JP2003332802A - 高周波回路装置 - Google Patents
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Abstract
続してなる高周波回路装置において、良好な反射特性を
有する高周波回路装置を得る。 【解決手段】 第1の面1c1に形成された第3のスト
リップ導体パターン2cと第3の地導体パターン3cか
らなる第3の伝送線路11cが設けられ、一側の端部が
第1の誘電体基板1aの端部と互いの第1の面1a1、
1c1を対向するように重なり、他側の端部が第2の誘
電体基板1bの端部と互いの第1の面1b1、1c1を
対向するように重なる第3の誘電体基板1cを有し、第
1の伝送線路11aと第2の伝送線路11bとが、第3
の伝送線路11cを介して接続されている。
Description
ロ波帯およびミリ波帯で用いる高周波回路装置に関し、
特に複数の基板に構成された高周波回路を接続して成る
高周波回路装置に関するものである。
号公報に示された従来の高周波回路装置の斜視図であ
る。図10において、101a、101bは、金属ベー
ス106上に設けられた第1、第2の誘電体基板であ
る。102a、102bは、それぞれ第1、第2の誘電
体基板101a、101bの表面に設けられた第1、第
2のストリップ導体パターンである。103a、103
bは、第1、第2のストリップ導体パターン102a、
102bの両側に設けられた第1、第2の地導体パッド
である。104は第1のストリップ導体パターン102
aと第2のストリップ導体パターン102bとの間を接
続するストリップ導体パターン接続用ワイヤである。1
05は、第1の地導体パッド103aと第2の地導体パ
ッド103bとの間を接続する地導体接続用ワイヤであ
る。
の誘電体基板101a、101bの上面には第1、第2
のストリップ導体パターン102a、102bが形成さ
れてマイクロストリップ線路が構成されている。第1、
第2の誘電体基板101a、101bの端部において、
第1、第2のストリップ導体パターン102a、102
bの両側に第1、第2の地導体パッド103a、103
bが設けられている。そして、第1、第2のストリップ
導体パターン102a、102b間を接続するストリッ
プ導体パターン接続用ワイヤ104と、第1、第2の地
導体パッド103a、103b間を接続する地導体接続
用ワイヤ105がストリップ導体パターン接続用ワイヤ
104の両側に設けられている。
は、ストリップ導体パターン接続用ワイヤ104と地導
体パターン接続用ワイヤ105が擬似的なコプレナ線路
を構成する。そして、これらのワイヤ間の距離などを適
切な値に設定することにより、ワイヤ104、105で
なるコプレナ線路の特性インピーダンスを、第1、第2
の誘電体基板101a、101bに設けられたマイクロ
ストリップ線路の特性インピーダンスに合わせることが
できる。このため、第1、第2の誘電体基板101a、
101bからなる高周波回路装置においても大きな反射
を生じることなく高周波信号を伝搬することができる。
の高周波回路装置では、それぞれ個別に設けられたスト
リップ導体パターン接続用ワイヤ104と地導体パター
ン接続用ワイヤ105によってコプレナ線路が構成され
るため、ワイヤ104、105のボンディングばらつき
等により上記コプレナ線路の特性インピーダンスが変化
し、反射特性が劣化するという問題があった。
は最低3本のワイヤが必要となるため、ワイヤボンディ
ングの箇所が多くなり組立てが難しくなるという問題も
あった。
ためになされたもので、複数の誘電体基板に設けられた
伝送線路を接続してなる高周波回路装置において、良好
な反射特性を有する高周波回路装置を得ることを目的と
する。
の誘電体基板に設けられた伝送線路を接続する場合に、
組立てを容易とすることができる高周波回路装置を得る
ことである。
路装置は、第1の面に形成された第1のストリップ導体
パターンと第1の地導体パターンからなる第1の伝送線
路が設けられた第1の誘電体基板と、第1の面に形成さ
れた第2のストリップ導体パターンと第2の地導体パタ
ーンからなる第2の伝送線路が設けられ、第1の伝送線
路の端部と第2の伝送線路の端部とが隣接するように第
1の誘電体基板に対して所定の間隔を開けて並設された
第2の誘電体基板と、第1の面に形成された第3のスト
リップ導体パターンと第3の地導体パターンからなる第
3の伝送線路が設けられ、一側の端部が第1の誘電体基
板の端部と互いの第1の面を対向するように重なり、他
側の端部が第2の誘電体基板の端部と互いの第1の面を
対向するように重なる第3の誘電体基板と、第1の誘電
体基板の端部と第3の誘電体基板の端部との間に挟まれ
て設けられ、第1のストリップ導体パターンと第3のス
トリップ導体パターンとを接続する第1のストリップ導
体接続導体と、第1の誘電体基板の端部と第3の誘電体
基板の端部との間に挟まれて設けられ、第1の地導体パ
ターンと第3の地導体パターンとを接続する第1の地導
体接続導体と、第2の誘電体基板の端部と第3の誘電体
基板の端部との間に挟まれて設けられ、第2のストリッ
プ導体パターンと第3のストリップ導体パターンとを接
続する第2のストリップ導体接続導体と、第2の誘電体
基板の端部と第3の誘電体基板の端部との間に挟まれて
設けられ、第2の地導体パターンと第3の地導体パター
ンとを接続する第2の地導体接続導体とを有し、第1の
伝送線路と第2の伝送線路とが、第3の伝送線路を介し
て接続されている。
ターンは、第3のストリップ導体パターンが設けられた
第1の面と、反対側の面に設けられている。
導体接続導体が、それぞれ第3の誘電体基板を貫通し、
第3の地導体パターンと接続されている。
高周波回路装置の実施の形態1を示す斜視図である。図
2は図1のII-II線に沿う矢視断面図である。図3は図
1のIII-III線に沿う矢視断面図である。図1乃至図3
において、第1の誘電体基板1aの第1の面1a1に
は、第1のストリップ導体パターン2aと第1の地導体
パターン3aからなる第1の伝送線路としてのコプレナ
線路11aが設けられている。
b1には、第2のストリップ導体パターン2bと第2の
地導体パターン3bからなる第2の伝送線路としてのコ
プレナ線路11bが設けられている。そして、第2の誘
電体基板1bは、コプレナ線路11aの端部とコプレナ
線路11bの端部とが隣接するように第1の誘電体基板
1aに対して所定の間隔を開けて並設されている。
1c1には、第3のストリップ導体パターン2cと第3
の地導体パターン3cからなる第3の伝送線路としての
コプレナ線路11cが設けられている。そして、第3の
誘電体基板1cは、一側の端部が第1の誘電体基板1a
の端部と互いの第1の面1a1、1c1を対向するよう
に重なり、他側の端部が第2の誘電体基板1bの端部と
互いの第1の面1b1、1c1を対向するように重なっ
ている。
体基板1cの端部との間には、第1のストリップ導体パ
ターン2aと第3のストリップ導体パターン2cとを接
続する第1のストリップ導体接続導体としてのストリッ
プ導体パターン接続用バンプ4aが挟まれて設けられて
いる。
3の誘電体基板1cの端部との間には、第1の地導体パ
ターン3aと第3の地導体パターン3cとを接続する第
1の地導体接続導体としての地導体パターン接続用バン
プ5aが設けられている。
体基板1cの端部との間には、第2のストリップ導体パ
ターン2bと第3のストリップ導体パターン2cとを接
続する第2のストリップ導体接続導体としてのストリッ
プ導体パターン接続用バンプ4bが挟まれて設けられて
いる。
と第3の誘電体基板1cの端部との間には、第2の地導
体パターン3bと第3の地導体パターン3cとを接続す
る第2の地導体接続導体としての地導体パターン接続用
バンプ5bが設けられている。
第1、第2の誘電体基板1a、1bの上面1a1、1b
1には、第1、第2のストリップ導体パターン2a、2
bとその両側に第1、第2の地導体パターン3a、3b
がそれぞれ設けられ、コプレナ線路11a、11bが構
成されている。また、第3の誘電体基板1cの一方の面
1c1に第3のストリップ導体パターン2cとその両側
に第3の地導体パターン3cが設けられてコプレナ線路
11cが構成されている。
プ導体パターン2cと第3の地導体パターン3cが設け
られた面を下にし、第1、第2の誘電体基板1a、1b
との間にストリップ導体パターン接続用バンプ4a、4
bと地導体パターン接続用バンプ5a、5bを挟んで、
第1の誘電体基板1aと第2の誘電体基板1bとにまた
がるように配設されている。ここで、ストリップ導体パ
ターン接続用バンプ4aは、ストリップ導体パターン2
aと2cとを、地導体パターン接続用バンプ5aは、地
導体パターン3aと3cとを接続するように設けられて
おり、ストリップ導体パターン接続用バンプ4bは、ス
トリップ導体パターン2bと2cとを、地導体パターン
接続用バンプ5bは、地導体パターン3bと3cを接続
するように設けられている。
おいて、第1の誘電体基板1aに構成されたコプレナ線
路11aに入力された高周波信号は、ストリップ導体パ
ターン接続用バンプ4aを介して第3の誘電体基板1c
に構成されたコプレナ線路11cを伝搬した後、ストリ
ップ導体パターン接続用バンプ4bを介して第2の誘電
体基板1bに構成されたコプレナ線路11bに伝搬す
る。
誘電体基板1a、1bに構成されたコプレナ線路11
a、11bの特性インピーダンスと第3の誘電体基板1
cに構成されたコプレナ線路11cの特性インピーダン
スを合わせることにより、良好な反射特性が得られる。
路11cは第3の誘電体基板1cに設けられた第3のス
トリップ導体パターン2cと第3の地導体パターン3c
から構成されるため、特性インピーダンスのばらつきが
小さくなる。
ナ線路11cが形成された第3の誘電体基板1cを半田
バンプによって実装するため、ストリップ導体パターン
2a、2b間の接続と地導体パターン3a、3b間の接
続を同時に行うことができる。さらに、半田バンプのセ
ルフアライメント効果によって良好な位置精度が得られ
る。
数の誘電体基板に設けられた伝送線路を接続してなる高
周波回路装置において、良好な反射特性を有する高周波
回路装置とすることができる。また、接続部のインピー
ダンス不整合による特性ばらつきが小さいという効果も
ある。
効果がある。さらに、良好な位置精度が得られるという
効果もある。
パターン2aおよび2bとストリップ導体パターン2c
を接続する接続導体として半田バンプ4a、4bを用
い、地導体パターン3aおよび3bと地導体パターン3
cを接続する接続導体として半田バンプ5a、5bを用
いたが、半田バンプに限られるものではなく導電性接着
剤などを用いてもよい。
路装置の実施の形態2を示す斜視図である。図5は図4
のV-V線に沿う矢視断面図である。図6は図4のVI-VI線
に沿う矢視断面図である。図7は図4のVII-VII線に沿
う矢視断面図である。図4乃至図7において、図1乃至
図3に示した実施の形態1と同一または相当部分には同
一符号を付し、その説明を省略する。図4乃至図7にお
いて、7は地導体パッド、8はスルーホールである。
導体パターン2cと第3の地導体パターン3cとは、第
3の誘電体基板1cの相異なる面に設けられ、オフセッ
ト形コプレナ線路11dを構成している。第3の誘電体
基板1cのストリップ導体パターン2cが設けられた面
1c1には地導体パッド7を設け、金属メッキされたス
ルーホール8にて他方の面の地導体パターン3cと接続
されている。
誘電体基板1a、1bに構成されたコプレナ線路11
a、11bの特性インピーダンスと第3の誘電体基板1
cに構成されたオフセット形コプレナ線路11dの特性
インピーダンスを合わせることにより、良好な反射特性
が得られる。
ナ線路を用いて通常の高周波回路で一般的に使用される
50Ωの特性インピーダンスを有する線路を実現しよう
とすると、ストリップ導体パターンと地導体パターンの
間の隙間を非常に小さくする必要があり、加工が困難で
あるという問題があったが、本実施の形態のようなオフ
セット形コプレナ線路11dは、ストリップ導体パター
ン2cと地導体パターン3cを誘電体基板1cの異なる
面に設けて線路を構成するため、所望の特性インピーダ
ンスを容易に実現することができる。
施の形態1と同様に、複数の誘電体基板に設けられた伝
送線路を接続してなる高周波回路装置において、良好な
反射特性を有する高周波回路装置とすることができる。
また、基板の加工が容易であるという効果もある。
に金属メッキを施すことにより、地導体パターン3cと
地導体パッド7を接続したが、スルーホール8に半田も
しくは導電性接着剤を充填することによっても同様の効
果が得られる。
路装置の実施の形態3を示す斜視図である。図9は図8
のIX-IX線に沿う矢視断面図である。図8および図9に
おいて、図1乃至図7に示した実施の形態1もしくは実
施の形態2と同一または相当部分には同一符号を付し
て、その説明を省略する。図において、9は第3の誘電
体基板1cに設けられたビアである。
導体パターン2cと第3の地導体パターン3cとは、第
3の誘電体基板1cの相異なる面に設けられ、オフセッ
ト形コプレナ線路11dを構成している。
体基板1cの端部との間に設けられた地導体パターン接
続用バンプ5aは、第3の誘電体基板1cに設けられた
ビア9の内部にも充填され、第1の地導体パターン3a
と第3の地導体パターン3cを接続している。
の誘電体基板1cの端部との間に設けられた地導体パタ
ーン接続用バンプ5bは、第3の誘電体基板1cに設け
られたビア9の内部にも充填され、第2の地導体パター
ン3bと第3の地導体パターン3cを接続している。
誘電体基板1a、1bに構成されたコプレナ線路11
a、11bの特性インピーダンスと第3の誘電体基板1
cに構成されたオフセット形コプレナ線路11dの特性
インピーダンスを合わせることにより、良好な反射特性
が得られる。
板1cのストリップ導体パターン2cが設けられた面1
c1に地導体パッド7を設け、金属メッキされたスルー
ホール8にて他方の面の地導体パターン3cと接続する
必要があったが、本実施の形態では、地導体パターン接
続用バンプ5a、5bが第3の誘電体基板1cに設けら
れたビア9の内部にも充填されることにより第3の地導
体パターン3cと直接接続するため、地導体パッド7を
設ける必要がない上、金属メッキも不要となる。
施の形態1と同様に、複数の誘電体基板に設けられた伝
送線路を接続してなる高周波回路装置において、良好な
反射特性を有する高周波回路装置とすることができる。
また、地導体パッドを設ける必要がないため、小型に構
成することができる。さらに、金属メッキも不要である
ため、基板の加工が容易であるという効果もある。
され、地導体パターン3aおよび3bと地導体パターン
3cを接続する接続導体として半田バンプ5a、5bを
用いたが、半田バンプに限られるものではなく導電性接
着剤などを用いてもよい。
の面に形成された第1のストリップ導体パターンと第1
の地導体パターンからなる第1の伝送線路が設けられた
第1の誘電体基板と、第1の面に形成された第2のスト
リップ導体パターンと第2の地導体パターンからなる第
2の伝送線路が設けられ、第1の伝送線路の端部と第2
の伝送線路の端部とが隣接するように第1の誘電体基板
に対して所定の間隔を開けて並設された第2の誘電体基
板と、第1の面に形成された第3のストリップ導体パタ
ーンと第3の地導体パターンからなる第3の伝送線路が
設けられ、一側の端部が第1の誘電体基板の端部と互い
の第1の面を対向するように重なり、他側の端部が第2
の誘電体基板の端部と互いの第1の面を対向するように
重なる第3の誘電体基板と、第1の誘電体基板の端部と
第3の誘電体基板の端部との間に挟まれて設けられ、第
1のストリップ導体パターンと第3のストリップ導体パ
ターンとを接続する第1のストリップ導体接続導体と、
第1の誘電体基板の端部と第3の誘電体基板の端部との
間に挟まれて設けられ、第1の地導体パターンと第3の
地導体パターンとを接続する第1の地導体接続導体と、
第2の誘電体基板の端部と第3の誘電体基板の端部との
間に挟まれて設けられ、第2のストリップ導体パターン
と第3のストリップ導体パターンとを接続する第2のス
トリップ導体接続導体と、第2の誘電体基板の端部と第
3の誘電体基板の端部との間に挟まれて設けられ、第2
の地導体パターンと第3の地導体パターンとを接続する
第2の地導体接続導体とを有し、第1の伝送線路と第2
の伝送線路とが、第3の伝送線路を介して接続されてい
るので、複数の誘電体基板に設けられた伝送線路を接続
してなる高周波回路装置において、良好な反射特性を有
する高周波回路装置を得ることができるとともに、複数
の誘電体基板に設けられた伝送線路を接続する場合に、
組立てを容易とすることができる。
ターンは、第3のストリップ導体パターンが設けられた
第1の面と、反対側の面に設けられているので、所望の
特性インピーダンスを容易に実現することができる。
導体接続導体が、それぞれ第3の誘電体基板を貫通し、
第3の地導体パターンと接続されているので、地導体パ
ッドを設ける必要がなく小型に構成することができる。
さらに、金属メッキも不要であるため、基板の加工が容
易であるという効果もある。
示す斜視図である。
示す斜視図である。
示す斜視図である。
2の誘電体基板、1b1 第1の面、1c 第3の誘電
体基板、1c1 第1の面、2a 第1のストリップ導
体パターン、2b 第2のストリップ導体パターン、2
c 第3のストリップ導体パターン、3a 第1の地導
体パターン、3b 第2の地導体パターン、3c,3d
第3の地導体パターン、4a ストリップ導体パター
ン接続用バンプ(第1のストリップ導体接続導体)4b
ストリップ導体パターン接続用バンプ(第2のストリ
ップ導体接続導体)5a 地導体パターン接続用バンプ
(第1の地導体接続導体)、5b 地導体パターン接続
用バンプ(第2の地導体接続導体)、11a コプレナ
線路(第1の伝送線路)、11b コプレナ線路(第2
の伝送線路)、11c コプレナ線路(第3の伝送線
路)、11d オフセット形コプレナ線路(第3の伝送
線路)。
Claims (3)
- 【請求項1】 第1の面に形成された第1のストリップ
導体パターンと第1の地導体パターンからなる第1の伝
送線路が設けられた第1の誘電体基板と、 第1の面に形成された第2のストリップ導体パターンと
第2の地導体パターンからなる第2の伝送線路が設けら
れ、前記第1の伝送線路の端部と前記第2の伝送線路の
端部とが隣接するように前記第1の誘電体基板に対して
所定の間隔を開けて並設された第2の誘電体基板と、 第1の面に形成された第3のストリップ導体パターンと
第3の地導体パターンからなる第3の伝送線路が設けら
れ、一側の端部が前記第1の誘電体基板の端部と互いの
第1の面を対向するように重なり、他側の端部が前記第
2の誘電体基板の端部と互いの第1の面を対向するよう
に重なる第3の誘電体基板と、 前記第1の誘電体基板の端部と第3の誘電体基板の端部
との間に挟まれて設けられ、前記第1のストリップ導体
パターンと前記第3のストリップ導体パターンとを接続
する第1のストリップ導体接続導体と、 前記第1の誘電体基板の端部と第3の誘電体基板の端部
との間に挟まれて設けられ、前記第1の地導体パターン
と前記第3の地導体パターンとを接続する第1の地導体
接続導体と、 前記第2の誘電体基板の端部と第3の誘電体基板の端部
との間に挟まれて設けられ、前記第2のストリップ導体
パターンと前記第3のストリップ導体パターンとを接続
する第2のストリップ導体接続導体と、 前記第2の誘電体基板の端部と第3の誘電体基板の端部
との間に挟まれて設けられ、前記第2の地導体パターン
と前記第3の地導体パターンとを接続する第2の地導体
接続導体とを有し、 前記第1の伝送線路と前記第2の伝送線路とが、前記第
3の伝送線路を介して接続されていることを特徴とする
高周波回路装置。 - 【請求項2】 前記第3の誘電体基板の前記第3の地導
体パターンは、前記第3のストリップ導体パターンが設
けられた前記第1の面と、反対側の面に設けられている
ことを特徴とする請求項1記載の高周波回路装置。 - 【請求項3】 前記第1の地導体接続導体と前記第2の
地導体接続導体が、それぞれ前記第3の誘電体基板を貫
通し、前記第3の地導体パターンと接続されていること
を特徴とする請求項2記載の高周波回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002138896A JP2003332802A (ja) | 2002-05-14 | 2002-05-14 | 高周波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002138896A JP2003332802A (ja) | 2002-05-14 | 2002-05-14 | 高周波回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003332802A true JP2003332802A (ja) | 2003-11-21 |
Family
ID=29700222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002138896A Pending JP2003332802A (ja) | 2002-05-14 | 2002-05-14 | 高周波回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003332802A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012217109A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波回路基板 |
JP2015122495A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | タレス | 高周波相互接続素子 |
-
2002
- 2002-05-14 JP JP2002138896A patent/JP2003332802A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012217109A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波回路基板 |
JP2015122495A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | タレス | 高周波相互接続素子 |
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