JPH10224120A - 誘電体線路 - Google Patents
誘電体線路Info
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- JPH10224120A JPH10224120A JP9023879A JP2387997A JPH10224120A JP H10224120 A JPH10224120 A JP H10224120A JP 9023879 A JP9023879 A JP 9023879A JP 2387997 A JP2387997 A JP 2387997A JP H10224120 A JPH10224120 A JP H10224120A
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- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/16—Dielectric waveguides, i.e. without a longitudinal conductor
- H01P3/165—Non-radiating dielectric waveguides
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- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/081—Microstriplines
- H01P3/082—Multilayer dielectric
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/18—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type built-up from several layers to increase operating surface, i.e. alternately conductive and dielectric layers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
- H01P5/18—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers
- H01P5/184—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers the guides being strip lines or microstrips
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体ストリップの位置決め固定の問題、製
作上および強度上の問題を解消した誘電体線路を提供す
る。 【解決手段】 高誘電率部３および低誘電率部４を有す
るシート状誘電体セラミック１とともにシート状誘電体
セラミック２を積層焼成し、外面に電極膜を形成するこ
とによって、高誘電率部を伝搬域、低誘電率部を非伝搬
域とする誘電体線路を構成する。
作上および強度上の問題を解消した誘電体線路を提供す
る。 【解決手段】 高誘電率部３および低誘電率部４を有す
るシート状誘電体セラミック１とともにシート状誘電体
セラミック２を積層焼成し、外面に電極膜を形成するこ
とによって、高誘電率部を伝搬域、低誘電率部を非伝搬
域とする誘電体線路を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ミリ波帯やマイ
クロ波帯で用いられる伝送路や集積回路等に適する誘電
体線路に関する。
クロ波帯で用いられる伝送路や集積回路等に適する誘電
体線路に関する。
【０００２】
【従来の技術】誘電体線路として、平行な２つの導電体
平面間に誘電体ストリップを設けることによって、その
誘電体ストリップに沿って電磁波を伝搬させるようにし
たものがある。特に上記２つの導電体平面の間隔を半波
長以下にして遮断域を構成することによって誘電体スト
リップから電磁波を放射させないようにした非放射性誘
電体線路（以下「ＮＲＤガイド」という。）が伝送損失
の低い伝送路として、また集積化した誘電体線路装置と
して開発されている。
平面間に誘電体ストリップを設けることによって、その
誘電体ストリップに沿って電磁波を伝搬させるようにし
たものがある。特に上記２つの導電体平面の間隔を半波
長以下にして遮断域を構成することによって誘電体スト
リップから電磁波を放射させないようにした非放射性誘
電体線路（以下「ＮＲＤガイド」という。）が伝送損失
の低い伝送路として、また集積化した誘電体線路装置と
して開発されている。
【０００３】従来のＮＲＤガイドの２つの構成例を断面
図として図１５に示す。同図の（Ａ）において１２，１
２は平行な２つの導電体平面を成す金属板からなる導電
体板であり、その間に誘電体ストリップ１１を配置して
いる。また同図の（Ｂ）において１１′は所定部分に誘
電体ストリップ１１部分を設けた合成樹脂または誘電体
セラミックからなる誘電体板であり、その外面に電極膜
５をそれぞれ形成している。この２つの誘電体板を誘電
体ストリップ１１部分で対向させるように配置してい
る。このようにして、誘電体ストリップ部分を伝搬域、
その両側を非伝搬域（遮断域）とするＮＲＤガイドを構
成している。
図として図１５に示す。同図の（Ａ）において１２，１
２は平行な２つの導電体平面を成す金属板からなる導電
体板であり、その間に誘電体ストリップ１１を配置して
いる。また同図の（Ｂ）において１１′は所定部分に誘
電体ストリップ１１部分を設けた合成樹脂または誘電体
セラミックからなる誘電体板であり、その外面に電極膜
５をそれぞれ形成している。この２つの誘電体板を誘電
体ストリップ１１部分で対向させるように配置してい
る。このようにして、誘電体ストリップ部分を伝搬域、
その両側を非伝搬域（遮断域）とするＮＲＤガイドを構
成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図１５の
（Ａ）に示した構造の誘電体線路においては、導電体板
１２と誘電体ストリップ１１とをそれぞれ別々に製造し
なければならず、また導電体板１２に対する誘電体スト
リップ１１の位置決めおよび固定が困難であるという問
題があった。また図１５の（Ｂ）に示した構造の誘電体
線路においては、誘電体ストリップ１１部分を伝搬域と
し、その両側を非伝搬域とするためには、非伝搬域部分
の誘電体板１１′（つば部分）を薄くしなければならな
いため、製作上の困難が伴い、強度上の問題が生じる。
（Ａ）に示した構造の誘電体線路においては、導電体板
１２と誘電体ストリップ１１とをそれぞれ別々に製造し
なければならず、また導電体板１２に対する誘電体スト
リップ１１の位置決めおよび固定が困難であるという問
題があった。また図１５の（Ｂ）に示した構造の誘電体
線路においては、誘電体ストリップ１１部分を伝搬域と
し、その両側を非伝搬域とするためには、非伝搬域部分
の誘電体板１１′（つば部分）を薄くしなければならな
いため、製作上の困難が伴い、強度上の問題が生じる。
【０００５】この発明の目的は、上述した各種問題を解
消して、誘電体ストリップの位置決め固定の問題、製作
上および強度上の問題を解消した誘電体線路を提供する
ことにある。
消して、誘電体ストリップの位置決め固定の問題、製作
上および強度上の問題を解消した誘電体線路を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、略平行な２
つの導電体平面の間に誘電体ストリップを配してなる誘
電体線路であって、誘電体ストリップの位置決め固定の
問題、製作上および強度上の問題を解消するために、請
求項１に記載のとおり、シート状誘電体セラミックを積
層焼成して、実効的誘電率の高い第１領域と、この第１
領域に比べて実効的誘電率の低い第２領域とを形成し、
その外面に電極膜を形成することによって、前記第１領
域を前記誘電体ストリップとし、前記電極膜を前記導電
体平面とする。
つの導電体平面の間に誘電体ストリップを配してなる誘
電体線路であって、誘電体ストリップの位置決め固定の
問題、製作上および強度上の問題を解消するために、請
求項１に記載のとおり、シート状誘電体セラミックを積
層焼成して、実効的誘電率の高い第１領域と、この第１
領域に比べて実効的誘電率の低い第２領域とを形成し、
その外面に電極膜を形成することによって、前記第１領
域を前記誘電体ストリップとし、前記電極膜を前記導電
体平面とする。
【０００７】このように構成することによって、導電体
平面と誘電体ストリップ部分とが積層焼成されることに
なる。したがって、図１５の（Ａ）に示した構造の誘電
体線路とは異なり、導電体板と誘電体ストリップとを別
々に作成する必要がなく、両者の位置決め固定の問題が
解消される。さらに、前記実効的誘電率の低い第２領域
を完全な空気層とするのではなく、シート状誘電体の実
効的誘電率の低い部分の積層部分を前記第２領域とすれ
ば、非伝搬域にも実効的誘電率の低い誘電体セラミック
層が存在することになるため、図１５の（Ｂ）に示した
構造の誘電体線路とは異なり、非伝搬域部分が薄くなる
ことによる強度上および製作上の問題も回避される。
平面と誘電体ストリップ部分とが積層焼成されることに
なる。したがって、図１５の（Ａ）に示した構造の誘電
体線路とは異なり、導電体板と誘電体ストリップとを別
々に作成する必要がなく、両者の位置決め固定の問題が
解消される。さらに、前記実効的誘電率の低い第２領域
を完全な空気層とするのではなく、シート状誘電体の実
効的誘電率の低い部分の積層部分を前記第２領域とすれ
ば、非伝搬域にも実効的誘電率の低い誘電体セラミック
層が存在することになるため、図１５の（Ｂ）に示した
構造の誘電体線路とは異なり、非伝搬域部分が薄くなる
ことによる強度上および製作上の問題も回避される。
【０００８】また、この発明は上述した問題を解消する
とともに、２つの導電体平面に平行な面で分離された誘
電体線路を構成するために、請求項２に記載のとおり、
それぞれ、シート状誘電体セラミックを積層焼成して実
効的誘電率の高い第１領域と、この第１領域に比べて実
効的誘電率の低い第２領域とを形成するとともに一方の
主面に電極膜を形成した２つの誘電体板を、前記電極形
成面を外側にして前記第１領域同士を対向させ、前記第
１領域を前記誘電体ストリップとし、前記電極膜を前記
導電体平面とする。
とともに、２つの導電体平面に平行な面で分離された誘
電体線路を構成するために、請求項２に記載のとおり、
それぞれ、シート状誘電体セラミックを積層焼成して実
効的誘電率の高い第１領域と、この第１領域に比べて実
効的誘電率の低い第２領域とを形成するとともに一方の
主面に電極膜を形成した２つの誘電体板を、前記電極形
成面を外側にして前記第１領域同士を対向させ、前記第
１領域を前記誘電体ストリップとし、前記電極膜を前記
導電体平面とする。
【０００９】この構成によって、それぞれの一方の主面
に電極膜を形成した２つの誘電体板の間に、平面回路を
構成した基板を設ければ、平面回路結合型の誘電体線路
を容易に構成できるようになる。
に電極膜を形成した２つの誘電体板の間に、平面回路を
構成した基板を設ければ、平面回路結合型の誘電体線路
を容易に構成できるようになる。
【００１０】上記実効的誘電率の低い第２領域を、請求
項３に記載のとおり、あらかじめ開口部を形成したシー
ト上誘電体セラミックを積層して、その開口部の積層に
よって構成すれば、実効的誘電率の高い第１領域と実効
的誘電率の低い第２領域とを有する、誘電体セラミック
の積層構造が容易に形成できる。この開口部は前記第２
領域の全体にわたって形成してもよいが、第２領域内に
多数の微小な開口部（孔）を形成すれば、非伝搬域部分
が薄くなることによる強度上および製作上の問題も回避
される。
項３に記載のとおり、あらかじめ開口部を形成したシー
ト上誘電体セラミックを積層して、その開口部の積層に
よって構成すれば、実効的誘電率の高い第１領域と実効
的誘電率の低い第２領域とを有する、誘電体セラミック
の積層構造が容易に形成できる。この開口部は前記第２
領域の全体にわたって形成してもよいが、第２領域内に
多数の微小な開口部（孔）を形成すれば、非伝搬域部分
が薄くなることによる強度上および製作上の問題も回避
される。
【００１１】また、請求項４に記載のとおり、上記第２
領域に第１領域より低誘電率の誘電体を充填することと
すれば、前記開口部を第２領域の全体にわたって形成し
ても、非伝搬域部分が薄くなることによる強度上および
製作上の問題が解消される。
領域に第１領域より低誘電率の誘電体を充填することと
すれば、前記開口部を第２領域の全体にわたって形成し
ても、非伝搬域部分が薄くなることによる強度上および
製作上の問題が解消される。
【００１２】また、請求項５に記載のとおり、あらかじ
め開口部を形成したシート状誘電体セラミックを積層
し、前記開口部の積層部分に前記第２領域より高誘電率
の誘電体を充填して第１領域を構成することにより、実
効的誘電率の高い第１領域と実効的誘電率の低い第２領
域とを有する、誘電体セラミックの積層構造が容易に形
成できる。この場合も、開口部を前記第１領域の全体に
わたって形成してもよいが、第１領域内に多数の微小な
開口部（孔）を形成し、各開口部に高誘電率の誘電体を
充填してもよい。
め開口部を形成したシート状誘電体セラミックを積層
し、前記開口部の積層部分に前記第２領域より高誘電率
の誘電体を充填して第１領域を構成することにより、実
効的誘電率の高い第１領域と実効的誘電率の低い第２領
域とを有する、誘電体セラミックの積層構造が容易に形
成できる。この場合も、開口部を前記第１領域の全体に
わたって形成してもよいが、第１領域内に多数の微小な
開口部（孔）を形成し、各開口部に高誘電率の誘電体を
充填してもよい。
【００１３】
【発明の実施の形態】この発明の第１の実施形態に係る
誘電体線路の構成を図１および図２を参照して説明す
る。
誘電体線路の構成を図１および図２を参照して説明す
る。
【００１４】図１は誘電体線路を構成するシート状誘電
体セラミックを分離して示した分解斜視図である。同図
において１，２はそれぞれシート状誘電体セラミックで
ある。最外層となるシート状誘電体セラミック２は全体
に均一な誘電率を有するシートであるが、シート状誘電
体セラミック１は高誘電率部３と低誘電率部４とからそ
れぞれ構成している。この低誘電率部４はシート状誘電
体セラミックにパンチングによって微小な多数の孔を設
けることによって構成している。すなわち高誘電率部３
の実効的誘電率はもともとのシート状誘電体セラミック
の誘電率であり、低誘電率部４の実効的誘電率をそれよ
り低いものとなっている。
体セラミックを分離して示した分解斜視図である。同図
において１，２はそれぞれシート状誘電体セラミックで
ある。最外層となるシート状誘電体セラミック２は全体
に均一な誘電率を有するシートであるが、シート状誘電
体セラミック１は高誘電率部３と低誘電率部４とからそ
れぞれ構成している。この低誘電率部４はシート状誘電
体セラミックにパンチングによって微小な多数の孔を設
けることによって構成している。すなわち高誘電率部３
の実効的誘電率はもともとのシート状誘電体セラミック
の誘電率であり、低誘電率部４の実効的誘電率をそれよ
り低いものとなっている。
【００１５】図２は図１に示した各シート状誘電体セラ
ミック１，２をグリーンシート状態（未焼成の状態）で
積層し焼成することによって一体化し、さらに図におけ
る上下面に電極膜５を形成した状態を示す。この電極膜
５はＡｇ電極の焼き付けやＣｕのメッキによって形成す
る。ここで、電極膜５，５の間隔を、低誘電率部４の実
効的誘電率で定まる管内波長の半分以下とし、かつ高誘
電率部３部分の実効的誘電率で定まる管内波長の半分よ
り大きくなるように設定する。これによって、電極膜５
が平行な２つの導電体平面を成し、その間で高誘電率部
３が誘電体ストリップとして作用し、その部分が電極膜
５に平行な偏波をもつ電磁波を伝搬する伝搬域となり、
その両側の低誘電率部４が、電極膜５に平行な偏波をも
つ電磁波を遮断する非伝搬域となる。
ミック１，２をグリーンシート状態（未焼成の状態）で
積層し焼成することによって一体化し、さらに図におけ
る上下面に電極膜５を形成した状態を示す。この電極膜
５はＡｇ電極の焼き付けやＣｕのメッキによって形成す
る。ここで、電極膜５，５の間隔を、低誘電率部４の実
効的誘電率で定まる管内波長の半分以下とし、かつ高誘
電率部３部分の実効的誘電率で定まる管内波長の半分よ
り大きくなるように設定する。これによって、電極膜５
が平行な２つの導電体平面を成し、その間で高誘電率部
３が誘電体ストリップとして作用し、その部分が電極膜
５に平行な偏波をもつ電磁波を伝搬する伝搬域となり、
その両側の低誘電率部４が、電極膜５に平行な偏波をも
つ電磁波を遮断する非伝搬域となる。
【００１６】なお、図１に示したように、最外層の誘電
体セラミックシートを均質な（微小な開口部を形成して
いない）誘電体セラミックシートとしたため、その外面
への電極膜の形成を容易に行うことができる。
体セラミックシートを均質な（微小な開口部を形成して
いない）誘電体セラミックシートとしたため、その外面
への電極膜の形成を容易に行うことができる。
【００１７】次に、第２の実施形態に係る誘電体線路の
構成を図３〜図６を参照して説明する。
構成を図３〜図６を参照して説明する。
【００１８】図３はグリーンシートの段階での各シート
状誘電体セラミックの構造を示す分解斜視図である。同
図においてシート状誘電体セラミック１には、後に誘電
体ストリップとなる誘電体ストリップ部１ａ，１ｂを枠
部１ｗに連結した構造となるように開口部を形成してい
る。最外層のシート状誘電体セラミック２には開口部を
形成していない。
状誘電体セラミックの構造を示す分解斜視図である。同
図においてシート状誘電体セラミック１には、後に誘電
体ストリップとなる誘電体ストリップ部１ａ，１ｂを枠
部１ｗに連結した構造となるように開口部を形成してい
る。最外層のシート状誘電体セラミック２には開口部を
形成していない。
【００１９】図４は図３に示したグリーンシート状のシ
ート状誘電体セラミック１，２を積層し焼成した後に、
図における上下面に電極膜５，５を形成した状態を示す
斜視図である。このように積層一体化した後に、図にお
ける二点鎖線で囲んだ部分を切り抜く（または二点斜線
部分より外側の不要部分を取り除く）ことによって、平
行な導電体平面の間に２つの誘電体ストリップ部１ａ，
１ｂを有する誘電体線路を得る。
ート状誘電体セラミック１，２を積層し焼成した後に、
図における上下面に電極膜５，５を形成した状態を示す
斜視図である。このように積層一体化した後に、図にお
ける二点鎖線で囲んだ部分を切り抜く（または二点斜線
部分より外側の不要部分を取り除く）ことによって、平
行な導電体平面の間に２つの誘電体ストリップ部１ａ，
１ｂを有する誘電体線路を得る。
【００２０】図５は誘電体ストリップ部１ａ，１ｂを通
る部分の断面図である。図６は図５に示した状態からさ
らに空気層（シート状誘電体セラミックの開口部であっ
た箇所）に低誘電率の誘電体６を充填した状態を示す断
面図である。図５または図６のいずれの構造であって
も、電極膜５，５の間隔および伝搬域部分および非伝搬
域部分の実効的誘電率を定めることによって、誘電体ス
トリップ部１ａ，１ｂ部分を伝搬域、その他の領域を非
伝搬域とする誘電体線路を構成することができる。因み
にこの第２の実施形態に係る誘電体線路は２つの平行誘
電体線路部分を近接させてなる方向性結合器として作用
する。
る部分の断面図である。図６は図５に示した状態からさ
らに空気層（シート状誘電体セラミックの開口部であっ
た箇所）に低誘電率の誘電体６を充填した状態を示す断
面図である。図５または図６のいずれの構造であって
も、電極膜５，５の間隔および伝搬域部分および非伝搬
域部分の実効的誘電率を定めることによって、誘電体ス
トリップ部１ａ，１ｂ部分を伝搬域、その他の領域を非
伝搬域とする誘電体線路を構成することができる。因み
にこの第２の実施形態に係る誘電体線路は２つの平行誘
電体線路部分を近接させてなる方向性結合器として作用
する。
【００２１】次に、第３の実施形態に係る誘電体線路の
構成を図７および図８を参照して説明する。
構成を図７および図８を参照して説明する。
【００２２】図７はグリーンシートの段階での各シート
状誘電体セラミックの構造を示す分解斜視図である。同
図においてシート状誘電体セラミック１には開口部Ｈ
ａ，Ｈｂをそれぞれ設けている。これらのシート状誘電
体セラミック１，２を積層し焼成した後、両主面に電極
膜を形成し、図４に示した場合と同様に、必要部分を切
り出すことによって、誘電体ストリップ部分となる領域
が空気層である積層体が構成される。
状誘電体セラミックの構造を示す分解斜視図である。同
図においてシート状誘電体セラミック１には開口部Ｈ
ａ，Ｈｂをそれぞれ設けている。これらのシート状誘電
体セラミック１，２を積層し焼成した後、両主面に電極
膜を形成し、図４に示した場合と同様に、必要部分を切
り出すことによって、誘電体ストリップ部分となる領域
が空気層である積層体が構成される。
【００２３】図８はその空気層に高誘電率誘電体７を充
填した状態を示す断面図である。同図において高誘電率
誘電体７はシート状誘電体セラミック１より比誘電率が
高い。この構造によって、高誘電率誘電体７、シート状
誘電体セラミック１，２のそれぞれの比誘電率および電
極膜５，５の間隔を定めることによって、高誘電率誘電
体７部分を伝搬域、その他の領域を非伝搬域とする誘電
体線路を構成する。
填した状態を示す断面図である。同図において高誘電率
誘電体７はシート状誘電体セラミック１より比誘電率が
高い。この構造によって、高誘電率誘電体７、シート状
誘電体セラミック１，２のそれぞれの比誘電率および電
極膜５，５の間隔を定めることによって、高誘電率誘電
体７部分を伝搬域、その他の領域を非伝搬域とする誘電
体線路を構成する。
【００２４】図９は第４の実施形態に係る誘電体線路の
断面図である。図１および図２に示した第１の実施形態
と異なり、この例では高誘電率部３および低誘電率部４
を有するシート状誘電体セラミック１と、誘電率の均一
なシート状誘電体セラミック２とを交互に積層してい
る。このようにシート状誘電体セラミックを積層し焼成
した後、図における上下面に電極膜５を形成することに
よって、高誘電率部３の集積部分の実効的誘電率を高め
て、その領域を伝搬域、その他の領域を非伝搬域とす
る。
断面図である。図１および図２に示した第１の実施形態
と異なり、この例では高誘電率部３および低誘電率部４
を有するシート状誘電体セラミック１と、誘電率の均一
なシート状誘電体セラミック２とを交互に積層してい
る。このようにシート状誘電体セラミックを積層し焼成
した後、図における上下面に電極膜５を形成することに
よって、高誘電率部３の集積部分の実効的誘電率を高め
て、その領域を伝搬域、その他の領域を非伝搬域とす
る。
【００２５】次に、第５の実施形態に係る誘電体線路の
構成を図１０および図１１を参照して説明する。
構成を図１０および図１１を参照して説明する。
【００２６】図１０は、誘電体線路を構成するシート状
誘電体セラミックを分離して示した分解斜視図である。
同図において１，２はそれぞれシート状誘電体セラミッ
クである。最外層となるシート状誘電体セラミック２は
全体に均一な誘電率を有するシートであるが、シート状
誘電体セラミック１は、高誘電率部３と低誘電率部４と
から構成している。この高誘電率部３は、シート状誘電
体セラミックに多数の微小な開口部（孔）をパンチング
によって形成し、その開口部内に高誘電率の誘電体を充
填することによって、その実効的誘電率を高めたもので
ある。したがって低誘電率部４の実効的誘電率はもとも
とのシート状誘電体セラミックの誘電率である。
誘電体セラミックを分離して示した分解斜視図である。
同図において１，２はそれぞれシート状誘電体セラミッ
クである。最外層となるシート状誘電体セラミック２は
全体に均一な誘電率を有するシートであるが、シート状
誘電体セラミック１は、高誘電率部３と低誘電率部４と
から構成している。この高誘電率部３は、シート状誘電
体セラミックに多数の微小な開口部（孔）をパンチング
によって形成し、その開口部内に高誘電率の誘電体を充
填することによって、その実効的誘電率を高めたもので
ある。したがって低誘電率部４の実効的誘電率はもとも
とのシート状誘電体セラミックの誘電率である。
【００２７】図１１は、図１０に示したグリーンシート
状のシート状誘電体セラミック１，２を積層し焼成した
後に、図における上下面に電極膜５，５を形成した状態
を示す断面図である。ここで、電極膜５，５の間隔を、
低誘電体率部４の実効的誘電率で定まる管内波長の半分
以下とし、かつ高誘電率部３部分の実効的誘電率で定ま
る管内波長の半分より大きくなるように設定することに
よって、電極膜５が平行な２つの導電体平面を成し、そ
の間の高誘電率部３が誘電体ストリップとして作用して
伝搬域となり、その両側の低誘電率部４が非伝搬域とな
る。
状のシート状誘電体セラミック１，２を積層し焼成した
後に、図における上下面に電極膜５，５を形成した状態
を示す断面図である。ここで、電極膜５，５の間隔を、
低誘電体率部４の実効的誘電率で定まる管内波長の半分
以下とし、かつ高誘電率部３部分の実効的誘電率で定ま
る管内波長の半分より大きくなるように設定することに
よって、電極膜５が平行な２つの導電体平面を成し、そ
の間の高誘電率部３が誘電体ストリップとして作用して
伝搬域となり、その両側の低誘電率部４が非伝搬域とな
る。
【００２８】図１２は第６の実施形態に係る誘電体線路
の構造を示す断面図である。これは図６に示した構造の
誘電体線路の一方の面にのみ電極膜を形成したものを対
にして、電極膜の形成していない面を対向させるととも
に、その間に基板８を配置したものである。この構造に
よって、上下２つの誘電体ストリップに挟まれるように
基板が配置されることになり、誘電体ストリップ部１ａ
部分を伝搬域、その他の領域を非伝搬域とする誘電体線
路が構成される。そして、基板８に導電体パターン（ス
トリップ）を設けることによって、サスペンデッドライ
ン、スロットライン、コプレーナライン等を構成すれ
ば、特願平０７−１６９９４９号で示したものと同様
の、誘電体線路と平面回路とが結合した平面回路結合型
の誘電体線路が得られる。
の構造を示す断面図である。これは図６に示した構造の
誘電体線路の一方の面にのみ電極膜を形成したものを対
にして、電極膜の形成していない面を対向させるととも
に、その間に基板８を配置したものである。この構造に
よって、上下２つの誘電体ストリップに挟まれるように
基板が配置されることになり、誘電体ストリップ部１ａ
部分を伝搬域、その他の領域を非伝搬域とする誘電体線
路が構成される。そして、基板８に導電体パターン（ス
トリップ）を設けることによって、サスペンデッドライ
ン、スロットライン、コプレーナライン等を構成すれ
ば、特願平０７−１６９９４９号で示したものと同様
の、誘電体線路と平面回路とが結合した平面回路結合型
の誘電体線路が得られる。
【００２９】次に第７の実施形態に係る誘電体線路の構
成を図１３および図１４を参照して説明する。
成を図１３および図１４を参照して説明する。
【００３０】図１３は誘電体線路の主要部の部分分解斜
視図である。同図において１ａ，１ｂ，１ｃ，２はそれ
ぞれシート状誘電体セラミックであり、このうち１ａ，
１ｂ，１ｃで示す部分は、たとえば図３に示したよう
に、それぞれの層は共通のシート状誘電体セラミックに
対して開口部を設けることによって形成したものであ
り、これらを積層し焼成することによって一対の積層体
を構成し、外側の面に電極膜５をそれぞれ形成してい
る。図１４の（Ａ）は図１３に示した誘電体線路の断面
図であり、（Ｂ）は２つの積層体の間に基板８を挟み込
んだ状態での断面図である。いずれの構成であっても、
１ａ，１ｂ，１ｃで示す部分がそれぞれ誘電体ストリッ
プ部として作用し、この部分が伝搬領域、その他の領域
が非伝搬領域となる。（Ｂ）に示した構造の場合、基板
８には導電体パターンおよびＶＣＯやミキサ等の回路素
子を実装していて、これらが誘電体線路と結合する平面
回路結合型誘電体線路装置を構成することになる。
視図である。同図において１ａ，１ｂ，１ｃ，２はそれ
ぞれシート状誘電体セラミックであり、このうち１ａ，
１ｂ，１ｃで示す部分は、たとえば図３に示したよう
に、それぞれの層は共通のシート状誘電体セラミックに
対して開口部を設けることによって形成したものであ
り、これらを積層し焼成することによって一対の積層体
を構成し、外側の面に電極膜５をそれぞれ形成してい
る。図１４の（Ａ）は図１３に示した誘電体線路の断面
図であり、（Ｂ）は２つの積層体の間に基板８を挟み込
んだ状態での断面図である。いずれの構成であっても、
１ａ，１ｂ，１ｃで示す部分がそれぞれ誘電体ストリッ
プ部として作用し、この部分が伝搬領域、その他の領域
が非伝搬領域となる。（Ｂ）に示した構造の場合、基板
８には導電体パターンおよびＶＣＯやミキサ等の回路素
子を実装していて、これらが誘電体線路と結合する平面
回路結合型誘電体線路装置を構成することになる。
【００３１】なお、各実施形態では、最外層をシート状
誘電体セラミックで構成し、それに電極膜を設けること
によって平行な導電体平面を形成したが、最外層を金属
板で構成することによって導電体平面を設けてもよい。
また、各実施形態では、最外層のシート状誘電体セラミ
ックとして、均質な誘電体セラミックシートを用いた
が、このような均質な誘電体セラミックシートを用いな
いで、最外層を含む全層について、実効的誘電率の高い
領域と実効的誘電率の低い領域とを有するセラミックシ
ートを用いてもよい。
誘電体セラミックで構成し、それに電極膜を設けること
によって平行な導電体平面を形成したが、最外層を金属
板で構成することによって導電体平面を設けてもよい。
また、各実施形態では、最外層のシート状誘電体セラミ
ックとして、均質な誘電体セラミックシートを用いた
が、このような均質な誘電体セラミックシートを用いな
いで、最外層を含む全層について、実効的誘電率の高い
領域と実効的誘電率の低い領域とを有するセラミックシ
ートを用いてもよい。
【００３２】さらに、本願発明は非放射性誘電体線路に
限るものではなく、平行な２つの導電体平面の間隔が半
波長を超えるＨガイドにも適用できることは言うまでも
ない。
限るものではなく、平行な２つの導電体平面の間隔が半
波長を超えるＨガイドにも適用できることは言うまでも
ない。
【００３３】
【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、導電体板
と誘電体ストリップとを別々に作成する必要がなく、導
電体平面と誘電体ストリップ部分とが積層焼成により一
体的に作成されることになるため、導電体板と誘電体ス
トリップとの位置決め固定の問題が解消される。さら
に、実効的誘電率の低い第２領域を完全な空気層とする
のではなく、シート状誘電体で構成すれば、非伝搬域部
分の強度上および製作上の問題も回避される。
と誘電体ストリップとを別々に作成する必要がなく、導
電体平面と誘電体ストリップ部分とが積層焼成により一
体的に作成されることになるため、導電体板と誘電体ス
トリップとの位置決め固定の問題が解消される。さら
に、実効的誘電率の低い第２領域を完全な空気層とする
のではなく、シート状誘電体で構成すれば、非伝搬域部
分の強度上および製作上の問題も回避される。
【００３４】請求項２に係る発明によれば、それぞれの
一方の主面に電極膜を形成した２つの誘電体板の間に、
平面回路を構成した基板を設けることによって、平面回
路結合型の誘電体線路を容易に構成できるようになる。
一方の主面に電極膜を形成した２つの誘電体板の間に、
平面回路を構成した基板を設けることによって、平面回
路結合型の誘電体線路を容易に構成できるようになる。
【００３５】請求項３に係る発明によれば、実効的誘電
率の高い第１領域と実効的誘電率の低い第２領域とを有
する、誘電体セラミックの積層構造が容易に形成でき
る。また、第２領域内に多数の微小な開口部（孔）を形
成すれば、非伝搬域部分が薄くなることによる強度上お
よび製作上の問題も回避される。
率の高い第１領域と実効的誘電率の低い第２領域とを有
する、誘電体セラミックの積層構造が容易に形成でき
る。また、第２領域内に多数の微小な開口部（孔）を形
成すれば、非伝搬域部分が薄くなることによる強度上お
よび製作上の問題も回避される。
【００３６】請求項４に係る発明によれば、開口部を第
２領域の全体にわたって形成しても、非伝搬域部分が薄
くなることによる強度上および製作上の問題が解消され
る。
２領域の全体にわたって形成しても、非伝搬域部分が薄
くなることによる強度上および製作上の問題が解消され
る。
【００３７】請求項５に係る発明によれば、非伝搬域部
分が薄くなることがなく、その強度上および製作上の問
題も回避され、実効的誘電率の高い第１領域と実効的誘
電率の低い第２領域とを有する誘電体セラミックの積層
構造が容易に形成できる。
分が薄くなることがなく、その強度上および製作上の問
題も回避され、実効的誘電率の高い第１領域と実効的誘
電率の低い第２領域とを有する誘電体セラミックの積層
構造が容易に形成できる。
【図１】第１の実施形態に係る誘電体線路の分解斜視図
である。
である。
【図２】同誘電体線路の斜視図である。
【図３】第２の実施形態に係る誘電体線路の製造途中に
おける分解斜視図である。
おける分解斜視図である。
【図４】同誘電体線路の製造途中における斜視図であ
る。
る。
【図５】同誘電体線路の断面図である。
【図６】同誘電体線路の他の状態における断面図であ
る。
る。
【図７】第３の実施形態に係る誘電体線路の製造途中に
おける分解斜視図である。
おける分解斜視図である。
【図８】同誘電体線路の断面図である。
【図９】第４の実施形態に係る誘電体線路の断面図であ
る。
る。
【図１０】第５の実施形態に係る誘電体線路の分解斜視
図である。
図である。
【図１１】同誘電体線路の断面図である。
【図１２】第６の実施形態に係る誘電体線路の断面図で
ある。
ある。
【図１３】第７の実施形態に係る誘電体線路の分解斜視
図である。
図である。
【図１４】同誘電体線路の断面図である。
【図１５】従来の誘電体線路の構造を示す断面図であ
る。
る。
１，２−シート状誘電体セラミック １ａ，１ｂ，１ｃ−誘電体ストリップ部 １ｗ＝枠部 ３−高誘電率部 ４−低誘電率部 ５−電極膜 ６−低誘電率誘電体 ７−高誘電率誘電体 ８−基板 １１−誘電体ストリップ １１′−誘電体板 １２−導電体板 Ｈａ，Ｈｂ−開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 篤 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (5)
- 【請求項１】 略平行な２つの導電体平面の間に誘電体
ストリップを配してなる誘電体線路において、 シート状誘電体セラミックを積層焼成して、実効的誘電
率の高い第１領域と、この第１領域に比べて実効的誘電
率の低い第２領域とを形成し、その外面に電極膜を形成
することによって、前記第１領域を前記誘電体ストリッ
プとし、前記電極膜を前記導電体平面としたことを特徴
とする誘電体線路。 - 【請求項２】 略平行な２つの導電体平面の間に誘電体
ストリップを配してなる誘電体線路において、 それぞれ、シート状誘電体セラミックを積層焼成して実
効的誘電率の高い第１領域と、この第１領域に比べて実
効的誘電率の低い第２領域とを形成するとともに一方の
主面に電極膜を形成した２つの誘電体板を、前記電極形
成面を外側にして前記第１領域同士を対向させ、前記第
１領域を前記誘電体ストリップとし、前記電極膜を前記
導電体平面としたことを特徴とする誘電体線路。 - 【請求項３】 あらかじめ開口部を形成したシート状誘
電体セラミックを積層して、前記開口部の積層によって
前記第２領域を構成したことを特徴とする請求項１また
は２に記載の誘電体線路。 - 【請求項４】 前記第２領域に前記第１領域より低誘電
率の誘電体を充填したことを特徴とする請求項３に記載
の誘電体線路。 - 【請求項５】 あらかじめ開口部を形成したシート状誘
電体セラミックを積層し、前記開口部の積層部分に前記
第２領域より高誘電率の誘電体を充填して前記第１領域
を構成したことを特徴とする請求項１または２に記載の
誘電体線路。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9023879A JPH10224120A (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 誘電体線路 |
| EP98101555A EP0858123B1 (en) | 1997-02-06 | 1998-01-29 | Dielectric waveguide |
| DE69834065T DE69834065T2 (de) | 1997-02-06 | 1998-01-29 | Dielektrischer Wellenleiter |
| US09/019,133 US6104264A (en) | 1997-02-06 | 1998-02-05 | Dielectric waveguide of a laminated structure |
| KR1019980003279A KR100293063B1 (ko) | 1997-02-06 | 1998-02-05 | 유전체도파관 |
| CNB981040845A CN1146072C (zh) | 1997-02-06 | 1998-02-06 | 介质波导 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9023879A JPH10224120A (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 誘電体線路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10224120A true JPH10224120A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12122744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9023879A Pending JPH10224120A (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 誘電体線路 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6104264A (ja) |
| EP (1) | EP0858123B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10224120A (ja) |
| KR (1) | KR100293063B1 (ja) |
| CN (1) | CN1146072C (ja) |
| DE (1) | DE69834065T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6585566B2 (en) | 2000-04-26 | 2003-07-01 | Murata Manufacturing Co. Ltd | Method for manufacturing dielectric wave guide |
| JP2007214661A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Mitsubishi Electric Corp | スロットアレーアンテナ |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI113581B (fi) | 1999-07-09 | 2004-05-14 | Nokia Corp | Menetelmä aaltojohdon toteuttamiseksi monikerroskeramiikkarakenteissa ja aaltojohto |
| JP3610863B2 (ja) | 2000-02-10 | 2005-01-19 | 株式会社村田製作所 | 誘電体線路の製造方法および誘電体線路 |
| JP4658405B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2011-03-23 | 三菱電機株式会社 | 高周波用導波路とその製造方法 |
| JP3862633B2 (ja) * | 2002-08-14 | 2006-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 非放射性誘電体線路の製造方法 |
| JP2005086603A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Tdk Corp | 電子部品モジュールおよびその製造方法 |
| US7026886B2 (en) * | 2003-10-09 | 2006-04-11 | National Chiao Tung University | Miniaturized microwave integrated circuit using complementary conducting surfaces |
| TWI242914B (en) * | 2003-12-02 | 2005-11-01 | Kobe Steel Ltd | Dielectric circuit powering antenna |
| GB2455722A (en) * | 2007-12-18 | 2009-06-24 | Hong Siang Tan | A spaced plate waveguide probe for dielectric measurement of biological tissue |
| WO2011123111A1 (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Waveguide system and methods |
| SG187278A1 (en) * | 2011-07-20 | 2013-02-28 | Sony Corp | A waveguide |
| US9478840B2 (en) * | 2012-08-24 | 2016-10-25 | City University Of Hong Kong | Transmission line and methods for fabricating thereof |
| US9112253B2 (en) * | 2013-03-19 | 2015-08-18 | Texas Instruments Incorporated | Dielectric waveguide combined with electrical cable |
| US9705174B2 (en) | 2014-04-09 | 2017-07-11 | Texas Instruments Incorporated | Dielectric waveguide having a core and cladding formed in a flexible multi-layer substrate |
| CN104051434B (zh) * | 2014-05-28 | 2017-05-24 | 西安电子科技大学 | 一种集成vco和波导天线的封装结构 |
| FR3055742B1 (fr) | 2016-09-06 | 2019-12-20 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Guide d'ondes millimetriques |
| WO2018125227A1 (en) * | 2016-12-30 | 2018-07-05 | Intel Corporation | Waveguide design techniques to enhance channel characteristics |
| US11236012B2 (en) | 2018-03-28 | 2022-02-01 | Corning Incorporated | Boron phosphate glass-ceramics with low dielectric loss |
| US11329359B2 (en) | 2018-05-18 | 2022-05-10 | Intel Corporation | Dielectric waveguide including a dielectric material with cavities therein surrounded by a conductive coating forming a wall for the cavities |
| US11342649B2 (en) * | 2019-09-03 | 2022-05-24 | Corning Incorporated | Flexible waveguides having a ceramic core surrounded by a lower dielectric constant cladding for terahertz applications |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3771077A (en) * | 1970-09-24 | 1973-11-06 | F Tischer | Waveguide and circuit using the waveguide to interconnect the parts |
| JPS58215804A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-15 | Seki Shoji Kk | 誘電体線路 |
| US4556855A (en) * | 1983-10-31 | 1985-12-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | RF Components and networks in shaped dielectrics |
| JP3123293B2 (ja) * | 1993-03-05 | 2001-01-09 | 株式会社村田製作所 | 非放射性誘電体線路およびその製造方法 |
| JP3316914B2 (ja) * | 1993-03-12 | 2002-08-19 | 株式会社村田製作所 | 漏洩ｎｒｄガイド及び漏洩ｎｒｄガイドを用いた平面アンテナ |
| US5382931A (en) * | 1993-12-22 | 1995-01-17 | Westinghouse Electric Corporation | Waveguide filters having a layered dielectric structure |
| JP2605654B2 (ja) * | 1995-03-31 | 1997-04-30 | 日本電気株式会社 | 複合マイクロ波回路モジュール及びその製造方法 |
| JP3045046B2 (ja) * | 1995-07-05 | 2000-05-22 | 株式会社村田製作所 | 非放射性誘電体線路装置 |
-
1997
- 1997-02-06 JP JP9023879A patent/JPH10224120A/ja active Pending
-
1998
- 1998-01-29 DE DE69834065T patent/DE69834065T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-01-29 EP EP98101555A patent/EP0858123B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-05 US US09/019,133 patent/US6104264A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-05 KR KR1019980003279A patent/KR100293063B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-02-06 CN CNB981040845A patent/CN1146072C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6585566B2 (en) | 2000-04-26 | 2003-07-01 | Murata Manufacturing Co. Ltd | Method for manufacturing dielectric wave guide |
| JP2007214661A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Mitsubishi Electric Corp | スロットアレーアンテナ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69834065T2 (de) | 2006-08-24 |
| CN1146072C (zh) | 2004-04-14 |
| EP0858123A3 (en) | 1998-10-21 |
| EP0858123A2 (en) | 1998-08-12 |
| EP0858123B1 (en) | 2006-04-05 |
| US6104264A (en) | 2000-08-15 |
| KR100293063B1 (ko) | 2001-07-12 |
| DE69834065D1 (de) | 2006-05-18 |
| CN1195902A (zh) | 1998-10-14 |
| KR19980071108A (ko) | 1998-10-26 |
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