JP2006222797A - 低域通過フィルタ、モジュール部品、及び、低域通過フィルタの製造方法 - Google Patents

低域通過フィルタ、モジュール部品、及び、低域通過フィルタの製造方法 Download PDF

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謙二 遠藤
Kiyoshi Hatanaka
潔 畑中
Haruo Nishino
晴雄 西野
Shigemitsu Tomaki
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Abstract

【課題】製品の小型化を図り得る低域通過フィルタ、及び、モジュール部品を提供する。
【解決手段】誘電体基体11は、第1の誘電体部分111と、第2の誘電体部分112とを含む。第2の誘電体部分112は、第1の誘電体部分111よりも高い比誘電率を持つ。信号線20は、第1の誘電体部分111の一面側、及び、第2の誘電体部分112の一面側に連続して形成されている。接地導体31は、第2の誘電体部分112の他面側に形成されている。
【選択図】 図1

Description

本発明は、低域通過フィルタ、モジュール部品、及び、低域通過フィルタの製造方法に関する。
高周波回路で用いられる低域通過フィルタとして、ストリップ、又は、マイクロストリップ構造の低域通過フィルタが知られている。
ストリップ、又は、マイクロストリップ構造の低域通過フィルタでは、信号線の一部の面積を大きくした大面積部分と、これに対向する接地導体とによりコンデンサ電極が形成され、大面積部分よりも細く形成された信号線の一部によりインダクタが形成され、LCフィルタが構成される。
この種の低域通過フィルタでは、信号線の一部に形成された大面積部分を大型にしなければ、十分な大きさのキャパシタンス成分が得られないので、大面積部分の大型化に伴い、製品が大型化するという問題があった。
また、十分な大きさのインダクタンス成分を得るためには、信号線の一部を極めて細く形成するか、長く引き回す必要があり、信号線の構造が複雑になる。このため、製造が困難になるという問題や、通過特性が劣化するという問題があった。
実開平2−38802号公報
本発明の課題は、製品の小型化を図り得る低域通過フィルタ、及び、モジュール部品を提供することである。
本発明のもう一つの課題は、単純な構造の低域通過フィルタ、及び、モジュール部品を提供することである。
本発明の更にもう一つの課題は、良好な低域通過特性を有する低域通過フィルタ、及び、モジュール部品を提供することである。
本発明の更にもう一つの課題は、本発明に係る低域通過フィルタの製造に適した製造方法を提供することである。
上述した課題を解決するため、本発明は、2つの態様に係る低域通過フィルタ、これらを用いたモジュール部品、及び、2つの態様に係る低域通過フィルタの製造方法を開示する。
1.第1の態様に係る低域通過フィルタ
本発明の第1の態様に係る低域通過フィルタは、誘電体基体と、信号線と、接地導体とを含む。誘電体基体は、第1の誘電体部分と、第2の誘電体部分とを含み、第2の誘電体部分は、第1の誘電体部分よりも高い比誘電率を持ち、第1の誘電体部分と横並びに隣接する。信号線は、一体に連続した線路であり、第1の誘電体部分の一面側、及び、第2の誘電体部分の一面側に形成されている。接地導体は、第2の誘電体部分の他面側に形成されている。
上述したように、本発明の第1の態様に係る低域通過フィルタでは、信号線の一部が第2の誘電体部分の一面側に形成され、第2の誘電体部分の他面側に形成された接地導体と対向している。第2の誘電体部分は、第1の誘電体部分よりも高い比誘電率を持つから、第2の誘電体部分に大容量のキャパシタンス成分が形成され、良好な低域通過特性を有するフィルタが構成される。
しかも、信号線の別の一部は、第1の誘電体部分の一面側に形成されている。第1の誘電体部分は、第2の誘電体部分よりも低い比誘電率を持つから、第1の誘電体部分に、浮遊容量の低減された大きなインダクタンス成分が形成され、良好な低域通過特性を有するフィルタが構成される。
また、第2の誘電体部分の高い比誘電率により、キャパシタンス成分の大容量化を図れるから、信号線の小面積化が可能であり、これに伴い、製品の小型化を図ることができる。
第1の誘電体部分の低い比誘電率により、浮遊容量の低減された大きなインダクタンス成分が得られるから、信号線の一部を極めて細くしたり、長く引き回す必要がなくなり、信号線の構造が単純になる。これにより、製造が容易になるとともに、通過特性の劣化を防止し得る。特に、信号線を幅の広いラインとすることが可能となり、導体損失が低減する、又は、通過損失が改善されるという効果が顕著に顕れることとなる。
また、信号線は、一体に連続した線路であり、第1、第2の誘電体部分の一面側のみに形成されているから、同一工程で容易に形成し得る。
2.第2の態様に係る低域通過フィルタ
本発明の第2の態様に係る低域通過フィルタは、誘電体基体と、信号線と、接地導体とを含む。誘電体基体は、第3の誘電体部分と、第4の誘電体部分とを含む。第4の誘電体部分は、第3の誘電体部分よりも厚みが薄く、第3の誘電体部分と横並びに隣接する。信号線は、一体に連続した線路であり、第3の誘電体部分の一面側、及び、第4の誘電体部分の一面側に形成されている。接地導体は、第4の誘電体部分の他面側に形成されている。
上述したように、本発明の第2の態様に係る低域通過フィルタは、第4の誘電体部分の一面側に形成された信号線の一部と、第4の誘電体部分の他面側に形成された接地導体とが、コンデンサ電極を形成しており、第4の誘電体部分が、第3の誘電体部分よりも厚みが薄くなっている。このため、第4の誘電体部分に大容量のキャパシタンス成分が形成され、良好な低域通過特性を有するフィルタが構成される。
しかも、信号線の別の一部は、第3の誘電体部分の一面側に形成されている。第3の誘電体部分は、第4の誘電体部分よりも厚みが厚いから、第3の誘電体部分に大きなインダクタンス成分が形成され、良好な低域通過特性を有するフィルタが構成される。
また、第4の誘電体部分の薄さにより、キャパシタンス成分の大容量化を図れるから、信号線の小面積化が可能であり、これに伴い、製品の小型化を図ることができる。
第3の誘電体部分の厚みにより、大きなインダクタンス成分が得られるから、信号線の一部を極めて細くしたり、長く引き回す必要がなくなり、信号線の構造が単純になる。これにより、製造が容易になるとともに、通過特性の劣化を防止し得る。特に、信号線を幅の広いラインとすることが可能となり、導体損失が低減する、又は、通過損失が改善されるという効果が顕著に顕れることとなる。
また、信号線は、一体に連続した線路であり、第3、第4の誘電体部分の一面側のみに形成されているから、同一工程で容易に形成し得る。
3.モジュール部品
本発明に係るモジュール部品は、低域通過フィルタと、主回路部とを含む。低域通過フィルタは、上述した本発明に係る低域通過フィルタである。主回路部は、低域通過フィルタと一体に構成されている。
上述したように、本発明に係るモジュール部品は、本発明に係る低域通過フィルタを含むので、低域通過フィルタの有する作用効果をそのまま得ることができる。
4.第1の態様に係る低域通過フィルタの製造方法
本発明の第1の態様に係る低域通過フィルタの製造方法では、まず、第1の誘電体グリーンシートと、第2の誘電体グリーンシートとを用意する。第1の誘電体グリーンシートは、第1の誘電体部分となるものであり、所定形状の切欠きを有する。第2の誘電体グリーンシートは、第2の誘電体部分となるものであり、切欠きに対応する形状を有する。次に、第1の誘電体グリーンシートの切欠きに、第2の誘電体グリーンシートを嵌め込んで複合シートを形成する工程を含む。
本発明の製造方法によれば、複合シートを用いて、第1の誘電体部分、及び、第2の誘電体部分を形成でき、第1の態様に係る低域通過フィルタを容易に製造し得る。
5.第2の態様に係る低域通過フィルタの製造方法
本発明の第2の態様に係る低域通過フィルタの製造方法では、まず、第3の誘電体グリーンシートと、導体シートとを用意する。第3の誘電体グリーンシートは、第3の誘電体部分の一部となるものであり、所定形状の切欠きを有する。導体シートは、接地導体の一部となるものであり、切欠きに対応する形状を有する。次に、第3の誘電体グリーンシートの切欠きに、導体シートを嵌め込んで複合シートを形成する工程を含む。
本発明の製造方法によれば、複合シートを用いて、第3の誘電体部分、及び、接地導体を形成でき、第2の態様に係る低域通過フィルタを容易に製造し得る。
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
(a)製品の小型化を図り得る低域通過フィルタ、及び、モジュール部品を提供することができる。
(b)単純な構造の低域通過フィルタ、及び、モジュール部品を提供することができる。
(c)良好な低域通過特性を有する低域通過フィルタ、及び、モジュール部品を提供することができる。
(d)本発明に係る低域通過フィルタの製造に適した製造方法を提供することができる。
本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施例によって更に詳しく説明する。
1.第1の態様に係る低域通過フィルタ
図1は本発明の第1の態様に係る低域通過フィルタの一実施例を示す外観斜視図、図2は図1に示した低域通過フィルタの分解斜視図である。
図1に示した低域通過フィルタは、マイクロストリップライン構造を有する。図示の低域通過フィルタは、チップ型積層フィルタであり、形状は、例えば、縦4.5mm×横3.2mm×高さ0.6mm程度である。
図1に示した低域通過フィルタは、例えば、携帯電話や無線LAN等の高周波を用いる製品に用いられる。本発明に係る低域通過フィルタは、単独で取引される電子部品であってもよいし、他の電子部品と一体化されたモジュール部品の一部であってもよい。
まず、図1、図2を参照すると、低域通過フィルタは、誘電体基体11と、信号線(伝送線路)20と、接地導体31とを含む。
誘電体基体11は、例えば、板状であり、第1の誘電体部分111と、第2の誘電体部分112とを含む。図において、第2の誘電体部分112は、、第1の誘電体部分111と横並びに隣接している。
第2の誘電体部分112は、第1の誘電体部分111よりも高い比誘電率を持つ。第1の誘電体部分111の比誘電率εr1と、第2の誘電体部分112の比誘電率εr2とは、比誘電率(εr2/εr1)が一桁以上(10倍以上)異なることが望ましい。
例えば、図示の実施例では、第1の誘電体部分111の比誘電率はεr1=6、第2の誘電体部分112の比誘電率はεr2=75とした。
誘電率εr1の誘電体材料はアルミナ、バリウム、シリカを主成分としたものを使用し、誘電率εr2の誘電体材料はバリウム、ネオジウム、チタンを主成分としたものを使用した。
第1、第2の誘電体部分111、112の材料は、特に限定がなく、例えば、一般的な高周波用の誘電体(所定の誘電率で、Q値が高く、温度特性の良好なもの)を使用し得る。但し、信号線20を形成する導体と同時焼成するために、信号線20の導体材料と同程度の温度で焼結が可能であることが好ましい。第1、第2の誘電体部分111、112の材料としては、例えば、セラミックス誘電体材料、有機系誘電体材料又は両者の複合材料等を挙げることができる。
信号線20は、一体に連続した線路であり、キャパシタ用導体211、212と、インダクタ用導体221、222、223とを含む。信号線20は、第1の誘電体部分111の一面側、及び、第2の誘電体部分112の一面側に形成されている。
すなわち、インダクタ用導体221〜223は、第1の誘電体部分111の一面側に形成され、キャパシタ用導体211、212は、第2の誘電体部分112の一面側に形成され、導体221−211−222−212−223が電気的、機械的に一連に接続されている。
信号線20の一端T1は、誘電体基体11の一端側に導出されており、他端T2は、誘電体基体11の一端側とは反対の他端側に導出されている。信号線20のパターン形状、太さ、長さ等は、得ようとする電気特性等に対応して選定されるべき設計的事項に属する。
電極ペーストを用いて信号線20を形成する場合、電極ペーストに用いられる導電性材料は、特に限定はないが、一般的な高周波用のものであることが好ましい。例えば、Ag、Au、Cu、Ag−Pd等の導電率の高い金属材料又は銅箔等によって構成することができる。
図において、接地導体31は、第1の誘電体部分111の他面側の全面、及び、第2の誘電体部分112の他面側の全面に形成されている。信号特性の劣化を防止するため、接地導体31は、第1、第2の誘電体部分111、112の略全面的に形成されることが好ましい。接地導体31の材料は任意である。
図3は、図1に示した低域通過フィルタの等価的電気回路図である。図3において、インダクタL1、L2、L3は、図2に示した信号線20のうち第1の誘電体部分111に形成された部分で構成されている。
コンデンサC1、C2の電極は、図2に示した信号線20のうち第2の誘電体部分112に形成された部分、及び、接地導体31のうち第2の誘電体部分112に形成された部分で構成されている。
図4は、図1に示した低域通過フィルタの特性図である。図において、横軸は周波数(GHz)を示し、縦軸は減衰量(dB)を示す。曲線S11は反射特性を示し、曲線S21は通過特性を示している。
図4を参照すると、低周波領域に通過帯域が形成され、高周波領域に通過帯域が形成されておらず、良好な低域通過フィルタ特性が得られている。
上述したように、本発明の第1の態様に係る低域通過フィルタでは、信号線20の一部211、212が第2の誘電体部分112の一面側に形成され、第2の誘電体部分112の他面側に形成された接地導体31と対向している。第2の誘電体部分112は、第1の誘電体部分111よりも高い比誘電率を持つから、第2の誘電体部分112に大容量のキャパシタンス成分C1、C2が形成され、良好な低域通過特性を有するフィルタが構成される。例えば、携帯電話や無線LAN等で使用される周波数において、良好な低域通過特性が実現される。
しかも、信号線20の別の一部221〜223は、第1の誘電体部分111の一面側に形成されている。第1の誘電体部分111は、第2の誘電体部分112よりも低い比誘電率を持つから、第1の誘電体部分111に大きなインダクタンス成分L1〜L3が形成され、良好な低域通過特性を有するフィルタが構成される。
また、第2の誘電体部分112の高い比誘電率により、キャパシタンス成分の大容量化を図れるから、信号線20の面積を小さくすることができ、製品の小型化を図り得る。
第1の誘電体部分111の低い比誘電率により、大きなインダクタンス成分が得られるから、信号線20の一部を極めて細くしたり、長く引き回す必要がなくなり、信号線20の構造が単純になる。これにより、製造が容易になるとともに、通過特性の劣化を防止し得る。特に、信号線20を幅の広いラインとすることが可能となり、導体損失が低減する、又は、通過損失が改善されるという効果が顕著に顕れることとなる。
また、信号線20は、一体に連続した線路であり、第1、第2の誘電体部分111、112の一面側のみに形成されているから、同一工程で容易に形成し得る。
更に、接地導体31が、第1、第2の誘電体部分111、112の他面側に形成され、信号線20をシールドする機能を果たすから、良好な電気特性が得られる。
図1、図2に示した低域通過フィルタは、マイクロストリップ構造であるから、誘電体基板上で簡易に形成することができ、半導体等を実装したり他の機能回路を形成したりする誘電体基板上に容易に適用できる。
図1に示した低域通過フィルタは、例えば、積層プロセスを適用することによって容易に製造できる。以下、図5を参照してグリーンシートを用いた製造方法の一実施例を説明する。
まず、図5(a)に示すように、ドクターブレード法等を用いて、比誘電率が低い材料からなる誘電体シート91を所定の厚みに成形する。次に、図5(b)に示すように、形成された誘電体シート91から所定部分を除去して、切欠きを形成し、第1の誘電体グリーンシート911を得る。第1の誘電体グリーンシート911は、第1の誘電体部分111となる部分である。
次に、図5(c)に示すように、同じくドクターブレード法等を用いて、比誘電率が高い材料からなる誘電体シート92を所定の厚みに成形する。次に、図5(d)に示すように、形成された誘電体シート92から第2の誘電体グリーンシート921を切出す。第2の誘電体グリーンシート921は、第2の誘電体部分112となる部分であり、第1の誘電体グリーンシート911の切欠きに対応する形状を有する。
次に、図5(e)に示すように、第1の誘電体グリーンシート911に、第2の誘電体グリーンシート921をはめ込み、複合シート93を得る。このとき、複合シート93が均一厚みのシートになるように、焼成縮率を考慮して、第1、第2の誘電体グリーンシート911、921を組合せることが好ましい。
次に、図5(f)に示すように、電極ぺーストを用いたスクリーン印刷法等により信号線20を形成し、焼成し、更に、図5(g)に示すように、接地導体31を形成し、完成品が得られる。
信号線20の形成に用いられる電極ペーストは、収縮挙動に関して、第1、第2の誘電体グリーンシート911、921との相性があっていることが好ましい。例えば、900℃程度で焼成可能な誘電体を用いればAg、Au、Cu、Ag−Pd等、導電率の高い金属が使用できる。
ビアホールや各導体及び電極を形成する導電性材料はAgを使用した。伝送線路を形成するグリーンシートの厚さは各々40μmである。
図示の製造方法では、1枚のシートに2本のライン(切欠き)か描かれ、1枚のシートで1つの完成品を得ているが、例えば、集合シートを用いて、1つのシートに多数の低域通過フィルタ要素を格子状に配列し、複数の完成品を同時に製造してもよい。また、本発明に係る低域通過フィルタは、例えば、印刷工法などを用いても製造し得る。
図6は本発明に係る低域通過フィルタの別の一実施例を示す分解斜視図である。以下の図において、同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明を省略する。
図6に示した低域通過フィルタは、図1に示した構成に加えて、基体12を含む。基体12は、誘電体基体11、及び、信号線20を被覆するように、その上に備えられている。基体12は、例えば、誘電体で構成することができる。接地導体31は、基体12の誘電体基体11、及び、信号線20が備えられていない側の面にも備えられている。
図6に示した低域通過フィルタは、ストリップライン構造を有するので、マイクロストリップライン構造の低域通過フィルタよりも良好な電気特性を得ることができる。ストリップライン構造の低域通過フィルタは、例えば、多層実装基板の内部や、或いは独立したチップ部品として構成することができる。
図示の低域通過フィルタは、図1〜図5に示した低域通過フィルタと同様の構成要素を有するので、同様の作用効果を奏することができる。以下の実施例の低域通過フィルタも、図1〜図6に示した低域通過フィルタと同様の構成要素を有するので、同様の作用効果を奏する。
図7は本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す分解斜視図である。図7に示した低域通過フィルタは、図1に示した構成に加えて、基体13を含む。基体13は、誘電体基体11と同様に、第1の誘電体部分111と、第2の誘電体部分112とを含む。
図7に示した低域通過フィルタは、信号線20の一面側及び他面側に、第1、第2の誘電体部分111、112が備えられているので、図1に示した低域通過フィルタの構成により得られる作用効果が、更に顕著に顕れる。
以下の実施例では、マイクロストリップ構造の低域通過フィルタを用いて説明するが、ストリップ構造にも適用できる。
2.第2の態様に係る低域通過フィルタ
図8は本発明の第2の態様に係る低域通過フィルタの一実施例を示す外観斜視図、図9は図8に示した低域通過フィルタの分解斜視図である。図8、図9において、低域通過フィルタは、誘電体基体51と、信号線20と、接地導体31とを含む。誘電体基体51は、第3の誘電体部分511と、第4の誘電体部分512とを含む。
第4の誘電体部分512は、第3の誘電体部分511よりも厚みが薄い。第4の誘電体部分512は、第3の誘電体部分511と横並びに隣接している。誘電体基体51の比誘電率εrは、例えば、εr=6程度である。
信号線20は、一体に連続した線路であり、第3の誘電体部分511の一面側、及び、第4の誘電体部分512の一面側に形成されている。図において、信号線20は、インダクタ用導体221〜223が、第3の誘電体部分511の一面側に形成され、キャパシタ用導体211、212が、第4の誘電体部分512の一面側に形成されている。
接地導体31は、平坦部分311と、凸部分312を含む。平坦部分311は、第3の誘電体部分511の他面側に形成され、凸部分312は、第4の誘電体部分512の他面側に形成されている。平坦部分311及び凸部分312は、電気的に接続されている。図示の実施例では、直方体形状の2つの凸部分312により、接地導体31の一部を信号線20に近接させているが、凸部分の形状、数などは任意である。
また、図示の実施例では、第4の誘電体部分512が第3の誘電体部分511よりも厚みが薄くなる構成を実現するために、凸部分312を用いて、接地導体31を信号線20に近接させているが、信号線20のキャパシタ用導体211、212を接地導体31に近接させてもよい。
上述したように、本発明の第2の態様に係る低域通過フィルタは、第4の誘電体部分512の一面側に形成された信号線20の一部211、212と、第4の誘電体部分512の他面側に形成された接地導体31とが、コンデンサ電極を形成しており、第4の誘電体部分512が、第3の誘電体部分511よりも厚みが薄くなっている。このため、第4の誘電体部分512に大容量のキャパシタンス成分が形成され、良好な低域通過特性を有するフィルタが構成される。
しかも、信号線20の別の一部221〜223は、第3の誘電体部分511の一面側に形成されている。第3の誘電体部分511は、第4の誘電体部分512よりも厚みが厚いから、第3の誘電体部分511に大きなインダクタンス成分が形成され、良好な低域通過特性を有するフィルタが構成される。
また、第4の誘電体部分512の薄さにより、キャパシタンス成分の大容量化を図れるから、信号線20の小面積化が可能であり、これに伴い、製品の小型化を図ることができる。
第3の誘電体部分511の厚みにより、大きなインダクタンス成分が得られるから、信号線20の一部を極めて細くしたり、長く引き回す必要がなくなり、信号線20の構造が単純になる。これにより、製造が容易になるとともに、通過特性の劣化を防止し得る。
また、信号線20は、一体に連続した線路であり、第3、第4の誘電体部分511、512の一面側のみに形成されているから、同一工程で容易に形成し得る。
更に、接地導体31が、第3、第4の誘電体部分511、512の他面側に形成され、信号線20をシールドする機能を果たすから、良好な電気特性が得られる。
図8、図9に示した低域通過フィルタは、例えば、シート積層プロセスを適用することによって容易に製造できる。以下、図10を参照してグリーンシートを用いた製造方法の一実施例を説明する。
まず、図10(a)に示すように、ドクターブレード法等を用いて、誘電体シート94を所定の厚みに成形する。次に、図10(b)に示すように、形成された誘電体シート94の所定部分を除去して、切欠きを形成し、第3の誘電体グリーンシート941を得る。第3の誘電体グリーンシート941は、第3の誘電体部分511の一部となる部分である。
次に、図10(c)に示すように、同じくドクターブレード法等を用いて、第4の誘電体グリーンシート951を所定の厚みに成形する。第4の誘電体グリーンシート951は、第3の誘電体部分511の一部、及び、第4の誘電体部分512となる部分である。
次に、図10(d)に示すように、電極ペーストを用いて、所定厚みのシート96成形し、図10(e)に示すように、シート96から導体シート961を切出す。導体シート961は、凸部分312となる部分であり、第3の誘電体グリーンシート941の切欠きに対応する形状を有する。
次に、図10(f)に示すように、第3の誘電体グリーンシート941に導体シート961をはめ込み、複合シート97を得る。このとき、複合シート97が均一厚みのシートになるように、焼成縮率を考慮して、第3の誘電体グリーンシート941、及び、導体シート961を組合せることが好ましい。
次に、図10(g)〜(i)に示すように、複合シート97に第4の誘電体グリーンシート951を積層し、第4の誘電体グリーンシート951上に信号線20を形成し、所定の大きさに切断し、焼成し、接地導体31を形成し、完成品が得られる。
なお、信号線20は、例えば、電極ぺ一ストを用いたスクリーン印刷法等により形成できる。信号線20の形成に用いられる電極ペーストは、収縮挙動に関して、誘電体シート94、951、導体シート96との相性があっていることが好ましい。例えば、900℃程度で焼成可能な誘電体を用いればAg、Au、Cu、Ag−Pd等、導電率の高い金属が使用できる。
図11は本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す外観斜視図、図12は図11に示した低域通過フィルタの分解斜視図である。図11に示した低域通過フィルタは、第1の態様に係る低域通過フィルタの構成と、第2の態様に係る低域通過フィルタの構成とを併せ持つ。
図11、図12において、低域通過フィルタは、誘電体基体61と、信号線20と、接地導体31とを含む。誘電体基体61において、第4の誘電体部分512は、第3の誘電体部分511よりも高い比誘電率を持ち、かつ、第3の誘電体部分511よりも厚みが薄い。すなわち、誘電体基体61は、図1に示した誘電体基体11の構成と、図8に示した誘電体基体51の構成とを併せ持つ。
信号線20は、第3の誘電体部分511の一面側、及び、第4の誘電体部分512の一面側に、連続して形成されている。接地導体31は、平坦部分311と、凸部分312を含む。平坦部分311は、第3の誘電体部分511の他面側に形成され、凸部分312は、第4の誘電体部分512の他面側に形成されている。
図示の低域通過フィルタは、上述した第1の態様に係る低域通過フィルタの構成と、第2の態様に係る低域通過フィルタの構成とを併せ持つので、両者の構成に起因する優れた作用効果を奏することができる。
以下の実施例の低域通過フィルタも、図1〜図12に示した低域通過フィルタと同様の構成要素を有するので、同様の作用効果を奏することができる。
図13は本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す外観斜視図、図14は図13に示した低域通過フィルタの分解斜視図である。図13、図14において、信号線20は、例えば、線幅が均一な一直線の形状を有する。
図示の低域通過フィルタは、信号線20が一直線状であるが、第4の誘電体部分512に形成された大容量のキャパシタ、及び、第3の誘電体部分511に形成された大きなインダクタンスにより、良好な低域通過特性が得られる。
また、図示の低域通過フィルタは、信号線20が単純な形状であるから、容易に、かつ、歩留まり良く製造することができる。
図15は本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す外観斜視図である。図15において、低域通過フィルタは、第4の誘電体部分512が3箇所設けられ、第3の誘電体部分511が4箇所設けられ、3段のローパスフィルタが構成されている。
図示のように、本発明に係る低域通過フィルタは、構造が簡単であるから、キャパシタやインダクタの個数を任意に設定できる。また、減衰極を設置するために別途電極を設けても良い。
LCフィルタの構成は任意であるが、製品の小型化、及び、フィルタ設計の自由度を考慮すると、段数は2〜3段程度とすることが好ましい。
図16は本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す分解斜視図である。図16において、低域通過フィルタは、第4の誘電体部分512、及び、凸部分312の形状が円板形状になっている。
図示のように、本発明に係る低域通過フィルタは、構造が簡単であるから、第3の誘電体部分511、又は、第4の誘電体部分512等の形状を容易に変更でき、フィルタ設計の自由度が高くなる。
図17は本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す分解斜視図である。図17において、低域通過フィルタは、第3、第4の誘電体部分511、512等の形状が簡単であるから、一段と容易、かつ、歩留まり良く製造することができる。
図18は本発明に係るモジュール部品の一実施例を示す外観斜視図である。図において、図1〜図17に現れた構成部分と同一の部分については、同一の参照符号を付し、重複説明を省略する。
図18において、本発明に係るモジュール部品は、例えば、携帯電話や無線LAN等の通信機器に使用されるアンテナ、カプラ、デュプレクサ等である。図示のモジュール部品は、主回路部と、低域通過フィルタとが一体に構成されている。
低域通過フィルタは、上述した本発明に係る低域通過フィルタであり、誘電体基体81の上部に構成されている。即ち、誘電体基体81の上部に、誘電体基体11と、信号線20、接地導体31が形成されている。誘電体基体11は、第1の誘電体部分111と、第2の誘電体部分112とを含む。
主回路部は、キャパシタC21、C22、インダクタL21、L22等を有し、誘電体基体81の内部に構成されている。
本発明に係るモジュール部品は、本発明に係る低域通過フィルタを含むので、低域通過フィルタの有する作用効果をそのまま得ることができる。
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
本発明の第1の態様に係る低域通過フィルタの一実施例を示す外観斜視図である。 図1に示した低域通過フィルタの分解斜視図である。 図1に示した低域通過フィルタの等価的電気回路図である。 図1に示した低域通過フィルタの特性図である。 本発明の低域通過フィルタの製造工程を説明する図である。 本発明に係る低域通過フィルタの別の一実施例を示す分解斜視図である。 本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す分解斜視図である。 本発明の第2の態様に係る低域通過フィルタの一実施例を示す外観斜視図である。 図8に示した低域通過フィルタの分解斜視図である。 本発明の低域通過フィルタの製造工程を説明する別の図である。 本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す外観斜視図である。 図11に示した低域通過フィルタの分解斜視図である。 本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す分解斜視図である。 図13に示した低域通過フィルタの外観斜視図である。 本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す外観斜視図である。 本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す分解斜視図である。 本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す分解斜視図である。 本発明に係るモジュール部品の一実施例を示す外観斜視図である。
符号の説明
20 信号線
11 誘電体基体
111 第1の誘電体部分
112 第2の誘電体部分
31 接地導体

Claims (12)

  1. 誘電体基体と、信号線と、接地導体とを含む低域通過フィルタであって、
    前記誘電体基体は、第1の誘電体部分と、第2の誘電体部分とを含み、前記第2の誘電体部分は、前記第1の誘電体部分よりも高い比誘電率を持ち、前記第1の誘電体部分と横並びに隣接し、
    前記信号線は、一体に連続した線路であり、前記第1の誘電体部分の一面側、及び、前記第2の誘電体部分の一面側に形成され、
    前記接地導体は、前記第2の誘電体部分の他面側に形成されている
    低域通過フィルタ。
  2. 請求項1に記載された低域通過フィルタであって、
    前記接地導体は、更に、前記第1の誘電体部分の他面側に形成されている
    低域通過フィルタ。
  3. 請求項1又は2に記載された低域通過フィルタであって、更に、基体を含み、
    前記基体は、前記誘電体基体、及び、前記信号線の上に備えられ、
    前記接地導体は、更に、前記基体の前記信号線が備えられていない側の面に形成されている
    低域通過フィルタ。
  4. 請求項1乃至3の何れかに記載された低域通過フィルタであって、
    前記信号線のうち前記第1の誘電体部分に形成された部分は、インダクタの機能を果たし、
    前記信号線のうち前記第2の誘電体部分に形成された部分、及び、前記接地導体のうち前記第2の誘電体部分に形成された部分は、コンデンサ電極の機能を果たす
    低域通過フィルタ。
  5. 誘電体基体と、信号線と、接地導体とを含む低域通過フィルタであって、
    前記誘電体基体は、第3の誘電体部分と、第4の誘電体部分とを含み、前記第4の誘電体部分は、前記第3の誘電体部分よりも厚みが薄く、前記第3の誘電体部分と横並びに隣接し、
    前記信号線は、一体に連続した線路であり、前記第3の誘電体部分の一面側、及び、前記第4の誘電体部分の一面側に形成され、
    前記接地導体は、前記第4の誘電体部分の他面側に形成されている
    低域通過フィルタ。
  6. 請求項5に記載された低域通過フィルタであって、
    前記接地導体は、更に、前記第3の誘電体部分の他面側に形成されている
    低域通過フィルタ。
  7. 請求項5又は6に記載された低域通過フィルタであって、更に、基体を含み、
    前記基体は、前記誘電体基体、及び、前記信号線の上に備えられ、
    前記接地導体は、更に、前記基体の前記信号線が備えられていない側の面に形成されている
    低域通過フィルタ。
  8. 請求項5乃至7の何れかに記載された低域通過フィルタであって、
    前記信号線のうち前記第3の誘電体部分に形成された部分は、インダクタの機能を果たし、
    前記信号線のうち前記第4の誘電体部分に形成された部分、及び、前記接地導体のうち前記第4の誘電体部分に形成された部分は、コンデンサ電極の機能を果たす
    低域通過フィルタ。
  9. 請求項5乃至8の何れかに記載された低域通過フィルタであって、
    前記第4の誘電体部分は、前記第3の誘電体部分よりも高い比誘電率を持つ
    低域通過フィルタ。
  10. 請求項1乃至4の何れかに記載された低域通過フィルタの製造方法であって、
    第1の誘電体グリーンシートと、第2の誘電体グリーンシートとを用意し、前記第1の誘電体グリーンシートは、前記第1の誘電体部分となるものであり、所定形状の切欠きを有し、前記第2の誘電体グリーンシートは、前記第2の誘電体部分となるものであり、前記切欠きに対応する形状を有し、
    次に、前記第1の誘電体グリーンシートの前記切欠きに、前記第2の誘電体グリーンシートを嵌め込んで複合シートを形成する工程を含む
    低域通過フィルタの製造方法。
  11. 請求項5乃至9の何れかに記載された低域通過フィルタの製造方法であって、
    第3の誘電体グリーンシートと、導体シートとを用意し、前記第3の誘電体グリーンシートは、前記第3の誘電体部分の一部となるものであり、所定形状の切欠きを有し、前記導体シートは、前記接地導体の一部となるものであり、前記切欠きに対応する形状を有し、
    次に、前記第3の誘電体グリーンシートの前記切欠きに、前記導体シートを嵌め込んで複合シートを形成する工程を含む
    低域通過フィルタの製造方法。
  12. 低域通過フィルタと、主回路部とを含むモジュール部品であって、
    前記低域通過フィルタは、請求項1乃至9の何れかに記載されたものであり、
    前記主回路部は、前記低域通過フィルタと一体に構成されている
    モジュール部品。
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