JPH10135637A

JPH10135637A - セラミック多層配線基板

Info

Publication number: JPH10135637A
Application number: JP8307373A
Authority: JP
Inventors: Toshishige Yamamoto; 利重山本; Yoribumi Sakamoto; 頼史阪本
Original assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Current assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Priority date: 1996-10-31
Filing date: 1996-10-31
Publication date: 1998-05-22

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体素子を搭載するセラミック基板内部の
信号配線の高密度化に伴い、信号配線の幅が狭くなって
おり、そのため信号配線の電気抵抗が大きくなり、高周
波の電気信号を流すと、信号電圧の振幅が低下したり、
信号遷移が遅れる等の現象が生じ、信号特性の劣化（誤
動作等）の原因となる。そこで、グリーンシート上に溝
部を有するペースト層を形成して信号配線層を厚くした
り、金属箔を使用して信号配線を形成し、信号配線の抵
抗を小さくする方法が開示されているが、製造コストが
高くなる等の不都合が生じるという課題があった。【解決手段】一組のワイヤボンディング用パッド１６
と外部接続端子１５とを接続するための信号配線２１
ａ、２２ａが複数本（２本）からなり、これら信号配線
２１ａ、２２ａが相互に上下方向に離れて、重なって配
置されているセラミック多層配線基板１０とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はセラミック多層配線
基板に関し、より詳細には半導体素子等を搭載するため
のセラミックパッケージを構成するセラミック多層配線
基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】今日、集積回路等が形成された半導体素
子は、該半導体素子を外部環境から保護し、かつマザー
ボードへの実装を容易にする等の目的のため、種々の材
料より構成されたパッケージに収納される。

【０００３】このパッケージには、半導体素子上に形成
されたパッドとマザーボードに形成された端子とを接続
するために多数の配線が形成されている。近年、半導体
素子は高集積化が進んだため外部接続端子の数も増加
し、それに伴い５００個以上の外部接続端子が形成され
たパッケージも現れてきている。

【０００４】また、電子機器は小型化の傾向にあり、パ
ッケージも小型のものが求められているため、パッケー
ジに形成する配線の高密度化も進んでおり、これに対処
するため配線の幅は次第に狭くなってきている。さら
に、半導体素子の信号処理速度も高速化（高周波化）し
てきており、高周波信号の劣化を抑制するため、信号配
線層、電源層、及び接地層をパッケージ内部の別々の層
に形成する、いわゆる多層化が進んできている。

【０００５】ＰＧＡ（Pin Grid Array）タイプやＢＧＡ
（Ball Grid Array)タイプのパッケージでは、外部接続
端子がマトリクス状あるいはアレイ状に配置されてお
り、多ピン化が容易であると同時に多層化も比較的容易
である。また、セラミック製のパッケージは耐熱性、耐
久性、信頼性等に優れるという特徴を有している。その
ため、上記タイプのセラミック製パッケージ、特に比較
的安価なアルミナ製の前記パッケージは現在盛んに使用
されている。

【０００６】図５はＰＧＡタイプのセラミックパッケー
ジを構成するセラミック多層配線基板を模式的に示した
断面図である。

【０００７】セラミック多層配線基板３０の中央にはキ
ャビティ部１２が形成され、その周囲にはリッド（図示
せず）で封止する際に用いられるメタライズ層１３が形
成されている。また、メタライズ層１３の周囲には、多
数の外部接続ピン用パッド１４がマトリクス状に形成さ
れ、この外部接続ピン用パッド１４にマザーボード（図
示せず）に接続するための外部接続ピン１５が固着され
ている。また、キャビティ部１２は通常内部の周辺部分
が階段状に構成されており、中間の階段部にはワイヤボ
ンディング用パッド１６が形成され、底面部分はＬＳＩ
等の半導体素子１８を載置する半導体素子搭載部１７と
なっている。そして、この半導体素子搭載部１７には導
体ベタ層（図示せず）が形成され、半導体素子１８が接
続、固定されている。外部接続ピン１５が固着された面
と反対側の面には、半導体素子１８から発散される熱を
放散するための金属製の放熱板（図示せず）が配設され
る場合もある。

【０００８】半導体素子１８上の外部接続端子（図示せ
ず）と、セラミック多層配線基板３０上のワイヤボンデ
ィング用パッド１６とは、Ａｕ等のワイヤ１９を介して
ワイヤボンディングにより接続されている。また、セラ
ミック基板１１の内部には、ベタ層である接地層２０、
電源層２３、及び多数の信号配線３１ａからなる信号配
線層３１が形成され、さらに、上層と下層との配線を接
続するためにビアホール２４が形成され、これらの配線
を介して半導体素子１８の外部接続端子と外部接続ピン
１５とが接続されるようになっている。具体的には、半
導体素子搭載部１７に形成された導体ベタ層及びワイヤ
ボンディング用パッド１６の一部（接地用）は接地層２
０に接続され、ビアホール２４を介して外部接続ピン１
５に接続されている。また、ワイヤボンディング用パッ
ド１６の一部（電源用）はビアホール２４を介して電源
層２３に接続され、さらにビアホール２４を介して外部
接続ピン１５に接続されている。さらに、ワイヤボンデ
ィング用パッド１６の他の一部（信号用）は信号配線層
３１を構成する個々の信号配線３１ａに接続され、この
信号配線３１ａはビアホール２４を介して外部接続ピン
１５に接続されている。

【０００９】アルミナ製のセラミック多層配線基板３０
においては、上記した種々の導体層（配線層）にタング
ステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）が使用されている
が、これらの金属は銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）と比較する
と電気抵抗が大きい。最近のセラミック基板１１内部の
信号配線３１ａの高密度化に伴い、信号配線３１ａの幅
が狭くなっており、そのため信号配線３１ａの電気抵抗
が大きくなっている。電気抵抗が大きい信号配線３１ａ
に高周波の電気信号を流すと、信号電圧の振幅が低下し
たり、信号遷移が遅れる等の現象が生じ、信号特性の劣
化（誤動作等）の原因となるため好ましくない。

【００１０】この信号配線３１ａの抵抗値を小さくする
ための方法として、種々の方法が考えられる。最も簡単
な方法としては、信号配線３１ａの断面積を大きくする
方法であり、そのためには信号配線３１ａの幅を広くと
るか、信号配線３１ａの厚さを厚くする必要がある。

【００１１】しかし、信号配線３１ａの幅を広げる方法
をとった場合には、信号配線３１ａの高密度化を達成す
ることが困難となり、多数の信号配線３１ａを形成する
ためにはセラミック多層配線基板３０を大型化しなけれ
ばならないという問題が発生し、最近の小型化の傾向に
逆行することになる。また、信号配線３１ａの幅を単に
広げただけでは、信号配線３１ａの特性インピーダンス
が小さくなり、インピーダンス整合がとれなくなるた
め、高周波信号の特性が劣化する。そのため、特性イン
ピーダンスを一定に保とうとすれば、信号配線層３１に
隣接した接地層２０又は電源層２３との間隔（絶縁層の
厚さ）を大きくとる必要があり、セラミック多層配線基
板３０の厚さを厚くしなければならず、いずれにしても
信号配線３１ａの幅を広げる方法は実現が難しい。

【００１２】また、信号配線３１ａの厚さを厚くする方
法をとった場合にも、信号配線３１ａの抵抗を小さくす
ることができ、この場合には特性インピーダンスの低下
等の問題は発生しないが、従来の場合よりも厚さの厚い
信号配線３１ａを形成するのは困難である。その理由は
以下の通りである。

【００１３】まず、セラミック基板１１の内部に信号配
線層３１を形成する方法を説明すると、セラミック粉末
とバインダ（樹脂）、溶剤、可塑剤等とを混練してスラ
リを調整した後、ドクタブレード法等によりグリーンシ
ートを作製し、該グリーンシートに加工処理等を施した
後、前記グリーンシート上に金属ペーストを印刷する。
次に、金属ペーストの印刷等が行われたグリーンシート
を積層し、焼成することにより多数の信号配線３１ａよ
りなる信号配線層３１を形成する。しかし、１回の印刷
により形成することができる信号配線３１ａの厚さは１
５〜２０μｍ程度であり、信号配線３１ａの厚さをさら
に厚くするために印刷を繰り返すと、信号配線３１ａの
厚さを厚くすることはできるが、グリーンシート上に形
成した金属ペースト層ににじみ等が発生し、信号配線３
１ａの形状が崩れ易いという問題があった。また、近く
に形成された信号配線３１ａ同士に短絡が発生し易くな
るという問題もあった。

【００１４】このように、単に信号配線３１ａの幅を広
げたり、厚さを厚くする方法では、他の種々の問題が発
生し、信号配線３１ａの特性に優れたセラミック多層配
線基板３０を製造するのは困難であった。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】そこで、信号配線の抵
抗を小さくするため、信号配線の全部又は一部が耐火性
の金属箔により構成されたセラミック多層配線基板が開
示されている（特公昭５７−２６４４０号公報）。

【００１６】上記公報によれば、高密度で他の成分を含
まないＭｏ等の金属のみからなる信号配線の形成が可能
となるので、信号配線の抵抗を小さくすることができ、
信号配線の細線化が可能となる。しかし、金属箔を用い
て配線を形成する方法は、導体ペーストを印刷する方法
に比べて手間がかかり、製造コストが高くつくという課
題があった。また、１本１本分離された金属箔をグリー
ンシートに精度よく配置することは困難であるという技
術的な課題もあった。

【００１７】また上記問題を解決するため、グリーンシ
ートの上に所定パターンの溝部が形成されるように薄い
セラミックペースト層を形成し、前記溝部に金属ペース
ト層を厚く形成することにより、厚さの厚い信号配線を
形成し、信号配線の抵抗を小さくする方法も開示されて
いる（特開昭５６−１０９９８号公報）。しかし、上記
方法はグリーンシート上にセラミックペースト層を形成
するという余分の工程を行う必要があるため、製造コス
トが高くつくという課題があった。また、金属ペースト
の印刷を繰り返さなければならないため、微細配線を形
成するのは難しいという課題もあった。

【００１８】

【課題を解決するための手段及びその効果】本発明者ら
は上記課題に鑑み、抵抗値の低い信号配線層を安価に形
成する方法の検討を行った結果、同じ経路の信号配線を
上下の層に分けて複数個形成することにより低抵抗の信
号配線層が形成されることを見出し本発明を完成するに
至った。

【００１９】すなわち、本発明に係るセラミック多層配
線基板（１）は、一組の配線用パッドと外部接続端子と
を接続するための信号配線が複数本からなり、これら各
信号配線が相互に上下方向に離れて配置されていること
を特徴としている。

【００２０】また、本発明に係るセラミック多層配線基
板（２）は、上記セラミック多層配線基板（１）におい
て、各信号配線が上下方向に重なっていることを特徴と
している。

【００２１】上記セラミック多層配線基板（１）又は
（２）によれば、同じ経路の信号配線が複数本の組から
なるため、その信号配線の本数に反比例して抵抗値が低
下し、しかも信号配線が上下方向にずれて配置されてい
るので、配線の平面視の面積を増加させずに信号配線を
形成することができ、セラミック多層配線基板の小型化
を維持することができる。また、信号配線を上記構成と
したため、組をなす信号配線同士の電磁的結合が強くな
り、特性インピーダンスの低下やクロストークノイズの
増大を防止することができる。さらに、従来とほぼ同様
のプロセスによりセラミック多層配線基板を製造するこ
とができ、安価なセラミック多層配線基板を提供するこ
とができる。

【００２２】また、本発明に係るセラミック多層配線基
板（３）は、上記セラミック多層配線基板（１）又は
（２）において、組をなす信号配線の断面形状及び平面
視形状が同一であることを特徴としている。

【００２３】上記セラミック多層配線基板（３）によれ
ば、組をなす信号配線の断面形状及び平面視形状を同一
にしているので、水平方向に隣り合う信号配線との電磁
的結合の増大を防止することができ、クロストークノイ
ズの増大をより効果的に防止することができる。

【００２４】また、本発明に係るセラミック多層配線基
板（４）は、上記セラミック多層配線基板（１）〜
（３）のいずれかにおいて、組をなす信号配線間には、
絶縁層のみが存在することを特徴としている。

【００２５】上記セラミック多層配線基板（４）によれ
ば、組をなす信号配線間にベタ層を介在させず、絶縁層
のみを存在させており、かつその距離が近いので、特性
インピーダンスの低下をより効果的に防止することがで
きる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るセラミック多
層配線基板の実施の形態を図面に基づいて説明する。

【００２７】図１（ａ）は実施の形態に係るセラミック
多層配線基板を模式的に示した断面図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるｂ−ｂ線部分拡大断面図である。

【００２８】本実施の形態において、セラミック多層配
線基板の構成材料は特に限定されるものではないが、具
体的には、例えばアルミナ等の酸化物系セラミック、窒
化アルミニウム等の非酸化物系セラミック、ガラスセラ
ミック等が挙げられる。また、図１にはＰＧＡタイプの
セラミック多層配線基板を示しているが、実施の形態に
係るセラミック多層配線基板は前記ＰＧＡタイプに限定
されるものではなく、その他に、例えばＢＧＡタイプ、
ＭＣＭ(Multi Tip Module)タイプ等が挙げられる。以下
の説明においては、ＰＧＡタイプのセラミック多層配線
基板を例にとって説明する。

【００２９】本実施の形態に係るセラミック多層配線基
板１０においては、信号配線層２１、２２が２層形成さ
れている以外は、従来のセラミック多層配線基板３０と
同様に構成されている。従って、ここでは、信号配線層
２１、２２に関する事項のみを説明する。

【００３０】図５に示した従来のセラミック多層配線基
板３０では、ワイヤボンディング用パッド１６と外部接
続ピン１５とが信号配線層３１により接続されていた
が、本実施の形態に係るセラミック多層配線基板１０に
おいては、信号配線層２１及びビアホール２４、又は信
号配線層２２及びビアホール２４、２５を介してワイヤ
ボンディング用パッド１６と外部接続ピン１５とが接続
されている。具体的には、１個のワイヤボンディング用
パッド１６と１本の外部接続ピン１５とが２本の信号配
線２１ａ、２２ａ（（信号配線２１ｂ、２２ｂ、信号配
線２１ｃ、２２ｃ）以下においては、信号配線２１ａ、
２２ａを用いて説明する）により接続されており、下方
に位置する信号配線２２ａと上方に位置する信号配線２
１ａとは、ワイヤボンディング用パッド１６の近傍及び
ビアホール２４との接続部分において、距離の短いビア
ホール２５により接続されている。また、信号配線２１
ａ、２２ａの幅及び厚さは従来の信号配線３１ａと同じ
に設定されている。このように、分岐した２本の信号配
線２１ａ、２２ａを形成することにより、電気抵抗は約
１／２に低下する。なお、図１において、信号配線２１
ａと信号配線２２ａとの上下の距離をｄ₁ 、信号配線２
１ａ、２２ａの幅をｄ₂ 、信号配線２１ａ（２１ｂ、２
１ｃ）と左側（又は右側）の信号配線２１ｂ（２１ａ、
２１ｃ）とのピッチをｄ₃ 、信号配線２１ａと下方に位
置する信号配線２２ａとの左右のずれの大きさをｄ₄ 、
接地層２０と電源層２３との間の距離（誘電体層の厚
さ）をＤ₁としている。

【００３１】信号配線２１ａ、２２ａの数は、２本に限
定されるものではなく、３本以上であってもよいが、製
造プロセスが複雑化するため、通常は２本、又は３本程
度が好ましい。この場合、形成した信号配線の数に反比
例して信号配線の電気抵抗が減少する。

【００３２】また、単に信号配線２１ａ、２２ａを複数
形成するのみでは、信号配線２１ａ、２２ａの電気的特
性が劣化（変化）する場合がある。従って、信号配線２
１ａ、２２ａの電気的特性を劣化（変化）させないよう
な配線構造とする。配線の構造に関係する電気的特性と
しては、特性インピーダンスとクロストークノイズとが
あるが、まず、特性インピーダンスについて説明する。

【００３３】図２は、信号配線２１ａ、２２ａの上下方
向の距離ｄ₁ と特性インピーダンスとの関係を示したグ
ラフであり、接地層２０と電源層２３との間の誘電体層
厚みＤ₁ をパラメータにとっている。また、図３は、接
地層２０と電源層２３との間の誘電体層厚みＤ₁ と特性
インピーダンスとの関係を示したグラフであり、信号配
線２１ａ、２２ａの上下の距離ｄ₁ をパラメータにとっ
ている。図２及び図３のグラフより明らかなように、信
号配線２１ａ、２２ａの上下方向の距離ｄ₁ が大きくな
るに従って、また接地層２０と電源層２３との間の誘電
体層厚みＤ₁ が小さくなるに従って特性インピーダンス
が低下している。

【００３４】図２に示したグラフより、２つの信号配線
２１ａ、２２ａの距離ｄ₁ を小さくすること、すなわち
信号配線２１ａ、２２ａ間の電磁気的結合を強くするこ
とにより、相対的に他の配線（接地層２３、電源層２０
等）との電磁気的結合が弱まり、特性インピーダンスの
低下を防止することができる。また、図には示していな
いが、形状が同一である程、電磁的結合は強くなる。さ
らに、図３に示したグラフより、信号配線２１ａと信号
配線２２ａとの間の誘電体層厚みｄ₁ を調整することに
より、特性インピーダンスの値を調整することができ
る。

【００３５】次に、クロストークノイズについて説明す
るが、このクロストークノイズは、隣り合う信号配線
（例えば信号配線２１ａ、２２ａと信号配線２１ｂ、２
２ｂ）間の距離に関係し、従って、上下の信号配線２１
ａ、２２ａの左右へのずれの距離ｄ₄ に関係する。図４
は、信号配線２１ａ、２２ａの左右へのずれの距離ｄ₄
とクロストークノイズの大きさを表す上で一つの基準と
なる線間容量との関係を示したグラフであり、信号配線
２１ａ、２２ａの上下方向の距離ｄ₁ をパラメータにと
っている。図４より明らかなように、信号配線２１ａ、
２２ａのずれｄ₄が大きくなると、隣接する信号配線
（例えば２２ａと２１ｂ）間の距離が小さくなるため、
線間容量（クロストークノイズ）が増大する。従って、
信号配線２１ａ、２２ａのずれｄ₄ はなるべく小さく方
が好ましい。信号配線２１ａ、２２ａの上下方向の距離
ｄ₁ と線間容量との関係が途中で逆転しているのは、距
離ｄ₁が小さい程、左右のずれｄ₄ が大きくなると、信
号配線２２ａと信号配線２１ｂとの距離が小さくなるか
らである。なお、図２〜４に示したグラフにおいて、信
号配線の厚さは１０μｍ、その幅ｄ₂ は１００μｍと
し、セラミック基板１１の構成材料をアルミナとしてい
る。

【００３６】以上より、信号配線２１ａ、２２ａの電気
的特性を良好に保つためには、信号配線２１ａと信号配
線２２ａとを同じ形状とし、また信号配線２１ａと信号
配線２２ａとが上下方向に重なるような位置に、しかも
信号配線２１ａ、２２ａ間の距離ｄ₁ 、すなわち両者の
間に存在する絶縁体層（誘電体層）ｄ₁ の厚さがなるべ
く薄くなるように配置するのが望ましい。通常、信号配
線２１ａ、２２ａ間の距離ｄ₁ が信号配線の幅ｄ₂ の半
分程度となるのが望ましい。通常、信号配線２１ａ、２
２ａの幅ｄ₂ は８０〜１５０μｍ程度であるので、信号
配線２１ａ、２２ａ間の距離ｄ₁ は４０〜７５μｍ程度
が望ましい。信号配線２１ａ、２２ａの左右方向のずれ
ｄ₄ は、５０μｍ以下が好ましく、０であるのがより好
ましい。信号配線２１ａと信号配線２２ａとの間に電源
層２３や接地層２０を介在させる配置は特性インピーダ
ンスの変動等をもたらし、好ましくない。

【００３７】上記セラミック多層配線基板１０の製造方
法は、基本的には従来の場合と変わらない。まず、セラ
ミック粉末に樹脂（バインダ）、溶剤、可塑剤等を添
加、混合して調製したスラリをドクタブレード法等によ
り成形し、グリーンシートを作製する。但し、通常の厚
さのグリーンシートの他、焼成により４０〜７５μｍ程
度の厚さになる薄いグリーンシートも作製しておく。次
に、グリーンシートに従来と同様に加工処理等を施した
後、グリーンシートの上に導体ペーストを印刷して、乾
燥させ、導体ペースト層を形成する。このとき、２枚の
グリーンシート（通常の厚さのグリーンシートと薄いグ
リーンシート）上に信号配線層２１、及び信号配線層２
２を形成するための同一パターンの導体ペースト層をそ
れぞれ形成する。上方に位置する薄いグリーンシートに
は、ワイヤボンディング用パッド１６を形成する部分に
近い部分、及び外部接続ピン１５用のビアホール２４を
形成する部分に上下方向の配線を接続するための貫通孔
を形成し、導体ペーストを充填しておく。次に、これら
グリーンシートを積層、圧着してグリーンシート積層体
を形成する。このグリーンシート積層体を従来の場合と
同様に脱脂、焼成を行って内部及び表面に導体層を有す
るセラミック基板を製造した後、外部接続ピンを接合
し、メッキ処理を施してセラミック多層配線基板の製造
を完了する。

【００３８】

【実施例】以下、本発明に係るセラミック多層配線基板
の実施例を図面に基づいて説明する。

【００３９】＜実施例＞（１）セラミック多層配線基板１０の製造（但し、信号
配線層の数が３のセラミック多層配線基板も製造） (i) グリーンシートの作製スラリの構成材料：アルミナ粉末、樹脂（アクリル樹
脂）、溶剤（キシレン）、可塑剤（ジブチルフタレート
（ＤＢＰ））成形方法：ドクタブレード法グリーンシートの厚さ通常厚さのグリーンシート：２５０μｍ、薄いグリーン
シート：５０μｍ (ii) 導体ペースト層の形成導体ペーストの組成：Ｗ粉末、樹脂（エチルセルロース
樹脂）、溶剤（トルエン）等 (iii) グリーンシート積層体の作製と焼成処理グリーンシートの積層枚数：１０枚焼成雰囲気：窒素と水素の混合ガス雰囲気、焼成温度：
１５５０℃ (iV) 製造されたセラミック基板（アルミナ基板）１１
の寸法等セラミック基板１１の外形：５０ｍｍ×５０ｍｍ×２．
７ｍｍ外部接続ピン１５の数：２８０個信号配線の厚さ：１０μｍ信号配線の幅ｄ₂ ：１００μｍ接地層２０と電源層２３との間の距離：６００μｍ左右の信号配線間（例えば２１ａと２１ｂ）のピッチ
（信号配線の中心間の距離）ｄ₃ ：４００μｍ信号配線の他の特性（幅、数、抵抗値）、信号配線間距
離（上下方向、左右方向）を下記の表１に示している。

【００４０】＜比較例＞比較例として、従来の信号配線
（幅：１００μｍ）が１層形成されているセラミック多
層配線基板（比較例１）、幅２００μｍの信号配線が１
層形成されているセラミック多層配線基板（比較例
２）、２層の信号配線の間に接地層が介在しているセラ
ミック多層配線基板（比較例３）、信号配線の左右方向
のずれｄ₄ が大きいセラミック多層配線基板（比較例
４）を製造した。

【００４１】＜評価方法及び評価結果＞実施例及び比較
例に係るセラミック多層配線基板の信号配線の特性イン
ピーダンス、線間容量、及び特性インピーダンスを５０
Ωにする接地層２０と電源層２３との間の誘電体厚みを
求めた。結果を下記の表１に示している。

【００４２】

【表１】

【００４３】上記表１に示した結果より明らかなよう
に、実施例の場合には、組をなす信号配線層の数を２、
又は３に設定することにより、信号配線の特性インピー
ダンスやセラミック基板の厚さを従来と余り変えること
なく、さらに、信号配線のクロストークノイズを増加さ
せることなく、信号配線の抵抗値が半分以下で、信号特
性の劣化が生じないセラミック多層配線基板を製造する
ことができた。但し、信号配線の左右方向の距離を大き
くすると、クロストークノイズが増加する傾向が生じる
ので、一定の範囲内（５０μｍ以下）に止めるのが好ま
しい。

【００４４】一方、信号配線の幅を従来の２倍とした
り、２本の信号配線の間に接地層を介在させた比較例に
係るセラミック多層配線基板では、誘電体厚みが非常に
大きくなり、セラミック基板の厚さを厚くせざるを得
ず、小型化の傾向に逆行するため、好ましくないことが
わかった。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本発明の実施の形態に係るセラミッ
ク多層配線基板を模式的に示した断面図であり、（ｂ）
は（ａ）におけるｂ−ｂ線部分拡大断面図である。

【図２】信号配線の上下方向の距離ｄ₁ と特性インピー
ダンスとの関係を示したグラフである。

【図３】接地層と電源層との間の誘電体層厚みＤ₁ と特
性インピーダンスとの関係を示したグラフである。

【図４】信号配線の左右方向へのずれの距離ｄ₄ と線間
容量との関係を示したグラフである。

【図５】従来のセラミック多層配線基板を模式的に示し
た断面図である。

【符号の説明】

１０セラミック多層配線基板１５外部接続端子１６ワイヤボンディング用パッド２１、２２信号配線層２１ａ、２２ａ、２１ｂ、２２ｂ、２１ｃ、２２ｃ信
号配線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一組の配線用パッドと外部接続端子とを
接続するための信号配線が複数本からなり、これら各信
号配線が相互に上下方向に離れて配置されていることを
特徴とするセラミック多層配線基板。
【請求項２】各信号配線が上下方向に重なっているこ
とを特徴とする請求項１記載のセラミック多層配線基
板。
【請求項３】組をなす信号配線の断面形状及び平面視
形状が同一であることを特徴とする請求項１又は請求項
２記載のセラミック多層配線基板。
【請求項４】組をなす信号配線間には、絶縁層のみが
存在することを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項
に記載のセラミック多層配線基板。