JP2012217109A - 高周波回路基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の誘電体基板1に形成される容量性線路4a,4b,4cと第2の誘電体基板6a,6bに形成される誘導性線路7a,7bとに対するグランド導体は共にキャリア2の上面であるから、両者のグランド面に不連続は生じない。そして、第1の誘電体基板の誘電率は、一般に使用されている誘電体基板の誘電率(-≒10)よりも比較的高い誘電率であるから容量性線路の小型化が図れる。また、誘導性線路とグランド面との間は誘電率がほぼ1である空気層であるから、該誘導性線路の線路幅を低誘電率の基板を用いた場合と同程度に広くすることが可能となり高耐電力化が図れる。
【選択図】 図1
Description
図1〜図3は、本発明の実施の形態1による高周波回路基板の構成を示す図である。なお、図1は、外観構成を示す斜視図である。図2は、上面図である。図3は、図2におけるA−A’線断面図および電界分布を示す図である。
図5は、本発明の実施の形態2による高周波回路基板の外観構成を示す斜視図である。図6は、図5に示す高周波回路基板の上面図である。図7は、図6におけるA−A’線断面図および電界分布を示す図である。図8は、図6におけるB−B’線断面図である。なお、図5〜図8では、図1〜図3(実施の形態1)に示した構成要素と同一ないしは同等である構成要素には同一の符号が付されている。ここでは、本実施の形態2に関わる部分を中心に説明する。
2 キャリア
3a,3b 入出力ポートパターン
4a,4b,4c 容量性ストリップ導体線路
5a,5b 開口部(ビア)
6a,6b 第2の誘電体基板
7a,7b 誘導性ストリップ導体線路
8a,8b,8c,8d バンプ
30a,30b コプレーナ線路を構成する導体線路
31a,31b,31c,31d コプレーナ線路を構成するグランド導体
32a,32b,32c,32d 接続用導体
33a,33b,33c,33d ビア
34a,34b,34c,34d 接続用導体
35a,35b,35c,35d ビア
36a,36b,36c,36d バンプ
37a,37b,37c,37d グランド導体
38a,38b,38c,38d ビア
Claims (2)
- 誘導性成分を形成する誘導性線路と、容量性成分を形成する容量性線路との組み合わせで構成される高周波回路を搭載する高周波回路基板において、
少なくとも、前記誘導性線路と、前記誘導性線路の長手方向両端に接続される前記2つの容量性線路とで構成される高周波回路を搭載する構成として、
上面がグランド導体として用いられるキャリアと、
誘電率が値10よりも比較的高い誘電率で形成される誘電体基板であって、裏面が前記キャリアの上面に接合され、表面に、前記容量性成分を形成する第1および第2のストリップ導体線路が高周波信号の伝播方向に所定の間隔を置いて形成されるとともに、前記第1および第2のストリップ導体線路の間に表裏を貫通するビアが形成される第1の誘電体基板と、
任意の誘電率で形成される誘電体基板であって裏面に、前記誘導性成分を形成する第3のストリップ導体線路が形成され、前記第3のストリップ導体線路の一端側下面が第1のバンプを介して前記第1のストリップ導体線路の上面に接続され、前記第3のストリップ導体線路の他端側下面が第2のバンプを介して前記第2のストリップ導体線路の上面に接続されることで、前記第1の誘電体基板に実装される第2の誘電体基板と
を備えていることを特徴とする高周波回路基板。 - 誘導性成分を形成する誘導性線路と、容量性成分を形成する容量性線路との組み合わせで構成される高周波回路を搭載する高周波回路基板において、
少なくとも、前記誘導性線路と、前記誘導性線路の長手方向両端に接続される前記2つの容量性線路とで構成される高周波回路を搭載する構成として、
上面がグランド導体として用いられるキャリアと、
誘電率が値10よりも比較的高い誘電率で形成される誘電体基板であって、裏面が前記キャリアの上面に接合され、表面に、前記容量性成分を形成する第1および第2のストリップ導体線路が高周波信号の伝播方向に所定の間隔を置いて形成されるとともに、前記第1および第2のストリップ導体線路の間における前記第1および第2のストリップ導体線路の長手方向両側端において表裏を貫通するビアにより前記キャリアの上面に接続される第1および第2のグランド導体が形成される第1の誘電体基板と、
前記第1の誘電体基板よりも低い誘電率で形成される誘電体基板であって、表面に、第3のストリップ導体線路が形成されるとともに、前記第3のストリップ導体線路の短手方向両側に第3および第4のグランド導体が形成され、裏面に、前記第3のストリップ導体線路の長手方向両側端それぞれと表裏貫通ビアにより接続される第1および第2の接続用導体と、前記第3および第4のグランド導体それぞれの他端側と表裏貫通ビアにより接続される第3および第4の接続用導体とが形成され、前記第1の接続用導体の下面が第1のバンプを介して前記第1のストリップ導体線路の上面に接続され、前記第2の接続用導体の下面が第2のバンプを介して前記第2のストリップ導体線路の上面に接続され、前記第3の接続用導体の下面が第3のバンプを介して前記第1のグランド導体の上面に接続され、前記第4の接続用導体の下面が第4のバンプを介して前記第2のグランド導体の上面に接続されることで、前記第1の誘電体基板に実装される第2の誘電体基板と
を備えていることを特徴とする高周波回路基板。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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