DE60218101T2 - Hochfrequenzschaltungsmodul - Google Patents
Hochfrequenzschaltungsmodul Download PDFInfo
- Publication number
- DE60218101T2 DE60218101T2 DE60218101T DE60218101T DE60218101T2 DE 60218101 T2 DE60218101 T2 DE 60218101T2 DE 60218101 T DE60218101 T DE 60218101T DE 60218101 T DE60218101 T DE 60218101T DE 60218101 T2 DE60218101 T2 DE 60218101T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- millimeter
- dielectric substrate
- transmission line
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
- H05K1/0219—Printed shielding conductors for shielding around or between signal conductors, e.g. coplanar or coaxial printed shielding conductors
- H05K1/0222—Printed shielding conductors for shielding around or between signal conductors, e.g. coplanar or coaxial printed shielding conductors for shielding around a single via or around a group of vias, e.g. coaxial vias or vias surrounded by a grounded via fence
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/04—Fixed joints
- H01P1/047—Strip line joints
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/27—Adaptation for use in or on movable bodies
- H01Q1/32—Adaptation for use in or on road or rail vehicles
- H01Q1/3208—Adaptation for use in or on road or rail vehicles characterised by the application wherein the antenna is used
- H01Q1/3233—Adaptation for use in or on road or rail vehicles characterised by the application wherein the antenna is used particular used as part of a sensor or in a security system, e.g. for automotive radar, navigation systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q21/00—Antenna arrays or systems
- H01Q21/0087—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing antenna arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q23/00—Antennas with active circuits or circuit elements integrated within them or attached to them
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
- H01Q9/04—Resonant antennas
- H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S13/00—Systems using the reflection or reradiation of radio waves, e.g. radar systems; Analogous systems using reflection or reradiation of waves whose nature or wavelength is irrelevant or unspecified
- G01S13/88—Radar or analogous systems specially adapted for specific applications
- G01S13/93—Radar or analogous systems specially adapted for specific applications for anti-collision purposes
- G01S13/931—Radar or analogous systems specially adapted for specific applications for anti-collision purposes of land vehicles
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/02—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S13/00
- G01S7/027—Constructional details of housings, e.g. form, type, material or ruggedness
- G01S7/028—Miniaturisation, e.g. surface mounted device [SMD] packaging or housings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/02—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S13/00
- G01S7/03—Details of HF subsystems specially adapted therefor, e.g. common to transmitter and receiver
- G01S7/032—Constructional details for solid-state radar subsystems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
- H01L2223/6616—Vertical connections, e.g. vias
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
- H01L2223/6627—Waveguides, e.g. microstrip line, strip line, coplanar line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
- H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6688—Mixed frequency adaptations, i.e. for operation at different frequencies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
- H01L2924/141—Analog devices
- H01L2924/1423—Monolithic Microwave Integrated Circuit [MMIC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
- H01L2924/1616—Cavity shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1903—Structure including wave guides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
- H05K1/0219—Printed shielding conductors for shielding around or between signal conductors, e.g. coplanar or coaxial printed shielding conductors
- H05K1/0221—Coaxially shielded signal lines comprising a continuous shielding layer partially or wholly surrounding the signal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
- H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
- H05K1/116—Lands, clearance holes or other lay-out details concerning the surrounding of a via
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
- H05K2201/09618—Via fence, i.e. one-dimensional array of vias
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09781—Dummy conductors, i.e. not used for normal transport of current; Dummy electrodes of components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09809—Coaxial layout
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/429—Plated through-holes specially for multilayer circuits, e.g. having connections to inner circuit layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computer Security & Cryptography (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Hochfrequenzschaltungsmodul und insbesondere ein Hochfrequenzschaltungsmodul, in dem ein Hochfrequenzschaltungsteil, wie etwa eine monolithische integrierte Mikrowellenschaltung (nachstehend als MMIC bezeichnet), und eine Antenne auf der Oberseite bzw. Rückseite eines mehrschichtigen dielektrischen Substrats vorgesehen sind. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Hochfrequenzschaltungsmodul, das für ein Millimeterwellen verwendendes Fahrzeugradarmodul geeignet ist.
- Beschreibung der verwandten Techniken
- Als das effizienteste System eines intelligenten Transportsystems (IST) zur Behebung eines Verkehrsunfalls, eines Verkehrsstaus, von Umweltproblemen mit Abgas, Lärm usw., Ressourcenproblemen aufgrund hohen Ölenergieverbrauchs und dergleichen, die durch „Fahrzeuge" verursacht werden, ist ein Millimeterwellenradar entwickelt worden. Um so viele Fahrzeuge wie möglich mit Millimeterwellenradaren auszustatten, ist die Realisierung eines Fahrzeugradarmoduls mit verbesserter Flexibilität einer Fahrzeuganbringungsgestaltung durch Reduzierung der Größe und Dicke des Millimeterwellenradars, Zuverlässigkeit und geringen Kosten gefragt.
- Als ein an das Fahrzeugradar angepasstes Hochfrequenzschaltungsmodul ist ein Hochfrequenzschaltungsmodul bekannt, in dem eine Antenne und eine MMIC auf der Oberseite bzw. Rückseite eines mehrschichtigen dielektrischen Substrats vorgesehen sind.
- Wie beispielsweise in
10 gezeigt ist (konventionelle Technik 1) sind auf der Oberseite und Rückseite eines keramischen mehrschichtigen Substrats38 , in dem mehrere Metallschichten30 bis33 vorgesehen sind, eine Antenne28 bzw. eine MMIC29 vorgesehen. Als Hochfrequenzübertragungsleitungen zwischen der Antenne28 und der MMIC29 werden Mikrostreifenleitungen34 und35 und elektromagnetische Kopplungsschlitze36 und37 verwendet. Techniken, die elektromagnetische Kopplungsschlitze dieser Art verwenden, sind in den japanischen ungeprüften Patentanmeldungen Nr. 9-237867 und 8-250913 offenbart. In diesem Anbringungsbeispiel bleibt, wenn ein Schlitz mit derselben Struktur über einem Schlitz ausgebildet wird, um die Übertragungsleitungslänge am kürzesten zu machen, eine Mikrostreifenleitung mit einer Länge von um die λ/2 zwischen den Schlitzen und wirkt als Resonator. Wenn jedoch elektromagnetische Kopplungsschlitze über und unter der Mikrostreifenleitung vorgesehen sind, tritt ein Potenzgefälle zwischen der oberen und unteren Schlitzmetallschicht auf. Infolgedessen wird eine elektromagnetische Welle erzeugt, die sich parallel zwischen den Schlitzmetallschichten ausbreitet. Ein der Energie der elektromagnetischen Welle entsprechender Betrag wird zu einem Verlust, so dass es schwierig ist, die Übertragungsleitung mit geringem Verlust zu realisieren. Daher wird durch Einstellen des Abstands zwischen den elektromagnetischen Kopplungsschlitzen auf λ/2 oder länger die Interferenz zwischen den Schlitzen verhindert und der Verlust in der Übertragungsleitung minimiert. Aufgrund einer solchen Struktur benötigt das die elektromagnetischen Kopplungsschlitze verwendende Anbringungsverfahren einen Anbringungsbereich mit dem Abstand 2λ oder länger zwischen den Schlitzen, und die Gestaltung der oberen und unteren elektronischen Teile muss berücksichtigt werden, um keine Interferenz mit dem Übertragungsmodus des Schlitzkopplungsteils zu verursachen. - Wie in
11A gezeigt ist (konventionelle Technik 2), gibt es eine bekannte Technik, bei der die Verbindung zwischen mehreren leitenden Schichten31 und33 in dem mehrschichtigen dielektrischen Substrat38 mit den mehreren leitenden Schichten30 bis33 und39 durch einen Durchkontakt realisiert wird, der die Bedingung (R·r)/(2·h) ≤ L ≤ (5·R·r)/h erfüllt (in der R, r und L in11C gezeigte Größen bezeichnen und h den Abstand zwischen den leitenden Schichten bezeichnet). Wenn ein zu übertragendes Signal sich in einem Millimeterwellenband befindet, kann die Verbindung zwischen leitenden Schichten in dem mehrschichtigen Substrat, das durch den die Bedingung erfüllenden Durchkontakt gebildet wird, durch ein Verbindungsverfahren mit geringem Verlust lediglich in dem Fall erfolgen, in dem es eine mit dem Durchkontakt verbundene Erdungsschicht gibt. Jedoch kann das Auftreten einer sich zwischen mehreren Erdungsschichten ausbreitenden elektromagnetischen Welle nicht unterdrückt werden. Infolgedessen kann das Verfahren nicht dazu angewendet werden, die Leiter zu verbinden, um einen geringen Verlust im Millimeterwellenband zu realisieren. - Weiterhin gibt es als Technik, die kein dielektrisches mehrschichtiges Substrat verwendet, wie in
12 gezeigt (konventionelle Technik 3), eine Technik, in der eine MMIC43 und eine Antenne44 auf der Oberfläche bzw. Rückseite einer Metallbasisplatte42 vorgesehen sind und eine in der Basisplatte42 ausgebildete koaxiale Struktur45 zur Verbindung der MMIC43 mit der Antenne44 verwendet wird. In der Struktur sind das Hochfrequenzschaltungssubstrat einschließlich der MMIC43 und der Antenne miteinander über die koaxiale Struktur verbunden, so dass ein dünnes kleines Millimeterwellenradar relativ einfach hergestellt werden kann. In dem Diagramm bezeichnen die Bezugszeichen46 ,47 ,48 ,49 ,50 und51 ein Schaltungssubstrat bzw. ein Isoliermaterial bzw. einen Außenanschluss bzw. ein Isolier material bzw. einen Kontaktierdraht bzw. eine Sendungs-/Empfangsschaltungsabdeckung. - Das Dokument
FR 2 710 195 A - Wie vorstehend beschrieben ist, weisen die konventionellen Techniken Probleme bezüglich der einfachen Herstellung, der Herstellungskosten und Schaltungseigenschaften auf. Insbesondere hat eine Hochfrequenzschaltung im Allgemeinen eine hermetische Struktur, um die Außenluft zur Verwendung der Module für ein Fahrzeug-Millimeterwellenradar auszuschalten, da das Millimeterwellenradar eine Vorrichtung ist, die außerhalb eines Fahrzeugs angebracht ist und die Anwendungsumgebungen Temperatur, Feuchtigkeit, Vibration und dergleichen schädlich sind. Da der Übertragungsverlust im Millimeterwellenband viel größer als im Vergleich mit demjenigen in einem Mikrowellenband ist, muss die Übertragungsleitung so gestaltet sein, dass sie so kurz wie möglich ist. Obwohl die Leitungslänge durch Anbringen des Hochfrequenzschaltungsteils auf derselben Seite des Substrats wie die Antenne verkürzt werden kann, ist es schwierig, das Hochfrequenzschaltungsteil und die Antenne aufgrund der begrenzten Größe des Hochfrequenzschaltungsteils und der hermetischen Struktur auf derselben Seite anzubringen.
- Um das Hochfrequenzschaltungsteil und die Antenne des Millimeterwellenradars so nahe wie möglich anzubringen, sind das Hochfrequenzschaltungsteil und die Antenne auf beiden Seiten des Anbringungssubstrats so angebracht, dass sie überlappt sind, und ein Oszillator und ein Verstärker der Hochfrequenzschaltungsteile müssen so angeordnet sein, dass die Länge der Übertragungsleitung am kürzesten wird. Jedoch wird als Anbringungssubstrat des Millimeterwellenbands ein dünnes Substrat mit einer dielektrischen Dicke von 0,2 mm oder weniger verwendet, um einen Strahlungsverlust der Übertragungsleitung zu unterdrücken. Daher wird die Basisplatte
42 zum Sicherstellen der mechanischen Festigkeit, wie in12 gezeigt, für das Millimeterwellenradar benötigt. Infolgedessen muss der Aufbau verwendet werden, dessen Montage- und Verarbeitungskosten hoch sind. - Im Allgemeinen wird ein beidseitiges zweischichtiges Substrat verwendet, um die Eigenschaften der Millimeterwellen-Übertragungsleitung für eine Hochfrequenzschaltung sicherzustellen. Eine Übertragungsleitung für ein Millimeterwellensignal, eine Leistungszufuhrleitung und eine Übertragungsleitung für ein Niederfrequenzsignal sind auf derselben Seite ausgebildet. Da die Hoch-/Niederfrequenzsignal-Übertragungsleitungen und die Leistungszufuhrleitung einander nicht kreuzen können, ist eine Antennenverdrahtung, wie etwa ein Kontaktierdraht, erforderlich. Je höher die Frequenz eines Signals ist, desto leichter strahlt das Signal und es verursacht ein Nebensprechen in einer anderen Leitung. Es macht das Millimeterwellenradar instabil. Da außerdem die Flexibilität beim Entwurf der Gestaltung der Hochfrequenzschaltung in dem zweischichtigen Substrat reguliert wird, ist die Kostenreduzierung durch Verringerung des Substratbereichs des teuren Hochfrequenzschaltungsteils begrenzt.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Daher ist es Aufgabe der Erfindung, ein Hochfrequenzschaltungsmodul zu realisieren, bei dem Hochfrequenzschaltungsteile, wie etwa MMICs für Millimeterwellen und Mikrowellen und eine Flächenantenne auf einem mehrschichtigen dielektrischen Substrat angebracht sind und der Verlust der Energie elektromagnetischer Wellen reduziert ist, und das zu geringen Kosten realisiert werden kann, und weiterhin, ein kleines, dünnes und leichtes Fahrzeugradarmodul mit hoher Entwurfflexibilität bereitzustellen.
- Zur Lösung der Aufgabe wird ein Hochfrequenzschaltungs(nachstehend als HF-Schaltung bezeichnet)-modul bereitgestellt, bei dem HF-Schaltungsteile auf beiden Seiten eines mehrschichtigen dielektrischen Substrats angebracht und Übertragungsleitungen zur Verbindung der HF-Schaltungsteile auf den beiden Seiten aufgebaut sind durch eine Gruppe von Durchkontakten mit periodischer Struktur oder durch Durchkontakte mit koaxialer Struktur, die sich in der Richtung rechtwinklig zur Fläche des mehrschichtigen dielektrischen Substrats erstreckten.
- Die Durchkontaktgruppe mit der periodischen Struktur ist so aufgebaut, dass mehrere Durchkontakte um einen Mittenleiter mit einem vorgegebenen Abstand verteilt sind. Insbesondere ist der Abstand gleich oder kleiner als ein Viertel der Wellenlänge eines Signals der Übertragungsleitung. Der Durchkontakt mit der koaxialen Struktur wird durch einen Mittenleiter und einen zylindrischen Leiter gebildet, der den Mittenleiter umgibt und mit einer Erdungsleitungsschicht verbunden ist, die in dem mehrschichtigen dielektrischen Substrat vorgesehen ist.
- In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind in einem HF-Schaltungsmodul eines Millimeterwellen verwendenden Fahrzeugradarmoduls HF-Schaltungsteile auf einer der Flächen des harten mehrschichtigen dielektrischen Substrats MMICs, wie etwa ein Oszillator, und ein HF-Schaltungsteil auf der anderen Fläche ist eine Antenne. Die Erfindung ist nicht auf ein Fahrzeugradarmodul beschränkt, sondern kann auf ein Mikrowellen und Millimeterwellen verwendendes HF-Schaltungsmodul angewendet werden, in dem HF-Schaltungsteile auf beiden Seiten eines harten mehrschichtigen dielektrischen Substrats angebracht sind.
- Gemäß der Erfindung ist eine Millimeterwellen-Übertragungsleitung, die sich vertikal zu einer Schicht mit einem kleinen Übertragungsverlust erstreckt, in einem harten mehrschichtigen dielektrischen Substrat vorgesehen und eine Metallschicht für ein Gleichstrom-/Zwischenfrequenzsignal ist durch Erdungsmetallschichten im Substrat abgeschirmt. Mit der Konfiguration wird das Nebensprechen eines Millimeterwellensignals zu einem Gleichstrom-/Zwischenfrequenzsignal verringert, der durch die HF-Schaltungen besetzte Bereich kann durch mehrschichtiges Verdrahten der HF-Schaltung reduziert werden und der Widerstand gegen Verzerrung und Zerstörung durch ein mechanisches Belastungsmoment des mehrschichtigen Substrats ist verbessert. Weiterhin ist die Fläche des mehrschichtigen dielektrischen Substrats flach und die Montagearbeit wird leicht durch einseitiges Rückfließen durchgeführt, so dass ein kleines, dünnes und kostengünstiges HF-Schaltungsmodul realisiert werden kann. Insbesondere ist die Erfindung wirksam bei der Realisierung eines Fahrzeugradarmoduls mit ausgezeichneter Kosteneffizienz und Widerstand gegen Vibration, der erforderlich ist, um eine hohe Leistung zu erzielen.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
1 ist eine Seitenschnittansicht, die eine erste Ausführungsform eines HF-Schaltungsmoduls gemäß der Erfindung zeigt. -
2A und2B sind Diagramme zur Erläuterung der ersten Ausführungsform einer Millimeterwellen-Übertragungsleitung, die sich verti kal zu einer Schicht in einem mehrschichtigen dielektrischen Substrat erstreckt. -
3 ist ein Diagramm zur Erläuterung einer zweiten Ausführungsform der Millimeterwellen-Übertragungsleitung, die sich vertikal zu einer Schicht in einem mehrschichtigen dielektrischen Substrat erstreckt. -
4 ist ein Diagramm zur Erläuterung einer dritten Ausführungsform einer Millimeterwellen-Übertragungsleitung, die sich vertikal zu einer Schicht in einem mehrschichtigen dielektrischen Substrat erstreckt. -
5 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel eines Fahrzeugradarmoduls gemäß der Erfindung zeigt. -
6 ist ein Blockdiagramm, das die Konfiguration einer Sendungs-/Empfangsschaltung eines Millimeterwellenradars zeigt. -
7 ist eine Seitenschnittansicht eines weiteren Beispiels des Fahrzeugradarmoduls gemäß der Erfindung. -
8 ist eine perspektivische Ansicht eines weiteren Beispiels des Fahrzeugradarmoduls gemäß der Erfindung. -
9 ist ein Blockdiagramm, das die Schaltungskonfiguration des Radarmoduls der8 zeigt. -
10 ist ein Querschnitt eines konventionellen Hochfrequenzpakets (1 ). -
11 ist ein Diagramm, das die Konfiguration eines konventionellen Hochfrequenzpakets (2 ) zeigt. -
12 ist ein Querschnitt eines konventionellen Hochfrequenz-Sendungs-/Empfangsmoduls (3 ). - BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
-
1 ist eine Seitenschnittansicht, die die Konfiguration eines Beispiels eines HF-Schaltungsmoduls gemäß der Erfindung zeigt. In der Ausführungsform wird, wie später vorliegend beschrieben wird, das HF-Schaltungsmodul für ein Fahrzeugradar verwendet, das eine Millimeterwelle benutzt. - In einem harten mehrschichtigen dielektrischen Substrat
2 der Ausführungsform sind vier harte dielektrische Schichten2-1 ,2-2 ,2-3 und2-4 ausgebildet, Metallschichten9 ,10 und11 sind auf den Schichten2-2 bzw.2-3 bzw.2-4 ausgebildet und ein Metallmuster17 ist auf der Oberfläche der Schicht2-1 ausgebildet. Durch das Metallmuster17 , die harte dielektrische Schicht2-1 und die Metallschicht9 wird eine Übertragungsleitung, wie etwa eine Mikrostreifenleitung, gebildet. Die Metallschicht10 konstruiert eine Leistungszufuhrleitung und eine Niederfrequenzsignal-Übertragungsleitung, und die Metallleitung11 wird als Erdungsmetallleitung eingesetzt. Auf der Oberfläche der harten dielektrischen Schicht2-1 sind HF-Schaltungsteile5-1 und5-2 , wie etwa MMICs, angebracht. Auf der Außenseite (Rückseite) der dielektrischen Schicht2-4 ist ein Metallmuster1 zum Ausbilden einer Antenne als eines der HF-Schaltungsteile ausgebildet. - Zwischen den HF-Schaltungsteilen
5 und dem Metallmuster1 ist eine Millimeterwellen-Übertragungsleitung16 , die sich rechtwinklig zur Fläche des mehrschichtigen dielektrischen Substrats2 erstreckt, als Kopplungsübertragungsleitung ausgebildet. Die Millimeterwellen-Übertragungsleitung16 nimmt die Form einer Übertragungsleitung an, die einen Durchkontakt mit periodischer Struktur oder einen Durchkontakt mit koaxialer Struktur verwendet, der später beschrieben wird, und überträgt ein Millimeterwellensignal zwischen dem Metallmuster1 der Antenne und den HF-Schaltungsteilen5 . Das Metallmuster1 der Antenne wird so verarbeitet, dass es an die Form eines Millimeterwellenübertragungs-Durchkontakts auf der Rückseite des HF-Schaltungsmoduls angepasst wird. - Auf der Oberfläche des mehrschichtigen dielektrischen Substrats
2 sind nicht nur die mehreren MMICs5-1 und5-2 , sondern auch andere HF-Schaltungsteile, wie etwa ein Monoschicht-Kondensator13 , ein Chipteil14 und ein Metallmuster, die eine Mikrostreifenleitung aufbauen, angebracht. Die HF-Schaltungsteile sind mit einer hermetischen Kappe4 hermetisch versiegelt, wodurch sie ein HF-Schaltungsmodul bilden. Ein Eingabe-/Ausgabe-Verbinder15 ist auf der Außenseite der hermetischen Kappe4 und auf der Oberfläche des mehrschichtigen dielektrischen Substrats2 vorgesehen. - Die hermetische Kappe
4 besteht aus einem Metall oder einem Isolator, der metallbeschichtet ist. Die hermetische Kappe4 und das harte mehrschichtige dielektrische Substrat2 sind mit einem eutektischen Lötmetall oder dergleichen luftdicht versiegelt, um eine Verschlechterung der Temperatur- und Feuchtigkeitsumgebungen der Millimeterwellen-HF-Schaltung zu unterdrücken, die durch die Millimeterwellen-MMIC5 und dergleichen aufgebaut ist. Da die elektromagnetische Welle umso leichter in die Luft abstrahlt, je höher sie ist, ist insbesondere, um ein Nebensprechen in der Millimeterwellen-HF-Schaltung zu vermeiden, ein Wellenabsorber, dessen elektromagnetische Wellenabsorptionsmenge 10 dB oder mehr beträgt, oder eine vorstehende Struktur mit einem Projektionszyklus von λ/2 auf der Innenfläche der hermetischen Kappe4 vorgesehen. - Die Millimeterwellen-MMIC
5 ist an die Oberfläche des harten mehrschichtigen dielektrischen Substrats2 mit einem unisolierten Chip oder einem Flip-Chip kontaktiert. Im Fall der Anbringung mit einem unisolierten Chip kann, da sich die Schaltungsfläche in der Oberflächenschicht befindet, eine Drahtkontaktierung für eine Übertragungsleitung eines elektrischen Signals verwendet werden. -
2A und2B sind Diagramme zur Erläuterung der Konfiguration eines Beispiels der Millimeterwellen-Übertragungsleitung (nachstehend auch als vertikale Übertragungsleitung bezeichnet)16 , die in der Richtung rechtwinklig zur Fläche des mehrschichtigen dielektrischen Substrats2 in1 ausgebildet ist.2A und2B sind eine perspektivische Ansicht bzw. ein Teilquerschnitt der vertikalen Übertragungsleitung16 . Jede Schicht ist der Einfachheit halber in quadratischer Form gezeigt, besitzt aber tatsächlich eine große Breite. In der obersten Schicht17 ist ein Metallmuster17-1 durch die Oberflächenmetallschicht gebildet und mit der (nicht gezeigten) MMIC verbunden. Eine Mikrostreifen-Übertragungsleitung ist durch das Metallmuster17-1 , die Erdungsmetallschicht9 als Gegenelektrode und das zwischen dem Muster17-1 und der Schicht9 vorgesehene dielektrische Substrat2-1 gebildet. - Die Metallschicht
10 ist ein Metallmuster einer DC (Gleichstrom)/IF (Zwischenfrequenz)-Signalleitung und die Metallschicht11 ist ein Metallmuster zum Abschirmen der DC/IF-Signalleitung. Ein zylindrisches Metallmuster18 wird verwendet, um die Erdungsmetallschichten9 und10 miteinander zu verbinden. Das zylindrische Metallmuster18 und ein Mittenleiter19 bilden einen Durchkontakt mit der koaxialen Struktur. - Die koaxiale Struktur wird durch Sintern des mehrschichtigen dielektrischen Substrats
2 , Bestrahlen der hinteren Fläche der Metallschicht11 mit einem Laserstrahl, um ein die Metallschicht9 erreichendes Loch zu bilden, und danach Durchführen einer Goldbeschichtungsfüllung ausgebildet. Der als Mittenleiter dienende Durchkontakt19 und das Lötaugenmuster17 in der Oberflächenschicht sind größer als die Lötaugenmuster der Metallschichten9 bis11 . Ein metallfreies Muster der Metallschichten9 bis11 ist so entworfen, dass es ein Viertel der Wellenlänge oder weniger beträgt, und ein metallfreies Muster der Metallschicht10 ist so entworfen, dass es die Außendurchmessergröße in dem Fall ist, in dem die charakteristische Impedanz der koaxialen Struktur fast gleich derjenigen der Übertragungsleitung17-1 in der Oberflächenschicht ist, wodurch der Durchkontakt mit der koaxialen Struktur realisiert wird, durch die ein niedriger Übertragungsverlust erhalten wird. -
3A ,3B und3C sind Diagramme zur Erläuterung der Konfiguration eines weiteren Beispiels der vertikal zu den Schichten erstreckten Millimeterwellen-Übertragungsleitung16 .3A und3B sind eine perspektivische Ansicht bzw. ein Querschnitt der vertikalen Übertragungsleitung16 .3B ist eine Draufsicht auf eine Schicht. In der obersten Schicht17 ist das durch die Oberflächenmetallschicht ausgebildete Metallmuster17-1 ausgebildet und mit der (nicht gezeigten) MMIC verbunden. Die Funktionen der obersten Schicht17 , des Metallmusters9 der Erdungsmetallschicht und der Metallmuster10 und11 , in denen die DC/IF-Signalleitung ausgebildet ist, sind dieselben wie diejenigen der Teile, die durch dieselben Bezugszeichen in2A und2B bezeichnet sind. - Das Bezugszeichen
20 bezeichnet eine Gruppe von Durchkontakten, die die Erdungsmetallschichten9 und11 verbinden. Die Durchkon taktgruppe20 ist so angeordnet, dass der Abstand benachbarter Durchkontakte gleich dem Zyklus ist, der gleich oder kleiner als ein Viertel der Wellenlänge λ eines Übertragungssignals ist. Durch Umgeben eines den Mittenleiter bildenden Durchkontakts20c mit der Durchkontaktgruppe20 fungiert die Durchkontaktgruppe20 als elektromagnetische Wellenwand, um die sich parallel zwischen den Metallschichten9 und10 und zwischen den Metallschichten10 und11 ausbreitende elektromagnetische Welle zu begrenzen. Daher wird ein niedriger Übertragungsverlust erzielt, der fast gleich demjenigen in der vertikalen Übertragungsleitung ist, die in2A und2B gezeigt ist. Obwohl der Fall, in dem die Durchkontakte der Durchkontaktgruppe20 in quadratischer Form verteilt sind, in dem Beispiel der3A ,3B und3C beschrieben worden ist, können die Durchkontakte in einer vieleckigen Form mit vier oder mehr Seiten, wie etwa einem Viereck, oder in einer kreisförmigen Form, wie in4A und4B gezeigt, verteilt sein. -
5 ist eine perspektivische Ansicht des HF-Schaltungsmoduls der1 , wobei die hermetische Kappe4 entfernt ist. Auf dem mehrschichtigen dielektrischen Substrat2 sind HF-Schaltungsteile, wie zum Beispiel eine MMIC21 eines Oszillators, eine MMIC22 eines Leistungsverstärkers, MMICs23 und24 eines Empfängers, ein Eingabe-/Ausgabe-Verbinder15 , ein Versiegelungsmuster25 zum luftdichten Versiegeln, vertikale Millimeterwellen-Übertragungsleitungen3-1 ,3-2 und3-3 , ein Monoschicht-Kondensator27 und ein Chipteil26 angebracht. Die HF-Schaltungsteile bauen eine Sendungs-/Empfangsschaltung eines in6 gezeigten Millimeterwellenradars auf. Die vertikalen Millimeterwellen-Übertragungsleitungen3-1 ,3-2 und3-3 werden durch die koaxiale Leitung19 in2 oder die Durchkontaktgruppe20 in3 aufgebaut und sind mit der (nicht gezeigten) Antenne auf der Rückseite verbunden. -
6 ist ein Blockdiagramm, das die Konfiguration der Sendungs-/Empfangsschaltung des Millimeterwellenradars zeigt. Um die Entsprechung mit den HF-Schaltungsteilen der5 zu vereinfachen, sind in6 die Blöcke mit denselben Zahlen wie diejenigen der MMICs in5 bezeichnet. Das Bezugszeichen22 bezeichnet die MMIC für den Leistungsverstärker,23 und24 bezeichnen die MMICs für Empfänger und3-1 ,3-2 und3-3 sind die vertikalen Millimeterwellen-Übertragungslinien. Ein durch den Oszillator21 erzeugtes Millimeterwellensignal wird an den Leistungsverstärker22 und die Empfänger23 und24 verteilt. Das durch den Leistungsverstärker22 verstärkte Signal wird an die vertikale Millimeterwellen-Übertragungsleitung3-1 ausgegeben, um an die Übertragungsantenne übertragen zu werden. Das durch die vertikalen Übertragungsleitungen3-2 und3-3 einer Doppler-Verschiebung unterworfene Millimeterwellen-Empfangssignal wird an die Empfänger23 und24 gesendet. In jedem der Empfänger23 und24 werden das empfangene Millimeterwellensignal und ein Signal als lokales Signal vom Oszillator21 miteinander vermischt, um ein Zwischenfrequenzsignal zu erhalten. - Es wird wieder auf
5 Bezug genommen, die MMICs21 bis24 sind durch Kontaktieren mit einem unisolierten Chip, Kontaktieren mit einem Flip-Chip oder Rückfluss mit einem Fluss angebracht. Da das mehrschichtige dielektrische Substrat2 ein einseitiges Substrat ist, können ein Verbinder, ein Monoschicht-Kondensator und ein Chipteil durch eine automatische Anbringungsvorrichtung angebracht und pauschal einem Rückflussvorgang unterzogen werden. Zur Ausführung der Vorgänge ist es wichtig, dass das mehrschichtige dielektrische Substrat2 eine flache Fläche ungeachtet der kleinen Außenform aufweist. Im Fall der Chip-Montage der MMIC, obwohl sie nach der Ausbildung von Kontaktierdrähten erfolgt, können die HF-Schaltungsteile im Zustand der5 arbeiten. Infolgedessen kann leicht ein Funktionstest ausgeführt werden. Wenn es ein fehlerhaftes Teil gibt, kann es leicht ersetzt werden, indem wieder ein Rückfluss durchgeführt wird. Nach dem Durchführen des Funktionstests der HF-Schaltungsteile wird die hermetische Kappe angebracht und der hermetische Vorgang wird durchgeführt, wodurch der Zusammenbau der Millimeterwellen-Schaltungsteile beendet wird. Daher kann der Preis auch bei dem Millimeterwellenradarmodul ebenfalls wie beim Verfahren des Anbringens eines Silicium-Halbleitermoduls stark reduziert werden. Das Versiegelungsmuster25 ist metallbeschichtet, um leicht mit der hermetischen Kappe4 durch eutektisches Lötmetall, Silberpaste oder dergleichen kontaktiert zu werden. Durch Umgeben der Millimeterwellen-HF-Schaltungen mit der Kappe4 und der Erdungsmetallschicht25 lässt die Struktur die Millimeterwellensignale nicht nach draußen austreten, ausgenommen die vertikale Millimeterwellen-Übertragungsleitung3 . - Im HF-Schaltungsmodul können durch Bereitstellen von fünf Metallschichten in dem harten mehrschichtigen dielektrischen Substrat
2 das Metallmuster17-1 auf der obersten Fläche des dielektrischen Substrats2-1 , die Metallschicht10 für ein DC/IF-Signal als interne Schicht, die Erdungsmetallschichten9 und11 zum Abschirmen des DC/IF-Signals auf und unter der Schicht10 und das Metallmuster1 für die Antennen auf der Rückseite sofort ausgebildet werden, so dass die Kosten von Teilen und die Montagekosten des HF-Schaltungsmoduls reduziert werden können. Durch Verwenden der mehrschichtigen Struktur kann der Widerstand gegen ein mechanisches Belastungsmoment verbessert werden. In dem Fall, in dem das Dielektrikum einer Schicht in dem mehrschichtigen Substrat2 im Vergleich zur Wellenlänge unvernachlässigbar dick ist, wird, wenn ein Hochfrequenzsignal vertikal im mehrschichtigen Substrat übertragen wird, aufgrund verschiedener Potenziale der Metallschichten im mehrschichtigen Substrat jedes Mal, wenn das Signal durch die Metallschichten geht, eine elektromagnetische Welle erzeugt, die sich parallel zur Fläche der Metallschicht ausbreitet. In der Ausführungsform kann jedoch durch die vertikale Übertragungsleitung16 die elektromagnetische Wellenwand18 mit der koaxialen Struktur oder der periodischen Struktur, die die elektromagnetische Welle in der Querrichtung unterdrückt, ausgebildet werden. - Gemäß der Ausführungsform werden das Zwischenfrequenzsignal und die jeder der MMICs zuzuführende Leistung von außen über das Eingabe-/Ausgabe-Anschlussmuster zugeführt. Alle Niederfrequenzsignale werden über die durch die Erdungsmetallschichten
9 und11 abgeschirmte Metallschicht10 übertragen und von den HF-Schaltungsteilen räumlich abgeschirmt. Somit wird das über die Metallschicht10 übertragene Millimeterwellensignal nicht als Nebensprechen vermischt. - Durch getrenntes Bereitstellen der Übertragungsleitung für HF-Schaltungen und der Signalleitungen für IF-Signale und Leistung in jeder der Schichten des mehrschichtigen Substrats werden die Übertragungsleitungen nicht miteinander gekreuzt, so dass Kontaktierdrähte zur Durchführung einer kubischen Leitungsanordnung reduziert werden können. Somit kann die Millimeterwellen-Übertragungsleitung linear ausgebildet werden, ohne unnötig verlegt zu werden, und der durch die HF-Schaltungen belegte Bereich kann verkleinert werden. Infolgedessen werden eine Reduzierung der Kosten durch Entwerfen der Gesamtgröße des mehrschichtigen dielektrischen Substrats, so dass es kleiner wird, und eine Verlängerung des Substratlebens wegen der Verbesserung des Widerstands gegen eine Zerstörung durch das mechanische Belastungsmoment erzielt.
- Alle nach/von außen zu sendenden/empfangenden Signale sind über die Metallschicht
10 und das Muster für den Eingabe-/Ausgabeanschluss verbunden. Infolgedessen gibt es keine elektrische Leitung, die das Versiegelungsmuster25 kreuzt. Da der Aufbau eines Kontaktbereichs der hermetischen Kappe4 und des mehrschichtigen dielektrischen Substrats eine einfache flache Fläche ist, kann eine Erhöhung der Kosten für die Kappe4 und die Teile des mehrschichtigen Substrats minimiert werden und auch die luftdichte Lebensdauer wird verbessert. -
7 ist eine Seitenschnittansicht eines weiteren Beispiels eines Fahrzeugradarmoduls gemäß der Erfindung. - Im Diagramm sind die Konfigurationen des Millimeterwellenteils
5 , des harten mehrschichtigen Substrats2 , der hermetischen Kappe4 und der Millimeterwellen-Übertragungsleitung6 im Wesentlichen dieselben wie diejenigen des Beispiels des HF-Schaltungsmoduls. - Da die ebene Form der Flachantenne
1 größer als der Bereich des HF-Schaltungsmoduls (hartes mehrschichtiges Substrat2 ) ist, ist eine Halteplatte3 zum Sicherstellen der mechanischen Festigkeit der Antenne in dem Umgebungsbereich des HF-Schaltungsmoduls angeordnet. Weiterhin ist, um die Wärme der Millimeterwellen-MMIC5 zum harten mehrschichtigen Substrat2 wirksam zu zerstreuen, ein Wärmedurchkontakt7 so ausgebildet, dass die Wärme zur Antenne1 und zur Halteplatte3 zerstreut wird. - Für die Antenne
1 wird ein doppelseitiges zweischichtiges Substrat mit einer Permittivität von 5 oder weniger aus Teflon oder dergleichen verwendet, um einen Strahlungsverlust der Millimeterwellen-Übertragungsleitung zu unterdrücken. Die Länge von einer der Seiten des harten mehrschichtigen dielektrischen Substrats2 beträgt 5 cm oder weniger und die Dicke des Substrats2 beträgt 0,5 mm oder mehr, so dass es gegen eine mechanische Belastung, wie eine Verdrehung oder Verbiegung, widerstandsfähig ist. Die Dicke des Dielektrikums einer Schicht im mehrschichtigen Substrat beträgt 150 μm oder weniger und es wird ein keramisches Material, wie zum Beispiel Glaskeramik oder Aluminiumoxidkeramik, verwendet. Die Millimeterwellen-MMIC5 ist auf der Oberfläche des harten mehrschichtigen dielektrischen Substrats2 angebracht und die Antenne1 ist an der Rückseite des harten mehrschichtigen dielektrischen Substrats2 angeheftet, so dass sie das Millimeterwellensignal an die/von der Antenne1 über die Millimeterwellen-Übertragungsleitung16 unter Verwendung des Durchkontakts sendet/empfängt. - Die Halteplatte
3 ist an der Antenne1 angebracht, wodurch sie Wirkungen bei der Verstärkung der mechanischen Festigkeit der Antenne1 und der Funktion einer Wärmezerstreuungsvorrichtung zum Zerstreuen von Wärme in dem harten mehrschichtigen dielektrischen Substrat erzeugt. Insbesondere wird, wenn die Wärmeleitfähigkeit von Bedeutung ist, eine Metallplatte verwendet. Zur Erhöhung der Strahlungswirkung werden Löcher einer Honigwabenstruktur geöffnet, um den Oberflächenbereich zu vergrößern, und auch das Gewicht der Halteplatte3 kann reduziert werden. Zur Reduzierung der Kosten kann ein Druckelement, das durch Drücken einer Stahlplatte mit sowohl der Honigwabenstruktur als auch einem Buchstabe-H-Querschnitt erhalten wird und das eine Dicke von 1 mm oder weniger besitzt, ebenfalls verwendet werden. Im Fall der Herstellung der Halteplatte3 durch ein Hartkunststoffmaterial oder ein organisches Substrat, wie etwa ein Glasepoxydsubstrat, das oft als elektronisches Substrat verwendet wird, kann eine elektronische Schaltung auf der Halteplatte3 angebracht werden und eine Schaltung zum Verarbeiten eines von dem harten mehrschichtigen dielektrischen Substrat und einer Leistungsschaltung erhaltenen IF-Signals kann ausgebildet werden. - Das Fahrzeugradarmodul der Ausführungsform hat eine solche Struktur, dass das HF-Schaltungsmodul
2 an der Antenne1 positioniert und angebracht wird und danach wird die Halteplatte3 so angeheftet, dass sie das HF-Schaltungsmodul umgibt. Unter Verwendung des harten mehrschichtigen Substrats2 wird die mechanische Festigkeit des HF-Schaltungsmoduls verbessert. Durch Hinzufügen der Halteplatte3 wird die mechanische Festigkeit der Antenne1 aufrechterhalten. In dem HF-Schaltungsmodul wird die Millimeterwellen-Hochfrequenzsignal-Übertragungsleitung auf der Oberfläche angeordnet und die Leistungszufuhrleitung und die Niederfrequenzsignal-Übertragungsleitung sind in den Zwischenschichten der Erdungsschichten angeordnet, wodurch ein Nebensprechen des Millimeterwellensignals reduziert und die mehrschichtige Verdrahtung realisiert wird. Infolgedessen nimmt die Flexibilität des Verdrahtungsgestaltungsentwurfs zu, der belegte Bereich kann reduziert werden und ein kleineres und billigeres HF-Schaltungsmodul kann hergestellt werden. Das Millimeterwellensignal des Millimeterwellenradars wird über die Übertragungsleitung unter Verwendung eines Durchkontakts mit der periodischen Struktur oder eines Durchkontakts mit der koaxialen Struktur zur Rückseite des HF-Schaltungsmoduls2 übertragen, und die Leistungszufuhrleitung und die Niederfrequenzsignal-Übertragungsleitung werden wieder zur Oberfläche des HF-Schaltungsmoduls2 über die Zwischenschichten der Erdungsschichten verlegt. Somit kreuzt die zum Erreichen der hermetischen Struktur verwendete Kappe4 nicht die Signalleitungen und die Versiegelung kann sicher erreicht werden. -
8 ist eine Seitenschnittansicht eines weiteren Beispiels des Fahrzeugradarmoduls gemäß der Erfindung. In der Ausführungsform sind andere Teile einer Signalverarbeitungsschaltung (Basisbandsignalverarbeitungsschaltung) als das HF-Schaltungsmodul zusätzlich auf der Oberfläche (auf der dem Antennenleitmuster1 gegenüberliegende Seite) der Halteplatte3 des in7 gezeigten Beispiels angebracht. Die Konfiguration der Basisbandsignalverarbeitungsschaltung ist eine konventionell bekannte. Wie in9 gezeigt ist, beinhaltet das Modul: eine analoge Schaltung A zum Verarbeiten eines IF-Signals von einem HF-Schaltungsmodul4 , eine A/D-Umwandlungsschaltung C zum Umwandeln einer Ausgabe der analogen Schaltung A in ein digitales Signal, eine digitale Schaltung D zum Verarbeiten einer Ausgabe der A/D-Umwandlungsschaltung C und Zuführen eines Steuersignals zur HF-Schaltung, eine Aufzeichnungsschaltung R zum Senden/Empfangen von Daten an die/von der digitalen Schaltung D, einen Eingabe-/Ausgabe-Anschluss15 zum Steuern der Aufzeichnungsschaltung R, eine Schaltung15' als eine zwischen den Eingabe-/Ausgabe-Anschluss15 und die Aufzeichnungsschaltung R zwischengefügte Datenerzeugungseinheit, um Daten gemäß einer Anfrage einer anderen elektronischen Vorrichtung auf der Grundlage von Information der Aufzeichnungsschaltung R zu erzeugen, und eine Leistungsschaltung V zum Zuführen von Leistung zu den Teilen. In8 sind dieselben Teile, die den Schaltungsteilen der9 entsprechen, mit denselben Bezugszeichen bezeichnet. Obwohl die Teile verbindende Leitungen auf der Oberfläche der Halteplatte3 ausgebildet sind, sind sie zur Vereinfachung der Zeichnung nicht gezeigt.
Claims (8)
- Hochfrequenzschaltungsmodul, bei dem Hochfrequenzschaltungsteile (
5 ,13 ,14 ) für ein Millimeterwellensignal auf beiden Seiten eines mehrschichtigen dielektrischen Substrats (2-1 ) und Übertragungsleitungen (16 ,18 ,19 ,20 ) zur Verbindung der Hochfrequenzschaltungsteile auf den beiden Seiten angebracht sind, dadurch gekennzeichnet sind, dass das mehrschichtige dielektrische Substrat (2-1 ) mehrere Zwischenmetallschichten (9 ,10 ) und Erdungsmetallschichten (9 ,11 ) aufweist, wobei die Übertragungsleitungen (16 ,18 ,19 ,20 ) aufgebaut sind, – entweder durch eine Gruppe von Durchkontakten (20 ) mit periodischer Struktur und so konstruiert, dass mehrere Durchkontakte (20 ) um einen Mittenleiter (19 ) herum mit Abständen verteilt sind, die gleich oder kleiner als ein Viertel der Wellenlänge des Signals der Übertragungsleitung sind, wobei sich der Mittenleiter durch die metallischen Schichten erstreckt, – oder durch einen Durchkontakt (18 ,19 ) mit koaxialer Struktur und gebildet durch einen Mittenleiter (19 ) und einem zylindrischen Metallmuster (18 ), das sich in einer Richtung rechtwinklig zur Fläche des mehrschichtigen dielektrischen Substrats erstreckt, wobei zwischen dem Mittenleiter und den metallischen Schichten ein metallfreier Spalt von einem Viertel oder weniger der Wellenlänge des Signals der Übertragungsleitung ist, wobei ein Endbereich der Durchkontakte (19 ,20 ) oder des zylindrischen Metallmusters (18 ) mit den Erdungsmetallschichten (9 ,11 ) verbunden ist, die mit einer Übertragungsleitung (17-1 ) auf dem Substrat eine Mikrostreifen-Übertragungsleitungsschicht bildet, wobei die Übertragungsleitung mit dem Mittenleiter (19 ) verbunden ist und die Zwischenmetallschicht (10 ) ein Zwischenfrequenzsignal (IF) oder Gleichstrom (DC) in von der Erdungsmetallschicht (9 ,11 ) abgeschirmter Weise überträgt und so Nebensprechen eines Millimeterwellensignals verringert. - Modul nach Anspruch 1, bei dem der Durchkontakt mit der koaxialen Struktur mit einer Erdungsleiterschicht im mehrschichtigen dielektrischen Substrat verbunden ist.
- Modul nach Anspruch 1, bei dem ein Hochfrequenzschaltungsteil auf einer der Oberflächen des mehrschichtigen dielektrischen Substrats (
2 ) ein eine Antenne bildendes metallisches Muster (1 ) ist. - Modul nach Anspruch 1, bei dem das mehrschichtige dielektrische Substrat drei oder mehrere dielektrische Substratschichten (
2-1 ,2-2 ,2-3 ) aufweist, wobei eine Mikrostreifen-Übertragungsleitung eines Millimeterwellen-Schaltungsteils durch ein Muster (17-1 ) einer Oberflächenmetallschicht (1 ) einer ersten Schicht (2-1 ) und einer metallischen Schicht (9 ) zwischen der ersten (2-1 ) und der zweiten (2-2 ) Schicht gebildet ist, und wobei eine metallische Schicht (10 ) einer anderen Zwischenschicht im dielektrischen Substrat eine Übertragungsleitung hat, auf die ein Zwischenfrequenzsignal, das vom Millimeterwellenschaltungsteil erzeugt wird, gelegt wird. - Modul nach Anspruch 1, bei dem das mehrschichtige dielektrische Substrat (
2 ) eine der Erdungsmetallschichten in der Weise hat, dass sie eine Schicht niedriger als eine andere der Erdungsmetallschichten (9 ) ist, die als Gegenelektrode der Mikro streifenleitung verwendet wird, die von der Oberflächenmetallschicht (17 ) als Millimeterwellenübertragungsleitung gebildet wird und wobei zwischen den Erdungsmetallschichten eine Metallschicht (11 ) für eine Leistungsversorgungsleitung für eine Millimeterwellenschaltung zur Vermeidung von Nebensprechen eines Millimeterwellensignals auf der Oberflächenschicht (17 ) vorgesehen ist. - Modul nach Anspruch 1, bei dem das mehrschichtige dielektrische Substrat (
2 ) mit einer Erdungsmetallschicht in der Weise versehen ist, dass sie eine tiefere Schicht als eine Erdungsmetallschicht (9 ), die als Gegenelektrode einer Mikrostreifenleitung verwendet wird, die von der Oberflächenmetallschicht (17 ) als Millimeterwellenübertragungsleitung gebildet wird und wobei eine Metallschicht (10 ) zum Übertragen eines Zwischenfrequenzsignals und eine Metallschicht (11 ) für eine Leistungsversorgungsleitung für eine Millimeterwellenschaltung zur Vermeidung von Nebensprechen eines Millimeterwellensignals der Oberflächenschichten (17 ) zwischen den Erdungsmetallschichten vorgesehen sind. - Modul nach Anspruch 1 mit einer hermetischen Kappe (
4 ), die die Hochfrequenzschaltungsteile (5 ,13 ,14 ) hermetisch versiegelt. - Fahrzeugradarmodul mit einem Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem ein Antennenmetallmuster (
1 ) auf einer der Oberflächen des mehrschichtigen dielektrischen Substrats (2 ) des Moduls ausgebildet ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001327225A JP3973402B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 高周波回路モジュール |
JP2001327225 | 2001-10-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE60218101D1 DE60218101D1 (de) | 2007-03-29 |
DE60218101T2 true DE60218101T2 (de) | 2007-08-16 |
Family
ID=19143488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE60218101T Expired - Lifetime DE60218101T2 (de) | 2001-10-25 | 2002-02-21 | Hochfrequenzschaltungsmodul |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6794961B2 (de) |
EP (1) | EP1307078B1 (de) |
JP (1) | JP3973402B2 (de) |
DE (1) | DE60218101T2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019162005A1 (de) * | 2018-02-20 | 2019-08-29 | Audi Ag | Systeme zum transport von extern empfangenen signalen innerhalb eines kraftfahrzeugs |
Families Citing this family (139)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7336468B2 (en) | 1997-04-08 | 2008-02-26 | X2Y Attenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
US9054094B2 (en) | 1997-04-08 | 2015-06-09 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit |
US7321485B2 (en) | 1997-04-08 | 2008-01-22 | X2Y Attenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
US6873529B2 (en) * | 2002-02-26 | 2005-03-29 | Kyocera Corporation | High frequency module |
FR2840112A1 (fr) * | 2002-05-23 | 2003-11-28 | Cit Alcatel | Equipement electronique hyperfrequence comportant un boitier metallique pour l'attenuation des resonances parasites |
JP3988568B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2007-10-10 | 松下電器産業株式会社 | 高周波モジュールおよびそれを用いた無線装置 |
CN1723587A (zh) | 2002-11-07 | 2006-01-18 | 碎云股份有限公司 | 含微型天线的集成电路封装 |
US7071545B1 (en) * | 2002-12-20 | 2006-07-04 | Asat Ltd. | Shielded integrated circuit package |
JP2004241680A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Mitsubishi Electric Corp | 多層プリント基板 |
DE10305855A1 (de) * | 2003-02-13 | 2004-08-26 | Robert Bosch Gmbh | HF-Multilayer-Platine |
JP2005086603A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Tdk Corp | 電子部品モジュールおよびその製造方法 |
US7444734B2 (en) | 2003-12-09 | 2008-11-04 | International Business Machines Corporation | Apparatus and methods for constructing antennas using vias as radiating elements formed in a substrate |
JP4634837B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2011-02-16 | 三菱電機株式会社 | 高周波パッケージ、送受信モジュールおよび無線装置 |
US7336221B2 (en) | 2004-03-26 | 2008-02-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency package, transmitting and receiving module and wireless equipment |
JP4634836B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2011-02-16 | 三菱電機株式会社 | 高周波パッケージ、送受信モジュールおよび無線装置 |
JP4553627B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2010-09-29 | 太陽誘電株式会社 | 高周波回路モジュールおよび無線通信機器 |
EP1745418A1 (de) * | 2004-05-06 | 2007-01-24 | Fractus, S.A. | Hochfrequenzsystem in einer kapselung mit antenne |
US7142073B2 (en) * | 2004-06-29 | 2006-11-28 | Intel Corporation | Transmission line impedance matching |
DE102004036890A1 (de) * | 2004-07-19 | 2006-02-16 | Würth Elektronik Rot am See GmbH & Co. KG | Leiterplattenanordnung |
JP4367660B2 (ja) | 2004-07-23 | 2009-11-18 | 日本電気株式会社 | 多層印刷回路基板の複合ビア構造およびこれを用いたフィルタ |
EP1810369A1 (de) | 2004-09-27 | 2007-07-25 | Fractus, S.A. | Abstimmbare antenne |
JP4189970B2 (ja) * | 2004-11-05 | 2008-12-03 | 株式会社日立製作所 | アンテナ装置 |
KR20070107747A (ko) | 2005-03-01 | 2007-11-07 | 엑스2와이 어테뉴에이터스, 엘.엘.씨 | 공통평면의 도전체를 갖는 조절기 |
JP2006246234A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュールおよびこれを用いた無線通信装置 |
GB0507339D0 (en) * | 2005-04-12 | 2005-05-18 | Pace Micro Tech Plc | Printed circuit board assembly and apparatus including the same |
JP4575247B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2010-11-04 | 株式会社東芝 | 高周波パッケージ装置 |
JP4810904B2 (ja) | 2005-07-20 | 2011-11-09 | ソニー株式会社 | 高周波スイッチ回路を有する高周波装置 |
JP4889974B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2012-03-07 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品実装構造体及びその製造方法 |
DE102005037040A1 (de) * | 2005-08-05 | 2007-02-08 | Epcos Ag | Elektrisches Bauelement |
JP2007116217A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Hitachi Ltd | ミリ波レーダ装置およびそれを用いたミリ波レーダシステム |
JP4620576B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2011-01-26 | パナソニック株式会社 | 無線装置 |
US7463113B2 (en) * | 2006-02-28 | 2008-12-09 | Motorla, Inc. | Apparatus and methods relating to electrically conductive path interfaces disposed within capacitor plate openings |
US7880283B2 (en) * | 2006-04-25 | 2011-02-01 | International Rectifier Corporation | High reliability power module |
KR100712419B1 (ko) * | 2006-06-08 | 2007-04-27 | 전자부품연구원 | 대역통과필터 |
US8736397B2 (en) * | 2006-09-07 | 2014-05-27 | Omnitracs, Llc | Ku-band coaxial to microstrip mixed dielectric PCB interface with surface mount diplexer |
JP5194440B2 (ja) * | 2006-11-24 | 2013-05-08 | 日本電気株式会社 | プリント配線基板 |
US7741915B2 (en) * | 2006-12-21 | 2010-06-22 | Samsung Electronics Co., Ltd | Power amplification apparatus in communication system |
US7477197B2 (en) * | 2006-12-29 | 2009-01-13 | Intel Corporation | Package level integration of antenna and RF front-end module |
KR101335987B1 (ko) * | 2007-01-11 | 2013-12-04 | 삼성전자주식회사 | 다층 인쇄회로기판 |
US20080251275A1 (en) * | 2007-04-12 | 2008-10-16 | Ralph Morrison | Decoupling Transmission Line |
KR100851065B1 (ko) * | 2007-04-30 | 2008-08-12 | 삼성전기주식회사 | 전자기 밴드갭 구조물 및 인쇄회로기판 |
KR100851075B1 (ko) | 2007-04-30 | 2008-08-12 | 삼성전기주식회사 | 전자기 밴드갭 구조물 및 인쇄회로기판 |
KR100851076B1 (ko) * | 2007-04-30 | 2008-08-12 | 삼성전기주식회사 | 전자기 밴드갭 구조물 및 인쇄회로기판 |
US20080290959A1 (en) * | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Mohammed Ershad Ali | Millimeter wave integrated circuit interconnection scheme |
KR100850759B1 (ko) * | 2007-06-11 | 2008-08-06 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
KR100871346B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2008-12-01 | 삼성전기주식회사 | 전자기 밴드갭 구조물 및 인쇄회로기판 |
KR100871347B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2008-12-01 | 삼성전기주식회사 | 전자기 밴드갭 구조물 및 인쇄회로기판 |
KR100838244B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2008-06-17 | 삼성전기주식회사 | 전자기 밴드갭 구조물 및 인쇄회로기판 |
KR100838246B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2008-06-17 | 삼성전기주식회사 | 전자기 밴드갭 구조물이 구비된 인쇄회로기판 |
JP2009017112A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Sharp Corp | 遮蔽構造、遮蔽構造を備える衛星放送受信用コンバータ、および遮蔽構造を備える衛星放送受信用アンテナ装置 |
KR100848848B1 (ko) | 2007-07-12 | 2008-07-28 | 삼성전기주식회사 | 전자기 밴드갭 구조물, 이를 포함하는 인쇄회로기판과 그제조방법 |
US8816798B2 (en) * | 2007-08-14 | 2014-08-26 | Wemtec, Inc. | Apparatus and method for electromagnetic mode suppression in microwave and millimeterwave packages |
US8514036B2 (en) * | 2007-08-14 | 2013-08-20 | Wemtec, Inc. | Apparatus and method for mode suppression in microwave and millimeterwave packages |
US9000869B2 (en) | 2007-08-14 | 2015-04-07 | Wemtec, Inc. | Apparatus and method for broadband electromagnetic mode suppression in microwave and millimeterwave packages |
KR100913363B1 (ko) | 2007-09-18 | 2009-08-20 | 삼성전기주식회사 | 멀티 비아를 포함하는 전자기 밴드갭 구조물 및인쇄회로기판 |
JP4998274B2 (ja) * | 2008-01-10 | 2012-08-15 | セイコーエプソン株式会社 | セラミック多層基板の製造方法 |
JP5294828B2 (ja) * | 2008-01-28 | 2013-09-18 | 京セラ株式会社 | 積層基板 |
US7830301B2 (en) | 2008-04-04 | 2010-11-09 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Dual-band antenna array and RF front-end for automotive radars |
US7733265B2 (en) * | 2008-04-04 | 2010-06-08 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Three dimensional integrated automotive radars and methods of manufacturing the same |
US8022861B2 (en) | 2008-04-04 | 2011-09-20 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Dual-band antenna array and RF front-end for mm-wave imager and radar |
US8232924B2 (en) | 2008-05-23 | 2012-07-31 | Alliant Techsystems Inc. | Broadband patch antenna and antenna system |
GB2461882B (en) | 2008-07-15 | 2012-07-25 | Thales Holdings Uk Plc | Integrated microwave circuit |
JP2010098274A (ja) * | 2008-10-20 | 2010-04-30 | Sibeam Inc | 表面実装可能な集積回路のパッケージ化機構 |
US7990237B2 (en) * | 2009-01-16 | 2011-08-02 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | System and method for improving performance of coplanar waveguide bends at mm-wave frequencies |
JP5227820B2 (ja) * | 2009-01-26 | 2013-07-03 | 古河電気工業株式会社 | レーダ装置用アンテナ |
KR101009080B1 (ko) | 2009-02-02 | 2011-01-18 | 삼성전기주식회사 | 방열 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
CN101997168B (zh) * | 2009-08-26 | 2013-08-21 | 智易科技股份有限公司 | 双频双天线结构 |
US8536954B2 (en) * | 2010-06-02 | 2013-09-17 | Siklu Communication ltd. | Millimeter wave multi-layer packaging including an RFIC cavity and a radiating cavity therein |
EP2504887B1 (de) * | 2009-11-27 | 2020-01-08 | BAE Systems PLC | Antennenanordnung |
US8558637B2 (en) * | 2010-05-12 | 2013-10-15 | Mediatek Inc. | Circuit device with signal line transition element |
US8786496B2 (en) | 2010-07-28 | 2014-07-22 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Three-dimensional array antenna on a substrate with enhanced backlobe suppression for mm-wave automotive applications |
US8975978B2 (en) | 2010-08-30 | 2015-03-10 | Nec Corporation | Interconnect substrate and electronic device |
KR101179399B1 (ko) | 2010-10-04 | 2012-09-04 | 삼성전기주식회사 | 크로스토크를 저감하기 위한 인쇄회로기판 |
KR20120035394A (ko) * | 2010-10-05 | 2012-04-16 | 삼성전자주식회사 | 수직구조의 전송선로 트랜지션 및 랜드 그리드 어레이 접합를 이용한 단일 칩 패키지를 위한 장치 |
US9386688B2 (en) | 2010-11-12 | 2016-07-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated antenna package |
US9553371B2 (en) | 2010-11-12 | 2017-01-24 | Nxp Usa, Inc. | Radar module |
DE102011005145A1 (de) * | 2011-03-04 | 2012-09-06 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Leiterplattenanordnung für Millimeterwellen-Scanner |
JP2013118354A (ja) * | 2011-11-02 | 2013-06-13 | Japan Electronic Materials Corp | 多層絶縁基板および多層絶縁基板の製造方法 |
KR101426584B1 (ko) * | 2011-12-09 | 2014-08-06 | 주식회사 만도 | 레이더 장치 및 그 조립 방법 |
KR101450316B1 (ko) | 2012-01-17 | 2014-10-21 | 주식회사 만도 | 레이더 장치 및 그 조립 방법 |
US8653467B2 (en) | 2012-06-19 | 2014-02-18 | Raytheon Company | Multichip packaging for imaging system |
CN104604345A (zh) * | 2012-08-31 | 2015-05-06 | 索尼公司 | 布线板及布线板的制造方法 |
US8791550B1 (en) | 2013-01-15 | 2014-07-29 | International Business Machines Corporation | Hybrid conductor through-silicon-via for power distribution and signal transmission |
JP5762452B2 (ja) * | 2013-02-05 | 2015-08-12 | サイビーム インコーポレイテッド | 表面実装可能な集積回路のパッケージ化機構 |
DE102013104147A1 (de) * | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Hella Kgaa Hueck & Co. | Radareinrichtung, insbesondere für ein Kraftfahrzeug |
KR101905507B1 (ko) * | 2013-09-23 | 2018-10-10 | 삼성전자주식회사 | 안테나 장치 및 그를 구비하는 전자 기기 |
US10103447B2 (en) | 2014-06-13 | 2018-10-16 | Nxp Usa, Inc. | Integrated circuit package with radio frequency coupling structure |
US9917372B2 (en) | 2014-06-13 | 2018-03-13 | Nxp Usa, Inc. | Integrated circuit package with radio frequency coupling arrangement |
US10225925B2 (en) * | 2014-08-29 | 2019-03-05 | Nxp Usa, Inc. | Radio frequency coupling and transition structure |
US9887449B2 (en) * | 2014-08-29 | 2018-02-06 | Nxp Usa, Inc. | Radio frequency coupling structure and a method of manufacturing thereof |
EP3016204A1 (de) * | 2014-11-03 | 2016-05-04 | Thomson Licensing | Antennenanordnung und elektronische Vorrichtung mit dieser Antennenanordnung |
JP6348396B2 (ja) * | 2014-10-07 | 2018-06-27 | 株式会社Soken | アンテナ装置 |
JP6894602B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2021-06-30 | 国立大学法人 岡山大学 | 印刷配線板およびその製造方法 |
US10178758B2 (en) | 2014-11-28 | 2019-01-08 | National University Corporation Okayama University | Printed wiring board and method of producing the same |
US20160197400A1 (en) * | 2015-01-07 | 2016-07-07 | Delphi Technologies, Inc. | Circuit board assembly with high and low frequency substrates |
JP6515558B2 (ja) * | 2015-02-04 | 2019-05-22 | 富士通株式会社 | 積層型導波路、無線通信モジュール、及び、無線通信システム |
GB201503089D0 (en) * | 2015-02-24 | 2015-04-08 | Flight Refueling Ltd | Hybrid electronic circuit |
TWI551484B (zh) * | 2015-06-17 | 2016-10-01 | 啟碁科技股份有限公司 | 電子裝置及雷達裝置 |
JP6494458B2 (ja) * | 2015-07-16 | 2019-04-03 | 三菱電機株式会社 | 同軸線路形回路、同軸線路形回路の組立方法、および同軸線路形回路を用いたアレイアンテナ装置 |
DE102015113986A1 (de) * | 2015-08-24 | 2017-03-02 | Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh | Sensorvorrichtung für ein Kraftfahrzeug sowie Kraftfahrzeug |
JP6672639B2 (ja) * | 2015-08-26 | 2020-03-25 | カシオ計算機株式会社 | 誘電体アンテナ |
CN105578714A (zh) * | 2015-12-11 | 2016-05-11 | 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 | 一种多层高速pcb的新型叠层结构及信号过孔优化方法 |
WO2017111834A1 (en) * | 2015-12-26 | 2017-06-29 | Intel Corporation | Ground plane vertical isolation of, ground line coaxial isolation of, and impedance tuning of horizontal data signal transmission lines routed through package devices |
JP2018018935A (ja) * | 2016-07-27 | 2018-02-01 | イビデン株式会社 | プリント配線板及びその製造方法 |
WO2018092922A1 (ko) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 인지니어스 주식회사 | 차폐기판을 포함하는 레이더 모듈 |
JP2018088629A (ja) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 高周波モジュール、および通信装置 |
US20180184550A1 (en) | 2016-12-28 | 2018-06-28 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Metal additive structures on printed circuit boards |
US10396432B2 (en) * | 2017-01-23 | 2019-08-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Antenna-integrated radio frequency module |
US10178764B2 (en) * | 2017-06-05 | 2019-01-08 | Waymo Llc | PCB optical isolation by nonuniform catch pad stack |
US10714430B2 (en) * | 2017-07-21 | 2020-07-14 | Octavo Systems Llc | EMI shield for molded packages |
IT201700086529A1 (it) | 2017-07-27 | 2019-01-27 | Thales Alenia Space Italia Spa Con Unico Socio | Modulo d'antenna a microonde per applicazioni spaziali comprendente un modulo trasmetti/ricevi ibrido di tipo package su package |
US10901068B2 (en) * | 2017-08-14 | 2021-01-26 | Smartcover Systems | Manhole cover roadway radar safety device |
JP6905438B2 (ja) * | 2017-09-22 | 2021-07-21 | 株式会社フジクラ | 無線通信モジュール |
US11160163B2 (en) * | 2017-11-17 | 2021-10-26 | Texas Instruments Incorporated | Electronic substrate having differential coaxial vias |
KR102034308B1 (ko) * | 2018-02-28 | 2019-10-18 | 삼성전자주식회사 | 안테나 모듈 |
DE102018203106A1 (de) * | 2018-03-01 | 2019-09-05 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Radarsystem zur Umfelderfassung eines Kraftfahrzeugs mit einer Kunststoffantenne |
EP3758135B1 (de) | 2018-03-09 | 2022-06-29 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Hochfrequenzübertragungsleitung, radargerät mit hochfrequenzübertragungsleitung und funkgerät |
JP6777136B2 (ja) * | 2018-11-20 | 2020-10-28 | Tdk株式会社 | アンテナモジュール |
US11289802B2 (en) * | 2019-04-08 | 2022-03-29 | Apple Inc. | Millimeter wave impedance matching structures |
KR102578395B1 (ko) * | 2019-04-25 | 2023-09-14 | 엘지전자 주식회사 | 커넥터를 구비하는 전자 기기 |
WO2020218642A1 (ko) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | 엘지전자 주식회사 | 커넥터를 구비하는 전자 기기 |
WO2020231239A1 (en) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Printed circuit board including coaxial plated through hole and electronic apparatus including same in wireless communication system |
US11244913B2 (en) * | 2019-06-18 | 2022-02-08 | Mediatek Inc. | Semiconductor package |
CN110289493B (zh) * | 2019-07-20 | 2024-03-29 | 深圳市全智芯科技有限公司 | 一种微波感应雷达天线的布线结构 |
KR102076750B1 (ko) * | 2019-09-06 | 2020-02-12 | 주식회사 가가 | 레이더를 이용한 크레인 충돌 방지 센서 |
CN110865434B (zh) * | 2019-11-21 | 2021-01-15 | 中国科学院半导体研究所 | 一体化微波电路 |
JP7355640B2 (ja) * | 2019-12-23 | 2023-10-03 | 日立Astemo株式会社 | 電子制御装置 |
CN111090076A (zh) * | 2020-01-22 | 2020-05-01 | 无锡威孚高科技集团股份有限公司 | 一种毫米波雷达射频前端电路结构及其制作方法 |
JP7422360B2 (ja) * | 2020-03-02 | 2024-01-26 | 株式会社デンソー | 半導体パッケージ |
KR20210138418A (ko) * | 2020-05-12 | 2021-11-19 | 삼성전자주식회사 | 안테나 모듈 및 상기 안테나 모듈을 포함하는 전자 장치 |
CN113097183B (zh) * | 2021-03-29 | 2024-02-09 | 电子科技大学 | 一种基于硅通孔的射频垂直互连传输结构 |
KR20220158967A (ko) * | 2021-05-25 | 2022-12-02 | 삼성전자주식회사 | 안테나 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치 |
US20230078323A1 (en) * | 2021-09-13 | 2023-03-16 | Apple Inc. | Wideband Millimeter Wave Via Transition |
CN114096138A (zh) * | 2021-11-17 | 2022-02-25 | 吉林大学 | 一种基于电磁干扰屏蔽的发动机ecu防护方法 |
CN114126204B (zh) * | 2021-11-19 | 2023-07-25 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 一种基于金属基复合基板的微波数字混合组件 |
CN113948848B (zh) * | 2021-12-20 | 2022-04-12 | 成都瑞迪威科技有限公司 | 一种接地良好的天线互联结构 |
CN114900947A (zh) * | 2022-04-15 | 2022-08-12 | 深南电路股份有限公司 | 印制电路板 |
CN115494456B (zh) * | 2022-11-21 | 2023-03-10 | 南京隼眼电子科技有限公司 | 雷达收发装置及雷达装置 |
CN115734464B (zh) * | 2023-01-06 | 2023-05-05 | 四川斯艾普电子科技有限公司 | 一种厚薄膜电路基板tr组件及其封装方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61239701A (ja) | 1985-04-16 | 1986-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | トリプレ−ト線路形t分岐 |
JPH04802A (ja) | 1990-04-17 | 1992-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | トリプレート線路形基板間接続素子 |
JP2840493B2 (ja) | 1991-12-27 | 1998-12-24 | 株式会社日立製作所 | 一体型マイクロ波回路 |
FR2710195B1 (fr) | 1993-09-14 | 1995-10-13 | Thomson Csf | Assemblage antenne-circuit électronique. |
US5521406A (en) * | 1994-08-31 | 1996-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit with improved thermal impedance |
CN1166912A (zh) * | 1995-03-02 | 1997-12-03 | 电路元件股份有限公司 | 供频率范围高达90GHz的微波电路用低成本、高性能封装 |
JPH08250913A (ja) | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Honda Motor Co Ltd | Mmicパッケージ組立 |
JP3266491B2 (ja) | 1996-02-29 | 2002-03-18 | 京セラ株式会社 | 高周波用パッケージ |
JPH11251829A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Kyocera Corp | スロットアンテナ及びそれを具備する配線基板 |
US6215377B1 (en) | 1998-05-26 | 2001-04-10 | Microsubstrates Corporation | Low cost wideband RF port structure for microwave circuit packages using coplanar waveguide and BGA I/O format |
US6154176A (en) * | 1998-08-07 | 2000-11-28 | Sarnoff Corporation | Antennas formed using multilayer ceramic substrates |
EP0978729A3 (de) * | 1998-08-07 | 2002-03-20 | Hitachi, Ltd. | Hochfrequenz-Sende-Empfangsvorrichtung für Fahrzeug-Radarsysteme |
JP2001185918A (ja) | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Kyocera Corp | 高周波用配線基板 |
US6828556B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-12-07 | Hrl Laboratories, Llc | Millimeter wave imaging array |
JP2005086603A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Tdk Corp | 電子部品モジュールおよびその製造方法 |
-
2001
- 2001-10-25 JP JP2001327225A patent/JP3973402B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-02-08 US US10/067,917 patent/US6794961B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-21 DE DE60218101T patent/DE60218101T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-21 EP EP02003265A patent/EP1307078B1/de not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-09-01 US US10/931,115 patent/US7239222B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019162005A1 (de) * | 2018-02-20 | 2019-08-29 | Audi Ag | Systeme zum transport von extern empfangenen signalen innerhalb eines kraftfahrzeugs |
US11031944B2 (en) | 2018-02-20 | 2021-06-08 | Audi Ag | Systems for transporting externally received signals within a motor vehicle |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050030231A1 (en) | 2005-02-10 |
US6794961B2 (en) | 2004-09-21 |
US20030080836A1 (en) | 2003-05-01 |
JP2003133801A (ja) | 2003-05-09 |
EP1307078A2 (de) | 2003-05-02 |
EP1307078A3 (de) | 2004-01-28 |
EP1307078B1 (de) | 2007-02-14 |
DE60218101D1 (de) | 2007-03-29 |
JP3973402B2 (ja) | 2007-09-12 |
US7239222B2 (en) | 2007-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE60218101T2 (de) | Hochfrequenzschaltungsmodul | |
DE10350346B4 (de) | Hochfrequenzleitungs-Wellenleiter-Konverter und Hochfrequenzpaket | |
DE602004003191T2 (de) | Mehrschichtige Hochfrequenzvorrichtung mit Planarantenne und Herstellungsverfahren | |
DE69125703T2 (de) | Packung für integrierte Mikrowellen-Schaltung | |
DE60111753T2 (de) | Dickschicht-millimeterwellen-sende-empfängermodul | |
DE19813767C2 (de) | Mikrowellen-Sender /Empfängermodul | |
DE69835633T2 (de) | Hochfrequenzbaugruppe | |
DE112013001709B4 (de) | Elektronische Halbleiterbaugruppe für Millimeterwellen-Halbleiterplättchen | |
DE112010001453B4 (de) | Leiterplatte, Wellenleiterstruktur, Hochfrequenzmodul und Radarvorrichtung | |
DE10051661B4 (de) | Demultiplexer-Platte vom Typ mit integrierter Antenne | |
DE69935628T2 (de) | Hybridmodul | |
DE69933619T2 (de) | Hochfrequenzmodul | |
DE112009000784B4 (de) | Hochfrequenzmodul und Verfahren zu seiner Herstellung und Sender, Empfänger, Sender-Empfänger und Radarvorrichtung, die das Hochfrequenzmodul umfassen | |
EP1825561B1 (de) | Antennenanordnung für einen radar-transceiver | |
DE102012216513A1 (de) | High-frequency line-waveguide converter | |
EP0920055A2 (de) | Kühlvorrichtung für ein auf einer Leiterplatte angeordnetes, wärmeerzeugendes Bauelement | |
DE112012000285T5 (de) | Laminierte Antennenstrukturen für Package-Anwendungen | |
DE10040143A1 (de) | Bauteilplatte, Halbleiterkomponente und Verfahren zum Herstellen derselben | |
DE102014115313B4 (de) | Leiterplatte, Millimeterwellensystem und Verfahren zum Betreiben eines Millimeterwellensystems | |
DE112008000985T5 (de) | Hochfrequenz-Leiterplatte, Hochfrequenz-Schaltmodul und Radargerät | |
DE602004002007T2 (de) | Aktives intelligentes Antennengruppensystem und zugehöriges Herstellungsverfahren | |
DE102019102784A1 (de) | Halbleitervorrichtungen mit Radar-Halbleiterchip und zugehörige Herstellungsverfahren | |
DE10159685A1 (de) | Verdrahtungssubstrat, Verdrahtungsplatte und Montagestruktur für ein Verdrahtungssubstrat | |
DE19509441A1 (de) | Hybrid-integrierte Leistungsschaltungsvorrichtung | |
DE60037297T2 (de) | Methode zur Verminderung der gegenseitigen Induktanz zwischen Verbindungsdrähten einer Hochfrequenzverstärkerschaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |