공진기(Bulk Acoustic Wave Resonator) 방식을 적용하고자 노력해 왔다.
기존의 유전 공진기 방식은 동일한 전송 진동수(carrier frequency)를 기준으로 볼 때, 그 체적이 다른 방식에 비해 상대적으로 매우 크다는 단점이 있다.
또한, 유전 공진기 방식에서, 공진기의 중심 주파수(FC) 오차를 보정해 주기 위해서는 미세 조정용 커패시터를 추가적으로 마운팅(mouting) 해 주어야 하므로체적이 더욱 커지고, 양산 측면에서도 공정 수가 늘어나기 때문에 비용이 증가하고 신뢰도가 저하하는 문제가 발생한다.
이와 같이, 유전 공진기 방식은 이동 통신 단말기의 소형화 추세를 반영하는 데는 한계가 있기 때문에, 최근에는 표면 탄성파 공진기와 용적 탄성파 공진기를 이용한 RF 대역 듀플렉서(Duplexer)의 연구가 진행되고 있다.
표면 탄성파 공진기 방식은 주파수 대역이 2 GHz에 이르기 위해서는 패턴 형성 시, 그 선 폭과 간격의 여유가 너무 작기 때문에 제작상의 문제점이 발생하며, 대역대가 2 GHz 이상이 되면 상대적으로 낮은 주파수 대역에서의 특성에 비해 그 특성이 나빠진다.
따라서, 표면 탄성파 공진기는 중심 주파수가 2 GHz 이상인 대역통과 필터에는 적용할 수 없다는 한계점이 있다.
반면, 용적 탄성파 공진기는 그 중심 주파수와 특성이 매우 우수하고, 실리콘 공정을 이용하여 매우 작은 크기로 제작할 수 있는 장점이 있다.
하지만, 용적 탄성파 공진기는 중심 주파수를 조정하는 방법이 어려운 문제가 있었다.
따라서, 유전 공진기의 문제점인 크기와 특성 문제, 표면 탄성파 공진기의 문제점인 상대적으로 높은 주파수에서의 특성 문제, 그리고 용적 탄성파 공진기의 문제점인 미세 조정 문제를 동시에 해결하는 것이 필요하다.
본 발명은 상기의 문제들을 해결하기 위한 것으로, 소형화가 가능함과 동시에 주파수 특성 및 신뢰도가 우수한 가변 대역통과필터 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 가변 대역통과필터의 회로도
도 2는 본 발명에 따른 가변 대역통과필터를 보여주는 구조평면도
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ에 따른 구조단면도
도 4a는 바이어스 구동(bias driven) 방식의 가변 커패시터를 보여주는 구조단면도
도 4b 및 도 4c는 기계적 조절(mechanical tuning) 방식의 가변 커패시터를 보여주는 구조단면도
도 5a 내지 도 5f는 바이어스 구동 방식의 가변 커패시터를 갖는 가변 대역통과필터의 제조공정을 보여주는 공정단면도
도 6a 내지 도 6f는 기계적 구동 방식의 가변 커패시터를 갖는 가변 대역통과필터의 제조공정을 보여주는 공정단면도
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 멤브레인
3 : 접지판 4, 4a, 4b : 하부전극
5 : 압전체 6, 6a, 6b : 상부전극
7 : 유전체 10 : 희생층
본 발명에 따른 가변 대역통과필터는 홀을 갖는 기판과, 기판 위에 형성되는 멤브레인막과, 멤브레인막 위에 소정 평태로 형성되는 하부전극, 상기 하부전극의 일부에 형성되는 압전체와, 상기 압전체 위에 소정의 형태로 형성되는 상부전극으로 구성되는 공진기와, 공진기와 전기적으로 연결되고 공진기 양측의 멤브레인막 위에 각각 형성되는 제 1, 제 2 가변 커패시터로 구성된다.
여기서, 기판은 공진기 형성 영역에 제 1 홀이 형성되고, 상기 제 1, 제 2 가변 커패시터 형성 영역에 각각 제 2, 제 3 홀이 형성된다.
제 1, 제 2 가변 커패시터는 멤브레인막 위에 소정 형태로 형성되는 하부전극과, 하부전극 위에 형성되는 유전체와, 유전체 위에 소정 형태로 형성되는 상부전극으로 구성되는데, 제 1 커패시터의 하부전극은 공진기의 하부전극과 전기적으로 연결되고, 제 2 커패시터의 하부전극은 공진기의 상부전극과 전기적으로 연결된다.
이 때의 제 1, 제 2 가변 커패시터는 바이어스 구동 방식이다.
또한, 제 1, 제 2 가변 커패시터는 상부전극을 유전체로부터 일정 간격 떨어져 릴리즈(release)되도록 유전체 상부에 소정 형태로 형성하여, 외부의 인가 전압에 따라 유전체와 접촉하도록 기계적 구동 방식으로도 형성할 수 있다.
여기서, 상부전극은 한쪽 끝만 고정되어 유전체로부터 릴리즈되는 칸티레버(cantilever) 형태이거나 양쪽 끝이 고정되어 유전체로부터 릴리즈되는 브리지(bridge) 형태로도 가능하다.
본 발명에 따른 가변 대역통과필터의 제조방법은 기판 위에 멤브레인막을 형성하는 제 1 단계와, 멤브레인막 위에 하부전극 물질을 형성하고 패터닝하여 소정 영역에 공진기의 하부전극과 제 1, 제 2 가변 커패시터의 하부전극을 형성하는 제 2 단계와, 공진기의 하부전극 일부 위에 압전체를 형성하고 제 1, 제 2 가변 커패시터의 하부전극 일부 위에 각각 유전체를 형성하는 제 3 단계와, 전면에 상부전극 물질을 형성하고 패터닝하여 압전체 및 제 2 가변 커패시터의 하부전극 일부 위에 걸치도록 공진기의 상부전극을 형성하고 유전체 일부 위에 걸치도록 제 1, 제 2 가변 커패시터의 상부전극을 각각 형성하는 제 4 단계와, 기판 뒷면의 소정 영역을 식각하여 공진기 및 제 1, 제 2 가변 커패시터 형성 영역의 멤브레인막을 노출시키는 제 5 단계로 이루어진다.
기계적 구동 방식의 가변 커패시터를 제작하기 위해서는 압전체 및 제 2 가변 커패시터의 하부전극 일부 위에 걸치도록 공진기의 상부전극을 형성하고, 공진기 및 제 1, 제 2 가변 커패시터 형성 영역 위에 희생층을 형성한 다음, 희생층 일부 위에 걸치도록 제 1, 제 2 가변 커패시터의 상부전극을 각각 형성한다. 이어, 희생층 위에 상부전극 물질을 형성하고, 희생층을 제거하여 유전체로부터 릴리즈된 제 1, 제 2 가변 커패시터의 상부전극을 각각 형성한다.
이와 같이 제작되는 본 발명의 가변 대역통과필터는 중심 주파수 특성이 우수한 박막 용적 탄성파 공진기의 장점과 중심 주파수를 미세 조정하는 가변 커패시터의 장점을 접목하여 주파수 특성 및 신뢰도가 우수하여 고주파 통신 등 여러 분야에 응용될 수 있다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 가변 대역통과필터의 회로도이고, 도 2는 본 발명에 따른 가변 대역통과필터를 보여주는 구조평면도이며, 도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ에 따른 구조단면도이다.
본 발명은 도 1, 도 2, 도 3에 도시된 바와 같이 크게 박막 용적 탄성파 공진기(Thin Film Bulk Acoustic Resonators)와 온-칩(on-chip) 가변 커패시터(variable capacitor)로 이루어진다.
본 발명의 구조에 대해 좀 더 상세히 살펴보면, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 기판(1) 위에 멤브레인(membrane)막(2)이 형성되고, 멤브레인막 위에 공진기가 형성되며, 공진기 양측에 제 1, 제 2 가변 커패시터가 각각 형성되어 있다.
그리고, 공진기와 제 1, 제 2 가변 커패시터의 주위에는 접지판(3)이 형성된다.
여기서, 기판은 공진기가 형성되는 영역과 제 1, 제 2 가변 커패시터가 형성되는 영역에 각각 홀이 형성된다.
또한, 공진기는 멤브레인막(2) 위에 Au/Ti, Au/Cr, Pt/Ti, Pt/Cr, Ir/Ti, Ir/Cr, Ru/RuO2, Ru/Ti 등으로 이루어진 하부전극(4)이 소정 형태로 형성되고, 하부전극(4) 위에는 ZnO, AlN, SiO2, GaAs, PZT, PLT 등으로 이루어진 압전체(5)가 형성되며, 압전체(5) 위에는 Au, Au/Cr, Pt, Pt/Cr, Ir, Ir/Cr, Ru, RuO2등으로 이루어진 상부전극(6)이 소정 형태로 형성되어 구성된다.
그리고, 제 1, 제 2 가변 커패시터는 멤브레인막(2) 위에 Au/Ti, Au/Cr, Pt/Ti, Pt/Cr, Ir/Ti, Ir/Cr, Ru/RuO2, Ru/Ti 등으로 이루어진 하부전극(4a, 4b)이 소정 형태로 형성되고, 하부전극(4a, 4b) 위에 STO, BSTO 등으로 이루어진 유전체(7)가 형성되며, 유전체 위에는 Au, Au/Cr, Pt, Pt/Cr, Ir, Ir/Cr, Ru, RuO2등으로 이루어진 상부전극(6a, 6b)이 소정 형태로 형성되어 구성된다.
여기서, 제 1 가변 커패시터의 하부전극(4a)은 공진기의 하부전극(4)과 전기적으로 연결되어 있고, 제 2 가변 커패시터의 하부전극(4b)은 공진기의 상부전극(6)과 전기적으로 연결되어 있다.
본 발명에서는 가변 커패시터를 도 4a와 같은 바이어스 구동(bias driven) 방식과 도 4b 및 도 4c와 같은 기계적 조절(mechanical tuning) 방식으로 제작할 수 있다.
바이어스 구동 방식은 상기에 설명한 바와 같고, 기계적 조절 방식은 하부전극 위에 유전체가 형성되고, 유전체로부터 일정 간격 떨어져 릴리즈(release)되도록 유전체 상부에 상부전극이 소정 형태로 형성되어 외부의 인가 전압에 따라 유전체와 접촉하는 구조이다.
즉, 바이어스 구동 방식은 기계적 움직임이 없는 방식이지만, 기계적 조절 방식은 물리적인 변위를 동반하는 방식이란 점에서 차이가 있다.
기계적 조절 방식은 도 4b와 같이 상부전극의 한쪽 끝만이 고정되고 다른 끝이 유전체로부터 릴리즈되는 칸티레버(cantilever) 형태와, 도 4c와 같이 양쪽 끝이 고정되고 중간 부분이 유전체로부터 릴리즈되는 브리지(bridge) 형태로 제작할 수 있다.
바이어스 구동 방식으로 제작된 가변 커패시터의 유전율은 DC 바이어스를 가해 줌으로써 조절할 수 있도록 구성되어 있지만, 기계적 조절 방식으로 제작된 가변 커패시터는 유전율을 조절하는 방식이 아니라 전극 사이의 두께를 조절하는 방식이다.
그렇지만, 기계적 조절 방식은 전극 사이의 두께 조절을 DC 바이어스를 통해 조절하기 때문에 본 발명에서는 구동원 상으로 보면 기계적 조절 방식도 바이어스 구동 방식이라 볼 수 있다.
이와 같은 구조를 갖는 본 발명의 제조 방법은 다음과 같다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명에 따른 가변 대역통과필터의 제조공정을 보여주는 공정단면도로서, 바이어스 구동 방식의 가변 커패시터를 갖는 가변 대역통과필터이다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이 양면이 폴리싱(polishing)된 (100) 실리콘 기판(1) 위에 화학기상증착(chemical vapor deposition ; CVD) 방법으로 열산화막, 질화막, 산화막을 순차적으로 증착하여 멤브레인막(2)을 형성한다.
여기서, 기판(1)은 실리콘 이외에도 GaAs이나 고저항 Si 등으로 형성할 수 있다.
이어, 멤브레인막(2) 위에 Au/Ti, Au/Cr, Pt/Ti, Pt/Cr, Ir/Ti, Ir/Cr, Ru/RuO2, Ru/Ti 등의 전극 물질을 증착하고 패터닝하여 소정 영역에 공진기의 하부전극(4)과 가변 커패시터의 하부전극(4a, 4b)을 형성한다.
이때, 공진기의 하부전극(4)과 가변 커패시터의 하부전극(4a)은 전기적으로 연결된다.
하부전극 물질의 증착 공정은 디씨 스퍼터링(DC sputtering), 이베포레이션(evaporation), 화학기상증착(chemical vapor deposition ; CVD) 방법 등을 사용할 수 있고, 하부전극 패터닝 공정은 습식식각, 건식식각, 리프트-오프(lift-off) 방법 등을 사용할 수 있다.
그리고, 도 5b에 도시된 바와 같이 공진기의 하부전극(4) 일부 위에 압전체(5)를 형성한다.
여기서, 압전체의 증착 방법은 알에프 스퍼터링(RF sputtering), 화학기상증착, 졸-겔(sol-gel), 금속유기증착(metal organic deposition) 방법 등을 사용할 수 있다.
본 발명에서는 ZnO, AlN, SiO2, GaAs, PZT, PLT 등의 압전체를 사용하는데, ZnO 압전체의 패턴을 형성하는 경우, 인산, 초산, 그리고 DI를 혼합하여 만든 용액의 에천트(etchant)를 이용한 습식식각이나 리프트-오프 방식을 사용한다.
이어, 도 5c에 도시된 바와 같이 가변 커패시터의 하부전극(4a, 4b) 일부 위에 각각 유전체(7)를 형성한다.
여기서, 유전체(7)는 STO, BSTO 등으로 이루어지고, 증착 및 패터닝 방법은 상기 압전체 형성 공정과 동일한 방식을 사용한다.
그 다음으로, 도 5d에 도시된 바와 같이 전면에 Au, Au/Cr, Pt, Pt/Cr, Ir, Ir/Cr, Ru, RuO2등의 상부전극 물질을 형성하고 패터닝하여 압전체(5) 및 가변 커패시터의 하부전극(4b) 일부 위에 걸치도록 공진기의 상부전극(6)을 형성하고, 유전체(7) 일부 위에 걸치도록 가변 커패시터의 상부전극(6a, 6b)을 각각 형성한다.
이때, 공진기의 상부전극(6)은 가변 커패시터의 하부전극(4b)과 전기적으로 연결된다.
상부전극 물질의 증착 공정은 상기 하부전극과 마찬가지로 디씨 스퍼터링(DC sputtering), 이베포레이션(evaporation), 화학기상증착(chemical vapor deposition ; CVD) 방법 등을 사용하고, 상부전극 패터닝 공정은 습식식각, 건식식각, 리프트-오프(lift-off) 방법 등을 사용한다.
이어, 도 5e에 도시된 바와 같이 기판(1)의 앞면에 형성된 공진기 및 가변 커패시터의 보호를 위해 기판(1) 앞면에 포토레지스트를 형성하고, 기판(1)을BOE(Buffered Oxide Etchant) 용액에 담가 기판 뒷면의 산화막을 제거한다.
그리고, 기판 뒷면의 소정 영역을 식각하여 공진기가 형성된 영역의 멤브레인막(2)을 노출시키고, 도 5f에 도시된 바와 같이 가변 커패시터가 형성된 영역의 멤브레인막(2)을 노출시킨다.
이때, 기판(1)의 식각은 습식식각, 마이크로머시닝(micro-machining) 등의 방법을 사용한다.
마지막으로, 도시되지는 않았지만, 기판(1) 위에 접지 전극을 포함한 패드 전극을 형성하여 가변 대역통과필터의 제작을 완료한다.
이 때, 각 전극은 전기 도금을 사용하여 제작한다.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명에 따른 가변 대역통과필터의 제조공정을 보여주는 공정단면도로서, 기계적 구동 방식의 가변 커패시터를 갖는 가변 대역통과필터이다.
도 6a 내지 도 6c의 제조공정은 상기에 설명한 도 5a 내지 도 5c의 제조공정과 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 6d에 도시된 바와 같이, 전면에 Au, Au/Cr, Pt, Pt/Cr, Ir, Ir/Cr, Ru, RuO2등의 상부전극 물질을 형성하고 패터닝하여 압전체(5) 및 가변 커패시터의 하부전극(4b) 일부 위에 걸치도록 공진기의 상부전극(6)을 형성하고, 공진기 및 가변 커패시터 형성 영역에 희생층(10)을 형성한다.
여기서, 희생층(10)은 폴리머, 포토레지스트, 금속 등으로 형성할 수 있다.
이어, 도 6e에 도시된 바와 같이 전면에 상부전극 물질을 형성하고 패터닝하여 희생층(10) 일부 위에 걸치도록 가변 커패시터의 상부전극(6a, 6b)을 각각 형성한다.
이 때, 상부전극 물질의 증착 공정은 상기 하부전극과 마찬가지로 디씨 스퍼터링(DC sputtering), 이베포레이션(evaporation), 화학기상증착(chemical vapor deposition ; CVD) 방법 등을 사용하고, 상부전극 패터닝 공정은 습식식각, 건식식각, 리프트-오프(lift-off) 방법 등을 사용한다.
다음, 도 6f에 도시된 바와 같이 기판(1)의 앞면에 형성된 공진기 및 가변 커패시터의 보호를 위해 기판(1) 앞면에 포토레지스트를 형성하고, 기판(1)을 BOE(Buffered Oxide Etchant) 용액에 담가 기판 뒷면의 산화막을 제거한다.
그리고, 기판 뒷면의 소정 영역을 식각하여 공진기가 형성된 영역의 멤브레인막(2)을 노출시키고, 가변 커패시터가 형성된 영역의 멤브레인막(2)을 노출시킨다.
이때, 기판(1)의 식각은 습식식각, 마이크로머시닝(micro-machining) 등의 방법을 사용한다.
마지막으로, 도시되지는 않았지만, 기판(1) 위에 접지 전극을 포함한 패드 전극을 형성하여 가변 대역통과필터의 제작을 완료한다.
이 때, 각 전극은 전기 도금을 사용하여 제작한다.
이와 같이 제작되는 본 발명의 가변 대역통과필터는 중심 주파수 특성이 우수한 박막 용적 탄성파 공진기의 장점과 중심 주파수를 미세 조정하는 가변 커패시터의 장점을 접목하여 주파수 특성 및 신뢰도가 우수하여 고주파 통신 등 여러 분야에 응용될 수 있는 잇점이 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의하여 정해져야 한다.

Claims (15)

  1. 홀을 갖는 기판;
    상기 기판 위에 형성되는 멤브레인막;
    상기 멤브레인막 위에 소정 형태로 형성되는 하부전극과, 상기 하부전극의 일부에 형성되는 압전체와 상기 압전체 위에 소정 형태로 형성되는 상부전극으로 구성되는 공진기; 그리고,
    상기 공진기와 전기적으로 연결되고, 상기 공진기 양측의 멤브레인막 위에 각각 형성되는 제 1, 제 2 가변 커패시터로 구성되는 것을 특징으로 하는 가변 대역통과필터.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 상기 공진기 형성 영역에 제 1 홀이 형성되고, 상기 제 1, 제 2 가변 커패시터 형성 영역에 각각 제 2, 제 3 홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 가변 대역통과필터.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 가변 커패시터는
    상기 멤브레인막 위에 소정 형태로 형성되는 하부전극;
    상기 하부전극 위에 형성되는 유전체; 그리고,
    상기 유전체 위에 소정 형태로 형성되는 상부전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 가변 대역통과필터.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 커패시터의 하부전극은 상기 공진기의 하부전극과 전기적으로 연결되고, 상기 제 2 커패시터의 하부전극은 상기 공진기의 상부전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 가변 대역통과필터.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 가변 커패시터는
    상기 멤브레인막 위에 소정 형태로 형성되는 하부전극;
    상기 하부전극 위에 형성되는 유전체; 그리고,
    상기 유전체로부터 일정 간격 떨어져 릴리즈(release)되도록 상기 유전체 상부에 소정 형태로 형성되고, 외부의 인가 전압에 따라 상기 유전체와 접촉하는 상부전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 가변 대역통과필터.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 상부전극은 한쪽 끝만 고정되어 상기 유전체로부터 릴리즈되는 칸티레버(cantilever) 형태이거나 양쪽 끝이 고정되어 상기 유전체로부터 릴리즈되는 브리지(bridge) 형태인 것을 특징으로 하는 가변 대역통과필터.
  8. 제 3, 제 4, 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부전극은 Au/Ti, Au/Cr, Pt/Ti, Pt/Cr, Ir/Ti, Ir/Cr, Ru/RuO2, Ru/Ti 중 어느 하나로 이루어지고, 상기 압전체 및 유전체는 ZnO, AlN, SiO2, GaAs, PZT, PLT 중 어느 하나로 이루어지며, 상기 상부전극은 Au, Au/Cr, Pt, Pt/Cr, Ir, Ir/Cr, Ru, RuO2중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가변 대역통과필터.
  9. 기판 위에 공진기 및 제 1, 제 2 가변 커패시터를 갖는 가변 대역통과필터의 제조방법에 있어서,
    상기 기판 위에 멤브레인막을 형성하는 제 1 단계;
    상기 멤브레인막 위에 하부전극 물질을 형성하고 패터닝하여 소정 영역에 상기 공진기의 하부전극과 상기 제 1, 제 2 가변 커패시터의 하부전극을 형성하는 제 2 단계;
    상기 공진기의 하부전극 일부 위에 압전체를 형성하고, 상기 제 1, 제 2 가변 커패시터의 하부전극 일부 위에 각각 유전체를 형성하는 제 3 단계;
    상기 전면에 상부전극 물질을 형성하고 패터닝하여 압전체 및 상기 제 2 가변 커패시터의 하부전극 일부 위에 걸치도록 상기 공진기의 상부전극을 형성하고, 상기 유전체 일부 위에 걸치도록 상기 제 1, 제 2 가변 커패시터의 상부전극을 각각 형성하는 제 4 단계; 그리고,
    상기 기판 뒷면의 소정 영역을 식각하여 상기 공진기 및 제 1, 제 2 가변 커패시터 형성 영역의 멤브레인막을 노출시키는 제 5 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가변 대역통과필터의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 단계는
    상기 기판 위에 열산화막을 형성하는 단계;
    상기 열산화막 위에 질화막을 형성하는 단계;
    상기 질화막 위에 산화막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가변 대역통과필터의 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 제 2, 제 4 단계에서,
    상기 하부전극과 상부전극은 디씨 스퍼터링(DC sputtering), 이베포레이션(evaporation), 화학기상증착(chemical vapor deposition ; CVD) 방법 중 어느 한 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 가변 대역통과필터의 제조방법.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 제 3 단계에서,
    상기 압전체 및 유전체는 알에프 스퍼터링(RF sputtering), 화학기상증착(chemical vapor deposition ; CVD), 졸-겔(sol-gel), 금속유기증착(metal organic deposition) 방법 중 어느 한 방법으로 증착하고, 습식식각, 건식식각, 리프트-오프(lift-off) 방법 중 어느 한 방법으로 패터닝하는 것을 특징으로 하는 가변 대역통과필터의 제조방법.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 제 2 단계에서는 공진기의 하부전극과 제 1 가변 커패시터의 하부전극이 전기적으로 연결되도록 패터닝하고, 상기 제 4 단계에서는 상기 공진기의 상부전극과 제 2 가변 커패시터의 하부전극이 전기적으로 연결되도록 패터닝하는 것을 특징으로 하는 가변 대역통과필터의 제조방법.
  14. 기판 위에 공진기 및 제 1, 제 2 가변 커패시터를 갖는 가변 대역통과필터의 제조방법에 있어서,
    상기 기판 위에 멤브레인막을 형성하는 제 1 단계;
    상기 멤브레인막 위에 하부전극 물질을 형성하고 패터닝하여 소정 영역에 상기 공진기의 하부전극과 상기 제 1, 제 2 가변 커패시터의 하부전극을 형성하는 제 2 단계;
    상기 공진기의 하부전극 일부 위에 압전체를 형성하고, 상기 제 1, 제 2 가변 커패시터의 하부전극 일부 위에 각각 유전체를 형성하는 제 3 단계;
    상기 전면에 상부전극 물질을 형성하고 패터닝하여 압전체 및 상기 제 2 가변 커패시터의 하부전극 일부 위에 걸치도록 상기 공진기의 상부전극을 형성하고, 상기 공진기 및 제 1, 제 2 가변 커패시터 형성 영역 위에 희생층을 형성하는 제 4 단계;
    상기 전면에 상부전극 물질을 형성하고 패터닝하여 상기 희생층 일부 위에 걸치도록 상기 제 1, 제 2 가변 커패시터의 상부전극을 각각 형성하는 제 5 단계;
    상기 희생층을 제거하는 제 6 단계; 그리고,
    상기 기판 뒷면의 소정 영역을 식각하여 상기 공진기 및 제 1, 제 2 가변 커패시터 형성 영역의 멤브레인막을 노출시키는 제 5 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가변 대역통과필터의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 희생층은 폴리머, 포토레지스트, 금속 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가변 대역통과필터의 제조방법.
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