JP2013118354A - 多層絶縁基板および多層絶縁基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電気特性に優れた、多層絶縁基板および多層絶縁基板の製造方法を提供する。
【解決手段】貫通電極を構成する第1の中心導体領域、および前記第1の中心導体領域を取り囲む第1の外部導体領域とを有する第1の絶縁層と、貫通電極を構成する第2の中心導体領域、および前記第2の中心導体領域を取り囲む第2の外部導体領域とを有する第2の絶縁層とから構成される多層絶縁基板であって、前記第1の絶縁層に前記第2の絶縁層が積層され、前記第1の中心導体領域と前記第2の中心導体領域とが電気的に接続され、前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域とが電気的に接続されることにより、前記第1の中心導体領域および前記第2の中心導体領域に対して、前記第1の外部導体領域および前記第2の外部導体領域が同軸配線の構造を構成している。
【選択図】図1
【解決手段】貫通電極を構成する第1の中心導体領域、および前記第1の中心導体領域を取り囲む第1の外部導体領域とを有する第1の絶縁層と、貫通電極を構成する第2の中心導体領域、および前記第2の中心導体領域を取り囲む第2の外部導体領域とを有する第2の絶縁層とから構成される多層絶縁基板であって、前記第1の絶縁層に前記第2の絶縁層が積層され、前記第1の中心導体領域と前記第2の中心導体領域とが電気的に接続され、前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域とが電気的に接続されることにより、前記第1の中心導体領域および前記第2の中心導体領域に対して、前記第1の外部導体領域および前記第2の外部導体領域が同軸配線の構造を構成している。
【選択図】図1
Description
本発明は、プローブカード等に用いられる多層絶縁基板および多層絶縁基板の製造方法に関する。
半導体ウエハの検査に用いるプローブカードは、メイン基板と、プローブが配置された複数のプローブ基板が搭載されたスペーストランスフォーマ基板とを備えており、前記スペーストランスフォーマ基板には、低熱膨張および高強度であることが求められ、特に多ピン対応とするためには高強度であることが求められるために、貫通電極が形成された汎用のセラミック積層基板を用いている。
このような汎用のセラミック積層基板の製造方法としては、次のような方法が用いられている。セラミックのグリーンシートにパンチング加工によって、貫通電極用の貫通孔を所定の位置に形成し、次に、メタルペーストをペースト印刷装置を用いて前記貫通孔に充填する。このような手順で、貫通孔をメタルペーストで充填した複数のグリーンシートを積層し、その後、焼成によってグリーンシートおよびメタルペーストを焼結させると、貫通電極が形成されたセラミック積層基板が完成する。このような汎用のセラミック積層基板の製造法の一例が、特許文献1に開示されている。
スペーストランスフォーマ基板として用いるセラミック積層基板等の多層絶縁基板は、高強度とするために厚みを十分に確保する必要があるが、前記多層絶縁基板の厚みが増加すると、前記多層絶縁基板に形成されている貫通電極の高さも増加し電極長が長くなるため、インダクタンスが高くなって電気特性が劣化するという問題が生じる。
そこで、本発明はこのような従来の問題を解決するために、貫通電極を同軸配線化した多層絶縁基板および多層絶縁基板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の多層絶縁基板は、貫通電極を構成する第1の中心導体領域、および前記第1の中心導体領域を取り囲む第1の外部導体領域とを有する第1の絶縁層と、貫通電極を構成する第2の中心導体領域、および前記第2の中心導体領域を取り囲む第2の外部導体領域とを有する第2の絶縁層とから構成され、前記第1の外部導電体領域および前記第2の外部導電体領域は、少なくとも一部を切り欠いた環状に形成されており、前記第1の絶縁層に前記第2の絶縁層が積層されることにより、前記第1の中心導体領域と前記第2の中心導体領域とが電気的に接続され、前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域とが電気的に接続され、前記第1の中心導体領域および前記第2の中心導体領域に対して、前記第1の外部導体領域および前記第2の外部導体領域が同軸配線の構造を構成していることを特徴とする。
前記第1の外部導体領域および前記第2の外部導体領域は、互いに間隔を空けて配置された複数の導体によってそれぞれ形成されている
また、前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域が同じ形状であり、前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域が、前記第1の中心導体領域と前記第2の中心導体領域をそれぞれ中心として、互いにずれるように回転されて配置されている。
そして、前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域の形状が略リング状となるように、各導体が円弧状に形成されている。
本発明の多層絶縁基板の製造方法は、表から裏まで貫通する第1の中心導体領域、および前記第1の中心導体領域とは間隔を空けて取り囲み、表から裏まで貫通する第1の外部導体領域とを第1の絶縁層に形成し、表から裏まで貫通する第2の中心導体領域、および前記第2の中心導体領域とは間隔を空けて取り囲み、表から裏まで貫通する第2の外部導体領域とを第2の絶縁層に形成し、前記第1の外部導電体領域および前記第2の外部導電体領域を形成する際に、前記第1の外部導電体領域および前記第2の外部導電体領域が少なくとも一部を切り欠いた環状に形成し、かつ、前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域が、前記第1の中心導体領域と前記第2の中心導体領域をそれぞれ中心軸として、互いに所定角度回転して、環状の開いた部分がずれるように形成し、前記第1の中心導体と前記第2の中心導体が重なり合うように、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層を重ね合わせ、前記第1の中心導体領域と前記第2の中心導体領域と電気的に接続し、前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域を電気的に接続させることを特徴とする。
本発明の多層絶縁基板は、貫通電極を構成する第1の中心導体領域、および前記第1の中心導体領域を取り囲む第1の外部導体領域とを有する第1の絶縁層と、貫通電極を構成する第2の中心導体領域、および前記第2の中心導体領域を取り囲む第2の外部導体領域とを有する第2の絶縁層とから構成され、前記第1の外部導電体領域および前記第2の外部導電体領域は、少なくとも一部を切り欠いた環状に形成されており、前記第1の絶縁層に前記第2の絶縁層が積層されることにより、前記第1の中心導体領域と前記第2の中心導体領域とが電気的に接続され、前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域とが電気的に接続され、前記第1の中心導体領域および前記第2の中心導体領域に対して、前記第1の外部導体領域および前記第2の外部導体領域が同軸配線の構造を構成していることにより、基板の厚みが増加しても、インダクタンスあるいはインピーダンスといった電気特性が劣化するのを防止することが可能となる。
前記第1の外部導体領域および前記第2の外部導体領域は、互いに間隔を空けて配置された複数の導体によってそれぞれ形成されていることにより、外部導体領域のクラックを防止することが可能となる。
また、前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域が同じ形状であり、前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域が、前記第1の中心導体領域と前記第2の中心導体領域をそれぞれ中心として、互いにずれるように回転されて配置されていることにより、インピーダンス特性の整合をより正確に行うことができる。
そして、前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域の形状が略リング状となるように、各導体が円弧状に形成されていることにより、同軸形状により近付けることが可能となり、ストローク対策、インピーダンス特性等の電気的特性の劣化をより効果的に防ぐごとが可能となる。
本発明の多層絶縁基板の製造方法は、表から裏まで貫通する第1の中心導体領域、および前記第1の中心導体領域とは間隔を空けて取り囲み、表から裏まで貫通する第1の外部導体領域とを第1の絶縁層に形成し、表から裏まで貫通する第2の中心導体領域、および前記第2の中心導体領域とは間隔を空けて取り囲み、表から裏まで貫通する第2の外部導体領域とを第2の絶縁層に形成し、前記第1の外部導電体領域および前記第2の外部導電体領域を形成する際に、前記第1の外部導電体領域および前記第2の外部導電体領域が少なくとも一部を切り欠いた環状に形成し、かつ、前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域が、前記第1の中心導体領域と前記第2の中心導体領域をそれぞれ中心軸として、互いに所定角度回転して、環状の開いた部分がずれるように形成し、前記第1の中心導体と前記第2の中心導体が重なり合うように、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層を重ね合わせ、前記第1の中心導体領域と前記第2の中心導体領域と電気的に接続し、前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域を電気的に接続させることにより、貫通電極の同軸配線化を実現し、インダクタンスあるいはインピーダンスといった電気特性が劣化するのを防止することが可能となる。
本発明の多層絶縁基板1およびその製造方法について、以下に図を用いて説明する。図1〜4に示すのが、本発明の多層絶縁基板1の斜視図であり、図2が多層絶縁基板1を構成する第1の絶縁層2と第2の絶縁層3の平面図である。
前記多層絶縁基板1は、第1の絶縁層2と第2の絶縁層3とを交互に積層して形成した積層基板であり、前記第1の絶縁層2は、円形の第1の中心導体領域4、および前記第1の中心導体領域4を取り囲む第1の外部導体領域5とが設けられており、前記第2の絶縁層3は、貫通電極を構成する円形の第2の中心導体領域6、および前記第2の中心導体領域6を取り囲む第2の外部導体領域7とが形成されている。
前記第1の外部導体領域5および前記第2の外部導体領域7は、それぞれが、互いに間隔を空けて配置された複数の導体によって形成されている。図1,2に示す形態では、2つの円弧状の導体を、前記第1の中心導体領域4および前記第2の中心導体領域6をそれぞれ取り囲むように配置することにより、前記第1の外部導体領域5および前記第2の外部導体領域7は、それぞれ略リング状に形成されている。
前記第1の絶縁層2と前記第2の絶縁層3が交互に積層された時に、前記第1の中心導体領域4と前記第2の中心導体領域6とは上下に重なるように配置されて電気的に接続され、円柱形の貫通電極が形成される。そして、前記第1の外部導体領域5と前記第2の外部導体領域7とが上下に配置されて略円筒形を形成し、電気的に接続されることにより、前記第1の中心導体領域4および前記第2の中心導体領域6に対して、前記第1の外部導体領域5および前記第2の外部導体領域7が同軸配線の構造を構成する。
前記第1の外部導体領域5と前記第2の外部導体領域7は、上下に重なるように配置されているが、同じ向きで重なるように配置されているのではなく、前記第1の中心導体領域4と前記第2の中心導体領域5をそれぞれ中心として、互いにずれるように回転されて配置されている。ここでは、前記第1の外部導体領域5に対して、前記第2の外部導体領域7が90度回転されてずれた状態で配置されている。これにより、図1の断面に示すように、環状の前記第1の外部導体領域5の切り欠き部分と、環状の前記第2の外部導体領域7の切り欠き部分が上下に重ならないので互いに電気接続が確保され、略円筒形の同軸配線の構造が構築される。
前記第1の絶縁層2には、図2(a)に示すように、複数の前記第1の中心導体領域4および前記第1の外部導体領域5が形成されており、前記第1の絶縁層2に形成された前記第1の中心導体領域4および前記第1の外部導体領域5の数および配置に合わせて、図2(b)に示すように、前記絶縁層3にも、複数の前記第2の中心導体領域6および前記第2の外部導体領域7が形成されている。
例えば、前記第1の絶縁層2において、複数の第1の中心導体領域4は、前後、左右、等間隔で配置され、各第1の中心導体領域4を取り囲むように第1の外部導体領域5が配置されている。この時、図2(a)に示すように、前後、左右に隣接する第1の外部導体領域5は、互いに切り欠き部分が異なる位置となるように、前記第1の中心導体領域4をそれぞれ中心として、互いにずれるように回転されて配置されている。ここでは、前記切り欠き部分の位置が互いに90度ずれるように回転された状態で配置されている。
このような前記第1の絶縁層2における前記第1の外部導体領域5の配置に応じて、前記第2の絶縁層3における、第2の中心導体領域6および第2の外部導体領域7は配置される。前記第2の中心導体領域6は、前記第1の中心導体領域4と同じ数を同じ位置に配置され、図2(b)に示すように、前記第2の外部導体領域7は、上述のように、上下に位置する前記第1の外部導体領域5に対して、90度回転された状態で配置される。これにより、前記第2の絶縁層3において、前記第2の外部導体領域7は、前後、左右に隣接する第2の外部導体領域7と、前記切り欠き部分の位置が互いに90度ずれるように回転された状態で配置されることとなる。
そして、図3に示すように、前記多層絶縁基板1の表面および裏面にGNDパターン9を薄膜形成し、外部導体領域5,7が積層されたものと接続すると、前記多層絶縁基板1において同軸配線が完成し、電気特性に優れた基板が実現される。本発明の多層絶縁基板1は、内部導体領域4,6と外部導体領域5,7によって擬似同軸電極を形成することにより、基板の厚みが増加した際のインダクタンス及びインピーダンスの上昇を抑えることが可能となる。
続いて本発明の多層絶縁基板1の製造方法について説明する。まず初めに、未焼結セラミック成形体であるセラミックのグリーンシート12を用意する。前記セラミックのグリーンシート12は、セラミック粉末体としてのアルミナ粉末、有機バインダ、溶剤、可塑剤等を混合してスラリーを製作し、ドクターブレード法、あるいはカレンダーロール法等を用いてセラミックをシート状に形成したものである。
次に、前記セラミックのグリーンシート12に、図4(a)に示すように、パンチング工程によって2種類の貫通孔を形成する。1つの貫通孔は第1の中心導体領域4を形成するための円形の貫通孔13である。前記円形の貫通孔13を、例えばφ0.1mmの大きさとし、1.0mmピッチで縦横等間隔で複数形成する。
もう1つの貫通孔は、円弧状の貫通孔14である。前記円弧状の貫通孔14は、図4(a)に示すように、前記円形の貫通孔13を取り囲むように所定の間隔を空けて2つ形成する。もし、2つの円弧状の貫通孔14を繋げてリングとしてパンチング加工すると、前記貫通孔13と前記貫通孔14との間のシートが抜け落ちてしまうために、2つの円弧状の貫通孔14を所定の間隔を空けて形成し、前記貫通孔13と前記貫通孔14との間と前記貫通孔14の外側との接続部とする。このような接続部を設けないで、前記貫通孔13と前記貫通孔14との間のシートが抜け落ちない方法をもちいれば、前記貫通孔14をリング状とすることもできる。
前記2つの円弧状の貫通孔14は、外径がφ0.8mm、内径がφ0.64mmとする。さらに、前記2つの円弧状の貫通孔14の間に位置する接続部の幅は0.08mmとし、前後、左右に隣接する前記貫通孔13の2つの円弧状の貫通孔14の接続部が,互いに異なる位置となるように配置する。図4(a)では、前記2つの円弧状の貫通孔14は上下に接続部を有するものと、左右に接続部を有するものとの2種類の配置とし、互いに円周方向に90°ずれた状態とする。
このようにして、前記円形の貫通孔13および前記円弧状の貫通孔14を形成した後、前記円形の貫通孔13および前記円弧状の貫通孔14に、導電性ペースト、ここではメタルペーストをパターン印刷を用いて充填する。これにより、前記円形の貫通孔13および前記円弧状の貫通孔14にメタルペーストが充填されたセラミックのグリーンシート12が出来上がる。このようなセラミックのグリーンシート12が図2(a)に示す前記第1の絶縁層2となる。
次に、前記セラミックのグリーンシート12と交互に積層するセラミックのグリーンシート12’について説明する。先ずは、未焼結セラミック成形体であるセラミックのグリーンシート12’を用意する。前記グリーンシート12’に、前記円形の貫通孔13を、前記グリーンシート12の円形の貫通孔13と同じ位置に、同じ大きさで形成する。そして、前記円形の貫通孔13を取り囲むように、円弧状の貫通孔14を2つ間隔を空けて形成するが、図4(b)に示すように、2つの円弧状の貫通孔14の間の間隔を設けた接続部は、前記グリーンシート12の2つの円弧状の貫通孔14の間の間隔を設けた接続部とは異なるように、つまり、上下に接続部を設けている所は左右に、左右に接続部を設けている所は上下となるように配置する。
このようにして、前記円形の貫通孔13および前記円弧状の貫通孔14を形成した後、前記円形の貫通孔13および前記円弧状の貫通孔14にメタルペーストを充填する。これにより、前記円形の貫通孔13および前記円弧状の貫通孔14にメタルペーストが充填されたセラミックのグリーンシート12’が出来上がる。このようなセラミックのグリーンシート12’が、図2(b)に示す前記第2の絶縁層3となる。
このようして作成したグリーンシート12とグリーンシート12’を、メタルペーストが充填された円形の貫通孔13が上下に重なるように位置合わせを行い交互に積層する。前記グリーンシート12と前記グリーンシート12’を交互に積層した状態で加圧してセラミックの積層体を形成する。
その後、前記セラミックの積層体を、1500℃〜1800℃で加熱することにより、前記セラミックのグリーンシート12,12’および前記メタルペーストを焼結させると、前記メタルペーストが導体として形成され、前記グリーンシート12は、前記第1の中心導体領域4および前記第1の外部導体領域5が形成されて前記第1の絶縁層2となり、前記グリーンシート12’は、前記第2の中心導体領域6および前記第2の外部導体領域7が形成されて前記第2の絶縁層3となり、図1に示すような本発明の多層絶縁基板1が完成する。
前記多層絶縁基板1の説明では、前記第1の外部導体領域5および前記第2の外部導体領域7をそれぞれ2つの円弧状の導体からなる構造としたが、前記導体の形状および個数は変更可能である。図5に示すのは、導体の形状は円弧状であるが、8つの導体で、1つの前記第1の外部導体領域5’および前記第2の外部導体領域7’を形成した、第1の絶縁層2と第2の絶縁層3である。この時、上下に位置する第1の外部導体領域5’および前記第2の外部導体領域7’の切り欠き部分の位置は、互いに22.5°円周方向にずれた状態で配置されている。このような配置により、前記第1の外部導体領域5’および前記第2の外部導体領域7’による同軸形状を形成している。
前記第1の外部導体領域5,5’および前記第2の外部導体領域7,7’を円弧状の導体によって形成した場合、各導体の湾曲部にクラックが生じる可能性がある。このようなクラックは、前記第1の外部導体領域5,5’および前記第2の外部導体領域7,7’を形成する導体を直線形状とすることにより防止できる。このような直線形状の導体によって前記第1の外部導体領域15および前記第2の外部導体領域17を形成した第1の絶縁層2と第2の絶縁層3が、図6に示す形態である。
図6に示すのは、4つの直線形状の導体によって前記第1の外部導体領域5および前記第2の外部導体領域7を四角いリング状に形成したものである。このように2つの導体が長い形状の場合、中心導体領域4,6からの距離が大きく異なる箇所が生じるので、これを解消する方法として、図7に示すように、8つの直線形状の導体によって前記第1の外部導体領域15’および前記第2の外部導体領域17’を形成することが好ましい。
このように、8つの直線形状の導体によって、図8(a)に示すような前記第1の外部導体領域15’および前記第2の外部導体領域17’を形成した場合、図8(b)に示す外部導体15’,17’だけの略立体図に示すように、前記第1の外部導体領域15’および前記第2の外部導体領域17’によって略円筒形状の導体が形成されるので、クラック防止と、より好ましい同軸形状を両立させることができる。
このような本発明の多層絶縁基板1をプローブカードのスペーストランスフォーマ基板として用いると、インピーダンス整合設計に優れた性能をもたらし、多ピン対応が可能となり、プローブカードの性能向上に役立つ。また、プローブカードに限らず、他の用途としても優れた電気特性を発揮することが可能となる。
1 多層絶縁基板
2 第1の絶縁層
3 第2の絶縁層
4 第1の中心導体領域
5,5’ 第1の外部導体領域
6 第2の中心導体領域
7,7’ 第2の外部導体領域
9 GNDパターン
12 グリーンシート
13 円形の貫通孔
14 円弧状の貫通孔
15,15’ 第1の外部導体領域
17,17’ 第2の外部導体領域
2 第1の絶縁層
3 第2の絶縁層
4 第1の中心導体領域
5,5’ 第1の外部導体領域
6 第2の中心導体領域
7,7’ 第2の外部導体領域
9 GNDパターン
12 グリーンシート
13 円形の貫通孔
14 円弧状の貫通孔
15,15’ 第1の外部導体領域
17,17’ 第2の外部導体領域
Claims (5)
- 貫通電極を構成する第1の中心導体領域、および前記第1の中心導体領域を取り囲む第1の外部導体領域とを有する第1の絶縁層と、
貫通電極を構成する第2の中心導体領域、および前記第2の中心導体領域を取り囲む第2の外部導体領域とを有する第2の絶縁層とから構成され、
前記第1の外部導電体領域および前記第2の外部導電体領域は、少なくとも一部を切り欠いた環状に形成されており、
前記第1の絶縁層に前記第2の絶縁層が積層されることにより、前記第1の中心導体領域と前記第2の中心導体領域とが電気的に接続され、前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域とが電気的に接続され、前記第1の中心導体領域および前記第2の中心導体領域に対して、前記第1の外部導体領域および前記第2の外部導体領域が同軸配線の構造を構成していることを特徴とする多層絶縁基板。 - 前記第1の外部導体領域および前記第2の外部導体領域は、互いに間隔を空けて配置された複数の導体によってそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項1に記載の多層絶縁基板。
- 前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域が同じ形状であり、前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域が、前記第1の中心導体領域と前記第2の中心導体領域をそれぞれ中心として、互いにずれるように回転されて配置されていることを特徴とする請求項2に記載の多層絶縁基板。
- 前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域の形状が略リング状となるように、各導体が円弧状に形成されていることを特徴とする請求項2または3に記載の多層絶縁基板。
- 表から裏まで貫通する第1の中心導体領域、および前記第1の中心導体領域とは間隔を空けて取り囲み、表から裏まで貫通する第1の外部導体領域とを第1の絶縁層に形成し、
表から裏まで貫通する第2の中心導体領域、および前記第2の中心導体領域とは間隔を空けて取り囲み、表から裏まで貫通する第2の外部導体領域とを第2の絶縁層に形成し、
前記第1の外部導電体領域および前記第2の外部導電体領域を形成する際に、前記第1の外部導電体領域および前記第2の外部導電体領域が少なくとも一部を切り欠いた環状に形成し、かつ、前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域が、前記第1の中心導体領域と前記第2の中心導体領域をそれぞれ中心軸として、互いに所定角度回転して、環状の開いた部分がずれるように形成し、
前記第1の中心導体と前記第2の中心導体が重なり合うように、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層を重ね合わせ、前記第1の中心導体領域と前記第2の中心導体領域と電気的に接続し、前記第1の外部導体領域と前記第2の外部導体領域を電気的に接続させることを特徴とする多層絶縁基板の製造方法。
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