DE60111753T2 - Dickschicht-millimeterwellen-sende-empfängermodul - Google Patents

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Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Diese Erfindung betrifft monolithische integrierte Mikrowellenschaltkreise (MMIC), und insbesondere bezieht sich diese Erfindung auf die verbesserte Verpackung eines MMIC und Sende-Empfängermoduls.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Die Chipverpackung für MMIC-Chips wird zunehmend relevant. MMIC-Funkfrequenzmodule wurden nie in hohen Mengen hergestellt, da die MMIC-Chips brüchig sind, typischerweise 0,0508 bis ungefähr 0,1016 mm [2 bis ungefähr 4 mil] dick, und schwer zu handhaben. Luftbrücken, die über der Oberfläche der Chips liegen, machen es schwer, die Chips von oben zu greifen und Druck auf die Chips auszuüben.
  • Spezielle Greifwerkzeuge mit Ausrüstung zum Greifen an Ort und Stelle (Pick-In-Place) wurden verwendet, um die MMIC-Chips automatisch an Ort und Stelle zu greifen. Diese Werkzeuge sind teuer herzustellen und üblicherweise erfordern unterschiedliche MMIC-Chips unterschiedliche Werkzeuge. Dies stellte eine Herausforderung für verschiedene Herstellungsfirmen dar, da die meisten automatischen Maschinen zur Aufnahme an Ort und Stelle auf eine beschränkte Anzahl von Werkzeugen für MMIC-Chips beschränkt sind. In einigen Fällen muss ein Hersteller eine Reihe verschiedener Maschinen zur Aufnahme an Ort und Stelle verwenden, um ein Hochfrequenzmodul zusammenzubauen. Dies ist ineffizient.
  • Diese MMIC-Hochfrequenzmodule werden auch in geringen Mengen hergestellt, weil es üblicherweise eine hohe Anzahl von MMIC-Chips, Substraten und Peri pheriebauteilen gibt, die in jedem Modul installiert sind. Zum Beispiel würde ein typischer Millimeterwellen-Sender-Empfänger ungefähr 10 bis ungefähr 15 MMIC-Chips, 15 bis 20 Stücke Substrat und ungefähr 50 bis 60 andere Peripheriebauteile besitzen, wie etwa Widerstände und Kondensatoren. Es gibt auch eine Anforderung, dass jede der Komponenten über Draht- oder Bandverbindungen verbunden wird. Dies hat auch eine Herausforderung für Millimeterwellen-Modulherstellerfirmen dargestellt.
  • Was die zwei zitierten Dokumente, US-Patent Nr. 5,423,080 von Perret et al. und den Artikel mit dem Titel „Co-Fired Ceramic on Metal Multichip Modules for Advanced Military Packaging" von Prabhu et al., angeht, offenbaren diese Dokumente entweder ein unterschiedliches Substratmaterial oder die Verwendung von mehrschichtigen Platinen. Perret et al. lehren eine mehrschichtige Platine, die eine weiche Platine aus Polytetrafluoroethylen, einem Epoxidharzlaminat ist, das bis 15 GHz arbeitet, anstelle einer LTCC-Keramikplatine, um eine Leistung bei Millimeterwellenfrequenzen von bis zu 50 GHz zu erzielen. Perret et al. lehren Oberflächemontagetechnologie anstelle von bloßen integrierten Millimeterwellen-Schaltkreisen (MMIC-Chips). Perret et al. haben keine eingebetteten Kondensatoren oder Widerstände, wie in der vorliegenden Erfindung, in welcher alle passiven Elemente in einer Zwischenschicht der mehrschichtigen Platine eingebettet sind.
  • Die vorliegende Erfindung widmet sich einem Missverhältnis von thermischen Expansionskoeffizienten, während Perret et al. es nicht tun.
  • Prabhu et al. lehren die Verwendung einer allgemeinen LTCC-Technologie für eine Multichip-Modulverpackung, zeigen aber alle passiven Bauelemente, wie Widerstände und Kondensatoren als auf einer oberen Schicht der LTCC-Platine befestigt, verglichen mit der vorliegenden Erfindung, in welcher die passiven Bauelemente in einer Zwischenschicht der LTCC-Platine eingebettet sind, um die benötigte Platinenfläche zu reduzieren.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Ein Dickschicht-Millimeterwellen-Sende-Empfängermodul umfasst eine Basisplatte. Eine mehrschichtige Substratplatine besitzt eine Vielzahl von Schichten von Niedrigtemperatur-Übertragungsband, die auf der Basisplatte aufgenommen werden. Die Schichten umfassen mindestens eine aus einer Gleichstrom-Signalschicht mit Signalspuren und -verbindungen, einer Masseschicht mit Masseverbindungen, einer Bauteil- oder Geräteschicht mit darin eingebetteten Kondensatoren und Widerständen und einer oberen Schicht mit Aussparungen zur Aufnahme von MMIC-Chips hierin. Eine vorgeformte Lötschicht liegt zwischen der Geräteschicht und der oberen Schicht zum Sichern jeglicher MMIC-Chips. Eine Kanalisierungsplatte wird über der mehrschichtigen Platine aufgenommen und besitzt Kanäle, die gebildet wurden, um MMIC-Chips aufzunehmen und Isolierung zwischen Übertragungs- und Empfangssignalen bereitzustellen.
  • In noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung kann das Modul Isolations-Vias umfassen, welche sich durch mehrere Schichten hinunter zur Masseschicht erstrecken. Eine Funkfrequenzabdeckung wird über der Kanalisierungsplatte aufgenommen. Jede der Schichten innerhalb der mehrschichtigen Platine kann ungefähr 0,0508 bis ungefähr 0,1016 mm [2 bis ungefähr 4 mil] dick sein. Typischerweise sind die Schichten ungefähr 0,0762 mm [3 mil] dick, und die obere Schicht ist ungefähr 0,1016 mm [4 mil] dick. Die Basisplatte kann aus Kupfer-Wolfram oder einem anderen CTE-abgestimmten Material sein. Die Basisplatte ist ungefähr 0,254 [0,1] bis ungefähr 0,762 [0,3] cm [Zoll] dick. In noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die Basisplatte ungefähr 0,3175 cm [0,125 Zoll] dick.
  • Ein Verfahren wird auch offenbart und umfasst das Bilden eines Dickschicht-Millimeterwellenlängen-Sende-Empfängermoduls durch Bilden einer Basisplatte und Bilden einer mehrschichtigen Platine mit einer Vielzahl von Schichten von Niedrigtemperatur-Übertragungsband. Die Platine wird auf der Basisplatte emp fangen und umfasst eine von mindestens einer Gleichstrom-Signalschicht mit Signalspuren und -verbindungen; einer Masseschicht mit Masseverbindungen; eine Bauteil- oder Geräteschicht mit darin eingebetteten Kondensatoren und Widerständen; und eine obere Schicht mit Aussparungen zur Aufnahme von MMIC-Chips hierin. Der MMIC-Chip ist mit Lötzinn befestigt.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Weitere Aufgaben, Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der detaillierten Beschreibung der Erfindung ersichtlich, die folgt, wenn im Licht der begleitenden Zeichnung betrachtet, in welcher:
  • 1 eine isometrische Explosionsdarstellung einer Verpackung eines integrierten monolithischen Mikrowellen-Schaltkreises (MMIC) der vorliegenden Erfindung ist.
  • 2A eine ebene Ansicht der in 1 gezeigten MMIC-Verpackung ist.
  • 2B eine Seitenansicht der in 1 gezeigten MMIC-Verpackung ist.
  • 3 eine isometrische Explosionsdarstellung eines mehrschichtigen, Dickschicht-Millimeterwellen-Funkfrequenz-Sender-Empfängermoduls ist, und die Abdeckung, den Kanalisierungsabschnitt, den Mehrschicht-Dickschicht-Abschnitt und die Grundplatte zeigt.
  • 4 eine isometrische Explosionsdarstellung der verschiedenen Schichten des Dickschichtabschnitts ist.
  • 5 eine isometrische Explosionsdarstellung eines Sende-Empfängermoduls ist und die verschiedenen Verbindungen zeigt.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Die vorliegende Erfindung stellt eine verbesserte MMIC-Chip-Verpackung, wie in 2, 2A und 2B gezeigt, bereit. Die MMIC-Verpackung 40 hat verschiedene Vorteile.
    • 1. Schutz der MMIC-Chips in Verpackungen mit abgestimmten Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE).
    • 2. Verpackung von MMIC-Chips zu niedrigen Kosten.
    • 3. Verbessertes automatisches Greifen und Platzierung, direkte Drahtverbindung und Bandverbindung, ohne Schaden an einem brüchigen MMIC zu verursachen.
    • 4. Verbesserte Chip-Leistung (Isolierung) aufgrund von Miniaturverpackung.
    • 5. Ein HF-Modul-Gehäuse, das aus einem Material mit niedrigen Kosten gebildet wird, wie etwa Aluminium.
  • 2 stellt eine isometrische Explosionsdarstellung der Verpackung 40 dar und zeigt den MMIC-Chip 42 und eine Grundplatte 44, die im Hinblick auf ihren Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) mit dem MMIC abgestimmt ist. Eine vorgeformte Lötschicht 46 ist auf der Basisplatte 44 enthalten, und der MMIC wird auf der vorgeformten Lötschicht 46 montiert. Eine Chip-Abdeckung 48 bedeckt den MMIC. Wie gezeigt, umfasst die Basisplatte gegenüberliegende Seitenschienen 44a, die sich entlang eines Teils der gebildeten Kanten erstrecken, um die Endbereiche offenzulassen. Die Chip-Abdeckung 48 umfasst gegenüberliegende und zwei beabstandete Überlappungsbeine 48a. Die gegenüberliegenden Seitenschienen 44a und Überlappungsbeine 48a sind angeordnet, so dass, wenn die Chip-Abdeckung über dem MMIC-Chip 42 angebracht wird, die vorgeformte Lötschicht 46 und CTE-abgestimmte Basisplatte 44, die Seitenschienen und Überlappungsbeine die jeweilige Chip-Abdeckung und die Basisplatte in Eingriff nehmen, wie in 2A und 2B gezeigt, um offene Bereiche am oberen Ende und der Seite der Ecken zu bilden und jegliche Lötstellen 50 auf dem MMIC offenzulassen, zur Draht- und Bandverbindung hiermit.
  • Die MMIC-Modul-Produktion kann ähnlich zur Oberflächenmontagetechnologie sein, durch Verpacken der MMIC-Chips, um die Handhabung der Chips zu erleichtern. Die Basisplatte 44 wird aus preiswertem Wärmeausdehnungskoeffizienten-(CTE)-abgestimmtem Material gebildet, wie etwa einer Kupfer-Wolfram-Legierung, CuW, oder einer Aluminium-Silicium-Legierung, ALSi, mit einer Dicke von ungefähr 0,254 bis 0,3809 mm [10 bis 15 mil]. Die Abdeckung 48 kann aus einem einer Vielzahl von Materialtypen einschließlich Kunststoff gefertigt sein. Eine vorgeformte Lötschicht von [1 bis 2 mil] (wie etwa Goldzinn) wird auf einer Basisplatte 44 aufgenommen. Die Abdeckung 48 ist in einer Weise geformt, dass sie nicht die Eingangs- und Ausgangslötstellen und die Gleichstromlötstellen (Gate und Drain) bedeckt.
  • Die Basisplatte 44, die Abdeckung 48, die vorgeformte Lötschicht 46 und die MMIC-Chips 42 werden in „Waffel"-Verpackungen oder ähnlichen Verpackungen geliefert. Diese Verpackungen werden auf einer automatischen Bestückungsmaschine (P&P) platziert, wie dem Fachmann bekannt ist. Die P&P-Maschine wird programmiert, die Basisplatte aufzunehmen und sie in einer „Waffel"-Verpackung" abzulegen, welche bei einer hohen Temperatur zum eutektischen Löten (wie etwa Graphit) benutzt werden kann, unter Verwendung von Temperaturbereichen, welche den Fachleuten bekannt sind. Die P&P-Maschine nimmt die vorgeformte Lötschicht 46 auf und platziert sie in der Basisplatte 44. Der MMIC-Chip wird auf der vorgeformten Lötschicht 46 platziert. Die Abdeckung wird über der Oberseite des Chips 42 platziert. Dieses Verfahren wird für jeden MMIC-Chip wiederholt.
  • Es wird geschätzt, dass die gesamte P&P pro Chip-Verpackung ungefähr 10 Sekunden benötigt. Die Anzahl von Chips, die an einem Tag verpackt werden können, unter Verwendung einer einzelnen P&P-Maschine, ist weit über 8000. Die gesamte „Waffel"-Paket wird mit der Verpackungsanordnung, einschließlich den MMIC-Chips, in einem eutektischen Lötofen platziert, um den Lötzinn zu verflüs sigen und den Chip auf der Basisplatte zu befestigen und die Abdeckung auf der Basisplatte zu befestigen.
  • 3 bis 5 stellen ein verbessertes Funkfrequenz-Sende-Empfängermodul unter Verwendung von Dickschicht-Technologie dar, wie etwa die bei niedriger Temperatur gemeinsam gebrannte Keramiktechnologie, die als Grünband (green tape) bekannt ist. Insbesondere stellt 4 eine Mehrschicht-Platine 50 dar, mit unterschiedlichen Schichten von auf Niedrigtemperatur-Übertragungsband-Technologien (LTTT) basierenden Lagen, einschließlich einer Gleichstrom-Signalschicht 52, Masseschicht 54, einer Schicht 56 mit eingebetteten Kondensatoren und Widerständen, einer vorgeformten Lötschicht 58 und einer oberen Schicht 60.
  • 3 stellt dar, wie die unterschiedlichen Schichten in 4 kombiniert werden, um eine mehrschichtige Dickschichtplatine 50 zu bilden, die auf einer Basisplatte 62 mit einer Kanalisierungsplatte 64 und einer Funkfrequenz-Abdeckung 66 aufgenommen wird. Isolations-Vias 67 werden gezeigt und dargestellt. Diese Vias können sich über mehrere Schichten hinunter zur Masseschicht erstrecken. Sie können durch Techniken gebildet werden, welche den Fachleuten bekannt sind.
  • 5 zeigt ein MMIC-Sende-Empfängermodul 70, bei welchem die Wellenführungs-Schnittstelle 72 in die Kanalisierungsplatte 64 eingebaut ist und welches die Zwischenfrequenzausgänge 74, den lokalen Oszillatoreingang 76, Zwischenfrequenzeingänge 78, verschiedene Gleichstrom-Pins 80, Modul-Konnektoren 82 und externe Konnektoren 84 auf einem CCA zeigt.
  • Die vorliegende Erfindung verbessert den MMIC-Modul-Herstellungsprozess durch Verwendung einer preisgünstigen Mehrschicht-Übertragungsband-Dickschichtplatine 50 zur Befestigung der MMIC-Chips 86 und durch Einbettung aller Peripheriebauteile und elektrischen Verbindungen in die mehrschichtige Dickschicht. Die vorliegende Erfindung bietet verschiedene Vorteile.
    • 1. Eine neue Verwendung von Niedrigtemperatur-Transferband-Technologie-(LTTT)-Mehrschicht-Platinen für MMW-Modulentwurf und -herstellung.
    • 2. Vereinfachung der MMIC-Modulherstellung durch Reduzieren der Teileanzahl um einen Faktor von 5.
    • 3. Reduzieren der Anzahl peripherer Komponenten durch Einbetten aller Widerstände und Kondensatoren in eine Mehrschicht-Dickschicht-Platine.
    • 4. Einbetten elektrischer Verbindungen in die Mehrschicht-Platine, wodurch die Anzahl von Draht- und Bandverbindungen reduziert wird.
    • 5. Verwendung einer ebenen Modulkonfiguration zur Einfachheit der Herstellung, dann Befestigen der HF-Kanalisierung nach Zusammenbau der Plättchen bzw. Dies.
    • 6. Verbessern der HF-Isolierung durch Kanalisierung, Abteilungsbildung und Masse-Vias.
    • 7. Reduzieren der Gehäusekosten durch Verwendung des Draht-EDM-Verfahrens zur Kanalisierung, anstelle maschineller Bearbeitung.
    • 8. Direkte Befestigung der SMA- und K-Konnektoren direkt auf der Mehrschicht-Platine.
  • Die Herstellung von MMIC-Modulen wird ähnlich zur Oberflächenmontagetechnologie durchgeführt durch Verpacken der MMIC-Module, um vollständige Automatisierung des Herstellungsprozesses zu erlauben. Wie in 3 gezeigt, wird das Modul aus der Basisplatte 62, mehrschichtigem Aluminiumsubstrat 50, welches aus den Schichten gebildet wird, einer Kanalisierungsplatte 64 und einer Bedeckung 66 gebildet.
  • Die Basisplatte 62 ist eine goldbeschichtete flache Lage von preisgünstigem CTE-abgestimmtem Material, wie etwa Kupfer-Wolfram (CuW), ungefähr 3,175 mm [1/8 Zoll] dick, in einem Aspekt der Erfindung. Die Platte wird nur auf Größe zugeschnitten und erfordert keine maschinelle Bearbeitung.
  • Die Mehrschicht-Platine 50 wird unter Verwendung von Niedrigtemperatur-Transferband-(LTTT)-Technologie hergestellt, wie ähnlich zur Grünbandtechnologie, wie dem Fachmann wohl bekannt ist, ähnlich zu bei niedriger Temperatur gemeinsam gebrannten keramischen (LTCC)-Lagen. Die LTTT-Verarbeitung folgt eng den Schritten, die in der wohletablierten Mehrschicht-Dickschicht-Verarbeitung verwendet werden, wie dem Fachmann bekannt ist. Das mehrfache dielektrische Bedrucken pro Schicht wird durch einen Band-Laminierungsschritt ersetzt. Sowohl Gold- als auch Silberleitersysteme können mit LTTT benutzt werden. Verbindungen und Vias werden durch Techniken gebildet, die dem Fachmann bekannt sind.
  • Obwohl der LTTT-Prozess zur Bildung von Mehrschichtstrukturen auf eine Vielzahl von dielektrischen Materialien und Substrate angewandt werden kann, ist das für diesen dargestellten Aspekt der vorliegenden Erfindung ausgewählte Material ein Standard-96%-Aluminiumsubstrat. Die besonders formulierten Leitermaterialien werden auf das Aluminiumsubstrat gedruckt (screen printed), unter Verwendung von Standard-Dickschicht-Ausrüstungs- und Verarbeitungstechniken, die zur Bildung leitender Verbindungen und Zwischenschicht-Vias entwickelt wurden. Die Bandlagen werden auf dem Substrat befestigt unter Verwendung einer Kombination von Wärme und Druck.
  • 4 zeigt ein Beispiel des Typs von Schichten, welche zur Bildung von Aluminiumplatten verwendet werden können. Die Anzahl von Schichten kann bis zu 12 betragen. Die Schichten könnten auf einem Basissubstrat (S) gebildet werden, wie dargestellt, von dem dem Fachmann bekannten Typ. Jede Schicht ist ungefähr 0,0508 bis ungefähr 0,1016 mm [ungefähr 2 bis ungefähr 4 mil] dick und typischerweise 0,0762 mm [3 mil] dick und kann verwendet werden, um niedrigfrequente HF-Signale zu tragen, Gleichstrom-Signale, Masse, oder eingebettete passive Bauteile, wie etwa Kondensatoren und Widerstände.
  • Verbindungs- oder Masse-Vias können über eine oder mehrere Schichten von LTTT-Schichten implementiert werden.
  • Dieses mehrschichtige LTTT-Aluminiumsubstrat ist besonders attraktiv zur Verwendung mit Galliumarsenid-Chips (GaAs) wegen seines CTE-Koeffizienten (7,1). Auch besitzt dieses Material exzellente thermische Leitung (25–200 W/MK). Die MMIC-GaAs-Chips können direkt an dem Substrat unter Verwendung von Pre-form-Loten aus Goldzinn oder Silberepoxid befestigt werden. Bei thermischen Bedenken können die Chips direkt auf der Basisplatte unter Verwendung von CTE-abgestimmten Unterlegscheiben befestigt werden oder auf thermischen Vias, die mit der unteren Fläche verbunden sind. Diese Vias können durch Techniken gebildet werden, welche dem Fachmann bekannt sind. Zur Erleichterung des Zusammenbaus und der Drahtverbindung wird die obere Schicht (0,0762 bis 0,1016 mm dick) Aussparungen besitzen, die exakt der Größe der Chips entsprechen (siehe 5).
  • Die mehrschichtige Platine kostet im Durchschnitt ungefähr $ 0,23 [$ 1,5] bis $ 0,9 [$ 2,5] pro Schicht pro Quadratzentimeter [Quadratzoll]. Bis zu 43 [275] Vias pro Quadratzentimeter [Quadratzoll] sind möglich.
  • Die Kanalisierungsplatte 64 ist in einem Aspekt der vorliegenden Erfindung aus goldbeschichtetem Aluminium gebildet, obwohl andere Materialien verwendet werden können. Die Kanäle 64a werden unter Verwendung von Draht-EDM-Verfahren ausgeschnitten. Die Kanäle 64a werden erzeugt, um die Isolation bereitzustellen, die zwischen den Übertragungs- und Empfangssignalen benötigt wird, und um Signale niederer Frequenz abzuschneiden. Die HF-Abdeckung wird auch aus goldbeschichtetem Aluminium gemacht.
  • 5 stellt ein MMW-Sende-Empfängermodul dar, einschließlich des oberflächenmontierten Schaltkreiskartenaufbaus (CCA), das benutzt wird, um die Regler-Controller-Funktion bereitzustellen. Die SMA-Konnektoren werden direkt auf der mehrschichtigen Platine befestigt. Der HF-Schnittstellen-Hohlleiter wird als Teil der Kanalisierungsplatte bereitgestellt.
  • Das in 5 gezeigte Modul kann durch die folgende Technik als ein nicht-beschränkendes Beispiel zusammengebaut werden.
    • 1. Bestücke das mehrschichtige Aluminiumsubstrat mit allen MMIC-Chips. Das Substrat sollte alle Niedrigfrequenz-Signalanschlüsse, Gleichstromanschlüsse, Masseanschlüsse, bereits in den Schichten eingebettete passiven Bauteile und die vorgeformte Lötschicht besitzen.
    • 2. Bestücke mit dem Gleichstrom-Konnektor und den Niedrigfrequenz-SMA-Konnektoren, welche für IF- und LO-Signale verwendet werden.
    • 3. Verflüssige den Lötzinn in einem Vakuumofen, um den MMIC-Chip und die Konnektoren auf der Platine zu befestigen. Silberepoxid kann anstelle des Lötzinns benutzt werden.
    • 4. Verdrahte/Klemmverbinde die MMIC-Chips auf der Platine.
    • 5. Befestige die Platine an der Basisplatte und der Kanalisierungsplatte mit Epoxidharz.
    • 6. Installiere die HF-Abdeckung.
    • 7. Installiere den oberflächenmontierten Regler-/Controller-CCA.
  • Diese Anmeldung ist verwandt mit gleichfalls anhängigen Anmeldungen betitelt „MICROWAVE MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE", und „SELF-TUNED MILLIMETER WAVE RF TRANSCEIVER MODULE", die zum gleichen Datum eingereicht wurden und durch dieselben Anmelder und Erfinder.
  • Viele Modifikationen und weitere Ausführungsformen der Erfindung werden dem Fachmann in den Sinn kommen, welcher den Vorteil der in der vorhergehenden Beschreibung und den zugehörigen Zeichnungen dargestellten Lehren besitzt. Daher versteht sich, dass die Erfindung nicht auf die spezifischen Ausführungs formen zu beschränken ist, die offenbart wurden, und dass die Modifikation und Ausführungsformen in den Schutzbereich der abhängigen Ansprüche eingeschlossen sein sollen.

Claims (7)

  1. Mehrschichtige Dickschicht-Trägerplatine zur Verwendung in Sende-Empfangsmodulen, gekennzeichnet durch: eine Vielzahl von gemeinsam bei niedriger Temperatur gebrannten Keramikschichten, wobei diese Schichten umfassen: eine Gleichstrom-Signalschicht (52) mit Gleichstrom-Signalspuren und -verbindungen; eine Masseschicht (54) mit Masseanschlüssen; eine Bauteil-Schicht (56); eine obere Schicht (60), die MMIC-Chips (86) aufnimmt; und eine vorgeformte Lötschicht (58), die zwischen der Bauteil-Schicht (56) und der oberen Schicht (60) liegt, zur Befestigung von MMIC-Chips (86), die in die obere Schicht (60) aufgenommen wurden, dadurch gekennzeichnet, dass die Bauteil-Schicht (56) eingebettete Kondensatoren und Widerstände aufweist.
  2. Mehrschichtige Dickschicht-Trägerplatine nach Anspruch 1, ferner Isolierungs-Vias (67) umfassend, die sich über mehrere Schichten hinunter zur Masseschicht (54) erstrecken.
  3. Trägerplatine nach Anspruch 1, in welcher jede der Schichten in der mehrschichtigen Trägerplatine (50) ungefähr 0,0254 bis ungefähr 0,1016 mm dick ist.
  4. Trägerplatine nach Anspruch 3, in welcher die Schichten ungefähr 0,0762 mm dick sind.
  5. Trägerplatine nach Anspruch 1, in welcher die obere Schicht (60) ungefähr 0,1016 mm dick ist.
  6. Trägerplatine nach Anspruch 1, in welcher die Basisplatte (62) aus einem CTE-abgestimmten Material gebildet wird.
  7. Verfahren zur Bildung eines Dickschicht-Millimeterwellen-Sende-Empfangsmoduls (70), aufweisend die Schritte: Bilden einer Basisplatte (62), Bilden einer mehrschichtigen Trägerplatine (50) mit einer Vielzahl von Schichten von gemeinsam bei niedriger Temperatur gebranntem keramischem Material; Aufnehmen der Trägerplatine auf der Basisplatte (62), wobei die Trägerplatine mindestens eine von einer Gleichstrom-Signalschicht (52) mit Signalspuren und -verbindungen; einer Masseschicht (54) mit Masseanschlüssen; einer Bauteil-Schicht (56), dadurch gekennzeichnet, dass sie eingebettete Kondensatoren und Widerstände besitzt; einer oberen Schicht (60) mit Ausschnitten zur Aufnahme von MMIC-Chips (86) umfasst; und Befestigen des MMIC-Chips durch Löten.
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