JP2004153165A - 半導体素子収納用パッケージ及びその実装構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体素子収納用パッケージを外部回路基板に実装する時の半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の特性インピーダンスの不整合を小さくする半導体素子収納用パッケージ及びその実装構造を提供する。
【解決手段】誘電体基材11の下面側に形成されたリード接続用パッド12に、電気的接続用のリード18を、リード18の先端部の一方の主面を当接し接合して有する半導体素子収納用パッケージ10において、1又は複数本のリード18の一方の主面と対向する他方の主面の先端部の誘電体基材11の実質的直下部位、又は直下部位の近傍を含む領域に、切り欠き部19を有する。
【選択図】 図1
【解決手段】誘電体基材11の下面側に形成されたリード接続用パッド12に、電気的接続用のリード18を、リード18の先端部の一方の主面を当接し接合して有する半導体素子収納用パッケージ10において、1又は複数本のリード18の一方の主面と対向する他方の主面の先端部の誘電体基材11の実質的直下部位、又は直下部位の近傍を含む領域に、切り欠き部19を有する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】
本発明は、誘電体基材の下面側にリードを接合して有する半導体素子収納用パッケージ及びその実装構造に係り、より詳細には、リード接合部の特性インピーダンス等の電気的特性を改善する半導体素子収納用パッケージ及びその実装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、光通信や、マイクロ波通信、又はミリ波通信等の高い周波数で作動する各種半導体素子等を収容するための半導体素子収納用パッケージには、高周波の信号を伝播させるために様々な形態のものがある。図3(A)、(B)に示すように、このような半導体素子収納用パッケージ50には、基体にセラミックやプラスチック等からなる誘電体基材51を用い、基体内部に半導体素子等を収納するためのキャビティ部52を形成し、基体外部に外部と電気的接続を行うための外部接続端子となる金属製のリード53を形成しているものがある。この半導体素子収納用パッケージ50には、キャビティ部52に半導体素子等が搭載され、リード53と電気的に導通状態とした後、半導体素子等を気密封止している。そして、この半導体素子収納用パッケージ50は、プラスチック等のボードからなる外部回路基板54にリード53を接合して実装を行っている。
【0003】
例えば、誘電体基材51の下面側にリード53を接合して有する従来の半導体素子収納用パッケージ50は、リード53を接合するためのリード接合用パッド部55の特性インピーダンスが通常は特定の値、例えば、50Ωに近づけるように調整されている。このリード接合用パッド部55の特性インピーダンスの値は、半導体素子収納用パッケージ50を実装する外部回路基板54のリード接合用パッド部55aと、これに電気的に導通している導体パターン56との間の特性インピーダンスと同値、又はその値に近づけるように調整している。また、リード接合用パッド部55の特性インピーダンスの値は、半導体素子収納用パッケージ50のリード接合用パッド部55と、半導体素子と接続するための半導体素子収納用パッケージ50の内部の半導体素子接続用パッド部57とを電気的に導通させるための、例えばビア58等を含む導体部の特性インピーダンスと同値、又はその値に近づけるようにも調整している。
【0004】
なお、従来の半導体素子収納用パッケージには、特性インピーダンスの値を改善することを目的に、半導体素子の信号電極と接続する接続パッドから信号線路を2つに分割し、2本のリードに接続する形態のものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。また、従来の半導体素子収納用パッケージには、特性インピーダンスの値を改善することを目的に、信号線用のリードをパッケージの側面に、接地用のリードをパッケージの底面に設置する形態のものが提案されている(例えば、特許文献2参照)。更に、従来の半導体素子収納用パッケージには、特性インピーダンスの値を改善することを目的に、リードの形状をパッケージから突出するにつれてリード先端部の幅が徐々に減少するくさび型とする形態のものが提案されている(例えば、特許文献3参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開平5−226497号公報(第1−3頁、第1図)
【特許文献2】
特開2001−85551号公報(第1−5頁、第1図)
【特許文献3】
特開2001−144220号公報(第1−5頁、第1図)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述したような従来の半導体素子収納用パッケージ及びその実装構造は、次のような問題がある。
(1)半導体素子収納用パッケージを1つの外部回路基板に実装するのに、外部回路基板の特性インピーダンスを整合させても、他の外部回路基板に実装する時に外部回路基板の材料の誘電率や、外部回路基板の厚み、又は外部回路基板内の導体層の位置等が替わることで、、半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の特性インピーダンスの値が調整した値から大きくずれてしまう場合がある。このために、外部回路基板のリード接合用パッド部と、これに電気的に導通している導体パターンとの間、あるいは、半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部と、半導体素子と接続するための半導体素子収納用パッケージの内部の電気的接合用パッド部とを電気的に導通させるための、例えばビア等を含む導体部に、特性インピーダンスの不整合が生じ、伝送特性の悪化原因となっている。
(2)特性インピーダンスの調整を半導体素子収納用パッケージ内の導体パターン形状の改善で行う場合には、半導体素子収納用パッケージの小型化が進む中で設計に自由度がなく、対応できない場合がある。
(3)特性インピーダンスの調整を半導体素子収納用パッケージに接合するリードの位置や、リードの形状を曲げる必要がある場合には、リード作製のためのコストや、接合の難しさから半導体素子収納用パッケージがコスト高となる。
(4)特性インピーダンスの調整をリードの幅寸法を徐々に減少させて行うのは、リード幅寸法が小さい時には、必要が発生しない。
【0007】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、半導体素子収納用パッケージを外部回路基板に実装する時の半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の特性インピーダンスの不整合を小さくする半導体素子収納用パッケージ及びその実装構造を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
前記目的に沿う本発明に係る半導体素子収納用パッケージは、誘電体基材の下面側に形成されたリード接続用パッドに、電気的接続用のリードを、リードの先端部の一方の主面を当接し接合して有する半導体素子収納用パッケージにおいて、1又は複数本の前記リードの一方の主面と対向する他方の主面の先端部の誘電体基材の実質的直下部位、又は直下部位の近傍を含む領域に、切り欠き部を有する。この切り欠き部によって、半導体素子収納用パッケージを外部回路基板に実装する時の半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の直下部にリードと外部回路基板の接地用導体部との間の容量結合を小さくできる空気層を形成することができるので、半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の特性インピーダンスの不整合(調整値からのズレ)を小さくでき、伝送特性を向上させることができる。また、半導体素子収納用パッケージ内の導体パターン形状の変更の必要はなく、半導体素子収納用パッケージに接合するリードの位置も全て下面側に接合するので、リードの形状を違えるための加工の必要がなく、半導体素子収納用パッケージのコスト高を防止することができる。更に、細いリードであるので、リード幅寸法を徐々に減少させる必要が発生しない。
【0009】
ここで、切り欠き部を有するリードが高周波信号を伝播する信号線用リードであるのがよい。これにより、高周波の信号が伝播する信号線において、信号線用リードのリード接合用パッド部の特性インピーダンスの不整合を小さくして、伝送特性を向上することができる。
【0010】
前記目的に沿う本発明に係る半導体素子収納用パッケージの実装構造は、誘電体基材の下面側に形成されたリード接続用パッドに、電気的接続用のリードを、リードの先端部の一方の主面を当接し接合して有する半導体素子収納用パッケージを実装用の外部回路基板に接合する半導体素子収納用パッケージの実装構造において、1又は複数本のリードの一方の主面に対向する他方の主面の先端部の誘電体基材の実質的直下部位、又は直下部位の近傍を含む領域に、切り欠き部を有し、リードが実装用の外部回路基板に接合される時に、切り欠き部と外部回路基板との間にリードが接合されない空間部を有する。これにより、半導体素子収納用パッケージを外部回路基板に実装した時の半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の直下部に形成される空間部の空気層によって、リードと外部回路基板の接地用導体部との間の容量結合を小さくすることができ、半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の特性インピーダンスの不整合である調整値からのズレを小さくして、伝送特性を向上することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図1(A)〜(C)はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージの平面図、A−A’線拡大縦断面図、裏面側A−A’線部拡大平面図、図2は同半導体素子収納用パッケージの実装構造の説明図である。
【0012】
図1(A)〜(C)に示すように、本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージ10は、セラミックや、プラスチック等の絶縁体の一例であるアルミナ(Al2O3)からなる誘電体基材11で、例えば、3層の誘電体基材11a、11b、11cを積層して形成されている。最下層の誘電体基材11aの底面には、タングステン等の導電性金属をスクリーン印刷し、誘電体基材11と同時焼成して形成するリード接続用パッド12が形成されている。
【0013】
中間層の誘電体基材11bの上面には、上記と同様のタングステン等の導電性金属をスクリーン印刷し、誘電体基材11と同時焼成して形成されている半導体素子接続用パッド13が設けられている。この半導体素子接続用パッド13は、半導体素子の搭載部であるキャビティ部14に半導体素子(図示せず)が搭載された後、例えば、ボンディングワイヤ等で接続するためのワイヤーボンディングパッドとして用いられている。また、この半導体素子接続用パッド13は、最下層と中間層の誘電体基材11a、11bに形成する貫通孔にタングステン等の導電性金属を展着して形成するビア15や、あるいは、誘電体基材11a、11bの端面に形成するキャスタレーション(図示せず)で、リード接続用パッド12と接続されている。このビア15の周囲には、同心円状にグランドビア等を配置する等によって、特性インピーダンスがある特定の値、例えば、50Ωに近づくように調整されている。
【0014】
最上層の誘電体基材11cの上面には、キャビティ部14に半導体素子が実装された後、キャビティ部14を蓋体を接合して気密の封止するためのKV(Fe−Ni−Co系合金、商品名「Kovar(コバール)」)や42アロイ(Fe−Ni系合金)等の金属部材からなるシールリング16を接合させるためのタングステン等の導電性金属をスクリーン印刷し、誘電体基材11と同時焼成して形成されているシールリング接続用パッド17が設けられている。
【0015】
リード接続用パッド12や、半導体素子接続用パッド13、及び、シールリング接続用パッド17等の表面にNiめっきが施された後、最下層の誘電体基材11aの底面に形成されたリード接続用パッド12には、KVや、42アロイ等の金属部材からなる外部と電気的に接続するためのリード18の先端部の一方の主面が、例えば、間にAg−Cuろう材等のろう材を介して加熱されて、ろう付け接合されて設けられている。また、最上層の誘電体基材11cの上面に設けられたシールリング接続用パッド17には、シールリング16が、例えば、間にAg−Cuろう材等のろう材を介して加熱されて、ろう付け接合されて設けられている。なお、リード18とシールリング16の接合は、一度に合わせて1回でろう付け接合してもよく、複数回に分けてろう付け接合してもよい。
【0016】
1又は複数本のリード18の先端部の一方の主面と対向する他方の主面の先端部には、誘電体基材11の実質的直下部位、又は直下部位の近傍を含む領域に、切り欠き部19が設けられている。このリード18の切り欠き部19は、ろう付け接合する前に、例えば、リード18をエッチングして形成したり、プレスで押え付けたりして形成している。この切り欠き部19を有するリード18は、高周波信号が伝播され特性インピーダンスの調整が必要である信号線用のリードに用いられるのがよく、グランド用リード、電源用リード、又は、高周波信号が伝播しない信号線用リードには、必ずしもリード18に切り欠き部19を有する必要はない。この切り欠き部19によって、半導体素子収納用パッケージ10を外部回路基板(図2参照)に実装した時に、信号線用のリード18と外部回路基板の接地用導体部との容量結合を小さくするように作用させることができ、リード接続用パッド12における特性インピーダンスの不整合を小さくすることができる。
【0017】
なお、上記本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージ10は、3層の誘電体基材11a、11b、11cを積層した形態で説明したが、誘電体基材11の層数は特に限定されるものではなく2層以下、4層以上であってもよい。また、誘電体基材11の材料は、特に限定されるものではなく、低温焼成セラミック部材や、プラスチック部材からなる誘電体基材11でもよく、リード接続用パッド12等を形成する導電性金属は、低温焼成セラミック部材の場合には、銅や、銀等の低融点金属が用いられ、プラスチック部材の場合には、銅箔をエッチングしたり、銅めっきを施したりして形成することができる。更に、上記本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージ10は、半導体素子を気密に封止するためのシールリング16を有しているが、シールリング16を有さない形態のものであってもよい。
【0018】
次いで、図2を参照しながら、本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージ10の実装構造を説明する。
図2に示すように、半導体素子収納用パッケージ10は、誘電体基材11の下面側に形成されたリード接続用パッド12に、電気的接続用のリード18の先端部の一方の主面を当接し接合して有している。この半導体素子収納用パッケージ10がプラスチックや、セラミック製等のボードからなる実装用の外部回路基板20に実装される実装形態は、リード18の他方の主面を外部回路基板20のリード接続用パッド12aに当接し接合して行われている。そして、この半導体素子収納用パッケージ10の実装構造は、リード18の1又は複数本について、一方の主面と対向する他方の主面の先端部の誘電体基材11の実質的直下部位、又は直下部位の近傍を含む領域に切り欠き部19を有している。この切り欠き部19を有するリード18が外部回路基板20に接合される時には、切り欠き部19によってリード18と外部回路基板20とが接合されない空間部21が形成されている。この空間部21によって、誘電体基材11の実質的直下部位、又は直下部位の近傍を含む領域におけるリード18と外部回路基板20との間に空気層が生じ、この空気層が誘電体基材11の実質的直下部位、又は直下部位の近傍を含む領域のリード18と外部回路基板20の接地用導体部との容量結合を小さくすることができ、半導体素子収納用パッケージ10のリード接続用パッド12部における特性インピーダンスの不整合を小さくすることができる。
【0019】
【実施例】
本発明者は、実施例として、リードに切り欠き部を有するAl2O3セラミックからなる半導体素子収納用パッケージを外部回路基板に実装した状態における半導体素子収納用パッケージのリード接続用パッド部における特性インピーダンスの不整合である調整値からのズレ(変化量)をシミュレーションした。併せて、比較例として、従来のリードに切り欠き部を有さない半導体素子収納用パッケージを外部回路基板に実装した状態における特性インピーダンスの不整合をシミュレーションし、比較した。実施例、及び比較例の半導体素子収納用パッケージのリードを、下面側に接地用導体パターンを有し、厚さが2.0mmのプラスチックからなる外部回路基板の上面側に設けられたリード接続用パッドに、半田を介して接合し、この状態における半導体素子収納用パッケージのリード接続用パッド部の特性インピーダンスが50Ωになるように半導体素子収納用パッケージのリード接続用パッドの幅長さを調整した。そして、外部回路基板の厚さを0.6mm、0.4mm、0.2mmに変化させて、それぞれの場合の半導体素子収納用パッケージのリード接続用パッド部の特性インピーダンスをシミュレーションし、特性インピーダンス50Ωからの変化量を比較した。それぞれのシミュレーション結果を表1に示す。
【0020】
【表1】
【0021】
特性インピーダンス50Ωからの変化量は、本発明における実施例の半導体素子収納用パッケージが従来構造の半導体素子収納用パッケージより小さくすることができることが判った。
【0022】
【発明の効果】
請求項1及びこれに従属する請求項2記載の半導体素子収納用パッケージは、1又は複数本のリードの一方の主面と対向する他方の主面の先端部の誘電体基材の実質的直下部位、又は直下部位の近傍を含む領域に、切り欠き部を有するので、半導体素子収納用パッケージを外部回路基板に実装する時の半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の直下部にリードと外部回路基板の接地用導体部との間の容量結合を小さくできる空気層を形成でき、半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の特性インピーダンスの不整合を小さくして、伝送特性を向上させることができる。
【0023】
特に、請求項2記載の半導体素子収納用パッケージは、切り欠き部を有するリードが、高周波信号を伝播する信号線用リードであるので、高周波の信号が伝播する信号線において、信号線用リードのリード接合用パッド部の特性インピーダンスの不整合を小さくでき、伝送特性を向上させることができる。
【0024】
請求項3記載の半導体素子収納用パッケージの実装構造は、1又は複数本のリードの一方の主面に対向する他方の主面の先端部の誘電体基材の実質的直下部位、又は直下部位の近傍を含む領域に、切り欠き部を有し、リードが実装用の外部回路基板に接合される時に、切り欠き部と外部回路基板との間にリードが接合されない空間部を有するので、半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の直下部に形成される空間部の空気層によって、リードと外部回路基板の接地用導体部との間の容量結合を小さくすることができ、半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の特性インピーダンスの不整合を小さくして、伝送特性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)〜(C)はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージの平面図、A−A’線拡大縦断面図、裏面側A−A’線部拡大平面図である。
【図2】同半導体素子収納用パッケージの実装構造の説明図である。
【図3】(A)、(B)はそれぞれ従来の半導体素子収納用パッケージの平面図、B−B’線拡大縦断面図である。
【符号の説明】
10:半導体素子収納用パッケージ、11、11a、11b、11c:誘電体基材、12、12a:リード接続用パッド、13:半導体素子接続用パッド、14:キャビティ部、15:ビア、16:シールリング、17:シールリング接続用パッド、18:リード、19:切り欠き部、20:外部回路基板、21:空間部
【発明が属する技術分野】
本発明は、誘電体基材の下面側にリードを接合して有する半導体素子収納用パッケージ及びその実装構造に係り、より詳細には、リード接合部の特性インピーダンス等の電気的特性を改善する半導体素子収納用パッケージ及びその実装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、光通信や、マイクロ波通信、又はミリ波通信等の高い周波数で作動する各種半導体素子等を収容するための半導体素子収納用パッケージには、高周波の信号を伝播させるために様々な形態のものがある。図3(A)、(B)に示すように、このような半導体素子収納用パッケージ50には、基体にセラミックやプラスチック等からなる誘電体基材51を用い、基体内部に半導体素子等を収納するためのキャビティ部52を形成し、基体外部に外部と電気的接続を行うための外部接続端子となる金属製のリード53を形成しているものがある。この半導体素子収納用パッケージ50には、キャビティ部52に半導体素子等が搭載され、リード53と電気的に導通状態とした後、半導体素子等を気密封止している。そして、この半導体素子収納用パッケージ50は、プラスチック等のボードからなる外部回路基板54にリード53を接合して実装を行っている。
【0003】
例えば、誘電体基材51の下面側にリード53を接合して有する従来の半導体素子収納用パッケージ50は、リード53を接合するためのリード接合用パッド部55の特性インピーダンスが通常は特定の値、例えば、50Ωに近づけるように調整されている。このリード接合用パッド部55の特性インピーダンスの値は、半導体素子収納用パッケージ50を実装する外部回路基板54のリード接合用パッド部55aと、これに電気的に導通している導体パターン56との間の特性インピーダンスと同値、又はその値に近づけるように調整している。また、リード接合用パッド部55の特性インピーダンスの値は、半導体素子収納用パッケージ50のリード接合用パッド部55と、半導体素子と接続するための半導体素子収納用パッケージ50の内部の半導体素子接続用パッド部57とを電気的に導通させるための、例えばビア58等を含む導体部の特性インピーダンスと同値、又はその値に近づけるようにも調整している。
【0004】
なお、従来の半導体素子収納用パッケージには、特性インピーダンスの値を改善することを目的に、半導体素子の信号電極と接続する接続パッドから信号線路を2つに分割し、2本のリードに接続する形態のものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。また、従来の半導体素子収納用パッケージには、特性インピーダンスの値を改善することを目的に、信号線用のリードをパッケージの側面に、接地用のリードをパッケージの底面に設置する形態のものが提案されている(例えば、特許文献2参照)。更に、従来の半導体素子収納用パッケージには、特性インピーダンスの値を改善することを目的に、リードの形状をパッケージから突出するにつれてリード先端部の幅が徐々に減少するくさび型とする形態のものが提案されている(例えば、特許文献3参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開平5−226497号公報(第1−3頁、第1図)
【特許文献2】
特開2001−85551号公報(第1−5頁、第1図)
【特許文献3】
特開2001−144220号公報(第1−5頁、第1図)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述したような従来の半導体素子収納用パッケージ及びその実装構造は、次のような問題がある。
(1)半導体素子収納用パッケージを1つの外部回路基板に実装するのに、外部回路基板の特性インピーダンスを整合させても、他の外部回路基板に実装する時に外部回路基板の材料の誘電率や、外部回路基板の厚み、又は外部回路基板内の導体層の位置等が替わることで、、半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の特性インピーダンスの値が調整した値から大きくずれてしまう場合がある。このために、外部回路基板のリード接合用パッド部と、これに電気的に導通している導体パターンとの間、あるいは、半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部と、半導体素子と接続するための半導体素子収納用パッケージの内部の電気的接合用パッド部とを電気的に導通させるための、例えばビア等を含む導体部に、特性インピーダンスの不整合が生じ、伝送特性の悪化原因となっている。
(2)特性インピーダンスの調整を半導体素子収納用パッケージ内の導体パターン形状の改善で行う場合には、半導体素子収納用パッケージの小型化が進む中で設計に自由度がなく、対応できない場合がある。
(3)特性インピーダンスの調整を半導体素子収納用パッケージに接合するリードの位置や、リードの形状を曲げる必要がある場合には、リード作製のためのコストや、接合の難しさから半導体素子収納用パッケージがコスト高となる。
(4)特性インピーダンスの調整をリードの幅寸法を徐々に減少させて行うのは、リード幅寸法が小さい時には、必要が発生しない。
【0007】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、半導体素子収納用パッケージを外部回路基板に実装する時の半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の特性インピーダンスの不整合を小さくする半導体素子収納用パッケージ及びその実装構造を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
前記目的に沿う本発明に係る半導体素子収納用パッケージは、誘電体基材の下面側に形成されたリード接続用パッドに、電気的接続用のリードを、リードの先端部の一方の主面を当接し接合して有する半導体素子収納用パッケージにおいて、1又は複数本の前記リードの一方の主面と対向する他方の主面の先端部の誘電体基材の実質的直下部位、又は直下部位の近傍を含む領域に、切り欠き部を有する。この切り欠き部によって、半導体素子収納用パッケージを外部回路基板に実装する時の半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の直下部にリードと外部回路基板の接地用導体部との間の容量結合を小さくできる空気層を形成することができるので、半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の特性インピーダンスの不整合(調整値からのズレ)を小さくでき、伝送特性を向上させることができる。また、半導体素子収納用パッケージ内の導体パターン形状の変更の必要はなく、半導体素子収納用パッケージに接合するリードの位置も全て下面側に接合するので、リードの形状を違えるための加工の必要がなく、半導体素子収納用パッケージのコスト高を防止することができる。更に、細いリードであるので、リード幅寸法を徐々に減少させる必要が発生しない。
【0009】
ここで、切り欠き部を有するリードが高周波信号を伝播する信号線用リードであるのがよい。これにより、高周波の信号が伝播する信号線において、信号線用リードのリード接合用パッド部の特性インピーダンスの不整合を小さくして、伝送特性を向上することができる。
【0010】
前記目的に沿う本発明に係る半導体素子収納用パッケージの実装構造は、誘電体基材の下面側に形成されたリード接続用パッドに、電気的接続用のリードを、リードの先端部の一方の主面を当接し接合して有する半導体素子収納用パッケージを実装用の外部回路基板に接合する半導体素子収納用パッケージの実装構造において、1又は複数本のリードの一方の主面に対向する他方の主面の先端部の誘電体基材の実質的直下部位、又は直下部位の近傍を含む領域に、切り欠き部を有し、リードが実装用の外部回路基板に接合される時に、切り欠き部と外部回路基板との間にリードが接合されない空間部を有する。これにより、半導体素子収納用パッケージを外部回路基板に実装した時の半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の直下部に形成される空間部の空気層によって、リードと外部回路基板の接地用導体部との間の容量結合を小さくすることができ、半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の特性インピーダンスの不整合である調整値からのズレを小さくして、伝送特性を向上することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図1(A)〜(C)はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージの平面図、A−A’線拡大縦断面図、裏面側A−A’線部拡大平面図、図2は同半導体素子収納用パッケージの実装構造の説明図である。
【0012】
図1(A)〜(C)に示すように、本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージ10は、セラミックや、プラスチック等の絶縁体の一例であるアルミナ(Al2O3)からなる誘電体基材11で、例えば、3層の誘電体基材11a、11b、11cを積層して形成されている。最下層の誘電体基材11aの底面には、タングステン等の導電性金属をスクリーン印刷し、誘電体基材11と同時焼成して形成するリード接続用パッド12が形成されている。
【0013】
中間層の誘電体基材11bの上面には、上記と同様のタングステン等の導電性金属をスクリーン印刷し、誘電体基材11と同時焼成して形成されている半導体素子接続用パッド13が設けられている。この半導体素子接続用パッド13は、半導体素子の搭載部であるキャビティ部14に半導体素子(図示せず)が搭載された後、例えば、ボンディングワイヤ等で接続するためのワイヤーボンディングパッドとして用いられている。また、この半導体素子接続用パッド13は、最下層と中間層の誘電体基材11a、11bに形成する貫通孔にタングステン等の導電性金属を展着して形成するビア15や、あるいは、誘電体基材11a、11bの端面に形成するキャスタレーション(図示せず)で、リード接続用パッド12と接続されている。このビア15の周囲には、同心円状にグランドビア等を配置する等によって、特性インピーダンスがある特定の値、例えば、50Ωに近づくように調整されている。
【0014】
最上層の誘電体基材11cの上面には、キャビティ部14に半導体素子が実装された後、キャビティ部14を蓋体を接合して気密の封止するためのKV(Fe−Ni−Co系合金、商品名「Kovar(コバール)」)や42アロイ(Fe−Ni系合金)等の金属部材からなるシールリング16を接合させるためのタングステン等の導電性金属をスクリーン印刷し、誘電体基材11と同時焼成して形成されているシールリング接続用パッド17が設けられている。
【0015】
リード接続用パッド12や、半導体素子接続用パッド13、及び、シールリング接続用パッド17等の表面にNiめっきが施された後、最下層の誘電体基材11aの底面に形成されたリード接続用パッド12には、KVや、42アロイ等の金属部材からなる外部と電気的に接続するためのリード18の先端部の一方の主面が、例えば、間にAg−Cuろう材等のろう材を介して加熱されて、ろう付け接合されて設けられている。また、最上層の誘電体基材11cの上面に設けられたシールリング接続用パッド17には、シールリング16が、例えば、間にAg−Cuろう材等のろう材を介して加熱されて、ろう付け接合されて設けられている。なお、リード18とシールリング16の接合は、一度に合わせて1回でろう付け接合してもよく、複数回に分けてろう付け接合してもよい。
【0016】
1又は複数本のリード18の先端部の一方の主面と対向する他方の主面の先端部には、誘電体基材11の実質的直下部位、又は直下部位の近傍を含む領域に、切り欠き部19が設けられている。このリード18の切り欠き部19は、ろう付け接合する前に、例えば、リード18をエッチングして形成したり、プレスで押え付けたりして形成している。この切り欠き部19を有するリード18は、高周波信号が伝播され特性インピーダンスの調整が必要である信号線用のリードに用いられるのがよく、グランド用リード、電源用リード、又は、高周波信号が伝播しない信号線用リードには、必ずしもリード18に切り欠き部19を有する必要はない。この切り欠き部19によって、半導体素子収納用パッケージ10を外部回路基板(図2参照)に実装した時に、信号線用のリード18と外部回路基板の接地用導体部との容量結合を小さくするように作用させることができ、リード接続用パッド12における特性インピーダンスの不整合を小さくすることができる。
【0017】
なお、上記本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージ10は、3層の誘電体基材11a、11b、11cを積層した形態で説明したが、誘電体基材11の層数は特に限定されるものではなく2層以下、4層以上であってもよい。また、誘電体基材11の材料は、特に限定されるものではなく、低温焼成セラミック部材や、プラスチック部材からなる誘電体基材11でもよく、リード接続用パッド12等を形成する導電性金属は、低温焼成セラミック部材の場合には、銅や、銀等の低融点金属が用いられ、プラスチック部材の場合には、銅箔をエッチングしたり、銅めっきを施したりして形成することができる。更に、上記本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージ10は、半導体素子を気密に封止するためのシールリング16を有しているが、シールリング16を有さない形態のものであってもよい。
【0018】
次いで、図2を参照しながら、本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージ10の実装構造を説明する。
図2に示すように、半導体素子収納用パッケージ10は、誘電体基材11の下面側に形成されたリード接続用パッド12に、電気的接続用のリード18の先端部の一方の主面を当接し接合して有している。この半導体素子収納用パッケージ10がプラスチックや、セラミック製等のボードからなる実装用の外部回路基板20に実装される実装形態は、リード18の他方の主面を外部回路基板20のリード接続用パッド12aに当接し接合して行われている。そして、この半導体素子収納用パッケージ10の実装構造は、リード18の1又は複数本について、一方の主面と対向する他方の主面の先端部の誘電体基材11の実質的直下部位、又は直下部位の近傍を含む領域に切り欠き部19を有している。この切り欠き部19を有するリード18が外部回路基板20に接合される時には、切り欠き部19によってリード18と外部回路基板20とが接合されない空間部21が形成されている。この空間部21によって、誘電体基材11の実質的直下部位、又は直下部位の近傍を含む領域におけるリード18と外部回路基板20との間に空気層が生じ、この空気層が誘電体基材11の実質的直下部位、又は直下部位の近傍を含む領域のリード18と外部回路基板20の接地用導体部との容量結合を小さくすることができ、半導体素子収納用パッケージ10のリード接続用パッド12部における特性インピーダンスの不整合を小さくすることができる。
【0019】
【実施例】
本発明者は、実施例として、リードに切り欠き部を有するAl2O3セラミックからなる半導体素子収納用パッケージを外部回路基板に実装した状態における半導体素子収納用パッケージのリード接続用パッド部における特性インピーダンスの不整合である調整値からのズレ(変化量)をシミュレーションした。併せて、比較例として、従来のリードに切り欠き部を有さない半導体素子収納用パッケージを外部回路基板に実装した状態における特性インピーダンスの不整合をシミュレーションし、比較した。実施例、及び比較例の半導体素子収納用パッケージのリードを、下面側に接地用導体パターンを有し、厚さが2.0mmのプラスチックからなる外部回路基板の上面側に設けられたリード接続用パッドに、半田を介して接合し、この状態における半導体素子収納用パッケージのリード接続用パッド部の特性インピーダンスが50Ωになるように半導体素子収納用パッケージのリード接続用パッドの幅長さを調整した。そして、外部回路基板の厚さを0.6mm、0.4mm、0.2mmに変化させて、それぞれの場合の半導体素子収納用パッケージのリード接続用パッド部の特性インピーダンスをシミュレーションし、特性インピーダンス50Ωからの変化量を比較した。それぞれのシミュレーション結果を表1に示す。
【0020】
【表1】
【0021】
特性インピーダンス50Ωからの変化量は、本発明における実施例の半導体素子収納用パッケージが従来構造の半導体素子収納用パッケージより小さくすることができることが判った。
【0022】
【発明の効果】
請求項1及びこれに従属する請求項2記載の半導体素子収納用パッケージは、1又は複数本のリードの一方の主面と対向する他方の主面の先端部の誘電体基材の実質的直下部位、又は直下部位の近傍を含む領域に、切り欠き部を有するので、半導体素子収納用パッケージを外部回路基板に実装する時の半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の直下部にリードと外部回路基板の接地用導体部との間の容量結合を小さくできる空気層を形成でき、半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の特性インピーダンスの不整合を小さくして、伝送特性を向上させることができる。
【0023】
特に、請求項2記載の半導体素子収納用パッケージは、切り欠き部を有するリードが、高周波信号を伝播する信号線用リードであるので、高周波の信号が伝播する信号線において、信号線用リードのリード接合用パッド部の特性インピーダンスの不整合を小さくでき、伝送特性を向上させることができる。
【0024】
請求項3記載の半導体素子収納用パッケージの実装構造は、1又は複数本のリードの一方の主面に対向する他方の主面の先端部の誘電体基材の実質的直下部位、又は直下部位の近傍を含む領域に、切り欠き部を有し、リードが実装用の外部回路基板に接合される時に、切り欠き部と外部回路基板との間にリードが接合されない空間部を有するので、半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の直下部に形成される空間部の空気層によって、リードと外部回路基板の接地用導体部との間の容量結合を小さくすることができ、半導体素子収納用パッケージのリード接合用パッド部の特性インピーダンスの不整合を小さくして、伝送特性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)〜(C)はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージの平面図、A−A’線拡大縦断面図、裏面側A−A’線部拡大平面図である。
【図2】同半導体素子収納用パッケージの実装構造の説明図である。
【図3】(A)、(B)はそれぞれ従来の半導体素子収納用パッケージの平面図、B−B’線拡大縦断面図である。
【符号の説明】
10:半導体素子収納用パッケージ、11、11a、11b、11c:誘電体基材、12、12a:リード接続用パッド、13:半導体素子接続用パッド、14:キャビティ部、15:ビア、16:シールリング、17:シールリング接続用パッド、18:リード、19:切り欠き部、20:外部回路基板、21:空間部
Claims (3)
- 誘電体基材の下面側に形成されたリード接続用パッドに、電気的接続用のリードを、該リードの先端部の一方の主面を当接し接合して有する半導体素子収納用パッケージにおいて、
1又は複数本の前記リードの前記一方の主面と対向する他方の主面の前記先端部の前記誘電体基材の実質的直下部位、又は該直下部位の近傍を含む領域に、切り欠き部を有することを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。 - 請求項1記載の半導体素子収納用パッケージにおいて、前記切り欠き部を有する前記リードが高周波信号を伝播する信号線用リードであることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
- 誘電体基材の下面側に形成されたリード接続用パッドに、電気的接続用のリードを、該リードの先端部の一方の主面を当接し接合して有する半導体素子収納用パッケージを実装用の外部回路基板に接合する半導体素子収納用パッケージの実装構造において、
1又は複数本の前記リードの前記一方の主面に対向する他方の主面の前記先端部の前記誘電体基材の実質的直下部位、又は該直下部位の近傍を含む領域に、切り欠き部を有し、前記リードが実装用の前記外部回路基板に接合される時に、前記切り欠き部と前記外部回路基板との間に前記リードが接合されない空間部を有することを特徴とする半導体素子収納用パッケージの実装構造。
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