DE69933619T2

DE69933619T2 - Hochfrequenzmodul

Info

Publication number: DE69933619T2
Application number: DE69933619T
Authority: DE
Inventors: Yoshinobu Sawa; Shinichi Kokubu-shi Koriyama; Kenji Kokubu-shi Kitazawa; Hidehiro Kokubu-shi Minamiue
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1998-07-31
Filing date: 1999-07-30
Publication date: 2007-08-23
Anticipated expiration: 2019-07-31
Also published as: DE69933619D1; US6483406B1; EP0977298A2; EP0977298A3; EP0977298B1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Hochfrequenzmodul, in welchem eine Hochfrequenzbauteil-tragende Baugruppe, das ein Hochfrequenzbauteil, welches mit Hochfrequenzsignalen aus dem Mikrowellenband bis zu einem Millimeter-Wellenband betrieben wird, trägt, auf einer externen Schaltungsplatte befestigt ist. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Hochfrequenzmodul in welchem eine Hochfrequenzbauteiltragende Baugruppe (welche im Folgenden häufig einfach als Hochfrequenzbaugruppe Bezeichnet wird) mit einer externen Schaltungsplatte verbunden ist, ohne die Charakteristik der Hochfrequenzsignale zu verschlechtern.
Typische konventionelle Hochfrequenzmodule, die mit einer Hochfrequenzbaugruppe ausgerüstet sind, welche ein Hochfrequenzbauteil trägt, das mit Hochfrequenzsignalen der Mikrowellen und Millimeter-wellen betrieben wird, weisen einen Aufbau, wie in den 11a und 11b gezeigt, auf.
Beispielhaft bezugnehmend auf 11a umfaßt eine Hochfrequenzbaugruppe 80 einen dielektrischen Träger 82, der ein Hochfrequenzbauteil 81 trägt, welches luftdicht in einer aus einem Rahmen 83 und einem Verschluß 84 gebildeten Hohlraum versiegelt ist. Auf der Oberfläche des dielektrischen Trägers 82 sind Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen (welche im Folgenden häufig einfach als Hochfrequenzleitungen bezeichnet werden) 86 ausgebildet, wie beispielsweise Mikrostreifenleitungen, die mit dem Hoch frequenzbauteil 81 verbunden sind. Die Hochfrequenzleitungen 86 werden aus dem Hohlraum 85 durch den Rahmen 83 herausgeführt und erstrecken sich zu der hinteren Oberfläche des dielektrischen Trägers 82, in dem sie über die seitlichen Oberflächen des dielektrischen Trägers 82 laufen. Das bedeutet, daß die Hochfrequenzleitungen 86 an der hinteren Oberfläche des dielektrischen Trägers 82 mit Hochfrequenzleitungen 88, die an einer externen Schaltungsplatte 87, wie beispielsweise einer Hauptplatine (einem mother board) ausgebildet sind, durch ein elektrisch leitendes Haftmaterial 89, wie beispielsweise Lötzinn, verbunden sind. Hochfrequenzsignale werden dem Hochfrequenzbauteil 81 über die Hochfrequenzleitungen 86 zugeführt, oder Hochfrequenzsignale werden von dem Hochfrequenzbauteil 81 über die Hochfrequenzleitungen 86 ausgegeben. In dem Hochfrequenzmodul, welches mit einer Mehrzahl von Hochfrequenzbaugruppen 80 ausgerüstet ist, wie es in 11a gezeigt ist, sind die Hochfrequenzleitungen 86 an der hinteren Oberfläche des dielektrischen Trägers 82 an jeder Baugruppe 80 weiterhin mit den Hochfrequenzleitungen 88 der externen Schaltungsplatte 87 verbunden, so daß die Hochfrequenzbaugruppen 80 elektrisch miteinander verbunden sind.
Ein in 11b gezeigtes Hochfrequenzmodul weist den gleichen Aufbau wie das Hochfrequenzmodul von 11a auf, mit der Ausnahme, daß die Hochfrequenzleitungen 86 die an den vorderen und hinteren Oberflächen des dielektrischen Trägers 82 der Hochfrequenzbaugruppe 80 ausgebildet sind, miteinander unter Verwendung von den dielektrischen Träger 82 durchdringenden Durchgangsleitern 90 miteinander verbunden sind. In dem Hochfrequenzmodul von 11a sind die Hochfrequenzleitungen 86 durch den Rahmen 83 zu der äußeren Seite gezogen, was solche Mängel hervorruft, daß die Hochfrequenzsignale einen Reflektionsverlust und einen Abstrahlungsverlust in Abschnitten, in welchen die Hochfrequenzleitungen 86 durch den Rahmen 83 hindurchtreten, aufweisen, und daß die Charakteristiken der Hochfrequenzsignale verschlechtert werden. Weiterhin erzeugen die Hochfrequenzsignale des Millimeterbandes, da die Hochfrequenzleitungen 86 gefaltet sind, einen hohen Reflektionsverlust in den gefalteten Abschnitten der Hochfrequenzleitungen 86, was es schwierig macht, Signale zu übertragen oder zu empfangen. Andererseits sind bei dem Hochfrequenzmodul von 11b die an den vorderen und hinteren Oberflächen des dielektrischen Trägers 82 ausgebildeten Hochfrequenzleitungen 86 miteinander unter Verwendung der Durchgangsleiter 90 verbunden, was den Vorteil bringt, daß der vorgenannte Reflektionsverlust und Strahlungsverlust reduziert werden.
Jedoch sind in den vorstehend genannten Hochfrequenzmodulen der 11a und 11b die Hochfrequenzleitungen 86 der Hochfrequenzbaugruppe durch das elektrisch leitfähige Haftmaterial 89, wie beispielsweise Lötzinn, mit den Hochfrequenzleitungen 88 der externen Schaltungsplatte verbunden, was es sehr schwierig macht, die Ausrichtung zwischen den Mustern der Hochfrequenzleitungen 86 und den Mustern der Hochfrequenzleitungen 88 zu bewältigen. In Abhängigkeit von der Frequenz der Signale tritt bei Verwendung des elektrisch leitfähigen Haftmaterials 89 daher ein Reflektionsverlust aufgrund von Fehlanpassung der Impedanz an den Verbindungsabschnitten auf, wodurch der Übertragungsverlust so wächst, daß es oft schwierig wird, Signale von hohen Frequenzen zu übertragen.
Das Dokument JP 05048239 offenbart ein Verfahren zum Ausbilden eines Schaltungsträgers, welches es ermöglicht, eine Mehrzahl von Schaltungsträgern einfach elektrisch zu verbinden. Gemäß diesem Dokument ist ein Schaltungsträger über eine Perforierung in Schaltungsträgerabschnitte unterteilt. Dann werden jeweils elektrische Teile auf den Schaltungsträgerabschnitten angeordnet, und gleichzeitig wird ein Brückendraht (jumper wire) an Anschlußabschnitten befestigt, welche über die Perforationen bereitgestellt sind. Anschließend wird durch Teilen des Schaltungsträgers entlang der Perforierung ein jeder Schaltungsträger gebildet.
Ein Hochfrequenzhalbleiterbauteil ist durch das Dokument JP 09186268 bekannt. Eine Erdungsschicht ist im Inneren einer isolierenden Platte vorgesehen, und eine Mikrostreifenleitung ist aus der Erdungsschicht und einem an der Oberfläche der isolierten Platte ausgebildeten Streifenleiterpfad zusammengesetzt. Ein Streifenleiterpfad ist auch an der Unterseite des Halbleiterbauteils ausgebildet, und eine Mikrostreifenleitung ist aus dem Streifenleiterpfad und der Erdungsschicht zusammengesetzt. Beide Mikrostreifenleitungen sind so ausgebildet, daß sie einander über dazwischenliegende Schlitze, welche in der Erdungsschicht vorgesehen sind, gegenüberliegen, so daß sie elektromagnetisch gekoppelt sein können.
Deshalb ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Hochfrequenzmodul bereitzustellen, welches es den Mustern von Hochfrequenzleitungen einer Hochfrequenzbaugruppe ermöglicht, einfach mit den Mustern von Hochfrequenzleitungen einer externen Schaltungsplatte ausgerichtet zu werden, was es ermöglicht, den Übertragungsverlust von Hochfrequenzsignalen an den Verbindungsabschnitten von diesen Leitungen effektiv zu verringern.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Hochfrequenzmodul, wie es im Anspruch 1 definiert ist, zur Verfügung gestellt.
Die Erfindung stellt weiter eine Verbindungsstruktur für Hochfrequenzbauteil-tragende Baugruppen bereit, wie sie im Anspruch 17 definiert ist.
Kurz beschrieben, sind in dem Hochfrequenzmodul gemäß der vorliegenden Erfindung die Hochfrequenzbauteil-tragende Baugruppe (Hochfrequenzbaugruppe) und die externe Schaltungsplatte Seite an Seite angeordnet, und die zweiten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen an der Baugruppe und die dritten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen der externen Schaltungsplatte sind miteinander durch lineare elektrische Leitungsmittel, wie beispielsweise Leitungen (Drähte), Bänder und elektrisch leitende Streifen, welche sehr wichtige Merkmale sind, verbunden. Das Modul gemäß der vorliegenden Erfindung, welches den vorstehend genannten Aufbau aufweist, weist einen Vorteil darin auf, dass, wenn die Hochfrequenzbaugruppe an der externen Schaltungsplatte befestigt ist, die Muster der zweiten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen der Baugruppe einfach mit den Mustern der dritten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen der externen Schaltungsplatte ausgerichtet werden können, was einen geringen Hochfrequenzsignalübertragungsverlust zwischen den Leitungen bewirkt.
Gemäß der vorliegenden Erfindung können die auf einer Oberfläche des dielektrischen Trägers in der Hochfrequenzbaugruppe ausgebildeten und mit dem Hochfrequenzbauteil verbundenen ersten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen direkt durch Verwendung von beispielsweise Durchgangleitern mit den zweiten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen verbunden werden, welche auf der anderen Oberfläche des dielektrischen Trägers ausgebildet sind. Wünschenswerterweise sollten sie jedoch elektromagnetisch miteinander verkoppelt sein. wenn sie miteinander durch Verwendung von Durchgangsleitern verbunden sind, können die Hochfrequenzsignalübertragungscharakteristika oft aufgrund von Signalübertragungsverlust in den Verbindungsabschnitten verschlechtert werden. Wenn sie jedoch elektromagnetisch miteinander verkoppelt sind, treten solche Nachteile nicht auf. Die Leitungen können einfach durch das Ausbilden von Schlitzen in der Erdungsschicht in dem dielektrischen Träger miteinander elektromagnetisch gekoppelt werden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist die in dem dielektrischen Träger in der Hochfrequenzbaugruppe ausgebildete Erdungsschicht weiterhin teilweise freiliegend. Durch Verwendung der freiliegenden Oberfläche der Erdungsschicht ist die Erdungsschicht der Baugruppe mit der an der externen Schaltungsplatte ausgebildeten Erdungsschicht oder der Erdungsschicht einer anderen Baugruppe verbunden, um zu jeder Zeit den Abstand zwischen der Erdungsschicht und den auf der Baugruppe oder der externen Schaltungsplatte ausgebildeten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen auf einfache Weise konstant zu halten, um hierdurch den Übertragungsverlust von Hochfrequenzsignalen zu erniedrigen.
KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
1 ist eine seitliche Schnittansicht, welche ein Aufbau einer Verbindung zwischen einer Hochfrequenzbauteiltragenden Baugruppe und einer externen Schaltungsplatte in einem Hochfrequenzmodul darstellt;
2 ist eine Draufsicht auf das in 1 gezeigte Hochfrequenzmodul;
3 umfaßt eine Draufsicht (a) und eine seitliche Schnittansicht (b), um den Aufbau eines in der Hochfrequenzbauteil-tragenden Baugruppe in dem Hochfrequenzmodul von 1 ausgebildeten elektromagnetischen Kopplungsabschnitt zu erläutern;
4 ist eine seitliche Schnittansicht, welche ein Hochfrequenzmodul darstellt, auf welchem eine Mehrzahl von Hochfrequenzbauteil-tragenden Baugruppen befestigt sind;
5 ist eine Draufsicht auf das Hochfrequenzmodul von 4;
6 bis 8 sind seitliche Schnittansichten, welche verschiedene Verbindungsstrukturen zwischen den Hochfrequenzbauteil-tragenden Baugruppen in dem Hochfrequenzmodul gemäß der vorliegenden Erfindung darstellen;
9 ist eine perspektivische Ansicht, welche einen wesentlichen Abschnitt der Verbindungsstruktur von 8 darstellt;
10 ist eine Seitenansicht, welche eine weitere Verbindungsstruktur zwischen der externen Schaltungsplatte und der Hochfrequenzbauteil-tragenden Baugruppe in dem Hochfrequenzmodul der vorliegenden Erfindung darstellt; und
11a und 11b sind seitliche Schnittansichten, die herkömmliche Hochfrequenzbaugruppen darstellen.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
Die Erfindung wird nun basierend auf den in den beigefügten Zeichnungen 6 bis 10 gezeigten Ausführungsformen genau beschrieben werden.
Bezugnehmend auf die 1 und 2, die einen Aufbau einer Verbindung zwischen einer Hochfrequenzbauteil-tragenden Baugruppe in einem Hochfrequenzmodul und einer externen Schaltungsplatte darstellen, ist das durch die Hochfrequenzbauteil-tragende Baugruppe (im Folgenden als Hochfrequenzbaugruppe bezeichnet) generell als A bezeichnet, und eine externe Schaltungsplatte (generell als B bezeichnet) ist Seite an Seite bezogen auf die Baugruppe A angeordnet.
Die Hochfrequenzbaugruppe A umfaßt einen dielektrischen Träger 1, auf dem ein Hochfrequenzbauteil 2, wie beispielsweise MMIC oder MIC, befestigt ist. Mit dem Hochfrequenzbauteil 2 ist eine erste Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (die im Folgenden häufig einfach als erste Hochfrequenzleitung bezeichnet wird) 3, welche auf dem dielektrischen Träger 1 ausgebildet ist, verbunden. Hochfrequenzsignale werden über die erste Hochfrequenzleitung 3 dem Hochfrequenzbauteil 2 zugeführt und von diesem ausgegeben. Die Verbindung zwischen dem Hochfrequenzbauteil 2 und der ersten Hochfrequenzleitung 3 kann durch Verwendung eines linearen elektrischen Leitungsmittels, wie beispielsweise Leitung (Draht), einem Band oder einem elektrisch leitenden Streifen, wie beispielsweise einem Streifen für TAB (tapeautomated bonding), bewerkstelligt werden, oder die beiden können direkt miteinander basierend auf dem sogenannten flip-chip-Aufbau miteinander verbunden werden.
Eine Erdungsschicht (erste Erdungsschicht) 4 ist in dem dielektrischen Träger 1 nahezu über die ganze Fläche des dielektrischen Trägers 1 ausgebildet, und eine Mikrostreifenleitung ist durch die erste Hochfrequenzleitung 3 und die Erdungsschicht 4 gebildet. Ein Rahmen 5 zum Abschirmen von elektromagnetischen Wellen ist auf der Oberfläche des dielektrischen Trägers 1 auf der Seite, auf der das Hochfrequenzbauteil 2 befestigt ist, so vorgesehen, daß er das Hochfrequenzbauteil 2 umgibt. Der Rahmen 5 kann aus einem elektromagnetische Wellen abschirmenden Material, wie beispielsweise Metall, elektrisch leitende Keramik oder Keramik-Metallverbundmaterial, bestehen. Daneben kann der Rahmen 5 aus einem isolierenden Material bestehen, welches ein darin verteilte elektromagnetische Wellen absorbierendes Material, wie beispielsweise Kohlenstoff, enthält. Oder die elektromagnetische Wellen abschirmende Eigenschaft kann durch das Anordnen eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Materials auf der Oberfläche des aus einem isolierenden Material gebildeten Rahmens 5 verliehen werden. wie gezeigt, kann der Rahmen 5, der aus einem Metall gebildet ist, über ein Hartlötmaterial 6 an der Oberfläche des dielektrischen Trägers 1 befestigt sein.
Ein Paar von zweiten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen (im Folgenden häufig als zweite Hochfrequenzleitungen abgekürzt) 7 sind auf der gegenüberliegenden Seite der Oberfläche des dielektrischen Trägers 1 (auf der das Hochfrequenzbauteil 2 nicht befestigt ist) ausgebildet, und eine Mikrostreifenleitung ist durch die zweiten Hochfrequenzleitungen 7 und die Erdungsschicht 4 in dem dielektrischen Träger 1 gebildet.
Es ist auch erlaubt, Öffnungen von einer geeigneten Größe in der Erdungsschicht 4 auszubilden, durch die Öffnungen Durchgangsleiter vorzusehen, und die ersten Hochfrequenzleitungen 3 und die zweiten Hochfrequenzleitungen 7 miteinander unter Verwendung der Durchgangsleiter zu verbinden. Um jedoch den Übertragungsverlust der Hochfrequenzsignale zu erniedrigen, ist es besonders wünschenswert, diese Leitungen 3 und 7 elektromagnetisch miteinander zu verkoppeln. Dies erfolgt, wie in 3 gezeigt, in dem in der Erdungsschicht 4 ein Schlitz 8 ausgebildet ist, und ein Ende der ersten Hochfrequenzleitung 3 und ein Ende der zweiten Hochfrequenzleitung 7 einander gegenüberliegen und damit den Schlitz 8 dazwischen schichten d. h., die beiden sind elektromagnetisch miteinander über den Schlitz 8 verkoppelt.
Es ist wünschenswert, daß der Schlitz 8 eine rechteckige Form aufweist, die eine lange Seite mit einer Länge L und eine kurze Seite einer Länge M aufweist, aber er kann auch eine elliptische Form aufweisen, welche eine lange Achse der Länge L und eine kurze Achse der Länge M aufweist. Vom Standpunkt eines Verbesserns des Wirkungsgrads der Signalübertragung weiterhin wünschenswert, daß die Länge L der langen Seite (oder langen Achse) des Schlitzes 8 mit der Hälfte der Wellenlänge λ der Übertragungssignale übereinstimmt, und die Länge M der kurzen Seite (oder kurzen Achse) mit 1/5 bis 1/50 der Wellenlänge λ der Übertragungssignale übereinstimmt. Weiterhin sind die erste Hochfrequenzleitung 3 und die zweite Hochfrequenzleitung 7, wie in 3(b) gezeigt, so angeordnet, daß ihre Enden um eine Länge X über die Mitte des Schlitzes 8 vorspringen. Es ist wünschenswert, daß die Länge X des Vorsprungs etwa einem Viertel der Wellenlänge λ der Übertragungssignale entspricht.
Wie aus 2 ersichtlich, sind weiterhin ein Paar von Erdungsabschnitten 9, 9 an beiden Seiten an jedem Ende des Paars von zweiten Hochfrequenzleitungen 7 vorgesehen, und ist ein Verbindungsabschnitt ausgebildet, der eine geerdete coplanare Leitung des Endes der Leitung 7 und der Erdungsabschnitte 9 umfaßt. Das bedeutet, daß die zweite Hochfrequenzleitung 7 an diesem Verbindungsabschnitt mit einer an der externen Schaltungsplatte B ausgebildeten Hochfrequenzleitung verbunden ist. Weiterhin sind, obgleich nicht dargestellt, die Erdungsabschnitte 9 elektrisch mit der Erdungsschicht 4 in dem dielektrischen Träger 1 verbunden, basierend auf den Durchgangsleitern oder der an einer seitlichen Oberfläche des dielektrischen Trägers 1 ausgebildeten Castellation (Kronierung), und werden auf dem gleichen Potential wie die Erdungsschicht 4 gehalten.
Die externe Schaltungsplatte B weist eine dielektrische Platte 20 auf, die Seite an Seite in Bezug auf den dielektrischen Träger 1 der Hochfrequenzbaugruppe A angeordnet ist, wobei die dielektrische Platte 20 mit einer elektromagnetische Wellen abschirmenden Platte 21, welche aus einem elektromagnetischen Wellen abschirmenden Material und insbesondere einem Metall wie dem, aus dem der obengenannte Rahmen 5 gebildet ist, verbunden ist. Das bedeutet, wie in 1 gezeigt, daß der Rahmen 5 der Hochfrequenzbaugruppe A unter Verwendung eines elektrisch leitenden Haftmaterials 11, wie beispielsweise Lötzinn oder eine Au-Sn-Legierung, mit der elektromagnetische Wellen abschirmenden Platte 21 verbunden ist, und ein Hochfrequenzbauteil 2 luftdicht in einem Hohlraum 12 versiegelt ist, welcher durch die elektromagnetische Welle abschirmende Platte 21 und dem Rahmen 5 gebildet ist, um ein Austreten von elektromagnetischen Wellen des Hochfrequenzbauteils 2 an einer Außenseite effektiv zu verhindern. Es ist auch erlaubt, die elek tromagnetische Wellen abschirmende Platte 21 unter Verwendung eines isolierenden Materials und Anbringen eines elektromagnetischen wellenabsorbierenden Materials auf der Oberfläche, die den Hohlraum 12 bildet, auszubilden.
Auf der Oberfläche der dielektrischen Platte 20 ist eine dritte Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung 25 ausgebildet, und in der dielektrischen Platte 20 ist eine Erdungsschicht (2. Erdungsschicht) 26 ausgebildet. Das bedeutet, dass eine Mikrostreifenleitung durch die dritte Hochfrequenzleitung 25 und die Erdungsschicht 26 gebildet ist. Wie weiterhin aus 2 ersichtlich, sind ein Paar von Erdungsabschnitten 27 und 27 an beiden Seiten eines Endes der dritten Hochfrequenzleitung 25 an einer Position vorgesehen, welche dem für die zweite Hochfrequenzleitung 7 der Hochfrequenzbaugruppe A ausgebildeten Verbindungsabschnitt gegenüber liegt. Ein Verbindungsanschluß 30 ist ausgebildet, der eine geerdete coplanare Leitung der Leitung 25 und die Erdungsabschnitte 27 umfasst. Die Erdungsabschnitte 27 sind elektrisch mit der Erdungsschicht 26 in der dielektrischen Platte 20 unter Verwendung der Durchgangsleiter oder der an der seitlichen Oberfläche der dielektrischen Platte 20 ausgebildeten Castellation (Kronierung) (nicht abgebildet) verbunden und werden so auf dem gleichen Potential wie die Erdungsschicht 26 gehalten. Der. an einem Ende der dritten Hochfrequenzleitung 25 ausgebildete Verbindungsanschluß 30 ist durch Verwendung eines linearen elektrischen Leitungsmittels 31 mit dem für die zweite Hochfrequenzleitung 7 der Hochfrequenzbaugruppe A ausgebildeten Verbindungsabschnitt verbunden. Dies bedeutet, wie in 2 gezeigt, daß das Ende der dritten Hochfrequenzleitung 25 und das Ende der zweiten Hochfrequenzleitung 7 miteinander über das lineare elektrische Leitungsmittel 31 verbunden sind, und das Paar von Erdungs abschnitten 27, 27 durch lineare elektrische Leitungsmittel 31 mit dem Paar von Erdungsabschnitten 9, 9 verbunden sind. Als das lineare elektrische Leitungsmittel 31 können eine Leitung (ein Draht), ein Band oder ein Streifen für TAB, wie beispielsweise ein elektrisch leitender Streifen, verwendet werden.
In dem Hochfrequenzmodul mit dem vorstehenden beschriebenen Aufbau ist die Hochfrequenzbaugruppe A auf der externen Schaltungsplatte B befestigt, wobei das Hochfrequenzbauteil 2 luftdicht versiegelt ist, um ein Austreten von elektromagnetischen wellen von dem Hochfrequenzbauteil 2 an einer Außenseite zu verhindern. Weiter ist die Verbindung zwischen der dritten Hochfrequenzleitung 25 der externen Schaltungsplatte B und der zweiten Hochfrequenzleitung 7 der Hochfrequenzbaugruppe A durch Verwendung des linearen elektrischen Leitungsmittels 31 anstelle der Verwendung eines Haftstoffes, wie beispielsweise Lötzinn, bewirkt. Daher können die Leitungen 7 und 25 einfach ausgerichtet werden, und der Reflexionsverlust der Signale infolge einer Verschlechterung der Ausrichtung an den Verbindungsabschnitten zwischen den beiden Leitungen 7 und 25 kann effektiv gesenkt werden, verglichen mit dem Fall, in dem die Verbindung durch die Verwendung von Lötzinn oder ähnlichem hergestellt wird.
In dem vorstehend genannten Hochfrequenzmodul können der elektrische Träger 1 und die dielektrische Platte 20 aus Keramiken, wie beispielsweise Aluminiumoxid, Mullite, Siliciumnitrid, Siliciumcarbid oder Aluminiumnitrid oder aus Glaskeramiken, einem Keramik-Metall-Verbundmaterial, einem Verbundmaterial aus Glas und organischem Harz, Quarz oder zahlreichen Harzen, gemacht sein.
Weiterhin können die Leitungsmittel oder Leitungsschichten, wie beispielsweise die Hochfrequenzleitungen 3, 7, 25 Erdungsschichten 4, 26 und Erdungsabschnitte 9, 27 aus einem Leiter mit geringem Widerstand, wie beispielsweise Ag, Cu, Au, einem Metall mit hohem Schmelzpunkt, wie beispielsweise W oder Mo, oder Legierungen hiervon, welche allgemein als elektrisch leitfähige Materialien bekannt sind, gebildet sein.
In dem vorstehend genannten Hochfrequenzmodul ist eine einzige Hochfrequenzbaugruppe A auf der externen Schaltungsplatte B befestigt. Jetzt können jedoch eine Mehrzahl von Hochfrequenzbaugruppen A auf der externen Schaltungsplatte B befestigt sein. 4 und 5 sind seitliche Schnittansichten und eine Draufsicht auf ein Hochfrequenzmodul, bei dem eine Mehrzahl von Hochfrequenzbaugruppen A montiert sind.
Die in den 4 und 5 gezeigten zwei Hochfrequenzbaugruppen A haben ziemlich den gleichen Aufbau wie die in 1 gezeigte Hochfrequenzbaugruppe und sind mit einer gemeinsamen elektromagnetische Wellen abschirmenden Platte 21 verbunden. Das Hochfrequenzbauteil 2 einer jeden Baugruppe A ist durch die Platte 21 und den Rahmen 5 elektromagnetisch versiegelt. Die zweite Hochfrequenzleitung 7 der einen Hochfrequenzbaugruppe A ist durch das lineare elektrische Leitungsmittel 31 mit der dritten Hochfrequenzleitung 25 der externen Schaltungsplatte B verbunden, und die zweiten Hochfrequenzleitungen 7 der zwei Hochfrequenzbaugruppen A sind miteinander durch das lineare elektrische Leitungsmittel 31 verbunden.
Das bedeutet, daß wenn eine Mehrzahl von Hochfrequenzbaugruppen A auf der externen Schaltungsplatte B befestigt ist, die zweite Hochfrequenzleitung 7 der wenigstens einen Hochfrequenzbaugruppe A mit der externen Schaltungsplatte B verbunden ist, und die zweiten Hochfrequenzleitungen 7 der Mehrzahl von Hochfrequenzbaugruppen A können miteinander durch lineare elektrische Leitungsmittel 31 verbunden sein. Dank diesem Aufbau können den Hochfrequenzbaugruppen A von der externen Schaltungsplatte B Hochfrequenzsignale zugeführt werden, und können von den Hochfrequenzbaugruppen A Hochfrequenzsignale an die externe Schaltungsplatte B ausgegeben werden, und können Hochfrequenzsignale zwischen den Hochfrequenzbaugruppen A übertragen und empfangen werden.
In dem vorstehend genannten Beispiel sind die Aufbauten der Hochfrequenzbaugruppe A und der externen Schaltungsplatte B nicht auf die beschränkt, die in den 1 bis 5 gezeigt sind, sondern sie können auf vielfältige Weise abgeändert werden. Beispielsweise können in den 1 bis 5 die ersten bis dritten Hochfrequenzleitungen 3, 7 und 25 eine Mikrostreifenleitung bilden. Diese Leitungen können jedoch eine Streifenleitung oder eine geerdete coplanare Leitung bilden. Weiter können an der Hochfrequenzbaugruppe A, zusätzlich zu den Leitungen für die Übertragung von Signalen, Leitungen ausgebildet sein, die weitere Aufgaben haben, wie beispielsweise eine Niederfrequenzverdrahtungsschicht zum Zuführen von Energie zu dem Hochfrequenzbauteil 2. Die Niederfrequenzverdrahtungsschicht 1 kann auf der Oberfläche des dielektrischen Trägers, auf welcher die zweiten Hochfrequenzleitungen 7 ausgebildet sind, verlaufen, und kann mit einem Stromquellenschaltkreis, der an dem externen Schaltkreis B ausgebildet ist, durch Verwendung eines linearen elektrischen Leitungsmittels, wie die zweite Hochfrequenzleitung 7, verbunden sein. Die externe Schaltungsplatte B kann auch die Funktion einer Hauptplatine (eines mother boards) welches durch eine gedruckte Schaltung gebildet ist, aufweisen, oder die eines Gehäuses oder einer Wärmesenke.
In dem vorstehend genannten Hochfrequenzmodul kann der das Hochfrequenzbauteil 2 der Hochfrequenzbaugruppe A umgebende Rahmen 5 einstückig mit der elektromagnetische Welle abschirmenden Platte 31 ausgebildet sein. Weiter ist es möglich, auf der in dem dielektrischen Träger 1 der Hochfrequenzbaugruppe A vorgesehenen Erdungsschicht 4 eine freiliegende Oberfläche auszubilden, um die Erdungsschichten 4 der Mehrzahl von Baugruppen A durch Verwendung der freiliegenden Oberflächen einfach zu verbinden, oder um die Erdungsschicht 4 der Baugruppe A mit der Erdungsschicht 26 der externen Schaltungsplatte B durch Verwendung der freiliegenden Oberflächen zu verbinden. In dem Hochfrequenzmodul, in dem die Erdungsschichten durch das Bilden von freiliegenden Oberflächen an den Erdungsschichten 4 verbunden sind, ist der Verbindungsvorgang vereinfacht. Weiter kann selbst dann, wenn die Dicke des dielektrischen Trägers 1 erhöht wird, um die Stabilität zu verbessern, durch das Ausbilden der Erdungsschichten in derselben Ebene der Spalt zwischen der Erdungsschicht und den auf der Hochfrequenzbaugruppe A oder der externen Schaltungsplatte B ausgebildeten Hochfrequenzleitungen zu jeder Zeit konstant gehalten werden. Beispielsweise kann der Spalt an dem Verbindungsabschnitt der Baugruppe A und der Schaltplatte B, oder der Baugruppe A und der Schaltplatte B, auch konstant gehalten werden. Hierdurch kann ein Übertragungsverlust der Signale an dem Verbindungsabschnitt verringert werden. Die 6 bis 10 stellen die Aufbauten (Strukturen) der Verbindung der Hochfrequenzbaugruppe A dar, in welchen die freiliegenden Oberflächen an der Erdungsschicht 4 ausgebildet sind.
Die in 6 gezeigten zwei Hochfrequenzbaugruppen A1 und A2 haben im wesentlichen den gleichen Aufbau, und sind durch feste Haftverbindung des elektromagnetische Wellen abschirmenden Rahmens 5 an der elektromagnetische Wellen abschirmenden Platte 21 an der externen Schaltungsplatte (nicht gezeigt) befestigt. Es ist auch zulässig, die elektromagnetische Wellen abschirmende Platte 21 und den Rahmen 5 einstückig auszubilden, so daß der dielektrische Träger 1 mit dem so einstückig gebildeten Gegenstand verbunden ist.
Wie die vorstehend genannte Hochfrequenzbaugruppe A besitzen die Baugruppen A1 und A2, die, an der Oberfläche des dielektrischen Trägers 1 an der Seite, an der das Hochfrequenzbauteil 2 befestigt ist, ausgebildete erste Hochfrequenzleitung 3, und besitzen die auf der Oberfläche des dielektrischen Trägers 1 auf der gegenüber liegenden Seite ausgebildete zweite Hochfrequenzleitung 7. Der dielektrische Träger 1 weist einen Aufbau auf, in dem die dielektrische Schicht 1A und die dielektrische Schicht 1B aufeinander laminiert sind, und weist eine zwischen der dielektrischen Schicht 1A und der dielektrischen Schicht 1B eingeschichtete Erdungsschicht 4 auf. Wie aus 6 ersichtlich, ist in der Erdungsschicht 4 eine Öffnung von einer geeigneten Größe ausgebildet, und sind die erste Hochfrequenzleitung 3 und die zweite Hochfrequenzleitung 7 elektrisch miteinander über den Durchgangsleiter 40, welcher sich unter hindurchtreten durch die Öffnung erstreckt, verbunden. Weiter sind die Hochfrequenzleitungen 7 der Baugruppe elektrisch miteinander durch das lineare elektrische Leitungsmittel 31 miteinander verbunden.
In einem Ausführungsbeispiel von 6 besteht das wichtigste Merkmal darin, daß an der Erdungsschicht 4 freiliegende Oberflächen 45a und 45b ausgebildet sind. Das bedeutet, daß in jeder der Baugruppen die dielektrischen Schichten 1a und 1b abweichend von einander laminiert sind. In einem Abschnitt an der rechten Seite der Erdungsschicht 4, ist die untere Seite freiliegend, um die freiliegende Oberfläche 45a zu bilden, und in einem Abschnitt an der linken Seite ist die obere Seite freiliegend, um die freiliegende Oberfläche 45b zu bilden. Die Baugruppe A1 und die Baugruppe A2 sind miteinander auf eine Weise verbunden, daß die freiliegenden Oberflächen 45a und 45b der Erdungsschicht 4 eine die andere überlappen. Daher fluchten die Erdungsschichten 4 der auf dem Hochfrequenzmodul befestigten Hochfrequenzbaugruppen nahezu miteinander. Als Ergebnis ist die Verteilung des elektromagnetischen Felds infolge der Hochfrequenzsignale nicht durch eine Abweichung in der Lage der Erdungsschichten 4 gestört, und werden vorteilhafte Hochfrequenzübertragungscharakteristika beibehalten.
In einer Ausführungsform von 7 ist eine metallische elektromagnetische Wellen abschirmende Platte 21 einstückig mit dem elektromagnetische Wellen abschirmenden Rahmen 5 ausgebildet, und weist einen Vorsprung 48 auf, der mit dem Rahmen 5 übereinstimmt. Die in 7 gezeigten Hochfrequenzbaugruppen A3 und A4 haben im wesentlichen den gleichen Aufbau wie die in 1 gezeigte Hochfrequenzbaugruppe A. In diesen Baugruppen A3 und A4 ist jedoch an der Erdungsschicht 4 in dem dielektrischen Träger 1 eine freiliegende Oberfläche 50 ausgebildet. Das heißt, daß der dielektrische Träger 1 durch ein Laminat von den dielektrischen Schichten 1A und 1B gebildet ist, und die Erdungsschicht 4 zwischen diesen ausgebildet ist, wobei die dielektrische Schicht 1b der unteren Seite kleiner als die dielektrische Schicht 1a der oberen Seite ist. Daher weist die Erdungsschicht 4 die freiliegende Oberfläche 50 auf, die an der unteren Seite freiliegt.
Daher sind bei den in 7 gezeigten Hochfrequenzbaugruppen A3 und A4 die zweiten Hochfrequenzleitungen 7 elektrisch miteinander durch das lineare elektrische Leitungsmittel 31 verbunden, und ist die freiliegende Oberfläche 50 ganz genau an dem oberen Ende der Vorsprung 48 der metallischen Platte 21 haftend verbunden, so daß die Erdungsschichten 4 elektrisch miteinander verbunden sind, wobei die Erdungsschichten 4 der Baugruppen miteinander wie in der Ausführungsform von 6 fluchtend angeordnet sind, was es ermöglicht, vorteilhafte Hochfrequenzübertragungscharakteristika zu erhalten.
Gemäß der Verbindungsstruktur, die in den in 6 und 7 gezeigten Hochfrequenzbaugruppen verwendet wird, sind die Erdungsschichten 4 der Baugruppen unabhängig von der Dicke des dielektrischen Trägers 1 fluchtend angeordnet, was es ermöglicht, vorteilhafte Hochfrequenzübertragungscharakteristika beizubehalten. Insbesondere ist die untere dielektrische Schicht 1b des dielektrischen Trägers 1 dick ausgebildet, um die Stabilität des dielektrischen Trägers 1 zu verbessern, ohne die Hochfrequenzübertragungscharakteristika negativ zu beeinflussen.
In den 6 und 7 sind die Hochfrequenzbaugruppen miteinander verbunden gewesen. Es versteht sich jedoch, daß die gleiche freiliegende Oberfläche wie die, welche in diesen Zeichnungen gezeigt ist, an der Erdungsschicht 26, welche in der dielektrischen Platte 20 der in 1 gezeigten externen Schaltungsplatte B vorgesehen ist, ausgebildet sein kann, so daß die Erdungsschicht 26 fluchtend mit der Erdungsschicht 4 ausgebildet ist, um noch bessere Hochfrequenzübertragungscharakteristika beizubehalten.
Weiter können gemäß der vorliegenden Erfindung die an den Erdungsschichten 4 ausgebildeten freiliegenden Oberflächen miteinander durch Verwendung eines linearen elektrischen Leitungsmittels verbunden sein. Die 8 bis 10 stellen Beispiele für ein Verbinden der freiliegenden Oberflächen der Erdungsschichten unter Verwendung des elektrischen Leitungsmittels dar.
Bezugnehmend auf 8, weisen die Hochfrequenzbaugruppen A5 und A6 den gleichen Aufbau wie die in 6 gezeigten Hochfrequenzbaugruppen A1 und A2 auf, mit der Ausnahme der Lage der an der Erdungsschicht 4 ausgebildeten freiliegenden Oberflächen. Das heißt, die Erdungsschicht 4 ist zwischen den dielektrischen Schichten 1a und 1b angeordnet, welche den dielektrischen Träger 1 bilden. Weiter ist die erste Hochfrequenzleitung 3 mit dem auf einer Oberfläche des dielektrischen Trägers 1 befestigten Hochfrequenzbauteil 2 verbunden, und ist die zweite Hochfrequenzleitung 7 an der anderen Oberfläche des dielektrischen Trägers 1 ausgebildet. In der Erdungsschicht 4 ist eine Öffnung einer geeigneten Größe ausgebildet, und die erste Hochfrequenzleitung 3 und die zweite Hochfrequenzleitung 7 sind elektrisch miteinander unter Verwendung eines sich durch die Öffnung hindurchtretend erstreckenden Durchgangsleiters 40 verbunden. Die Baugruppen A1 und A2 sind über den elektromagnetische Welle abschirmenden Rahmen 5 mit der elektromagnetische Wellen abschirmenden Platte 21 verbunden.
Bezugnehmend auf 9, welche den Aufbau des Verbindungsabschnitts an einem Ende der zweiten Hochfrequenzleitung 7 in den Baugruppen A5 und A6 von 8 zeigt, sind in die dielektrische Schicht 1A an beiden Seiten an dem Ende der zweiten Hochfrequenzleitung 7 weggeschnittene Abschnitte 55 ausgebildet. Als Ergebnis sind in der Erdungsschicht 4 freiliegende Oberflächen 56 ausgebildet.
Das bedeutet, wie aus 8 hervorgeht, dass die zweiten Hochfrequenzleitungen 7 in den Baugruppen A5 und A6 miteinander durch das lineare elektrische Leitungsmittel 31 verbunden sind, und die freiliegenden Oberflächen 56 der Erdungsschichten 4 miteinander durch das lineare elektrische Leitungsmittel 31 verbunden sind.
Das Hochfrequenzmodul von 10 verwendet ein Metallgehäuse 60, welches als elektromagnetische Wellen abschirmende Platte dient. Eine Hochfrequenzbaugruppe A7 und eine externe Schaltungsplatte B sind in dem Metallgehäuse 60 befestigt.
Das Metallgehäuse 60 umfaßt eine Bodenwand 60a und eine Seitenwand 60b, und ein an der Oberfläche des dielektrischen Trägers 1 der Hochfrequenzbaugruppe A7 ausgebildeter elektromagnetische Wellen abschirmender Rahmen 5 ist fest mit der Bodenwand 60a haftend verbunden. An der inneren Oberfläche der Seitenwand 60b ist eine abgestufte Oberfläche 65 ausgebildet, und die externe Schaltungsplatte B ist auf der abgestuften Oberfläche 65 befestigt. Das heißt, die dielektrische Platte 20 der externen Schaltungsplatte B ist auf der abgestuften Oberfläche 65 befestigt, und das Metallgehäuse 60 dient folglich auch als Erdungsschicht für die externe Schaltungsplatte B.
Die Hochfrequenzbaugruppe A7 hat im wesentlichen einen ähnlichen Aufbau wie die Hochfrequenzbaugruppe A von 1, und der dielektrische Träger 1 ist durch Laminieren der dielektrischen Schichten 1A und 1B ausgebildet, und die Erdungsschicht 4 welches einen Schlitz 8 aufweist, ist dazwischen geschichtet. Weiter ist die mit dem auf einer Oberfläche des dielektrischen Trägers 1 (untere Oberfläche in 10) befestigten Hochfrequenzbauteils 2 verbundene erste Hochfrequenzleitung 3 elektromagnetisch über den Schlitz 8 mit der an der anderen Oberfläche des dielektrischen Trägers 1 ausgebildeten zweiten Hochfrequenzleitung 7 gekoppelt.
In dem so gebildeten Modul sind weggeschnittene Abschnitte 55 an beiden Seiten eines Endes der zweiten Hochfrequenzleitung 7 in ziemlich genau der gleichen Weise wie in 9 in der dielektrischen Schicht 1a ausgebildet, und ist die freiliegende Oberfläche an der Erdungsschicht 4 ausgebildet. Andererseits ist die dielektrische Platte 20 der externen Schaltungsplatte B Seite an Seite bezogen auf die dielektrische Schicht 1a der oberen Seite des dielektrischen Trägers 1 angeordnet (oder in anderen Worten die abgestufte Oberfläche 65 des Metallgehäuses 60 und die Erdungsschicht 4 sind nahezu miteinander fluchtend angeordnet). Die an der oberen Oberfläche der dielektrischen Platte 20 ausgebildete dritte Hochfrequenzleitung 25 ist angeordnet, um dem Ende der zweite Hochfrequenzleitung 7 der Hochfrequenzbaugruppe A7 gegenüber zu liegen, die weggeschnittenen Abschnitte 58 sind in der dielektrischen Platte 20 an beiden Seiten des Endes ausgebildet, und die an den Metallgehäuse 60 ausgebildete abgestufte Oberfläche 65 ist an diesen Abschnitten freiliegend. Das heißt, die in der dielektrischen Schicht 1A der Hochfrequenzbaugruppe A7. ausgebildeten weggeschnittenen Abschnitte 55 liegen den in der dielektrischen Platte 20 der externen Schaltungsplatte B ausgebildeten weggeschnittenen Abschnitten 58 gegenüber. Daher sind, wie in 10 gezeigt, die zweite Hoch frequenzleitung 7 der Hochfrequenzbaugruppe A7 und die dritte Hochfrequenzleitung 25 der externen Schaltungsplatte B elektrisch miteinander durch das lineare elektrische Leitungsmittel 31 verbunden, und sind die durch die weggeschnittenen Abschnitte 55, 58 ausgebildeten freiliegenden Oberflächen der Erdungsschichten 4 und die freiliegenden Oberflächen an der abgestuften Oberfläche 65 elektrisch miteinander durch die linearen elektrischen Leitungsmittel 31 verbunden.
In den Hochfrequenzmodulen, welche den in den 8 und 10 gezeigten Aufbau aufweisen, sind die Erdungsschichten in den Hochfrequenzbaugruppen und die in der externen Schaltungsplatte vorgesehene Erdungsschicht auch im wesentlichen miteinander fluchtend angeordnet und elektrisch miteinander verbunden. Hierdurch wird die Störung in der Verteilung des durch die Hochfrequenzsignale erzeugten elektromagnetischen Feldes effektiv verhindert, und werden vorteilhafte Hochfrequenzübertragungscharakteristika beibehalten.

Claims

Hochfrequenzmodul aufweisend eine Hochfrequenzbauteiltragende Baugruppe (A), wobei die Hochfrequenzbauteil-tragende Baugruppe (A) einen dielektrischen Träger (1) umfaßt, welcher eine darin enthaltene erste Erdungsschicht (4) hat, wobei auf einer Oberfläche des dielektrischen Trägers (1) ein Hochfrequenzbauteil (2) befestigt und erste Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen (3) ausgebildet sind, wobei die ersten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen (3) mit dem Hochfrequenzbauteil (2) verbunden sind, wobei auf der anderen Oberfläche des dielektrischen Trägers (1) zweite Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen (7) ausgebildet sind, wobei die zweiten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen (7) mit den ersten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen (3) verkoppelt sind, dadurch gekennzeichnet, daß das Hochfrequenzmodul weiter eine externe Schaltungsplatte (B) aufweist, wobei die Hochfrequenzbauteil-tragende Baugruppe (A) und die externe Schaltungsplatte (B) nebeneinander angeordnet sind, wobei die externe Schaltungsplatte (D) durch eine dielektrische Platte (20) gebildet wird, welche dritte Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen (25) und eine zweite Erdungsschicht (26) aufweist, wobei die dritten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen (25) auf einer Oberfläche der dielektrischen Platte (20) ausgebildet sind, und die zweite Erdungsschicht (26) auf der anderen Oberfläche der dielektrischen Platte (20) oder in deren Innerem ausgebildet ist, wobei die zweiten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen (7) der Hochfrequenzbauteil-tragende Baugruppe (A) elektrisch über lineare elektrische Leitungsmittel (31) mit den dritten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen (25) der externen Schaltungsplatte (B) verbunden sind, und wobei auf der ersten Erdungsschicht (4) und auf der zweiten Erdungsschicht (26) freiliegende Oberflächen, die frei von dem dielektrischen Träger (1) sind, ausgebildet sind, wobei die freiliegenden Oberflächen elektrisch miteinander verbunden sind.
Hochfrequenzmodul nach Anspruch 1, wobei in der ersten Erdungsschicht (4) der Hochfrequenzbauteil-tragenden Baugruppe (A) ein Schlitz (8) ausgebildet ist, und die erste Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (3) und die zweite Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (7) elektromagnetisch miteinander über den Schlitz (8) verkoppelt sind.
Hochfrequenzmodul nach Anspruch 1, wobei in der ersten Erdungsschicht (4) der Hochfrequenzbauteil-tragenden Baugruppe (A) eine Öffnung ausgebildet ist, und die erste Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (3) und die zweite Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (7) unter Verwendung eines Durchgangsleiters, welcher unter Hindurchtreten durch die Öffnung in den dielektrischen Träger (1) eindringt, miteinander verkoppelt sind.
Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das lineare elektrische Leitungsmittel (31) aus der Gruppe bestehen aus Leitung, Band und elektrisch leitender Streifen ausgewählt ist.
Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei an der Seite, an der das Hochfrequenzbauteil (2) befestigt ist, ein Mittel zum Abschirmen von elektromagnetischen Wellen (5, 21) an die Oberfläche des dielektrischen Trägers (1) angrenzt, und das Hochfrequenzbauteil (2) durch den dielektrische Träger (1) und das Mittel zum Abschirmen von elektromagnetischen Wellen (5, 21) luftdicht versiegelt ist.
Hochfrequenzmodul nach Anspruch 5, wobei die freiliegenden Oberflächen miteinander elektrisch über das Mittel zum Abschirmen von elektromagnetischen Wellen (5, 21) verbunden sind.
Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die freiliegenden Oberflächen auf eine Weise, in der eine die andere überlappt, aneinandergrenzen, um hierdurch die erste Erdungsschicht (4) und die zweite Erdungsschicht (26) miteinander elektrisch zu verbinden.
Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die freiliegenden Oberflächen miteinander elektrisch durch ein lineares Verbindungsmittel (31) verbunden sind.
Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei eine Mehrzahl von externen Schaltungsplatten (B) zu einem gemeinsamen Mittel zum Abschirmen von elektromagnetischen Wellen (5, 21) aneinandergrenzen.
Hochfrequenzmodul nach Anspruch 9, wobei das Mittel zum Abschirmen von elektromagnetischen Wellen (5, 21) ein Metallgehäuse ist, welches die Hochfrequenzbauteil-tragende Baugruppe (A) und die externe Schaltungsplatte (B) enthält.
Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die Hochfrequenzbauteil-tragenden Baugruppen (A) in einer Mehrzahl befestigt sind, die zweiten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitungen (7) der Baugruppen (A) elektrisch miteinander durch ein lineares elektrisches Leitungsmittel (31) verbunden sind, und die zweite Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (7) von wenigstens einer Baugruppe (A) mit der dritten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (25) der externen Schaltungsplatte (B) verbunden ist.
Hochfrequenzmodul nach Anspruch 11, wobei die Oberfläche des dielektrischen Trägers (1) einer jeden der Baugruppen (A) auf jener Seite, auf der das Hochfrequenzbauteil (2) befestigt ist, zu einem gemeinsamen Mittel zum Abschirmen von elektromagnetischen Wellen (5, 21) aneinandergrenzen, und das auf jeder Baugruppe (A) befestigte Hochfrequenzbauteil (2) durch das gemeinsame Mittel zum Abschirmen von elektromagnetischen Wellen (5, 21) und den dielektrischen Träger (1) luftdicht versiegelt ist.
Hochfrequenzmodul nach Anspruch 12, wobei die freiliegende Oberfläche auf der ersten Erdungsschicht (4) einer jeden Baugruppe (A) ausgebildet ist, und die freiliegenden Oberflächen elektrisch miteinander über das Mittel zum Abschirmen von elektromagnetischen Wellen (5, 21) verbunden sind.
Hochfrequenzmodul gemäß einem der Ansprüche 11 bis 12, wobei die freiliegende Oberfläche auf der ersten Erdungsschicht (4) einer jeden Baugruppe (A) ausgebildet ist, und die freiliegenden Oberflächen aneinander auf eine Weise, bei der eine die andere überlappt, aneinandergrenzen, so dass die ersten Erdungsschichten (4) der Baugruppen (A) elektrisch miteinander verbunden sind.
Hochfrequenzmodul gemäß einem der Ansprüche 11 bis 12, wobei die freiliegende Oberfläche auf der ersten Erdungsschicht (4) einer jeden Baugruppe (A) ausgebildet ist, und die freiliegenden Oberflächen miteinander elektrisch über ein lineares elektrisches Leitungsmittel (31) verbunden sind.
Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 11 bis 15, wobei das Mittel zum Abschirmen von elektromagnetischen Wellen (5, 21) ein Metallgehäuse ist, welches eine Mehrzahl von den Hochfrequenzbauteil-tragenden Baugruppen (A) und die externe Schaltungsplatte (B) enthält.
Verbindungsstruktur Hochfrequenzbauteil-tragender Baugruppen (A), wobei jede Baugruppe (A) einen dielektrischen Träger (1) umfaßt, welcher eine darin enthaltene erste Erdungsschicht (4) aufweist, wobei an einer Oberfläche des dielektrischen Trägers (1) ein Hochfrequenzbauteil (2) befestigt und eine erste Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (3) ausgebildet ist, wobei die erste Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (2) mit dem Hochfrequenzbauteil (2) verbunden ist, wobei an der anderen Oberfläche des dielektrischen Trägers (1) eine zweite Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (7) ausgebildet ist, welche zweite Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (7) mit der ersten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (3) verkoppelt ist, dadurch gekennzeichnet, dass an beiden Seiten eines Endes der zweiten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (7) freiliegende Oberflächen, die frei von dem dielektrischen Träger (1) sind, auf der Erdungsschicht (4) ausgebildet sind, ein Ende der zweiten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (7) von einer Hochfrequenzbauteil-tragende Baugruppe (A) über ein lineares elektrisches Leitungsmittel (A) elektrisch mit einem Ende einer zweiten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (7) von einer anderen Hochfrequenzbauteil-tragenden Baugruppe (A) verbunden ist, und die auf der Erdungsschicht (4) von einer Hochfrequenzbauteil-tragende Baugruppe (A) ausgebildeten freiliegenden Oberflächen elektrisch mit den auf der Erdungsschicht (4) von einer anderen Hochfrequenzbauteil-tragenden Baugruppe (A) ausgebildeten freiliegenden Oberflächen verbunden sind.
Verbindungsstruktur Hochfrequenzbauteil-tragender Baugruppen (A) gemäß Anspruch 17, wobei der dielektrische Träger (1) an beiden Seiten eines Endes der zweiten Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (7) weggeschnitten ist, so daß die Erdungsschicht (46) freigelegt ist.
Verbindungsstruktur Hochfrequenzbauteil-tragender Baugruppen (A) gemäß einem der Ansprüche 17 oder 18, wobei in der Erdungsschicht (4) ein Schlitz (8) ausgebildet ist, und die erste Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (3) und die zweite Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (7) elektromagnetisch miteinander über den Schlitz (8) verkoppelt sind.
Verbindungsstruktur Hochfrequenzbauteil-tragender Baugruppen (A) gemäß einem der Ansprüche 17 oder 18, wobei in der Erdungsschicht (4) eine Öffnung ausgebildet ist, und die erste Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (3) und die zweite Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung (7) miteinander über einen Durchgangsleiter, welcher unter Hindurchtreten durch die Öffnung in den dielektrischen Träger (1) eindringt, miteinander verkoppelt sind.
Verbindungsstruktur Hochfrequenzbauteil-tragender Baugruppen (A) gemäß einem der Ansprüche 17 bis 20, wobei an jener Seite, an der das Hochfrequenzbauteil (2) befestigt ist, ein Mittel zum Abschirmen von elektromagnetischen Wellen (5, 21) an die Oberfläche des dielektrischen Trägers (1) angrenzt, und die freiliegenden Oberflächen elektrisch miteinander über das Mittel zum Abschirmen von elektromagnetischen Wellen (5, 21) verbunden sind.
Verbindungsstruktur Hochfrequenzbauteil-tragender Baugruppen (A) gemäß einem der Ansprüche 17 bis 20, wobei auf der Erdungsschicht (4) einer jeden Baugruppe (A) eine freiliegende Oberfläche ausgebildet ist, und die freiliegenden Oberflächen auf eine Weise, in der eine die andere überlappt, aneinandergrenzen, so dass die Erdungsschichten (4) der Baugruppen (A) miteinander elektrisch verbunden sind.
Verbindungsstruktur Hochfrequenzbauteil-tragender Baugruppen (A) gemäß einem der Ansprüche 17 bis 20, wobei auf der Erdungsschicht (4) einer jeden Baugruppe (A) eine freiliegende Oberfläche ausgebildet ist, und die freiliegenden Oberflächen elektrisch miteinander über ein lineares elektrisches Leitungsmittel (31) verbunden sind.