JP6204747B2 - 電磁バンドギャップ素子及び電子回路 - Google Patents
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Description
本実施形態では、面状の導体パッチとグランド導体とを平行な2つの面に配置する電磁バンドギャップ素子において、この2つの面の間の面で、これらの面と平行な2つの面に、それぞれ線状の導体を形成する。すなわち、4層の平行な面において導体が形成され、その1番上の面に導体パッチが、1番下の面にグランド導体がそれぞれ配置され、内層の2つの面において線状の導体が形成される。そして、2番目の面の線状の導体の1つの端部がビアを介して導体パッチに接続されると共に、反対側の端部が同様にビアを介して、3番目の面の線状の導体の1つの端部に接続される。3番目の面の線状の導体の1つの端部は上述のようにビアを介して2番目の面の線状の導体の端部に接続され、反対側の端部はビアを介してグランド導体に接続される。すなわち、本実施形態においては、4層にそれぞれ形成される導体は全て接続されることとなり、従来のマッシュルーム構造の電磁バンドギャップ素子の導体パッチとグランド導体とを接続するビアが変形したような構造をとることとなる。以下、この構造について詳細に説明する。なお、以下では、「線状導体」などの文言を使用するが、この導体は、厳密には、1つの面上に、薄い導体板をプリントすることによって形成される場合が多い。このため、ここでは、実際には板として形成される場合でも、導体板が延伸して1つの線を形成するような形状であるものをも含めて「線状導体」と呼ぶ。
実施形態1においては、2つの面に導体パッチとグランド導体とを形成し、その間の2つの面に、線状の導体を形成してこれらを接続することにより、リアクタンス成分を増加させる電磁バンドギャップ素子の構成について説明した。これに対して、本実施形態では、導体パッチと同じ面に1つの線状の導体を形成すると共に、導体パッチとグランド導体との間の1つの面において線状の導体を形成してリアクタンス成分を増加させる電磁バンドギャップ素子の構成について説明する。
Claims (10)
- 互いに平行な第1の面および第2の面にそれぞれ形成される第1の面状の導体および第2の面状の導体と、
前記第1の面および前記第2の面に平行な面であって、前記第1の面および前記第2の面の間の、少なくとも1つの第3の面に形成される第1の線状の導体と、
を有し、
2つ以上の前記第3の面において、当該2つ以上の第3の面のそれぞれにおいて2つ以上の前記第1の線状の導体が形成され、前記2つ以上の第1の線状の導体のそれぞれが端部において互いに接続されて1つの線状の導体が形成され、
前記1つの線状の導体を介して前記第1の面状の導体と前記第2の面状の導体とが接続されるように構成される、
ことを特徴とする電磁バンドギャップ素子。 - 前記第1の面において第2の線状の導体が形成され、
前記第2の線状の導体は、1つの端部において前記第1の面状の導体に接続されると共に逆側の端部において前記第1の線状の導体に接続され、前記第1の線状の導体が前記第2の面状の導体に接続されることにより、前記第1の面状の導体と前記第2の面状の導体とが前記第1の線状の導体を介して接続されるように構成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の電磁バンドギャップ素子。 - 前記第1の面の垂直方向から見て、前記第1の線状の導体および前記第2の線状の導体のそれぞれの少なくとも一部が重なると共に、その一部において電流の向きが同じ向きとなるように、前記第1の線状の導体および前記第2の線状の導体が形成される、
ことを特徴とする請求項2に記載の電磁バンドギャップ素子。 - 互いに平行な第1の面および第2の面にそれぞれ形成される第1の面状の導体および第2の面状の導体と、
前記第1の面および前記第2の面に平行な面であって、前記第1の面および前記第2の面の間の、少なくとも1つの第3の面に形成される第1の線状の導体と、
を有し、
前記第1の面において第2の線状の導体が形成され、
前記第2の線状の導体は、1つの端部において前記第1の面状の導体に接続されると共に逆側の端部において前記第1の線状の導体に接続され、前記第1の線状の導体が前記第2の面状の導体に接続されることにより、前記第1の面状の導体と前記第2の面状の導体とが前記第1の線状の導体を介して接続されるように構成され、
前記第1の面の垂直方向から見て、前記第1の線状の導体および前記第2の線状の導体のそれぞれの少なくとも一部が重なると共に、その一部において電流の向きが同じ向きとなるように、前記第1の線状の導体および前記第2の線状の導体が形成される、
ことを特徴とする電磁バンドギャップ素子。 - 前記第1の線状の導体は、少なくとも一部において渦巻き形状を有する、
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の電磁バンドギャップ素子。 - 前記第1の線状の導体は、少なくとも一部において蛇行形状を有する、
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の電磁バンドギャップ素子。 - 前記第1の面の垂直方向から見て、前記2つ以上の第1の線状の導体のうちの2つの第1の線状の導体について、それぞれの少なくとも一部が重なると共に、その一部において電流の向きが同じ向きとなるように、前記2つの第1の線状の導体が形成される、
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電磁バンドギャップ素子。 - 前記第2の線状の導体は、少なくとも一部において渦巻き形状を有する、
ことを特徴とする請求項2又は4に記載の電磁バンドギャップ素子。 - 前記第2の線状の導体は、少なくとも一部において蛇行形状を有する、
ことを特徴とする請求項2又は4に記載の電磁バンドギャップ素子。 - 請求項1から9のいずれか1項に記載の電磁バンドギャップ素子を1次元または2次元に配列して形成されることを特徴とする電子回路。
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