DE602004003191T2 - Mehrschichtige Hochfrequenzvorrichtung mit Planarantenne und Herstellungsverfahren - Google Patents

Mehrschichtige Hochfrequenzvorrichtung mit Planarantenne und Herstellungsverfahren Download PDF

Info

Publication number
DE602004003191T2
DE602004003191T2 DE602004003191T DE602004003191T DE602004003191T2 DE 602004003191 T2 DE602004003191 T2 DE 602004003191T2 DE 602004003191 T DE602004003191 T DE 602004003191T DE 602004003191 T DE602004003191 T DE 602004003191T DE 602004003191 T2 DE602004003191 T2 DE 602004003191T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
dielectric substrate
transmission line
electronic component
component module
module according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE602004003191T
Other languages
English (en)
Other versions
DE602004003191D1 (de
Inventor
Eriko c/o TDK Corporation Ajioka
Hitoyoshi c/o TDK Corporation Kurata
Hideaki c/o TDK Corporation Shimoda
Shigeru C/O Tdk Corporation Asami
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Publication of DE602004003191D1 publication Critical patent/DE602004003191D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE602004003191T2 publication Critical patent/DE602004003191T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
    • H01P3/08—Microstrips; Strip lines
    • H01P3/088—Stacked transmission lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2283—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles mounted in or on the surface of a semiconductor substrate as a chip-type antenna or integrated with other components into an IC package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q23/00—Antennas with active circuits or circuit elements integrated within them or attached to them
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6616—Vertical connections, e.g. vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6627—Waveguides, e.g. microstrip line, strip line, coplanar line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H01L2924/16153—Cap enclosing a plurality of side-by-side cavities [e.g. E-shaped cap]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H01L2924/1616—Cavity shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237—High frequency adaptations
    • H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Waveguide Aerials (AREA)

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelementmodul und sein Herstellungsverfahren und spezieller eine Art der Ausführung, die zur Erhöhung der Bandbreite eines elektronischen Bauelementmoduls nutzbar ist.
  • Mit der aktuellen Tendenz von Miniaturisierung und Verbesserung der Funktionstüchtigkeit elektronischer Geräte besteht Bedarf an elektronischen Bauelementmodulen, bei denen ein Modul, das elektronische Komponenten wie Hochfrequenzvorrichtungen enthält, mit einem Antennenelement integriert ist. Bei solchen elektronischen Bauelementmodulen mit integrierter Antenne ist es wünschenswert, dass zur Verbesserung ihrer Eigenschaften ein mit dem Antennenelement versehenes Substrat aus einem Material hergestellt wird, das eine niedrige dielektrische Konstante aufweist.
  • Normalerweise wurde, wie in JP-A-9-237867 offenbart, ein elektronisches Bauelementmodul mit integrierter Antenne vorgeschlagen, bei dem eine Antenne über einen Schlitz mit Strom versorgt wird, indem elektromagnetische Kopplung genutzt wird.
  • Jedoch misst der Schlitz die Hälfte einer genutzten Wellenlänge λ (d. h. 1/2 λ). Deshalb werden die physikalischen Abmessungen des Schlitzes und des Moduls zwangsläufig durch eine genutzte Frequenz bestimmt. Diese schränkt den Freiheitsgrad einer Miniaturisierung des elektronischen Bauelementmoduls ein.
  • Wegen der Verwendung eines Schlitzes von λ/2 wird außerdem die Breite einer Signal-Durchlassfrequenz durch die Schlitzabmessungen eingeschränkt, was hinsichtlich der Erhöhung der Bandbreite des elektronischen Bauelementmoduls ein Hindernis darstellt. EP 1 307 078 A offenbart ein Hochfrequenz-Schaltungsmodul, bei dem RF-Schaltungsteile auf beiden Seiten eines harten mehrschichtigen dielektrischen Substrats montiert sind und eine Übertragungsleitung die auf beiden Seiten vorgesehenen RF-Schaltungsteile verbindet. An der hinteren Stirnfläche der dielektrischen Schicht ist ein metallisches Muster zur Bildung einer Antenne als eines der RF-Schaltungsteile gebildet. Zwischen den RF-Schaltungsteilen und dem metallischen Muster ist eine Übertragungsleitung für Millimeterwellen als eine Kopplungsübertragungsleitung ausgebildet. Für die Antenne wird ein Substrat mit einer Durchlässigkeit von fünf oder weniger verwendet, das aus Teflon® oder dergleichen hergestellt ist, und für das elektrische Substrat, auf dem die Hochfrequenzvorrichtung montiert ist, werden keramische Werkstoffe wie Glaskeramik oder Aluminiumoxidkeramik verwendet. Das Halterungsblech ist an der Antenne befestigt. Um den Strahlungseffekt zu erhöhen, sind Löcher mit der Struktur von Honigwaben geöffnet, um den Flächenbereich des Halterungsblechs zu vergrößern.
  • Angesichts des oben erwähnten besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung in der Bereitstellung eines elektronischen Bauelementmoduls mit integrierter Antenne, das miniaturisiert und in der Bandbreite erhöht werden kann.
  • Diese Aufgabe wird durch die Erfindung gelöst wie sie in den unabhängigen Ansprüchen beantragt ist.
  • Bevorzugte Ausführungen nach der Erfindung sind durch die abhängigen Ansprüche definiert.
  • Die Erfindung bewirkt die folgenden Vorteile.
  • In der Erfindung sind die erste Übertragungsleitung, die in dem ersten dielektrischen Substrat 11 ausgebildet ist, das mit der Hochfrequenzvorrichtung montiert wird, und die zweite Übertragungsleitung, die in dem zweiten dielektrischen Substrat ausgebildet ist, das mit dem Antennenelement versehen wird, miteinander direkt elektrisch verbunden. Deshalb werden die physikalischen Abmessungen des Moduls nicht durch eine genutzte Frequenz bestimmt, oder das Signal-Durchlassfrequenzband wird nicht durch die Ab messung eines Schlitzes eingeschränkt. Dies ermöglicht es, ein elektronisches Bauelementmodul mit integrierter Antenne zu miniaturisieren und dessen Bandbreite zu erhöhen.
  • Wenn das dritte dielektrische Substrat bereitgestellt wird, das mit der Niederfrequenz-Funktionskomponente montiert wird und mit dem Durchgangsloch ausgebildet ist, in welches das erste dielektrische Substrat eingesetzt wird, kann das erste dielektrische Substrat relativ zu dem zweiten dielektrischen Substrat durch das Durchgangsloch des dritten dielektrischen Substrats positioniert werden.
  • Wenn das erste dielektrische Substrat aus Keramikwerkstoffen wie LTCC hergestellt ist, kann die Hochfrequenzvorrichtung durch Thermodruckbindung auf dem ersten dielektrischen Substrat montiert werden.
  • Wenn das zweite dielektrische Substrat aus einem Kunstharz hergestellt ist, kann der Antennenwirkungsgrad erhöht werden.
  • Wenn die Hochfrequenzvorrichtung in dem Hohlraum montiert wird, der in dem ersten dielektrischen Substrat gebildet ist, können die Höhe und die Verlustleistung des elektronischen Bauelementmoduls reduziert werden.
  • Wenn das erste dielektrische Substrat mit der Abschirmung versehen ist, die die Hochfrequenzvorrichtung umgibt und sie dadurch elektromagnetisch abschirmt, werden elektromagnetische Einflüsse von externen elektronischen Geräten verhindert, und folglich kann der Betrieb stabilisiert werden.
  • Wenn die Abschirmung eine Vielzahl von Hochfrequenzvorrichtungen einzeln elektromagnetisch abschirmt, wird die Isoliereigenschaft zwischen den Vorrichtungen verbessert und daher können die Betriebseigenschaften noch stabiler gemacht werden.
  • Nach dem Herstellungsverfahren eines elektronischen Bauelementmoduls, bei dem das geräteseitige Modul und das antennenseitige Modul getrennt ausgebildet werden und anschließend zusammengefügt werden, kann ein elektronisches Bauelementmodul mit integrierter Antenne gebaut werden, bei dem das erste dielektrische Substrat und das zweite dielektrische Substrat in einer solchen Kombination vorhanden sind, dass sie nicht gleichzeitig gebrannt werden können, wie in der Kombination, bei der das erste dielektrische Substrat und das zweite dielektrische Substrat jeweils aus Keramikwerkstoffen und einem Harz hergestellt sind.
  • Wenn ein freigelegter Abschnitt der im ersten dielektrischen Substrat gebildeten ersten Übertragungsleitung und ein freigelegter Abschnitt der im zweiten dielektrischen Substrat gebildeten zweiten Übertragungsleitung miteinander mit einem leitenden Imprägnierungsmittel wie zum Beispiel Lötmetall fixiert werden, wobei wenn eine Lötpaste, die auf freigelegte Abschnitte der Übertragungsleitungen aufgebracht werden kann, sich geschmolzenes Lötmetall nur über die freigelegten Abschnitte der ersten Übertragungsleitung und der zweiten Übertragungsleitung mit kleinen Berührungswinkeln erstreckt. Deshalb werden das erste dielektrische Substrat und das zweite dielektrische Substrat korrekt positioniert. Das Fügen der ersten Übertragungsleitung und der zweiten Übertragungsleitung, das eine genaue Ausrichtung erfordert, kann korrekt durchgeführt werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist die Schnittansicht eines elektronischen Bauelementmoduls gemäß einer Ausführung nach der vorliegenden Erfindung;
  • 2 ist eine Schnittansicht, bei der das elektronische Bauelementmodul von 1 in Bestandteile zerlegt ist;
  • 3 ist die Schnittansicht eines elektronischen Bauelementmoduls nach einer anderen Ausführung der Erfindung;
  • 4 ist die Schnittansicht eines elektronischen Bauelementmoduls nach einem Beispiel, das zum Verständnis der Erfindung genutzt wird;
  • 5 ist eine perspektivische Darstellung in auseinander gezogener Anordnung eines elektronischen Bauelementmoduls nach einer weiteren Ausführung der Erfindung.
  • Die beste Art der Ausführung der Erfindung wird anschließend mit Bezug auf die Zeichnungen ausführlich beschrieben. In den begleitenden Zeichnungen ist gleichen Teilen das gleiche Bezugsymbol zugewiesen worden, und redundante Beschreibungen werden weggelassen. Die folgenden Beschreibungen werden auf die beste Art zur Ausführung der Erfindung gerichtet sein, und daher ist die Erfindung nicht auf sie beschränkt.
  • Wie in 1 dargestellt ist, ist ein elektronisches Bauelementmodul 10 gemäß dieser Ausführung ausgestattet mit einem ersten dielektrischen Substrat 11, das eine Laminierungsstruktur aufweist und aus dielektrischer Keramik wie LTCC (LTCC-Sinterkeramik) besteht, und einem zweiten dielektrischen Substrat 12, das aus einem dielektrischen Kunstharz wie Fluorharz, einem BT-Kunstharz, einem PPE(O)-Kunstharz oder einem Pfropf-Polymerisationskunstharz besteht und auf das erste dielektrische Substrat 11 gelegt wird (d. h. die Substrate 11 und 12 sind in der Laminierungsrichtung angeordnet). Das erste dielektrische Substrat 11 und das zweite dielektrische Substrat 12 bilden jeweils ein geräteseitiges Modul A und ein antennenseitiges Modul B.
  • Im ersten dielektrischen Substrat 11 sind erste Übertragungsleitungen 11a in Schichten ausgebildet, und im zweiten dielektrischen Substrat 12 sind zweite Übertragungsleitungen 12a ausgebildet. Die ersten Übertragungsleitungen 11a und die zweiten Übertra gungsleitungen 12a sind aus einem Wellenleiter und einer Leiterbahn (in einem Durchgangsloch) zusammengesetzt und bestehen aus Au, Ag, Cu, W oder dergleichen. Wie in 1 dargestellt ist, sind die ersten Übertragungsleitungen 11a und die zweiten Übertragungsleitungen 12a miteinander elektrisch verbunden. Auf dem ersten dielektrischen Substrat 11 sind Hochfrequenzvorrichtungen 13 montiert und mit den ersten Übertragungsleitungen 11a verbunden, wobei auf dem zweiten dielektrischen Substrat 12 Antennenelemente 14 wie Flächenantennen vorgesehen sind und mit den zweiten Übertragungsleitungen 12a verbunden werden. Daher senden oder empfangen die Antennenelemente 14 über die zweiten Übertragungsleitungen 12a und die ersten Übertragungsleitungen 11a, die miteinander direkt verbunden sind, ein Signal an die oder von den Hochfrequenzvorrichtungen 13.
  • Die Hochfrequenzvorrichtungen 13 sind elektronische Komponenten, die zum Beispiel in einem 25 GHz-Band, das heißt ein Sub-Millimeterwellen-Band oder einem 5 GHz-Band, das heißt ein Millimeterwellen-Band verwendet werden. Die Hochfrequenzvorrichtungen 13 werden auf dem ersten dielektrischen Substrat 11 durch Oberflächenmontage durch Löten oder Hartlöten oder durch Flat-Chip-Montage mit Au, einer Au-Sn-Legierung oder dergleichen montiert. Beispiele der Hochfrequenzvorrichtung 13 sind ein Leistungsverstärker, ein Mischer, ein Vervielfacher, ein Frequenzwandler, ein Hochfrequenzoszillator und ein Leistungsverstärker mit geringem Störrauschen. Jedoch sind die Hochfrequenzvorrichtungen 13 nicht auf diese elektronischen Komponenten beschränkt. Eine Vielzahl von Antennenelementen 14 ist in einer Feldform gebildet, um ein gutes Richtvermögen zu erzielen.
  • Eine Erdungsschicht 11d, die auf dem ersten dielektrischen Substrat 11 ausgebildet ist, und leitende Schichten 11b, die mit der Erdungsschicht 11d verbunden sind und sich in der Laminierungsrichtung erstrecken, dienen ebenfalls als Störschutzschichten (später beschrieben).
  • Das Material des ersten dielektrischen Substrats 11 und des zweiten dielektrischen Substrats 12 ist nicht auf Keramikwerkstoffe oder ein Kunstharz beschränkt und kann ein anderes dielektrisches Material sein. Jedoch ermöglicht das aus Keramikwerkstoffen hergestellte erste dielektrische Substrat 11, die Hochfrequenzvorrichtungen 13 durch Thermodruckbindung bei etwa 400°C wie im Fall einer Au-Verbindung zu montieren. Das erste dielektrische Substrat 11 braucht keine Laminierungsstruktur aufzuweisen, jedoch erleichtert der Einsatz einer Laminierungsstruktur wie in dieser Ausführung die Bildung einer funktionellen Filterkomponente, usw. innerhalb eines Substrats. Das zweite dielektrische Substrat 12, welches aus einem Kunstharz mit geringer dielektrischer Konstante hergestellt ist, macht es möglich, den Antennenwirkungsgrad zu erhöhen. Es ist wünschenswert, dass die relativen dielektrischen Konstanten des ersten dielektrischen Substrats 11 und des zweiten dielektrischen Substrats 12 jeweils bei etwa 6 bis 45 und etwa 2 bis 5 liegen.
  • Alternativ dazu kann ein einzelnes, nicht im Feld angeordnetes Antennenelement 14 eingesetzt werden, wobei eine Mehrbandantenne ein Beispiel davon ist, die Rundfunkwellen einer Vielzahl von Frequenzen durch eine einzelne Antenne senden und empfangen kann. Des Weiteren ist das Antennenelement 14 nicht auf eine Flächenantenne, die in dieser Ausführung eingesetzt wird, beschränkt und kann eine beliebige von anderen Antennenformen wie zum Beispiel eine umgekehrte F-Antenne sein.
  • Das erste dielektrische Substrat 11 ist mit einer Abschirmung versehen, um die Hochfrequenzvorrichtungen 13 dadurch elektromagnetisch zu schirmen, dass sie diese umgibt. Die Abschirmung ist aus den oben erwähnten Abschirmschichten (d. h. die leitenden Schichten 11b und die Erdungsschicht 11d, die in oder auf dem ersten dielektrischen Substrat 11 ausgebildet sind) und einem Abdeckelement 15 zusammengesetzt, das die Hochfrequenzvorrichtungen 13 abschließt. Das Abdeckelement 15, dem eine Abschirmfunktion derart zugewiesen ist, dass zum Beispiel ein Kunstharz mit einem Metall überzogen wird, schließt die Hochfrequenzvorrichtungen 13 zusammen mit den Abschirmschichten elektromagnetisch ab. Alternativ dazu kann das Abdeckelement 15 selbst aus einem Metall hergestellt sein, damit eine Abschirmfunktion zugewiesen werden kann. In dem veranschaulichten Beispiel ist das Abdeckelement 15 mit einer Trennwand 15a ausgebildet, die die Hochfrequenzvorrichtungen 13 einzeln mit den im ersten dielektrischen Substrat 11 ausgebildeten leitenden Schichten 11b zusammen elektromagnetisch abschließt. Im Grunde verhindert das Abdeckelement 15 auch eine elektromagnetische Störung zwischen den Hochfrequenzvorrichtungen 13: durch eine verbesserte Isoliercharakteristik werden stabile Funktionseigenschaften erzielt. Alternativ dazu kann die Trennwand 15a weggelassen werden, wobei in diesem Fall nur eine elektromagnetische Abschirmung nach außen erreicht wird.
  • Wie oben beschrieben ist, werden im elektronischen Bauelementmodul 10 nach dieser Ausführung die ersten Übertragungsleitungen 11a, die im ersten dielektrischen Substrat 11 ausgebildet sind, das mit den Hochfrequenzvorrichtungen 13 montiert wird, und die zweiten Übertragungsleitungen 12a, die im zweiten dielektrischen Substrat 12 ausgebildet sind, das mit den Antennenelementen 14 versehen wird, elektrisch direkt miteinander verbunden. Deshalb werden im Gegensatz zu dem Fall, bei dem die ersten Übertragungsleitungen 11a und die zweiten Übertragungsleitungen 12a über Schlitze miteinander elektromagnetisch verbunden werden, die physikalischen Abmessungen des Moduls nicht durch eine genutzte Frequenz bestimmt, oder das Band der Signal-Durchlassfrequenz wird nicht durch die Abmessung von Schlitzen eingeschränkt. Dies macht es möglich, das elektronische Bauelementmodul mit integrierter Antenne zu miniaturisieren und seine Bandbreite zu erhöhen.
  • Weil die Hochfrequenzvorrichtungen 13 durch die Abschirmung elektromagnetisch abgeschirmt sind, werden außerdem elektromagnetische Einflüsse von externen elektronischen Geräten verhindert, und daher kann der Betrieb stabilisiert werden. Außerdem wird des Weiteren eine unerwünschte elektromagnetische Kopplung im elektronischen Bauelementmodul verhindert und die Isolationseigenschaft zwischen den Geräten verbessert, da die Hochfrequenzvorrichtungen 13 einzeln elektromagnetisch abgeschirmt werden, wodurch die Betriebseigenschaften noch stabiler gemacht werden können.
  • Als Nächstes wird ein Herstellungsverfahren des wie oben ausgeführten elektronischen Bauelementmoduls beschrieben.
  • Zuerst werden die Hochfrequenzvorrichtungen 13 auf der Montageoberfläche des ersten dielektrischen Substrats 11 montiert, um sie mit den ersten Übertragungsleitungen 11a zu verbinden, wodurch ein geräteseitiges Modul A ausgebildet wird. Auf dem zweiten dielektrischen Substrat 12 werden die Antennenelemente 14 vorgesehen, damit sie mit den zweiten Übertragungsleitungen 12a verbunden werden, wodurch das antennenseitige Modul B ausgebildet wird (siehe 2). Anschließend wird das erste dielektrische Substrat 11 und das zweite dielektrische Substrat 12 in der Laminierungsrichtung zusammengefügt, wodurch die ersten Übertragungsleitungen 11a und die zweiten Übertragungsleitungen 12a miteinander elektrisch verbunden werden.
  • Die Folge ist, dass die Hochfrequenzvorrichtungen 13 und die Antennenelemente 14 miteinander über die ersten Übertragungsleitungen 11a und die zweiten Übertragungsleitungen 12a verbunden werden, die jeweils direkt mit den Hochfrequenzvorrichtungen 13 und den Antennenelementen 14 verbunden sind. Deshalb kann das elektronische Bauelementmodul mit integrierter Antenne, wie es oben beschrieben ist, miniaturisiert und seine Bandbreite erhöht werden.
  • Dieses Herstellungsverfahren ermöglicht es, ein elektronisches Bauelementmodul mit integrierter Antenne zu bauen, bei dem das erste dielektrische Substrat 11 und das zweite dielektrische Substrat 12 in einer solchen Kombination vorhanden sind, dass sie nicht, wie in der Kombination nach dieser Ausführung, bei der das erste dielektrische Substrat 11 und das zweite dielektrische Substrat 12 jeweils aus Keramikwerkstoffen und einem Kunstharz hergestellt sind, gleichzeitig gebrannt werden können.
  • Das Zusammenfügen des ersten dielektrischen Substrats 11 und zweiten dielektrischen Substrats 12 wird auf folgende Weise durchgeführt. Zuerst wird auf einem oder beiden Abschnitten der ersten Übertragungsleitungen 11a, die an der mit dem zweiten dielektrischen Substrat 12 zu verbindenden Oberfläche des ersten dielektrischen Substrats 11 freigelegt sind; und Abschnitten der zweiten Übertragungsleitungen 12a, die an der mit dem ersten dielektrischen Substrat 11 zu verbindenden Oberfläche des zweiten die lektrischen Substrats 12 freigelegt sind, eine Lötmetallschicht als ein leitendes Verbindungselement gebildet. Die Lötmetallschicht kann in beliebiger Pastenform, Blechform, Kugelform und BGA-Form (BGA-Technik) sein.
  • Für das leitende Verbindungselement können andere Werkstoffe als Lötmetall verwendet werden. Zum Beispiel können eine Metall enthaltende Paste oder blattähnliche leitende Kunstharze verwendet werden, die ausgehärtet werden, wenn an ihnen Wärme, Licht, ein Elektronenstrahl oder Feuchtigkeit angewandt wird.
  • Nach dem Aufbringen des Lötmetalls werden die ersten Übertragungsleitungen 11a und die zweiten Übertragungsleitungen 12a relativ zueinander ausgerichtet, und das erste dielektrische Substrat 11 und das zweite dielektrische Substrat 12 werden aufeinander gelegt und erhitzt. Die Folge ist, dass die Schicht aus Lötmetall geschmolzen wird und die ersten Übertragungsleitungen 11a und die zweiten Übertragungsleitungen 12a miteinander verbunden werden.
  • Obwohl sich geschmolzenes Lötmetall über die freigelegten Abschnitte der ersten Übertragungsleitungen 11a und der zweiten Übertragungsleitungen 12a mit kleinen Berührungswinkeln erstreckt, erstreckt es sich nicht auf die anderen Bereichen, die große Berührungswinkel aufweisen. Deshalb werden das erste dielektrische Substrat 11 und das zweite dielektrische Substrat 12 durch die Oberflächenspannung des Lötmetalls derart positioniert, dass sich die ersten Übertragungsleitungen 19a und zweiten Übertragungsleitungen 12a genau gegenüber liegen.
  • Schließlich wird nach dem Positionieren die zusammengefügte Struktur bei normaler Temperatur gelassen, und das Lötmetall erstarrt: das erste dielektrische Substrat 11 und das zweite dielektrische Substrat 12 werden miteinander fixiert, während sie korrekt positioniert sind. Auf diese Weise werden die zwei Substrate 11 und 12 mit einer korrekten Positionsbeziehung zusammen fixiert. Das Zusammenfügen der ersten Übertragungslei tungen 11a und der zweiten Übertragungsleitungen 12a, was eine genaue Ausrichtung erfordert, kann korrekt durchgeführt werden.
  • Nach dem Zusammenfügen des ersten dielektrischen Substrats 11 und des zweiten dielektrischen Substrats 12 wird das Abdeckelement 15 am ersten dielektrischen Substrat 11 befestigt, um die Hochfrequenzvorrichtungen 13 elektromagnetisch abzuschirmen (siehe 2). Somit ist das elektronische Bauelementmodul 10 fertig gestellt.
  • Die Erfindung ist nicht auf die oben angegebene Ausführung beschränkt. Zum Beispiel kann, wie in 3 dargestellt, das Abdeckelement 15 aus einem plattenähnlichen Deckel 15b und Abstandselementen 15c als Seitenwände zusammengesetzt sein.
  • Gemäß 4 ist das Beispiel einer Ausführung möglich, bei der im ersten dielektrischen Substrat 11 Hohlräume 11b ausgebildet sind, und die Hochfrequenzvorrichtungen 13 in den Hohlräumen 11b montiert werden. Diese Ausführung kann die Höhe und die Verlustleistung des elektronischen Bauelementmoduls 10 reduzieren.
  • Des Weiteren kann ein elektronisches Bauelementmodul so gebaut werden, wie es in 5 dargestellt ist. Ein drittes dielektrisches Substrat 16 ist mit einem Durchgangsloch 16a ausgebildet, in welches das mit den Hochfrequenzvorrichtungen 13 montierte dielektrische Substrat 11 eingesetzt wird und das mit Niederfrequenz-Funktionskomponenten 17 montiert wird. Das dritte dielektrische Substrat 16 wird zum Beispiel durch Verschrauben an dem zweiten dielektrischen Substrat 12 befestigt, wodurch das erste dielektrische Substrat 11 und das zweite dielektrische Substrat 12 miteinander ausgerichtet werden. Das erste dielektrische Substrat 11 und das dritte dielektrische Substrat 16 werden über gebondete Drähte, Goldstreifen, ein Kabel und Stecker oder dergleichen elektrisch miteinander verbunden.
  • Beispiele der Niederfrequenz-Funktionskomponenten sind ein Regelkreis, eine Rechnerschaltung und eine Signalverarbeitungsschaltung. Jedoch sind die Niederfrequenz-Funktionskomponenten nicht auf diese elektronischen Bauteile beschränkt.
  • Ein preiswertes elektronisches Bauelementmodul kann dadurch gebaut werden, dass ein gewöhnliches Kunstharzsubstrat wie zum Beispiel ein Substrat aus Glasepoxidharz als das dritte dielektrische Substrat 16 verwendet wird.

Claims (12)

  1. Ein elektronisches Bauelementmodul (10) umfassend: ein Modul auf der Vorrichtungsseite (A) umfassend: ein erstes dielektrisches Substrat (11) das mit einer ersten Übertragungsleitung geformt ist; und eine Hochfrequenzvorrichtung die auf dem ersten dielektrischen Substrat montiert und mit der ersten Übertragungsleitung (11a) verbunden ist; und ein Modul auf der Antennenseite (B) umfassend: ein zweites dielektrisches Substrat (12), das auf dem ersten dielektrischen Substrat (11) liegt, sodass sie in einer Schichtrichtung angeordnet sind, und das mit einer zweiten Übertragungsleitung (12a) geformt ist, die elektrisch mit der ersten Übertragungsleitung (11a) verbunden ist; und ein Antennenelement (14), das auf dem zweiten dielektrischen Substrat (12) vorgesehen ist und elektrisch mit der Hochfrequenzvorrichtung (13) über die zweite Übertragungsleitung (12a) und die erste Übertragungsleitung (11a) verbunden ist, wobei das erste dielektrische Substrat (11) mit einer Abschirmung versehen ist, welche die Hochfrequenzvorrichtung (13) umgeben und sie dadurch elektromagnetisch abschirmen, dadurch gekennzeichnet, dass die Abschirmung eine Mehrzahl von Hochfrequenzvorrichtungen individuell elektromagnetisch abschirmen; und die Abschirmung einen Deckel (15) umfassen, der mit einer Zwischenwand (15a) geformt ist.
  2. Das elektronische Bauelementmodul gemäß Anspruch 1, weiterhin umfassend ein drittes dielektrisches Substrat (16) das mit einem Durchkontakt (16a) geformt ist, in welchen das erste dielektrische Substrat (11) eingelegt ist, mit einem Niederfrequenz-Funktionskomponente (17) montiert, am zweiten dielektrischen Substrat (12) befestigt ist, und elektrisch mit dem ersten dielektrischen Substrat (11) verbunden ist.
  3. Das elektronische Bauelementmodul gemäß Anspruch 1, worin das erste dielektrische Substrat (11) aus Keramik ist.
  4. Das elektronische Bauelementmodul gemäß Anspruch 3 worin das erste dielektrische Substrat (11) aus Niedertemperatur-Einbrand-Keramik ist.
  5. Das elektronische Bauelementmodul gemäß Anspruch 1, worin das zweite dielektrische Substrat (12) aus Harz ist.
  6. Das elektronische Bauelementmodul gemäß Anspruch 1, worin das erste dielektrische Substrat (11) mit einem Hohlraum geformt ist und die Hochfrequenzvorrichtung (13) in dem Hohlraum montiert ist.
  7. Das elektronische Bauelementmodul gemäß Anspruch 1, worin die Abschirmung eine Abschirmschicht, die im ersten dielektrischen Substrat (11) geformt ist, und einen Deckel, der die Hochfrequenzvorrichtungen abschirmt, umfassen.
  8. Das elektronische Bauelementmodul gemäß Anspruch 1, worin das erste dielektrische Substrat (11) und das zweite dielektrische Substrat (12) aufeinander laminiert sind.
  9. Ein Herstellungsverfahren eines elektronischen Bauelementmoduls, die folgenden Schritte umfassend: Formen eines Moduls auf der Vorrichtungsseite durch Montieren einer Hochfrequenzvorrichtung auf einem ersten dielektrischen Substrat, sodass die Hochfrequenzvorrichtung mit einer ersten Übertragungsleitung verbunden ist; Formen eines Moduls auf der Antennenseite durch vorsehen eines Antennenelements auf einem zweiten dielektrischen Substrat, sodass das Antennenelement mit einer zweiten Übertragungsleitung verbunden ist; miteinander Verbinden des ersten dielektrischen Substrats und des zweiten dielektrischen Substrats in einer Laminierungsrichtung und dadurch elektrisch die erste Übertragungsleitung und die zweite Übertragungsleitung miteinander verbinden; Vorsehen von Abschirmung, die die Hochfrequenzvorrichtung umgeben und sie dadurch elektromagnetisch abschirmen, für das erste dielektrische Substrat, dadurch gekennzeichnet, dass die Abschirmung eine Mehrzahl von Hochfrequenzvorrichtungen individuell elektromagnetisch abschirmt; und die Abschirmung einen Deckel umfassen, der mit einer Zwischenwand geformt ist.
  10. Das Herstellungsverfahren eines elektronischen Bauelementmoduls gemäß Anspruch 9, worin das miteinander Verbinden des ersten dielektrischen Substrats und des zweiten dielektrischen Substrats durch die folgenden Schritte verrichtet wird: Anwenden eines leitfähigen Verbundmaterials an wenigsten einem von einem Teiles der ersten Übertragungsleitung, die in einer Oberfläche exponiert ist, um mit dem zweiten dielektrischen Substrat verbunden zu werden, des ersten dielektrischen Substrats und einem Teil der zweiten Übertragungsleitung, die in einer Oberfläche exponiert ist, um mit dem ersten dielektrischen Substrat verbunden zu werden, des zweiten dielektrischen Substrats; Ausrichten der ersten Übertragungsleitung und der zweiten Übertragungsleitung und aufeinander Schichten des ersten dielektrischen Substrats und des zweiten dielektrischen Substrats; und Verfestigen des leitfähigen Verbundmaterials und dadurch Befestigen der erste Übertragungsleitung mit der zweiten Übertragungsleitung und Herstellung elektrischer Kontinuität zwischen ihnen.
  11. Das Herstellungsverfahren eines elektronischen Bauelementmoduls gemäß Anspruch 10, wobei das leitfähige Verbundmaterial Lötmittel ist.
  12. Das Herstellungsverfahren eines elektronischen Bauelementmoduls gemäß Anspruch 10, wobei das leitfähige Verbundmaterial ein leitfähiger Harz ist, der Metall beinhaltet.
DE602004003191T 2003-09-10 2004-09-03 Mehrschichtige Hochfrequenzvorrichtung mit Planarantenne und Herstellungsverfahren Expired - Lifetime DE602004003191T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003317757A JP2005086603A (ja) 2003-09-10 2003-09-10 電子部品モジュールおよびその製造方法
JP2003317757 2003-09-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE602004003191D1 DE602004003191D1 (de) 2006-12-28
DE602004003191T2 true DE602004003191T2 (de) 2007-02-22

Family

ID=34131988

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE602004003191T Expired - Lifetime DE602004003191T2 (de) 2003-09-10 2004-09-03 Mehrschichtige Hochfrequenzvorrichtung mit Planarantenne und Herstellungsverfahren

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7236070B2 (de)
EP (1) EP1515389B1 (de)
JP (1) JP2005086603A (de)
CN (1) CN1595649A (de)
DE (1) DE602004003191T2 (de)

Families Citing this family (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3973402B2 (ja) * 2001-10-25 2007-09-12 株式会社日立製作所 高周波回路モジュール
WO2005099331A1 (ja) * 2004-03-30 2005-10-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. モジュール部品およびその製造方法
KR100631212B1 (ko) * 2005-08-01 2006-10-04 삼성전자주식회사 모놀리식 듀플렉서 및 그 제조방법
JP4749795B2 (ja) * 2005-08-05 2011-08-17 新光電気工業株式会社 半導体装置
JP4721270B2 (ja) * 2005-08-24 2011-07-13 日本無線株式会社 アンテナ製造方法
WO2007049376A1 (ja) * 2005-10-27 2007-05-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. 高周波モジュール
JP4620576B2 (ja) * 2005-12-02 2011-01-26 パナソニック株式会社 無線装置
CN101432926B (zh) * 2006-04-28 2013-10-09 松下电器产业株式会社 内置天线电路模块及其制造方法
JP4730196B2 (ja) * 2006-05-08 2011-07-20 パナソニック株式会社 カード型情報装置
JP2007306172A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Tdk Corp バンドパスフィルタ素子および高周波モジュール
JP5123493B2 (ja) * 2006-05-30 2013-01-23 新光電気工業株式会社 配線基板及び半導体装置
US8171191B2 (en) * 2006-08-04 2012-05-01 Arm Limited Bus interconnect device and a data processing apparatus including such a bus interconnect device
US7477197B2 (en) * 2006-12-29 2009-01-13 Intel Corporation Package level integration of antenna and RF front-end module
JP2008205067A (ja) * 2007-02-19 2008-09-04 Sharp Corp 高周波信号処理モジュール及び電子機器
US8077095B2 (en) 2007-03-29 2011-12-13 Intel Corporation Multi-band highly isolated planar antennas integrated with front-end modules for mobile applications
US7573359B2 (en) * 2007-03-29 2009-08-11 Intel Corporation Reducing crosstalk in electronic devices having microstrip lines covered by a flexible insulating material and a metallic backing plate
JP4996345B2 (ja) * 2007-05-30 2012-08-08 株式会社東芝 アンテナ装置及び情報端末装置
US7852270B2 (en) * 2007-09-07 2010-12-14 Sharp Kabushiki Kaisha Wireless communication device
US7855685B2 (en) * 2007-09-28 2010-12-21 Delphi Technologies, Inc. Microwave communication package
EP2068393A1 (de) * 2007-12-07 2009-06-10 Panasonic Corporation Beschichtete HF-Vorrichtung mit vertikalen Resonatoren
US9007265B2 (en) * 2009-01-02 2015-04-14 Polytechnic Institute Of New York University Using dielectric substrates, embedded with vertical wire structures, with slotline and microstrip elements to eliminate parallel-plate or surface-wave radiation in printed-circuits, chip packages and antennas
US8633858B2 (en) * 2010-01-29 2014-01-21 E I Du Pont De Nemours And Company Method of manufacturing high frequency receiving and/or transmitting devices from low temperature co-fired ceramic materials and devices made therefrom
JP2011216957A (ja) 2010-03-31 2011-10-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 高周波回路基板
US20120170230A1 (en) * 2010-12-30 2012-07-05 Research In Motion Limited Combining printed circuit boards
DE102011005145A1 (de) 2011-03-04 2012-09-06 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Leiterplattenanordnung für Millimeterwellen-Scanner
US9780928B2 (en) 2011-10-17 2017-10-03 Golba Llc Method and system for providing diversity in a network that utilizes distributed transceivers and array processing
US9166284B2 (en) * 2012-12-20 2015-10-20 Intel Corporation Package structures including discrete antennas assembled on a device
US9172131B2 (en) * 2013-03-15 2015-10-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor structure having aperture antenna
JP5756500B2 (ja) * 2013-08-07 2015-07-29 太陽誘電株式会社 回路モジュール
US20160197400A1 (en) * 2015-01-07 2016-07-07 Delphi Technologies, Inc. Circuit board assembly with high and low frequency substrates
EP3251167B1 (de) * 2015-01-27 2020-07-15 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Baugruppenträger mit integrierter antennenstruktur
WO2017111769A1 (en) * 2015-12-22 2017-06-29 Intel Corporation Microelectronic devices designed with compound semiconductor devices and integrated on an inter die fabric
JP2017183653A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 スナップトラック・インコーポレーテッド 高周波用多層配線基板とその製造方法
CN107369673B (zh) * 2016-05-13 2019-11-05 华为技术有限公司 设置有天线的集成电路封装装置及其制造方法
US10854995B2 (en) 2016-09-02 2020-12-01 Movandi Corporation Wireless transceiver having receive antennas and transmit antennas with orthogonal polarizations in a phased array antenna panel
FR3055742B1 (fr) * 2016-09-06 2019-12-20 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Guide d'ondes millimetriques
EP3370303B1 (de) * 2016-10-21 2021-12-08 KYOCERA Corporation Substrat für etiketten, rfid-etikett und rfid-system
US10199717B2 (en) 2016-11-18 2019-02-05 Movandi Corporation Phased array antenna panel having reduced passive loss of received signals
US10594019B2 (en) 2016-12-03 2020-03-17 International Business Machines Corporation Wireless communications package with integrated antenna array
US10396432B2 (en) * 2017-01-23 2019-08-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Antenna-integrated radio frequency module
JP6809600B2 (ja) * 2017-04-03 2021-01-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール
TWI678772B (zh) * 2017-04-28 2019-12-01 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
TWI663701B (zh) * 2017-04-28 2019-06-21 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
EP3621153B1 (de) * 2017-05-02 2022-11-09 Amotech Co., Ltd. Antennenmodul
US10321332B2 (en) 2017-05-30 2019-06-11 Movandi Corporation Non-line-of-sight (NLOS) coverage for millimeter wave communication
US10916861B2 (en) 2017-05-30 2021-02-09 Movandi Corporation Three-dimensional antenna array module
WO2018221273A1 (ja) * 2017-06-02 2018-12-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US10484078B2 (en) 2017-07-11 2019-11-19 Movandi Corporation Reconfigurable and modular active repeater device
US10658762B2 (en) 2017-07-14 2020-05-19 Apple Inc. Multi-band millimeter wave antenna arrays
US10971825B2 (en) 2017-07-28 2021-04-06 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Antenna module and method of manufacturing the same
US11095037B2 (en) 2017-08-11 2021-08-17 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Antenna module
JP6905438B2 (ja) * 2017-09-22 2021-07-21 株式会社フジクラ 無線通信モジュール
JP6946890B2 (ja) * 2017-09-22 2021-10-13 Tdk株式会社 複合電子部品
KR102494338B1 (ko) * 2017-11-08 2023-02-01 삼성전기주식회사 안테나 모듈
KR102410799B1 (ko) 2017-11-28 2022-06-21 삼성전자주식회사 밀리미터 웨이브 신호를 송/수신하기 위한 통신 장치 및 그 통신 장치를 포함하는 전자 장치
JP7023683B2 (ja) 2017-11-29 2022-02-22 Tdk株式会社 パッチアンテナ
US10348371B2 (en) 2017-12-07 2019-07-09 Movandi Corporation Optimized multi-beam antenna array network with an extended radio frequency range
US10862559B2 (en) 2017-12-08 2020-12-08 Movandi Corporation Signal cancellation in radio frequency (RF) device network
US10090887B1 (en) 2017-12-08 2018-10-02 Movandi Corporation Controlled power transmission in radio frequency (RF) device network
KR102022353B1 (ko) * 2018-01-18 2019-09-18 삼성전기주식회사 안테나 모듈
US11088457B2 (en) 2018-02-26 2021-08-10 Silicon Valley Bank Waveguide antenna element based beam forming phased array antenna system for millimeter wave communication
US10637159B2 (en) 2018-02-26 2020-04-28 Movandi Corporation Waveguide antenna element-based beam forming phased array antenna system for millimeter wave communication
KR102003840B1 (ko) 2018-03-12 2019-07-25 삼성전자주식회사 안테나 모듈
KR102520212B1 (ko) * 2018-04-05 2023-04-10 삼성전기주식회사 전자 소자 모듈 및 그 제조 방법
KR102518174B1 (ko) * 2018-04-05 2023-04-05 삼성전기주식회사 전자 소자 모듈
US10564679B2 (en) * 2018-04-05 2020-02-18 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic device module, method of manufacturing the same and electronic apparatus
CN110828962B (zh) 2018-08-09 2021-08-03 财团法人工业技术研究院 天线阵列模块及其制造方法
JP7091961B2 (ja) * 2018-09-13 2022-06-28 Tdk株式会社 オンチップアンテナ
EP3734764B1 (de) * 2018-10-18 2023-11-08 Amotech Co., Ltd. Antennengehäuse mit hohlraumstruktur
US11205855B2 (en) 2018-12-26 2021-12-21 Silicon Valley Bank Lens-enhanced communication device
US11145986B2 (en) 2018-12-26 2021-10-12 Silicon Valley Bank Lens-enhanced communication device
JP7021718B2 (ja) * 2019-03-25 2022-02-17 株式会社村田製作所 フィルタ、アンテナモジュールおよび通信装置
US11043740B2 (en) * 2019-05-14 2021-06-22 Qualcomm Incorporated Enhanced antenna module with shield layer
WO2020241271A1 (ja) 2019-05-31 2020-12-03 株式会社村田製作所 サブアレイアンテナ、アレイアンテナ、アンテナモジュール、および通信装置
US20210045227A1 (en) * 2019-08-08 2021-02-11 At&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Component Carrier, Method of Manufacturing the Same and Method of Shielding a Structural Feature in a Component Carrier
KR102257930B1 (ko) * 2019-08-13 2021-05-28 삼성전기주식회사 칩 안테나
WO2021106377A1 (ja) * 2019-11-26 2021-06-03 京セラ株式会社 アンテナモジュール
KR20210072938A (ko) * 2019-12-10 2021-06-18 삼성전기주식회사 안테나 기판 및 이를 포함하는 안테나 모듈
JP7516139B2 (ja) 2020-07-13 2024-07-16 古河電気工業株式会社 アンテナモジュール
US11557544B2 (en) * 2020-08-27 2023-01-17 Nxp Usa, Inc. Semiconductor device having a translation feature and method therefor
US11901270B2 (en) * 2020-09-02 2024-02-13 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package
KR102517347B1 (ko) 2021-04-29 2023-04-03 주식회사 엘지유플러스 광대역 안테나 모듈 및 이를 구비한 이동 단말기

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0812887B2 (ja) 1985-04-13 1996-02-07 富士通株式会社 高速集積回路パツケ−ジ
JP2580604B2 (ja) * 1987-06-19 1997-02-12 三菱電機株式会社 アンテナ一体化マイクロ波集積回路
JP2606044B2 (ja) * 1991-04-24 1997-04-30 松下電器産業株式会社 誘電体フィルタ
US5768109A (en) * 1991-06-26 1998-06-16 Hughes Electronics Multi-layer circuit board and semiconductor flip chip connection
JP2840493B2 (ja) * 1991-12-27 1998-12-24 株式会社日立製作所 一体型マイクロ波回路
FR2710195B1 (fr) 1993-09-14 1995-10-13 Thomson Csf Assemblage antenne-circuit électronique.
JPH07170115A (ja) * 1993-12-15 1995-07-04 Fujitsu Ten Ltd トリプレートアンテナ付き高周波回路
JPH0964636A (ja) * 1995-08-21 1997-03-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 平面アンテナ
JP3427040B2 (ja) * 1996-02-29 2003-07-14 京セラ株式会社 高周波用パッケージ
JP3266491B2 (ja) 1996-02-29 2002-03-18 京セラ株式会社 高周波用パッケージ
JPH1027987A (ja) * 1996-07-10 1998-01-27 Hitachi Ltd 低ｅｍｉ回路基板及び低ｅｍｉケーブルコネクタ
JPH10224120A (ja) * 1997-02-06 1998-08-21 Murata Mfg Co Ltd 誘電体線路
JPH10303640A (ja) * 1997-04-25 1998-11-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> アンテナ装置
DE19918567C2 (de) * 1998-04-23 2002-01-03 Kyocera Corp Verbindungsanordnung für dielektrische Wellenleiter
US6215377B1 (en) 1998-05-26 2001-04-10 Microsubstrates Corporation Low cost wideband RF port structure for microwave circuit packages using coplanar waveguide and BGA I/O format
JP3129288B2 (ja) * 1998-05-28 2001-01-29 日本電気株式会社 マイクロ波集積回路マルチチップモジュール、マイクロ波集積回路マルチチップモジュールの実装構造
JP3331967B2 (ja) 1998-06-02 2002-10-07 松下電器産業株式会社 ミリ波モジュール
JP2000216630A (ja) * 1999-01-20 2000-08-04 Alps Electric Co Ltd アンテナ付き送受信器
JP3687443B2 (ja) * 1999-10-12 2005-08-24 株式会社村田製作所 低温焼成セラミック組成物及びセラミック多層基板
US6456172B1 (en) * 1999-10-21 2002-09-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multilayered ceramic RF device
US6570469B2 (en) * 2000-06-27 2003-05-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multilayer ceramic device including two ceramic layers with multilayer circuit patterns that can support semiconductor and saw chips
JP2002164733A (ja) * 2000-11-24 2002-06-07 Sony Corp 平面アンテナ装置
JP3941416B2 (ja) * 2001-04-26 2007-07-04 ソニー株式会社 高周波モジュール装置及びその製造方法
US6784759B2 (en) * 2001-07-27 2004-08-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antenna duplexer and communication apparatus
JP3973402B2 (ja) * 2001-10-25 2007-09-12 株式会社日立製作所 高周波回路モジュール
JP2003204211A (ja) * 2002-09-30 2003-07-18 Nec Corp マイクロ波・ミリ波回路装置
JP2004327641A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Tdk Corp 電子部品モジュール
JP2004342948A (ja) * 2003-05-19 2004-12-02 Tdk Corp 電子部品モジュール
JP3734807B2 (ja) * 2003-05-19 2006-01-11 Ｔｄｋ株式会社 電子部品モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
DE602004003191D1 (de) 2006-12-28
CN1595649A (zh) 2005-03-16
JP2005086603A (ja) 2005-03-31
US7236070B2 (en) 2007-06-26
US20050088260A1 (en) 2005-04-28
EP1515389B1 (de) 2006-11-15
EP1515389A1 (de) 2005-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602004003191T2 (de) Mehrschichtige Hochfrequenzvorrichtung mit Planarantenne und Herstellungsverfahren
DE69938271T2 (de) Hochfrequenzmodul
DE69835633T2 (de) Hochfrequenzbaugruppe
DE60218101T2 (de) Hochfrequenzschaltungsmodul
DE112013001709B4 (de) Elektronische Halbleiterbaugruppe für Millimeterwellen-Halbleiterplättchen
DE69322930T2 (de) Modulare Mikrowellen-Anordnungseinheit und ihre Verbindungsstruktur
DE69514130T2 (de) Verbindung zwischen Schichten mit Leiterstreifen oder Mikrostreifen mittels eines Hohlraum gestützten Schlitzes
DE10350346B4 (de) Hochfrequenzleitungs-Wellenleiter-Konverter und Hochfrequenzpaket
DE602004008653T2 (de) Flexible konforme antenne
DE69628253T2 (de) Ultrahochfrequenzfunkgerät
DE10051661B4 (de) Demultiplexer-Platte vom Typ mit integrierter Antenne
DE60009962T2 (de) Hohlleiter-streifenleiter-übergang
DE602004001358T2 (de) Modul für elektronische Komponente
DE602004006676T2 (de) Gefaltete flexible Verbindungsschaltung mit Rasterkontaktschnittstelle
DE69613645T2 (de) Kostengünstiges hochleistungsgehäuse für mikrowellenschaltungen im 90 ghz-bereich mit bga ein/ausgangsformat und keramischer substrattechnologie
DE69324112T2 (de) Verfahren und Gerät zur Verbindung von radiofrequenten (RF) monolithisch integrierten Mikrowellenschaltungen
DE19813767C2 (de) Mikrowellen-Sender /Empfängermodul
DE69821327T2 (de) Kurzgeschlossene Streifenleiterantenne und Gerät damit
DE19818019B4 (de) Mikrowellenschaltungsgehäuse
DE69733115T2 (de) Millimeter-Hohlleiter und Schaltungsanordnung mit diesem Hohlleiter
DE69823591T2 (de) Geschichtete Aperturantenne und mehrschichtige Leiterplatte damit
DE3786844T2 (de) Packung für integrierte Schaltung.
DE69321052T2 (de) Oberflächenmontierte Hybrid-Mikroschaltung
DE69933619T2 (de) Hochfrequenzmodul
DE112009000784B4 (de) Hochfrequenzmodul und Verfahren zu seiner Herstellung und Sender, Empfänger, Sender-Empfänger und Radarvorrichtung, die das Hochfrequenzmodul umfassen

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition