JP2000068702A - フィルタ素子およびその製造方法 - Google Patents
フィルタ素子およびその製造方法Info
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- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
- H01P1/2039—Galvanic coupling between Input/Output
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- Electromagnetism (AREA)
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- Waveguides (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 素子を構成するストリップラインの線幅をほ
ぼ均一にすることができ、製造の歩留りや信頼性の向上
が図れるフィルタ素子の実現を課題とする。 【解決手段】 誘電体基板１の表面にキヤビティ４を開
口させ、ストリップ導体パターン２の一部をこのキヤビ
ティ４上に形成してインダクタンスを構成するようにす
る。
ぼ均一にすることができ、製造の歩留りや信頼性の向上
が図れるフィルタ素子の実現を課題とする。 【解決手段】 誘電体基板１の表面にキヤビティ４を開
口させ、ストリップ導体パターン２の一部をこのキヤビ
ティ４上に形成してインダクタンスを構成するようにす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フィルタ素子に関
し、特に分布定数型のフィルタ素子に関する。
し、特に分布定数型のフィルタ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】セルラー電話、無線ＬＡＮなど、マイク
ロ波帯、ミリ波帯の周波数をキャリアとする高周波応用
技術においては、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）、バンド
パスフィルタ（ＢＰＦ）といったフィルタ素子は、イン
ダクタンス、コンデンサ等のチップ部品を使った集中定
数設計ではなく、マイクロストリップライン等による分
布定数にて設計されるのが常である。
ロ波帯、ミリ波帯の周波数をキャリアとする高周波応用
技術においては、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）、バンド
パスフィルタ（ＢＰＦ）といったフィルタ素子は、イン
ダクタンス、コンデンサ等のチップ部品を使った集中定
数設計ではなく、マイクロストリップライン等による分
布定数にて設計されるのが常である。
【０００３】図８は、従来のフィルタ素子の構成を示す
平面図であり、インピーダンスを交互に変化させたマイ
クロストリップラインによるＬＰＦを、プリント基板、
セラミック基板などの誘電体基板上のパターンとして形
成した一例である。図８で、１はプリント基板セラミッ
ク基板等の誘電体基板、２はＣｕ印刷にＮｉ／Ａｕめっ
きなどで構成したストリップ導体パターン、３はＩ／Ｏ
電極線路である。また、図８で（ａ）部分は幅０．１ｍ
ｍ、長さ０．３ｍｍ程度でインダクタンスとして機能
し、（ｂ）部分は幅５ｍｍ、長さ３ｍｍ程度で容量とし
て機能する。この様なパターンを最適化することによ
り、所望の周波数よりも上の帯域の信号を減衰させるこ
とができる。
平面図であり、インピーダンスを交互に変化させたマイ
クロストリップラインによるＬＰＦを、プリント基板、
セラミック基板などの誘電体基板上のパターンとして形
成した一例である。図８で、１はプリント基板セラミッ
ク基板等の誘電体基板、２はＣｕ印刷にＮｉ／Ａｕめっ
きなどで構成したストリップ導体パターン、３はＩ／Ｏ
電極線路である。また、図８で（ａ）部分は幅０．１ｍ
ｍ、長さ０．３ｍｍ程度でインダクタンスとして機能
し、（ｂ）部分は幅５ｍｍ、長さ３ｍｍ程度で容量とし
て機能する。この様なパターンを最適化することによ
り、所望の周波数よりも上の帯域の信号を減衰させるこ
とができる。
【０００４】図９にこの回路の等化回路を示す。この種
の平面型構造のフィルタであれば、実装基板上に印刷や
リソグラフィで配線パターンを形成するのと同じ工程に
て、配線と同時に形成することができる。
の平面型構造のフィルタであれば、実装基板上に印刷や
リソグラフィで配線パターンを形成するのと同じ工程に
て、配線と同時に形成することができる。
【０００５】このような、分布定数型のフィルタ素子に
は次のような問題点がある。マイクロ波やミリ波、特に
５ＧＨｚを超えるあたりの周波数になってくると、図９
の等価回路におけるインダクタンスの効果が、基板とパ
ターンの間の誘電体の寄生キャパシタンスの影響のため
に小さくなってしまう。そのため、所望のフィルタ特性
を得るためには、図８の（ａ）部分の線幅を細くしてイ
ンダクタンスをかせぐ必要がある。また、通過帯域のロ
スを低減するためには、細い（ａ）の部分の長さはでき
るだけ短くする必要がある。そうしてこのような要請に
従う場合には、次の問題点が生まれる。
は次のような問題点がある。マイクロ波やミリ波、特に
５ＧＨｚを超えるあたりの周波数になってくると、図９
の等価回路におけるインダクタンスの効果が、基板とパ
ターンの間の誘電体の寄生キャパシタンスの影響のため
に小さくなってしまう。そのため、所望のフィルタ特性
を得るためには、図８の（ａ）部分の線幅を細くしてイ
ンダクタンスをかせぐ必要がある。また、通過帯域のロ
スを低減するためには、細い（ａ）の部分の長さはでき
るだけ短くする必要がある。そうしてこのような要請に
従う場合には、次の問題点が生まれる。
【０００６】１）（ａ）部分にはμｍオーダーの精度が
必要になる場合があり、したがって製造歩留を上げるの
が難しくなる。 ２）（ａ）部分の長さを短くするとすると、（ｂ）部分
相互間の不要な電磁結合が強くなり、このために所望の
フィルタ特性が得にくくなる。 ３）（ａ）部分と（ｂ）部分の線幅の差がきわめて大き
く１０倍以上にもなる場合がある。このために、それら
の接点部分においては、温度サイクル時に大きなストレ
スが発生し、これを受けて断線を起こすおそれがある。
これは信頼性の上で問題である。 ４）このフィルタを形成した基板上に、動作時に大きな
放熱を伴うパワーアンプなどのデバイスを実装した場
合、熱の影響で（ａ）の細いパターンが焼け断線してし
まうおそれがある。
必要になる場合があり、したがって製造歩留を上げるの
が難しくなる。 ２）（ａ）部分の長さを短くするとすると、（ｂ）部分
相互間の不要な電磁結合が強くなり、このために所望の
フィルタ特性が得にくくなる。 ３）（ａ）部分と（ｂ）部分の線幅の差がきわめて大き
く１０倍以上にもなる場合がある。このために、それら
の接点部分においては、温度サイクル時に大きなストレ
スが発生し、これを受けて断線を起こすおそれがある。
これは信頼性の上で問題である。 ４）このフィルタを形成した基板上に、動作時に大きな
放熱を伴うパワーアンプなどのデバイスを実装した場
合、熱の影響で（ａ）の細いパターンが焼け断線してし
まうおそれがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のごとく、従来の
マイクロストリップラインを用いたフィルタ素子では、
インダクタンスとして機能する部分と容量として機能す
る部分の大きさ、ことに線幅が異なり、製造の歩留が悪
かったり、温度サイクルで部分的にストレスを発生した
り、断線を起こしやすいなどの問題があった。
マイクロストリップラインを用いたフィルタ素子では、
インダクタンスとして機能する部分と容量として機能す
る部分の大きさ、ことに線幅が異なり、製造の歩留が悪
かったり、温度サイクルで部分的にストレスを発生した
り、断線を起こしやすいなどの問題があった。
【０００８】本発明はこの点を解決して、比較的簡単な
方法で、素子を構成するストリップラインの線幅をほぼ
均一にすることができ、製造の歩留りや信頼性の向上が
図れるフィルタ素子の実現と、その素子を容易に歩留り
よく生産できる製造方法の提供を課題とする。
方法で、素子を構成するストリップラインの線幅をほぼ
均一にすることができ、製造の歩留りや信頼性の向上が
図れるフィルタ素子の実現と、その素子を容易に歩留り
よく生産できる製造方法の提供を課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するた
め、本発明は、誘電体基板上にストリップ導体回路のパ
ターンを形成して構成されるフィルタ素子において、前
記誘電体基板表面に開口されたキヤビティ空間を具備
し、前記ストリップ導体回路のパターンの一部をこのキ
ヤビティ空間上に形成することを特徴とする。
め、本発明は、誘電体基板上にストリップ導体回路のパ
ターンを形成して構成されるフィルタ素子において、前
記誘電体基板表面に開口されたキヤビティ空間を具備
し、前記ストリップ導体回路のパターンの一部をこのキ
ヤビティ空間上に形成することを特徴とする。
【００１０】また、誘電体基板上にストリップ導体回路
のパターンを形成して構成されるフィルタ素子におい
て、前記ストリップ導体回路のパターンの幅を一定に保
ち、前記誘電体基板の比誘電率を部分的に異ならせるこ
とを特徴とする。
のパターンを形成して構成されるフィルタ素子におい
て、前記ストリップ導体回路のパターンの幅を一定に保
ち、前記誘電体基板の比誘電率を部分的に異ならせるこ
とを特徴とする。
【００１１】さらに、誘電体基板上にストリップ導体回
路のパターンを形成して構成するフィルタ素子の製造方
法において、前記誘電体基板表面にキヤビティ空間を開
口する開口工程と、前記キヤビティ空間に充填剤を埋め
こんで平坦にする充填工程と、前記キヤビティ空間に埋
め込まれた前記充填剤上を含めて前記誘電体基板上に前
記ストリップ導体回路のパターンを形成するパターン形
成工程と、前記充填剤を前記キヤビティ空間から除去す
る除去工程とを有することを特徴とする。
路のパターンを形成して構成するフィルタ素子の製造方
法において、前記誘電体基板表面にキヤビティ空間を開
口する開口工程と、前記キヤビティ空間に充填剤を埋め
こんで平坦にする充填工程と、前記キヤビティ空間に埋
め込まれた前記充填剤上を含めて前記誘電体基板上に前
記ストリップ導体回路のパターンを形成するパターン形
成工程と、前記充填剤を前記キヤビティ空間から除去す
る除去工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかるフィルタ素
子を添付図面を参照にして詳細に説明する。まず、本発
明の基本的な考え方について説明する。図１は本発明の
一実施の形態のフィルタ素子の構成を示す平面図、図２
はその断面図である。
子を添付図面を参照にして詳細に説明する。まず、本発
明の基本的な考え方について説明する。図１は本発明の
一実施の形態のフィルタ素子の構成を示す平面図、図２
はその断面図である。
【００１３】本発明においては図１および図２に示すよ
うに、図８の（ａ）の部分を基板のキヤビティ上に形成
し、一方（ｂ）の部分は基板上に形成し、それらは図８
の場合と同様に連続的なパターンとなるようにした。図
１、図２で、１はプリント基板セラミック基板等の誘電
体基板、２はＣｕ印刷にＮｉ／Ａｕめっきなどで構成し
たストリップ導体パターン、３はＩ／Ｏ電極線路、４は
キヤビティであり、（ａ）はインダクタンスとして機能
する部分、（ｂ）は容量として機能する部分である。こ
のようにすることで、（ａ）の部分は基板の誘電体上で
はなく、空間上に形成されることになるので、必要以上
にこの部分のパターンを細くしなくてもインダクタンス
としての効果を果たすことができ、また必要以上にパタ
ーンを短くしなくてもロスを増大させることなく、所望
のフィルタを得ることができる。
うに、図８の（ａ）の部分を基板のキヤビティ上に形成
し、一方（ｂ）の部分は基板上に形成し、それらは図８
の場合と同様に連続的なパターンとなるようにした。図
１、図２で、１はプリント基板セラミック基板等の誘電
体基板、２はＣｕ印刷にＮｉ／Ａｕめっきなどで構成し
たストリップ導体パターン、３はＩ／Ｏ電極線路、４は
キヤビティであり、（ａ）はインダクタンスとして機能
する部分、（ｂ）は容量として機能する部分である。こ
のようにすることで、（ａ）の部分は基板の誘電体上で
はなく、空間上に形成されることになるので、必要以上
にこの部分のパターンを細くしなくてもインダクタンス
としての効果を果たすことができ、また必要以上にパタ
ーンを短くしなくてもロスを増大させることなく、所望
のフィルタを得ることができる。
【００１４】実際に、（ａ）の部分を本発明のように空
間上に形成した場合と従来通り基板の誘電体上に形成し
た場合とで、同じインダクタンスの効果を得るのに必要
なパターンサイズの比較をしてみた。図３は、図１の
（ａ）部分と図８の（ａ）部分のパターンにおいて、５
０Ω終端での入力インピーダンス（Ｓ１１）をシミュレ
ーションした図である。ここで、空間の比誘電率は１．
０、誘電体の比誘電率は５．７で誘電体の厚みは９００
μｍとしている。インダクティブなふるまいにおいて両
者がほぼ一致した挙動を示すパターンサイズは、［１］
が図１の（ａ）部分にあたり幅１．０ｍｍ、長さ０．７
ｍｍで、［２］が図８の（ａ）部分にあたり幅０．１ｍ
ｍ、長さ０．３ｍｍとなる。［１］は［２］に対して幅
が１０倍、長さが２倍以上となり、これによって前記し
た問題点がかなり緩和されることになる。
間上に形成した場合と従来通り基板の誘電体上に形成し
た場合とで、同じインダクタンスの効果を得るのに必要
なパターンサイズの比較をしてみた。図３は、図１の
（ａ）部分と図８の（ａ）部分のパターンにおいて、５
０Ω終端での入力インピーダンス（Ｓ１１）をシミュレ
ーションした図である。ここで、空間の比誘電率は１．
０、誘電体の比誘電率は５．７で誘電体の厚みは９００
μｍとしている。インダクティブなふるまいにおいて両
者がほぼ一致した挙動を示すパターンサイズは、［１］
が図１の（ａ）部分にあたり幅１．０ｍｍ、長さ０．７
ｍｍで、［２］が図８の（ａ）部分にあたり幅０．１ｍ
ｍ、長さ０．３ｍｍとなる。［１］は［２］に対して幅
が１０倍、長さが２倍以上となり、これによって前記し
た問題点がかなり緩和されることになる。
【００１５】また、図１、図２における（ｂ）部分が形
成される箇所の比誘電率を、例えば５０くらいに大きな
材料にすると、今度は（ｂ）の部分の線幅を逆に小さく
することができる。これと（ａ）を空間に形成すること
を合わせて用いれば、図４に示すように（ａ）部分と
（ｂ）部分のパターン幅が全く同じで変化させる必要が
ないまま、所望のフィルタ特性を得ることも可能であ
る。さらに、比誘電率とパターン寸法を最適化すること
によって、図５のように、Ｉ／Ｏ電極配線３の幅と、フ
ィルタ部分の幅を完全に一致させることも可能である。
成される箇所の比誘電率を、例えば５０くらいに大きな
材料にすると、今度は（ｂ）の部分の線幅を逆に小さく
することができる。これと（ａ）を空間に形成すること
を合わせて用いれば、図４に示すように（ａ）部分と
（ｂ）部分のパターン幅が全く同じで変化させる必要が
ないまま、所望のフィルタ特性を得ることも可能であ
る。さらに、比誘電率とパターン寸法を最適化すること
によって、図５のように、Ｉ／Ｏ電極配線３の幅と、フ
ィルタ部分の幅を完全に一致させることも可能である。
【００１６】上記の様なフィルタ素子の構造は、例えば
図６に示す以下のような工程で製造することができる。
図６で１−１はエポキシ材、フッ素材、セラミック材等
からなる誘電体基板１、１−２は同じくエポキシ材、フ
ッ素材、セラミック材等からなる誘電体基板２、２はＣ
ｕ印刷にＮｉ／Ａｕめっきなどで構成した金属パター
ン、４は穴、５はフォトレジストなどの穴埋め材であ
る。
図６に示す以下のような工程で製造することができる。
図６で１−１はエポキシ材、フッ素材、セラミック材等
からなる誘電体基板１、１−２は同じくエポキシ材、フ
ッ素材、セラミック材等からなる誘電体基板２、２はＣ
ｕ印刷にＮｉ／Ａｕめっきなどで構成した金属パター
ン、４は穴、５はフォトレジストなどの穴埋め材であ
る。
【００１７】ａ）まず、本発明のキヤビティとなるべき
穴４を、パンチング、ドリリングなどにより加工・形成
した誘電体層１（エポキシ材、フツ素材、セラミック材
など）を作製する。 ｂ）次に、誘電体１を、別の誘電体２上に積層する。 ｃ）誘電体１の穴４を、穴４の無い部分の表面と面位置
になるように、フォトレジスト材５などを印刷していっ
たん埋め込む。埋め込み方は印刷にかぎらず、例えば全
面にスピンコートしてからドライエッチングでエツチバ
ックを行って作製する等の方法でもよい。 ｄ）いったん穴４が埋め込まれた状態で、金属によるフ
ィルタのパターン２を印刷、メッキ等により形成する。 ｅ）パターン２を形成後、アセトンなどの有機溶剤によ
って穴４を埋め込んだフォトレジスト５等を溶出する。
場合によっては酸素プラズマアッシングによってフォト
レジスト５を除去してもよい。かくして、図１、図２の
構造が出来上がる。
穴４を、パンチング、ドリリングなどにより加工・形成
した誘電体層１（エポキシ材、フツ素材、セラミック材
など）を作製する。 ｂ）次に、誘電体１を、別の誘電体２上に積層する。 ｃ）誘電体１の穴４を、穴４の無い部分の表面と面位置
になるように、フォトレジスト材５などを印刷していっ
たん埋め込む。埋め込み方は印刷にかぎらず、例えば全
面にスピンコートしてからドライエッチングでエツチバ
ックを行って作製する等の方法でもよい。 ｄ）いったん穴４が埋め込まれた状態で、金属によるフ
ィルタのパターン２を印刷、メッキ等により形成する。 ｅ）パターン２を形成後、アセトンなどの有機溶剤によ
って穴４を埋め込んだフォトレジスト５等を溶出する。
場合によっては酸素プラズマアッシングによってフォト
レジスト５を除去してもよい。かくして、図１、図２の
構造が出来上がる。
【００１８】以上の説明では、インダクタンスが形成さ
れるキャビティ部分を空間としたが、この部分を比誘電
率の低い材料で満たすようにしても同様な効果を挙げる
ことができる。
れるキャビティ部分を空間としたが、この部分を比誘電
率の低い材料で満たすようにしても同様な効果を挙げる
ことができる。
【００１９】本発明は、前述の様なフィルタ単体構造に
限らず、図７のようにフィルタを形成した基板にＩＣな
どのアクティブ素子を実装した基板としても応用するこ
とも可能である。図７で、１１はフィルタ部分、１２は
ＭＭＩＣなどのアクティブ素子、１３は高周波除去パタ
ーン、１４はインピーダンスマッチングパターンであ
る。
限らず、図７のようにフィルタを形成した基板にＩＣな
どのアクティブ素子を実装した基板としても応用するこ
とも可能である。図７で、１１はフィルタ部分、１２は
ＭＭＩＣなどのアクティブ素子、１３は高周波除去パタ
ーン、１４はインピーダンスマッチングパターンであ
る。
【００２０】以上に記述してきた様に、本発明による
と、 １）線幅をほぼ均一にすることで、断線の危険を減ずる
ことができる。 ２）パターン同士が必要以上に接近して、不要な電磁結
合を起こすことを減ずることができる。 ３）従来は細くせざるをえなかった線幅をある程度太く
でき、線幅のバラツキによる歩留劣化を減ずることがで
きる。 ４）パワーアンプなどを同一基板上に実装してかなりの
放熱による温度上昇があっても、フィルタのパターンが
焼き切れてしまうような危険を減ずることができる。 ５）パターン幅、パターン長を最適化することで、フィ
ルタ入出力部分を、配線引き回しの線幅（通常、５０Ω
幅）と同一にすることができる。 ６）従来の製造工程に若干の変更を加えることで、この
構造を形成することができる。等の利点がある。
と、 １）線幅をほぼ均一にすることで、断線の危険を減ずる
ことができる。 ２）パターン同士が必要以上に接近して、不要な電磁結
合を起こすことを減ずることができる。 ３）従来は細くせざるをえなかった線幅をある程度太く
でき、線幅のバラツキによる歩留劣化を減ずることがで
きる。 ４）パワーアンプなどを同一基板上に実装してかなりの
放熱による温度上昇があっても、フィルタのパターンが
焼き切れてしまうような危険を減ずることができる。 ５）パターン幅、パターン長を最適化することで、フィ
ルタ入出力部分を、配線引き回しの線幅（通常、５０Ω
幅）と同一にすることができる。 ６）従来の製造工程に若干の変更を加えることで、この
構造を形成することができる。等の利点がある。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１の
発明は、誘電体基板上にストリップ導体回路のパターン
を形成して構成されるフィルタ素子において、誘電体基
板表面に開口されたキヤビティ空間を具備し、ストリッ
プ導体回路のパターンの一部をこのキヤビティ空間上に
形成することを特徴とする。これにより、キヤビティ空
間を設けた部分での比誘電率を下げることができ、イン
ダクタンスが形成される部分と容量が形成される部分と
のストリップラインの幅をほぼ均一にすることができ、
フィルタ素子の製造の歩留りや信頼性の向上を図ること
ができる。
発明は、誘電体基板上にストリップ導体回路のパターン
を形成して構成されるフィルタ素子において、誘電体基
板表面に開口されたキヤビティ空間を具備し、ストリッ
プ導体回路のパターンの一部をこのキヤビティ空間上に
形成することを特徴とする。これにより、キヤビティ空
間を設けた部分での比誘電率を下げることができ、イン
ダクタンスが形成される部分と容量が形成される部分と
のストリップラインの幅をほぼ均一にすることができ、
フィルタ素子の製造の歩留りや信頼性の向上を図ること
ができる。
【００２２】本発明の請求項２の発明は、キヤビティ空
間を誘電体基板と異なる比誘電率の材料で満たしたこと
を特徴とする。これにより、キヤビティ空間上のストリ
ップラインを補強することができ、フィルタ素子の信頼
性を一層向上することができる。
間を誘電体基板と異なる比誘電率の材料で満たしたこと
を特徴とする。これにより、キヤビティ空間上のストリ
ップラインを補強することができ、フィルタ素子の信頼
性を一層向上することができる。
【００２３】本発明の請求項３の発明は、誘電体基板上
にストリップ導体回路のパターンを形成して構成される
フィルタ素子において、ストリップ導体回路のパターン
の幅を一定に保ち、誘電体基板の比誘電率を部分的に異
ならせることを特徴とする。これにより、ストリップラ
インの形成が容易になり、フィルタ素子の製造の歩留り
の向上と信頼性の向上を図ることができる。
にストリップ導体回路のパターンを形成して構成される
フィルタ素子において、ストリップ導体回路のパターン
の幅を一定に保ち、誘電体基板の比誘電率を部分的に異
ならせることを特徴とする。これにより、ストリップラ
インの形成が容易になり、フィルタ素子の製造の歩留り
の向上と信頼性の向上を図ることができる。
【００２４】本発明の請求項４の発明は、誘電体基板上
にストリップ導体回路のパターンを形成して構成するフ
ィルタ素子の製造方法において、誘電体基板表面にキヤ
ビティ空間を開口する開口工程と、キヤビティ空間に充
填剤を埋めこんで平坦にする充填工程と、キヤビティ空
間に埋め込まれた充填剤上を含めて誘電体基板上にスト
リップ導体回路のパターンを形成するパターン形成工程
と、充填剤をキヤビティ空間から除去する除去工程とを
有することを特徴とする。これにより、インダクタンス
が形成される部分と容量が形成される部分とのストリッ
プラインの幅をほぼ均一にしたフィルタ素子を容易に歩
留まり良く製造することができる。
にストリップ導体回路のパターンを形成して構成するフ
ィルタ素子の製造方法において、誘電体基板表面にキヤ
ビティ空間を開口する開口工程と、キヤビティ空間に充
填剤を埋めこんで平坦にする充填工程と、キヤビティ空
間に埋め込まれた充填剤上を含めて誘電体基板上にスト
リップ導体回路のパターンを形成するパターン形成工程
と、充填剤をキヤビティ空間から除去する除去工程とを
有することを特徴とする。これにより、インダクタンス
が形成される部分と容量が形成される部分とのストリッ
プラインの幅をほぼ均一にしたフィルタ素子を容易に歩
留まり良く製造することができる。
【００２５】本発明の請求項５の発明は、充填剤は高分
子材料であり、除去工程ではこの高分子材料を溶融する
有機溶剤を用いて充填剤を溶出して除去することを特徴
とする。これにより、キヤビティ空間の形成を一層容易
にし、ストリップラインの幅をほぼ均一にしたフィルタ
素子を容易に歩留まり良く製造することができる。
子材料であり、除去工程ではこの高分子材料を溶融する
有機溶剤を用いて充填剤を溶出して除去することを特徴
とする。これにより、キヤビティ空間の形成を一層容易
にし、ストリップラインの幅をほぼ均一にしたフィルタ
素子を容易に歩留まり良く製造することができる。
【図１】本発明の一実施の形態のフィルタ素子の構成を
示す平面図。
示す平面図。
【図２】図１の実施の形態のフィルタ素子の断面図。
【図３】図１の実施の形態と従来例とのインダクタンス
部分のインピーダンスのシミュレーション図。
部分のインピーダンスのシミュレーション図。
【図４】本発明の他の実施の形態のフィルタ素子の構成
を示す平面図。
を示す平面図。
【図５】本発明の他の実施の形態のフィルタ素子の構成
を示す平面図。
を示す平面図。
【図６】本発明のフィルタ素子の製造工程を示す説明
図。
図。
【図７】本発明の他の実施の形態の回路構成を示す平面
図。
図。
【図８】従来のフィルタ素子の構成を示す平面図。
【図９】図８に示すフィルタ素子の等化回路。
１…誘電体基板、２…ストリップ導体パターン、３…Ｉ
／Ｏ電極線路、４…キヤビティ、穴、５…穴埋め材、１
１…フィルタ部分、１２…アクティブ素子、１３…高周
波除去パターン、１４…インピーダンスマッチングパタ
ーン、（ａ）…インダクタンスとして機能する部分、
（ｂ）…容量として機能する部分。
／Ｏ電極線路、４…キヤビティ、穴、５…穴埋め材、１
１…フィルタ部分、１２…アクティブ素子、１３…高周
波除去パターン、１４…インピーダンスマッチングパタ
ーン、（ａ）…インダクタンスとして機能する部分、
（ｂ）…容量として機能する部分。
Claims (5)
- 【請求項１】 誘電体基板上にストリップ導体回路のパ
ターンを形成して構成されるフィルタ素子において、 前記誘電体基板表面に開口されたキヤビティ空間を具備
し、 前記ストリップ導体回路のパターンの一部をこのキヤビ
ティ空間上に形成することを特徴とするフィルタ素子。 - 【請求項２】 前記キヤビティ空間を前記誘電体基板と
異なる比誘電率の材料で満たしたことを特徴とする請求
項１に記載のフィルタ素子。 - 【請求項３】 誘電体基板上にストリップ導体回路のパ
ターンを形成して構成されるフィルタ素子において、 前記ストリップ導体回路のパターンの幅を一定に保ち、
前記誘電体基板の比誘電率を部分的に異ならせることを
特徴とするフィルタ素子。 - 【請求項４】 誘電体基板上にストリップ導体回路のパ
ターンを形成して構成するフィルタ素子の製造方法にお
いて、 前記誘電体基板表面にキヤビティ空間を開口する開口工
程と、 前記キヤビティ空間に充填剤を埋めこんで平坦にする充
填工程と、 前記キヤビティ空間に埋め込まれた前記充填剤上を含め
て前記誘電体基板上に前記ストリップ導体回路のパター
ンを形成するパターン形成工程と、 前記充填剤を前記キヤビティ空間から除去する除去工程
とを有することを特徴とするフィルタ素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記充填剤は高分子材料であり、前記除
去工程ではこの高分子材料を溶融する有機溶剤を用いて
前記充填剤を溶出して除去することを特徴とする請求項
４に記載のフィルタ素子の製造方法。
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| JP10237130A JP2000068702A (ja) | 1998-08-24 | 1998-08-24 | フィルタ素子およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|
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