JPH07183666A - セラミックパッケージ本体 - Google Patents

セラミックパッケージ本体

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JPH07183666A
JPH07183666A JP5347664A JP34766493A JPH07183666A JP H07183666 A JPH07183666 A JP H07183666A JP 5347664 A JP5347664 A JP 5347664A JP 34766493 A JP34766493 A JP 34766493A JP H07183666 A JPH07183666 A JP H07183666A
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conductive
conductive layer
wiring
circuit
ceramic substrate
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耕三 山崎
Naomiki Kato
直幹 加藤
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Abstract

(57)【要約】 【目的】基板の内部又は表面に形成された回路配線の
内、特定の回路配線間の短絡不良や特定回路配線の開放
不良や抵抗値不良、コンデンサの絶縁不良や短絡不良、
静電容量値等を、簡易な方法により検査できる構造を持
つパッケージ本体を提供する。 【構成】セラミック基板と、その内部等に設けられた回
路配線と、この基板の表面に形成された導電層と、第１
の回路配線と第１の導電層とを接続する第１の導通配線
と、第２の回路配線と第２の導電層とを接続する第２の
導通配線とを有し、第１の導電層と該第２の導電層とを
電気的に絶縁せしめることにより、この間の導通等を検
査しうるようにしたセラミックパッケージ本体。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック基板の内部
や表面に回路配線や抵抗配線、コンデンサ等を形成した
パッケージ本体に関し、特に、これらの絶縁不良、短絡
不良等を容易に検査できるパッケージ本体に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路等を装着するセラミックパッケ
ージ本体には、未焼成のセラミックシートにタングステ
ン等のペーストを回路配線用として印刷あるいは貫通穴
に充填した後、積層・成形して焼結する方法、即ち同時
焼成法により製作したものが多く用いられている。そし
て、近年の集積回路の高集積化やパッケージの小型化等
により、パッケージ本体内部や表面に形成される回路配
線は、その数が増えると共に、微細化・複雑化し、隣接
する回路配線との距離も少なくなっている。従って、ペ
ースト印刷時やパッケージ本体を形成するときの僅かな
ずれ等により、回路配線間で短絡する不良を生ずる場合
がある。その他、回路配線の抵抗値等の特性を変化させ
るため、特定の回路配線の特定部分について細い配線と
したりセラミック成分が多い等の特殊な抵抗ペーストを
塗布する場合がある。かかる場合には、これらの配線が
切れやすく、断線（開放）不良を起こす場合があり、ま
た所望の抵抗値の範囲内に入っていない場合もある。通
常はかかる不良が発生しにくいように種々の工夫をして
設計するのであるが、特に回路配線の形状等から、かか
る不良が起こりやすい部分を持つような回路配線の設計
にせざるを得ず、特定の回路配線の部分に不良が集中す
る場合がある。
【０００３】さらに、近時の集積回路の動作周波数の上
昇に伴い、ノイズによる誤動作を防止するため、パッケ
ージ本体にコンデンサを内蔵させる場合が増加してい
る。このコンデンサを形成するには種々の方法が提案さ
れているが、その中にパッケージ本体内にコンデンサを
形成したり、パッケージ表面に厚膜、薄膜形成技術を用
いてコンデンサを形成する方法がある。特に、パッケー
ジ本体中にセラミック基板と同様なまたは同時焼成可能
な材質のセラミックを誘電体として用いる場合には、こ
のセラミックの誘電率が低いために、静電容量を大きく
することを目的として、この誘電体層の厚みを薄くする
ことがある。かかる場合には、コンデンサを形成する電
極間で絶縁不良や短絡不良が多く発生することがあり、
また所望の静電容量を有していない場合もある。
【０００４】ところで、前述の回路配線の端部の一方に
は、集積回路等との接続をするための接続端、たとえば
ボンディングパッド（以下単にパッドとも言う）やバン
プが形成される。即ち、ワイヤボンディング法やＴＡＢ
法を用いてボンディングパッドと集積回路とを接続した
り、フリップチップ法（Ｃ４技術ともいわれる）を用い
てバンプと集積回路とを接続するのである。他方、回路
配線の他端部には、他の回路部品に接続するために外部
接続端子（以下単に端子ともいう）として、たとえばピ
ンやリード、半田ボール等の部材を形成、固着すること
が通常行われる。また、コンデンサを形成する電極も、
これらの回路配線に接続されている。
【０００５】そして、上記ボンディングパッドやバン
プ、外部接続端子等には接続性を高めたり、酸化を防止
する等のため、ニッケル等を下地メッキする場合を含
め、貴金属メッキ、中でも金メッキを施すことが広く行
われている。かかる場合に、メッキをする方法として
は、無電解メッキ法を採用する場合もあるが、メッキ皮
膜の性質、工程の簡易さ、メッキ液の管理のしやすさ等
から、電解メッキ法を採用することが多い。この電解メ
ッキ法はメッキを被着したい部分に電位を与える必要が
あり、その方法としては、ボンディングパッド等に直接
にメッキ用接触子を接触させて導通を取る方法や、あら
かじめ複数の外部接続端子を一体に形成したものを回路
配線の端部に固着して複数の端子の全てが導通を得られ
るようにしておき、これを用いてメッキした後に端子を
１本づつに切り放す等の方法がある。しかし、かかる方
法は無メッキ部分が生じたり、切り放し工程が面倒であ
る等の問題がある。
【０００６】そこで、以下のような方法が採用されるこ
とが多い。即ち、図３のように、未焼成セラミックシー
トに予め回路配線２２と共に、いわゆるメッキ用タイバ
ーと呼ばれる導通配線２６をセラミック基板の外周側面
２１Ａ〜Ｄまで延在するように印刷する。この未焼成セ
ラミックシートを積層し、所望の形状に切断等して形を
整えた後、その外周側面２１Ａ〜Ｄにもペースト等で導
電層２７Ａ〜Ｄを印刷して各導通配線２６との導通を取
った状態でセラミック基板２１を焼成する。更に、所望
の外部接続端子（図示しない）等を固着形成した後に、
この導電層２７Ａ〜Ｄをメッキ用接触子（図示しない）
と接触・導通させて一挙にパッド部やバンプ、端子等に
メッキを被着し、その後、この導電層２７Ａ〜Ｄを研削
等により除去して各回路配線２２を独立させてパッケー
ジ本体を完成させるのである。
【０００７】かかる場合において、前記導電層２７Ａ〜
Ｄは、図３のように外周側面２１Ａ〜Ｄ設けられ、導通
配線２６ａ〜ｈを経由して相互に導通するように形成さ
れる。また他の方法として、セラミック基板２１の角部
を回り込むようにして導電層２７Ａ〜Ｄが形成される場
合もある。これらのようにすれば、導電層２７Ａ〜Ｄの
内１ヶ所でも、メッキ用接触子との接触・導通が取れれ
ば、すべてのパッドや端子等にメッキが被着できるの
で、メッキを確実に施せる点で都合がよいからである。
しかるに、このような工程を採用する場合、回路配線２
２について前述のような不良を検出するには、各回路配
線を独立に検査する必要があるため、メッキを被着し導
電層２７Ａ〜Ｄを除去した後しか行うことができなかっ
た。かかる場合には、不具合を有するパッケージ本体
は、金メッキ等の付加価値を付けた状態で廃棄せざるを
得ず、製造コストを押し上げ、特にパッケージ本体の製
造歩留りが回路配線の設計上の困難やコンデンサ等を備
えるために低い場合には、その影響が大きく、工程上も
メッキ後の検査の結果により不足分を急いで追加する必
要が出てくる等の不安定要因となる。
【０００８】
【解決しようとする課題】本発明は、かかる問題点を解
決するためになされたものであって、特定の回路配線の
短絡不良や開放不良、コンデンサの絶縁不良や短絡不
良、静電容量値や抵抗値等を、簡易な方法により検査で
きる構造を持つパッケージ本体を提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】しかして、かかる問題を
解決する手段としては、セラミック基板と、該セラミッ
ク基板の内部及び表面の少なくともいずれかに設けられ
た回路配線と、該セラミック基板の表面に形成された導
電層と、該回路配線から選ばれる第１の回路配線と該導
電層から選ばれる第１の導電層とを接続する第１の導通
配線と、該第１の回路配線とは異なる第２の回路配線と
該第１の導電層とは異なる第２の導電層とを接続する第
２の導通配線とを有し、該第１の導電層と該第２の導電
層とが電気的に絶縁していることを特徴とするセラミッ
クパッケージ本体とすれば、特定回路配線間の短絡不良
（絶縁不良）を簡易に検査・除去できる。
【００１０】また、セラミック基板と、該セラミック基
板の内部及び表面の少なくともいずれかに設けられた回
路配線と、該セラミック基板の表面に形成された導電層
と、該回路配線から選ばれる１の回路配線の第１の部分
と該導電層から選ばれる第１の導電層とを接続する第１
の導通配線と、該１の回路配線の一部であって該第１の
部分から離れた第２の部分と該第１の導電層とは異なる
第２の導電層とを接続する第２の導通配線とを有し、該
第１の導電層と第２の導電層とが、該１の回路配線のみ
を通じて電気的に接続していることを特徴とするセラミ
ックパッケージ本体とすれば、特定回路配線中の第１と
第２の導通配線が接続している第１と第２の部分間の開
放不良の除去や抵抗値の検査が簡単に出来る。
【００１１】更に、セラミック基板と、該セラミック基
板の内部または表面に設けられコンデンサを形成する誘
電体層及び電極層と、該セラミック基板の表面に形成さ
れた導電層と、該電極層から選ばれる第１の電極層と該
導電層から選ばれる第１の導電層とを接続する第１の導
通配線と、該第１の電極層と対向してコンデンサを形成
する第２の電極層と該第１の導電層とは異なる第２の導
電層とを接続する第２の導通配線とを有し、該第１の導
電層と該第２の導電層とが電気的に絶縁していることを
特徴とするセラミックパッケージ本体とすれば、絶縁不
良を生じやすいコンデンサの絶縁抵抗を測定してかかる
不具合を除去したり、静電容量の検査が簡単に出来る。
【００１２】かかる場合において、前記導電層が前記セ
ラミック基板の外周側面に形成されていることを特徴と
するセラミックパッケージ本体にあっては、導電層を除
去する場合に、研削等で容易に除去出来るので好まし
い。
【００１３】
【作用】本発明は、導電層間の絶縁抵抗等を測定するこ
とにより、特定の回路配線等について、回路配線間の短
絡不良や回路配線中の開放不良（断線、抵抗値不良）
が、簡易に検査できる作用を有する。また、パッケージ
本体にコンデンサを内蔵等するものにあっては、絶縁不
良、短絡不良や所望の静電容量が得られているかどうか
を、同様に検査できる作用を有する。更に、導電層がセ
ラミック基板の外周側面に形成されている場合には、パ
ッケージ本体をメッキした後には不要となる導電層を、
研削によって簡易に除去できる作用を有する。
【００１４】
【実施例】
−実施例１− 本発明の第１の実施例を、図１、図２を参照しつつ詳細
に説明する。図１は、本実施例にかかるパッケージ本体
の回路配線層のパターンを示すパッケージ本体の内部配
線図である。セラミック基板１は、図２にように、複数
層（図２では３層）のセラミックシートを積層したもの
であり、その内の１層に回路配線２として図１のような
パターンを有している。回路配線２の一方の端部は、ボ
ンディングパッドとして用いられる。このパッドは接続
端の１種であり、パッケージ本体１０に集積回路１１を
収納した後に、回路配線２と接続するためのボンディン
グワイヤ１２を接続する部分である。また、図２のよう
に回路配線２は、配線の一部としてシート間を貫通する
ビアホール４を有し、セラミック基板１の上面１ａまで
延在して、上面１ａにて外部接続端子５と接合されてい
る。また、導通配線６ａ、６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｇ、６
ｈが、それぞれ回路配線２ａ、２ｃ、２ｅ、２ｇと、外
周四辺に設けられた導通層７Ａ〜Ｄとを接続するように
形成されている。
【００１５】この場合において、回路配線２ｃには、２
つの導通配線６ｃと６ｄがそれぞれ導通層７Ｂ、７Ｃに
接続するように形成されている。従って、導通層７Ｂと
７Ｃは導通配線６ｃ、６ｄを通じて相互に導通されてい
る。また、導通層７Ｄと７Ａも同様に６ｇ、６ｈを通じ
て相互に導通している。一方、導通層７Ａと７Ｂとの間
では、図３における２６ｂに相当するような導通配線は
形成されないため相互に絶縁されることとなる。即ち、
例えば回路配線２ａは導通配線６ａを通じて導通層７Ａ
にのみ、回路配線２ｉは導通配線６ｉを通じて導電層７
Ｂにのみ接続しているので、回路配線２ａと２ｉは相互
に絶縁されていることとなる。
【００１６】ここで、回路配線２ａと２ｉとの間で、例
えば回路配線印刷時の不具合により短絡が生じていると
すると、導通層７Ａと７Ｂの間の導通の有無を検査すれ
ば、容易に不良品は除外できることとなる。前述の図３
に示すように、導電層が全て相互に導通している従来例
の場合には、このような測定は当然不可能である。その
他、メッキ用タイバー（導通配線）を形成せずに無電解
メッキ法により、又は外部接続端子から導通を取って電
解メッキにより、メッキ層を被着する場合であっても、
特定回路配線間の絶縁不良を検査するには、非常に小さ
いエリアであり、かつ数多くある回路配線の端部（パッ
ド、バンプや外部接続端子用のメタライズ部分）や端子
をプローブで接触せねばならず、検査が困難で不確実と
なりやすい。しかし、本発明によれば、導通層は回路配
線や端子の大きさよりも大きくでき、しかもパッケージ
本体の表面（本実施例では外周側面）に形成されるの
で、導通や絶縁抵抗等を測定するプローブを導電層に接
触させることは極めて容易であり、確実に検査ができ
る。
【００１７】このようにして検査した後に、メッキ用接
触子（図示しない）を少なくとも導通層７Ａ及び７Ｃに
接触させて導通を取りつつ電解メッキを施せば、ボンデ
ィングパッド部３や外部接続端子５には電解メッキが一
挙に出来る。本実施例の場合の電解メッキは、ニッケル
メッキを下地メッキとして施した後に、金メッキを施し
た。そして、導電層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄを、研削等
により除去すれば各回路配線は互いに独立となり、所望
の電気信号等を伝達することが出来るようになる。従っ
て、導通層７を相互に絶縁している組（７Ａと７Ｄ、７
Ｂと７Ｃ）を形成するようにしたため、特定の回路配線
間（本実施例の場合には、２ａと２ｉ及び２ｅと２ｊ）
の間で短絡不良が発生している場合、導電層間（例えば
７Ａと７Ｂの間）の導通の有無により検査除去でき、メ
ッキ工程により付加価値が加わる以前に不良品の除去が
出来る。
【００１８】このパッケージ本体の製造は、以下のよう
にして行った。すなわち、アルミナを主成分とするセラ
ミック粉末を、有機バインダ及び溶剤と混練して泥漿と
した後、ドクタブレード法によりグリーンシートとし、
所定の形状に打ち抜く。このシートに、モリブデンやタ
ングステンを主成分とする高融点金属ペーストを印刷
し、回路配線２を形成する。このとき、回路配線２の所
定部分には、後に形成する導通層７Ａ〜Ｄと導通するよ
うに導通配線６をも形成する。その後、打ち抜いたシー
トを積層・圧着し、形を整えた後に成形体の側面に導電
層７Ａ〜Ｄとなるべき高融点金属ペーストを塗布して前
記導通配線６と接続する。かかる成形体を、公知の方法
により、脱脂、焼成し、さらに外部接続端子５等をロウ
づけ接続してパッケージ本体１０を得る。ここまでの製
法は、従来と同様である。
【００１９】ただし、本発明ではセラミック基板１の側
面に形成された導通層７Ａ〜Ｄは、いずれも相互に導通
していた従来技術と異なり、相互に絶縁された状態の導
通層あるいは導通層の組を形成するように、導通配線や
導通層の端部が形成されている点で異なっている。尚、
上記においては、外部接続端子５をロウ付けした後に導
電層７Ａ〜Ｄ間の絶縁抵抗等を検査した場合について説
明したが、外部接続端子５をロウ付けする前に、絶縁抵
抗の検査を行えば端子のロウ付けに関する付加価値をも
加えられない前に、不良品を除去でき更に都合がよい。
ここで、導電層７Ａ〜Ｄは、セラミック基板１の外周側
面１Ａ〜Ｄに形成されているが、検査を行うためにはセ
ラミック基板の表面に設けられることで足りる。しか
し、パッケージ本体の完成後に導電層は不要であること
から、導電層は除去の容易な外周側面に形成するのが都
合がよい。
【００２０】−実施例２− 次に第２の実施例として回路配線中の特定部分に抵抗成
分を形成した場合を図４と共に示す。第２の実施例にお
ける、パッケージ本体の製造方法等は上述した第１の実
施例と同様である。ただし、本実施例においては、回路
配線２ｋには２カ所（２ｋ1、２ｋ2）から別々の導電層
（７Ｅ、７Ｆ）に接続する導通配線（６ｋ1、６ｋ2）を
有している点、及び導電層７Ｅ、７Ｆは回路配線２ｋ以
外では相互に導通していない点、及び回路配線中の２点
（２ｋ1、２ｋ2）間に抵抗ペーストにより抵抗体Ｒが形
成されている点で異なる。ここで、使用した抵抗ペース
トは、回路配線用ペーストと同様にタングステンやモリ
ブデンを含有するがセラミック成分が多く、そのために
焼成後に高い抵抗を示すものである。かかるペーストは
セラミック基板とのなじみが良く一体焼成に適している
が、セラミック成分が多いために、印刷性が悪く抵抗値
がばらついたり開放（断線）不良となる危険が多いので
ある。かかる場合、導電層７Ｅと７Ｆの間の導通または
抵抗値を検査すれば、回路配線２ｋ中の２点、２ｋ1−
２ｋ2間の抵抗体Ｒの開放不良や抵抗値の不具合がある
場合に容易に不良品を除去できる。ただし、これは導通
配線６ｋ1、６ｋ2が正常に接続されていることが前提と
なるが、抵抗体Ｒの方がペーストの性質や配線の太さな
どから不具合を起こしやすい時には、検査結果はほぼ抵
抗体Ｒの検査結果と考えてよいこととなる。
【００２１】尚、この実施例は、回路配線２ｋが抵抗体
Ｒを備えていなくとも、回路配線２ｋの特定部分（２ｋ
1、２ｋ2）間の形状等から断線不良や抵抗値不良が生じ
やすい場合にも適用できることは明らかである。従っ
て、これらの場合にもメッキ等の付加価値が加えられる
以前に不具合を有するパッケージ本体を除去できる。
【００２２】−実施例３− 次に、第３の実施例を図５ないし図７と共に示す。本実
施例は、図５のようにパッケージ本体１０の内部すなわ
ちセラミック基板１の内部に一対の電極層８ａ、８ｂ及
び誘電体層９によりコンデンサＣを形成した場合につい
てのものである。電極層８ａ、８ｂとしては、図６、図
７のように静電容量を大きく取るためにセラミック基板
１の外形ぎりぎりまで形成した。また、誘電体層９には
セラミック基板と同様な材質であるアルミナ質で厚み５
０μｍ程度の薄いグリーンシートを用いた。ここで、電
極層８ａには側面に設けられた導電層７Ｇおよび７Ｈと
接続するための導通配線６ｍ、６ｎが、電極層８ｂには
同様に導電層７Ｉおよび７Ｊと接続するための導通配線
６ｐ、６ｑが設けられている。ここで、導通層７Ｇ及び
７Ｈと７Ｉ及び７Ｊとは絶縁するように配置されてい
る。
【００２３】かかる場合、コンデンサＣの２つの電極層
８ａ、８ｂ間の絶縁抵抗が低い場合（絶縁不良）や短絡
している場合（短絡不良）の検査や、更には所望の静電
容量を有しているかどうかの確認は、導電層７Ｇまたは
７Ｈと７Ｉまたは７Ｊとの間の導通や絶縁抵抗、静電容
量などを測定することで容易にできる。従って、簡易な
検査によって、付加価値が加えられる前にメッキ工程前
に不良品を除外することが出来る。なお、本実施例で
は、コンデンサＣとして１つのコンデンサのみを形成し
た場合を示したが、静電容量を更に増したり、いくつか
の電源に対応するために、誘電体層及び電極層を積み重
ねて、２以上のコンデンサを形成しても良い。また、コ
ンデンサは、１カ所でも短絡不良となると全体が不良と
なるため、電極層を小電極層に分割して形成し、正常部
分をつないで必要なコンデンサを得るようにしても良
し、これら複数のコンデンサをいくつかの電源に対応さ
せても良い。
【００２４】さらに、図８に示すように、電極層８ａの
一部（図８では中央部）を集積回路１１を固着するダイ
アタッチ部としても利用する場合には、ダイアタッチ部
にもニッケルメッキおよび金メッキを施す必要がある。
この場合、電極８ａが導電層７Ｋに接続しているので、
従来技術による回路配線のメッキ用タイバーと同様にし
て扱えば、パッド部や端子等と共に、一挙にメッキが出
来て都合がよい。
【００２５】以上より明らかなように、本発明によれ
ば、パッケージ本体にメッキを被着する前、あるいは外
部接続端子等の部材を接続する前に、導通や絶縁抵抗、
静電容量、抵抗値等を測定・検査することで、短絡不良
や開放不良、絶縁不良、静電容量値不良や抵抗値不良等
の不良品を除去することが出来る。尚、本発明の実施に
おいては、上記の実施例に限られることはなく、本発明
の主旨を逸脱しない範囲で様々に変形して実施できる。
例えば、実施例においては、電解メッキを被着すること
を前提として回路配線に導通配線（メッキ用タイバー）
を形成し、導電層を通じて一挙にメッキ出来る構造とし
たが、検査を欲する回路配線についてのみ導通配線及び
導電層を形成して検査を行い、メッキ等は別途他の方法
で行う場合であっても良い。
【００２６】上記実施例では、セラミック基板の材質
は、アルミナを用いたが、その他、窒化アルミニウム、
ムライト、コージェライト、ガラスセラミック等が挙げ
られ、適宜使用目的に合致したものを使用すればよい。
また、回路配線としては、上記にように、セラミック基
板内部に形成されるものの他、セラミック基板の表面に
形成したものやこの両者のまたがって形成されるもので
あっても良い。また、本発明にいう回路配線には、各層
に印刷形成された回路配線をつなぐビアホールや、スル
ーホールなども含み、抵抗やインダクタンスを持たせる
ため、回路配線は適宜、幅や太さを変えたり、材質を一
部で変化したりすることもある。また、回路配線は、途
中から複数に分岐していても良く、例えば電源回路や接
地回路などがこのようにされることが多い。そしてその
材質は、前述のようなタングステン、モリブデン等の高
融点金属が多く用いられるが、セラミック基板の材質や
形成方法によって適当なものを選択すればよい。従っ
て、焼結温度が低いセラミック材質の場合や回路配線を
セラミック基板焼成後に焼き付け形成する場合には、銀
や銅、パラジウム、金、白金等が用いられる場合もあ
る。さらに、導通配線も回路配線と同様な手法、材質に
より形成される。また、導電層の形成方法も、実施例の
ようにセラミック基板及び回路配線と同時焼成により形
成してもよいが、セラミック基板焼成後に銀や銅等のペ
ーストを焼き付け印刷しても良い。
【００２７】回路配線の端部に形成され、電解メッキ層
を被着すべき部分としては、ワイヤやＴＡＢを接合する
ためのボンディングパッド、フリップチップ法により集
積回路を接合するためのパッド、集積回路を固着するた
めのダイアタッチ部、蓋体を接合するために形成される
シールリング用メタライズ部等がある。また、回路配線
の端部に形成され、電解メッキ層を被着すべき部材とし
ては、ピンやリード、いわゆるボールボンディング法の
ための半田ボール等の外部接続端子、蓋体接合用シール
リング、放熱部材であるヒートシンクやヒートスラグ等
がある。
【００２８】また、本発明はセラミック基板の表面好ま
しくは外周側面に導電層を形成すれば足りるのであるか
ら、セラミック基板の形状は、実施例に示すような略正
方形でなくとも実施可能なことは明らかであり、円形や
矩形等であってもよい。また、相互に絶縁または導通し
ているべき導電層は隣り合っている必要はないし、セラ
ミック基板の外周側面の１辺に二以上の導通層を設けて
も良いことは明らかである。
【００２９】そのほか、コンデンサはセラミック基板の
内部又は表面に形成されるものであればよく、電極層や
誘電体層の形状や形成される位置、材質等はセラミック
基板等の材質などに応じて適宜選定すればよい。すなわ
ち、セラミック基板内部にコンデンサを形成する場合に
は、誘電体層としては、セラミック基板と同時焼成でき
れば良く、例えば、アルミナにモリブデン等を混合して
誘電率を高めたものや、ＢａＴｉＯ3等の高誘電体材料
を使用する場合などがある。従って、要求される静電容
量やセラミック基板の材質等から、誘電体層の厚みや材
質を選定すればよい。電極層についても、セラミック基
板や誘電体層の材質や焼成温度等を考慮して、前述の回
路配線と同様にして選定すればよい。一方、セラミック
基板の表面にコンデンサを形成する場合には、誘電体層
としては、厚膜形成技術により高誘電体ペーストを塗布
・焼成しても、薄膜形成技術によりＴａ2Ｏ5等をスパッ
タリング等により形成しても良く、電極層も厚膜、薄膜
形成技術で適宜形成すれば良い。これらのうちで、特に
セラミック基板と同じ材質を誘電体として用いる場合に
は、誘電率が大きくできない関係上厚みを薄くせざるを
得ず、絶縁不良や短絡不良が発生しやすいため、本発明
を実施した場合の効果が大きい。また、コンデンサの電
極層の一部に電解メッキを被着する部分としては、実施
例に示したように、いわゆるダイアタッチ部があるほ
か、ヒートシンク等接合するためのメタライズ部等が挙
げられる。
【００３０】
【効果】上記から明らかなように、本発明によって、パ
ッケージ本体の内部や表面に形成される回路配線や抵抗
体、コンデンサなどの短絡不良や開放不良、抵抗値や静
電容量値の測定がメッキ工程前、更には外部接続端子の
固着・形成前に出来るため、不良品の除去が可能とな
る。従って、金メッキ等の付加価値が加えられる前に不
良品を廃棄できるので、製造原価低減に寄与できると共
に、工程の安定化をも図ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例にかかる回路配線のパタ
ーンを示す平面断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例にかかる厚み方向の回路
配線の様子を示す断面図である。
【図３】従来のパッケージ本体の回路配線のパターンを
示す平面断面図である。
【図４】本発明の第２の実施例にかかる回路配線のパタ
ーンを示す平面断面図である。
【図５】本発明の第３の実施例にかかる電極層と導電層
の接続状態を示す断面図である。
【図６】本発明の第３の実施例にかかる第１の電極層の
パターンを示す平面断面図である。
【図７】本発明の第３の実施例にかかる第２の電極層の
パターンを示す平面断面図である。
【図８】本発明の第３の実施例において、電極層に電気
メッキを施す部分がある場合の例を示す断面図である。
【符号の説明】
１、セラミック基板 １ａ、セラミック基板の上面 ２、２ａ、２ｃ、…回路配線 ３、ボンディングパッド部 ４、ビアホール ５、外部接続端子 ６ａ、６ｃ、…導通配線 ７Ａ、７Ｂ、…導通層 ８ａ、８ｂ、電極層 ９、誘電体層 １０、パッケージ本体 １１、集積回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/13

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】セラミック基板と、該セラミック基板の内
    部及び表面の少なくともいずれかに設けられた回路配線
    と、該セラミック基板の表面に形成された導電層と、該
    回路配線から選ばれる第１の回路配線と該導電層から選
    ばれる第１の導電層とを接続する第１の導通配線と、該
    第１の回路配線とは異なる第２の回路配線と該第１の導
    電層とは異なる第２の導電層とを接続する第２の導通配
    線とを有し、該第１の導電層と該第２の導電層とが電気
    的に絶縁していることを特徴とするセラミックパッケー
    ジ本体。
  2. 【請求項２】セラミック基板と、該セラミック基板の内
    部及び表面の少なくともいずれかに設けられた回路配線
    と、該セラミック基板の表面に形成された導電層と、該
    回路配線から選ばれる１の回路配線の第１の部分と該導
    電層から選ばれる第１の導電層とを接続する第１の導通
    配線と、該１の回路配線の一部であって該第１の部分か
    ら離れた第２の部分と該第１の導電層とは異なる第２の
    導電層とを接続する第２の導通配線とを有し、該第１の
    導電層と第２の導電層とが、該１の回路配線のみを通じ
    て電気的に接続していることを特徴とするセラミックパ
    ッケージ本体。
  3. 【請求項３】セラミック基板と、該セラミック基板の内
    部または表面に設けられコンデンサを形成する誘電体層
    及び電極層と、該セラミック基板の表面に形成された導
    電層と、該電極層から選ばれる第１の電極層と該導電層
    から選ばれる第１の導電層とを接続する第１の導通配線
    と、該第１の電極層と対向してコンデンサを形成する第
    ２の電極層と該第１の導電層とは異なる第２の導電層と
    を接続する第２の導通配線とを有し、該第１の導電層と
    該第２の導電層とが電気的に絶縁していることを特徴と
    するセラミックパッケージ本体。
  4. 【請求項４】前記導電層が前記セラミック基板の外周側
    面に形成されていることを特徴とする請求項１から３に
    記載のセラミックパッケージ本体。
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