JP3466398B2

JP3466398B2 - 配線基板とその製造方法

Info

Publication number: JP3466398B2
Application number: JP33258596A
Authority: JP
Inventors: 和重秋田; 雅仁森田
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date: 1996-12-13
Filing date: 1996-12-13
Publication date: 2003-11-10
Anticipated expiration: 2016-12-13
Also published as: JPH10173092A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばピン端子等
の外部端子を表面上に配設する配線基板とその製造方法
に関し、特に外部端子をその表面上に配設する外側の絶
縁層の強度を高めたものに関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、表面上に多数のピン端子を植設
した所謂ピングリッドアレイ型配線基板６０は、図６
(Ａ)の縦断面図に示すように、セラミックからなる複数
の絶縁層６１〜６８を一体に積層し、図示で最上段の絶
縁層６１の表面上に多数のピン端子Ｐを固着している。
尚、上方の絶縁層６１〜６３は、平面視で矩形枠形を呈
し、それらの内部に図示しない半導体素子を搭載するた
めのキャビティ６９が形成されている。各ピン端子Ｐ
は、図６(Ｂ)に示すように、最上段の絶縁層６１の表面
上に設けた接続用パッド７０にその頭部Ｐ１をロウ付け
することにより垂直に固着される。また、最上段の絶縁
層６１とこれに隣接する絶縁層６２との間には、電源用
又は接地用のメタルプレーン層７２が配置され、且つ絶
縁層６２〜６８の間には所望の回路を形成する導体配線
層７４，７５等が配置されている。

【０００３】上記接続用パッド７０と導体配線層７４と
をビアによって導通させるため、絶縁層６２，６３には
その厚さ方向に導体からなる小ビア７６，７８がそれぞ
れ貫通し、且つ、各小ビア７６，７８の間には両者のズ
レを吸収するビアカバー７９が介在し、この小ビア７
６，７８及びビアカバー７９の３者で上記パッド７０と
導体配線層７４とを接続するビアＶを形成している。更
に、ビアＶと上記メタルプレーン層７２との間を不導通
とするため、ビアカバー７９の周囲には、所定の間隔だ
けビアカバー７９から引き離してメタルプレーン層７２
が形成されている。このため、リング状の隙間８０が絶
縁層６１，６２間に形成されている。この隙間８０は、
上記メタルプレーン層７２を配設する際、ビアＶの周囲
に形成されるので、その厚さはメタルプレーン層７２と
略同じである。

【０００４】一方、近年における半導体装置の小型化、
軽量化の要求に応じるため、配線基板６０も小型化、軽
量化することが必要となり、これに伴う導体配線層の層
数の増加は、各絶縁層６１〜６８の厚さをより薄くする
ことが求められている。また、高性能化の要求に連れ
て、配線基板の電源電極や接地電極用の広い面積のメタ
ルプレーン層７２を複数層設けて、電力供給の安定化を
行う必要もある。このため、前記ビアカバー７９とメタ
ルプレーン層７２との間に形成される隙間８０も極力狭
くなるよう設計される。

【０００５】ところが、係る隙間８０が薄肉の絶縁層６
１の下部に存在すると、前記接続用パッド７０に固着さ
れたピン端子Ｐ自体を図６(Ｂ)中の矢印方向に引張る強
度試験を行った際、本来はピン本体Ｐ２の中間で破断す
るものが、図中の最上段の絶縁層６１に亀裂Ｃを生じ
て、この絶縁層６１の破断部分と共に脱落することがあ
る。係るピン端子Ｐを表面上に固着する絶縁層６１の脱
落は、配線基板６０が保証すべきピン接合強度を下回る
と共に、ピン端子Ｐを図示しないプリント基板等のマザ
ーボードやソケット等に装着したり、抜出する際に、僅
かな位置ズレや応力により配線基板６０自体が破壊する
不具合を生ずる。

【０００６】

【発明が解決すべき課題】本発明は、以上の従来の技術
が有する問題点を解決し、絶縁層を薄肉化しても前記隙
間による配線基板自体の破壊を防止した外部端子を有す
る配線基板とその製造方法を提供することを目的とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、前記隙間を無くすか又はその面積を低減
し、表面絶縁層と内部絶縁層とを結合させること着想し
て成されたものである。即ち、本発明の配線基板は、複
数の絶縁層を積層してなり、表面に形成された端子接続
用パッド上に外部端子が固着されてなる配線基板であっ
て、上記接続用パッドが形成された上記表面を有し、セ
ラミックを主成分とする第１絶縁層と、該第１絶縁層に
隣接して積層され、セラミックを主成分とする第２絶縁
層と、上記第１絶縁層及び第２絶縁層を貫通し、前記接
続用パッドに接続する導通ビアと、前記第１絶縁層と第
２絶縁層との間に介在し、上記導通ビアと隙間を保ちつ
つ該導通ビアを包囲するメタライズ層と、前記第１絶縁
層と第２絶縁層との間に介在し、且つ上記外部端子に接
続される上記導通ビアと上記メタライズ層との隙間内に
配置され、第１絶縁層及び第２絶縁層と結合してなる絶
縁スペーサ層と、を有することを特徴とする。尚、上記
導通ビアにはビアカバーも含まれる。

【０００８】係る構成によれば、上記隙間は無くなる
か、又はその面積を低減され、第１絶縁層が隣接する第
２絶縁層に絶縁スペーサ層を介して結合されるので、第
１絶縁層におけるピン端子等の外部端子が配設された上
記接続用パッド付近の強度を高めることができる。ま
た、上記絶縁スペーサ層の厚さが、前記メタライズ層の
厚さと略同じである配線基板も含まれる。このようにす
ると、第１絶縁層の表面を平坦にすることができる。更
に、絶縁スペーサ層が、前記第１絶縁層及び第２絶縁層
と同種のセラミックからなる配線基板も含まれる。係る
構成により、絶縁スペーサ層を介して第１絶縁層は、第
２絶縁層と一層強固に結合することが可能になる。加え
て、前記セラミックがアルミナ系セラミックであり、且
つ前記接続用パッドを表面上に有する第１絶縁層の厚さ
が、０．１０〜０．２５mmの範囲にある配線基板も含ま
れる。該第１絶縁層を係る薄肉化することにより、上記
脱落を防ぎ、且つ高性能化と高強度化の双方に対応し得
る。

【０００９】また、本発明は、焼成後に前記第１絶縁層
又は第２絶縁層の何れかとなるグリーンシートの表面に
対して、所定の位置に焼成後に前記メタライズ層となる
金属ペースト層を形成する工程と、前記外部端子に接続
される前記導通ビアと前記メタライズ層との隙間となる
位置に焼成後に絶縁スペーサ層となる絶縁性ペースト層
を形成する工程と、を相前後して含む配線基板の製造方
法も含む。係る構成により、金属ペースト層と絶縁性ペ
ースト層を相前後する工程においてグリーンシートの表
面に設けるので、グリーンシートを積層したときに金属
ペースト層と絶縁性ペースト層とが重ならないように設
けることができる。

【００１０】また、上記絶縁性ペースト層が、焼成後に
前記第１絶縁層となるグリーンシート及び第２絶縁層と
同種のセラミック素材である配線基板の製造方法も含ま
れる。これにより、焼成後において絶縁スペーサ層とそ
の上下に隣接する第１及び第２絶縁層をセラミックで一
体化した配線基板にできるので、第１絶縁層に配設され
た外部端子付近の強度を著しく高めることができる。
尚、上記導通ビアにもビアカバーが含まれる。尚、本発
明における外部端子には、前記ピン端子の他、ボール状
端子や平板状のリード端子等も含まれる。従って、本発
明はボールグリッドアレイ型配線基板やフラットパッケ
ージ型配線基板等にも適用される。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施に好適な形態
を図面と共に説明する。図１(Ａ)は、本発明の配線基板
１の前記図６(Ｂ)と同様の部分縦断面図であり、複数の
セラミックからなる絶縁層２〜８を一体に積層し、図中
最上段の絶縁層(第１絶縁層)２の表面２ａ上には、ピン
端子Ｐを固着するための端子接続用パッド９が設けられ
ている。また、最上段の絶縁層２とこれに隣接する絶縁
層４(第２絶縁層)の間には、例えば電源用のメタルプレ
ーン層１０が配設され、絶縁層４〜８の各層間には所望
の回路を形成する導体配線層１２，１４が配設される。

【００１２】上記端子接続用パッド９と導体配線層１２
を導通させるため、これらの間に位置する絶縁層２，４
には小ビア１６,１８が垂直に貫通し、且つ小ビア１６,
１８間にはビアカバー１７が介在し、小ビア１６，１８
及びビアカバー１７でビアＶを形成している。そして、
ビアＶ(具体的にはビアカバー１７)と上記メタルプレー
ン層１０とを絶縁即ち不導通とするため、図１(Ｂ)にも
示すように、メタルプレーン層１０とビアカバー１７と
の間を離隔するリング形状の隙間１１内には、各絶縁層
２〜８と同種のセラミックからなるリング形状の絶縁ス
ペーサ層２０が一体に配置されている。このスペーサ層
２０は、後述するように絶縁性ペーストを隙間１１内に
層状に充填して焼成したものであり、上下の絶縁層２，
４と強固に結合している。従って、上記端子接続用パッ
ド９上にロウ付けによって垂直に固着されたピン端子Ｐ
を引張る試験を行っても、従来と異なりその直下の絶縁
層２，４間には隙間が無いため、絶縁層２が破壊するこ
とがなく、ピン本体Ｐ２の途中部分から破断する程に強
固に固着される。このため、配線基板１をプリント基板
(図示せず)等に接続等する場合にも、配線基板１の本体
は破壊されることがなくなる。

【００１３】尚、絶縁スペーサ層は、上記隙間１１内全
体に配置するスペーサ層２０に限らず、例えば図２(Ａ)
に示すように、ビアＶ即ちビアカバー１７の外周面及び
メタルプレーン層１０の内周面との間にそれぞれ幅狭の
間隙を残して形成したリング形状の絶縁スペーサ層２２
とすることもできる。特に、ビアカバー１７の外周と絶
縁スペーサ層２２との間に若干(例えば０．０４mm程度)
の間隙を残すようにすると、絶縁性ペースト層を印刷す
る時に若干ずれて印刷された場合でも、ビアカバー１７
の上に絶縁スペーサ層２２が一部重なって形成されるこ
とが無く、ビアカバー１７と小ビア１６，１８との接続
が確実になる。従って、図２(Ａ)のように、絶縁スペー
サ層２２の内周側及び外周側に間隙を設けても良いし、
内周側のみに間隙を設けるようにしても良い。

【００１４】また、図２(Ｂ)に示すように、ビアカバー
１７の外周面及びメタルプレーン層１０の内周面との間
に略三角形状の絶縁スペーサ層２４を放射状に複数個配
置することもできる。これらも、絶縁性ペースト層を例
えばスクリーン印刷することによって、上下の絶縁層
２，４の何れか形成された前記メタルプレーン層１０内
の隙間１１内に配置するようにすれば良い。また、絶縁
スペーサ層２０等の厚さは、メタルプレーン層１０の厚
さと略同一の厚さとするのが好ましい。厚さを略同一と
すると絶縁層２の表面２ａを平坦にすることができる。
更に、前記接続用パッド９の上面も平坦にできるので、
ピン端子Ｐとのロウ付け接合性も向上する。

【００１５】次に、上記配線基板１の製造方法について
説明する。絶縁層２〜８を得るため、アルミナ等からな
るグリーンシートを用意し、それぞれキャビティやビア
ホール等を打抜き加工にて形成し、各シートの表面にタ
ングステンやモリブデン等の高融点金属のペーストをス
クリーン印刷して、焼成後に前記メタルプレーン層１
０、導体配線層１２，１４、接続用パッド９、及びビア
カバー１７となる金属ペースト層を形成する。また、ビ
アホール内にも同様な高融点金属のメタライズインクを
強制的に充填して、焼成後に小ビア１６，１８となる未
焼成小ビアを形成する。

【００１６】次いで、上記絶縁層４となるグリーンシー
トの表面におけるメタルプレーン層１０とビアカバー１
７となる金属ペースト層との間に形成されたリング形状
の隙間１１内に、アルミナ等からなる絶縁性ペーストを
スクリーン印刷により層状に充填する。そして、これら
の各グリーンシートを所定の順序に積層し圧着した後、
焼成すると各グリーンシートはセラミックの互いに一体
化した絶縁層２〜８になり、小ビア１６，１８はビアカ
バー１７を介して導通するビアＶになる。同時に、隙間
１１内の絶縁性ペースト層もセラミックの絶縁スペーサ
層２０となり、且つ上下の絶縁層２，４と結合して一体
化される。その後、最上段の絶縁層２に形成され、ビア
Ｖと導通する端子接続用パッド９にＮｉメッキを施し、
更に銀ロウにてピン端子Ｐの頭部Ｐ１をロウ付けして、
ピン端子Ｐを絶縁層２に対し垂直に植設する。更に、ピ
ン端子Ｐの表面にもＮｉ及び金メッキが施され、配線基
板１が完成する。尚、必要に応じて図示しない導体配線
層の露出表面等にも同様のメッキが施されることもあ
る。

【００１７】図３は、本発明の異なる形態の配線基板３
０の部分縦断面図を示す。前記と同様に積層された複数
の絶縁層３１〜３４間には、メタルプレーン層３５と導
体配線層３６，３７が配設されている。また、最上段の
絶縁層(第１絶縁層)３１の表面に設けた接続用パッド３
９と図中で下方の導体配線層３７とは、小ビア４１，４
３,４５及びビアカバー４２,４４からなるビアＶ′を介
して導通されている。ビアＶ′とメタルプレーン層３５
及び導体配線層３６とをそれぞれ不導通とするため、こ
れらの間の隙間４６,４７内には絶縁スペーサ層４８,４
９が配置され、それぞれ上下の絶縁層３１〜３３と結合
している。従って、接続用パッド３９上に固着されたピ
ン端子Ｐを引張っても、その直下の絶縁層３１や同３２
は部分破壊せず、ピン端子Ｐのピン本体Ｐ２の途中が変
形し破断する。即ち、この配線基板３０も絶縁スペーサ
層４８，４９を介して各絶縁層３１〜３４が強固に一体
化された優れた強度を有するものとすることができた。
尚、ピン端子Ｐが４層以上の絶縁層を貫通するビアＶに
よって、内部の導体配線層やメタルプレーン層と接続す
る場合にも、本発明を同様にして適用することができ
る。

【００１８】ここで、本発明の前記配線基板１と従来技
術の配線基板６０の強度を具体的に比較する。尚、符号
はそれぞれについて前記のものを用いる。各基板１,６
０の最上段の絶縁層２,６１の厚さを0.10〜0.35mmと
し、その下方における各絶縁層４〜８，６２〜６４の厚
さを0.15〜0.50mmとすると共に、各小ビア１６,１８,７
６,７８の直径を０.２mm、ビアカバー１７,７９の直径
を０.４mmとした。また、各メタルプレーン層１０,７２
の厚さを１５μmとし、これらと前記ビアカバー１７，
７９との間に、内外周円間における幅が0.30mmのリング
形状の隙間１１，８０が設けられている。尚、本発明の
基板１の隙間１１内にはアルミナからなる絶縁スペーサ
層２０が１５μｍの厚さで形成されている。

【００１９】そして、各基板１,６０の接続用パッド９,
７０上には、ピン端子Ｐが同じ条件のロウ付けで固着さ
れている。尚、このピン端子Ｐは、Ｆｅ-Ｎｉ-Ｃｏ系合
金からなり、ピン本体Ｐ２の直径が0.46mmのものであ
る。この各基板１，６０におけるピン端子Ｐの引張り試
験を行った。この引張り試験は、図４に示すように、基
板１，６０を２０度傾けた状態において、ピン端子Ｐの
ピン本体Ｐ２にワイヤを繋いでピン本体Ｐ２を上方へ垂
直に引張り、ピン本体Ｐ２自体が破断するか、又はピン
端子Ｐと共に最上段の絶縁層２，６１が脱落する迄引張
って、その際の強度を測定した。その結果を表１に示
す。表１中の数値は、絶縁層２，６１の厚さ毎に２０本
のピン端子Ｐについて測定した強度とピン端子Ｐの破壊
モード別の本数を示す。

【００２０】

【表１】

【００２１】表１の結果から、本発明の基板１は全てに
おいてピン端子Ｐがピン本体Ｐ２の途中で破断し、ピン
Ｐの配線基板１への接合強度はピン本体Ｐ２の強度より
高いことを示した。一方、従来の基板６０では最上段の
絶縁層６１の厚さが薄い程、ピン端子Ｐの破断より絶縁
層６１の部分的脱落が多くなっている。これは、最上段
の絶縁層６１が薄いと、隙間８０から絶縁層６１が破壊
してピン端子Ｐ共に脱落するためである。一方、最上段
の絶縁層２,６１が0.35mmと厚い基板１,６０では、同じ
強度で且つ全てピン端子Ｐの破断となり、両者の間に差
異はなかった。これは、最上段の絶縁層２,６１が厚く
なると、隙間１１,８０の有無に拘わらず、最上段の絶
縁層２，６１自体が有する強度によって、引張り力に対
抗できることによる。従って、最上段の絶縁層(第１絶
縁層)２の厚さは、その材質がアルミナ系セラミックで
ある場合、少なくとも0.25mm以下において本発明の基板
が効果的であることが判る。尚、各絶縁層が薄肉化され
ると、最上段の絶縁層を含む複数の絶縁層に対しても本
発明は、その効果を発揮することが可能となる。

【００２２】図５は、本発明の更に異なる形態の配線基
板５０の部分縦断面図を示す。尚、前記基板１と同じ部
分には、同じ符号を用いるものとする。前記基板１と同
様に、複数の絶縁層２〜８が積層され、それらの間にメ
タルプレーン層１０、導体配線層１２，１４が配設さ
れ、且つ絶縁層２の表面２ａ上に設けた接続用パッド５
２と導体配線層１２を導通する小ビア１６，１８及びビ
アカバー１７からなるビアＶが垂直に設けられると共
に、前記と同様に絶縁スペーサ層２０がビアカバー１７
とメタルプレーン層１０との隙間１１内に配置されてい
る。上記表面２ａ上の接続用パッド５２には、銀ロウを
介して外部端子たる銅のボール状端子Ｂが固着される。
このボール状端子Ｂを介して図示しないプリント基板や
半導体素子の接続用端子にロウ付けによって接続され、
所望の導通を行う。この配線基板５０についてボール状
端子Ｂを引張る試験をしても、最上段の絶縁層(第１絶
縁層)２は剥離せず、ボール状端子Ｂ自体が上記接続用
パッド５２とのロウ付け部分から離脱するため、優れた
強度を有するボールグリッドアレイ型の配線基板を構成
することができる。

【００２３】本発明は、以上において説明した各形態に
限定されるものではない。例えば、前記した絶縁層や絶
縁スペーサ層の材質には、アルミナに限らず、ガラスセ
ラミックや窒化アルミニウム、ムライト等のセラミック
を用いることもできる。また、ビアＶとして、小ビアと
ビアカバーからなるものを用いた例を示したが、上下の
小ビア同士を直接接続してビアＶとしても良い。更に、
外部端子としてピン端子やボール状端子を用いた例を示
したが、薄板状のリード端子を接続用パッドにロウ付け
する場合等にも適用できる。また、適用される配線基板
は、ピン端子やボール状端子等の外部端子を有するもの
であれば、例えば複数の半導体素子を表面上に実装する
マルチチップモジュール基板や、フリップチップ実装用
基板、コンデンサ、抵抗等を実装する配線基板等も含ま
れる。

【００２４】加えて、前記例においては、ピン端子等の
外部端子が形成される側にキャビティも形成される形態
の配線基板を用いた例を示したが、キャビティが形成さ
れる面とは反対側の面に外部端子を形成するものにも適
用できるし、キャビティを形成しない配線基板にも適用
できる。更に、前記例において、例えば図１に示す例で
は第１絶縁層２とこれに隣接する第２絶縁層４との間に
挟まれるメタライズ層としてメタルプレーン層１０を形
成したものを示したが、これに替えて信号等を伝える導
体配線層を形成したものであっても良く、メタライズ層
とビアとの間に隙間が形成される基板であれば本発明を
適用することができる。

【００２５】

【発明の効果】以上において説明したように、本発明の
配線基板によれば、その絶縁層を薄肉化しても、外部端
子に接続される導通ビアとメタルプレーン層等のメタラ
イズ層との間に隙間を生じないか、この隙間を低減で
き、且つ、絶縁スペーサ層が第１絶縁層と第２絶縁層と
を結合する。このため、第１絶縁層上の接続用パッド等
に配設した外部端子が付近の第１絶縁層と共に脱落して
破壊することがなく、強固な構造の配線基板を得ること
ができる。また、請求項３及び６の発明によれば、各絶
縁層と絶縁スペーサ層を同種のセラミックにて構成でき
るので、一層高い強度を得ることができると共に、製造
する上でも材料の管理が容易となる。更に、請求項５の
発明によれば、前記配線基板を僅かの工程を付加するだ
けで、確実に且つ容易に量産することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(Ａ)は本発明の配線基板の一形態を示す部分縦
断面図、(Ｂ)は(Ａ)中におけるＢ−Ｂ断面図である。

【図２】(Ａ)及び(Ｂ)は、共に本発明に用いる絶縁スペ
ーサ層の異なる形態を示す図１(Ｂ)と同様の断面図であ
る。

【図３】本発明の配線基板の異なる形態を示す部分縦断
面図である。

【図４】配線基板におけるピン端子の引張り試験の態様
を示す部分概略図である。

【図５】本発明の配線基板の更に異なる形態を示す部分
縦断面図である。

【図６】(Ａ)は従来のピングリッドアレイ型配線基板の
縦断面図、(Ｂ)は(Ａ)の部分拡大図である。

【符号の説明】

１,３０,５０………………………配線基板２〜８，３１〜３４………………絶縁層１０，３５…………………………メタルプレーン層(メ
タライズ層) １２,１４,３６,３７………………導体配線層(メタライ
ズ層) ９，３９……………………………接続用パッド１１,４６,４７……………………隙間１６,１８,４１,４３,４５………小ビア１７,４２,４４……………………ビアカバー２０,２２,２４,４８,４９………絶縁スペーサ層Ｐ……………………………………ピン端子(外部端子) Ｂ……………………………………ボール状端子(外部端
子) Ｖ……………………………………ビア

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平６−268374（ＪＰ，Ａ) 特開平７−94621（ＪＰ，Ａ) 特開平８−181447（ＪＰ，Ａ) 特開昭60−5597（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 23/12

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の絶縁層を積層してなり、表面に形成
された端子接続用パッド上に外部端子が固着されてなる
配線基板であって、上記接続用パッドが形成された上記表面を有し、セラミ
ックを主成分とする第１絶縁層と、該第１絶縁層に隣接して積層され、セラミックを主成分
とする第２絶縁層と、上記第１絶縁層及び第２絶縁層を貫通し、前記接続用パ
ッドに接続する導通ビアと、前記第１絶縁層と第２絶縁層との間に介在し、上記導通
ビアと隙間を保ちつつ該導通ビアを包囲するメタライズ
層と、前記第１絶縁層と第２絶縁層との間に介在し、且つ上記
外部端子に接続される上記導通ビアと上記メタライズ層
との隙間内に配置され、第１絶縁層及び第２絶縁層と結
合してなる絶縁スペーサ層と、を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】前記絶縁スペーサ層の厚さが、前記メタラ
イズ層の厚さと略同じ厚さを有することを特徴とする請
求項１に記載の配線基板。
【請求項３】前記絶縁性のスペーサ層が、前記第１絶縁
層及び第２絶縁層と同種のセラミックからなることを特
徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】前記セラミックがアルミナ系セラミックで
あり、且つ前記第１絶縁層の厚さが、０．１０〜０．２
５mmの範囲にあることを特徴とする請求項１乃至３の何
れかに記載の配線基板。
【請求項５】請求項１乃至４の何れかに記載の配線基板
の製造方法であって、焼成後に前記第１絶縁層又は第２絶縁層の何れかとなる
グリーンシートの表面に対して、所定の位置に焼成後に
前記メタライズ層となる金属ペースト層を形成する工程
と、前記外部端子に接続される前記導通ビアと前記メタライ
ズ層との隙間となる位置に焼成後に絶縁スペーサ層とな
る絶縁性ペースト層を形成する工程と、を相前後して含むことを特徴とする配線基板の製造方
法。
【請求項６】前記絶縁性ペースト層が、焼成後に前記第
１絶縁層となるグリーンシート及び第２絶縁層となるグ
リーンシートと同種のセラミック素材からなることを特
徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。