JPS61142803A - マイクロ波集積回路 - Google Patents
マイクロ波集積回路Info
- Publication number
- JPS61142803A JPS61142803A JP59264557A JP26455784A JPS61142803A JP S61142803 A JPS61142803 A JP S61142803A JP 59264557 A JP59264557 A JP 59264557A JP 26455784 A JP26455784 A JP 26455784A JP S61142803 A JPS61142803 A JP S61142803A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- dielectric substrate
- semiconductor substrate
- hole
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は誘電体基板と半導体基板とを用いた集積回路の
構成に関するものである。
構成に関するものである。
(従来の技術)
従来この種の装置は第4図に示すように誘電体基板3の
間に半導体基板5を挿入し、各基板上に設けたマイクロ
ストリップ線路4.7を金属シート8を用いて接続する
構成であった。6は各基板の表面の高さを等しくして接
続部の不連続を無くするためのものであり1通常溝体が
用いられている。
間に半導体基板5を挿入し、各基板上に設けたマイクロ
ストリップ線路4.7を金属シート8を用いて接続する
構成であった。6は各基板の表面の高さを等しくして接
続部の不連続を無くするためのものであり1通常溝体が
用いられている。
(発明が解決しようとする問題点)
本構成では、誘電体基板と半導体基板の厚みの差が大き
い場合、基板を設置するための導体6の突起部の高さが
高くなるため、基板接続部の不連続成分が増大し、接続
損失が増加する欠点があった。また、このため半導体基
板の厚さを誘電体基板に比較して小さくできず、この基
板上の回路の寸法の大きさが制限されてしまう問題があ
る。逆に、薄い半導体基板を用いた場合、誘電体基板の
厚さを薄くする必要があるが、これは機械工作上誘電体
基板の大きさを大きくできず、誘電体基板上に配置する
回路の大きさが制限されていまう問題があった0本発明
はこれらの欠点を改善することを目的とする。
い場合、基板を設置するための導体6の突起部の高さが
高くなるため、基板接続部の不連続成分が増大し、接続
損失が増加する欠点があった。また、このため半導体基
板の厚さを誘電体基板に比較して小さくできず、この基
板上の回路の寸法の大きさが制限されてしまう問題があ
る。逆に、薄い半導体基板を用いた場合、誘電体基板の
厚さを薄くする必要があるが、これは機械工作上誘電体
基板の大きさを大きくできず、誘電体基板上に配置する
回路の大きさが制限されていまう問題があった0本発明
はこれらの欠点を改善することを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明の特徴のひとつは、aA誘電体基板半導体基板を
有する集積回路において、誘電体基板が裏面に貫通しな
い穴を有し、この穴に半導体素子を搭載する半導体基板
が取り付けられ、誘電体基板上の第1の伝送線路と半導
体基板上の第2の伝送線路とが接続される集積回路にあ
る。
有する集積回路において、誘電体基板が裏面に貫通しな
い穴を有し、この穴に半導体素子を搭載する半導体基板
が取り付けられ、誘電体基板上の第1の伝送線路と半導
体基板上の第2の伝送線路とが接続される集積回路にあ
る。
(作用)
L記構酸によると反動体基板が誘電体基板の穴の中に収
容されるので基板の接続部の高さの不連続性がなく、両
系板を低損失で接続することができる。
容されるので基板の接続部の高さの不連続性がなく、両
系板を低損失で接続することができる。
(実施例)
第1図は本発明の実施例であり、1.2は信号入出力ボ
ート、3は誘電体基板、20は半導体基板、4.21は
マイクロストリップ線路、8はマイクロストリップ線路
を接続するための金属シート、17は誘電体基板内に設
けた穴である。
ート、3は誘電体基板、20は半導体基板、4.21は
マイクロストリップ線路、8はマイクロストリップ線路
を接続するための金属シート、17は誘電体基板内に設
けた穴である。
穴I7の深さは基板20の厚みと一致させ、マイクロス
トリップ線路の接続部の段差を無くし、不連続成分を無
くするとかできる。そのため、本構成では不連続部によ
る接続損失の増加を少なくすることができる。また、不
連続部の影響は周波数の増大とともに増加する傾向があ
るため1本構成は高周波帯で動作させる回路に適してい
る。
トリップ線路の接続部の段差を無くし、不連続成分を無
くするとかできる。そのため、本構成では不連続部によ
る接続損失の増加を少なくすることができる。また、不
連続部の影響は周波数の増大とともに増加する傾向があ
るため1本構成は高周波帯で動作させる回路に適してい
る。
第4図の従来例では半導体基板5の下面に接地導体23
を設けて導体部6との電気的接続を図っているが、第1
図の実施例では半導体基板20の下面に接地導体が不要
であり、製造工程の簡素化が図られている。
を設けて導体部6との電気的接続を図っているが、第1
図の実施例では半導体基板20の下面に接地導体が不要
であり、製造工程の簡素化が図られている。
本構成では半導体基板20の厚みを十分薄くすることが
でき、基板上の回路パターンを小さくできる利点がある
。また、誘電体基板の厚みを薄くする必要がなく、その
ため面積の大きな基板を用いることができ、誘電体基板
上に種々の回路を配置できる利点がある。
でき、基板上の回路パターンを小さくできる利点がある
。また、誘電体基板の厚みを薄くする必要がなく、その
ため面積の大きな基板を用いることができ、誘電体基板
上に種々の回路を配置できる利点がある。
第2図は本発明の他の実施例であり、9は誘電体基板1
8の上に設けたコプレナー線路、llはその中心導体、
12 、13は外部導体であり、lOは半導体基板19
上のコプレナー線路、14はその中心導体、15.18
は外部導体である。 17は誘電体基板内に設けた穴で
あり、8は各基板上のコプレナー線路接続するための金
属シートである。
8の上に設けたコプレナー線路、llはその中心導体、
12 、13は外部導体であり、lOは半導体基板19
上のコプレナー線路、14はその中心導体、15.18
は外部導体である。 17は誘電体基板内に設けた穴で
あり、8は各基板上のコプレナー線路接続するための金
属シートである。
コプレナー線路は第1図のマイクロストリップ線路4と
異り、基板の裏面には接地導体22が無く、そのかわり
基板の上面に中心導体と外部導体(これはマイクロスト
リップ線路の接地導体と同様のmきをする)を同時に配
置している。そのため、このような共平面線路(通常、
コプレナー線路等の接地導体が基板の上面にある線路を
このようによんでいる)を有する基板を第4図に示した
導体6を用いる構成で接続する場合、基板の下面に導体
が存在することになり、伝送線路の特性インピーダンス
が変化してしまう欠点がある。ところが、第3図に示す
本発明による構成では半導体基板を誘電体基板内に設け
た穴の中に埋め込んで接続するため、半導体基板の下面
には導体が存在せず特性インピーダンスが変化してしま
い、特性が劣化する問題がある。
異り、基板の裏面には接地導体22が無く、そのかわり
基板の上面に中心導体と外部導体(これはマイクロスト
リップ線路の接地導体と同様のmきをする)を同時に配
置している。そのため、このような共平面線路(通常、
コプレナー線路等の接地導体が基板の上面にある線路を
このようによんでいる)を有する基板を第4図に示した
導体6を用いる構成で接続する場合、基板の下面に導体
が存在することになり、伝送線路の特性インピーダンス
が変化してしまう欠点がある。ところが、第3図に示す
本発明による構成では半導体基板を誘電体基板内に設け
た穴の中に埋め込んで接続するため、半導体基板の下面
には導体が存在せず特性インピーダンスが変化してしま
い、特性が劣化する問題がある。
したがって、本発明はコプレナー線路等の共平面線路を
用いる回路を配置した誘電体基板及び半導体基板を接続
するのに適した構成法である。
用いる回路を配置した誘電体基板及び半導体基板を接続
するのに適した構成法である。
第3図は本発明の他の実施例であり、24.25は入出
力ポート、2Bは低域通過フィルタ、27は方向性結合
器、28はダミー、2Bは誘電体共振器、30゜31は
半導体基板である。このように種々の機能を有する周辺
回路を誘電体基板上に配置することによって半導体基板
を有効に使用することができ。
力ポート、2Bは低域通過フィルタ、27は方向性結合
器、28はダミー、2Bは誘電体共振器、30゜31は
半導体基板である。このように種々の機能を有する周辺
回路を誘電体基板上に配置することによって半導体基板
を有効に使用することができ。
集積回路の低価格化を図ることのできる利点がある。
(発明の効果)
以上説明したように、誘電体基板内に設けた穴の中に半
導体基板を組み込んで各基板上の伝送線路を接続してい
るため、半導体基板を薄くすることができ、そのための
基板上の回路パターンを小さくでき、基板上に多数の回
路を設けることができるとともに、:A重体基板を薄く
する必要がないため基板の面積を大きくでき、そのため
この基板上に種々の回路を配置できる利点がある。また
、本発明はコプレナー線路等の共平面線路を用いた各基
板を回路の特性劣化をともなわずに接続できる利点もあ
る。さらに、複数の半導体基板を実装し、誘電体基板上
に周辺回路を設けることにより経済的な集積回路を実現
できる利点もある。
導体基板を組み込んで各基板上の伝送線路を接続してい
るため、半導体基板を薄くすることができ、そのための
基板上の回路パターンを小さくでき、基板上に多数の回
路を設けることができるとともに、:A重体基板を薄く
する必要がないため基板の面積を大きくでき、そのため
この基板上に種々の回路を配置できる利点がある。また
、本発明はコプレナー線路等の共平面線路を用いた各基
板を回路の特性劣化をともなわずに接続できる利点もあ
る。さらに、複数の半導体基板を実装し、誘電体基板上
に周辺回路を設けることにより経済的な集積回路を実現
できる利点もある。
第1図は本発明の特許請求の範囲(1)の実施例を示す
図、第2図は本発明の他の実施例であり。 第3図は特許請求の範囲(2)の実施例、第4図は従来
の集積回路の構成例である。 1 .2.24.25・・・入出力ポート、3.18・
・・誘電体基板、 4.7.21・・・マイクロストリップ線路。 5.19,20.30.31・・・半導体基板。 6・・・導体部、 8・・・金属シート。 9.10・・・コプレナー線路、 11 、14・・・中心導体。 12.13,15.18・・・外部導体、17・・・穴
、 22 、23・・・接地導体、 26・・・低域通過フィルタ、 27・・・方向性結合器。 28・・・ダミー、 29・・・誘電体共振器。
図、第2図は本発明の他の実施例であり。 第3図は特許請求の範囲(2)の実施例、第4図は従来
の集積回路の構成例である。 1 .2.24.25・・・入出力ポート、3.18・
・・誘電体基板、 4.7.21・・・マイクロストリップ線路。 5.19,20.30.31・・・半導体基板。 6・・・導体部、 8・・・金属シート。 9.10・・・コプレナー線路、 11 、14・・・中心導体。 12.13,15.18・・・外部導体、17・・・穴
、 22 、23・・・接地導体、 26・・・低域通過フィルタ、 27・・・方向性結合器。 28・・・ダミー、 29・・・誘電体共振器。
Claims (2)
- (1)誘電体基板と半導体基板を有する集積回路におい
て、誘電体基板が裏面に貫通しない穴を有し、この穴に
半導体素子を搭載する半導体基板が取り付けられ、誘電
体基板上の第1の伝送線路と半導体基板上の第2の伝送
線路とが接続されることを特徴とする集積回路。 - (2)誘電体基板と半導体基板を有する集積回路におい
て、誘電体基板が裏面に貫通しない複数の穴を有し、各
穴に半導体素子を搭載する半導体基板がとりつけられ、
誘電体基板上の第1の伝送線路と半導体基板上の第2の
伝送線路とが接続され、上記誘電体基板には第1の伝送
線路で接続される周辺回路が搭載されることを特徴とす
る集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59264557A JPH0783071B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | マイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59264557A JPH0783071B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | マイクロ波集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61142803A true JPS61142803A (ja) | 1986-06-30 |
JPH0783071B2 JPH0783071B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=17404929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59264557A Expired - Fee Related JPH0783071B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | マイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0783071B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006222797A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Tdk Corp | 低域通過フィルタ、モジュール部品、及び、低域通過フィルタの製造方法 |
JP2007329192A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 高周波回路チップの実装構造を有した電子装置 |
JP2008543248A (ja) * | 2005-06-06 | 2008-11-27 | レイセオン カンパニー | マイクロ波及びミリ波システム強化用インダクタンス低減接続構造 |
JP2011061387A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | 高周波モジュール |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS512792A (en) * | 1974-06-28 | 1976-01-10 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | Pp suchirensurupponsananmoniumujugotaino seizohoho |
-
1984
- 1984-12-17 JP JP59264557A patent/JPH0783071B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS512792A (en) * | 1974-06-28 | 1976-01-10 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | Pp suchirensurupponsananmoniumujugotaino seizohoho |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006222797A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Tdk Corp | 低域通過フィルタ、モジュール部品、及び、低域通過フィルタの製造方法 |
JP2008543248A (ja) * | 2005-06-06 | 2008-11-27 | レイセオン カンパニー | マイクロ波及びミリ波システム強化用インダクタンス低減接続構造 |
JP2007329192A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 高周波回路チップの実装構造を有した電子装置 |
JP2011061387A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | 高周波モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0783071B2 (ja) | 1995-09-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |