JP3517143B2 - 誘電体導波管線路と高周波用線路導体との接続構造 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯やミ
リ波帯等の高周波信号を伝送する伝送線路である誘電体
導波管線路と、マイクロストリップ線路等の高周波用線
路導体とを低損失で接続できる、誘電体導波管線路と高
周波用線路導体との接続構造に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】近年、マイクロ波帯やミリ波帯等の高周
波信号を用いた移動体通信および車間レーダ等の研究が
盛んに進められている。これらの高周波回路において高
周波信号を伝送するための高周波用伝送線路としては、
従来より、同軸線路や導波管・誘電体導波管線路・マイ
クロストリップ線路やストリップ線路等の高周波用線路
導体などが知られている。 【０００３】最近では、高周波回路を構成する配線回路
内には種類の異なる高周波線路が複数配置されるため
に、これら高周波線路相互間の接続技術が重要となって
おり、その接続構造について様々な構造が提案されてい
る。 【０００４】例えば、導波管または誘電体導波管と同軸
線路との接続構造では、同軸線路の信号線を導波管内に
挿入して高周波的に結合することによって接続される。 【０００５】また、導波管とマイクロストリップ線路と
の接続構造では、導波管とマイクロストリップ線路とを
直交させて接続する場合には、マイクロストリップ線路
が形成された誘電体基板を導波管内に挿入する構造が用
いられる。また、導波管とマイクロストリップ線路とを
平行な方向で接続する場合には、マイクロストリップ線
路の線路導体を、接続する端部へ向かって曲線状に狭く
したいわゆるリッジ導波管の内部に挿入する構造が知ら
れている。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】最近に至り、高周波線
路を高周波回路が構成される基板上または基板内に形成
すると小型化の点で有利となることから、多層構造の配
線基板内に誘電体導波管線路を積層技術によって形成す
ることが望まれるようになっている。例えば、特開平６
−53711 号においては、誘電体基板を一対の主導体層で
挟み、さらに導体層間を接続する２列に配設されたビア
ホール群によって側壁を形成した導波管線路が提案され
ている。この導波管線路は、誘電体材料の四方を一対の
主導体層とビアホール群による擬似的な導体壁で囲むこ
とによって導体壁内の領域を信号伝送用の線路としたも
のである。 【０００７】このような多層配線基板の内部に配設され
る積層型の誘電体導波管線路を、主にマイクロ波および
ミリ波用のセラミック多層配線基板あるいは高周波用半
導体パッケージの伝送線路として用いる上では、他の高
周波回路との接続が必要になる。 【０００８】これに対し、積層型の誘電体導波管線路と
マイクロストリップ線路との接続構造としては、図４に
斜視図で概略構成を示すような、誘電体導波管線路の主
導体層に設けたスロット孔による電磁的な結合を用いた
接続構造が提案されている。 【０００９】図４によれば、誘電体基板１を一対の主導
体層２・３で挟み、さらに主導体層２・３間を接続する
２列に配設されたビアホール群等の貫通導体群によって
形成された側壁４とで構成される前述の積層型の誘電体
導波管線路５に対し、その一方の主導体層２に電磁結合
用のスロット孔６を形成し、これによって、多層配線基
板７等の上に形成されたマイクロストリップ線路等の高
周波線路の線路導体８と誘電体導波管線路５とを電磁的
に結合して接続するものである。 【００１０】この接続構造によれば、主導体層２の一部
にスロット孔６を形成することにより容易に他の高周波
用線路導体と電磁結合することができる。しかも、かか
る接続構造を有する高周波用線路導体８を形成した多層
配線基板７ならびに誘電体導波管線路５は、いずれも従
来のセラミック積層技術を応用して容易に作製すること
ができる。 【００１１】しかしながら、このような積層型の誘電体
導波管線路５と高周波用線路導体８との接続構造では、
誘電体導波管線路５の上部に高周波用線路導体８が形成
された多層配線基板７を積層しているため、接続部全体
の厚みが増すこととなってしまい、接続構造全体を小型
化することが困難であるという問題点があった。 【００１２】しかも、誘電体導波管線路５と、スロット
孔６を介して誘電体導波管線路５に接続される高周波用
線路導体８との特性インピーダンスは一般には一致しな
いため、接続部において特性インピーダンスの不一致に
よる高周波信号の反射が発生し、同時に透過特性も劣化
することとなるという問題点があった。 【００１３】本発明は上記従来技術の問題点に鑑みて案
出されたものであり、その目的は、積層型の誘電体導波
管線路と、他のマイクロストリップ線路やストリップ線
路・高周波線路等の高周波用線路導体とを、両者の特性
インピーダンスが異なるものであっても良好な特性で接
続することができる誘電体導波管線路と高周波用線路導
体との接続構造を提供することにある。 【００１４】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題点
に対して検討を重ねた結果、誘電体導波管線路と高周波
用線路導体とを接続する構造において、高周波用線路導
体を誘電体導波管線路の端部に挿入し、その挿入部から
接続用貫通導体と接続用線路導体とによって階段状を成
すようにして高周波用線路導体の端部を誘電体導波管線
路の主導体層に電気的に接続することにより、接続部の
厚みが薄い構造で、しかも優れた透過特性が得られるこ
とを見出した。 【００１５】本発明の誘電体導波管線路と高周波用線路
導体との接続構造は、誘電体基板を上下から挟持する一
対の主導体層と、高周波信号の伝送方向に信号波長の２
分の１未満の繰り返し間隔で、かつ前記伝送方向と直交
する方向に所定の幅で前記主導体層間を電気的に接続し
て形成された２列の側壁用貫通導体群と、前記主導体層
間に主導体層と平行に形成され、前記側壁用貫通導体群
と電気的に接続された副導体層とを具備して成り、前記
主導体層、側壁用貫通導体群および副導体層に囲まれた
領域によって高周波信号を伝送する誘電体導波管線路の
開口端に、前記高周波信号を伝送する高周波用線路導体
の端部を挿入するとともに、この高周波用線路導体の端
部と前記主導体層の一方とを、前記高周波用線路導体と
同じ伝送方向で平行に配設された、前記高周波用線路導
体の前記端部の前記開口端に挿入された長さと同じ長さ
の接続用線路導体と、この接続用線路導体の端部に直交
して配設された接続用貫通導体とにより階段状を成すよ
うに電気的に接続したことを特徴とするものである。 【００１６】 【発明の実施の形態】以下、本発明の誘電体導波管線路
と高周波用線路導体との接続構造について図面を参照し
ながら説明する。 【００１７】図１は、本発明の誘電体導波管線路と高周
波用線路導体との接続構造の実施の形態の一例を示す部
分破断斜視図である。 【００１８】図１において、11は誘電体基板、12および
13は誘電体基板11を上下から挟持する一対の主導体層、
14は信号伝送方向に信号波長の２分の１未満の繰り返し
間隔で、かつ信号伝送方向と直交する方向に所定の幅で
一対の主導体層12・13間を電気的に接続するようにして
形成された２列の側壁用貫通導体群である。また、15は
側壁用貫通導体群14の各列を形成する貫通導体同士を電
気的に接続する、主導体層12・13と平行に形成された副
導体層である。これら主導体層12・13と側壁用貫通導体
群14および副導体層15に囲まれた領域によって、高周波
信号を伝送する誘電体導波管線路16を構成する。 【００１９】一方、20はマイクロストリップ線路やスト
リップ線路・高周波線路等の高周波用線路導体であり、
図示しない誘電体基板上や多層配線基板内に形成されて
誘電体導波管線路16と接続される。その誘電体基板や多
層配線基板等は、その一部を誘電体導波管線路16の誘電
体基板11の一部と共有させてもよい。 【００２０】そして、17は接続用貫通導体、18は接続用
線路導体であり、接続用線路導体18は高周波用線路導体
20と同じ伝送方向で平行に配設され、接続用貫通導体17
は接続用線路導体18の端部に直交して配設されており、
これら接続用貫通導体17と接続用線路導体18とによって
階段状を成すようにして、誘電体導波管線路16の開口端
に挿入した高周波用線路導体20の端部と誘電体導波管線
路16の一方の主導体層12とを電気的に接続している。 【００２１】また、この接続部分の接続用貫通導体17と
接続用線路導体18とで階段状の変換器19を構成してい
る。これにより、接続部の誘電体導波管線路16において
上下の主導体層12・13間の間隔を狭くしたいわゆるリッ
ジ導波管を階段状に構成することとなり、誘電体導波管
線路16と高周波用線路導体20との特性インピーダンスが
異なる場合に、変換器19が両者の特性インピーダンス整
合を行なうインピーダンス変換器として機能するため、
接続部における高周波信号の反射損失を低減し、良好な
透過特性の接続構造となる。 【００２２】すなわち、高周波用線路導体20の端部は誘
電体導波管線路16の開口端からその内部に挿入されてお
り、挿入された高周波用線路導体20の端部は、接続用貫
通導体17および接続用線路導体18によって構成された階
段状の変換器19とともにリッジ導波管として働き、高周
波信号の反射を低減させる作用をなす。このような変換
器19を用いて特性インピーダンスの異なる誘電体導波管
線路16と高周波用線路導体20とを低反射の状態で接続さ
せるための特性インピーダンス調整は、変換器19を構成
する誘電体基板の厚みや、接続用貫通導体17および接続
用線路導体18の長さ等で調整可能である。 【００２３】図１の例では、誘電体基板11を３層構造の
ものとして誘電体導波管線路16を構成し、接続用線路導
体18は１層の線路導体で形成されているが、誘電体基板
11をより多層構成とすることにより、変換部19の段数を
２段・３段・４段・５段…と増すことも可能である。こ
のように変換部19の段数を増すと、より効果的にインピ
ーダンスのマッチングをとることができる。 【００２４】また、接続用貫通導体17は、その間隔を信
号波長の２分の１より小さくしていくと電磁波の漏れは
なくなるため、接続用貫通導体17同士の間隔は信号波長
の２分の１未満であることが望ましい。接続用貫通導体
17は図１の例では１列に配設したが、複数列であっても
良い。また、いわゆる千鳥状に配置しても良い。 【００２５】なお、図１においては、表示の都合上、誘
電体基板11は省略して図示しているが、これらの構造は
通常は誘電体基板11中に形成されるものである。また、
誘電体導波管線路16の内部の構造が分かるように、主導
体層12の一部は破断して示している。 【００２６】図１に示すように、所定の厚みＣの誘電体
基板11を挟持する位置に一対の主導体層12・13が形成さ
れており、主導体層12・13は誘電体基板11の少なくとも
伝送線路形成位置を挟む上下面に形成されている。ま
た、主導体層12・13間には主導体層12と13とを電気的に
接続するスルーホール導体やビア導体等の貫通導体が多
数設けられ、これら多数の貫通導体により２列の側壁用
貫通導体群14を形成している。 【００２７】２列の側壁用貫通導体群14は、高周波信号
の伝送方向すなわち線路形成方向に信号波長の２分の１
未満（望ましくは４分の１以下）の所定の繰り返し間隔
（ピッチ）Ｂで、かつ伝送方向と直交する方向に所定の
間隔（幅）Ａをもって形成されている。これにより、こ
の誘電体導波管線路16における電気的な側壁を形成して
いる。 【００２８】ここで、誘電体基板11の厚みすなわち一対
の主導体層12・13間の間隔Ｃに対する制限は特にない
が、シングルモードで用いる場合には側壁用貫通導体群
14の幅Ａに対して２分の１程度または２倍程度とするこ
とがよい。図１の例では誘電体導波管16のＨ面に当たる
部分が主導体層12・13で、Ｅ面に当たる部分が側壁用貫
通導体群14および副導体層15でそれぞれ形成される。ま
た、側壁用貫通導体群14の幅Ｂに対して誘電体基板11の
厚みを２倍程度とすれば、誘電体導波管線路16のＥ面に
当たる部分が主導体層12・13で、Ｈ面に当たる部分が側
壁用貫通導体群14および副導体層15でそれぞれ形成され
ることとなる。 【００２９】また、貫通導体の繰り返し間隔Ｂが信号波
長の２分の１未満の間隔に設定されることで、側壁用貫
通導体群14により電気的な壁が形成できる。この間隔Ｂ
は、望ましくは信号波長の４分の１以下である。 【００３０】平行に配置された一対の主導体層12・13間
にはＴＥＭ波が伝播できるため、側壁用貫通導体群14の
各列における貫通導体の繰り返し間隔Ｂが信号波長λの
２分の１（λ／２）よりも大きいと、その隙間がスロッ
トとして作用して電磁波が漏れるので、この誘電体導波
管線路16に電磁波を給電しても電磁波は側壁用貫通導体
群14の間から漏れてしまい、ここで作られる疑似的な導
波管線路に沿って伝播しない。しかし、その間隔Ｂがλ
／２より小さいと、電気的な側壁を形成することとなっ
て電磁波は誘電体導波管線路16に対して垂直方向に伝播
することができず、反射しながら誘電体導波管線路16の
信号伝送方向に伝播される。その結果、図１のような構
成によれば、一対の主導体層12・13と２列の側壁用貫通
導体群14および副導体層16とによって囲まれる断面積が
Ａ×Ｃのサイズの領域が誘電体導波管線路16となる。 【００３１】なお、図１に示した例では側壁用貫通導体
群14は２列に形成したが、この側壁用貫通導体群14を４
列あるいは６列に配設して、側壁用貫通導体群14による
疑似的な導体壁を２重・３重に形成することにより、導
体壁からの電磁波の漏れをより効果的に防止することも
できる。 【００３２】このような誘電体導波管線路16によれば、
誘電体導波管による伝送線路となるので、誘電体基板11
の比誘電率をε_r とするとその導波管サイズは通常の導
波管の１／√ε_r の大きさになる。従って、誘電体基板
11を構成する材料の比誘電率ε_r を大きいものとするほ
ど導波管サイズを小さくすることができて高周波回路の
小型化を図ることができ、高密度に配線が形成される多
層配線基板または半導体素子収納用パッケージあるいは
車間レーダの伝送線路としても利用可能な大きさの誘電
体導波管線路16とすることができる。 【００３３】なお、側壁用貫通導体群14を構成する貫通
導体は前述のように信号波長の２分の１未満の繰り返し
間隔で配設されており、この繰り返し間隔は良好な伝送
特性を実現するためには一定の繰り返し間隔とすること
が望ましいが、信号波長の２分の１未満の間隔であれ
ば、適宜変化させたりいくつかの値を組み合わせたりし
てもよい。 【００３４】このような誘電体導波管線路16を構成する
誘電体基板11としては、誘電体として機能し高周波信号
の伝送を妨げることのない特性を有するものであればと
りわけ限定するものではないが、伝送線路を形成する際
の精度および製造の容易性の点からは、誘電体基板11は
セラミックスから成ることが望ましい。 【００３５】このようなセラミックスとしてはこれまで
様々な比誘電率を持つセラミックスが知られているが、
本発明に係る誘電体導波管線路によって高周波信号を伝
送するためには常誘電体であることが望ましい。これ
は、一般に強誘電体セラミックスは高周波領域では誘電
損失が大きく伝送損失が大きくなるためである。従っ
て、誘電体基板11の比誘電率ε_r は４〜100 程度が適当
である。 【００３６】また、一般に多層配線基板や半導体素子収
納用パッケージあるいは車間レーダに形成される配線層
の線幅は最大でも１ｍｍ程度であることから、比誘電率
が100 の材料を用い、上部がＨ面すなわち磁界が上側の
面に平行に巻く電磁界分布になるように用いた場合は、
用いることのできる最小の周波数は15ＧＨｚと算出さ
れ、マイクロ波帯の領域でも利用可能となる。 【００３７】一方、一般的に誘電体基板11として用いら
れる樹脂からなる誘電体は、比誘電率ε_r が２程度であ
るため、線幅が１ｍｍの場合は約100 ＧＨｚ以上でない
と利用することができないものとなる。 【００３８】また、このような常誘電体セラミックスの
中にはアルミナやシリカ等のように誘電正接が非常に小
さなものが多いが、全ての常誘電体セラミックスが利用
可能であるわけではない。誘電体導波管線路の場合は導
体による損失はほとんどなく、信号伝送時の損失のほと
んどは誘電体による損失である。その誘電体による損失
α（ｄＢ／ｍ）は次のように表わされる。 α＝27.3×ｔａｎδ／〔λ／｛１−（λ／λc ）² ｝
^1/2 〕 式中、ｔａｎδ：誘電体の誘電正接 λ ：誘電体中の波長 λc ：遮断波長 規格化された矩形導波管（ＷＲＪシリーズ）形状に準ず
ると、上式中の｛１−（λ／λc ）² ｝^1/2 は0.75程度
である。 【００３９】従って、実用に供し得る伝送損失である−
100 ｄＢ／ｍ以下にするには、次の関係が成立するよう
に誘電体を選択することが必要である。 ｆ×ε_r ^1/2 ×ｔａｎδ≦0.8 式中、ｆは使用する高周波信号の周波数（ＧＨｚ）であ
る。 【００４０】このような誘電体基板11としては、例えば
アルミナセラミックスや窒化アルミニウムセラミックス
・ガラスセラミックス等がある。これらによる誘電体基
板11は、例えばセラミックス原料粉末に適当な有機溶剤
・溶媒を添加混合して泥漿状になすとともに、これを従
来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等を
採用してシート状となすことによって複数枚のセラミッ
クグリーンシートを得て、しかる後、これらセラミック
グリーンシートの各々に適当な打ち抜き加工を施すとと
もにこれらを積層し、アルミナセラミックスの場合は15
00〜1700℃、ガラスセラミックスの場合は850 〜1000
℃、窒化アルミニウムセラミックスの場合は1600〜1900
℃の温度で焼成することによって製作される。 【００４１】また、一対の主導体層12・13および副導体
層15、ならびに高周波用線路導体20および接続用線路導
体18は、例えば誘電体基板11がアルミナセラミックスか
ら成る場合には、タングステン等の金属粉末に適当なア
ルミナ・シリカ・マグネシア等の酸化物や有機溶剤・溶
媒等を添加混合してペースト状にしたものを用いて厚膜
印刷法により少なくとも伝送線路を完全に覆うようにセ
ラミックグリーンシート上に印刷し、しかる後、約1600
℃の高温で焼成し、厚み５〜15μｍ程度となるようにし
て形成する。なお、金属粉末としては、ガラスセラミッ
クスの場合は銅・金・銀が、窒化アルミニウムセラミッ
クスの場合はタングステン・モリブデンが好適である。
また、主導体層12・13および副導体層15の厚みは一般的
に５〜５０μｍ程度とされる。 【００４２】また、側壁用貫通導体群１４ならびに接続
用貫通導体17を構成する貫通導体は、例えばビアホール
導体やスルーホール導体等により形成すればよい。その
断面形状は製作が容易な円形の他、矩形や菱形等の多角
形であってもよい。これら貫通導体は、例えばセラミッ
クグリーンシートに打ち抜き加工を施して作製した貫通
孔に主導体層12・13等と同様の金属ペーストを埋め込
み、しかる後、誘電体基板11等と同時に焼成して形成す
る。なお、貫通導体は直径50〜300 μｍが適当である。 【００４３】 【実施例】次に、本発明の誘電体導波管線路と高周波用
線路導体との接続構造の具体例について説明する。 【００４４】図２は本発明の誘電体導波管線路と高周波
用線路導体との接続構造の実施の形態の一例の概略構成
を示す斜視図であり、図１と同様の箇所には同じ符号を
付してあり、誘電体基板11は表示を省略してある。ま
た、理解を容易にするために側壁を形成するための側壁
用貫通導体群14および副導体層15については等価的な側
壁で表現し、誘電体導波管線路16は輪郭で表示してい
る。 【００４５】この例の場合は、誘電体基板に比誘電率ε
_r が4.8 のセラミックス材料を用い、誘電体導波管線路
16の断面のサイズを1.5 ｍｍ×0.6 ｍｍ、高周波用線路
導体20としてのマイクロストリップ線路の線路幅を0.26
7 ｍｍとした。また、誘電体導波管線路16は厚みが0.15
ｍｍの誘電体基板を４枚積層して構成した。 【００４６】この例ではマイクロストリップ線路の上部
は空気とされ、その線路導体20の端部は誘電体導波管線
路16の開口端に0.279ｍｍ挿入されている。変換器19
は、0.15ｍｍ間隔で接続用線路導体18を２層形成し、各
線路導体18の端部同士および高周波用線路導体20の端部
ならびに誘電体導波管線路16の主導体層12との間を接続
用貫通導体17で電気的に接続した。このとき、１層目お
よび２層目の接続用線路導体18は、いずれも幅0.267ｍ
ｍ・長さ0.279ｍｍとした。また、接続用貫通導体17は
直径0.1ｍｍ・長さ0.15ｍｍとした。これにより、誘電
体導波管線路16の開口端に挿入された高周波用線路導体
20の端部は、複数の接続用貫通導体17および複数の接続
用線路導体18を経て誘電体導波管線路16の主導体層12と
電気的に接続されている。 【００４７】そして、この例ならびに変換部19（接続用
貫通導体17および接続用線路導体18）を設けなかった比
較例につき、接続構造の反射係数Ｓ₁₁をネットワーク・
アナライザにより測定して求めた。その結果を図３に示
す。 【００４８】図３は誘電体導波管線路の高周波用線路導
体との接続構造における反射係数Ｓ₁₁の周波数特性を示
す線図であり、横軸は周波数（単位：ＧＨｚ）を、縦軸
は反射係数Ｓ₁₁（単位：ｄＢ）を表わし、反射係数Ｓ₁₁
の周波数特性を示す特性曲線のうちＡは比較例の特性
を、Ｂは本発明の実施例の特性を示している。 【００４９】図３の結果より、変換部が無い比較例の結
果Ａにおいては反射係数Ｓ₁₁は−６ｄＢ程度までにしか
ならなかったのに対し、本発明の接続構造の結果Ｂによ
れば、接続用貫通導体および接続用線路導体から成る変
換部を設けることにより、反射係数Ｓ₁₁が−20ｄＢ以下
の良好な特性が得られたことが分かる。このことは、本
発明の接続構造にかかる変換部（接続用貫通導体および
接続用線路導体）により、誘電体導波管線路と高周波用
線路導体との特性インピーダンスのマッチングが行なわ
れていることを示すものである。 【００５０】 【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の誘電体導波
管線路と高周波用線路導体との接続構造によれば、誘電
体導波管線路の開口端に高周波用線路導体の端部を挿入
し、その端部と誘電体導波管線路の主導体層の一方と
を、高周波用線路導体と同じ伝送方向で平行に配設され
た、高周波用線路導体の端部の誘電体導波管線路の開口
端に挿入された長さと同じ長さの接続用線路導体と、こ
の接続用線路導体の端部に直交して配設された接続用貫
通導体とにより階段状を成すように電気的に接続したこ
とから、接続部の厚みを薄い構造とすることができて小
型化を図ることができ、しかも、接続部における高周波
信号の反射損失が小さく優れた透過特性を得ることがで
きる。さらに、誘電体導波管線路と高周波用線路導体と
の特性インピーダンスが異なる場合であっても、特性イ
ンピーダンスのマッチングをとって良好な特性で接続さ
せることができる。 【００５１】しかも、本発明の誘電体導波管線路と高周
波用線路導体との接続構造は、グリーンシート積層法等
のシート積層技術により容易に作製することができるの
で、生産性が高く安価に製造することができる。 【００５２】以上により、本発明によれば、積層型の誘
電体導波管線路と、他のマイクロストリップ線路やスト
リップ線路・高周波線路等の高周波用線路導体とを、両
者の特性インピーダンスが異なるものであっても良好な
特性で接続することができる誘電体導波管線路と高周波
用線路導体との接続構造を提供することができた。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の誘電体導波管線路と高周波用線路導体
との接続構造の実施の形態の一例を示す部分破断斜視図
である。 【図２】本発明の誘電体導波管線路と高周波用線路導体
との接続構造の実施の形態の一例の概略構成を示す斜視
図である。 【図３】誘電体導波管線路と高周波用線路導体との接続
構造における反射損失の周波数特性を示す線図である。 【図４】従来の誘電体導波管線路と高周波用線路導体と
の接続構造の例の概略構成を示す斜視図である。 【符号の説明】 11・・・・・誘電体基板 12、13・・・主導体層 14・・・・・側壁用貫通導体群 15・・・・・副導体層 16・・・・・誘電体導波管線路 17・・・・・接続用貫通導体 18・・・・・接続用線路導体 20・・・・・高周波用線路導体

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 誘電体基板を上下から挟持する一対の主
   導体層と、高周波信号の伝送方向に信号波長の２分の１
   未満の繰り返し間隔で、かつ前記伝送方向と直交する方
   向に所定の幅で前記主導体層間を電気的に接続して形成
   された２列の側壁用貫通導体群と、前記主導体層間に主
   導体層と平行に形成され、前記側壁用貫通導体群と電気
   的に接続された副導体層とを具備して成り、前記主導体
   層、側壁用貫通導体群および副導体層に囲まれた領域に
   よって高周波信号を伝送する誘電体導波管線路の開口端
   に、前記高周波信号を伝送する高周波用線路導体の端部
   を挿入するとともに、該高周波用線路導体の端部と前記
   主導体層の一方とを、前記高周波用線路導体と同じ伝送
   方向で平行に配設された、前記高周波用線路導体の前記
   端部の前記開口端に挿入された長さと同じ長さの接続用
   線路導体と、該接続用線路導体の端部に直交して配設さ
   れた接続用貫通導体とにより階段状を成すように電気的
   に接続したことを特徴とする誘電体導波管線路と高周波
   用線路導体との接続構造。