JP4814911B2 - 高周波遷移線の垂直遷移構造 - Google Patents
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Description
12 共平面導波路
14 凸ブロック
16 回路層
18 マイクロウェーブチップパッケージ体
11 基材
13、23 接地部分
15、231 信号線
131 拡大部分
151 末端
17、27 誘電層
19 フォトレジスト層
191、193 パターン
201、203、251a、251b、253a、253b 導電連接構造
29 チップ
Claims (19)
- 高周波遷移線の遷移構造であって、
絶縁表面を有する基材と、
前記絶縁表面上にあり、棒状部分及び末端を有する信号線と、前記信号線と同一平面上に設置され、前記信号線と離間し、かつ絶縁し、前記棒状部分を包囲すると共に、前記末端の周囲に拡大部分を形成する接地部分と、を有する高周波伝送線パターンと、
前記高周波伝送線パターン上に前記高周波伝送線パターンを覆うように位置し、前記末端、及び、前記接地部分の拡大部分を露出する誘電層と、
前記誘電層に位置すると共に、前記露出した拡大部分を完全に覆う第一導電連接構造と、
前記誘電層上に位置すると共に、前記露出した末端を完全に覆う第二導電連接構造と、
を備え、
前記第一導電連接構造は、軸心となる前記第二導電連接構造とともに同軸遷移構造を形成する遷移構造。 - 前記拡大部分と前記末端との間隔は、前記接地部分と前記棒状部分との間隔より大きいことを特徴とする請求項1に記載の遷移構造。
- 前記基材の材料は、ガラス、シリコン基材、セラミック、或いは、高分子であることを特徴とする請求項1に記載の遷移構造。
- 前記高周波伝送線パターンの材料は、銅層、或いは、金層であることを特徴とする請求項1に記載の遷移構造。
- 前記第一導電連接構造と前記第二導電連接構造の材料は、チタン層、及び、金層であることを特徴とする請求項1に記載の遷移構造。
- 前記第二導電連接構造は、円柱形状を有し、且つ、前記第一導電連接構造は、環状形状を有して、前記第二導電連接構造を囲繞することを特徴とする請求項1に記載の遷移構造。
- チップの遷移構造であって、
絶縁表面を提供するチップと、
前記絶縁表面上に位置し、棒状部分と二つの末端を有する信号線と、
前記信号線と同一平面上に配置され、前記信号線と離間し、かつ電気的に絶縁し、前記棒状部分を包囲すると共に、前記二つの末端のそれぞれの周囲に、拡大部分を形成する接地部分と、
前記信号線及び前記接地部分上に前記信号線及び前記接地部分を覆うように位置し、前記二つの末端、及び、一部の前記拡大部分を露出する誘電層と、
前記誘電層上に位置すると共に、それぞれ、二つの露出した前記拡大部分に対応し、前記二つの露出した拡大部分を完全に覆う二つの第一導電連接部分と、
前記誘電層上に位置すると共に、露出した前記二つの末端のそれぞれを完全に覆う二つの第二導電連接部分と
を備え、
前記二つの第一導電連接部分は、軸心となる前記二つの第二導電連接部分の一つとともにそれぞれ同軸遷移構造を形成する遷移構造。 - 前記信号線と前記接地部分の材料は、銅層、或いは、金層であることを特徴とする請求項7に記載の遷移構造。
- 前記第一導電連接構造と前記第二導電連接構造の材料は、チタン層、及び、金層であることを特徴とする請求項7に記載の遷移構造。
- 前記第二導電連接構造は、円柱形状を有し、且つ、前記第一導電連接構造は、環状形状を有し、前記第二導電連接構造を囲繞することを特徴とする請求項7に記載の遷移構造。
- 高周波フリップチップパッケージ構造であって、
同一平面上に離間して設置され、電気的に絶縁している第一信号線及び第一接地部分であって、少なくとも一つの第一棒状部分と少なくとも一つの第一末端とを有する前記第一信号線、及び前記第一棒状部分を包囲すると共に前記第一末端の周囲に形成された少なくとも第一拡大部分を有する前記第一接地部分を有する基板と、
同一平面上に離間して設置され、電気的に絶縁している第二信号線及び第二接地部分であって、一つの第二棒状部分と二つの第二末端を有する前記第二信号線、及び前記第二棒状部分を包囲すると共に前記二つの第二末端の周囲にそれぞれ形成された二つの第二拡大部分を有する前記第二接地部分を有するフリップチップと、
前記第一末端が前記二つの第二末端のうちの一つと重なり合うように配置された前記基板と前記フリップチップとの間に形成され、少なくとも前記第一末端、前記第一拡大部分、前記第一末端と重なり合う前記第二末端、及び前記第一末端と重なり合う前記第二末端の周囲の前記第二拡大部分を露出しつつ、前記第一信号線、前記第一接地部分、前記第二信号線、及び前記第二接地部分を覆う誘電層と、
前記基板と前記フリップチップ間に設置され、前記第一接地部分の露出した前記第一拡大部分と前記第二接地部分の露出した前記第二拡大部分とをそれぞれ完全に覆う第一導電連接構造と、
前記基板と前記フリップチップ間に設置され、前記第一信号線の露出した前記第一末端と前記第二信号線の露出した前記第二末端とを完全に覆う第二導電連接構造と
を備え、
前記第一導電連接構造は、軸心となる前記第二導電連接構造とともに同軸遷移構造を形成する高周波フリップチップパッケージ構造。 - 前記第一信号線は、二つの第一棒状部分及び二つの第一末端を有し、
前記第一接地部分は前記二つの第一棒状部分をそれぞれ包囲すると共に、前記二つの第一末端のそれぞれの周囲に形成された二つの第一拡大部分を有し、
前記基板及び前記フリップチップは、前記二つの第一末端が前記二つの第二末端のそれぞれと重なり合うように配置され、
前記誘電層は、前記二つの第一末端、前記二つの第一拡大部分、前記二つの第二末端、及び前記二つの第二拡大部分を露出し、
対応する前記第一接地部分の露出された前記第一拡大部分及び前記第二接地部分の露出した前記第二拡大部分のそれぞれを完全に覆う二つの前記第一導電連接構造が前記基板と前記フリップチップとの間に配置され、
前記第一信号線の露出した前記二つの第一末端のうちの一つ及び前記第二信号線の露出した前記二つの第二末端のうちの一つをそれぞれ覆う二つの前記第二導電連接構造が前記基板と前記フリップチップとの間に配置され、
前記二つの第一導電連接構造のそれぞれは、軸心となる前記二つの前記第二導電連接構造のそれぞれとともに同軸遷移構造を形成する
請求項11に記載の高周波フリップチップパッケージ構造。 - 前記第二導電連接構造は、円柱形状を有し、且つ、前記第一導電連接構造は、環状形状を有し、前記第二導電連接構造を囲繞する請求項11に記載の高周波フリップチップパッケージ構造。
- 前記誘電層は、ベンゾシクロブテン層、ポリイミド、窒化物、酸化物、或いは、セラミックであることを特徴とする請求項12、或いは、13に記載の高周波フリップチップパッケージ構造。
- 前記基板は、更に、絶縁表面を有する基材を含み、前記基材の材料は、ガラス、セラミック、或いは、高分子であることを特徴とする請求項11に記載の高周波フリップチップパッケージ構造。
- 前記第一導電連接構造の材料は、チタン層と金層であることを特徴とする請求項11に記載の高周波フリップチップパッケージ構造。
- 前記第二導電連接構造の材料は、チタン層と金層であることを特徴とする請求項11に記載の高周波フリップチップパッケージ構造。
- 前記第一接地部分と前記第一信号線の材料は、銅層、或いは、金層であることを特徴とする請求項11に記載の高周波フリップチップパッケージ構造。
- 前記第二接地部分と前記第二信号線の材料は、銅層、或いは、金層であることを特徴とする請求項11に記載の高周波フリップチップパッケージ構造。
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