JP2003224405A

JP2003224405A - 誘電体フィルタ

Info

Publication number: JP2003224405A
Application number: JP2002022785A
Authority: JP
Inventors: Koichi Kawamura; 浩一河村
Original assignee: Ube Industries Ltd
Current assignee: Ube Corp
Priority date: 2002-01-31
Filing date: 2002-01-31
Publication date: 2003-08-08
Anticipated expiration: 2022-01-31
Also published as: JP3801058B2

Abstract

(57)【要約】【課題】基板実装性に優れ、実装後に外部回路との整合
を調整可能であり、かつ、電磁波のリークを小さくし損
失を小さくした効率的な入出力結合を有する入出力電極
を備えた誘電体フィルタを提供する。【解決手段】概略直方体形状の１つの誘電体ブロック内
に複数の共振器を形成し、入出力電極と該入出力電極に
接する誘電体露出部とからなる入出力電極構成部、該入
出力電極構成部を除く前記誘電体ブロック表面に形成さ
れたグランド電極、および前記共振器同士を電磁界結合
する結合部を有するＴＥモード誘電体フィルタであっ
て、前記入出力電極構成部および前記入出力電極は前記
誘電体フィルタ両端の共振器の実装面と該実装面に隣接
する一側面とにかけて連続して形成され、前記一側面の
入出力電極の上端のみが前記グランド電極に導通する短
絡点を有していることを特徴とする誘電体フィルタ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、５ＧＨｚから３０
ＧＨｚの高い周波数帯での使用に適した複数の誘電体共
振器を１つの誘電体ブロック内に形成した構造の小型の
誘電体フィルタに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】情報通信分野の急速な発展に伴って２Ｇ
Ｈｚよりも高い周波数帯域の移動体通信システムが検討
されている。これまでの移動体通信では２ＧＨｚ帯程度
までの周波数が利用されており、移動局に用いられるフ
ィルタとしては誘電体同軸共振器を組み合わせたものが
主に用いられていた。

【０００３】しかし、５ＧＨｚ以上の周波数で用いる場
合には、この誘電体同軸共振器では、低損失のフィルタ
とすることは難しく、高いＱを確保しようとすれば外形
を小さくすることが困難である。

【０００４】これらのことから３ＧＨｚ以上の周波数帯
においても通過損失が大きくならない誘電体フィルタが
特許第２７９３６８５号公報に開示されている。このフ
ィルタの斜視図を図１６に示す。これは、概略直方体形
状の誘電体ブロックに、複数の貫通孔を所定間隔で形成
し、該溝の内面を含む該誘電体ブロックの所要表面を金
属膜で被覆して、複数のＴＥ１０１モードの誘電体共振
器を構成した誘電体フィルタである。

【０００５】この誘電体フィルタの両端部に設けられた
入出力電極５は、側面に設けた剥離帯の上に、入出力電
極の上端が上面の金属皮膜に導通し、入出力電極の下端
が剥離帯の中ほどにあるように形成されている。そし
て、この入出力電極５には、Ｌ字形状の金属製引出電極
１３が半田付け等により取り付けられている。誘電体フ
ィルタは、この引出電極１３を介して外部回路と結合す
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このフ
ィルタにおいては、入出力電極と外部回路との接続を金
属製引出電極である金具を介して行っている。このため
外部接続のための部品点数が増加するとともに、この金
具接続のばらつきにより外部回路との整合（ＶＳＷＲ）
がばらつくことが懸念される。また、誘電体フィルタを
基板に実装する場合、実装後の外部回路との調整が必要
であり、その調整が容易であることも誘電体フィルタと
して重要である。

【０００７】さらに、高周波の誘電体フィルタとして
は、電磁波のリークを少なくし、入出力結合を効率的に
行い、低損失であることが切望されている。

【０００８】本発明は、上記の問題点を鑑みてなされた
もので、本発明の目的は、基板実装性に優れ、実装後に
外部回路との整合を調整可能であり、かつ、電磁波のリ
ークを小さくし損失を小さくした効率的な入出力結合を
有する入出力電極を備えた誘電体フィルタを提供するこ
とである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、概略直方体形状の１つの誘電体ブロック内
に複数の共振器を形成し、入出力電極と該入出力電極に
接する誘電体露出部とからなる入出力電極構成部、該入
出力電極構成部を除く前記誘電体ブロック表面に形成さ
れたグランド電極、および前記共振器同士を電磁界結合
する結合部を有するＴＥモード誘電体フィルタであっ
て、前記入出力電極構成部および前記入出力電極は前記
誘電体フィルタ両端の共振器の実装面と該実装面に隣接
する一側面とにかけて連続して形成され、前記一側面の
入出力電極の上端のみが前記グランド電極に導通する短
絡点を有していることを特徴とする誘電体フィルタを提
供するものである。

【００１０】さらに、前記短絡点が前記誘電体フィルタ
両端の共振器の前記一側面の上端より低い位置に形成さ
れていることが好ましい。

【００１１】また、本発明は、前記誘電体フィルタを絶
縁体基板上に載置し、前記絶縁体基板上に形成された基
板信号ラインと前記誘電体フィルタの入出力電極の実装
面部分とを電気的に接続したことを特徴とする前記誘電
体フィルタに関するものである。

【００１２】本発明では、概略直方体形状の１つの誘電
体ブロック内に複数の共振器を形成したＴＥモード誘電
体フィルタであって、前記誘電体フィルタの両端の共振
器の一側面から実装面にかけて、入出力電極を形成し、
かつ、前記共振器側面では入出力電極の上端がグランド
電極に導通した構造とすることにより、従来のように外
部回路との接続に特別な金具を必要とせず、容易に誘電
体フィルタを基板に実装することができ、外部回路との
整合（ＶＳＷＲ）をばらつきにくくすることができる。
また、実装後の外部回路との調整も共振器側面に形成さ
れた入出力電極部分を削ることにより容易に行うことが
できる。さらに、形成された入出力電極の共振器側面部
分における磁界結合と同じく入出力電極の実装面部分で
の電界結合とにより、入出力結合を効率的に行うことが
でき、そのため誘電体露出部の面積を小さくでき、電磁
波のリークの小さい低損失なフィルタとすることができ
る。特に、入出力電極とグランド電極との短絡点を、誘
電体の側面の上端より下に設定することにより、さらに
誘電体露出部の面積を小さくでき、低損失のフィルタと
することができる。また、複数のＴＥモード共振器を１
つの誘電体ブロック内に形成することによって、共振器
同士を半田等で貼りつける工程が削減され、製造コスト
の低減および貼りつけ時のずれによる帯域幅のばらつき
が低減される。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る誘電体フィル
タの実施形態について添付図面を参照して説明する。各
実施形態において、同一部品および同一部分には同じ符
号を付した。

【００１４】図１は本発明にかかる誘電体フィルタの一
実施形態の斜視図である。本発明に係る誘電体フィルタ
１は、概略直方体形状の１つの誘電体ブロック内に複数
の共振器２を形成し、入出力電極５と該入出力電極に接
する誘電体露出部４とからなる入出力電極構成部６、該
入出力電極構成部６を除く前記誘電体ブロック表面に形
成されたグランド電極８、および前記共振器２同士を電
磁界結合する結合部３を有するＴＥモード誘電体フィル
タであって、前記入出力電極構成部６および前記入出力
電極５は前記誘電体フィルタ両端の共振器の実装面９と
該実装面９に隣接する一側面とにかけて連続して形成さ
れ、前記一側面の入出力電極５の上端のみが前記グラン
ド電極に導通する短絡点７を有している。共振器を形成
する方法としては、誘電体ブロック内の共振器２の間に
切り欠き（溝）または貫通孔２０を形成して、導体メタ
ライズする方法がある。図１は、共振器の間に導体メタ
ライズされた長孔の貫通孔２０を形成した例を、図１０
は共振器の間に複数の貫通孔を形成した例を示してい
る。また、複数の共振器を形成し共振器間の電磁界結合
を形成するための構造は、前記の貫通孔に限られず、図
１１に示したような切り欠き（溝）を形成することによ
っても実現できる。図１1（ａ）は、共振器の間に切り
欠き（溝）３０を両側側面より形成した構造のフィルタ
である。図１1（ｂ）は、共振器の間に切り欠き（溝）
３０を側面片側に形成した構造のフィルタである。図１
1（ｃ）は、共振器の間に切り欠き（溝）３０を共振器
の上下面に形成した構造のフィルタである。このような
構造のフィルタにおいても、同様に本願発明の電極構成
とすることにより、同様な効果を得ることができる。

【００１５】また、入出力電極構成部６および入出力電
極５は、両端の共振器２の実装面に隣接する、信号の進
行方向と平行な他の一側面と実装面とにかけて形成する
こともできる。

【００１６】前記の構成の誘電体フィルタは、例えば図
８に示すような基板信号ライン１１を設けた基板に実装
され、入出力電極５の実装面部分と基板１０に設けられ
た基板信号ライン１１とを半田等の導電性接着剤にて接
続して使用できる。これにより、実装に際しＬ字金具の
ような特別な部品を用いることなく容易に誘電体フィル
タを基板に実装できる。また、基板１０には基板グラン
ド電極１２が形成されており、誘電体フィルタのグラン
ド電極８と基板上の基板グランド電極１２とが電気的に
接続される。基板グランド電極１２は基板の裏面に形成
されていてもよく、その場合、この基板グランド電極１
２と誘電体フィルタのグランド電極８とは、基板に設け
たスルーホールまたは基板の側面を通して電気的に接続
される。

【００１７】また、実装後は、誘電体側面の入出力電極
を一部削ることにより入出力の結合（ＶＳＷＲ）の調整
が可能である。さらに、誘電体側面の電極による磁界結
合と実装面の電極による電界結合を効率的に働かせるこ
とができ、図６に例示されるような短絡点を有しない島
状の入出力電極５に比べて、同レベルの入出力結合を得
るためのセラミックの露出面積を小さくでき、これによ
り電磁波のリークを少なくできるとともに、損失を小さ
く抑えることができる。

【００１８】図４に本発明にかかる誘電体フィルタの他
の一実施形態の斜視図を示す。入出力電極のパターン以
外は、図１に示した誘電体フィルタと同一の構成であ
る。図１の実施形態と異なる点は、入出力電極５とグラ
ンド電極８との短絡点７が誘電体ブロックの側面（即ち
誘電体フィルタ両端の共振器の側面）の上端より下方に
あることである。これにより、前記共振器の一側面に形
成されている誘電体露出部４の面積をさらに減らすこと
ができ、その結果、さらにフィルタの損失を小さく抑え
ることが可能となる。その結果、誘電体ブロック間の結
合部の断面積を広くすることが可能となり、広い帯域の
フィルタとすることも可能である。入出力電極５とグラ
ンド電極８との短絡点７の誘電体ブロック側面（即ち誘
電体フィルタ両端の共振器の側面）における位置は、側
面高さの３／１０〜７／１０程度であれば、強い入出力
結合が得られると共に、誘電体露出面積を適度に小さく
できることから、一層好ましい。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。

【００２０】（実施例１）図１に示したような本発明の
実施形態の一つである誘電体フィルタを次のように作製
し、フィルタの特性を測定した。

【００２１】本実施例は、１２．５×６．０×３．０ｍ
ｍｔの形状の２段フィルタである。このフィルタの中央
部には、段間の電磁界結合形成用の貫通した長孔２０を
１．５ｍｍ×０．５ｍｍΦ（図１に示すように、長孔の
長辺方向の最長部が１．５ｍｍであり、その最長部は
０．５ｍｍΦで丸めてあり、また短辺方向の長さは０．
５ｍｍである。以後このような形状の寸法を同一の表記
方法で示す）の寸法で形成し、１つの誘電体ブロックに
２つの共振器を持つ構造とした。フィルタ両端の側面の
上下端間には２．４ｍｍ幅×３．０ｍｍ高さの入出力電
極構成部６を図１に示すように設定し、その入出力電極
構成部６内に１．２ｍｍライン幅の入出力電極５を形成
し、入出力電極５の左右両側には誘電体露出部４を形成
した。入出力電極５の上端は共振器のグランド電極８と
短絡点７で電気的に接続されており、入出力電極５の下
端は実装面に延長して形成されている。また、実装面に
は、２．４ｍｍ幅×２．０ｍｍ奥行の入出力電極構成部
６内に、０．８ｍｍ幅×０．６ｍｍ奥行の入出力電極５
を形成し、入出力電極５の共振器側面部への接続部を除
いて、実装面に形成された入出力電極５の周辺には誘電
体露出部４を形成した。このようにして、入出力電極構
成部６内の入出力電極５以外の領域には、誘電体露出部
４を形成した。そして誘電体フィルタの前記入出力電極
構成部６以外の表面には、段間の電磁界結合形成用の貫
通した長孔２０を含めグランド電極８を形成した。用い
た誘電体材料（誘電体セラミックス）の比誘電率ε_rは
３７である。

【００２２】図２に作製したフィルタの特性を示す。中
心周波数が５６２１ＭＨｚで、３ｄＢ帯域幅が１７５Ｍ
Ｈｚで、ピーク点の挿入損失が０．６６ｄＢである、挿
入損失の小さい誘電体フィルタが得られた。これから求
められるフィルタの無負荷Ｑ（Ｑｕ値）は７００であっ
た。フィルタの挿入損失は、フィルタを構成する各共振
器の無負荷Ｑ（Ｑｕ値）に反比例し帯域幅に反比例する
関係にあり、フィルタのＱｕ値が帯域幅に依存せずに挿
入損失を評価する特性として利用されている。Ｑｕ値の
大きいフィルタほど挿入損失が少なく優れたフィルタで
ある。

【００２３】フィルタ実装面にも入出力電極を設け、基
板への実装性を容易にし、かつ、側面の電極で実装後の
微調整を可能にしたにもかかわらず、低損失の誘電体フ
ィルタを構成できたのは、入出力電極のパターンを本発
明のようにして、側面の電極による磁界結合と実装面の
電極による電界結合が効率的に働き、誘電体露出部の面
積を小さく抑えたためと思われる。

【００２４】図３は、誘電体の露出面積を小さくするこ
とにより無負荷Ｑ（Ｑｕ値）が大きくなり損失が小さく
なることを示す実験例である。図３（ａ）は、誘電体共
振器の無負荷Ｑ（Ｑｕ値）の測定方法を示す図であり、
導体板上に側面に誘電体露出部を形成した試料を設置
し、試料の両側にループアンテナを形成した同軸ケーブ
ルを設置し、高周波をかけて、周波数特性を測定し、見
かけ上の無負荷Ｑ（Ｑｕ値）を算出した。

【００２５】試料は、５ＧＨｚ帯の５．８５×５．８５
×３．０ｍｍのＴＥモード共振器の側面の電極を中央部
で１．５ｍｍ幅×１．０ｍｍ高さの領域で剥離したもの
（図３（ｂ））と同形状の共振器の側面の電極を中央部
で１．５ｍｍ幅×３．０ｍｍ高さの領域で剥離したもの
（図３（ｄ））である。それぞれの試料の電磁波リーク
による共振周波数の変化と損失を図３（ｃ）と図３
（ｅ）に示す。

【００２６】５ＧＨｚ帯の５．８５×５．８５×３．０
ｍｍのＴＥモード共振器の側面の電極を中央部で１．５
ｍｍ幅×１．０ｍｍ高さの領域で剥離した場合に共振周
波数は５７１２ＭＨｚであるのに対し、１．５ｍｍ幅×
３．０ｍｍ高さの領域で剥離した場合には５６３１ＭＨ
ｚとなり約８１ＭＨｚ低下し、この時Ｑｕ値は１０５０
から約６５０と劣化した。測定された見かけ上の無負荷
Ｑ（Ｑｕ値）は、誘電体固有のＱと電極形状に起因する
Ｑと電磁波のリークによるＱが作用しており、この実験
では誘電体材料として同一のものを使用していること、
および同一材料、形状の電極を使用していることから、
上記の測定値の差は、誘電体露出面積に起因し、誘電体
露出部が広いほど電磁波のリークが大きくなり、挿入損
失が大きくなることを示している。

【００２７】（実施例２）電磁波のリークをさらに少な
くするために図４に示すように、入出力電極５とグラン
ド電極８との短絡点７を側面の上端より低い位置に設定
した誘電体フィルタの実施例を示す。

【００２８】本実施例では、前記短絡点７の位置を誘電
体ブロック側面の１／２の高さ（実装面から１．５ｍｍ
高さ）にし、１２．５×６．０×３．０ｍｍｔの大きさ
の２段フィルタを作製した。

【００２９】このフィルタの中央部には、段間の電磁界
結合形成用の貫通した長孔２０を１．５×０．５ｍｍΦ
の寸法で形成した。フィルタ両端の共振器の側面に２．
４ｍｍ幅×３．０ｍｍ高さの入出力電極構成部６を側面
の実装面側から設定し、その入出力電極構成部６内に
１．２ｍｍライン幅の入出力電極５を形成した。また、
実装面には、２．４ｍｍ幅×２．０ｍｍ奥行の入出力電
極構成部６内に、１．２ｍｍ幅×１．２ｍｍ奥行の電極
を図４に示すように形成した。このようにして、入出力
電極構成部６内の入出力電極５以外の領域には、誘電体
露出部４を形成した。そして誘電体フィルタの前記入出
力電極構成部６以外の表面には、段間の電磁界結合形成
用の貫通した長孔２０を含めグランド電極を形成した。
用いた誘電体材料の比誘電率ε_rは３７である。

【００３０】図５にこのようにして作製した誘電体フィ
ルタの特性を示す。中心周波数が５８１８ＭＨｚで、３
ｄＢ帯域幅が１６８ＭＨｚでピーク点の挿入損失が、
０．４５ｄＢのものが得られた。これより求めたＱｕ値
は９００であった。

【００３１】この例からわかるように、誘電体フィルタ
両端の共振器の側面の中程にグランド電極８との短絡点
７を持つような入出力電極構造を形成することにより、
グランド電極８との短絡点７を前記側面上端に設けたも
のに比べ電磁波のリークが小さく、さらに低損失なフィ
ルタとすることができる。

【００３２】さらに、上記のような共振器間に貫通孔を
有する誘電体フィルタにおいては、その貫通孔の大きさ
（径、長さ）を変えることによって、共振器間の電磁界
結合の大きさを変化させることができ、所望の帯域幅の
フィルタを形成できる。例えば、本実施例の貫通孔を
１．５ｍｍ×０．５ｍｍΦに大きくすることにより、共
振器間の電磁界結合は小さくなり、中心周波数は５５２
８ＭＨｚで帯域幅５６ＭＨｚのフィルタが得られる。

【００３３】（比較例１）比較のために実施例２の誘電
体フィルタの入出力電極構成部以外の構成を同一となる
ようにし、入出力電極構成部を図６に示すようなグラン
ド電極との短絡点を持たない島状の入出力電極５のパタ
ーンを持つ形態の誘電体フィルタを形成した。この際、
同一の入出力インピーダンスとなるようにした。

【００３４】本比較例の入出力電極構成部６および入出
力電極５は、誘電体フィルタ両端の共振器の一側面につ
いては、２．４ｍｍ幅×１．５ｍｍ高さの大きさの入出
力電極構成部６とその中に１．２ｍｍ幅×０．８ｍｍ高
さの入出力電極５を形成した。また、前記共振器の実装
面については、２．４ｍｍ奥行×２．０ｍｍ幅の大きさ
の入出力電極構成部６とその中に１．５ｍｍ奥行×１．
２ｍｍ幅の入出力電極５を形成した。

【００３５】図７に図６の形態の誘電体フィルタの特性
を示す。中心周波数が５７１０ＭＨｚで、３ｄＢ帯域幅
が１００ＭＨｚで、ピーク点の挿入損失が１．５８ｄＢ
のものが得られた。これより求めたＱｕ値は５００であ
った。

【００３６】実施例２と比較例１との比較から判るよう
に、誘電体フィルタ両端の共振器の一側面にグランド電
極との短絡点７を持つような入出力電極構造、特に、前
記短絡点７が誘電体側面の上端より低い位置にある入出
力電極構造においては、短絡点７を持たない入出力電極
構造に比べ入出力結合が大きく、挿入損失が小さく、比
帯域幅の広い誘電体フィルタを得ることができる。即
ち、共振器間の貫通孔を同一にして結合部３の面積を同
一にするように構成した場合、本発明の電極構造の誘電
体露出部４の面積をさらに小さくでき、挿入損失をさら
に小さくできる。

【００３７】また、入出力電極構成部の誘電体露出部の
面積が同じ場合には、本発明の電極構造は、入出力イン
ピーダンスが小さく、共振器間の貫通孔を小さくして結
合部３の面積を大きくできるので、広い比帯域幅を持つ
ことができ、そのため挿入損失を小さくすることができ
る。

【００３８】（実施例３）図８に、本発明の高周波誘電
体フィルタを基板に実装し、実装面の入出力電極を、基
板に形成された引出電極と電気的に接続した例を示す。
図８（ａ）は、誘電体フィルタを基板に実装した一実施
形態を示す図であり、図８（ｂ）は、基板信号ライン１
１と基板グランド電極１２が形成された基板１０と誘電
体フィルタを別個に示す図である。

【００３９】基板１０には、１０ｍｍ×２０ｍｍ×０．
４ｍｍｔのテフロン（Ｒ）基板を用い、その上に図８
（ｂ）に示すように誘電体フィルタの入出力電極に接続
され外部回路につなげる引出電極となる１．１７ｍｍ幅
の基板信号ライン１１と誘電体フィルタのグランド電極
につなげる基板グランド電極１２とを形成している。基
板上にペースト状半田を塗り、その上に誘電体フィルタ
を置きリフロー炉を利用して誘電体フィルタの実装面の
入出力電極と基板の基板信号ライン１１を半田で電気的
に接着することにより、２２ＧＨｚ帯の２段の誘電体フ
ィルタを基板１０上に実装した。

【００４０】本実施例に用いた誘電体フィルタは、３．
００ｍｍ×８．８８ｍｍ×１．５ｍｍｔの大きさの２段
フィルタであり、比誘電率９．６の誘電体セラミックス
を用い、フィルタの貫通孔２０の大きさは、０．７５ｍ
ｍ×０．５ｍｍΦであり、側面の入出力電極構成部の大
きさは、１．５ｍｍ幅×０．７ｍｍ高さ、入出力電極５
の大きさは、０．５ｍｍライン幅であり、実装面側で
は、入出力電極構成部は、１．４ｍｍ幅×１．０ｍｍ奥
行、入出力電極５は、０．８ｍｍ幅×０．６ｍｍ奥行の
大きさのものを形成した。それ以外は実施例２と同様な
構成である。

【００４１】図９に図８の形態の基板に設置した誘電体
フィルタの特性を示す。中心周波数が２２３５０ＭＨ
ｚ、３ｄＢ帯域幅が４５０ＭＨｚでピーク点の挿入損失
は１．１０ｄＢであった。これより求めたＱｕ値は８５
０であり、挿入損失の小さい誘電体フィルタが得られ
た。

【００４２】このように、本発明の入出力電極パターン
を有する誘電体フィルタの実装面側の入出力電極と基板
信号ラインを半田等の導電性接着材により接着すること
により、誘電体フィルタを容易に基板に装着することが
でき、基板に実装した形態でも挿入損失の少ない誘電体
フィルタを容易に得られることが分かる。

【００４３】（実施例４）図１０に示した構造を３段フ
ィルタに適用した場合の実施形態を図１２に示す。比誘
電率２４の材料を用い、１１．７３ｍｍ×４．０ｍｍ×
２．０ｍｍｔの形状の３段フィルタを形成し、フィルタ
中央部に段間の電磁界結合形成用の０．８ｍｍΦの貫通
孔２０を１．０ｍｍの間隔を隔てて形成した。フィルタ
両端の共振器の側面には、２．０ｍｍ幅×１．０ｍｍ高
さの入出力電極構成部６を側面の実装面側から設定し、
その入出力電極構成部６内に０．７ｍｍライン幅の入出
力電極５を形成した。また、実装面には、２．４ｍｍ幅
×１．５ｍｍ奥行の入出力電極構成部６内に、１．５ｍ
ｍ幅×０．９ｍｍ奥行の入出力電極５を形成した。この
３段のフィルタを、表面に信号ラインとグランド電極を
形成した１０ｍｍ×２０ｍｍ×０．４ｍｍｔのテフロン
（Ｒ）基板に実装し、基板上の１．１７ｍｍの信号ライ
ンとフィルタの入出力電極５の実装面部分とを半田で電
気的に短絡した。

【００４４】図１３にこのようにして作製した誘電体フ
ィルタの特性を示す。中心周波数が１１６１０ＭＨｚ
で、３ｄＢ帯域幅が７８ＭＨｚでピーク点の挿入損失
が、２．７９ｄＢのものが得られた。これより求まるＱ
ｕ値は１０５０であり、従来のフィルタのＱｕ値に比べ
大きい値を示した。

【００４５】（実施例５）図４の構造を３段フィルタに
適用した実施形態を図１４に示す。比誘電率９．６の材
料を用い、１０．２３ｍｍ×３．００ｍｍ×１．５ｍｍ
ｔの形状の３段フィルタを形成し、フィルタ中央部に段
間の電磁界結合形成用の０．８ｍｍ×０．５ｍｍΦの貫
通した導電性長孔２０を形成した。フィルタ両端の共振
器の側面には、１．５ｍｍ幅×０．８ｍｍ高さの入出力
電極構成部６を側面の実装面側から設定し、その入出力
電極構成部６内に０．５５ｍｍライン幅の入出力電極５
を形成した。また、前記共振器の実装面には、１．４ｍ
ｍ幅×１．０ｍｍ奥行の入出力電極構成部６内に、０．
８ｍｍ幅×０．６ｍｍ奥行の入出力電極５を形成した。
この３段のフィルタを、表面に信号ラインとグランド電
極を形成した１０ｍｍ×２０ｍｍ×０．４ｍｍｔのテフ
ロン（Ｒ）基板に実装し、基板上の１．１７ｍｍの信号
ラインとフィルタの入出力電極５の実装面部分とを半田
で電気的に短絡した。

【００４６】図１５にこのようにして作製した誘電体フ
ィルタの特性を示す。中心周波数が２１９００ＭＨｚ
で、３ｄＢ帯域幅が３６０ＭＨｚでピーク点の挿入損失
が、２．０８ｄＢのものが得られた。これより求まるＱ
ｕ値は８５０であり、従来のフィルタのＱｕ値に比べ大
きい値を示した。

【００４７】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
おいては、誘電体フィルタの両端の共振器の一側面から
実装面にかけて、入出力電極を形成し、かつ、前記共振
器側面では入出力電極の上端がグランド電極に導通した
構造とすることにより、入出力結合を効率的に行うこと
ができ、そのため誘電体露出部の面積を小さくでき、電
磁波のリークの小さい低損失なフィルタとすることがで
きる。特に、入出力電極とグランド電極との短絡点を、
誘電体の側面の上端より下に設定することにより、さら
に誘電体露出部の面積を小さくでき、低損失のフィルタ
とすることができる。

【００４８】また、上記の構造を有することにより、従
来のように外部回路との接続に特別な金具を必要とせ
ず、外部回路との整合（ＶＳＷＲ）がばらつきにくい、
基板への実装性の優れた誘電体フィルタとすることがで
きる。

【００４９】また、実装後の外部回路との調整も共振器
側面に形成された入出力電極部分を削ることにより容易
に行うことができる。

【００５０】さらに、複数のＴＥモード共振器を１つの
誘電体ブロック内に形成することによって、共振器同士
を半田等で貼りつける工程が削減され、製造コストの低
減および貼りつけ時のずれによる帯域幅のばらつきが低
減される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る誘電体フィルタの一実施形態を示
す外観図である。

【図２】図１の誘電体フィルタの特性図である。

【図３】誘電体の露出面積とＱｕ値との関係を示す説明
図である。

【図４】本発明に係る誘電体フィルタの他の実施形態を
示す外観図である。

【図５】図４の誘電体フィルタの特性図である。

【図６】グランド電極と短絡点を有しない入出力電極を
形成した比較例となる誘電体フィルタの一実施形態を示
す外観図である。

【図７】図６の誘電体フィルタの特性図である。

【図８】本発明に係る誘電体フィルタを基板に実装した
一実施形態を示す外観図である。

【図９】図８の基板に実装した誘電体フィルタの特性図
である。

【図１０】本発明に係る誘電体フィルタの他の実施形態
を示す外観図である。

【図１１】本発明に係る誘電体フィルタの他の実施形態
を示す外観図である。

【図１２】本発明に係る誘電体フィルタの他の実施形態
を示す外観図である。

【図１３】図１２の誘電体フィルタの特性図である。

【図１４】本発明に係る誘電体フィルタの他の実施形態
を示す外観図である。

【図１５】図１４の誘電体フィルタの特性図である。

【図１６】従来の誘電体フィルタを示す外観斜視図であ
る。

【符号の説明】

１誘電体フィルタ２誘電体（共振器）３結合部４誘電体露出部５入出力電極６入出力電極構成部７短絡点８グランド電極９実装面１０基板１１基板信号ライン（引出電極）１２基板グランド電極１３Ｌ字金具２０貫通孔３０切り欠き（溝）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】概略直方体形状の１つの誘電体ブロック
内に複数の共振器を形成し、入出力電極と該入出力電極
に接する誘電体露出部とからなる入出力電極構成部、該
入出力電極構成部を除く前記誘電体ブロック表面に形成
されたグランド電極、および前記共振器同士を電磁界結
合する結合部を有するＴＥモード誘電体フィルタであっ
て、前記入出力電極構成部および前記入出力電極は前記
誘電体フィルタ両端の共振器の実装面と該実装面に隣接
する一側面とにかけて連続して形成され、前記一側面の
入出力電極の上端のみが前記グランド電極に導通する短
絡点を有していることを特徴とする誘電体フィルタ。
【請求項２】前記短絡点が前記誘電体フィルタ両端の
共振器の前記一側面の上端より低い位置に形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の誘電体フィルタ。
【請求項３】前記誘電体フィルタを絶縁体基板上に載
置し、前記絶縁体基板上に形成された基板信号ラインと
前記誘電体フィルタの入出力電極の実装面部分とを電気
的に接続したことを特徴とする請求項１または請求項２
記載の誘電体フィルタ。