JP2001320202A - フィルタ及びフィルタ一体型アンテナ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 マイクロストリップ導体金属膜の近くに、誘
電体基板の表面から裏面金属膜まで貫通する貫通孔を交
互に形成する構成では、特性インピーダンス比が小さく
遮断帯域幅の広いフィルタが得られない、という課題が
あった。 【解決手段】 誘電体基板１２の内部におけるマイクロ
ストリップ導体金属膜１６の直下の位置に、複数個の内
部空間１８を、マイクロストリップ導体金属膜１６の延
在方向に沿って所定の間隔で形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、地上マイクロ波
通信、移動体通信等のＲＦ回路に使用するフィルタ及び
フィルタ一体型アンテナに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図６は、例えば「29^th European Microw
ave Conference 1999, pp.303-306,“Circuit Applicat
ions of Uniplanar Compact PBG”」（文献１）に開示
された従来のフィルタを示す斜視図である。図におい
て、１０１はフィルタ、１０２は誘電体基板、１０３は
誘電体基板１０２の表面上に所定の幅で一方向に形成さ
れたマイクロストリップ導体金属膜、１０４は誘電体基
板１０２の裏面上に全面に亙って形成された裏面金属
膜、１０５は誘電体基板１０２の表面から裏面を貫通
し、さらに裏面金属膜１０４を貫通する貫通孔である。

【０００３】貫通孔１０５は、マイクロストリップ導体
金属膜１０３を挟んで対称に形成されている。貫通孔１
０５には、マイクロストリップ導体金属膜１０３の近く
に位置するものと、それよりもマイクロストリップ導体
金属膜１０３から離れて位置するものとの２種類があ
る。それら２種類の貫通孔１０５は、マイクロストリッ
プ導体金属膜１０３を挟んだ左右の領域において、マイ
クロストリップ導体金属膜１０３の延在方向に沿って交
互に形成されている。

【０００４】誘電体基板１０２、マイクロストリップ導
体金属膜１０３及び裏面金属膜１０４から構成されるマ
イクロストリップ線路では、貫通孔１０５がマイクロス
トリップ導体金属膜１０３の近くに位置する部分の特性
インピーダンスの方が、貫通孔１０５がマイクロストリ
ップ導体金属膜１０３から離れて位置する部分の特性イ
ンピーダンスより高い。これは、貫通孔１０５がマイク
ロストリップ導体金属膜１０３の近くに位置する部分の
方が、貫通孔１０５がマイクロストリップ導体金属膜１
０３から離れて位置する部分より、貫通孔１０５の影響
を大きく受け、マイクロストリップ導体金属膜１０３と
裏面金属膜１０４との間の電気力線の密度が小さく、等
価的な容量が小さいためである。

【０００５】このように、従来のフィルタ１０１では、
貫通孔１０５を、マイクロストリップ導体金属膜１０３
の延在方向に沿って、マイクロストリップ導体金属膜１
０３に近い位置及びマイクロストリップ導体金属膜１０
３から離れた位置に交互に形成することにより、特性イ
ンピーダンスの高いマイクロストリップ線路（以下、高
インピーダンス線路という）と特性インピーダンスの低
いマイクロストリップ線路（以下、低インピーダンス線
路という）とを交互に形成している。

【０００６】次に動作について説明する。外部からフィ
ルタ１０１に信号が入力すると、遮断帯域内の周波数は
遮断され、通過帯域内の周波数は通過する。従来のフィ
ルタ１０１では、マイクロストリップ導体金属膜１０３
の幅や誘電体基板１０２の厚さを所定の値に設定すると
ともに、貫通孔１０５を所定の位置に形成することによ
り、所望の遮断周波数や遮断帯域幅などのフィルタ特性
を実現する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来のフィルタは以上
のように構成され、貫通孔１０５をマイクロストリップ
導体金属膜１０３に近い位置に形成することにより高イ
ンピーダンス線路を形成し、貫通孔１０５をマイクロス
トリップ導体金属膜１０３から離れた位置に形成するこ
とにより低インピーダンス線路を形成するので、高イン
ピーダンス線路と低インピーダンス線路との間における
マイクロストリップ導体金属膜１０３と裏面金属膜１０
４との間の電気力線の密度の差を十分大きくすることが
できず、高インピーダンス線路の特性インピーダンスと
低インピーダンス線路の特性インピーダンスとの比（以
下、インピーダンス比という）が小さいという課題があ
った。

【０００８】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、インピーダンス比が大きいフィル
タ及びそのフィルタと一体化したフィルタ一体型アンテ
ナを得ることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明に係るフィルタ
は、誘電体基板の内部におけるマイクロストリップ導体
金属膜の直下の位置に、マイクロストリップ導体金属膜
の延在方向に沿って所定の間隔で形成された複数の内部
空間を備えたものである。

【００１０】この発明に係るフィルタは、誘電体基板
が、中間誘電体基板と、中間誘電体基板の表面上に設け
られた薄膜状の上側誘電体基板と、中間誘電体基板の裏
面上に設けられた薄膜状の下側誘電体基板とから成り、
内部空間が、中間誘電体基板の表面から裏面に貫通する
貫通孔から成るものである。

【００１１】この発明に係るフィルタは、内部空間が、
立方体形状をしているものである。

【００１２】この発明に係るフィルタ一体型アンテナ
は、誘電体基板の内部におけるマイクロストリップ導体
金属膜の直下の位置に、マイクロストリップ導体金属膜
の延在方向に沿って所定の間隔で形成された複数の内部
空間と、マイクロストリップ導体金属膜から給電され
る、誘電体基板の表面上に形成されたパッチアンテナ導
体金属膜とを備えたものである。

【００１３】この発明に係るフィルタ一体型アンテナ
は、Ｆ級増幅器と電気的に接続したとき、Ｆ級増幅器を
構成する半導体素子から出力される信号の周波数に対し
て半導体素子の出力端から負荷側のインピーダンスと半
導体素子のインピーダンスが共役インピーダンス整合
し、半導体素子の出力端から負荷側のインピーダンスが
信号周波数の２倍波に対して短絡となり、信号周波数の
３倍波に対して開放となるものである。

【００１４】この発明に係るフィルタ一体型アンテナ
は、チューンドＢ級増幅器と電気的に接続したとき、チ
ューンドＢ級増幅器を構成する半導体素子から出力され
る信号の周波数に対して半導体素子の出力端から負荷側
のインピーダンスと半導体素子のインピーダンスが共役
インピーダンス整合し、半導体素子の出力端から負荷側
のインピーダンスが信号周波数の２倍波に対して開放と
なり、信号周波数の３倍波に対して短絡となるものであ
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１によるフ
ィルタの構成を示す斜視図である。図２は図１中のＡ−
Ａ線に沿った断面図である。図において、１１はフィル
タ、１２は誘電体基板、１３は中間誘電体基板、１４は
中間誘電体基板１３の表面上に設けられた薄膜状の上側
誘電体基板、１５は中間誘電体基板１３の裏面上に設け
られた薄膜状の下側誘電体基板、１６は誘電体基板１２
の表面上に所定の幅で一方向に形成されたマイクロスト
リップ導体金属膜、１７は誘電体基板１２の裏面上に全
面に亙って形成された裏面金属膜、１８は誘電体基板１
２の内部におけるマイクロストリップ導体金属膜１６の
直下の位置に形成された内部空間である。

【００１６】誘電体基板１２は、中間誘電体基板１３と
上側誘電体基板１４と下側誘電体基板１５とから成る。
上側誘電体基板１４及び下側誘電体基板１５は、中間誘
電体基板１３に比べて、厚さが十分に薄く、誘電率が十
分に小さい方が望ましい。

【００１７】内部空間１８は、中間誘電体基板１３の表
面から裏面を貫通する貫通孔から成り、立方体形状をし
ている。内部空間１８は、中間誘電体基板１３に貫通孔
を形成した後、中間誘電体基板１３に上側誘電体基板１
４と下側誘電体基板１５とを取り付けることにより形成
する。内部空間１８は、マイクロストリップ導体金属膜
１６の延在方向に沿って所定の間隔で複数個形成されて
いる。

【００１８】誘電体基板１２、マイクロストリップ導体
金属膜１６及び裏面金属膜１７から構成されるマイクロ
ストリップ線路では、内部空間１８がマイクロストリッ
プ導体金属膜１６の直下の位置に形成されている部分の
特性インピーダンスの方が、内部空間１８がマイクロス
トリップ導体金属膜１６の直下の位置に形成されていな
い部分の特性インピーダンスより高い。これは、内部空
間１８の誘電率が中間誘電体基板１３の誘電率より低い
ため、内部空間１８がマイクロストリップ導体金属膜１
６の直下の位置に形成されている部分の方が、内部空間
１８がマイクロストリップ導体金属膜１６の直下の位置
に形成されていない部分より、マイクロストリップ導体
金属膜１６と裏面金属膜１７との間の電気力線の密度が
小さく、等価的な容量が小さいためである。

【００１９】このように、実施の形態１のフィルタ１１
では、内部空間１８を、誘電体基板１２の内部における
マイクロストリップ導体金属膜１６の直下の位置に、マ
イクロストリップ導体金属膜１６の延在方向に沿って、
所定の間隔で複数個形成することにより、高インピーダ
ンス線路と低インピーダンス線路とを交互に形成してい
る。

【００２０】次に動作について説明する。外部からフィ
ルタ１１に信号が入力すると、遮断帯域内の周波数は遮
断され、通過帯域内の周波数は通過する。実施の形態１
のフィルタ１１では、マイクロストリップ導体金属膜１
６の幅や誘電体基板１２の厚さを所定の値に設定すると
ともに、内部空間１８の縦横高さ寸法や内部空間１８の
相互間隔を所定の値に設定することにより、所望の遮断
周波数や遮断帯域などのフィルタ特性を実現する。

【００２１】実施の形態１のフィルタ１１では、内部空
間１８をマイクロストリップ導体金属膜１６の直下の位
置に形成することにより高インピーダンス線路を形成す
るので、高インピーダンス線路と低インピーダンス線路
との間におけるマイクロストリップ導体金属膜１６と裏
面金属膜１７との間の電気力線の密度の差を十分大きく
することができ、インピーダンス比が従来のフィルタに
比べて大きい。このため、実施の形態１のフィルタ１１
では、従来のフィルタと同等の遮断帯域における信号減
衰量を、従来のフィルタより少ない、高インピーダンス
線路と低インピーダンス線路との組数で実現することが
できる。従って、実施の形態１のフィルタ１１では、従
来のフィルタに比べて寸法が小さく、その結果、従来の
フィルタより遮断帯域幅が広い。

【００２２】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、誘電体基板１２の内部におけるマイクロストリップ
導体金属膜１６の直下の位置に、複数個の内部空間１８
を、マイクロストリップ導体金属膜１６の延在方向に沿
って所定の間隔で形成することにより、高インピーダン
ス線路と低インピーダンス線路とを交互に形成するの
で、インピーダンス比が大きくなり、遮断帯域幅が広が
る効果が得られる。

【００２３】また、この実施の形態１によれば、内部空
間１８を立方体形状とするので、所望のフィルタ特性を
実現するための内部空間１８の寸法設定が容易である効
果が得られる。

【００２４】また、この実施の形態１によれば、誘電体
基板１２を、中間誘電体基板１３と上側誘電体基板１４
と下側誘電体基板１５とから構成し、内部空間１８を中
間誘電体基板１３の表面から裏面を貫通する貫通孔から
構成するので、内部空間１８の形成が容易である効果が
得られる。

【００２５】実施の形態２．図３はこの発明の実施の形
態２によるフィルタ型アンテナの構成を示す斜視図であ
る。図において、２１はフィルタ一体型アンテナ、２２
はフィルタが形成されているフィルタ領域、２３はパッ
チアンテナが形成されているアンテナ領域、２４は誘電
体基板１２の表面に形成されたパッチアンテナ導体金属
膜である。その他の構成要素は図１で同一符号を付して
示したものと同一あるいは同等である。

【００２６】パッチアンテナ導体金属膜２４は、マイク
ロストリップ導体金属膜１６と接続し、長方形形状をし
ている。

【００２７】フィルタ領域２２には、実施の形態１のフ
ィルタと同一構成のフィルタが形成され、アンテナ領域
２３には、誘電体基板１２、パッチアンテナ導体金属膜
２４及び裏面金属膜１７から構成されるパッチアンテナ
が形成されている。

【００２８】実施の形態２のフィルタ一体型アンテナ２
１では、フィルタ領域２２に形成されたフィルタが、そ
れに入力する信号の周波数を通過し、信号周波数の２倍
波、３倍波を遮断する特性を有するように、内部空間１
８の縦横高さ寸法、内部空間１８の相互間隔、マイクロ
ストリップ導体金属膜１６の幅及び誘電体基板１２の厚
さを所定の値に設定している。

【００２９】従来のフィルタは、インピーダンス比が小
さく、遮断帯域幅が狭かったため、信号周波数の２倍
波、３倍波を十分に遮断できなかったが、実施の形態２
のフィルタ一体型アンテナ２１のフィルタ領域２２に形
成されたフィルタは、インピーダンス比が大きく、遮断
帯域幅が広いため、信号周波数の２倍波、３倍波を十分
に遮断することができる。

【００３０】次に動作について説明する。外部からフィ
ルタ一体型アンテナ２１のフィルタ領域２２に形成され
たフィルタに信号が入力すると、遮断帯域内の周波数は
遮断され、通過帯域内の周波数は通過する。フィルタを
通過した周波数はアンテナ領域２３に形成されたパッチ
アンテナから放射される。実施の形態２のフィルタ一体
型アンテナ２１では、フィルタ領域２２に形成されたフ
ィルタが、それに入力する信号の周波数を通過し、信号
周波数の２倍波、３倍波を遮断する特性を有するため、
フィルタ領域２２に形成されたフィルタに入力した信号
の周波数のみがパッチアンテナから放射される。

【００３１】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、フィルタ領域２２に形成されたフィルタの遮断帯域
幅が広く、信号周波数の２倍波、３倍波を遮断するの
で、フィルタ領域２２に形成されたフィルタに入力した
信号の周波数のみがパッチアンテナから放射される効果
が得られる。

【００３２】実施の形態３．図４はこの発明の実施の形
態３によるフィルタ一体型アンテナの構成を示す斜視図
である。図において、３１はフィルタ一体型アンテナ、
３２はＦ級増幅器、３３はフィルタ一体型アンテナ３１
とＦ級増幅器３２とを接続する接続点である。その他の
構成要素は図３で同一符号を付して示したものと同一あ
るいは同等である。

【００３３】実施の形態３によるフィルタ一体型アンテ
ナ３１では、以下の条件を満たすように、内部空間１８
の縦横高さ寸法、内部空間１８の相互間隔、マイクロス
トリップ導体金属膜１６の幅、誘電体基板１２の厚さ及
びパッチアンテナ導体金属膜２４の縦横寸法を所定の値
に設定している。

【００３４】第１の条件は、Ｆ級増幅器３２を構成する
半導体素子から出力される信号の周波数に対して、上記
半導体素子の出力端からフィルタ一体型アンテナ３１側
のインピーダンスと上記半導体素子側のインピーダンス
とが複素共役の関係になり、上記半導体素子の出力端か
ら負荷側のインピーダンスと上記半導体素子のインピー
ダンスが共役インピーダンス整合することである。第２
の条件は、上記半導体素子の出力端からフィルタ一体型
アンテナ３１を見込むインピーダンス（すなわち、上記
半導体素子の出力端から負荷側のインピーダンス）が信
号周波数の２倍波に対して短絡、信号周波数の３倍波に
対して開放となることである。

【００３５】「29^th European Microwave Conference D
igest, pp.271-274, 1999, “A NewPractical Harmonic
Tune for High Efficiency Power Amplifier”」（文
献２）に開示されているように、信号周波数の２倍波に
対する負荷インピーダンスが十分に短絡となり、信号周
波数の３倍波に対する負荷インピーダンスが十分に開放
となる場合、Ｆ級増幅器３２を構成する半導体素子は高
効率動作する。

【００３６】従来のフィルタは、インピーダンス比が小
さく、遮断帯域幅が狭かったため、従来のフィルタを備
えたアンテナでは、信号周波数の２倍波に対する負荷イ
ンピーダンスが十分に短絡となり、信号周波数の３倍波
に対する負荷インピーダンスが十分に開放となるように
することができなかったが、実施の形態３のフィルタ一
体型アンテナ３１のフィルタ領域２２に形成されたフィ
ルタは、インピーダンス比が大きく、遮断帯域幅が広い
ため、実施の形態３のフィルタ一体型アンテナ３１で
は、信号周波数の２倍波に対する負荷インピーダンスが
十分に短絡となり、信号周波数の３倍波に対する負荷イ
ンピーダンスが十分に開放となるようにすることができ
る。

【００３７】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、フィルタ領域２２に形成されたフィルタの遮断帯域
幅が広く、信号周波数の２倍波に対する負荷インピーダ
ンスが十分に短絡となり、信号周波数の３倍波に対する
負荷インピーダンスが十分に開放となるので、フィルタ
一体型アンテナ３１に接続するＦ級増幅器３２を構成す
る半導体素子を高効率動作させることができる効果が得
られる。

【００３８】実施の形態４．図５はこの発明の実施の形
態４によるフィルタ一体型アンテナの構成を示す斜視図
である。図において、４１はフィルタ一体型アンテナ、
４２はチューンドＢ級増幅器、４３はフィルタ一体型ア
ンテナ４１とチューンドＢ級増幅器４２とを接続する接
続点である。その他の構成要素は図３で同一符号を付し
て示したものと同一あるいは同等である。

【００３９】実施の形態４によるフィルタ一体型アンテ
ナ４１は、以下の条件を満たすように、内部空間１８の
縦横高さ寸法、内部空間１８の相互間隔、マイクロスト
リップ導体金属膜１６の幅、誘電体基板１２の厚さ及び
パッチアンテナ導体金属膜２４の縦横寸法を所定の値に
設定している。

【００４０】第１の条件は、チューンドＢ級増幅器４２
を構成する半導体素子から出力される信号の周波数に対
して、上記半導体素子の出力端からフィルタ一体型アン
テナ４１側のインピーダンスと上記半導体素子側のイン
ピーダンスとが複素共役の関係になり、上記半導体素子
の出力端から負荷側のインピーダンスと上記半導体素子
のインピーダンスが共役インピーダンス整合することで
ある。第２の条件は、上記半導体素子の出力端からフィ
ルタ一体型アンテナ４１を見込むインピーダンス（すな
わち、上記半導体素子の出力端から負荷側のインピーダ
ンス）が信号周波数の２倍波に対して開放、信号周波数
の３倍波に対して短絡となることである。

【００４１】文献２に開示されているように、信号周波
数の２倍波に対する負荷インピーダンスが十分に開放と
なり、信号周波数の３倍波に対する負荷インピーダンス
が十分に短絡となる場合、チューンドＢ級増幅器４２を
構成する半導体素子は飽和領域において高効率動作す
る。

【００４２】従来のフィルタは、インピーダンス比が小
さく、遮断帯域幅が狭かったため、従来のフィルタを備
えたアンテナでは、信号周波数の２倍波に対する負荷イ
ンピーダンスが十分に開放となり、信号周波数の３倍波
に対する負荷インピーダンスが十分に短絡となるように
することができなかったが、実施の形態４のフィルタ一
体型アンテナ４１のフィルタ領域２２に形成されたフィ
ルタは、インピーダンス比が大きく、遮断帯域幅が広い
ため、実施の形態４のフィルタ一体型アンテナ４１で
は、信号周波数の２倍波に対する負荷インピーダンスが
十分に開放となり、信号周波数の３倍波に対する負荷イ
ンピーダンスが十分に短絡となるようにすることができ
る。

【００４３】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、フィルタ領域２２に形成されたフィルタの遮断帯域
幅が広く、信号周波数の２倍波に対する負荷インピーダ
ンスが十分に開放となり、信号周波数の３倍波に対する
負荷インピーダンスが十分に短絡となるので、フィルタ
一体型アンテナ４１に接続するチューンドＢ級増幅器４
２を構成する半導体素子を飽和領域で高効率動作させる
ことができる効果が得られる。

【００４４】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、誘電
体基板の内部におけるマイクロストリップ導体金属膜の
直下の位置に、マイクロストリップ導体金属膜の延在方
向に沿って所定の間隔で形成された複数の内部空間を備
えるようにフィルタを構成したので、インピーダンス比
が大きく、遮断帯域幅が広いフィルタが得られる効果が
ある。

【００４５】この発明によれば、誘電体基板が、中間誘
電体基板と、中間誘電体基板の表面上に設けられた薄膜
状の上側誘電体基板と、中間誘電体基板の裏面上に設け
られた薄膜状の下側誘電体基板とから成り、内部空間
が、中間誘電体基板の表面から裏面に貫通する貫通孔か
ら成るようにフィルタを構成したので、内部空間の形成
が容易なフィルタが得られる効果がある。

【００４６】この発明によれば、内部空間が、立方体形
状をしているようにフィルタを構成したので、所望のフ
ィルタ特性を実現するための内部空間の寸法設定が容易
なフィルタが得られる効果がある。

【００４７】この発明によれば、誘電体基板の内部にお
けるマイクロストリップ導体金属膜の直下の位置に、マ
イクロストリップ導体金属膜の延在方向に沿って所定の
間隔で形成された複数の内部空間と、マイクロストリッ
プ導体金属膜から給電される、誘電体基板の表面上に形
成されたパッチアンテナ導体金属膜とを備えるようにフ
ィルタ一体型アンテナを構成したので、フィルタに入力
した信号の周波数のみがパッチアンテナから放射される
フィルタ一体型アンテナが得られる効果がある。

【００４８】この発明によれば、Ｆ級増幅器と電気的に
接続したとき、Ｆ級増幅器を構成する半導体素子から出
力される信号の周波数に対して半導体素子の出力端から
負荷側のインピーダンスと半導体素子のインピーダンス
が共役インピーダンス整合し、半導体素子の出力端から
負荷側のインピーダンスが信号周波数の２倍波に対して
短絡となり、信号周波数の３倍波に対して開放となるよ
うにフィルタ一体型アンテナを構成したので、Ｆ級増幅
器を構成する半導体素子を高効率動作させることができ
るフィルタ一体型アンテナが得られる効果がある。

【００４９】この発明によれば、チューンドＢ級増幅器
と電気的に接続したとき、チューンドＢ級増幅器を構成
する半導体素子から出力される信号の周波数に対して半
導体素子の出力端から負荷側のインピーダンスと半導体
素子のインピーダンスが共役インピーダンス整合し、半
導体素子の出力端から負荷側のインピーダンスが信号周
波数の２倍波に対して開放となり、信号周波数の３倍波
に対して短絡となるようにフィルタ一体型アンテナを構
成したので、チューンドＢ級増幅器を構成する半導体素
子を飽和領域で高効率動作させることができるフィルタ
一体型アンテナが得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１によるフィルタの構
成を示す斜視図である。

【図２】 図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図である。

【図３】 この発明の実施の形態２によるフィルタ型ア
ンテナの構成を示す斜視図である。

【図４】 この発明の実施の形態３によるフィルタ型ア
ンテナの構成を示す斜視図である。

【図５】 この発明の実施の形態４によるフィルタ型ア
ンテナの構成を示す斜視図である。

【図６】 従来のフィルタの構成を示す斜視図である。

【符号の説明】

１１ フィルタ、１２ 誘電体基板、１３ 中間誘電体
基板、１４ 上側誘電体基板、１５ 下側誘電体基板、
１６ マイクロストリップ導体金属膜、１７裏面金属
膜、１８ 内部空間、２１ フィルタ一体型アンテナ、
２２ フィルタ領域、２３ アンテナ領域、２４ パッ
チアンテナ導体金属膜、３１ フィルタ一体型アンテ
ナ、３２ Ｆ級増幅器、３３ 接続点、４１ フィルタ
一体型アンテナ、４２ チューンドＢ級増幅器、４３
接続点。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 正敏 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 堀口 健一 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 石田 修己 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5J006 HB01 JA03 LA01 LA21 LA25 NA08 PB00 5J014 CA06 5J045 DA10 EA07 HA03

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体基板と、該誘電体基板の表面上に
   形成されたマイクロストリップ導体金属膜と、上記誘電
   体基板の裏面上に全面に亙って形成された裏面金属膜
   と、上記誘電体基板の内部における上記マイクロストリ
   ップ導体金属膜の直下の位置に、上記マイクロストリッ
   プ導体金属膜の延在方向に沿って所定の間隔で形成され
   た複数の内部空間とを備えたフィルタ。
2. 【請求項２】 誘電体基板は、中間誘電体基板と、該中
   間誘電体基板の表面上に設けられた薄膜状の上側誘電体
   基板と、上記中間誘電体基板の裏面上に設けられた薄膜
   状の下側誘電体基板とから成り、 内部空間は、上記中間誘電体基板の表面から裏面に貫通
   する貫通孔から成ることを特徴とする請求項１記載のフ
   ィルタ。
3. 【請求項３】 内部空間は、立方体形状をしていること
   を特徴とする請求項１記載のフィルタ。
4. 【請求項４】 誘電体基板と、該誘電体基板の表面上に
   形成されたマイクロストリップ導体金属膜と、上記誘電
   体基板の裏面上に全面に亙って形成された裏面金属膜
   と、上記誘電体基板の内部における上記マイクロストリ
   ップ導体金属膜の直下の位置に、上記マイクロストリッ
   プ導体金属膜の延在方向に沿って所定の間隔で形成され
   た複数の内部空間と、上記マイクロストリップ導体金属
   膜から給電される、上記誘電体基板の表面上に形成され
   たパッチアンテナ導体金属膜とを備えたフィルタ一体型
   アンテナ。
5. 【請求項５】 Ｆ級増幅器と電気的に接続したとき、上
   記Ｆ級増幅器を構成する半導体素子から出力される信号
   の周波数に対して上記半導体素子の出力端から負荷側の
   インピーダンスと上記半導体素子のインピーダンスが共
   役インピーダンス整合し、上記半導体素子の出力端から
   負荷側のインピーダンスが信号周波数の２倍波に対して
   短絡となり、信号周波数の３倍波に対して開放となるこ
   とを特徴とする請求項４記載のフィルタ一体型アンテ
   ナ。
6. 【請求項６】 チューンドＢ級増幅器と電気的に接続し
   たとき、上記チューンドＢ級増幅器を構成する半導体素
   子から出力される信号の周波数に対して上記半導体素子
   の出力端から負荷側のインピーダンスと上記半導体素子
   のインピーダンスが共役インピーダンス整合し、上記半
   導体素子の出力端から負荷側のインピーダンスが信号周
   波数の２倍波に対して開放となり、信号周波数の３倍波
   に対して短絡となることを特徴とする請求項４記載のフ
   ィルタ一体型アンテナ。