JPH0234001A - 帯域阻止フイルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はマイクロ波帯の通信機器等に使用される帯域阻
止フィルタに関するものである。

従来の技術 従来、マイクロ波帯で使用される帯域阻止フィルタは複
数個の直列共振回路間を１／４波長の同軸ケーブルを用
いて接続して構成している。

ところで、帯域阻止フィルタにおいては阻止周波数帯の
高域側あるいは低域側の挿入損失を重視する場合が多い
。次に、その理由についてアンテナ共用器を一例にとっ
て説明する。

アンテナ共用器は移動無線機器等に用いられるものであ
り、このアンテナ共用器においては一般に送信用フィル
タが同一のアンテナの端子部で接続されており、送信側
から受信側への信号の回りこみを防ぐために送信（或は
受信）用フィルタの阻止周波数帯は受信（或は送信）用
フィルタの通過５．ｊ波数帯よりも広く設定されている
。又、特に最近では通話チャンネルの増加に伴い送信及
び受信の通過周波数帯が広帯域化し、両者の通過帯域が
接近してきている。これにより送信及び受信フィルタに
おける通過周波数帯と阻止周波数帯のバンドエツジの差
は減少する携行にあり両者の特性を満足することが困難
となってきている。この問題を解決するには周波数特性
の対称性を犠牲にしても阻止周波数帯の低減或は高域側
（通過周波数帯）の挿入損失を改善する必要がある。

上記したようなフィルタ特性を実現するものとして、特
開昭５６−７９５０２号公報に記載されているように複
数個の直列共振回路間を共振周波数の波長の１／４波長
より５〜２０％だけ長い（或は短かい）同軸ケーブルに
て接続する方法がある。この構造を有する帯域阻止フィ
ルタの周波数特性は非対称となり、中心周波数に対する
低域あるいは高域側の挿入損失を低減できるという特徴
がある。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記したような帯域阻止フィルタは各直
列共振器間を同軸ケーブルを用いて接続するものである
ため、材料コストの増加、加工及び組立工程における作
業時間の増加、更には同軸ケーブルを引き回すためのス
ペースを必要とし、製品寸法の増加という新たな問題を
生じる。

本発明は以上の問題点を解決し、小型で低コストの帯域
阻止フィルタを提供することを目的とす・る。

課題を解決するための手段 上記問題点を解決するため、本発明の帯域阻止フィルタ
は、一端に短絡部を有する同軸型共振器とこの同軸型共
振器の開放端の中心導体に一端が接続される第１のキャ
パシタからなる構造体を複数個配列し、隣接する第１の
キャパシタの間を第２のキャパシタあるいはインダクタ
を介して接続する。

作　　用 帯域阻止フィルタの非対称性は上記隣接する第１のキャ
パシタの間を接続するエレメントにより決定される。

つまり、上記エレメントがインダクタ或はキャパシタの
何れであるかによって、中心周波数に対する低域側或は
高域側の挿入損失が減少し、周波数特性（減衰特性）は
非対称となる。

実施例 第１図は本発明の帯域阻止フィルタの第１実施例を示す
図である。

第１図において１．２．３は一端に短絡部を有する同軸
型共振器であり、本実施例では第２図に示しているよう
に円筒状のセラミック誘電体４に中心導体５と外部導体
６及び短絡面７を形成したものを用いている。

尚、同軸型共振器としては断面形状が矩形状のもの、或
は特性インピーダンスが同軸型共振器内で変化するもの
（例えば第３図に示しているように、セラミック誘電体
８の外径が途中で変化しているもの等）を用いてもよい
。

上記同軸型共振器１，２．３の中心導体４には第１のキ
ャパシタ９，１０．１１の一端が接続され他端は基板１
２上に形成されたインダクタ或は第２のキャパシタを介
して隣接するもの同志が接続される。また、隣接する上
記同軸型共振器１゜２．３の外部導体間は半田等の導体
層を介して接続される。１３．１４は回路との接続に用
いる入出力端子である。

基板１２としては第４図及び第５図に示しているような
導体パターンを絶縁基板上に形成したものを用いた。

第４図は絶縁基板上にインダクタを構成した例であり、
絶縁基板としては低誘電率或は高透磁率のものを用いる
のが望ましく、本実施例ではガラスエポキシ基板を用い
、基板上に予め鋼箔を接着しておいたものをエツチング
処理し導体パターンを形成した。他の基板材料としては
、テフロン或はフェライト系セラミック基板等を用いて
も良い。

第５図は絶縁基板上にギヤ１５シタを構成した例で、絶
縁基板としては低透磁率或は高誘電率のｔ）のを用いる
のが望ましく、本実施例ではアルミナ基板を用い、Ａｇ
−Ｐｄ系の電極材料をスクリーン印刷して導体パターン
を形成した。

以上のような構成からなる帯域阻止フィルタの周波数特
性は非対称を示すようになり、第４図に示すインダクタ
を構成した基板を基板１２として用いた場合は低域側に
おける挿入損失が低減し、低域側の減衰特性は急峻とな
る。

尚、インダクタとしては基板上に構成されたちの以外に
、鋼線等をコイル状または波状に加工したものを用いて
も同様の結果が得られる。

また第５図に示すキャパシタを構成した基板を基板１２
として用いた場合は上記のようにインダクタを構成した
ものとは逆に高域側における挿入損失が減少し、高域側
の減衰特使は急峻となる。

以上のようにして得られる帯域阻止フィルタの製品寸法
は従来のものと比較すると大幅に小型化できる。

発明の効果 以上のように、本発明の帯域阻止フィルタは、一端に短
絡部を有する同軸型共振器とこの同軸型共振器の開放端
の中心導体に一端が接続される第１のキャパシタからな
る構造体を複数個配列し、隣接する第１のキャパシタの
間を第２のキャパシタあるいはインダクタを介して接続
することにより非対称な周波数特性を有する帯域素子フ
ィルタを得ることができ、更に各構造体間を接続するエ
レメントの構造が簡単であり、基板上に形成可能なキャ
パシタ或はインダクタであることから、製品の小型化、
低コスト化、特性の安定化に効果的である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の帯域阻止フィルタの側面図
、第２図は同実施例に用いた同軸型共振器の断面図、第
３図はその他の同軸型共振器の断面図、第４図はインダ
クタを構成した基板の平面図、第５図はキャパシタを構
成した基板の平面図である。 １．２，３・・・・・・同軸型共振器 ４．８・・・・・・セラミック誘電体、５・・・・・・
中心導体、６・・・・・・外部導体、７・・・・・・短
絡面、９．１０．１１・・・・・・キャパシタ、１２・
・・・・・基板、１３．１４・・・・・・入出力端子 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　はか１名派

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一端に短絡部を有する同軸型共振器とこの同軸型
   共振器の開放端の中心導体に一端が接続される第１のキ
   ャパシタとからなる構造体を複数個配列し、隣接する第
   １のキャパシタ間を第２のキャパシタとインダクタの何
   れか一方を介して接続することを特徴とする帯域阻止フ
   ィルタ。
2. （２）第２のキャパシタ或はインダクタが絶縁基板上に
   形成されてなることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   に記載の帯域阻止フィルタ。