JP3266491B2 - 高周波用パッケージ - Google Patents
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- Waveguide Aerials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波、特にマイ
クロ波またはミリ波用デバイスを収納するとともに、ア
ンテナ回路を具備したパッケージに関するものである。
クロ波またはミリ波用デバイスを収納するとともに、ア
ンテナ回路を具備したパッケージに関するものである。
【０００２】
【従来技術】近年に至り、マイクロ波及びミリ波を利用
した通信システムの開発等が盛んに行われ、それらの機
器に使用される高周波用デバイスの開発が進められつつ
ある。
した通信システムの開発等が盛んに行われ、それらの機
器に使用される高周波用デバイスの開発が進められつつ
ある。
【０００３】マイクロ波及びミリ波は、広帯域、高分解
能、短波長等の特性を有することで知られている。これ
らの特徴は、大容量通信、高速データ伝送、機器の小型
軽量化が可能であると同時に、他の通信システムへの干
渉性が小さい等のメリットを有することから、従来よ
り、ＩＤカードシステム、無線ＬＡＮ、車載レーダ等の
システムへの利用が盛んに開発されている。
能、短波長等の特性を有することで知られている。これ
らの特徴は、大容量通信、高速データ伝送、機器の小型
軽量化が可能であると同時に、他の通信システムへの干
渉性が小さい等のメリットを有することから、従来よ
り、ＩＤカードシステム、無線ＬＡＮ、車載レーダ等の
システムへの利用が盛んに開発されている。
【０００４】このようなシステムは、通常、アンテナ、
高周波発振器、増幅器等の高周波デバイス、高周波デバ
イスを封止するパッケージ、アンテナと高周波デバイ
ス、あるいは高周波デバイス同士を接続する伝送線路か
ら構成されている。
高周波発振器、増幅器等の高周波デバイス、高周波デバ
イスを封止するパッケージ、アンテナと高周波デバイ
ス、あるいは高周波デバイス同士を接続する伝送線路か
ら構成されている。
【０００５】しかし、一般的に高周波デバイス自体の出
力が弱いこと及び伝送線路における損失が大きいことが
問題として取り上げられている。特に、アンテナと高周
波デバイス間の伝送損失を低減するために伝送線路とし
て、従来より伝送損失の少ない導波管や同軸ケーブルが
用いられている。
力が弱いこと及び伝送線路における損失が大きいことが
問題として取り上げられている。特に、アンテナと高周
波デバイス間の伝送損失を低減するために伝送線路とし
て、従来より伝送損失の少ない導波管や同軸ケーブルが
用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来ア
ンテナと高周波デバイスとは別体で設けられており、こ
れらの素子間を導波管や同軸ケーブルにより接続する
と、システム全体が大きくなってしまうという問題があ
り、また、量産にも適さないという問題点がある。
ンテナと高周波デバイスとは別体で設けられており、こ
れらの素子間を導波管や同軸ケーブルにより接続する
と、システム全体が大きくなってしまうという問題があ
り、また、量産にも適さないという問題点がある。
【０００７】一方、導波管や同軸ケーブルに換わる伝送
線路として、マイクロストリップ線路、コプレーナウエ
イブガイド等が用いられているが、単位長さ当りの伝送
損失が導波管や同軸ケーブルに比べて大きいという欠点
を有するために、容易には用いることができないのが現
状であった。
線路として、マイクロストリップ線路、コプレーナウエ
イブガイド等が用いられているが、単位長さ当りの伝送
損失が導波管や同軸ケーブルに比べて大きいという欠点
を有するために、容易には用いることができないのが現
状であった。
【０００８】従って、本発明は、このような状況を鑑
み、アンテナ素子と高周波デバイスとを具備し、コンパ
クトでしかも量産が可能なマイクロ波またはミリ波等の
高周波を用いたシステムに好適に使用可能な高周波用パ
ッケージを提供することを目的とするものである。
み、アンテナ素子と高周波デバイスとを具備し、コンパ
クトでしかも量産が可能なマイクロ波またはミリ波等の
高周波を用いたシステムに好適に使用可能な高周波用パ
ッケージを提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な課題に対して検討を重ねた結果、高周波デバイスとア
ンテナをできるだけ近接して一体化して配置し、これら
をマイクロストリップ線路やコプレーナウエイブガイド
等により接続される伝送線路の長さを短くすることによ
り、伝送損失を極力低減できることを見出し本発明に至
った。
な課題に対して検討を重ねた結果、高周波デバイスとア
ンテナをできるだけ近接して一体化して配置し、これら
をマイクロストリップ線路やコプレーナウエイブガイド
等により接続される伝送線路の長さを短くすることによ
り、伝送損失を極力低減できることを見出し本発明に至
った。
【００１０】即ち、本発明の高周波用パッケージは、第
１の誘電体基板にアンテナ素子と該アンテナ素子に給電
するための高周波線路とが形成されたアンテナ回路基板
と、第２の誘電体基板の一部にキャビティが形成され、
該キャビティ内に高周波デバイスが収納され、且つ該高
周波デバイスに信号を伝達するための伝送線路が形成さ
れた高周波デバイス回路基板とを積層一体化するととも
に、前記アンテナ回路基板の高周波線路と、前記高周波
デバイス回路基板の伝送線路とを電磁結合により接続し
たことを特徴とするものである。
１の誘電体基板にアンテナ素子と該アンテナ素子に給電
するための高周波線路とが形成されたアンテナ回路基板
と、第２の誘電体基板の一部にキャビティが形成され、
該キャビティ内に高周波デバイスが収納され、且つ該高
周波デバイスに信号を伝達するための伝送線路が形成さ
れた高周波デバイス回路基板とを積層一体化するととも
に、前記アンテナ回路基板の高周波線路と、前記高周波
デバイス回路基板の伝送線路とを電磁結合により接続し
たことを特徴とするものである。
【００１１】また、前記アンテナ回路基板は、前記高周
波デバイス回路基板における前記キャビティを形成する
ための蓋体であってもよく、さらに、前記第１の誘電体
基板の比誘電率と第２の誘電体基板の比誘電率とが異な
ることが望ましい。
波デバイス回路基板における前記キャビティを形成する
ための蓋体であってもよく、さらに、前記第１の誘電体
基板の比誘電率と第２の誘電体基板の比誘電率とが異な
ることが望ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の高周波用パッケージの構
造を図面をもとに説明する。図１は、本発明の高周波用
パッケージの一例を示す断面図である。図１において、
高周波用パッケージ１は、アンテナ回路基板Ａと、高周
波デバイス回路基板Ｂにより構成される。アンテナ回路
基板Ａにおいては、第１の誘電体基板２の表面に平面型
のアンテナ素子３が形成されており、誘電体基板２のア
ンテナ素子３形成面の反対側の面には、アンテナ素子３
に給電するための高周波線路４（以下、給電線路とい
う。）が形成されている。また、誘電体基板２の内部に
は、ほぼ基板内全面にグランド層５が形成され、このグ
ランド層５のアンテナ素子３と対向する位置にスロット
６が形成されている。このようなアンテナ回路基板Ａに
よれば、アンテナ素子３で受信した電磁波はスロット６
を介して給電線路４と電磁的に結合されて電磁波が伝達
される。
造を図面をもとに説明する。図１は、本発明の高周波用
パッケージの一例を示す断面図である。図１において、
高周波用パッケージ１は、アンテナ回路基板Ａと、高周
波デバイス回路基板Ｂにより構成される。アンテナ回路
基板Ａにおいては、第１の誘電体基板２の表面に平面型
のアンテナ素子３が形成されており、誘電体基板２のア
ンテナ素子３形成面の反対側の面には、アンテナ素子３
に給電するための高周波線路４（以下、給電線路とい
う。）が形成されている。また、誘電体基板２の内部に
は、ほぼ基板内全面にグランド層５が形成され、このグ
ランド層５のアンテナ素子３と対向する位置にスロット
６が形成されている。このようなアンテナ回路基板Ａに
よれば、アンテナ素子３で受信した電磁波はスロット６
を介して給電線路４と電磁的に結合されて電磁波が伝達
される。
【００１３】一方、高周波デバイス回路基板Ｂは、第２
の誘電体基板７の一部にキャビティ８が形成され、キャ
ビティ８内には高周波デバイス９が収納され、蓋体１０
により気密に封止されている。また、高周波デバイス９
は、第２の誘電体基板７に形成された伝送線路１１と電
気的に接続されており、高周波デバイス９には伝送線路
１１を通じて信号が伝達される。また、誘電体基板７内
にも、全面にグランド層１２が形成されている。
の誘電体基板７の一部にキャビティ８が形成され、キャ
ビティ８内には高周波デバイス９が収納され、蓋体１０
により気密に封止されている。また、高周波デバイス９
は、第２の誘電体基板７に形成された伝送線路１１と電
気的に接続されており、高周波デバイス９には伝送線路
１１を通じて信号が伝達される。また、誘電体基板７内
にも、全面にグランド層１２が形成されている。
【００１４】また図１によれば、上記のアンテナ回路基
板Ａの給電線路４形成面と、高周波デバイス回路基板Ｂ
の高周波デバイス９形成面の背面同志で積層されて一体
化されている。そして、アンテナ回路基板Ａの給電線路
４と、高周波デバイス回路基板Ｂの伝送線路１１の間に
は、全面にグランド層１２が形成され、給電線路４と伝
送線路１１とが対向する位置において、グランド層１２
にスロット１３が形成され、このスロット１３を介し
て、給電線路４と伝送線路１１とは電磁結合されてい
る。
板Ａの給電線路４形成面と、高周波デバイス回路基板Ｂ
の高周波デバイス９形成面の背面同志で積層されて一体
化されている。そして、アンテナ回路基板Ａの給電線路
４と、高周波デバイス回路基板Ｂの伝送線路１１の間に
は、全面にグランド層１２が形成され、給電線路４と伝
送線路１１とが対向する位置において、グランド層１２
にスロット１３が形成され、このスロット１３を介し
て、給電線路４と伝送線路１１とは電磁結合されてい
る。
【００１５】また、アンテナ回路基板Ａ内のグランド層
５と、高周波デバイス回路基板Ｂのグランド層１２と
は、できるだけ多くのバイアホール１４、１５等により
電気的に接続することがグランド層の共振現象を抑える
点で望ましい。
５と、高周波デバイス回路基板Ｂのグランド層１２と
は、できるだけ多くのバイアホール１４、１５等により
電気的に接続することがグランド層の共振現象を抑える
点で望ましい。
【００１６】このように、アンテナ回路基板Ａにおける
アンテナ素子３と給電線路４、および高周波デバイス回
路基板Ｂにおける伝送線路１１と、給電線路４とは、い
ずれも上述したようにグランド層５、１２に形成された
スロット６、１３を介して電磁結合されているが、この
うち、伝送線路１１と、給電線路４との電磁結合構造を
図２に示した。伝送線路１１と給電線路４とは同一のイ
ンピーダンスになるように形成され、それらの端部同士
が平面的にみて伝送信号の波長の１／４の長さ相当で重
複するように配置されている。そして、その重複部分の
グランド層において、幅が線路の幅とほぼ同一幅のスロ
ット１３が形成される。また、このスロットの長さは信
号波長の１／２の長さに形成されている。
アンテナ素子３と給電線路４、および高周波デバイス回
路基板Ｂにおける伝送線路１１と、給電線路４とは、い
ずれも上述したようにグランド層５、１２に形成された
スロット６、１３を介して電磁結合されているが、この
うち、伝送線路１１と、給電線路４との電磁結合構造を
図２に示した。伝送線路１１と給電線路４とは同一のイ
ンピーダンスになるように形成され、それらの端部同士
が平面的にみて伝送信号の波長の１／４の長さ相当で重
複するように配置されている。そして、その重複部分の
グランド層において、幅が線路の幅とほぼ同一幅のスロ
ット１３が形成される。また、このスロットの長さは信
号波長の１／２の長さに形成されている。
【００１７】また、アンテナ素子３と給電線路４とも図
２と同様に配置して形成することにより、電磁結合され
ている。
２と同様に配置して形成することにより、電磁結合され
ている。
【００１８】図１の構成によれば、アンテナ素子３で受
信した電磁波による信号は、スロット６を介して給電線
路４に伝達され、さらに給電線路４と電磁的に結合され
た伝送線路１１に伝達され、最終的に高周波デバイス９
に伝達される。なお、高周波デバイス９において所定の
信号処理を行なった後、伝送線路１６を通して外部接続
端子１７から出力される。
信した電磁波による信号は、スロット６を介して給電線
路４に伝達され、さらに給電線路４と電磁的に結合され
た伝送線路１１に伝達され、最終的に高周波デバイス９
に伝達される。なお、高周波デバイス９において所定の
信号処理を行なった後、伝送線路１６を通して外部接続
端子１７から出力される。
【００１９】図３は、本発明の高周波用パッケージの他
の実施例の断面図である。図３において図１の実施例と
同一機能部については同一の符号を付した。かかる実施
例によれば、アンテナ回路基板Ａを高周波デバイス回路
基板Ｂにおけるキャビティ８を形成するための蓋体（１
０）として形成することにより、パッケージ全体の部品
数を減少させることができる。また、かかる構成によれ
ば、高周波デバイス９にヒートシンク１８を接合して高
周波デバイス９から発生した熱を効率的に放熱させるこ
とができるために、デバイスの加熱による誤動作を防止
しパッケージとしての機能の信頼性をさらに高めること
ができる。
の実施例の断面図である。図３において図１の実施例と
同一機能部については同一の符号を付した。かかる実施
例によれば、アンテナ回路基板Ａを高周波デバイス回路
基板Ｂにおけるキャビティ８を形成するための蓋体（１
０）として形成することにより、パッケージ全体の部品
数を減少させることができる。また、かかる構成によれ
ば、高周波デバイス９にヒートシンク１８を接合して高
周波デバイス９から発生した熱を効率的に放熱させるこ
とができるために、デバイスの加熱による誤動作を防止
しパッケージとしての機能の信頼性をさらに高めること
ができる。
【００２０】通常、アンテナ回路において、アンテナ素
子３が図１、３のようなパッチアンテナの場合、アンテ
ナ回路のＱ値は第１の誘電体基板の比誘電率に比例して
大きくなり、誘電体基板の厚さｄに反比例して小さくな
る性質がある。このＱ値が小さくなると、指向性が乱れ
るためＱ値は大きい方がよい。ただし、Ｑ値が大きすぎ
ると周波数帯域が狭くなってしまう。ここで、Ｑ値を大
きくするために、誘電体基板の誘電率をあまり大きくす
ると、空気の誘電率との差が大きくなるため、電磁波
は、誘電体基板表面を伝播しやすくなり、アンテナ面に
垂直な方向の空間に放射されにくくなる。これに対し
て、放射効率は、誘電率が低く、誘電体基板の厚さｄが
大きい程、大きくなる傾向にある。
子３が図１、３のようなパッチアンテナの場合、アンテ
ナ回路のＱ値は第１の誘電体基板の比誘電率に比例して
大きくなり、誘電体基板の厚さｄに反比例して小さくな
る性質がある。このＱ値が小さくなると、指向性が乱れ
るためＱ値は大きい方がよい。ただし、Ｑ値が大きすぎ
ると周波数帯域が狭くなってしまう。ここで、Ｑ値を大
きくするために、誘電体基板の誘電率をあまり大きくす
ると、空気の誘電率との差が大きくなるため、電磁波
は、誘電体基板表面を伝播しやすくなり、アンテナ面に
垂直な方向の空間に放射されにくくなる。これに対し
て、放射効率は、誘電率が低く、誘電体基板の厚さｄが
大きい程、大きくなる傾向にある。
【００２１】従って、このような観点から、本発明にお
いては、アンテナ回路基板Ａにおける第１の誘電体基板
２の比誘電率が２〜１０が適当であり、また誘電体基板
の厚み（図１におけるパッチアンテナ３からスロット６
までの距離）も０．０３λ0〜０．０６λ0 （λ0 は真
空中の波長）が適当である。つまり、比誘電率が２より
低いか、厚みが０．０６λ0 より厚いとＱ値が小さくな
り、比誘電率が１０より大きいか、または厚みが０．０
３λ0 より薄いと、放射効率が小さくなる。
いては、アンテナ回路基板Ａにおける第１の誘電体基板
２の比誘電率が２〜１０が適当であり、また誘電体基板
の厚み（図１におけるパッチアンテナ３からスロット６
までの距離）も０．０３λ0〜０．０６λ0 （λ0 は真
空中の波長）が適当である。つまり、比誘電率が２より
低いか、厚みが０．０６λ0 より厚いとＱ値が小さくな
り、比誘電率が１０より大きいか、または厚みが０．０
３λ0 より薄いと、放射効率が小さくなる。
【００２２】一方、高周波デバイス９と接続される伝送
線路１１や伝送線路１６の線幅は、５０〜３００μｍが
適当である。これは、線幅を５０μｍより小さくする
と、印刷技術や製造時の歩留り等から信頼性の高い線路
を形成するのが難しく、３００μｍを越えると、回路自
体が大きくなってしまうためである。このため、高周波
デバイス回路における第２の誘電体基板７の比誘電率
は、５〜５０が適当である。例えば、マイクロストリッ
プ線路の場合、比誘電率が５未満のとき、特性インピー
ダンスを５０Ωにするには、線路幅を３００μｍより大
きくするか、又は誘電体厚みを１８０μｍより小さくし
なければならない。前者の場合は回路自体が大きくな
り、また、後者の場合はテープ多層技術を用いて量産す
るには薄すぎて適当でない。
線路１１や伝送線路１６の線幅は、５０〜３００μｍが
適当である。これは、線幅を５０μｍより小さくする
と、印刷技術や製造時の歩留り等から信頼性の高い線路
を形成するのが難しく、３００μｍを越えると、回路自
体が大きくなってしまうためである。このため、高周波
デバイス回路における第２の誘電体基板７の比誘電率
は、５〜５０が適当である。例えば、マイクロストリッ
プ線路の場合、比誘電率が５未満のとき、特性インピー
ダンスを５０Ωにするには、線路幅を３００μｍより大
きくするか、又は誘電体厚みを１８０μｍより小さくし
なければならない。前者の場合は回路自体が大きくな
り、また、後者の場合はテープ多層技術を用いて量産す
るには薄すぎて適当でない。
【００２３】他方、比誘電率が５０を越えると、特性イ
ンピーダンスを５０Ωにするには、線路幅を５０μｍよ
り小さくするか、又は誘電体厚みを７００μｍより大き
くしなければならない。前者の場合は、信頼性の高い線
路を形成することが難しく、また後者の場合には、パッ
ケージそのものが全体的に厚くなり、適当でないためで
ある。
ンピーダンスを５０Ωにするには、線路幅を５０μｍよ
り小さくするか、又は誘電体厚みを７００μｍより大き
くしなければならない。前者の場合は、信頼性の高い線
路を形成することが難しく、また後者の場合には、パッ
ケージそのものが全体的に厚くなり、適当でないためで
ある。
【００２４】図１および図３の実施例によれば、アンテ
ナ回路基板Ａにおける誘電体基板２は、上記観点から例
えば、アルミナセラミックス、ガラスセラミックス、窒
化アルミニウムセラミックス等の材質から構成され、ア
ンテナ素子３、給電線路４、グランド層５は、Ｗ、Ｍ
ｏ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の導体材料により、周知の多層
技術、例えば、誘電体基板２をガラスセラミックス、給
電線路４等を銅導体により構成する場合、誘電体基板を
構成するガラスセラミック成形体の表面に銅導体ペース
トを所定位置に印刷して積層した後、同時焼成すること
により形成することができる。
ナ回路基板Ａにおける誘電体基板２は、上記観点から例
えば、アルミナセラミックス、ガラスセラミックス、窒
化アルミニウムセラミックス等の材質から構成され、ア
ンテナ素子３、給電線路４、グランド層５は、Ｗ、Ｍ
ｏ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の導体材料により、周知の多層
技術、例えば、誘電体基板２をガラスセラミックス、給
電線路４等を銅導体により構成する場合、誘電体基板を
構成するガラスセラミック成形体の表面に銅導体ペース
トを所定位置に印刷して積層した後、同時焼成すること
により形成することができる。
【００２５】一方、高周波デバイス回路基板Ｂも、上記
の観点から誘電体基板７を第１の誘電体基板２と同様の
材質、伝送線路１２やグランド層１６を給電線路４等の
同様の導体により構成することができる。この場合もア
ンテナ回路基板Ａと同様な多層化技術により形成すれば
よい。その後、誘電体基板２のキャビティ内に高周波デ
バイス９をエポキシ樹脂、ハンダまたはＡｕ−Ｓｉ合金
等の接着剤により設置する。
の観点から誘電体基板７を第１の誘電体基板２と同様の
材質、伝送線路１２やグランド層１６を給電線路４等の
同様の導体により構成することができる。この場合もア
ンテナ回路基板Ａと同様な多層化技術により形成すれば
よい。その後、誘電体基板２のキャビティ内に高周波デ
バイス９をエポキシ樹脂、ハンダまたはＡｕ−Ｓｉ合金
等の接着剤により設置する。
【００２６】なお、前記アンテナ回路基板Ａと高周波デ
バイス回路基板Ｂとは、Ａｕ−Ｓｉ合金や、Ａｕ−Ｓｎ
合金等の所望の接着剤により接合一体化することもでき
るが、望ましくは、それぞれ誘電体基板と基板内の導体
と同時焼成する場合、予め焼成前の成形体を積層一体化
した後、アンテナ回路基板Ａと高周波デバイス回路基板
Ｂとを同時焼成して形成することが望ましい。
バイス回路基板Ｂとは、Ａｕ−Ｓｉ合金や、Ａｕ−Ｓｎ
合金等の所望の接着剤により接合一体化することもでき
るが、望ましくは、それぞれ誘電体基板と基板内の導体
と同時焼成する場合、予め焼成前の成形体を積層一体化
した後、アンテナ回路基板Ａと高周波デバイス回路基板
Ｂとを同時焼成して形成することが望ましい。
【００２７】なお、図１および図３の実施例によれば、
アンテナ素子３はいずれもパッチアンテナであるが、も
ちろんアレー化して指向性等を付与してもよい。また、
高周波デバイス９には様々な機能を具備することが可能
であるが、例えば、図４の構成のように、少なくとも１
つの周波数変換器１９、高周波発振器２０を含み、望ま
しくは低雑音増幅器２１や増幅器２２を具備し、パッケ
ージの外部接続端子１７から出力される信号は、アンテ
ナ素子３で受信または放射される信号周波数よりも低い
周波数におとし、伝送損失を小さくすることが望まし
い。
アンテナ素子３はいずれもパッチアンテナであるが、も
ちろんアレー化して指向性等を付与してもよい。また、
高周波デバイス９には様々な機能を具備することが可能
であるが、例えば、図４の構成のように、少なくとも１
つの周波数変換器１９、高周波発振器２０を含み、望ま
しくは低雑音増幅器２１や増幅器２２を具備し、パッケ
ージの外部接続端子１７から出力される信号は、アンテ
ナ素子３で受信または放射される信号周波数よりも低い
周波数におとし、伝送損失を小さくすることが望まし
い。
【００２８】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の高周波用パ
ッケージによれば、アンテナ回路基板と高周波デバイス
回路基板とを一体化して接続する線路を短縮化すること
ができるために線路での損失を最小限とすることができ
るために、アンテナ回路を具備しながらも小型でしかも
量産が可能なマイクロ波またはミリ波等の高周波を用い
たシステムに適用できる高周波用パッケージが得られ
る。
ッケージによれば、アンテナ回路基板と高周波デバイス
回路基板とを一体化して接続する線路を短縮化すること
ができるために線路での損失を最小限とすることができ
るために、アンテナ回路を具備しながらも小型でしかも
量産が可能なマイクロ波またはミリ波等の高周波を用い
たシステムに適用できる高周波用パッケージが得られ
る。
【図１】本発明の高周波用パッケージの基本的構造の一
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
【図２】図１のパッケージにおける電磁結合構造を説明
するための図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図
である。
するための図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図
である。
【図３】本発明の高周波用パッケージの基本的構造の他
の実施例を示す断面図である。
の実施例を示す断面図である。
【図４】本発明の高周波用パッケージに収納する高周波
デバイスの一例を示すブロック図である。
デバイスの一例を示すブロック図である。
１ 高周波用パッケージ Ａ アンテナ回路基板 Ｂ 高周波デバイス回路基板 ２ 第１の誘電体基板 ３ アンテナ素子 ４ 高周波線路 ５ グランド層 ６ スロット ７ 第２の誘電体基板 ８ キャビティ ９ 高周波デバイス １０ 蓋体 １１ 伝送線路 １２ グランド層 １３ スロット １４，１５ バイアホール １６ 伝送線路 １７ 外部接続端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｑ 23/00 Ｈ０１Ｑ 23/00 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/02 H01L 23/12 301 H01L 25/00 H01P 5/02 603 H01P 5/08 H01Q 13/08 H01Q 23/00
Claims (3)
- 【請求項１】第１の誘電体基板にアンテナ素子と該アン
テナ素子に給電するための高周波線路とを形成したアン
テナ回路基板と、第２の誘電体基板の一部にキャビティ
を形成し、該キャビティ内に高周波デバイスを収納し、
且つ該高周波デバイスに信号を伝達するための伝送線路
を形成した高周波デバイス回路基板とを積層一体化する
とともに、前記アンテナ回路基板の高周波線路と、前記
高周波デバイス回路基板の伝送線路とを電磁結合により
接続したことを特徴とする高周波用パッケージ。 - 【請求項２】前記アンテナ回路基板が、前記高周波デバ
イス回路基板における前記キャビティを形成するための
蓋体である請求項１記載の高周波用パッケージ。 - 【請求項３】前記第１の誘電体基板の比誘電率が２〜１
０、前記第２の誘電体基板の比誘電率が５〜５０である
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載の高周波
用パッケージ。
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