JP3342643B2 - 誘電体線路 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主にマイクロ波及
びミリ波等高周波の信号を伝達するための誘電体線路、
特に多層配線基板や半導体パッケージなどの配線基板に
内蔵される誘電体線路に関するものである。
びミリ波等高周波の信号を伝達するための誘電体線路、
特に多層配線基板や半導体パッケージなどの配線基板に
内蔵される誘電体線路に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、配線基板と一体化すると共に、生産
生の向上を図った誘電体線路が特開平６−５３７１１号
公報に開示されている。この公報に開示された誘電体線
路は、誘電体層を一対の導体層で挟み、さらに導体層間
を接続する二列の複数のバイアホール導体によって側壁
を形成したもので、誘電体材料の四方を導体層とバイア
ホール導体による疑似的な導体壁で囲むことによって、
導体壁内領域を信号伝達用の線路としたものである。
生の向上を図った誘電体線路が特開平６−５３７１１号
公報に開示されている。この公報に開示された誘電体線
路は、誘電体層を一対の導体層で挟み、さらに導体層間
を接続する二列の複数のバイアホール導体によって側壁
を形成したもので、誘電体材料の四方を導体層とバイア
ホール導体による疑似的な導体壁で囲むことによって、
導体壁内領域を信号伝達用の線路としたものである。
【０００３】一般に、高周波領域で用いられる伝送線路
においては、特に優れた伝送特性が要求される。つま
り、伝送損失が少ないことが要求される。この伝送損失
は、導体、誘電体および放射による損失の和で表せられ
るものである。
においては、特に優れた伝送特性が要求される。つま
り、伝送損失が少ないことが要求される。この伝送損失
は、導体、誘電体および放射による損失の和で表せられ
るものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平６−５３７１１号公報に開示された誘電体線路で
は、金属壁とバイアホール導体による疑似的な金属壁に
より包囲されているため放射による損失は小さいが、誘
電体および導体による損失が大きくなるという問題があ
った。
開平６−５３７１１号公報に開示された誘電体線路で
は、金属壁とバイアホール導体による疑似的な金属壁に
より包囲されているため放射による損失は小さいが、誘
電体および導体による損失が大きくなるという問題があ
った。
【０００５】即ち、この構造を、例えば、セラミック材
料を用いて作製した場合、誘電体としては非常に損失の
小さい材料があるので、誘電体による損失は低く抑える
ことができるが、導体部分は一般にメタライズ印刷され
た後に同時焼成により作製されるので、導体部分の抵抗
は、純粋な金属に比べ大きくなり、その結果、導体損失
による伝送特性の劣化が生じると言う問題があった。
料を用いて作製した場合、誘電体としては非常に損失の
小さい材料があるので、誘電体による損失は低く抑える
ことができるが、導体部分は一般にメタライズ印刷され
た後に同時焼成により作製されるので、導体部分の抵抗
は、純粋な金属に比べ大きくなり、その結果、導体損失
による伝送特性の劣化が生じると言う問題があった。
【０００６】
【発明の目的】本発明の目的は、多層基板あるいは半導
体パッケージにおける伝送線路として利用可能であり、
積層化技術を用いて容易に作製可能な、しかも導体によ
る損失の少ない誘電体線路を提供することにある。
体パッケージにおける伝送線路として利用可能であり、
積層化技術を用いて容易に作製可能な、しかも導体によ
る損失の少ない誘電体線路を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】発明者は上記の問題点に
関して検討を重ねた結果、導体損失の影響の大きいＨ面
の一部を省き、そこから電磁波が漏れないように、伝送
信号波長の１／２以下の間隔のバイアホール導体列をＨ
面に構成することにより、伝送特性の優れた誘電体線路
となることを見いだし、本発明に至った。
関して検討を重ねた結果、導体損失の影響の大きいＨ面
の一部を省き、そこから電磁波が漏れないように、伝送
信号波長の１／２以下の間隔のバイアホール導体列をＨ
面に構成することにより、伝送特性の優れた誘電体線路
となることを見いだし、本発明に至った。
【０００８】即ち、本発明の誘電体線路は、第１誘電体
層、第２誘電体層および第３誘電体層を順次積層してな
る基体と、前記各誘電体層にそれぞれ形成され、伝送信
号波長の１／２以下の間隔ｄをおいて信号伝送方向に形
成された二列のバイアホール導体群と、前記基体の上下
面に形成され、前記第１誘電体層および第３誘電体層に
形成されたバイアホール導体を列毎に電気的に接続する
一対の帯状副導体層と、前記第２誘電体層の上下面に形
成され、前記第１誘電体層と前記第２誘電体層のバイア
ホール導体群、および前記第２誘電体層と前記第３誘電
体層のバイアホール導体群を電気的に接続する一対の帯
状主導体層とを具備するとともに、前記第１誘電体層お
よび第３誘電体層に形成された二列のバイアホール導体
群の間隔がそれぞれ伝送信号波長の１／２より小さく、
かつ、前記第２誘電体層に形成された二列のバイアホー
ル導体群の間隔が伝送信号波長の１／２より大きいもの
である。
層、第２誘電体層および第３誘電体層を順次積層してな
る基体と、前記各誘電体層にそれぞれ形成され、伝送信
号波長の１／２以下の間隔ｄをおいて信号伝送方向に形
成された二列のバイアホール導体群と、前記基体の上下
面に形成され、前記第１誘電体層および第３誘電体層に
形成されたバイアホール導体を列毎に電気的に接続する
一対の帯状副導体層と、前記第２誘電体層の上下面に形
成され、前記第１誘電体層と前記第２誘電体層のバイア
ホール導体群、および前記第２誘電体層と前記第３誘電
体層のバイアホール導体群を電気的に接続する一対の帯
状主導体層とを具備するとともに、前記第１誘電体層お
よび第３誘電体層に形成された二列のバイアホール導体
群の間隔がそれぞれ伝送信号波長の１／２より小さく、
かつ、前記第２誘電体層に形成された二列のバイアホー
ル導体群の間隔が伝送信号波長の１／２より大きいもの
である。
【０００９】また、第１誘電体層および第２誘電体層を
順次積層してなる基体と、前記各誘電体層にそれぞれ形
成され、伝送信号波長の１／２以下の間隔ｄをおいて信
号伝送方向に形成された二列のバイアホール導体群と、
前記基体の上下面に形成され、前記第１誘電体層および
第２誘電体層に形成されたバイアホール導体を列毎に電
気的に接続する一対の帯状副導体層と、前記第２誘電体
層の下面に形成され、該第２誘電体層と前記第１誘電体
層のバイアホール導体群を電気的に接続する一対の帯状
主導体層とを具備するとともに、前記第１誘電体層に形
成された二列のバイアホール導体群の間隔が伝送信号波
長の１／２より小さく、かつ、前記第２誘電体層に形成
された二列のバイアホール導体群の間隔が伝送信号波長
の１／２より大きいものであっても良い。
順次積層してなる基体と、前記各誘電体層にそれぞれ形
成され、伝送信号波長の１／２以下の間隔ｄをおいて信
号伝送方向に形成された二列のバイアホール導体群と、
前記基体の上下面に形成され、前記第１誘電体層および
第２誘電体層に形成されたバイアホール導体を列毎に電
気的に接続する一対の帯状副導体層と、前記第２誘電体
層の下面に形成され、該第２誘電体層と前記第１誘電体
層のバイアホール導体群を電気的に接続する一対の帯状
主導体層とを具備するとともに、前記第１誘電体層に形
成された二列のバイアホール導体群の間隔が伝送信号波
長の１／２より小さく、かつ、前記第２誘電体層に形成
された二列のバイアホール導体群の間隔が伝送信号波長
の１／２より大きいものであっても良い。
【００１０】
【作用】本発明の誘電体線路では、例えば、従来のセラ
ミックスの多層化技術により作製可能であり、また導体
損失の影響の大きいＨ面の導体層を一部取り除けるの
で、伝送特性の向上が図れる。
ミックスの多層化技術により作製可能であり、また導体
損失の影響の大きいＨ面の導体層を一部取り除けるの
で、伝送特性の向上が図れる。
【００１１】また、伝送路の導波路となる第２誘電体層
の線路部が周囲を帯状主導体層、バイアホール導体とか
らなるＧＮＤで囲まれているので、帯状主導体層の間は
線路が開放された形となっているが、第１誘電体層およ
び第３誘電体層に形成された二列のバイアホール導体群
の間隔が伝送信号波長の１／２より小さいため、第１誘
電体層および第３誘電体層への電磁波の漏れが小さい。
の線路部が周囲を帯状主導体層、バイアホール導体とか
らなるＧＮＤで囲まれているので、帯状主導体層の間は
線路が開放された形となっているが、第１誘電体層およ
び第３誘電体層に形成された二列のバイアホール導体群
の間隔が伝送信号波長の１／２より小さいため、第１誘
電体層および第３誘電体層への電磁波の漏れが小さい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照しなが
ら説明する。図１は、本発明の誘電体線路の一形態を説
明するための概略斜視図である。図１において、符号１
は基体、２は帯状主導体層、３は帯状副導体層、４はバ
イアホール導体、６はこの構造による線路部である。図
１は導体が理解しやすいように透視図とした。
ら説明する。図１は、本発明の誘電体線路の一形態を説
明するための概略斜視図である。図１において、符号１
は基体、２は帯状主導体層、３は帯状副導体層、４はバ
イアホール導体、６はこの構造による線路部である。図
１は導体が理解しやすいように透視図とした。
【００１３】基体１は、第１誘電体層１ａ、第２誘電体
層１ｂ、第３誘電体層１ｃから構成されており、これら
を順次積層して構成されている。これらの誘電体層１
ａ、１ｂ、１ｃは、有機樹脂またはセラミックスあるい
はこれらの混合体から構成されており、この例では、誘
電体層１ａ、１ｂ、１ｃは同一材料により構成されてい
る。
層１ｂ、第３誘電体層１ｃから構成されており、これら
を順次積層して構成されている。これらの誘電体層１
ａ、１ｂ、１ｃは、有機樹脂またはセラミックスあるい
はこれらの混合体から構成されており、この例では、誘
電体層１ａ、１ｂ、１ｃは同一材料により構成されてい
る。
【００１４】これらの誘電体層１ａ、１ｂ、１ｃにはそ
れぞれバイアホール導体４が複数形成されており、二列
のバイアホール導体４群Ａ、Ｂをそれぞれ構成してい
る。これらのバイアホール導体４は、第２誘電体層１ｂ
を伝送する信号の波長の１／２以下の間隔ｄをおいて信
号伝送方向Ｘに形成されている。
れぞれバイアホール導体４が複数形成されており、二列
のバイアホール導体４群Ａ、Ｂをそれぞれ構成してい
る。これらのバイアホール導体４は、第２誘電体層１ｂ
を伝送する信号の波長の１／２以下の間隔ｄをおいて信
号伝送方向Ｘに形成されている。
【００１５】また、基体１の上下面には、第１誘電体層
１ａおよび第３誘電体層１ｃにそれぞれ形成されたバイ
アホール導体４を列毎に電気的に接続する一対の帯状副
導体層３がそれぞれ形成され、一方、第１誘電体層１ａ
と第２誘電体層１ｂのバイアホール導体４群Ａ、Ｂ、お
よび第２誘電体層１ｂと第３誘電体層１ｃのバイアホー
ル導体４群Ａ、Ｂを電気的に接続する一対の帯状主導体
層２が、第２誘電体層１ｂの上下面に帯状副導体層３と
平行にそれぞれ形成されている。
１ａおよび第３誘電体層１ｃにそれぞれ形成されたバイ
アホール導体４を列毎に電気的に接続する一対の帯状副
導体層３がそれぞれ形成され、一方、第１誘電体層１ａ
と第２誘電体層１ｂのバイアホール導体４群Ａ、Ｂ、お
よび第２誘電体層１ｂと第３誘電体層１ｃのバイアホー
ル導体４群Ａ、Ｂを電気的に接続する一対の帯状主導体
層２が、第２誘電体層１ｂの上下面に帯状副導体層３と
平行にそれぞれ形成されている。
【００１６】そして、第１誘電体層１ａおよび第３誘電
体層１ｃに形成された二列のバイアホール導体４群Ａ、
Ｂの間隔ｃが伝送信号波長の１／２より小さく、かつ、
第２誘電体層１ｂに形成された二列のバイアホール導体
４群Ａ、Ｂの間隔ｂが伝送信号波長の１／２より大きく
形成されている。
体層１ｃに形成された二列のバイアホール導体４群Ａ、
Ｂの間隔ｃが伝送信号波長の１／２より小さく、かつ、
第２誘電体層１ｂに形成された二列のバイアホール導体
４群Ａ、Ｂの間隔ｂが伝送信号波長の１／２より大きく
形成されている。
【００１７】図１における構造においては、第２誘電体
層１ｂのバイアホール導体４群Ａ、Ｂおよび帯状主導体
層２によって囲まれる領域（断面がａ×ｂの領域）が線
路部６となる。
層１ｂのバイアホール導体４群Ａ、Ｂおよび帯状主導体
層２によって囲まれる領域（断面がａ×ｂの領域）が線
路部６となる。
【００１８】本発明の誘電体線路は、従来の積層技術に
より容易に作製することができる。
より容易に作製することができる。
【００１９】例えば、誘電体を形成する所定厚みの有機
樹脂シートまたはセラミックシート或いは有機樹脂およ
びセラミックの混合物からなるシートにバイアホールを
形成してホール内に導体インクを充填し、バイアホール
導体を形成する。そして、前記シートの下面にスクリー
ン印刷法などにより、バイアホール導体と接続する帯状
副導体層を形成する（第１誘電体層のシート）。
樹脂シートまたはセラミックシート或いは有機樹脂およ
びセラミックの混合物からなるシートにバイアホールを
形成してホール内に導体インクを充填し、バイアホール
導体を形成する。そして、前記シートの下面にスクリー
ン印刷法などにより、バイアホール導体と接続する帯状
副導体層を形成する（第１誘電体層のシート）。
【００２０】また、上記と同様のシートにバイアホール
を形成してホール内に導体インクを充填し、バイアホー
ル導体を形成する。そして、前記シートの上下面にスク
リーン印刷法などにより、バイアホール導体と接続する
帯状主導体層を形成する（第２誘電体層のシート）。
を形成してホール内に導体インクを充填し、バイアホー
ル導体を形成する。そして、前記シートの上下面にスク
リーン印刷法などにより、バイアホール導体と接続する
帯状主導体層を形成する（第２誘電体層のシート）。
【００２１】さらに、上記と同様のシートにバイアホー
ルを形成してホール内に導体インクを充填し、バイアホ
ール導体を形成する。そして、前記シートの上面にスク
リーン印刷法などにより、バイアホール導体と接続する
帯状副導体層を形成する（第３誘電体層のシート）。
ルを形成してホール内に導体インクを充填し、バイアホ
ール導体を形成する。そして、前記シートの上面にスク
リーン印刷法などにより、バイアホール導体と接続する
帯状副導体層を形成する（第３誘電体層のシート）。
【００２２】この後、図１に示すように積層し、誘電体
層が熱硬化性樹脂の場合には加熱硬化させ、セラミック
グリーンシートの場合には、積層後、焼成することによ
り作製することができる。
層が熱硬化性樹脂の場合には加熱硬化させ、セラミック
グリーンシートの場合には、積層後、焼成することによ
り作製することができる。
【００２３】本発明では積層面を磁界と平行になるＨ面
（磁界と平行な導体面）として用いる。従って、第２誘
電体層１ｂのバイアホール導体４群Ａ、Ｂの間隔ｂはλ
0 ／２（λ0 は第２誘電体層１ｂ中を伝播する信号の波
長）より大きく設定する必要があり、第２誘電体層１ｂ
の厚みａはｂ／２程度とすることが望ましい。バイアホ
ール導体４群Ａ、Ｂは電気的な壁を作る為のもので、バ
イアホール導体４の間隔ｄは電磁波の通らない間隔、す
なわちλ0 ／２≧ｄに設定する必要がある。この間隔ｄ
は特性を向上するという点からより小さい方が望まし
い。
（磁界と平行な導体面）として用いる。従って、第２誘
電体層１ｂのバイアホール導体４群Ａ、Ｂの間隔ｂはλ
0 ／２（λ0 は第２誘電体層１ｂ中を伝播する信号の波
長）より大きく設定する必要があり、第２誘電体層１ｂ
の厚みａはｂ／２程度とすることが望ましい。バイアホ
ール導体４群Ａ、Ｂは電気的な壁を作る為のもので、バ
イアホール導体４の間隔ｄは電磁波の通らない間隔、す
なわちλ0 ／２≧ｄに設定する必要がある。この間隔ｄ
は特性を向上するという点からより小さい方が望まし
い。
【００２４】また、一対の帯状主導体層２にはギャップ
Ｇが形成されているが、これを０とすると、線路部は、
前記した特開平６−５３７１１号公報の誘電体線路と同
じになる。この場合、導波管と同様な構造をしているの
で、伝送損失は、誘電体および導体による損失に分けら
れる。さらに、導体損失は、導体層によるものと、バイ
アホール群によるものとに分けられる。
Ｇが形成されているが、これを０とすると、線路部は、
前記した特開平６−５３７１１号公報の誘電体線路と同
じになる。この場合、導波管と同様な構造をしているの
で、伝送損失は、誘電体および導体による損失に分けら
れる。さらに、導体損失は、導体層によるものと、バイ
アホール群によるものとに分けられる。
【００２５】この誘電体線路を、積層面をＨ面とするＴ
Ｅ１０モードで用いる場合、伝送信号の周波数をｆとす
ると、Ｈ面（磁界と平行な導体面）を流れる電流は伝送
信号の周波数ｆには依存しないが、表皮抵抗は伝送信号
の周波数ｆ1/2 に比例するため、Ｈ面の損失は伝送信号
の周波数ｆ1/2 に比例して増大する。一方、電界と平行
なＥ面を流れる電流は伝送信号の周波数ｆ2 に反比例す
るため、Ｅ面の損失はｆ-3/2となり、周波数が高くなる
につれて減少する性質がある。したがって、導体損失の
寄与の大きいＨ面を取り除くことにより、伝送特性の向
上を図ることができる。
Ｅ１０モードで用いる場合、伝送信号の周波数をｆとす
ると、Ｈ面（磁界と平行な導体面）を流れる電流は伝送
信号の周波数ｆには依存しないが、表皮抵抗は伝送信号
の周波数ｆ1/2 に比例するため、Ｈ面の損失は伝送信号
の周波数ｆ1/2 に比例して増大する。一方、電界と平行
なＥ面を流れる電流は伝送信号の周波数ｆ2 に反比例す
るため、Ｅ面の損失はｆ-3/2となり、周波数が高くなる
につれて減少する性質がある。したがって、導体損失の
寄与の大きいＨ面を取り除くことにより、伝送特性の向
上を図ることができる。
【００２６】しかし、Ｈ面をそのまま取り除くと電磁波
は漏れてしまうため、伝送させる領域に閉じ込めておく
必要がある。ところで、２枚の金属平板がある場合、遮
断周波数が０の最低次のモードを除けば、平板の距離が
伝送信号波長の１／２未満であれば伝播できない性質が
ある。そこで、本発明ではＨ面に一定の幅のギャップＧ
を形成し、その上下にバイアホール導体４群Ａ、Ｂによ
り電気的な壁を信号が遮断される間隔で構成することに
より上記問題点の解決を図ったものである。
は漏れてしまうため、伝送させる領域に閉じ込めておく
必要がある。ところで、２枚の金属平板がある場合、遮
断周波数が０の最低次のモードを除けば、平板の距離が
伝送信号波長の１／２未満であれば伝播できない性質が
ある。そこで、本発明ではＨ面に一定の幅のギャップＧ
を形成し、その上下にバイアホール導体４群Ａ、Ｂによ
り電気的な壁を信号が遮断される間隔で構成することに
より上記問題点の解決を図ったものである。
【００２７】すなわち、第２誘電体層１ｂのバイアホー
ル導体４群Ａ、Ｂの間隔ｂをλ0 ／２＜ｂ、第１誘電体
層１ａおよび第３誘電体層１ｃに形成された二列のバイ
アホール導体４群Ａ、Ｂの間隔ｃをλ0 ／２＞ｃとする
ことにより、図１に示す線路部６の領域では電磁波は伝
播できるが、その上下方向には電磁波は伝播できない。
その結果、電磁波を周囲に漏らすことなく、Ｈ面の一部
を取り除くことができ、伝送損失が低減されるのであ
る。なお、遮断波長０のモードは上下に漏れてしまう
が、給電部でこのモードを避けて給電すればよい。
ル導体４群Ａ、Ｂの間隔ｂをλ0 ／２＜ｂ、第１誘電体
層１ａおよび第３誘電体層１ｃに形成された二列のバイ
アホール導体４群Ａ、Ｂの間隔ｃをλ0 ／２＞ｃとする
ことにより、図１に示す線路部６の領域では電磁波は伝
播できるが、その上下方向には電磁波は伝播できない。
その結果、電磁波を周囲に漏らすことなく、Ｈ面の一部
を取り除くことができ、伝送損失が低減されるのであ
る。なお、遮断波長０のモードは上下に漏れてしまう
が、給電部でこのモードを避けて給電すればよい。
【００２８】また、上記態様では、誘電体層１ａ、１
ｂ、１ｃからなる基体について説明したが、本発明で
は、上記態様に限定されるものではなく、第１誘電体層
の上面および／または第３誘電体層の下面に、帯状副導
体層を被覆するように絶縁層を形成しても良い。即ち、
基板内部に誘電体線路を形成する場合に適用できる。
ｂ、１ｃからなる基体について説明したが、本発明で
は、上記態様に限定されるものではなく、第１誘電体層
の上面および／または第３誘電体層の下面に、帯状副導
体層を被覆するように絶縁層を形成しても良い。即ち、
基板内部に誘電体線路を形成する場合に適用できる。
【００２９】さらに、上記例では、第１誘電体層１ａと
第３誘電体層１ｃのバイアホール導体４群Ａ、Ｂの間隔
は同一間隔ｃである例について説明したが、本発明では
上記例に限定されるものではなく、伝送信号波長の１／
２より小さいという条件を満足するものであれば、第１
誘電体層１ａと第３誘電体層１ｃのバイアホール導体４
群Ａ、Ｂの間隔は異なるものであっても良い。
第３誘電体層１ｃのバイアホール導体４群Ａ、Ｂの間隔
は同一間隔ｃである例について説明したが、本発明では
上記例に限定されるものではなく、伝送信号波長の１／
２より小さいという条件を満足するものであれば、第１
誘電体層１ａと第３誘電体層１ｃのバイアホール導体４
群Ａ、Ｂの間隔は異なるものであっても良い。
【００３０】さらにまた、誘電体層１ａ、１ｂ、１ｃを
同一誘電体材料により形成した例について説明したが、
本発明では上記例に限定されるものではなく、誘電体層
１ａ、１ｂ、１ｃを異なる材料により形成しても良い。
この場合に、第２誘電体層１ｂの誘電率を、他の第１お
よび第３誘電体層１ａ、１ｃよりも大きくすることによ
り、伝送効率をさらに向上することができる。
同一誘電体材料により形成した例について説明したが、
本発明では上記例に限定されるものではなく、誘電体層
１ａ、１ｂ、１ｃを異なる材料により形成しても良い。
この場合に、第２誘電体層１ｂの誘電率を、他の第１お
よび第３誘電体層１ａ、１ｃよりも大きくすることによ
り、伝送効率をさらに向上することができる。
【００３１】図２は、他の誘電体線路を示すもので、こ
の図においては、上記した誘電体線路の第３誘電体層を
除去し、第２誘電体層の上面を空気に露出させた形状と
なっている。即ち、第１誘電体層１１ａおよび第２誘電
体層１１ｂを順次積層して基体１１が形成されており、
各誘電体層１１ａ、１１ｂには、伝送信号波長の１／２
以下の間隔ｄをおいて信号伝送方向Ｘに二列のバイアホ
ール導体群Ａ、Ｂが形成されている。
の図においては、上記した誘電体線路の第３誘電体層を
除去し、第２誘電体層の上面を空気に露出させた形状と
なっている。即ち、第１誘電体層１１ａおよび第２誘電
体層１１ｂを順次積層して基体１１が形成されており、
各誘電体層１１ａ、１１ｂには、伝送信号波長の１／２
以下の間隔ｄをおいて信号伝送方向Ｘに二列のバイアホ
ール導体群Ａ、Ｂが形成されている。
【００３２】基体１１の上下面には、第１誘電体層１１
ａおよび第２誘電体層１１ｂに形成されたバイアホール
導体１４を列毎に電気的に接続する一対の帯状副導体層
１３が形成され、第２誘電体層１１ｂの下面には、第２
誘電体層１１ｂと第１誘電体層１１ａのバイアホール導
体群Ａ、Ｂをそれぞれ電気的に接続する一対の帯状主導
体層１２が形成されている。
ａおよび第２誘電体層１１ｂに形成されたバイアホール
導体１４を列毎に電気的に接続する一対の帯状副導体層
１３が形成され、第２誘電体層１１ｂの下面には、第２
誘電体層１１ｂと第１誘電体層１１ａのバイアホール導
体群Ａ、Ｂをそれぞれ電気的に接続する一対の帯状主導
体層１２が形成されている。
【００３３】そして、第１誘電体層１１ａに形成された
二列のバイアホール導体群Ａ、Ｂの間隔ｃがそれぞれ伝
送信号波長の１／２より小さく、かつ、第２誘電体層１
１ｂに形成された二列のバイアホール導体群Ａ、Ｂの間
隔ｂが伝送信号波長の１／２より大きく形成されてい
る。
二列のバイアホール導体群Ａ、Ｂの間隔ｃがそれぞれ伝
送信号波長の１／２より小さく、かつ、第２誘電体層１
１ｂに形成された二列のバイアホール導体群Ａ、Ｂの間
隔ｂが伝送信号波長の１／２より大きく形成されてい
る。
【００３４】このような誘電体線路では、第２誘電体層
１１ｂの上面には、一対の帯状副導体層１３が所定間隔
を置いて形成され、その間は開口しているが、空気と接
しているため、その界面で電磁波の反射が生じる。よっ
て、上面が空気との界面により、下面が第１誘電体層１
１ａのバイアホール導体群Ａ、Ｂにより、側面がバイア
ホール導体群Ａ、Ｂにより囲まれた線路部が形成される
ことになる。
１１ｂの上面には、一対の帯状副導体層１３が所定間隔
を置いて形成され、その間は開口しているが、空気と接
しているため、その界面で電磁波の反射が生じる。よっ
て、上面が空気との界面により、下面が第１誘電体層１
１ａのバイアホール導体群Ａ、Ｂにより、側面がバイア
ホール導体群Ａ、Ｂにより囲まれた線路部が形成される
ことになる。
【００３５】尚、第２誘電体層１１ｂの上面に、この第
２誘電体層１１ｂよりも低誘電率の誘電体層を形成して
も、この低誘電率層で電磁波の反射が生じるので、上記
例と同様の効果が得られる。この場合には、基板に内蔵
することが可能となる。
２誘電体層１１ｂよりも低誘電率の誘電体層を形成して
も、この低誘電率層で電磁波の反射が生じるので、上記
例と同様の効果が得られる。この場合には、基板に内蔵
することが可能となる。
【００３６】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の誘電体線路
は、バイアホール群により疑似的な金属壁を構成し、こ
の間を伝播する電磁波の性質を利用することにより、伝
送損失の寄与の大きいＨ面の導体部分を少なくして、伝
送特性を向上させることができる。また、従来の多層化
技術により作製可能であるため、生産性に優れ、配線基
板等に容易に利用可能な誘電体線路を得ることができ
る。
は、バイアホール群により疑似的な金属壁を構成し、こ
の間を伝播する電磁波の性質を利用することにより、伝
送損失の寄与の大きいＨ面の導体部分を少なくして、伝
送特性を向上させることができる。また、従来の多層化
技術により作製可能であるため、生産性に優れ、配線基
板等に容易に利用可能な誘電体線路を得ることができ
る。
【図１】誘電体線路の一形態を示す斜視図である。
【図２】誘電体線路の他の形態を示す斜視図である。
１、１１・・・基体 １ａ、１１ａ・・・第１誘電体層 １ｂ、１１ｂ・・・第２誘電体層 １ｃ・・・第３誘電体層 ２、１２・・・帯状主導体層 ３、１３・・・帯状副導体層 ４、１４・・・バイアホール導体 ６・・・線路部 Ａ、Ｂ・・・バイアホール導体群
Claims (1)
- 【請求項１】第１誘電体層、第２誘電体層および第３誘
電体層を順次積層してなる基体と、前記各誘電体層にそ
れぞれ形成され、伝送信号波長の１／２以下の間隔ｄを
おいて信号伝送方向に形成された二列のバイアホール導
体群と、前記基体の上下面に形成され、前記第１誘電体
層および第３誘電体層に形成されたバイアホール導体を
列毎に電気的に接続する一対の帯状副導体層と、前記第
２誘電体層の上下面に形成され、前記第１誘電体層と前
記第２誘電体層のバイアホール導体群、および前記第２
誘電体層と前記第３誘電体層のバイアホール導体群を電
気的に接続する一対の帯状主導体層とを具備するととも
に、前記第１誘電体層および第３誘電体層に形成された
二列のバイアホール導体群の間隔がそれぞれ伝送信号波
長の１／２より小さく、かつ、前記第２誘電体層に形成
された二列のバイアホール導体群の間隔が伝送信号波長
の１／２より大きいことを特徴とする誘電体線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10872097A JP3342643B2 (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 誘電体線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10872097A JP3342643B2 (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 誘電体線路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303607A JPH10303607A (ja) | 1998-11-13 |
| JP3342643B2 true JP3342643B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=14491859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10872097A Expired - Fee Related JP3342643B2 (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 誘電体線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3342643B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000261215A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マイクロ波・ミリ波導波路およびそれを用いた集積回路 |
| US6906597B2 (en) | 2001-10-29 | 2005-06-14 | Hitachi Metals, Ltd. | Non-reciprocal circuit device and resin casing used therefor |
-
1997
- 1997-04-25 JP JP10872097A patent/JP3342643B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10303607A (ja) | 1998-11-13 |
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